KR20100010866A

KR20100010866A - Multi-workpiece processing chamber and workpiece processing mehtod thereof

Info

Publication number: KR20100010866A
Application number: KR1020080071939A
Authority: KR
Inventors: 남창우; 위순임
Original assignee: 주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority date: 2008-07-23
Filing date: 2008-07-23
Publication date: 2010-02-02
Also published as: KR101463983B1

Abstract

PURPOSE: A multi-workpiece processing chamber and a workpiece processing method thereof are provided to generate electric potential and plasma in process space uniformly by making dividing two symmetrical regions with a partition member. CONSTITUTION: A chamber housing(100) forms more than two internal process spaces. At least one partition member(200) is installed in the chamber housing and divides the chamber housing into two internal spaces(A,B). Each internal space is combined with the partition member and has symmetrical shape. The chamber housing has a first curved surface(110) having a fixed curvature. The partition member has a second curved surface(120) of the same curvature as the first curved surface. The first curved surface and the second curved surface are combined and a circle is formed. The chamber housing comprises a plurality of housings(130,140,150) which are combined reciprocally.

Description

MULTI-WORKPIECE PROCESSING CHAMBER AND WORKPIECE PROCESSING MEHTOD THEREOF}

본 발명은 다중 기판 처리 챔버와 이의 기판 처리 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 공통 배기 구조를 갖는 다중 기판 처리 챔버와 이의 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multiple substrate processing chamber and a substrate processing method thereof, and more particularly, to a multiple substrate processing chamber and a substrate processing method thereof having a common exhaust structure.

최근, 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치, 반도체 장치들의 제조를 위한 기판 처리 시스템들은 복수 매의 기판을 일괄적으로 처리할 수 있는 클러스터 시스템이 채용되고 있다. 클러스터(cluster) 시스템은 이송 로봇(또는 핸들러; handler)과 그 주위에 마련된 복수의 기판 처리 모듈을 포함하는 멀티 챔버형 기판 처리 시스템을 지칭한다. 일반적으로, 클러스터 시스템은 이송 챔버(transfer chamber)와 이송 챔버 내에 회동이 자유롭게 마련된 이송 로봇을 구비한다. 이송 챔버의 각 변에는 기판의 처리 공정을 수행하기 위한 기판 처리 챔버가 장착된다. 이와 같은 클러스터 시스템은 복수개의 기판을 동시에 처리하거나 또는 여러 공정을 연속해서 진행 할 수 있도록 함으로 기판 처리량을 높이고 있다. 기판 처리량을 높이기 위한 또 다른 노력으로는 다중 기판 처리 챔버에서 복수 매 의 기판을 동시에 처리하도록 하여 시간당 기판 처리량을 높이도록 하고 있다.Background Art In recent years, a substrate processing system for manufacturing a liquid crystal display device, a plasma display device, and semiconductor devices has adopted a cluster system capable of collectively processing a plurality of substrates. A cluster system refers to a multi-chambered substrate processing system comprising a transfer robot (or handler) and a plurality of substrate processing modules provided around it. In general, a cluster system includes a transfer chamber and a transfer robot freely rotatable in the transfer chamber. Each side of the transfer chamber is equipped with a substrate processing chamber for performing a substrate processing process. Such a cluster system increases substrate throughput by allowing a plurality of substrates to be processed simultaneously or a plurality of processes can be performed continuously. Another effort to increase substrate throughput is to increase the substrate throughput per hour by simultaneously processing multiple substrates in multiple substrate processing chambers.

