KR20100013126A

KR20100013126A - Substrate processing equipment

Info

Publication number: KR20100013126A
Application number: KR1020080074657A
Authority: KR
Inventors: 채문식; 임용환; 이향주; 이중희
Original assignee: (주)소슬
Priority date: 2008-07-30
Filing date: 2008-07-30
Publication date: 2010-02-09
Also published as: KR101413526B1

Abstract

PURPOSE: A substrate processing equipment is provided to reduce assembly and settling time in a maintenance process of a chamber by separating a top lead and a lower lead. CONSTITUTION: A chamber body(200) has an opening part on the top. The lower lead(310) is arranged to the chamber body in order to be detachable. The lower lead has the reaction space communicated with the opening. An upper lead(320) is arranged to the lower lead in order to be detachable. The upper lead shields the upper part of the lower lead and seals the reaction space and the opening. A separation unit(3000) is fixed one among the chamber body and lower lead and opens/closes the upper lead.

Description

Substrate processing equipment

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 장치에서, 기판의 비 식각 영역 상측에 플라즈마 발생을 막는 차폐 수단을 두어 선택적으로 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for etching a substrate using plasma, the substrate processing apparatus for selectively etching the substrate by providing a shielding means for preventing plasma generation above the non-etched region of the substrate. It is about.

일반적으로, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 발생되는 플라즈마 방식과, 플라즈마가 적용되는 공정 단계에 따라 다양한 변형이 가능하다. In general, an apparatus for processing a substrate using plasma may be modified in various ways depending on the generated plasma method and the process steps to which the plasma is applied.

플라즈마 발생 방식으로 크게 용량성 결합에 의한 플라즈마 발생(CCP; Capacitively coupled plasma) 방식과, 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma; ICP) 방식이 있다. 이때, ICP 방식이 CCP 방식에 비하여 높은 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 그리고, 플라즈마 처리 장치를 통해 박막 증착 공정과 박막 식각 공정을 수행할 수 있다. Plasma generation methods include capacitively coupled plasma (CCP) and inductively coupled plasma (ICP) methods. In this case, the ICP method may generate a higher density plasma than the CCP method. The thin film deposition process and the thin film etching process may be performed through the plasma processing apparatus.

그 일예로 반도체 기판의 에지 영역 식각을 위한 기판 처리 장치는 기판의 에지 영역에만 선택적으로 플라즈마를 발생시켜 에지 영역의 막 또는 파티클을 제 거한다. 이를 위해 기판 처리 장치는 기판의 에지 영역을 제외한 기판 상측 영역에 차폐 수단을 인접 배치시킨다. 이를 통해 차폐 수단과 이와 인접 배치된 기판 사이에서 플라즈마가 발생되는 것을 막는다. 즉, 차폐 수단으로 기판 에지 영역을 제외한 영역에서의 플라즈마 발생을 막아 기판 에지 영역에서만 선택적으로 플라즈마를 생성시킨다. 이를 통해 기판 에지 영역을 선택적으로 식각할 수 있다. For example, a substrate processing apparatus for etching an edge region of a semiconductor substrate may selectively generate plasma only in an edge region of a substrate to remove a film or particles in the edge region. For this purpose, the substrate processing apparatus arranges the shielding means adjacent to the upper region of the substrate except for the edge region of the substrate. This prevents the generation of plasma between the shielding means and the substrate disposed adjacent thereto. That is, the shielding means prevents plasma generation in an area except the substrate edge area, thereby selectively generating plasma only in the substrate edge area. This allows selective etching of the substrate edge region.

하지만, 이경우 기판과 차폐 수단 사이의 이격 거리(즉, 간극)을 일정하게 유지하는 것이 매우 중요하다. 즉, 상기 간극이 일정 범위 이상일 경우에는 원치않는 영역에 플라즈마가 발생되는 문제가 있고, 간극이 일정범위 이하일 경우에는 기판 상에 형성된 반도체 패턴이 손상을 받게 되는 문제가 발생한다. In this case, however, it is very important to keep the separation distance (ie the gap) between the substrate and the shielding means constant. That is, when the gap is greater than or equal to a certain range, there is a problem that plasma is generated in an undesired area, and when the gap is less than or equal to a certain range, a problem occurs that the semiconductor pattern formed on the substrate is damaged.

이뿐만 아니라, 기판과 차폐 수단 사이의 정렬 또한 매우 중요한 요인으로 작용하게 된다. 즉, 만일 차폐 수단과 기판 간의 정렬이 어긋난 경우에는 원치 않는 기판 영역에 플라즈마가 발생하게 되고, 이로인해, 식각되어야할 기판 에지 영역이 식각되지 않거나, 식각되지 않아야할 기판 영역이 식각되는 문제가 발생한다. In addition to this, the alignment between the substrate and the shielding means is also a very important factor. That is, if the alignment between the shielding means and the substrate is misaligned, plasma is generated in the unwanted substrate region, thereby causing a problem that the substrate edge region to be etched is not etched or the substrate region to be etched is etched. do.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 챔버 리드를 반응 공간을 형성하는 하측 리드와 상측 리드로 분리 제작하고, 상측 리드에 차폐부를 부착하고, 상측 리드를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 조절하여 차폐부와 기판 간의 간격과 위치를 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Therefore, the present invention was derived to solve the above problems, the chamber lead is separated into a lower lead and an upper lead forming a reaction space, and the shield is attached to the upper lead, the upper lead is X, Y, Z And it aims to provide a substrate processing apparatus that can adjust the distance and position between the shielding portion and the substrate by adjusting in the θ direction.

본 발명은 상측이 개방된 대기 공간을 갖는 챔버 몸체부와, 상기 챔버 몸체부와 착탈 가능하도록 배치되고 상기 대기 공간과 연통되는 반응 공간을 갖는 하측 리드와, 상기 하측 리드와 착탈 가능하도록 배치되고, 상기 하측 리드의 상측 영역을 차폐하여 상기 반응 공간과 상기 대기 공간을 밀봉시키는 상측 리드와, 일부가 상기 챔버 몸체부 및 하측 리드 중 어느 하나에 고정되고 상기 상측 리드를 개폐시키는 착탈 수단 및 상기 착탈 수단과 상기 상측 리드 간을 연결하고, 상기 상측 리드를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시키는 위치 조정부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention is a chamber body portion having an upper open air space, a lower lead having a reaction space arranged to be detachable from the chamber body portion and in communication with the air space, and is arranged to be detachable from the lower lead, An upper lid for shielding the upper region of the lower lid to seal the reaction space and the standby space, a detachable means fixed to one of the chamber body portion and the lower lid, and opening and closing the upper lid; And a position adjusting unit connecting the upper lead and the upper lead to move in the X, Y, Z and θ directions.

상기 위치 조정부는, 상기 착탈 수단에 결합 고정된 조정 몸체와, 상기 상측 리드에 결합되어 상기 상측 리드를 X축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부와, 상기 상측 리드에 결합되어 상기 상측 리드를 Y축 방향으로 이동시키는 제 2 축 방향 이동 체결부 및 상기 상측 리드를 Z축 방향으로 이동시키는 축 방향 이동부를 포함하는 것이 바람직하다. The position adjusting unit includes an adjustment body fixed to the detachable means, a first axial movement fastening unit coupled to the upper lead to move the upper lead in the X-axis direction, and coupled to the upper lead to the upper lead. It is preferable to include a second axial movement fastening portion for moving the in the Y-axis direction and an axial movement portion for moving the upper lead in the Z-axis direction.

상기 제 1 축 방향 이동 체결부는 상기 조정 몸체에 마련되고 상기 X축 방향으로 절개된 복수의 제 1 관통홈과, 상기 제 1 관통홈을 관통하여 상기 상측 리드에 체결되는 복수의 제 1 축 체결부를 포함하고, 상기 제 2 축 방향 이동 체결부는 상기 조정 몸체에 마련되고 상기 Y축 방향으로 절개된 복수의 제 2 관통홈과, 상기 제 2 관통홈을 관통하여 상기 상측 리드에 체결되는 복수의 제 2 축 체결부를 포함하는 것이 효과적이다. The first axial moving fastening part is provided in the adjusting body and cuts in the X-axis direction, and a plurality of first shaft fastening parts penetrating the first through hole and fastened to the upper lead. And a plurality of second through grooves provided in the adjustment body and cut in the Y-axis direction, and a plurality of second through holes through the second through grooves and fastened to the upper lead. It is effective to include the shaft fastening portion.

상기 제 1 관통홈과 제 2 관통홈은 각기 대략 타원 형으로 제작되고, 상기 제 1 및 제 2 축 체결부 각각이 상기 제 1 및 제 2 관통홈의 장축 방향으로 이동가능하도록 체결되며, 상기 제 1 관통홈의 장축 방향은 X축 방향이고, 상기 제 2 관통홈의 장축 방향은 Y축 방향인 것이 바람직하다. The first through groove and the second through groove are each formed in an approximately elliptic shape, and the first and second shaft fastening portions are fastened to be movable in the long axis direction of the first and second through grooves, respectively. It is preferable that the long axis direction of the first through groove is the X axis direction, and the long axis direction of the second through groove is the Y axis direction.

상기 제 1 및 제 2 축 체결부 각각은 헤더와, 상기 헤더에서 연장되고 표면의 적어도 일부에 나사선을 갖는 연장 몸체를 포함하고, 상기 헤더의 최소 직경이 상기 제 1 및 제 2 관통홈의 단축 방향의 최대 길이보다 큰 것이 효과적이다.Each of the first and second shaft fasteners includes a header and an extension body extending from the header and having a thread on at least a portion of the surface, the minimum diameter of the header being in the minor axis direction of the first and second through holes. Greater than the maximum length of is effective.

상기 축 방향 이동부는 상기 조정 몸체에 마련된 복수의 관통홀과, 상기 관통홀 내측에 마련된 복수의 핀부를 포함하는 것이 가능하다.The axial moving part may include a plurality of through holes provided in the adjusting body and a plurality of pin parts provided inside the through holes.

상기 조정 몸체는 상기 제 1 축 방향 이동 체결부가 마련된 제 1 축 방향 고정 몸체와, 상기 제 2 축 방향 이동 체결부가 마련된 제 2 축 방향 고정 몸체를 포함하는 것이 가능하다.The adjusting body may include a first axial fixation body provided with the first axial movement fastening portion, and a second axial fixation body provided with the second axial movement fastening portion.

상기 위치 조정부는, 상기 착탈 수단에 결합된 제 1 블록과, 상기 제 1 블록의 하측에 결합된 제 2 블록과, 상기 제 2 블록의 측면과 상기 상측 리드에 결합된 제 3 블록을 구비하는 조정 몸체와, 상기 제 1 블록과 상기 제 2 블록 간을 결합 고정시키되, 상기 제 2 블록과 상기 상측 리드에 결합된 상기 제 3 블록을 제 1 축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부 및 상기 제 3 블록과 상기 상측 리드 간을 결합 고정시키되, 상기 상측 리드를 제 2 축 방향으로 이동시키는 제 2 축 방향 이동 체결부를 포함하는 것이 가능하다. And the position adjusting unit includes a first block coupled to the detachable means, a second block coupled to the lower side of the first block, and a third block coupled to the side surface of the second block and the upper lead. A first axial movement fastening part for coupling and fixing the body and the first block and the second block to move the third block coupled to the second block and the upper lead in a first axial direction; It is possible to include a second axial movement fastening portion for coupling and fixing between the third block and the upper lead, to move the upper lead in the second axial direction.

상기 착탈 수단은, 상기 챔버 몸체부에 고정된 제 1 고정판과, 상기 제 1 고정판의 일측에 마련된 제 1 힌지부와, 상기 제 1 힌지부에서 상기 상측 리드 방향으로 연장된 제 1 연장축과, 상기 제 1 연장축의 일측에 마련된 제 2 힌지부 및 상기 제 2 인지부에서 상기 위치 조정부 방향으로 연장되어 상기 위치 조정부에 고정된 제 2 연장축부를 포함하는 것이 바람직하다.The detachable means may include a first fixing plate fixed to the chamber body part, a first hinge part provided at one side of the first fixing plate, a first extension shaft extending from the first hinge part in the upper lead direction, It is preferable to include a second hinge portion provided on one side of the first extension shaft and a second extension shaft portion fixed in the position adjustment portion extending in the direction of the position adjustment portion from the second recognition portion.

상기 제 1 힌지부는 상기 챔버 몸체부와 상기 하측 리드의 경계 영역에 마련되고, 상기 제 2 힌지부는 상기 하측 리드의 상측 표면 영역에 마련되는 것이 효과적이다. Preferably, the first hinge portion is provided at a boundary region between the chamber body portion and the lower lid, and the second hinge portion is provided at an upper surface region of the lower lid.

상기 하측 리드의 내측에 마련된 안테나부 및 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 더 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the antenna unit further includes an antenna unit provided inside the lower lead and a plasma power supply unit providing plasma power to the antenna unit.

상기 하측 리드는 수평 단면이 띠 형상으로 상기 반응 공간의 일부를 둘러싸는 실드부와, 상기 실드부와 결합하여 안테나 배치 공간을 형성하는 커버부를 포함하고, 상기 실드부와 커버부 중 적어도 어느 하나가 판형상의 상기 상측 리드에 밀 착 고정되는 것이 효과적이다. The lower lead may include a shield part surrounding a part of the reaction space in a band shape with a horizontal cross section, and a cover part coupled to the shield part to form an antenna arrangement space, and at least one of the shield part and the cover part It is effective to be firmly fixed to the upper lead of the plate shape.

기판 하측의 비식각 영역을 지지하는 기판 지지부 및 상기 기판의 비식각 영역에 대응 되도록 상기 상측 리드에 장착된 차폐부를 구비하고, 상기 기판 지지부를 승강시켜 상기 기판 상측의 비식각 영역을 상기 차폐부로 차폐하여 기판의 식각 영역을 반응 공간에 노출시키는 것이 바람직하다. A substrate support portion supporting a non-etched region under the substrate and a shield mounted on the upper lead so as to correspond to the non-etched region of the substrate, and lifting the substrate support to shield the non-etched region on the substrate side with the shield. It is preferable to expose the etching region of the substrate to the reaction space.

상기 차폐부와 상기 기판 사이의 간격을 측정하는 복수의 간극 감지 센서를 더 포함하고, 상기 간극 감지 센서는 상기 상측 리드 상에 배치된 감지 센서와 상기 감지 센서 하측에 위치하고, 상기 상측 리드와 상기 차폐부를 관통하여 배치된 센서창을 포함할 수 있다. A plurality of gap detection sensors for measuring the distance between the shield and the substrate, the gap detection sensor is located on the upper side of the sensing sensor and the sensing sensor disposed on the upper lead, the upper lead and the shielding It may include a sensor window disposed through the portion.

상기 간극 감지 센서에 따라 상기 위치 조정부와 상기 상측 리드의 움직임을 제어하는 제어 구동부를 포함하는 것이 가능하다. It is possible to include a control driver for controlling the movement of the position adjustment unit and the upper lead in accordance with the gap detection sensor.