미국특허 등록공보 US6077157에는 복수 매의 기판을 동시에 처리할 수 있는 다중 기판 처리 챔버가 개시되어 있다. 이 다중 기판 처리 챔버는 챔버 내에 일체로 형성된 격벽에 의해 공간을 구획하고, 구획된 각 공간에 기판 처리 스테이션을 구비하는 구조를 갖는다. 이에 의해 두 개의 기판 처리 스테이션에서 기판을 동시에 처리할 수 있다. 그러나, 개시된 다중 기판 처리 챔버는 격벽이 챔버와 일체로 구비되어 있어 두 개의 기판 처리 스테이션 및 내부 공간의 청소 및 유지 보수가 불편한 문제가 있었다.US Patent No. US6077157 discloses a multiple substrate processing chamber capable of simultaneously processing a plurality of substrates. This multi-substrate processing chamber has a structure which partitions a space by the partition wall integrally formed in the chamber, and has a substrate processing station in each partitioned space. This allows the substrates to be processed simultaneously in two substrate processing stations. However, the disclosed multi-substrate processing chamber has a problem that the partition wall is integrally provided with the chamber, thereby making it difficult to clean and maintain the two substrate processing stations and the internal space.

한편, 미국특허 공개공보 US2007/0281085에는 챔버 내부 공간을 분리가능한 파티션 부재에 의해 구획하고 하나의 배기구를 통해서 공통으로 배기하는 구조를 갖는 다중 기판 처리 챔버가 개시되어 있다. 파티션 부재에 의해서 분할되는 두 개의 내부 처리 공간에 각기 하나의 기판 처리 스테이션이 존재하여 동시에 두 개의 기판을 처리할 수 있다. On the other hand, US Patent Publication No. US2007 / 0281085 discloses a multiple substrate processing chamber having a structure in which the chamber internal space is partitioned by a detachable partition member and commonly exhausted through one exhaust port. One substrate processing station exists in each of two internal processing spaces divided by partition members, so that two substrates can be processed simultaneously.

그런데, 개시된 다중 기판 처리 챔버는 파티션 부재가 분리가능하므로 청소 및 유지 보수는 편리하나 파티션 부재에 의해 구획된 처리공간의 형상이 중심으로부터 비대칭형태를 가진다. 즉, 대칭적인 원의 형상이 아닌 "D"자 형태의 비대칭형태를 가지므로 중심으로부터의 위치에 따라 전위의 불균형이 발생되고 기판의 처리를 위해 발생된 플라즈마의 밀도도 불균일하게 형성된다. 이러한 플라즈마의 밀도는 압력이 고압화되면서 더욱 심화되므로 개시된 다중 기판 처리 챔버는 고압에서는 사용하지 못하고 저압에서만 사용하는 사용상의 제약이 있었다.However, the disclosed multiple substrate processing chamber is convenient for cleaning and maintenance because the partition member is detachable, but the shape of the processing space partitioned by the partition member has an asymmetrical shape from the center. In other words, since it has a "D" shaped asymmetrical shape rather than a symmetrical circle, dislocation unevenness occurs according to the position from the center, and the density of the plasma generated for the treatment of the substrate is also unevenly formed. Since the density of the plasma is intensified as the pressure is increased, the disclosed multiple substrate processing chamber has limitations in use that is not used at high pressure but only at low pressure.

또한, 개시된 다중 기판 처리 챔버는 공통 배기 구조에서 챔버와 공통 배기 유로 간의 형상이 상호 수직하게 구비되어 배기가스의 컨덕턴스가 저하되는 문제가 있었다. In addition, the disclosed multi-substrate processing chamber has a problem in that the conductance of the exhaust gas is lowered since the shapes between the chamber and the common exhaust flow path are perpendicular to each other in the common exhaust structure.

본 발명의 목적은 분리가능한 파티션부재를 통해 처리 공간이 완벽한 대칭 형상을 갖도록 하여 처리 공간 내에 전위와 플라즈마가 균일하게 발생되도록 하여 기판 처리 재현성과 수율을 높이고, 저압 및 고압에서도 사용될 수 있는 다중 기판 처리 챔버를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to ensure that the processing space has a perfectly symmetrical shape through the detachable partition member so that the potential and plasma are uniformly generated in the processing space, thereby increasing substrate processing reproducibility and yield, and multi-substrate processing that can be used even at low pressure and high pressure. The purpose is to provide a chamber.

본 발명의 다른 목적은 챔버와 공통 배기 구조 사이 채널 구조를 완만하게 구비하여 배기가스의 컨덕턴스를 향상시키는 것이다. Another object of the present invention is to gently provide a channel structure between the chamber and the common exhaust structure to improve the conductance of the exhaust gas.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 둘 이상의 내부 처리 공간이 형성된 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징에 설치되어 상기 챔버 하우징을 상기 둘 이상의 내부 처리 공간으로 분할하는 적어도 하나의 파티션 부재;를 포함하고, 상기 각 내부 처리 공간은 상기 파티션 부재와 결합되어 균일한 처리 반응이 발생되는 대칭적인 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 다중 기판 처리 챔버를 포함한다. One aspect of the present invention for achieving the above technical problem is a chamber housing formed with two or more internal processing space; At least one partition member installed in the chamber housing to divide the chamber housing into the two or more internal processing spaces, wherein each of the internal processing spaces is symmetrical to be combined with the partition members to generate a uniform processing reaction. And multiple substrate processing chambers characterized by having a shape.

일 실시예에 따르면, 상기 챔버 하우징은 소정 곡률을 갖는 제1곡면을 포함하고, 상기 파티션 부재는 상기 제1곡면과 동일한 곡률의 제2곡면을 포함하고, 상 기 제1곡면과 상기 제2곡면이 결합되어 대칭적인 원을 이룬다.According to one embodiment, the chamber housing includes a first curved surface having a predetermined curvature, the partition member comprises a second curved surface of the same curvature as the first curved surface, the first curved surface and the second curved surface These combine to form a symmetrical circle.

일 실시예에 따르면, 상기 챔버 하우징은 상호 결합되는 복수의 하우징을 포함한다.According to one embodiment, the chamber housing includes a plurality of housings coupled to each other.

일 실시예에 따르면, 상기 챔버 하우징은, 기판 지지 스테이션이 구비되는 중간하우징; 상기 중간하우징의 상부에 결합되며 제1곡면이 형성되는 상부하우징; 및 상기 중간하우징의 하부에 결합되는 하부하우징을 포함한다.According to one embodiment, the chamber housing comprises: an intermediate housing having a substrate support station; An upper housing coupled to an upper portion of the intermediate housing and having a first curved surface; And a lower housing coupled to a lower portion of the intermediate housing.

일 실시예에 따르면, 상기 상부하우징에 결합되어 상기 각 내부 처리 공간의 내벽면을 커버하는 라이너를 더 포함한다.According to one embodiment, it further comprises a liner coupled to the upper housing to cover the inner wall surface of each of the interior processing space.

일 실시예에 따르면, 상기 파티션 부재는 복수개의 파티션이 상호 결합되어 구비된다.According to one embodiment, the partition member is provided with a plurality of partitions coupled to each other.

일 실시예에 따르면, 상기 파티션 부재는, 상기 중간하우징에 결합되는 중간파티션; 상기 중간파티션에 관통결합되며 상기 중간파티션의 하부로 소정 길이 노출되는 노출영역을 갖는 노출파티션; 및 상기 중간파티션의 상부에 마련되며 상기 상부하우징의 제1곡면에 대응하는 제2곡면이 형성되는 상부파티션을 포함한다.According to one embodiment, the partition member, an intermediate partition coupled to the intermediate housing; An exposure partition penetratingly coupled to the intermediate partition and having an exposed area exposed to the lower portion of the intermediate partition by a predetermined length; And an upper partition provided above the intermediate partition and having a second curved surface corresponding to the first curved surface of the upper housing.

일 실시예에 따르면, 상기 노출파티션은 상기 노출영역의 길이가 가변가능하게 구비된다.According to one embodiment, the exposure partition is provided with a variable length of the exposed area.

일 실시예에 따르면, 상기 둘 이상의 내부 처리 공간에 공통으로 연결되는 공통 배기 채널을 더 포함한다. According to an embodiment, the apparatus further includes a common exhaust channel commonly connected to the two or more internal processing spaces.

일 실시예에 따르면, 상기 중간하우징에는 상기 기판 처리 스테이션의 테두리 영역을 따라 상기 공통 배기 채널과 연통된 가스배출유로가 구비된다. According to one embodiment, the intermediate housing is provided with a gas discharge passage communicating with the common exhaust channel along the edge region of the substrate processing station.