상술한 바와 같이 본 발명은 챔버 리드를 안테나부가 위치한 하측 리드와 하측 리드에 개폐 가능하도록 장착된 판 형상의 상측 리드로 분리 제작하여 챔버의 유지 보수 공정 시 조립과 장착 시간을 줄일 수 있다. As described above, the present invention can separate the chamber lead into a lower lead in which the antenna unit is located and an upper lead in a plate shape mounted to be opened and closed on the lower lead, thereby reducing assembly and mounting time during the maintenance process of the chamber.

또한, 본 발명은 위치 조정 수단으로 판 형상의 상측 리드의 위치를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 조정하여 상측 리드에 고정된 차폐부의 위치를 자유롭게 조절할 수 있다. In addition, the present invention can freely adjust the position of the shield fixed to the upper lead by adjusting the position of the plate-shaped upper lead in the X, Y, Z and θ direction by the position adjusting means.

또한, 본 발명은 차폐부의 위치를 조정하여 차폐부와 기판 간의 이격 거리를 조절하고, 차폐부와 기판을 정렬하여, 기판의 식각 영역에서만 플라즈마가 발생되도록 할 수 있다. In addition, the present invention may adjust the position of the shield to adjust the separation distance between the shield and the substrate, the shield and the substrate may be aligned, so that the plasma is generated only in the etching region of the substrate.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 3은 일 실시예에 따른 챔버 리드부의 탈착을 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 차폐부 위치 조정부의 동작을 설명하기 위한 상측 리드의 평면 개념도이고, 도 5는 도 4의 A-A 선에 대해 자른 단면 개념도이고, 도 6은 도 4의 B-B 선에 대해 자른 단면 개념도이고, 도 7은 도 4의 C-C선에 대해 자른 단면 개념도이고, 도 8은 차폐부 위치 조정부의 동작을 설명하기 위한 개념도이다. 도 9는 일 실시예의 변형예에 따른 위치 조정부의 사시 개념도이다. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment, and FIG. 3 is an exploded view for explaining detachment of a chamber lead unit according to an embodiment. 4 is a perspective view of the upper lead for explaining the operation of the shield position adjusting unit according to an embodiment, FIG. 5 is a cross-sectional conceptual view taken along line AA of FIG. 4, and FIG. 6 is BB of FIG. 4. 7 is a cross-sectional conceptual view taken along line, FIG. 7 is a cross-sectional conceptual view taken along line CC of FIG. 4, and FIG. 8 is a conceptual view for explaining the operation of the shield position adjusting unit. 9 is a perspective conceptual view of a position adjusting unit according to a modified example of the embodiment.

도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상측 리드(320)와 하측 리드(310)로 분리된 챔버 리드(300)와 상기 챔버 리드(300)와 결합 하여 내부 공간(R, S)을 형성하는 챔버 몸체부(200)를 구비하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)의 내부 공간(R, S)에서 기판(10)을 지지하는 기판 지지부(400)와, 상측 리드(320)의 내측면에 장착되어 상기 기판(10)의 비 식각 영역을 차폐하는 차폐부(500)와, 상기 상측 리드(320)의 X, Y, Z 및 θ 방향의 위치를 조절하여 차폐부(500)의 위치를 미세 조정하는 위치 조정부(4000)와, 상기 내부 공간(R, S)에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성부(800, 900)를 포함한다. 1 to 8, the substrate processing apparatus according to the present embodiment is coupled to the chamber lid 300 and the chamber lid 300 separated by the upper lid 320 and the lower lid 310 to form an internal space ( A chamber 100 including a chamber body part 200 forming R and S, a substrate support part 400 supporting the substrate 10 in the internal spaces R and S of the chamber 100, The shield 500 is mounted on the inner side of the upper lead 320 to shield the non-etched region of the substrate 10, and the positions of the upper lead 320 in the X, Y, Z and θ directions are adjusted. Position adjusting unit 4000 for finely adjusting the position of the shield 500, and plasma generating unit (800, 900) for generating a plasma in the interior space (R, S).

여기서, 플라즈마 생성부(800, 900)는 하측 리드(310) 내에 마련된 안테나부(800)와, 상기 안테나부(800)에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부(900)를 포함한다. 그리고, 챔버(100)의 내부 공간(R, S)은 반응 공간(R)과 대기 공간(S)으로 분리된다. 이때, 반응 공간(R)은 챔버 리드(300) 영역에 마련되고, 대기 공간(S)은 챔버 몸체부(200) 영역에 마련된다. 여기서, 반응 공간(R)은 플라즈마가 발생하여 노출된 기판(10)영역을 식각하는 공간을 지칭하고, 대기 공간(S)은 플라즈마가 발생하지 않고, 기판(10)의 로딩과 언로딩을 위한 공간을 지칭한다.Here, the plasma generators 800 and 900 include an antenna unit 800 provided in the lower lead 310 and a plasma power supply unit 900 that provides plasma power to the antenna unit 800. In addition, the internal spaces R and S of the chamber 100 are separated into a reaction space R and an atmospheric space S. FIG. In this case, the reaction space R is provided in the chamber lead 300 region, and the standby space S is provided in the chamber body portion 200 region. Here, the reaction space R refers to a space for etching a region of the substrate 10 exposed by plasma generation, and the standby space S does not generate plasma, and is used for loading and unloading the substrate 10. Refers to space.

여기서 챔버(100)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 소정의 공간을 갖는 챔버 몸체부(200)와, 안테나 배치 공간(K)을 갖고 상기 챔버 몸체부(200)에 착탈되도록 결합되는 하측 리드(310)와 상기 하측 리드(310)에 착탈되도록 결합되는 상측 리드(320)를 포함하는 챔버 리드(300)를 구비한다. 2 and 3, the chamber 100 has a chamber body 200 having a predetermined space, and a lower side coupled to the chamber body 200 with an antenna arrangement space K. The chamber lid 300 includes a lid 310 and an upper lid 320 detachably coupled to the lower lid 310.

또한, 본 실시예에서는 하측 리드(310)와 상측 리드(320)를 각기 착탈 시키는 복수의 착탈 수단(3000)을 더 포함할 수 있다. 착탈 수단(3000)에 관한 설명은 후술한다. In addition, the present embodiment may further include a plurality of detachable means 3000 for detaching the lower lead 310 and the upper lead 320, respectively. The description about the removal means 3000 is mentioned later.

상기의 챔버 몸체부(200)와 챔버 리드(300)간이 결합 장착하여 밀봉된 내부 공간(R, S)을 형성한다. The chamber body 200 and the chamber lid 300 are coupled to each other to form a sealed inner space (R, S).

상술한 챔버 몸체부(200)는 상측이 개방되고, 내부가 비어 있는 대략 육면체 형태의 몸체(210)와, 적어도 몸체(210)의 측벽에 마련된 하측 가열 수단(220)을 구비한다. 여기서, 몸체(210)는 4개의 측벽을 구비하는 사각 기둥 형상으로 제작되고, 몸체(210)의 내부 빈 공간은 원형 기둥 형상으로 제작된다. 물론 이에 한정되지 않고, 몸체(201)는 원기둥 형태 및 다면체 형태를 가질 수 있고, 각 면의 형상 또한 다각형 형태로 제작될 수 있다. The above-described chamber body 200 has an upper side of the body 210 having a substantially hexahedron shape with an open side, and a lower heating means 220 provided on at least a side wall of the body 210. Here, the body 210 is manufactured in the shape of a square pillar having four sidewalls, and the inner empty space of the body 210 is manufactured in the shape of a circular pillar. Of course, the present invention is not limited thereto, and the body 201 may have a cylindrical shape and a polyhedron shape, and the shape of each surface may also be manufactured in a polygonal shape.

몸체(210)는 바닥판과, 바닥판의 가장자리에서 상측 방향으로 연장된 복수의 측벽을 구비한다. 몸체(210)의 일측(즉, 측벽)에는 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위한 게이트 밸브(미도시)가 마련된다. 또한, 몸체(210)의 일측(즉, 바닥판)에는 챔버(100) 내부의 불순물을 배기하기 위한 배기부(미도시)가 마련될 수도 있다. 또한, 몸체(210)의 내부 빈 공간에 기판 지지부(400)가 위치하고, 몸체(210)의 바닥판에는 기판 지지부(400)의 승강을 위한 승강 수단이 관통하는 관통홈이 마련된다. 이때, 몸체(210)의 빈 공간은 챔버(100)의 내부 공간(R, S)이 되고, 이때, 내부 공간(R, S) 중 대기 공간(S)으로 작용한다. The body 210 has a bottom plate and a plurality of side walls extending upward from an edge of the bottom plate. One side (ie, sidewall) of the body 210 is provided with a gate valve (not shown) for loading and unloading the substrate 10. In addition, an exhaust unit (not shown) may be provided at one side (ie, bottom plate) of the body 210 to exhaust impurities in the chamber 100. In addition, the substrate support part 400 is located in the inner empty space of the body 210, and the bottom plate of the body 210 is provided with a through groove through which the lifting means for lifting the substrate support part 400 passes. At this time, the empty space of the body 210 becomes the internal space (R, S) of the chamber 100, at this time, acts as the atmospheric space (S) of the internal space (R, S).

상기 몸체(210)의 적어도 측벽의 일부 영역에는 챔버(100)를 가열하기 위한 하측 가열 수단(220)이 마련된다. 하측 가열 수단(220)은 도 1에 도시된 바와 같이 측벽 내에 위치한다. 이와 같이 하측 가열 수단(220)으로 몸체(210)를 가열하여 외부 영향에 의해 챔버(100) 내부 공간(R, S)의 온도가 급격하게 변화하는 것을 방지 할 수 있다.Lower heating means 220 for heating the chamber 100 is provided in at least a portion of the side wall of the body 210. The lower heating means 220 is located in the side wall as shown in FIG. As such, by heating the body 210 with the lower heating means 220, it is possible to prevent the temperature of the internal spaces R and S of the chamber 100 from being suddenly changed by external influences.

여기서, 하측 가열 수단(220)으로 전기 히터를 사용하는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 하측 가열 수단(220)으로 램프 히터를 사용할 수도 있다. 이와 같이 몸체(220)의 측벽 내측 영역 또는 측벽의 내측면에 하측 가열 수단(220)을 위치시켜 기판(10)의 로딩 단계에서부터 기판(10)의 에지 영역(즉, 기판이 식각될 영역)을 집중적으로 가열할 수 있다. 이를 통해 기판 에지 영역 식각시 반응성을 향상시킬 수 있다. 더욱이 기판(10)의 에지 영역에 금속막이 형성된 경우 기판 에지 영역의 가열을 통해 금속막과 반응 가스 사이의 식각 반응을 향상시키며 식각반응으로 발생하는 식각 반응 부산물이 다시 퇴적되지 않고 용이하게 펌핑 배출될 수 있게 하여 플라즈마 공정으로 금속막을 용이하게 제거시킬 수 있게 된다. 물론 하측 가열 수단(220)은 몸체(210)의 바닥판에도 마련될 수 있다.Here, it is preferable to use an electric heater as the lower heating means 220. Of course, the present invention is not limited thereto, and a lamp heater may be used as the lower heating means 220. As such, the lower heating means 220 is positioned on the inner sidewall of the sidewall or the inner sidewall of the body 220 so that the edge region of the substrate 10 (that is, the region where the substrate is to be etched) is removed from the loading step of the substrate 10. Can be heated intensively. This may improve the reactivity when etching the substrate edge region. Furthermore, in the case where the metal film is formed in the edge region of the substrate 10, the etching reaction between the metal film and the reactant gas is enhanced by heating the substrate edge region, and the etching reaction by-products generated by the etching reaction can be easily pumped out without being deposited again. The metal film can be easily removed by the plasma process. Of course, the lower heating means 220 may be provided on the bottom plate of the body 210.

상술한 챔버 몸체부(200)는 챔버 리드(300)와 결합하여 챔버(100)의 내부 공간(R, S)을 형성한다. The above-described chamber body 200 is combined with the chamber lid 300 to form internal spaces R and S of the chamber 100.

챔버 리드(300)는 중심부가 상하로 관통된 통 형상으로 제작되고 챔버 몸체부(200)에 착탈되도록(즉, 탈부착이 용이하도록) 결합된 하측 리드(310)와, 대략 판 형상으로 제작되어 상기 하측 리드(310)에 착탈되도록(즉, 탈부착이 용이하도록) 결합된 상측 리드(320)를 구비한다. The chamber lid 300 is formed in a cylindrical shape through which the center is penetrated up and down, and is coupled to the lower lid 310 so as to be attached to and detached from the chamber body 200 (that is, to be easily attached and detached), and is manufactured in a substantially plate shape. The upper lead 320 is coupled to the lower lead 310 to be attached to and detached from the lower lead 310.

여기서, 중심부가 상하로 관통된 통 형상의 하측 리드(210)의 상측 영역은 상측 리드(320)에 의해 차폐된다. 이때, 하측 리드(310) 내측 빈 공간은 챔버(100)의 내부 공간(R, S)이 되고, 내부 공간(R, S) 중 반응 공간(S)으로 작용한다. 이 때, 하측 리드(210)의 하측 영역은 도 2에 도시된 바와 같이 챔버 몸체부(200)에 결합된다. 따라서, 하측 리드(310)의 내측 빈 공간과 챔버 몸체부(200)의 빈 공간이 연통되어 챔버(100)의 내부 공간(R, S)을 형성한다.Here, the upper region of the cylindrical lower lid 210 through which the central portion penetrates up and down is shielded by the upper lid 320. At this time, the empty space inside the lower lid 310 becomes the internal spaces R and S of the chamber 100, and serves as the reaction space S among the internal spaces R and S. At this time, the lower region of the lower lid 210 is coupled to the chamber body 200 as shown in FIG. Therefore, the inner empty space of the lower lid 310 and the empty space of the chamber body 200 communicate with each other to form internal spaces R and S of the chamber 100.

여기서, 본 실시예에서는 도 3에서와 같이 하측 리드(310)를 챔버 몸체부(200)에 고정시킨 상태에서 상측 리드(320) 만을 개방할 수 있다. 이를 통해 챔버(100)의 내부 공간(즉, 반응 공간(R)과 대기 공간(S))의 불순물 제거를 위한 유지 보수를 수행할 수 있게 된다. 또한, 챔버(100)의 유지 보수를 수행하는 동안 안테나부(800)가 마련된 하측 리드(310)가 고정되어있기 때문에 안테나부(800)의 이동을 방지할 수 있다. 이를 통해 종래의 챔버(100) 유지 보수시 안테나부(800)의 이동으로 인한 안테나부(800)의 위치 변동을 방지하여 플라즈마의 생성 위치를 일정하게 유지할 수 있다. In this embodiment, as shown in FIG. 3, only the upper lead 320 may be opened while the lower lead 310 is fixed to the chamber body 200. Through this, maintenance for removing impurities in the inner space of the chamber 100 (that is, the reaction space R and the atmospheric space S) may be performed. In addition, since the lower lead 310 in which the antenna unit 800 is provided is fixed while performing the maintenance of the chamber 100, the movement of the antenna unit 800 may be prevented. In this way, the position of the antenna unit 800 may be prevented due to the movement of the antenna unit 800 during the maintenance of the conventional chamber 100, thereby maintaining a constant generation position of the plasma.