일 실시예에 따르면, 공통 배기 채널은 상기 챔버 하우징에 대해 경사지게 구비된다.According to one embodiment, the common exhaust channel is provided inclined with respect to the chamber housing.

일 실시예에 따르면, 상기 공통 배기 채널은 상기 노출파티션의 노출영역에 의해 제1배기채널과 제2배기채널로 분할된다. According to an embodiment, the common exhaust channel is divided into a first exhaust channel and a second exhaust channel by an exposure area of the exposure partition.

일 실시예에 따르면, 상기 공통 배기 채널에는 상기 제1배기채널과 제2배기채널을 선택적으로 개폐하는 배기채널 개폐부재가 구비된다. According to one embodiment, the common exhaust channel is provided with an exhaust channel opening and closing member for selectively opening and closing the first exhaust channel and the second exhaust channel.

상술한 목적은 본 발명에 따라 제1곡면을 갖는 둘 이상의 내부 처리 공간을 갖는 챔버를 구비하는 단계와; 상기 챔버에 제2곡면을 갖는 적어도 하나의 파티션 부재를 결합시켜 둘 이상의 대칭적으로 완성된 내부 처리 공간을 형성하는 단계와;The above object is provided with a chamber having at least two internal processing spaces having a first curved surface according to the invention; Coupling at least one partition member having a second curved surface to the chamber to form two or more symmetrically completed internal processing spaces;

상기 내부 처리 공간에 기판을 적재하는 단계와; 상기 기판에 균일한 처리반응을 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 기판 처리 챔버의 기판 처리 방법에 의해 달성될 수 있다.Loading a substrate in the internal processing space; It can be achieved by a substrate processing method of a multiple substrate processing chamber comprising the step of generating a uniform processing reaction on the substrate.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버는 파티션 부재에 의해 복수의 내부 처리 공간으로 구획되며, 파티션부재의 형상과 챔버의 형상이 결합되어 대칭적인 내부 처리 공간을 형성한다. 이에 의해 내부 처리 공간 내부에서 전위와 플라즈마가 전 영역에 걸쳐 균일하게 발생되므로 기판 처리 균일성을 높일 수 있다. As described above, the multiple substrate processing chamber according to the present invention is partitioned into a plurality of internal processing spaces by a partition member, and the shape of the partition member and the shape of the chamber are combined to form a symmetric internal processing space. As a result, since the dislocations and the plasma are uniformly generated throughout the internal processing space, the substrate processing uniformity can be improved.

또한, 균일하게 플라즈마가 발생될 수 있으므로 저압 뿐만 아니라 고압에서도 사용될 수 있다. In addition, since the plasma can be generated uniformly, it can be used at high pressure as well as low pressure.

그리고, 복수의 내부 처리 공간의 처리가스를 공통으로 배기할 수 있는 공통 배기 채널을 가지고, 공통 배기 채널이 완만한 형태로 구비되므로 배기가스의 컨덕턴스를 향상시킬 수 있다. In addition, since the exhaust gas has a common exhaust channel capable of exhausting the processing gases in the plurality of internal processing spaces in common, and the common exhaust channel is provided in a gentle form, the conductance of the exhaust gas can be improved.

또한, 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버는 챔버 하우징 및 파티션 부재가 복수의 부재의 결합에 의해 구비되므로 청소 및 유지보수가 편리하다. In addition, the multiple substrate processing chamber according to the present invention is convenient for cleaning and maintenance because the chamber housing and the partition member are provided by the combination of the plurality of members.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the embodiments described in detail below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings and the like may be exaggerated to emphasize a more clear description. It should be noted that the same members in each drawing are sometimes shown with the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention are omitted.

도1은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 구성을 도시한 사시도이고, 도2는 다중 기판 처리 챔버의 평면 구성을 도시한 평면도이고, 도3은 다중 기판 처리 챔버의 구성을 분해하여 도시한 분해사시도이다. 1 is a perspective view showing the configuration of a multi-substrate processing chamber according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a planar configuration of the multi-substrate processing chamber, and FIG. 3 is an exploded view showing the configuration of the multi-substrate processing chamber. Perspective view.

본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버(10)는 도시된 바와 같이 복수의 내부 처리 공간(A, B)을 갖는 챔버하우징(100)과, 챔버하우징(100)에 결합되어 내부 처 리 공간(A, B)을 구획하고 동시에 내부 처리 공간(A, B)이 대칭적 형상을 갖도록 하는 파티션부재(200)와, 복수의 내부 처리 공간(A, B)에 공통적으로 결합되며 각 내부 처리 공간(A, B)의 처리가스가 공통적으로 배기되는 공통 배기 채널(300)을 포함한다. The multi-substrate processing chamber 10 according to the present invention is coupled to the chamber housing 100 having a plurality of internal processing spaces A and B and the chamber housing 100 as shown in the internal processing spaces A, The partition member 200 which partitions B) and at the same time has the internal processing spaces A and B having a symmetrical shape, and is commonly coupled to the plurality of internal processing spaces A and B, and each internal processing space A, And a common exhaust channel 300 through which the process gas of B) is commonly exhausted.

챔버하우징(100)은 상호 연통된 복수의 내부 처리 공간(A, B)을 갖는다. 연통 영역은 파티션부재(200)가 결합되어 챔버하우징(100)을 복수의 내부 처리 공간(A, B)으로 분할한다. 복수의 내부 처리 공간(A, B)은 상호 동일한 볼륨을 갖도록 구비되고, 각 내부 처리 공간(A, B)에는 각기 하나의 기판 처리 스테이션(145)이 구비된다. The chamber housing 100 has a plurality of internal processing spaces A and B in communication with each other. In the communication region, the partition member 200 is coupled to divide the chamber housing 100 into a plurality of internal processing spaces A and B. The plurality of internal processing spaces A and B are provided to have the same volume to each other, and each of the internal processing spaces A and B is provided with one substrate processing station 145, respectively.

챔버하우징(100)은 도1 및 도2에 도시된 바와 같이 각 내부 처리 공간(A, B)을 형성하는 제1곡면(110)이 형성되고, 파티션부재(200)는 제1곡면형상의 곡률과 동일한 곡률을 갖는 제2곡면(120)이 형성된다. 챔버하우징(100)에 파티션부재(200)가 결합될 경우 제1곡면(110)과 제2곡면(120)이 결합되어 각각의 독립된 내부 처리 공간(A, B)을 형성한다. 파티션부재(200)와 결합된 내부 처리 공간(A, B)은 중심으로부터 대칭적인(symmetric) 형상을 갖는 원을 이룬다. 또한, 내부 처리 공간(A, B)의 가운데 영역에 기판 처리 스테이션(145)이 구비된다. 따라서 기판 처리 스테이션(145)과 내부 처리 공간(A, B) 사이의 간격(d)도 내부 처리 공간(A, B)의 전영역에 걸쳐 동일하고 상호 대칭적으로 구비된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the chamber housing 100 is formed with a first curved surface 110 defining each of the internal processing spaces A and B, and the partition member 200 has a curvature of the first curved shape. A second curved surface 120 having the same curvature as is formed. When the partition member 200 is coupled to the chamber housing 100, the first curved surface 110 and the second curved surface 120 are combined to form respective independent internal processing spaces A and B. The internal processing spaces A and B combined with the partition member 200 form a circle having a symmetrical shape from the center. In addition, the substrate processing station 145 is provided in the center region of the internal processing spaces A and B. FIG. Therefore, the spacing d between the substrate processing station 145 and the internal processing spaces A and B is also identical and mutually symmetrical over the entire area of the internal processing spaces A and B.