하기에서는 각기 착탈 가능한 하측 리드(310)와 상측 리드(320)에 관해 좀더 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the lower lead 310 and the upper lead 320 that can be detached from each other will be described in more detail.

하측 리드(310)는 도 2에 도시된 바와 같이 중심부가 상하로 관통된 대략 원형 통 형상의 실드부(311)와, 실드부(311)과 결합하여 안테나 배치 공간(K)을 형성하는 커버부(312)를 구비한다.As shown in FIG. 2, the lower lead 310 includes a shield portion 311 having a substantially circular cylindrical shape having a central portion penetrated up and down, and a cover portion combined with the shield portion 311 to form an antenna arrangement space K. As shown in FIG. 312.

이때, 실드부(311)의 내측 영역(실드부(311) 안쪽 공간)이 반응 공간(R)으로 작용한다. 도 2에 도시된 바와 같이 실드부(311)와 커버부(312) 사이에는 안테나 배치 공간(K)이 마련된다. 그리고, 안테나 배치 공간(K)에는 안테나부(800)가 배치된다. 따라서, 실드부(311)는 안테나부(800)에 제공된 고주파 에너지를 투과시켜 실드부(311) 안쪽 공간(즉, 반응 공간(R))에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 물질로 제작하는 것이 바람직하다. 예를 들어 절연체 즉, 알루미나(Al₂O₃)로 제조할 수 있다. At this time, the inner region of the shield portion 311 (space inside the shield portion 311) serves as the reaction space R. As shown in FIG. 2, an antenna arrangement space K is provided between the shield part 311 and the cover part 312. And the antenna unit 800 is disposed in the antenna arrangement space (K). Therefore, the shield part 311 is preferably made of a material capable of generating plasma in the space (ie, the reaction space R) inside the shield part 311 by transmitting high frequency energy provided to the antenna part 800. . For example, it may be made of an insulator, that is, alumina (Al ₂ O ₃ ).

상기 실드부(311)는 원형 링 형상의 내측 실드판과, 내측 실드판 하측에서 외측 방향으로 연장된 대략 사각판 형상의 하측 실드판을 구비한다. 이를 통해 실드부(311)는 그 수직 방향 단면이 L 자 형상으로 제작된다. 이때, 하측 실드판이 챔버 몸체부(200)의 측벽에 밀착 고정된다. 여기서, 하측 실드판은 챔버 몸체부(200)의 형상에 따라 원 형상, 타원 형상 및 다각형 형상으로 제작될 수 있다. The shield portion 311 includes an inner shield plate having a circular ring shape, and a lower shield plate having a substantially rectangular plate shape extending in an outward direction from below the inner shield plate. Through this, the shield 311 is manufactured in an L-shaped vertical cross section. At this time, the lower shield plate is tightly fixed to the side wall of the chamber body 200. Here, the lower shield plate may be manufactured in a circular shape, an elliptic shape, and a polygonal shape according to the shape of the chamber body 200.

상기 커버부(312)는 상측에서 상기 실드부(311)를 덮는 형상으로 제작된다. 즉, 커버부(312)는 그 중심이 상하로 관통되고 하측이 개방된 사각 통 형상으로 제작된다. 이때, 상기 커버부(312)는 상기 실드부(311)의 상측 가장자리에서 연장된 상부면과, 상부면의 가장자리 영역에서 실드부(311)의 하측 실드판 방향으로 연장된 측벽면을 구비할 수 있다. The cover part 312 is manufactured in a shape covering the shield part 311 from the upper side. That is, the cover part 312 is manufactured in the shape of a square cylinder whose center penetrates up and down and the lower side is open. In this case, the cover part 312 may include an upper surface extending from the upper edge of the shield 311 and a side wall surface extending in the direction of the lower shield plate of the shield 311 in the edge area of the upper surface. have.

도 1에 도시된 바와 같이 판 형상의 실드부(311)의 하측 실드판의 하측 표면은 챔버 몸체부(210)의 측벽에 밀착된다. 이때, 실드부(311)와 챔버 몸체부(210)의 측벽 사이에는 밀봉 부재가 마련될 수 있다. 그리고, 커버부(312)의 관통홀이 형성된 영역에 상측 리드(320)를 안착시킬 띠 형상의 수납 홈을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 관통홀 주변에 단턱을 형성할 수 있다. As shown in FIG. 1, the lower surface of the lower shield plate of the plate-shaped shield portion 311 is in close contact with the sidewall of the chamber body portion 210. In this case, a sealing member may be provided between the shield portion 311 and the side wall of the chamber body portion 210. In addition, it is preferable to form a band-shaped receiving groove for seating the upper lead 320 in a region where the through hole of the cover portion 312 is formed. That is, the stepped portion may be formed around the through hole.

상술한 바와 같이 하측 리디의 커버부(312)와 실드부(311)가 결합하여 안쪽 중심 영역에 반응 공간(R)을 갖고, 측벽 영역 내측에 안테나 배치 공간(K)을 갖는 하측 리드(310)를 제작한다. As described above, the cover part 312 and the shield part 311 of the lower lead have a reaction space R in the inner center area, and a lower lead 310 having an antenna arrangement space K inside the side wall area. To produce.

물론 본 실시예의 하측 리드(310)는 상술한 설명에 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다. 즉, 실드부(311)의 하측 실드판(311b)이 커버부(312)와 일체로 제작될 수 있다. 이를 통해 커버부(312)의 단면이 [ 형상으로 제작될 수도 있다. 또한, 하측 리드(310) 전체가 동일 물질로 제작될 수 있다. 예를 들어 하측 리드(310) 전체가 실드부(311)로 제작될 수 있다. Of course, the lower lead 310 of the present embodiment is not limited to the above description, and various modifications are possible. That is, the lower shield plate 311b of the shield 311 may be manufactured integrally with the cover 312. Through this, the cross section of the cover portion 312 may be manufactured in a [shape. In addition, the entire lower lead 310 may be made of the same material. For example, the entire lower lead 310 may be manufactured as the shield part 311.

상측 리드(320)는 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이 대략 원형의 판 형상으로 제작된다. 상측 리드(320)는 판부(321)와, 판부(321)의 하측 중심 영역에서 하측 방향으로 돌출된 돌출부(322)를 구비한다. 판부(321)와 돌출부(322)는 단일 몸체로 제작되는 것이 효과적이다. 그리고, 상측 리드(320)는 상측 가열 수단(330)을 구비한다. 상측 가열 수단(300)은 적어도 판부(321)에 배치되는 것이 효과적이다. 물론 돌출부(322)가 형성되지 않는 영역에 상측 가열 수단(330)이 집중되는 것이 효과적이다. 돌출부(322)가 형성되지 않는 판부(321) 영역 하측 공간에 플라즈마가 발생되고, 기판(10)의 에지 영역이 노출되기 때문이다. 여기서, 상기 돌출부(322)의 하측면에는 차폐부(500)가 고정 장착된다. The upper lead 320 is manufactured in a substantially circular plate shape as shown in FIGS. 1 and 4. The upper lead 320 includes a plate portion 321 and a protrusion 322 protruding downward from the lower center area of the plate portion 321. The plate portion 321 and the protrusion 322 is effectively made of a single body. In addition, the upper lead 320 is provided with an upper heating means 330. It is effective that the upper heating means 300 is disposed at least in the plate portion 321. Of course, it is effective that the upper heating means 330 is concentrated in the region where the protrusion 322 is not formed. This is because plasma is generated in the space below the region of the plate portion 321 where the protrusion 322 is not formed, and the edge region of the substrate 10 is exposed. Here, the shield 500 is fixedly mounted on the lower side of the protrusion 322.

여기서, 본 실시예에서는 차폐부와 결합되는 면을 제외한 상측 리드(320)의 내측면을 반응 부산물의 흡착을 가능하게 하여 세정을 용이하게 수행할 수 있는 절연성 물질로 코팅하는 것이 효과적이다. 이때, 상기 절연성 물질로는 이트리 아(Y₂O₃)를 포함하는 것이 바람직하다.Here, in the present embodiment, it is effective to coat the inner surface of the upper lead 320 except for the surface coupled with the shielding with an insulating material that enables the adsorption of the reaction by-products to be easily performed. In this case, it is preferable that the insulating material include yttria (Y ₂ O ₃ ).

도 2에 도시된 바와 같이 판부(321)의 가장자리 영역이 하측 리드(310)에 밀착 고정된다. 이를 통해 반응 공간(R)의 상측 영역을 밀폐시키고, 차폐부(500)를 반응 공간(R)의 중심 영역에 위치시킨다. As shown in FIG. 2, the edge region of the plate portion 321 is tightly fixed to the lower lead 310. As a result, the upper region of the reaction space R is sealed, and the shielding part 500 is positioned in the central region of the reaction space R.

상술한 바와 같이 상측이 개방되고 대기 공간(S)을 갖는 챔버 몸체부(200)의 상측 영역에 상기 대기 공간(S)과 연통되는 반응 공간(R)을 갖는 하측 리드(310)를 배치하고, 하측 리드(310)의 상측 영역을 상측 리드(320)로 차폐하여 밀봉된 반응 공간(R)과 대기 공간(S)을 갖는 챔버(100)를 제작한다. As described above, the lower lid 310 having the reaction space R communicating with the atmospheric space S is disposed in the upper region of the chamber body 200 having the upper side opened and having the atmospheric space S, The upper region of the lower lid 310 is shielded by the upper lid 320 to produce a chamber 100 having a sealed reaction space R and an atmospheric space S.

하기에서는 기판(10)을 챔버(100)의 반응 공간(R)과 대기 공간(S)간으로 이동시키는 기판 지지부(400)에 관해 설명한다. Hereinafter, the substrate support part 400 for moving the substrate 10 between the reaction space R and the atmospheric space S of the chamber 100 will be described.

기판 지지부(400)는 기판(10)을 지지하는 기판 지지척(410)과, 기판 지지척(410)을 승강시키는 구동부(420) 및 기판 지지척(410)에 바이어스 전원을 공급하는 바이어스 전원 공급부(430)를 구비한다. 그리고, 기판 지지부(400)는 도시되지 않았지만, 리프트 핀을 더 구비하고, 상기 기판 지지척(410)에는 리프트 핀이 승강하는 소정의 관통홀이 마련된다.The substrate support part 400 includes a substrate support chuck 410 for supporting the substrate 10, a driver 420 for elevating the substrate support chuck 410, and a bias power supply for supplying bias power to the substrate support chuck 410. 430. Although not shown, the substrate support part 400 further includes a lift pin, and the substrate support chuck 410 is provided with a predetermined through hole through which the lift pin is lifted.

기판 지지척(410)은 기판(10)과 유사한 형상을 갖고, 기판(10)의 사이즈보다 더 작은 사이즈를 갖는 판 형상으로 제작된다. 이를 통해 기판 지지척(410) 상에 위치하는 기판(10)은 그 하측 에지 영역이 노출될 수 있다. 이때, 기판 지지척(410)의 끝단으로부터 노출되는 기판(10)의 폭은 0.1 내지 10mm 인 것이 효과적 이다. The substrate support chuck 410 has a shape similar to that of the substrate 10 and is manufactured in a plate shape having a size smaller than that of the substrate 10. Through this, the lower edge region of the substrate 10 positioned on the substrate support chuck 410 may be exposed. At this time, it is effective that the width of the substrate 10 exposed from the end of the substrate support chuck 410 is 0.1 to 10mm.

기판 지지척(410) 내에는 기판 지지척(410)을 가열하기 위한 기판 가열 수단(440)이 마련된다. 기판 가열 수단(440)은 기판 지지척(410) 내에 마련된 열선(441)과, 상기 열선(441)에 전원을 공급하는 열선 전원 공급 장치(442)를 구비한다. 그리고, 기판 가열 수단(440)의 열선(441)이 기판 지지척(410)의 에지 영역에 집중 배치되는 것이 바람직하다. 이를 통해 기판 지지척(410) 상에 위치하는 기판 에지 영역을 가열하여 앞서 설명한 바와 같이 기판 에지 영역의 반응성을 향상시킬 수 있다. 상기 기판 가열 수단(440)의 가열 온도는 150 내지 550도인 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 기판 가열 수단(440)을 통해 기판 지지척(410)을 대략 350도 근방(약 ±15%)의 온도로 가열하는 것이 바람직하다. The substrate support chuck 410 is provided with a substrate heating means 440 for heating the substrate support chuck 410. The substrate heating means 440 includes a hot wire 441 provided in the substrate support chuck 410 and a hot wire power supply device 442 for supplying power to the hot wire 441. And it is preferable that the heating wire 441 of the board | substrate heating means 440 is concentrated in the edge area | region of the board | substrate support chuck 410. As a result, the substrate edge region positioned on the substrate support chuck 410 may be heated to improve reactivity of the substrate edge region as described above. The heating temperature of the substrate heating means 440 is preferably 150 to 550 degrees. In this embodiment, it is preferable to heat the substrate support chuck 410 to a temperature of approximately 350 degrees (about ± 15%) through the substrate heating means 440.

바이어스 전원 공급부(430)는 10 내지 1000W의 전력을 공급하는 것이 바람직하다. 그리고, 바이어스 전원의 주파수는 2 내지 13.56MHz인 것이 바람직하다. 이와 같이 바이어스 전원 공급부(430)는 바이어스 전원을 기판 지지척(410)에 인가하고, 이를 통해 기판 지지척(410) 상의 기판(10)에 바이어스 전원이 제공된다. 이러한 바이어스 전원에 의해 기판 지지척(410)과 차폐부(00) 외측으로 노출된 기판 에지 영역으로 플라즈마가 이동하도록 한다. 이를 통해 노출된 기판 에지 영역의 식각 특성을 향상시킬 수 있다.The bias power supply 430 preferably supplies power of 10 to 1000W. The frequency of the bias power supply is preferably 2 to 13.56 MHz. As described above, the bias power supply unit 430 applies the bias power to the substrate support chuck 410, thereby providing bias power to the substrate 10 on the substrate support chuck 410. The plasma moves to the substrate edge region exposed to the substrate support chuck 410 and the shielding portion 00 by the bias power. This may improve the etching characteristics of the exposed substrate edge region.

구동부(420)는 챔버(100) 내측으로 연장되어 기판 지지척(410)을 승강시키는 구동축부(421)와, 상기 구동축부(421)를 이동시키는 구동부재(422)를 포함한다. 이때, 챔버 몸체부(200)의 바닥판에는 상기 구동 축부(421)가 관통하는 소정의 관통 홀이 마련된다. 그리고, 관통홀 주변에는 관통홀로 인한 챔버(100) 내부 공간(R, S)의 밀폐가 파괴되는 것을 방지하기 위한 밀봉 수단(예를 들어, 밸로우즈)이 마련된다. 본 실시예의 도면에서는 하나의 구동축부(421)를 통해 기판 지지척(410)을 승강시킴에 관해 도시되었다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 복수의 구동축부를 통해 기판 지지척(410)을 승강시킬 수 있다. The driving unit 420 includes a driving shaft portion 421 extending inside the chamber 100 to lift and lower the substrate support chuck 410, and a driving member 422 moving the driving shaft portion 421. At this time, the bottom plate of the chamber body 200 is provided with a predetermined through hole through which the drive shaft 421 passes. In the periphery of the through hole, a sealing means (for example, a bellows) is provided to prevent the sealing of the inner spaces R and S of the chamber 100 due to the through hole. In the drawings of the present embodiment is shown with respect to lifting the substrate support chuck 410 through one drive shaft 421. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate support chuck 410 may be raised and lowered through the plurality of drive shafts.

하기에서는 상기 기판 지지부(400)에 대응되도록 상기 챔버(100)의 반응 공간에 위치하고, 기판 지지부(400) 상에 위치한 기판(10)의 일부 영역에 인접 배치되어 플라즈마 발생을 차단하는 차폐부(500)에 관해 설명한다. In the following description, the shield 500 is disposed in the reaction space of the chamber 100 so as to correspond to the substrate support 400, and is disposed adjacent to a portion of the substrate 10 positioned on the substrate support 400 to block plasma generation. ).

차폐부(500)는 기판 지지부(400) 상에 위치한 기판(10)의 비 식각 영역 즉, 기판(10)의 중심영역에서의 플라즈마 발생을 차폐하여 비 식각 영역에서의 기판(10)의 식각을 방지한다. 본 실시예의 차폐부(500)는 기판(10)의 에지 영역을 제외한 영역을 차폐한다. 이에 차폐부(500)는 기판(10)의 형상과 유사한 형상으로 제작되는 것이 효과적이다. The shielding part 500 shields the plasma generation in the non-etched area of the substrate 10, that is, the center area of the substrate 10, positioned on the substrate support part 400, thereby etching the substrate 10 in the non-etched area. prevent. The shielding part 500 of the present exemplary embodiment shields an area except the edge area of the substrate 10. Accordingly, the shield 500 is effectively manufactured in a shape similar to that of the substrate 10.

본 실시예의 차폐부(500)는 원형 판 형상으로 제작된다. 차폐부(500)는 기판(10)의 사이즈보다 작은 사이즈를 갖는 것이 바람직하다. 이를 통해 차폐부(500)에 의해 기판(10) 상측의 에지 영역을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 차폐부(500)의 직경은 기판 지지부(400)의 직경과 유사하거나 이보다 더 큰 것이 효과적이다. 이는 기판(10)의 하측 영역에는 반도체 소자나 박막이 형성되지 않고, 상측 영역에만 반도체 소자가 형성되기 때문이다. 상기의 차폐부(500)에 의해 노출되는 기판 에지 영역은 기판(10) 끝단을 기준으로 0.1 내지 5mm 인 것이 바람직하다. The shield 500 of the present embodiment is manufactured in the shape of a circular plate. The shield 500 preferably has a size smaller than the size of the substrate 10. Through this, the edge portion of the upper side of the substrate 10 may be selectively exposed by the shielding part 500. It is effective that the diameter of the shield 500 is similar to or larger than the diameter of the substrate support 400. This is because no semiconductor device or thin film is formed in the lower region of the substrate 10, and only the semiconductor element is formed in the upper region. The substrate edge region exposed by the shield 500 is preferably 0.1 to 5 mm based on the end of the substrate 10.

이와 같은 차폐부(500)를 통해 막 또는 반도체 패턴이 형성되지 않는 기판(10) 상측의 에지 영역을 노출시킬 수 있다. 즉, 상기 범위보다 작을 경우에는 기판 에지 영역의 노출되는 면적이 줄어들게 되고, 상기 범위보다 클 경우에는 기판 중심 영역(즉, 비 식각 영역)의 막 또는 패턴이 노출되는 문제가 발생할 가능성이 있다. Through such a shielding part 500, an edge area on the upper side of the substrate 10 on which a film or a semiconductor pattern is not formed may be exposed. In other words, if it is smaller than the above range, the exposed area of the substrate edge region is reduced, and if it is larger than the above range, there is a possibility that a problem may occur that the film or pattern of the substrate center region (ie, the non-etched region) is exposed.

그리고, 도 1에 도시된 바와 같이 차폐부(500)는 상측 리드(320)의 하측면 중심 영역에 위치하여, 실드부(311)를 갖는 하측 리드(310)의 반응 공간(R) 내에 위치한다. 즉, 차폐부(500)는 상측 리드(320)의 돌출부(322)의 하측면에 고정 장착된다. 차폐부(500)는 별도의 결합 부재(예를 들어, 볼트, 나사 등)를 통해 상기 상측 리드(320)에 체결되는 것이 효과적이다.As shown in FIG. 1, the shield 500 is positioned in the lower center region of the upper lid 320 and is located in the reaction space R of the lower lid 310 having the shield 311. . That is, the shield 500 is fixedly mounted to the lower surface of the protrusion 322 of the upper lead 320. Shield 500 is effectively fastened to the upper lead 320 through a separate coupling member (for example, bolts, screws, etc.).

이때, 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이를 이격시켜 소정의 공정 가스 이동 공간을 마련하는 것이 효과적이다. 이를 통해 상기 차폐부(500)와 상측 리드(320)의 이격 공간 즉, 공정 가스 이동 공간에 공정 가스를 제공하여 공정 가스가 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 공간에서 퍼져 나가 플라즈마가 발생되는 영역 즉, 기판(10)의 에지 영역이 노출된 영역으로 공정 가스를 분사할 수 있게 된다. 물론 이에 한정되지 않고, 공정 가스를 차폐부(500) 내측으로 제공하여 차폐부(500)의 측벽면을 통해 분사시킬 수도 있다. 즉, 이는 차폐부(500)가 가스를 분사하는 샤워 헤드로서 동작할 수 있음을 의미한다. At this time, it is effective to provide a predetermined process gas moving space by separating the shield 500 and the upper lead 320. Through this process, the process gas is provided in the space between the shield 500 and the upper lead 320, that is, the process gas movement space, so that the process gas is spread out from the space between the shield 500 and the upper lead 320 so that the plasma The process gas may be injected into a region that is generated, that is, an region where the edge region of the substrate 10 is exposed. Of course, the present invention is not limited thereto, and the process gas may be provided inside the shielding part 500 to be sprayed through the sidewall surface of the shielding part 500. In other words, this means that the shield 500 can operate as a shower head injecting gas.

그리고, 차폐부(500)의 내측 중심 영역에서 중심 가스가 분사되어 플라즈마화된 식각 가스가 차폐부(500) 하측의 기판 중심 영역(즉, 차폐부(500)와 기판(10) 사이 영역)으로 침투하는 것을 방지할 수도 있다.In addition, the central gas is injected from the inner center area of the shielding part 500 to form a plasma-etched etch gas into a substrate center area under the shielding part 500 (ie, the area between the shielding part 500 and the substrate 10). Penetration can also be prevented.

이를 위해 차폐부(500)는 중심 몸체(510)와, 중심 몸체(510)의 하측 바닥면에 마련된 오목홈부(520)와, 상기 오목홈부(520)에 장착된 중심 가스 분사판(530)을 구비한다. 여기서, 오목홈부(520)와 중심 가스 판(530) 사이에는 소정의 이격 공간 즉, 중심 가스 분사 공간이 형성되고, 이 공간을 통해 중심 가스가 분사된다. To this end, the shield 500 includes a center body 510, a recess 520 provided on the bottom bottom of the center body 510, and a center gas jet plate 530 mounted to the recess 520. Equipped. Here, a predetermined space, that is, a central gas injection space, is formed between the concave groove portion 520 and the central gas plate 530, and the central gas is injected through the space.

본 실시예의 기판 처리 장치는 상측 리드(320)를 관통하여 상기 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 이격 공간 즉, 공정 가스 이동 공간에 공정 가스를 분사하는 공정 가스 공급부(600)를 더 구비한다. 공정 가스 공급부(600)는 도 1에 도시된 바와 같이 공정 가스가 저장된 공정 가스 저장부(620)와 공정 가스 저장부(620)에서 연장되어 상기 상측 리드(320)의 중심 영역 일부를 관통하여 상측 리드(320) 하측면에 노출된 공정 가스 분사 유로(610)를 구비한다.The substrate processing apparatus of the present exemplary embodiment further includes a process gas supply unit 600 penetrating the upper lead 320 to inject a process gas into a space between the shield 500 and the upper lead 320, that is, a process gas moving space. Equipped. The process gas supply unit 600 extends from the process gas storage unit 620 and the process gas storage unit 620 in which the process gas is stored as shown in FIG. 1 and penetrates through a portion of the center region of the upper lead 320. The process gas injection passage 610 exposed on the lower side of the lid 320 is provided.

또한, 본 실시예의 기판 처리 장치는 상측 리드(320)와 차폐부(500)의 중심 몸체(510)를 관통하여 상기 오목홈부(520)와 중심 가스 분사판(530) 사이의 이격 공간 즉, 중심 가스 분사 공간에 중심 가스를 분사하는 중심 가스 공급부(700)를 더 구비한다. 중심 가스 공급부(700)는 중심 가스 저장부(720)와 상기 상측 리드(320)를 관통하고, 차폐부(500)의 오목홈부(520) 영역의 중심 몸체(510)의 하측면에 노출된 중심 가스 분사 유로(710)를 구비한다. 이때, 도 1에 도시된 바와 같이 중심 가스 분사 유로(710)는 상측 리드(320)를 관통하는 제 1 관통 유로와, 중심 몸체(510)를 관통하는 제 2 관통 유로 그리고, 상기 공정 가스 이동 공간을 관통하여 상기 제 1 및 제 2 관통 유로 간을 연결하는 연결 유로를 구비한다. 이때, 도시되지 않았지만, 연결 유로와 공정 가스 이동 공간의 분리를 위해 별도의 분리벽이 마련될 수 있다. 이를 통해 공정 가스가 상기 중심 가스 분사 유로(710)로 유입되는 것을 방지할 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus of the present embodiment penetrates through the central body 510 of the upper lead 320 and the shielding part 500, so that the space between the concave groove part 520 and the central gas jet plate 530 is ie, the center. Further provided is a central gas supply unit 700 for injecting the central gas into the gas injection space. The central gas supply part 700 penetrates through the central gas storage part 720 and the upper lid 320 and is exposed to the lower surface of the central body 510 of the recessed groove part 520 of the shielding part 500. The gas injection flow path 710 is provided. In this case, as shown in FIG. 1, the central gas injection passage 710 may include a first through passage through the upper lead 320, a second through passage through the center body 510, and the process gas moving space. And a connection flow passage penetrating through the first and second through flow passages. In this case, although not shown, a separate separation wall may be provided to separate the connection flow path and the process gas moving space. Through this, process gas may be prevented from flowing into the central gas injection passage 710.

본 실시예에서는 기판 지지부(400)를 상승시켜 반응 공간(R) 내에서 차폐부(500)와 기판 지지부(400)에 의해 기판 중심 영역을 차폐하고, 기판 에지 영역을 노출시킨다.In this embodiment, the substrate support part 400 is raised to shield the substrate center area by the shield part 500 and the substrate support part 400 in the reaction space R, and expose the substrate edge area.

이때, 기판(10)과 차폐부(500) 간의 이격 거리를 일정하게 유지하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 이격 거리를 0.01 내지 0.3mm 범위 내로 조절하는 것이 중요하다. 상기 범위보다 그 이격 거리가 짧을 경우에는 차폐부(500)에 의해 기판(10) 상측 중심 영역에 마련된 반도체 패턴이 손상을 받게 되는 문제가 발생하고, 상기 범위보다 클 경우에는 플라즈마가 발생하거나, 플라즈마화된 공정 가스가 상기 기판(10)과 차폐부(500) 사이 공간으로 침투하는 문제가 발생한다. In this case, it is preferable to keep the separation distance between the substrate 10 and the shield 500 constant. That is, it is important to adjust the separation distance within the range of 0.01 to 0.3mm. If the separation distance is shorter than the above range, a problem occurs that the semiconductor pattern provided in the upper center region of the substrate 10 is damaged by the shielding part 500. There is a problem that the liquefied process gas penetrates into the space between the substrate 10 and the shield 500.

이에 본 실시예의 기판 처리 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 상기 기판(10)과 차폐부(500) 간의 이격 거리를 조절하기 위한 복수의 간극 감지 센서(1000)를 구비한다. 도 1에서와 같이 본 실시예에서는 적어도 3개의 간극 감지 센서(1000)를 구비하는 것이 효과적이다. 이를 통해 기판(10)과 차폐부(500) 사이의 이격 거리(즉, 간극)를 정확하게 조절할 수 있다. Accordingly, the substrate processing apparatus of the present exemplary embodiment includes a plurality of gap detection sensors 1000 for adjusting the separation distance between the substrate 10 and the shielding part 500 as shown in FIG. 1. As shown in FIG. 1, it is effective to have at least three gap detection sensors 1000 in this embodiment. Through this, the separation distance (that is, the gap) between the substrate 10 and the shielding part 500 may be precisely adjusted.

간극 감지 센서(1000)는 도시되지 않았지만, 상측 리드(320)에 배치된 감지 센서와, 감지 센서 하측에 배치되고 상측 리드(320)와 차폐부(500)를 관통하는 센서창을 구비한다. 이때, 감지 센서는 광을 이용하여 간극을 측정하는 센서인 것이 효과적이다. 즉, 센서창을 통해 광을 조사하고, 기판(10)을 통해 반사된 광을 이용하여 차폐부(500)와 기판(10) 사이의 이격 거리(즉, 간극)을 측정한다. Although not shown, the gap sensor 1000 includes a sensor disposed on the upper lead 320 and a sensor window disposed below the sensor and penetrating the upper lead 320 and the shielding part 500. In this case, the sensing sensor is effectively a sensor for measuring the gap using light. That is, the light is irradiated through the sensor window, and the distance (that is, the gap) between the shielding part 500 and the substrate 10 is measured using the light reflected through the substrate 10.

또한, 기판(10)과 차폐부(500) 간을 정확하게 정렬하는 것이 바람직하다. 즉, 만일 차폐부(500)와 기판(10) 간의 정렬이 어긋나는 경우에는 차폐부(500)에 의해 식각 영역인 기판(10)의 에지 영역이 차폐되고, 비 식각 영역인 기판(10)의 중심 영역이 노출되는 문제가 발생할 수 있다. In addition, it is preferable to accurately align the substrate 10 and the shield 500. That is, if the alignment between the shield 500 and the substrate 10 is misaligned, the edge area of the substrate 10, which is an etched region, is shielded by the shield 500, and the center of the substrate 10, which is a non-etched region, is shielded. The problem of exposing the area may occur.

따라서, 본 실시예에서는 차폐부(500)를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시켜 기판(10)과 차폐부(500)간의 이격 거리를 일정하게 유지하고, 기판(10)과 차폐부(500)간의 정렬을 맞춘다. 이를 위해 본 실시예에서는 차폐부(500)가 고정되어 있는 상측 리드(320)를 미세 조정하여 차폐부(500)가 이동하도록 한다. 즉, 본 실시예에서는 챔버(100)의 리드가 측벽면 역할을 하는 하측 리드(310)와, 커버(즉, 상측면) 역할을 하는 상측 리드(320)로 분리 제작된다. 따라서, 챔버 리드(300) 전체를 이동시키지 않고, 단지 상측 리드(320) 만을 움직일 수 있다. 따라서, 앞서 언급한 바와 같이 본 실시예에서는 상측 리드(320)의 미세 조정을 통해 차폐부(500)를 이동시키는 복수의 위치 조정부(4000)를 더 구비한다. Therefore, in the present embodiment, the shielding part 500 is moved in the X, Y, Z, and θ directions to keep the separation distance between the substrate 10 and the shielding part 500 constant, and the substrate 10 and the shielding part ( Align 500). To this end, in this embodiment, the shield 500 is moved by finely adjusting the upper lead 320 on which the shield 500 is fixed. That is, in the present embodiment, the lid of the chamber 100 is separately manufactured by the lower lead 310 serving as the sidewall and the upper lead 320 serving as the cover (that is, the upper side). Thus, only the upper lid 320 can be moved without moving the entire chamber lid 300. Therefore, as described above, the present embodiment further includes a plurality of position adjusting units 4000 for moving the shielding unit 500 through fine adjustment of the upper lead 320.

여기서, 물론 상측 리드(320)를 고정시킨 상태에서 차폐부(500)를 이동시켜 차폐부(500)과 기판(10) 간의 이격 거리 조정과 정렬을 수행할 수 있다. 하지만, 앞서 언급한 바와 같이 본 실시예에서는 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 공간으로 공정 가스가 제공된다. 따라서, 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 공간의 이격 거리를 일정하게 유지하여야 한다. 하지만, 기판(10)과 차폐부(500)사이의 이 격 거리 조절을 위해 차폐부(500)의 일부 영역만을 움직인 경우 일부 영역에서 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이의 이격 거리가 벌어지거나 줄어들게 된다. 이로인해 공정 가스의 균일한 분사가 어려워지는 단점이 발생할 수 있다. Here, of course, by moving the shield 500 in a state where the upper lead 320 is fixed, the separation distance adjustment and alignment between the shield 500 and the substrate 10 may be performed. However, as mentioned above, in the present embodiment, the process gas is provided to the space between the shield 500 and the upper lid 320. Therefore, the separation distance of the space between the shield 500 and the upper lead 320 should be kept constant. However, when only a part of the area of the shield 500 is moved to adjust the distance between the substrate 10 and the shield 500, the distance between the shield 500 and the upper lead 320 in some areas. Will be opened or reduced. This may result in the difficulty of uniform injection of the process gas.

따라서, 본 실시예에서는 위치 조정부(4000)로 상측 리드(320)를 이동시켜 차폐부(500)를 움직이는 것이 효과적이다. 위치 조정부(4000)는 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)에 체결되는 것이 효과적이다. Therefore, in the present embodiment, it is effective to move the upper lid 320 to the position adjuster 4000 to move the shield 500. As illustrated in FIGS. 1 to 4, the position adjusting unit 4000 may be fastened to the upper lead 320.

상기 위치 조정부(4000)는 소정의 기준 고정 수단에 의해 고정되어 있는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 상기 복수의 위치 조정부(4000)가 하측 리드(310)와 상측 리드(320)를 각기 착탈 시키는 복수의 착탈 수단(3000)에 각기 고정 장착되는 것이 효과적이다.It is preferable that the said position adjusting part 4000 is fixed by predetermined reference fixing means. In the present embodiment, it is effective that the plurality of position adjusting units 4000 are fixed to the plurality of detachable means 3000 for detaching the lower lead 310 and the upper lead 320, respectively.

착탈 수단(3000)은 그 일부가 상기 챔버(100)에 접속되어 있다. 따라서 상측 리드(320)를 챔버(100) 즉, 하측 리드(310)로부터 분리시키는 경우 상측 리드(320)가 챔버(100) 외측으로 완전히 분리되는 것을 막을 수 있다. 이를 통해 상측 리드(320)를 챔버(100)에 다시 장착시킬 경우의 공정을 단순화시킬 수 있다. 상기 착탈 수단(300)은 복수의 힌지를 구비하는 것이 효과적이다. A part of the detachable means 3000 is connected to the chamber 100. Therefore, when the upper lead 320 is separated from the chamber 100, that is, the lower lead 310, the upper lead 320 may be prevented from being completely separated to the outside of the chamber 100. This may simplify the process when the upper lead 320 is mounted back to the chamber 100. It is effective that the detachable means 300 includes a plurality of hinges.

착탈 수단(3000)은 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 챔버 몸체부에 고정된 제 1 고정판(3100)과, 제 1 고정판(3100)의 일측에 마련된 제 1 힌지부(3200)와, 상기 제 1 힌지부(3200)에서 챔버(100)의 상측 영역(즉, 상측 리드(320)) 방향으로 연장된 제 1 연장축(3300)과, 상기 제 1 연장축(3300)의 일측에 마련된 제 2 힌지부(3400)와, 상기 제 2 힌지부(3400)에서 상기 위치 조정부(4000) 방향으로 연장되 어 상기 위치 조정부(4000)에 고정된 제 2 연장축(3500)을 구비한다. As shown in FIGS. 1 and 3, the detachable means 3000 includes a first fixing plate 3100 fixed to the chamber body part, a first hinge part 3200 provided at one side of the first fixing plate 3100, and A first extension shaft 3300 extending from the first hinge part 3200 toward the upper region of the chamber 100 (that is, the upper lead 320), and a first provided on one side of the first extension shaft 3300. The second hinge part 3400 and a second extension shaft 3500 extending from the second hinge part 3400 toward the position adjusting part 4000 and fixed to the position adjusting part 4000 are provided.

물론 상기 제 1 고정판(3100)과 제 1 연장축(3300) 간의 연결 부분이 힌지 구조를 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 제 1 연장축(3300)과 제 2 연장축(3500) 간의 연결 부분이 힌지 구조를 갖는 것이 효과적이다. Of course, it is preferable that the connection portion between the first fixing plate 3100 and the first extension shaft 3300 has a hinge structure. In addition, it is effective that the connecting portion between the first extension shaft 3300 and the second extension shaft 3500 has a hinge structure.

상기의 제 1 힌지부(3200)는 도 3에 도시된 바와 같이 챔버 몸체부(200)와 하측 리드(310)의 경계 선 상에 위치하는 것이 효과적이다. 이를 통해 챔버 몸체부(200)와 하측 리드(310) 간을 용이하게 착탈시킬 수 있다. 즉, 도 3에서 제 1 힌지부(3200)를 외측으로 절곡시킴으로 인해 하측 리드(310)를 분리시킬 수 있다. As shown in FIG. 3, the first hinge part 3200 may be located on a boundary line between the chamber body part 200 and the lower lid 310. Through this, the chamber body 200 and the lower lead 310 can be easily detached. That is, in FIG. 3, the lower lead 310 may be separated by bending the first hinge portion 3200 outward.

제 2 힌지부(3200)는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)의 상측 표면의 연장 선 또는 하측 리드(310)의 상측 표면의 연장 선 상에 위치하는 것이 효과적이다. 이를 통해 도 3에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)가 들어 올려질 경우 제 2 힌지부(3200)가 절곡됨으로 인해 상측 리드(320)를 챔버(100) 로 부터 쉽게 분리시킬 수 있게 된다. 또한, 위치 조정부(4000)에 접속된 제 2 연장축(3500)이 상측 리드(320)를 잡고 있게 되어 유지 보수 공정을 쉽게 수행할 수 있게 된다. As shown in FIGS. 1 and 3, the second hinge portion 3200 may be positioned on an extension line of an upper surface of the upper lead 320 or an extension line of an upper surface of the lower lead 310. As a result, when the upper lead 320 is lifted up as shown in FIG. 3, the upper lead 320 may be easily separated from the chamber 100 because the second hinge part 3200 is bent. In addition, the second extension shaft 3500 connected to the position adjusting unit 4000 may hold the upper lead 320 so that the maintenance process may be easily performed.

이와 같이 본 실시예에서는 상기 착탈 수단(3000)을 통해 하측 리드(310)와 상측 리드(320)를 각기 착탈 시킬 수 있게 된다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 착탈 수단(3000)은 하측 리드(310)를 착탈 시키기 위한 하측 착탈 수단과 상측 리드(320)를 착탈 시키기 위한 상측 착탈 수단으로 분리될 수 있다. 이때, 하측 착탈 수단은 챔버 몸체부(200)와 하측 리드(310) 사이에 위치하여 하측 리드(310)가 챔버 몸체부(200)에 탈착 및 부착되도록 할 수 있다. 또한, 상측 착탈 수단은 하측 리드(310)와 상측 리드(320) 사이에 위치하여 상측 리드(320)가 하측 리드(310)에 탈착 및 부착되도록 할 수 있다. 이때, 하측 착탈 수단은 챔버 몸체부(200)에 고정되고, 상측 착탈 수단은 하측 리드(310)에 고정된다. As described above, in the present embodiment, the lower lead 310 and the upper lead 320 can be detached through the detaching means 3000, respectively. Of course, the present invention is not limited thereto, and the detachable means 3000 may be separated into a lower detachable means for detaching the lower lead 310 and an upper detachable means for detaching the upper lead 320. In this case, the lower detachable means may be positioned between the chamber body part 200 and the lower lead 310 to allow the lower lead 310 to be attached to and detached from the chamber body part 200. In addition, the upper detachable means may be positioned between the lower lead 310 and the upper lead 320 to allow the upper lead 320 to be attached and detached to the lower lead 310. At this time, the lower detachable means is fixed to the chamber body portion 200, the upper detachable means is fixed to the lower lead 310.

상술한 바와 같이 본 실시예의 착탈 수단(3000)은 챔버(100)에 고정되어 챔버 리드(300)를 개폐시키는 역할을 수행한다. 그리고, 착탈 수단(3000)은 위치 조정부(4000)를 고정시킨다. 착탈 수단(3000)의 제 2 연장축(3500)은 소정의 체결 수단(예를 들어 볼트 또는 나사)를 통해 위치 조정부(4000)에 고정된다. 이를 통해 위치 조정부(4000)를 기준으로 하여, 상측 리드(320)와 위치 조정부(4000) 간의 체결시 상측 리드(320)의 움직임을 미세하게 조정함으로써, 차폐부(500)와 기판(10) 간의 이격 거리와 정렬을 할 수 있다. As described above, the detachable means 3000 of the present embodiment is fixed to the chamber 100 to open and close the chamber lid 300. And the detachable means 3000 fixes the position adjusting part 4000. The second extension shaft 3500 of the detachable means 3000 is fixed to the position adjusting part 4000 through a predetermined fastening means (for example, a bolt or a screw). As a result, the movement of the upper lead 320 is finely adjusted when the upper lead 320 and the position adjusting unit 4000 are fastened based on the position adjusting unit 4000, thereby between the shielding unit 500 and the substrate 10. Can be aligned with the separation distance.

위치 조정부(4000)는 복수의 축 방향 이동 체결부를 두어 상측 리드(320)를 X축 및 Y축 방향으로 이동가능하게 하고, 복수의 높이 조절용 핀부를 두어 상측 리드(320)를 Z축 방향으로 이동 가능하게 한다. The position adjusting unit 4000 includes a plurality of axial movement fastening portions to move the upper lead 320 in the X and Y axes, and a plurality of height adjusting pins to move the upper lead 320 in the Z axis direction. Make it possible.

이때, 위치 조정부(4000) 각각은 착탈 수단(3000)에 결합되는 조정 몸체(4100)와, 상측 리드(320)에 결합되어 상측 리드(320)를 제 1 축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)와, 상측 리드(320)에 결합되어 상측 리드(320)를 상기 제 1 축 방향과 교차하는 제 2 축 방향으로 이동시키는 제 2 축 방향 이동 체결부(4300) 그리고, 상기 상측 리드(320)를 상기 제 1 및 제 2 축 방향에 대하여 직교하는 제 3 축 방향으로 이동시키는 축 방향 이동부(4400)를 구비한 다. At this time, each of the position adjusting units 4000 is a first body axial movement to move the upper body 320 in the first axial direction is coupled to the adjustment body 4100 and the upper lead 320 is coupled to the detachable means 3000 A second axial movement fastening part 4300 coupled to the fastening part 4200 and the upper lead 320 to move the upper lead 320 in a second axial direction crossing the first axial direction, and the upper side An axial movement part 4400 for moving the lead 320 in the third axial direction orthogonal to the first and second axial directions is provided.

여기서, 제 1 축 방향은 X축 방향이고, 제 2 축 방향은 Y축 방향이고, 제 3 축 방향을 Z축 방향인 것이 효과적이다. 이는 도 4 내지 도 7에 도시된 방향으로 이는 사용자의 기준에 따라 바뀔 수 있다. Here, it is effective that the first axis direction is the X axis direction, the second axis direction is the Y axis direction, and the third axis direction is the Z axis direction. This can be changed according to the user's criteria in the direction shown in FIGS. 4 to 7.

상기 조정 몸체(4100)는 도 4에 도시된 바와 같이 대략 사각 판 형상으로 제작된다. 그리고, 물론 상기 조정 몸체(4100)는 복수의 파트로 분리된 이후 상기 착탈 수단(3000)에 결합될 수 있다. 조정 몸체(4100)의 중심 영역을 가로지르는 방향으로 상기 착탈 수단(3000)의 제 2 연장축(3500)이 결합된다. 이때, 제 2 연장축(3500)을 기준으로 좌측과 우측 방향에 각기 제 1 및 제 2 축 방향 이동 체결부(4200, 4300)가 위치한다. The adjusting body 4100 is manufactured in a substantially square plate shape as shown in FIG. And, of course, the adjusting body 4100 may be coupled to the detachable means 3000 after being separated into a plurality of parts. The second extension shaft 3500 of the detachable means 3000 is coupled in a direction crossing the central area of the adjustment body 4100. At this time, the first and second axial movement fastening portions 4200 and 4300 are positioned in the left and right directions with respect to the second extension shaft 3500.

제 1 축 방향 이동 체결부(4200)는 상기 조정 몸체(4100)에 마련되고 제 1 축 방향으로 절개된 복수의 제 1 관통홈(4210)과, 제 1 관통홈(4210)을 관통하여 상측 리드(320)에 체결되는 복수의 제 1 축 체결부(4220)를 구비한다. The first axial movement fastening part 4200 is provided in the adjusting body 4100 and passes through the plurality of first through holes 4210 and the first through holes 4210, which are cut in the first axial direction, to the upper lead. A plurality of first shaft fastening portion 4220 is fastened to the 320.

이때, 도 5에 도시된 바와 같이 제 1 축 체결부(4220)가 제 1 관통홈(4210) 내측을 따라 이동하여 상측 리드(320)를 제 1 축방향으로 이동시킨다. At this time, as shown in FIG. 5, the first shaft fastening part 4220 moves along the inner side of the first through hole 4210 to move the upper lead 320 in the first axial direction.

제 1 관통홈(4210)는 도 4에 도시된 바와 같이 대략 타원 형의 홈 형태로 제작된다. 이때, 장축 방향이 제 1 축 방향 즉, X축 방향으로 연장된다. 제 1 축 체결부(4220)는 헤더와 헤더에서 연장되고 그 표면의 적어도 일부에 나사선을 갖는 연장몸체를 구비한다. 즉, 제 1 축 체결부(4220)로 나사 또는 볼트 등과 같은 체결 수단을 사용하는 것이 효과적이다. As shown in FIG. 4, the first through hole 4210 is formed in a substantially elliptical groove shape. At this time, the long axis direction extends in the first axis direction, that is, the X axis direction. First shaft fastening 4220 has a header and an extension body extending from the header and having a thread on at least a portion of its surface. That is, it is effective to use a fastening means such as a screw or bolt as the first shaft fastening portion 4220.

이때, 상기 헤더의 직경(헤더의 최소 직경)은 상기 제 1 관통홈(4210)의 단축의 최대 길이보다 큰 것이 효과적이다. 이로인해 제 1 축 체결부(4220)가 제 1 관통홈(4210) 내측으로 들어가지 않고 제 1 관통홈(4210) 내측을 따라 이동할 수 있게 된다. At this time, the diameter (minimum diameter of the header) of the header is larger than the maximum length of the short axis of the first through groove 4210 is effective. As a result, the first shaft fastening portion 4220 may move along the inside of the first through hole 4210 without entering the inside of the first through hole 4210.

또한, 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)는 상기 조정 몸체(4100)에 마련되고 제 2 축 방향으로 절개된 복수의 제 2 관통홈(4310)과, 제 2 관통홈(4310)을 관통하여 상측 리드(320)에 체결되는 복수의 제 2 축 체결부(4320)를 구비한다. In addition, the second axial movement fastening part 4300 may pass through the plurality of second through holes 4310 and the second through holes 4310 provided in the adjusting body 4100 and cut in the second axial direction. A plurality of second shaft fastening portions 4320 are fastened to the upper lead 320.

이때, 도 6에 도시된 바와 같이 제 2 축 체결부(4320)가 제 2 관통홈(4310) 내측을 따라 이동하여 상측 리드(320)를 제 2 축방향으로 이동시킨다. In this case, as shown in FIG. 6, the second shaft coupling part 4320 moves along the inside of the second through hole 4310 to move the upper lead 320 in the second axial direction.

제 2 관통홈(4310)는 도 4에 도시된 바와 같이 대략 타원 형의 홈 형태로 제작된다. 이때, 장축 방향이 제 2 축 방향 즉, Y축 방향으로 연장된다. 제 2 축 체결부(4320)는 헤더와 헤더에서 연장되고 그 표면의 적어도 일부에 나사선을 갖는 연장몸체를 구비한다. 즉, 제 2 축 체결부(4320)도 앞서 언급한 체결 수단을 사용할 수 있다. 또한, 제 2 축 체결부(4320)의 헤더 직경도 제 2 관통홈(4320)의 단축 최대 길이보다 큰 것이 효과적이다. As shown in FIG. 4, the second through hole 4310 is manufactured in the shape of a substantially elliptical groove. At this time, the long axis direction extends in the second axis direction, that is, the Y axis direction. Second shaft fastening 4320 has a header and an extension body extending from the header and having a thread on at least a portion of its surface. That is, the second shaft fastening part 4320 may also use the fastening means mentioned above. In addition, it is effective that the header diameter of the second shaft fastening portion 4320 is also larger than the maximum length of the short axis of the second through hole 4320.

축 방향 이동부(4400)는 도 7에 도시된 바와 같이 조정 몸체(4100)에 마련된 복수의 관통홀(4410)과 상기 관통홀(4410) 내측에 마련된 복수의 핀부(4420)를 구비한다. 여기서, 핀부(4420)는 상측 리드(320)의 상측 표면에 접속된다. 따라서, 본 실시예에서는 관통홀(4410) 외측으로(즉, 상측 리드 방향으로) 돌출되는 핀부(4420)의 돌출 길이에 따라 상측 리드(320)을 제 3 축 방향 즉, Z축 방향으로 이 동시킨다. 본 실시예에서는 3개의 관통홀(4410)과 3개의 핀부(4420)를 구비한다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 3개보다 많거나 적은 개수의 관통홀(4410)과 핀부(4420)를 구비할 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the axial moving unit 4400 includes a plurality of through holes 4410 provided in the adjusting body 4100 and a plurality of pins 4420 provided inside the through holes 4410. Here, the pin portion 4420 is connected to the upper surface of the upper lead 320. Therefore, in the present embodiment, the upper lead 320 is moved in the third axis direction, that is, the Z axis direction, in accordance with the protruding length of the pin portion 4420 protruding outside the through hole 4410 (that is, in the upper lead direction). Let's do it. In this embodiment, three through holes 4410 and three pin parts 4420 are provided. However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of through holes 4410 and pins 4420 may be provided.

이에 한정되지 않고, 본 실시예의 조정 몸체(4100)는 제 1 축 방향 고정 몸체와, 제 2 축 방향 고정 몸체를 포함할 수 있다. 이는 상기 조정 몸체(4100)가 적어도 상기 두 개의 고정 몸체로 분리될 수 있다. 이때, 제 1 축 방향 고정 몸체에 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)가 마련되고, 제 2 축 방향 고정 몸체에 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)가 마련된다. 이와 같이 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)가 마련된 제 1 축 방향 고정 몸체와, 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)가 마련된 제 2 축 방향 고정 몸체를 통해 제 1 축 방향과 제 2 축 방향 별로 각기 위치 조정을 자유롭게 수행할 수 있다. 즉, 제 2 축 방향 고정 몸체를 고정시킨 상태에서 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)를 통해 제 1 축 방향으로 위치조정을 수행할 수 있다. 또한, 제 1 축 방향 고정 몸체를 고정시킨 상태에서 제 2 축 방향 이동 체결부(4100)를 통해 제 2 축 방향으로 위치조정을 수행할 수 있게 된다. Not limited to this, the adjusting body 4100 of the present embodiment may include a first axial fixed body and a second axial fixed body. This allows the adjusting body 4100 to be separated into at least the two fixing bodies. At this time, the first axial movement fastening portion 4200 is provided on the first axial fixed body, and the second axial movement fastening portion 4300 is provided on the second axial fixed body. In this way, the first axis direction and the second axis through the first axial fixed body provided with the first axial movement fastening portion 4200, and the second axial fixed body provided with the second axial movement fastening portion 4300 Each position can be freely adjusted for each direction. That is, the position adjustment may be performed in the first axial direction through the first axial movement fastening part 4200 in a state in which the second axial fixed body is fixed. In addition, the position adjustment in the second axial direction can be performed through the second axial movement fastening part 4100 in a state where the first axial fixed body is fixed.

상기 제 1 및 제 2 축 방향 고정 몸체가 결합하여 상기 착탈 수단(3000)의 제 2 연장축(3500)에 접속되는 것이 효과적이다. 그리고, 상기 제 1 및 제 2 축 방향 고정 몸체는 서로에 대하여 각기 독립적으로 이동할 수 있도록 제작될 수도 있다.It is effective that the first and second axial fixing bodies are coupled and connected to the second extension shaft 3500 of the detachable means 3000. In addition, the first and second axial fixed bodies may be manufactured to move independently of each other.

따라서, 상술한 바와 같이 본 실시예에서는 제 1 및 제 2 축 방향 이동 체결부(4200, 4300)와 축 방향 이동부(4400)을 통해 상측 리드(320)를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시킬 수 있다. Therefore, as described above, in the present embodiment, the upper lead 320 is moved in the X, Y, Z, and θ directions through the first and second axial movement fastening portions 4200 and 4300 and the axial movement portion 4400. You can move it.

먼저, 도 5에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)에 체결된 제 1 축 체결부(4220)를 제 1 관통홈(4210)의 장축 방향(즉, X축 방향)으로 이동시켜 상측 리드(320)를 X축 방향으로 이동시킨다. 이를 위해 먼저 상측 리드(320)에 체결된 제 1 축 체결부(4220)를 느슨하게 푼다. 이어서, 이동하고자 하는 길이 만큼 상측 리드(320)를 제 1 축 방향 즉, X축 방향만큼 이동시킨다. 이어서, 제 1 축 체결부(4220)를 조여 상측 리드(320)를 조정 몸체(4100)에 고정 결합시킨다. First, as shown in FIG. 5, the upper lead 320 is moved by moving the first shaft fastening portion 4220 fastened to the upper lead 320 in the long axis direction (ie, the X-axis direction) of the first through hole 4210. ) Is moved in the X-axis direction. To this end, first loosen the first shaft fastening portion 4220 fastened to the upper lead 320. Subsequently, the upper lead 320 is moved by the first axis direction, that is, the X axis direction by the length to be moved. Next, the upper lead 320 is fixed to the adjusting body 4100 by tightening the first shaft fastening portion 4220.

그리고, 도 6에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)에 체결된 제 2 축 체결부(4220)를 제 2 관통홈(4210)의 장축 방향(즉, Y축 방향)으로 이동시켜 상측 리드(320)를 Y축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이또한, 앞선 도 5의 설명과 유사하다. 6, the upper lead 320 is moved by moving the second shaft fastening portion 4220 fastened to the upper lead 320 in the long axis direction (ie, the Y-axis direction) of the second through hole 4210. ) Can be moved in the Y-axis direction. This is also similar to the description of FIG. 5 above.

상술한 바와 같이 본 실시예의 위치 조정부(4000)를 통해 상측 리드(320)를 X축 방향 및 Y축 방향 그리고, θ 방향으로 이동시켜 차폐부(500)와 기판(10) 간을 오차 범위 내에서 정렬시킬 수 있다. As described above, the upper lead 320 is moved in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the θ direction through the position adjusting unit 4000 of the present embodiment, so that the distance between the shield 500 and the substrate 10 is within an error range. Can be aligned.

즉, 도 8에 도시되어 있는 것과 같이 위치 조정부(4000)에 의해 상측 리드(320)가 X축 및 Y축 방향으로 이동한다. 이에 따라 상측 리드(320)에 체결 고정된 차폐부(500)도 X축 및 Y축 방향으로 이동하게 된다. 이와 같은 차폐부(500)의 이동에 따라 기판(10)과 차폐부(500)간을 정렬시킬 수 있다. 예를 들어, 차폐부(500)의 중심과 기판(10)의 중심이 정렬되지 않고 약간 틀어져 있는 경우 차폐부(500)의 일부가 비식각 영역이 아닌 식각 영역에 위치할 수 있다. 따라서, 앞선 도 5 및 도 6의 방법에서와 같이 차폐부(500)를 이동시켜 차폐부(500)의 중심과 기 판(10)의 중심을 정렬시킨다. 이로인해 차폐부(500) 전체가 기판(10)의 비 식각 영역 상에 위치될 수 있다. That is, as shown in FIG. 8, the upper lead 320 is moved in the X-axis and Y-axis directions by the position adjusting unit 4000. Accordingly, the shield 500 fastened to the upper lead 320 also moves in the X-axis and Y-axis directions. According to the movement of the shield 500, the substrate 10 and the shield 500 may be aligned. For example, when the center of the shield 500 and the center of the substrate 10 are slightly misaligned and not aligned, a part of the shield 500 may be located in the etching region instead of the non-etch region. Accordingly, as in the method of FIGS. 5 and 6, the shield 500 is moved to align the center of the shield 500 with the center of the substrate 10. As a result, the entire shield 500 may be located on the non-etched region of the substrate 10.

그리고, 이에 한정되지 않고, 본 실시예의 위치 조정부(400)는 도 9의 변형예에서와 같이 복수의 블록으로 구성될 수 있다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이 위치 조정부는 착탈 수단(3000)에 결합된 제 1 블록(4110)과, 제 1 블록(4110)의 하측에 결합된 제 2 블록(4120)과, 제 2 블록(4120)의 측면과 상측 리드(320)에 결합된 제 3 블록(4130)을 구비하는 조정 몸체(4100)와, 상기 제 1 블록(4110)과 제 2 블록(4120) 간의 결합하고, 제 2 블록(4120)과 제 3 블록(4130)을 제 1 축 방향으로 이동시켜 상측 리드(320)를 제 1 축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)와, 제 3 블록(4130)과 상측 리드(320) 간을 결합시키고, 상측 리드(320)를 제 2 축 방향으로 이동 시키는 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)를 구비한다. 여기서, 제 1 블록(4110)과 제 2 블록(4120) 그리고, 제 2 블록(4120)과 제 3 블록(4130)은 이동 가능하게 결합된다. In addition, the present invention is not limited thereto, and the position adjusting unit 400 of the present embodiment may be configured of a plurality of blocks as in the modification of FIG. 9. That is, as shown in FIG. 9, the position adjusting unit includes a first block 4110 coupled to the detachable means 3000, a second block 4120 coupled to the lower side of the first block 4110, and a second block. An adjustment body 4100 having a third block 4130 coupled to the side and upper leads 320 of the 4120, and coupled between the first block 4110 and the second block 4120, and a second A first axial movement fastening portion 4200 for moving the block 4120 and the third block 4130 in the first axial direction to move the upper lead 320 in the first axial direction, and the third block 4130. And a second axial movement fastening portion 4300 for coupling between the upper lead 320 and the upper lead 320 to move in the second axial direction. Here, the first block 4110 and the second block 4120 and the second block 4120 and the third block 4130 are movably coupled.

도 9에서와 같이 제 1 블록(4110)은 착탈 수단(3000)의 제 2 연장축(3500)에 고정 결합되어 있다. 제 1 블록(4110)은 제 2 연장축(3500)에 접속된 상측 몸체와, 상측 몸체의 하측에서 외측 방향으로 연장된 연장 몸체를 구비한다. 그리고, 제 2 블록(4120)은 제 1 블록(4110)의 연장 몸체의 바닥면에 밀착된 수평 몸체와, 수평 몸체의 가장자리에서 상측 리드(320) 방향으로 연장된 수직 몸체를 구비한다. 이때, 제 1 블록(4110)의 연장 몸체와 제 2 블록(4120)의 수평 몸체에는 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)의 제 1 관통홈(4210)이 마련된다. As shown in FIG. 9, the first block 4110 is fixedly coupled to the second extension shaft 3500 of the detachable means 3000. The first block 4110 has an upper body connected to the second extension shaft 3500 and an extension body extending outwardly from the lower side of the upper body. The second block 4120 includes a horizontal body in close contact with the bottom surface of the extension body of the first block 4110, and a vertical body extending from the edge of the horizontal body toward the upper lead 320. In this case, a first through hole 4210 of the first axial movement fastening part 4200 is provided in the extension body of the first block 4110 and the horizontal body of the second block 4120.

따라서, 제 1 블록(4110)와 제 2 블록(4120)의 체결시 제 1 블록(4110)을 기준으로 제 2 블록(4120)을 제 1 축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이때, 제 2 블록(4120)은 제 3 블록(4130)의 측면에 밀착되어 있다. 따라서, 제 2 블록(4120)이 제 1 축 방향으로 이동하는 경우, 제 3 블록(4130)도 함께 이동한다. 그리고, 제 3 블록(4130)은 상측 리드(320)에 고정되어 있기 때문에 상측 리드(320)가 제 1 축 방향(즉, X축 방향)으로 이동할 수 있게 된다. Therefore, when the first block 4110 and the second block 4120 are fastened, the second block 4120 may be moved in the first axial direction based on the first block 4110. At this time, the second block 4120 is in close contact with the side surface of the third block 4130. Therefore, when the second block 4120 moves in the first axis direction, the third block 4130 also moves together. In addition, since the third block 4130 is fixed to the upper lead 320, the upper lead 320 may move in the first axis direction (that is, the X axis direction).

또한, 제 3 블록(4130)은 상측 리드(320)에 결합된 결합 몸체와, 결합 몸체의 상측에서 연장되어 상기 제 2 블록(4120)의 측벽에 밀착된 밀착 몸체를 구비한다. 이때, 상기 제 3 블록(4130)의 결합 몸체에는 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)의 제 2 관통홈(4310)이 마련된다. 따라서, 제 3 블록(4130)과 상측 리드(320)의 체결시 상측 리드(320)가 제 2 축 방향으로 이동할 수 있다. In addition, the third block 4130 includes a coupling body coupled to the upper lead 320, and a close contact body extended from an upper side of the coupling body to be in close contact with the sidewall of the second block 4120. In this case, a second through hole 4310 of the second axial movement fastening part 4300 is provided in the coupling body of the third block 4130. Therefore, when the third block 4130 and the upper lead 320 are fastened, the upper lead 320 may move in the second axis direction.

즉, 제 1 축 방향(즉, X축 방향)으로 이동시에는 제 1 블록(4110) 하측의 제 2 및 제 3 블록(4120, 4130)이 동시에 이동되어 고정된다. 그리고, 제 2 축 방향(즉, Y축 방향)으로 이동시에는 제 2 블록(4120) 측면에서 제 3 블록(4130)이 이동되어 고정된다. 이를 통해 챔버의 상측 리드(320)를 제 1 축 방향과 제 2 축 방향으로 이동시킬 수 있다. That is, when moving in the first axis direction (that is, the X axis direction), the second and third blocks 4120 and 4130 under the first block 4110 are simultaneously moved and fixed. In addition, when moving in the second axis direction (that is, the Y axis direction), the third block 4130 is moved and fixed at the side of the second block 4120. Through this, the upper lead 320 of the chamber may be moved in the first axis direction and the second axis direction.

여기서, 상기 제 1 블록(4110)과 제 2 블록(4120)의 결합 면 그리고, 제 2 블록(4120)과 제 3 블록(4130)의 결합 면에는 블록들의 이탈과 미끄러짐을 용이하게 수행하기 위한 별도의 가이드 형상이 제작될 수 있다. 예를 들어 제 1 블록(4110)과 제 2 블록(4120)의 결합 면 중 제 2 블록(4120)에는 오목한 레일 형태 의 트랜치가 형성되고, 제 1 블록(4110)은 상기 레일 내측에 이동 가능하도록 장착된 프레임이 돌출 연장될 수 있다. 이를 통해 상기 프레임이 상기 트랜치 내부에서 제 1 축 방향으로 이동할 수 있다. 물론 제 2 블록(4120)과 제 3 블록(4130) 사이에도 상술한 구조가 적용될 수 있다. Here, a separate surface for easily detaching and slipping the blocks on the coupling surface of the first block 4110 and the second block 4120 and the coupling surface of the second block 4120 and the third block 4130. Guide shape of can be produced. For example, a concave rail-shaped trench is formed in the second block 4120 among the coupling surfaces of the first block 4110 and the second block 4120, and the first block 4110 is movable inside the rail. The mounted frame may protrude and extend. This allows the frame to move in the first axis direction within the trench. Of course, the above-described structure may also be applied between the second block 4120 and the third block 4130.

본 실시예에서는 상측 리드(320)를 Z 축 방향으로 이동시킬 수 있다. In this embodiment, the upper lead 320 may be moved in the Z axis direction.

도 7에 도시된 바와 같이 관통홀(4410)을 통해 상측 리드(320)에 접속된 복수의 핀부(4420)를 Z축 방향으로 이동시켜 상측 리드(320)를 Z축 방향으로 이동시킨다. 그리고, 도 7에서와 같이 각 핀부의 높낮이를 조절하여 상측 리드(320)의 경사를 조절할 수도 있다. 이를 위해 먼저 제 1 및 제 2 축 체결부(4220, 4320)를 모두 느슨하게 푼다. 이이서, 핀부(4420)를 관통홀(4410) 하측 방향(즉, Z 축 방향)으로 해당 높이만큼 내린다. 이이서, 제 1 및 제 2 축 체결부(4220, 4320)를 조여 상측 리드(320)를 조정 몸체(4100)에 고정 결합시킨다. 이를 통해 상측 리드(320)를 Z축 방향으로 하강시킬 수 있다. As shown in FIG. 7, the plurality of pin parts 4420 connected to the upper lead 320 through the through hole 4410 is moved in the Z-axis direction to move the upper lead 320 in the Z-axis direction. As shown in FIG. 7, the inclination of the upper lead 320 may be adjusted by adjusting the height of each pin part. To this end, first loosen both the first and second shaft fastening portions 4220 and 4320. Next, the pin portion 4420 is lowered by the corresponding height in the downward direction (ie, Z-axis direction) of the through hole 4410. Here, the first and second shaft fastening portions 4220 and 4320 are tightened to fix the upper lead 320 to the adjusting body 4100. Through this, the upper lead 320 can be lowered in the Z-axis direction.

이와 같이 상측 리드(320)를 Z축 방향으로 하강시켜 상측 리드(320)에 체결 고정된 차폐부(500)의 적어도 일부 영역을 선택적으로 하강시킬 수 있다. 이를 통해 차폐부(500)와 기판(10) 사이의 이격 거리(즉, 간극)을 조절할 수 있다. As such, the upper lead 320 may be lowered in the Z-axis direction to selectively lower at least a portion of the shielding part 500 fastened to the upper lead 320. Through this, the separation distance (that is, the gap) between the shielding part 500 and the substrate 10 may be adjusted.

이때, 상측 리드(320)의 X 축, Y 축 및 Z 축의 이동 거리는 상측 리드(320)와 하측 리드(310) 사이의 이격 거리와 상기 제 1 및 제 2 관통홈(4210, 4310)의 장축 길이에 따라 가변된다. 상기 제 1 및 제 2 관통홈(4210, 4310)의 이격 거리는 상측 리드(320)의 측면과 이와 인접한 하측 리드의 측면 사이의 이격 거리의 2배 인 것이 효과적이다. 그리고, 상측 리드(320)의 바닥면과 이와 접속된 하측 리드(310)의 상측면 사이에는 밀폐수단(예를 들어 가스켓 또는 오링)이 마련된다. 이때, 상기 Z축 방향의 이동 거리는 상기 밀폐 수단에 의해 벌어진 간격만큼인 것이 바람직하다. At this time, the moving distance of the X-axis, Y-axis and Z-axis of the upper lead 320 is the separation distance between the upper lead 320 and the lower lead 310 and the long axis length of the first and second through grooves 4210 and 4310. It depends on. The separation distance between the first and second through holes 4210 and 4310 may be twice the separation distance between the side surface of the upper lead 320 and the side surface of the lower lead adjacent thereto. A sealing means (eg, a gasket or an O-ring) is provided between the bottom surface of the upper lead 320 and the upper surface of the lower lead 310 connected thereto. At this time, it is preferable that the movement distance in the Z-axis direction is as much as the gap opened by the sealing means.

물론 도면에 도시되지 않았지만, 본 실시예에서는 간극 감지 센서(1000)의 출력 값을 이용하여 상기 상측 리드(320)를 이동시키고, 상기 위치 조정부(4000)의 제 1 및 제 2 축 체결부(4220, 4320)와 핀부(4420)의 움직임을 제어하는 제어 구동부를 더 구비할 수 있다. 이를 통해 상기 차폐부(500)와 기판(10) 사이의 이격 거리과 정렬을 자동화할 수 있다. Although not shown in the drawing, in the present exemplary embodiment, the upper lead 320 is moved by using the output value of the gap sensor 1000, and the first and second shaft fastening portions 4220 of the position adjusting unit 4000 are moved. 4320 and the control driver for controlling the movement of the pin portion 4420 may be further provided. This may automate the separation distance and alignment between the shield 500 and the substrate 10.

또한, 본 실시예에서는 차폐부(500)와 기판(10) 간의 정렬 및 이격 거리 조절이 완료된 이후, 상기 위치 조정부(4000)의 제 1 및 제 2 관통홈(4210, 4310)과 관통홀(4410) 내측을 충진재로 매립할 수 있다. 이를 통해 상기 제 1 및 제 2 관통홈(4210, 4310) 내측의 제 1 및 제 2 축 체결부(4220, 430)가 움직이는 것을 막고, 관통홀(4410) 내측의 핀부(4420)가 밀리는 것을 방지할 수 있다. 물론 상기 충진재 대신 기구적 고정 수단(예를 들어, 링)을 통해 축체결부와 핀부가 이동하는 것을 막을 수도 있다. In addition, in the present exemplary embodiment, after the alignment between the shielding part 500 and the substrate 10 and the adjustment of the separation distance are completed, the first and second through holes 4210 and 4310 and the through hole 4410 of the position adjusting part 4000 are completed. ) The inside can be embedded with a filler. This prevents the first and second shaft fastening portions 4220 and 430 inside the first and second through holes 4210 and 4310 from moving, and prevents the pin portion 4420 from the inside of the through holes 4410 from being pushed. can do. Of course, the shaft fastening portion and the pin portion may be prevented from moving through the mechanical fixing means (for example, the ring) instead of the filler.

이와 같이 본 실시예에서는 착탈 수단(3000)에 의해 고정되고, 상측 리드(320)에 체결된 위치 조정부(4000)를 통해 상측 리드(320)에 장착 고정된 차폐부(500)를 이동시켜 기판(10)의 비 식각 영역을 차폐하고, 식각 영역을 노출시킬 수 있다. As described above, in the present exemplary embodiment, the shielding part 500 fixed to the upper lead 320 is moved through the position adjusting part 4000 fastened by the detachable means 3000 and fastened to the upper lead 320. The non-etched region of 10) may be shielded and the etched region may be exposed.

이를 통해 식각 영역에 플라즈마를 발생시켜 기판(10)의 식각 영역인 기판 에지 영역의 막 또는 파티클을 효과적으로 제거한다. As a result, plasma is generated in the etching region to effectively remove the film or particles in the substrate edge region, which is the etching region of the substrate 10.

하기에서는 기판(10) 에지 영역이 노출된 반응 공간(R)에 플라즈마를 발생시키는 안테나부(800)와, 이에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부(900)에 관해 설명한다. Hereinafter, the antenna unit 800 for generating plasma in the reaction space R in which the edge region of the substrate 10 is exposed, and the plasma power supply unit 900 for supplying plasma power will be described.

본 실시예의 안테나부(800)는 하측 리드(310)의 안테나 배치 공간(K)에 위치한다. 안테나부(800)는 하측 리드(310)의 원통 형상의 실드부(311)의 외측 둘레를 따라 배치된다. The antenna unit 800 of the present embodiment is located in the antenna arrangement space K of the lower lead 310. The antenna portion 800 is disposed along the outer circumference of the cylindrical shield portion 311 of the lower lead 310.

안테나부(800)는 적어도 하나의 코일을 구비하고, 코일이 실드부(311)의 내측 실드판(311a)을 N번 감싸는 형상(즉, 선회하는 형상)으로 제작된다. 즉, 도 1 내지 도 4에서는 코일이 실드부(311)를 4번 감싸는 형상으로 도시되었다. 하지만, 이에 한정되지 않고 이보다 많거나 적을 횟수로 감쌀 수 있다. 상기 코일은 수직 및/또는 수평 방향으로 서로 중첩, 적층 또는 교차 될 수도 있다. The antenna unit 800 includes at least one coil, and is manufactured in a shape in which the coil surrounds the inner shield plate 311a of the shield part 311 N times (that is, in a shape of turning). That is, in FIGS. 1 to 4, the coil is illustrated to surround the shield portion 311 four times. However, the present invention is not limited thereto and may be wrapped more or less times. The coils may overlap, stack or cross one another in the vertical and / or horizontal directions.

본 실시예의 안테나부(800)가 하측 리드(310) 내측에 위치하여 챔버(100)의 유지 보수시 하측 리드(310)를 착탈시키지 않기 때문에 안테나부(800)가 고정된 상태에서 챔버(100)의 유지 보수를 수행할 수 있다. 이로인해 안테나부(800)를 실드부(311)에 근접(약 1cm 이하) 배치시킬 수도 있다. 물론 안테나부(800)를 실드부(311)에 밀착시킬 수도 있다. 이를 통해 안테나부(800)를 단단히 고정시킬 수 있다. 이를 통해 안테나부(800) 전체 코일에 균일하고 안정된 전력을 공급할 수 있다. 그리고, 안테나부(800)의 흔들림을 방지하여 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 챔버(100)의 측벽 영역에 가열 수단들이 배치되어 있다. 따라서, 이러한 가열 수단에 의해 안테나부(800)가 열적으로 손상을 받을 수 있다. 이에 하측 리드(310)는 안테나 배치 공간에 위치한 안테나부(800)를 냉각시키기 위한 냉각 수단을 더 구비할 수 있다. 예를 들어 하측 리드(310)는 냉각팬을 하측 리드(310)의 커버부(312)에 배치하여 안테나 배치 공간을 냉각시켜 안테나부(800)를 냉각시킬 수 있다. Since the antenna unit 800 of the present embodiment is located inside the lower lead 310 and does not attach or detach the lower lead 310 during maintenance of the chamber 100, the chamber 100 is fixed in the antenna unit 800. Can perform maintenance. As a result, the antenna unit 800 may be disposed close to the shield unit 311 (about 1 cm or less). Of course, the antenna unit 800 may be in close contact with the shield 311. Through this, the antenna unit 800 may be firmly fixed. Through this, uniform and stable power may be supplied to the entire coil of the antenna unit 800. In addition, the shaking of the antenna unit 800 may be prevented to generate a uniform plasma. In addition, in this embodiment, heating means are arranged in the side wall region of the chamber 100. Therefore, the antenna unit 800 may be thermally damaged by such heating means. Accordingly, the lower lead 310 may further include cooling means for cooling the antenna unit 800 located in the antenna arrangement space. For example, the lower lid 310 may arrange the cooling fan in the cover 312 of the lower lid 310 to cool the antenna arrangement space to cool the antenna 800.

상기 플라즈마 전원부(900)는 RF 전원을 공급하는 수단으로 안테나부(800)에 고주파를 공급한다. 이때, 전원 공급부(900)는 챔버(100)의 외측 영역에 위치하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 안테나부(800)와 전원 공급부(900)는 전원 공급 배선(901)에 의해 전기적으로 연결된다. 이때, 안테나부(800)가 하측 리드(310)의 안테나 배치 공간(K)에 위치하기 때문에 전원 공급 배선(901)은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 하측 리드(310)의 일부를 관통하여 안테나부(800)에 접속된다. The plasma power supply unit 900 supplies a high frequency to the antenna unit 800 as a means for supplying RF power. In this case, the power supply 900 is preferably located in the outer region of the chamber 100. Therefore, the antenna unit 800 and the power supply unit 900 are electrically connected by the power supply wiring 901. At this time, since the antenna unit 800 is located in the antenna arrangement space K of the lower lead 310, the power supply wiring 901 penetrates through a part of the lower lead 310 as shown in FIG. 2. It is connected to the unit 800.

이와 같이 본 실시예에서는 안테나부(410)을 하측 리드(310)의 실드부(311)에 밀착 고정시켜, 실드부(311) 내측의 반응 공간(R)에 플라즈마를 집중시킬 수 있다. 즉, 원형 링 형태의 실드부(200) 내측 반응 공간(R)에 원형 링 형상으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다. As described above, in the present exemplary embodiment, the antenna unit 410 may be tightly fixed to the shield part 311 of the lower lead 310 to concentrate the plasma in the reaction space R inside the shield part 311. That is, the plasma may be generated in the circular ring shape in the reaction space R inside the shield part 200 having the circular ring shape.

여기서, 전원 공급부(900)는 100W 내지 3.0KW의 전력을 공급하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 전원의 주파수는 2 내지 13.56MHz인 것이 바람직하다. Here, the power supply unit 900 preferably supplies power of 100W to 3.0KW. And, the frequency of the power supply is preferably 2 to 13.56MHz.

즉, 안테나부(800)에 상기의 플라즈마용 전원(고주파 전원)이 인가되면 실드부(311) 내측의 반응 공간(K)에서 플라즈마가 발생하게 된다. 이때, 실드부(311)의 내측 영역에는 차폐부(500) 그리고, 기판 지지부(400)가 마련되어 있기 때문에 차폐부(500)와 실드부(311) 사이 영역 그리고, 기판 지지부(400)와 실드부(311) 사이 영역에 플라즈마가 집중 발생하게 된다.That is, when the plasma power source (high frequency power source) is applied to the antenna unit 800, plasma is generated in the reaction space K inside the shield unit 311. At this time, since the shielding part 500 and the substrate support part 400 are provided in the inner region of the shield part 311, the area between the shield part 500 and the shield part 311, and the substrate support part 400 and the shield part. The plasma is concentrated in the region between the 311.

이와 같이 본 실시예에서는 기판 지지부(500)에 의해 상승된 기판(10)의 측면 영역에 안테나부(800)를 고정 배치시켜, 노출된 기판 에지 영역에 플라즈마를 집중시킬 수 있어 기판 에지 영역의 식각능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 안테나부(800)를 실드부(311)에 밀착시켜 안테나부(800)를 반응 공간(R)에 인접 배치시킬 수 있고, 이를 통해 플라즈마 형성을 위한 전력 소모를 감소시키고, 반응성을 향상시킬 수 있다. As described above, in the present exemplary embodiment, the antenna unit 800 is fixedly disposed on the side region of the substrate 10 lifted by the substrate support unit 500 to concentrate the plasma on the exposed substrate edge region, thereby etching the substrate edge region. Improve your skills. In addition, the antenna unit 800 may be closely attached to the shield unit 311 to place the antenna unit 800 adjacent to the reaction space R, thereby reducing power consumption for plasma formation and improving responsiveness. Can be.

본 실시예에서는 상측 리드(320)로 하측 리드(310)를 밀봉하여 반응 공간(R)을 밀봉시킨다. 그리고, 하측 리드(310)의 측벽면 내측 영역(즉, 안테나 배치 공간(K))에 안테나부(800)를 배치시켜 반응 공간(R)에 플라즈마를 발생시킨다. 그리고, 상측 리드(320)의 내측면에 차폐부(500)를 배치시켜, 차폐부(500)로 반응 공간(R)에 위치한 기판(10)의 상측 중심 영역에서의 플라즈마 발생을 방지한다. 또한, 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 영역으로 공정 가스를 분사하여 플라즈마가 발생된 영역에 공정 가스를 공급할 수 있다. 이를 통해 상기 차폐부(500)에 의해 차폐되지 않은 기판(10)의 에지 영역을 식각할 수 있다. In the present embodiment, the lower lid 310 is sealed with the upper lid 320 to seal the reaction space R. Then, the antenna unit 800 is disposed in the inner sidewall of the lower lead 310 (that is, the antenna arrangement space K) to generate plasma in the reaction space R. FIG. The shield 500 is disposed on the inner surface of the upper lead 320 to prevent plasma generation in the upper central region of the substrate 10 positioned in the reaction space R by the shield 500. In addition, the process gas may be injected into an area between the shielding part 500 and the upper lead 320 to supply the process gas to the area where the plasma is generated. Through this, the edge region of the substrate 10 that is not shielded by the shielding part 500 may be etched.

이때, 본 실시예에서는 챔버(100)의 대기 공간(S)에 위치하는 기판 지지부(400)를 상승시켜 기판(10)과 차폐부(500) 간의 간격을 인접하게 배치시킨다. 이를 통해 기판(10)과 차폐부(500) 사이 영역에서의 플라즈마 발생을 방지한다. 이 때, 기판(10)과 차폐부(500) 간의 미세한 간격은 상측 리드(320)에 접속된 위치 조정부(4000)에 의해 조정될 수 있다. At this time, in this embodiment, the substrate support part 400 positioned in the air space S of the chamber 100 is raised to arrange the gap between the substrate 10 and the shield part 500 adjacently. This prevents plasma generation in the region between the substrate 10 and the shield 500. In this case, a minute gap between the substrate 10 and the shielding part 500 may be adjusted by the position adjusting part 4000 connected to the upper lead 320.

그리고, 본 실시예에서는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 차폐부(500)와 하측 리드(310) 그리고, 기판 지지부(400)와 하측 리드(310) 사이(즉, 반응 공간(R))에 발생된 플라즈마를 확인하기 위한 복수의 뷰포트(2000)가 상측 리드(320)에 마련될 수 있다. 이때, 뷰포트(2000)는 차폐부(500)와 하측 리드(310) 사이의 상측 리드(320)에 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀을 투광성의 물질(예를 들어, 유리, 쿼츠, 사파이어)로 매립하여 제작할 수 있다. 물론 앞서 언급한 센서창과 같이 상하측에 투광성 물질이 마련된 파이프 형태로 제작할 수도 있다. 이와 같은 다수의 뷰포트를 통해 플라즈마의 발생 유무와, 플라즈마의 균일성 유무를 판별할 수 있다. 1 and 3, the shield 500 and the lower lid 310 and the substrate support 400 and the lower lid 310 (that is, the reaction space R) are shown in FIG. A plurality of viewports 2000 for checking the generated plasma may be provided in the upper lead 320. At this time, the viewport 2000 forms a through hole in the upper lead 320 between the shield 500 and the lower lead 310, and the through hole is formed of a light-transmissive material (eg, glass, quartz, sapphire). It can be produced by embedding. Of course, it can also be manufactured in the form of a pipe provided with a light-transmitting material on the upper and lower sides, such as the aforementioned sensor window. Through such multiple viewports, it is possible to determine whether plasma is generated and whether plasma is uniform.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.Although the invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the invention is not limited thereto, but is defined by the claims that follow. Accordingly, one of ordinary skill in the art may variously modify and modify the present invention without departing from the spirit of the following claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

도 3은 일 실시예에 따른 챔버 리드부의 탈착을 설명하기 위한 분해 사시도.3 is an exploded perspective view for explaining the detachment of the chamber lid unit according to one embodiment;

도 4는 일 실시예에 따른 차폐부 위치 조정부의 동작을 설명하기 위한 상측 리드의 평면 개념도.4 is a plan conceptual view of an upper lead for explaining an operation of a shield position adjusting unit according to an exemplary embodiment.

도 5는 도 4의 A-A 선에 대해 자른 단면 개념도.5 is a cross-sectional conceptual view taken along line A-A of FIG. 4.

도 6은 도 4의 B-B 선에 대해 자른 단면 개념도.6 is a cross-sectional conceptual view taken along line B-B of FIG. 4.

도 7은 도 4의 C-C선에 대해 자른 단면 개념도.7 is a cross-sectional conceptual view taken along line C-C of FIG. 4.

도 8은 차폐부 위치 조정부의 동작을 설명하기 위한 개념도.8 is a conceptual view for explaining the operation of the shield position adjusting unit.

도 9는 일 실시예의 변형예에 따른 위치 조정부의 사시 개념도. 9 is a perspective conceptual view of a position adjusting unit according to a modification of the embodiment;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 챔버 200 : 챔버 몸체부100: chamber 200: chamber body

310 : 하측 리드 320 : 상측 리드310: lower lead 320: upper lead

400 : 기판 지지부 500 : 차폐부400: substrate support 500: shield

800 : 안테나부 900 : 플라즈마 전원부800 antenna portion 900 plasma power supply

1000 : 간극 감지 센서 2000 : 뷰포트1000: gap detection sensor 2000: viewport

3000 : 착탈 수단 3200, 3400 : 힌지부3000: Removable means 3200, 3400: Hinge part

3300, 3500 : 연결축 4000 : 위치 조정부3300, 3500: Connecting axis 4000: Position adjusting part

4100 : 조정 몸체 4400 : 축 방향 이동부4100: adjusting body 4400: axial movement

4200, 4300 : 축 방향 이동 체결부4200, 4300: Axial movement fastening part

Claims

A chamber body portion having an upper open air space;

A lower lid disposed to be detachable from the chamber body and having a reaction space in communication with the atmospheric space;

An upper lead disposed to be detachable from the lower lead and sealing the reaction space and the air space by shielding an upper region of the lower lead;

A detachment means, part of which is fixed to any one of the chamber body part and the lower lead and opens and closes the upper lead; And

And a position adjusting unit for connecting the detachable means to the upper lead and moving the upper lead in the X, Y, Z, and θ directions.

The method according to claim 1, wherein the position adjusting unit,

A fixed body coupled to the detachable means;

A first axial movement fastening part coupled to the upper lead to move the upper lead in the X axis direction;

A second axial movement fastening part coupled to the upper lead to move the upper lead in the Y axis direction; And

A substrate processing apparatus comprising an axial movement unit for moving the upper lead in the Z-axis direction.

The method according to claim 2,

The first axial moving fastening part is provided in the adjusting body and cuts in the X-axis direction, and a plurality of first shaft fastening parts penetrating the first through hole and fastened to the upper lead. Including,

The second axial moving fastening part is provided in the adjusting body and is cut in the Y axis direction, and a plurality of second through holes and the plurality of second shaft fastening parts penetrating the second through grooves and fastened to the upper lead. Substrate processing apparatus comprising.

The method according to claim 3,

The first through groove and the second through groove are each formed in an approximately elliptic shape, and the first and second shaft fastening portions are fastened to be movable in the long axis direction of the first and second through grooves, respectively. 1. The substrate processing apparatus of claim 1, wherein a long axis direction of the through groove is an X axis direction, and a long axis direction of the second through groove is a Y axis direction.

The method according to claim 4,

Each of the first and second axial fasteners includes a header and an elongated body extending from the header and having a thread on at least a portion of the surface,

And a minimum diameter of the header is larger than a maximum length in the minor axis direction of the first and second through holes.

The method according to claim 2,

The axial moving unit includes a plurality of through holes provided in the adjusting body and a plurality of pins provided inside the through holes.

The method according to claim 2,

The adjusting body includes a first axial fixation body provided with the first axial movement fastening portion, and a second axial fixation body provided with the second axial movement fastening portion.

The method according to claim 1, wherein the position adjusting unit,

An adjusting body having a first block coupled to the detachable means, a second block coupled to the lower side of the first block, and a third block coupled to the side surface of the second block and the upper lead;

A first axial movement fastening part configured to couple and fix the first block and the second block to move the third block coupled to the second block and the upper lead in a first axial direction; And

And a second axial movement fastening portion configured to couple and fix the third block and the upper lead to move the upper lead in a second axial direction.

The method according to claim 1, wherein the removable means,

A first fixing plate fixed to the chamber body;

A first hinge part provided on one side of the first fixing plate;

A first extension shaft extending from the first hinge portion in the upper lead direction;

A second hinge part provided at one side of the first extension shaft; And

And a second extension shaft portion extending from the second recognition portion toward the position adjustment portion and fixed to the position adjustment portion.

The method according to claim 9,

And the first hinge portion is provided in a boundary region between the chamber body portion and the lower lid, and the second hinge portion is provided in an upper surface region of the lower lid.

The method according to claim 1,

An antenna unit provided inside the lower lead; And

And a plasma power supply unit configured to supply plasma power to the antenna unit.

The method according to claim 11,

The lower lead may include a shield portion having a horizontal cross section surrounding a part of the reaction space in a band shape, and a cover portion coupled to the shield portion to form an antenna arrangement space.

At least one of the shield portion and the cover portion is tightly fixed to the upper lead of the plate shape.

The method according to any one of claims 1 to 12,

A substrate support for supporting an unetched region under the substrate; And

A shield mounted to the upper lead to correspond to an unetched region of the substrate,

And elevating the substrate support to shield the non-etched region above the substrate with the shield to expose the etched region of the substrate to the reaction space.

The method according to claim 13,

Further comprising a plurality of gap detection sensor for measuring the distance between the shield and the substrate,

The gap detecting sensor may include a sensing sensor disposed on the upper lead and a sensor window positioned below the sensing sensor and disposed through the upper lead and the shield.

The method according to claim 14,

And a control driver for controlling movement of the position adjusting unit and the upper lead according to the gap detecting sensor.