이러한 대칭적인 형상을 갖는 내부 처리 공간(A, B)에는 반응 공정 동안 전위가 균일하게 형성되고, 기판 처리 반응, 일례로 플라즈마가 발생될 경우 내부 처 리 공간(A, B) 전체에 걸쳐 균일한 밀도로 발생될 수 있다. 따라서, 저압 뿐만 아니라 고압에서도 기판을 처리할 수 있으며 재현성과 수율을 높일 수 있다.In the internal processing spaces A and B having such a symmetrical shape, a potential is uniformly formed during the reaction process, and uniformly throughout the internal processing spaces A and B when a substrate processing reaction, for example, plasma is generated. Can occur in density. Therefore, the substrate can be processed at high pressure as well as low pressure, and reproducibility and yield can be improved.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 챔버하우징(100)은 도3에 도시된 바와 같이 복수의 하우징(130, 140, 150)의 결합에 의해 구현된다. 챔버하우징(100)은 상부 제1곡면(132)이 형성된 상부하우징(130)과, 기판 처리 스테이션(145)이 구비되는 중간하우징(140)과, 공통 배기 채널(300)과 결합되는 하부하우징(150)을 포함한다. Chamber housing 100 according to a preferred embodiment of the present invention is implemented by the combination of a plurality of housings (130, 140, 150) as shown in FIG. The chamber housing 100 includes an upper housing 130 having an upper first curved surface 132, an intermediate housing 140 including a substrate processing station 145, and a lower housing coupled to a common exhaust channel 300. 150).

상부하우징(130)은 상부하우징본체(131)와, 상부하우징본체(131)에 형성된 상부 제1곡면(132)과, 상부 제1곡면(132) 사이에 개재되어 상부파티션부재(200)가 결합되는 상부파티션수용부(134)와, 기판이 출입되는 기판출입구(135)와, 내부 처리 공간(A, B)에서 진행되는 반응을 모니터링할 수 있도록 구비된 모니터링부(137)를 포함한다. The upper housing 130 is interposed between the upper housing body 131, the upper first curved surface 132 formed on the upper housing body 131, and the upper first curved surface 132 to couple the upper partition member 200 to each other. The upper partition accommodating part 134, the substrate entrance 135 into which the substrate enters and exits, and a monitoring part 137 provided to monitor a reaction occurring in the internal processing spaces A and B are included.

상부하우징본체(131)는 중간하우징(140)의 상측에 마련되어 기판이 처리되는 복수의 내부 처리 공간(A, B)을 형성한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상부하우징본체(131)는 상부파티션수용부(134)를 기준으로 좌우 양측으로 두 개의 내부 처리 공간(A, B)을 구비한다. 여기서 좌우의 각 내부 처리 공간(A, B)은 소정의 반경을 갖는 상부 제1곡면(132)을 구비한다. 상부 제1곡면(132)은 내부 처리 공간(A, B)의 중심으로부터 동일한 반경을 갖도록 소정 원호형태로 구비된다. The upper housing body 131 is provided on the upper side of the intermediate housing 140 to form a plurality of internal processing spaces A and B on which the substrate is processed. The upper housing body 131 according to the preferred embodiment of the present invention includes two internal processing spaces A and B on both the left and right sides of the upper partition accommodating part 134. Here, each of the left and right inner processing spaces A and B has an upper first curved surface 132 having a predetermined radius. The upper first curved surface 132 is provided in a predetermined arc shape to have the same radius from the center of the internal processing spaces (A, B).

상부파티션수용부(134)는 후술할 상부 제2곡면(213)을 갖는 상부파티션(210)이 수용된다. 상부파티션수용부(134)는 상부파티션(210)을 수용하여 상부 제1곡 면(132)과 상부 제2곡면(213)이 결합되어 챔버하우징(100) 내에 좌우로 분리된 복수의 내부 처리 공간(A, B)을 형성하도록 한다.The upper partition accommodating part 134 accommodates an upper partition 210 having an upper second curved surface 213 which will be described later. The upper partition accommodating part 134 accommodates the upper partition 210 so that the upper first curved surface 132 and the upper second curved surface 213 are coupled to each other to form a plurality of internal processing spaces separated from the left and right in the chamber housing 100. To form (A, B).

한편, 상부하우징본체(131)의 전면에는 기판이 출입되는 두 개의 기판출입구(135)가 구비되어 기판(W)이 내부 처리 공간(A, B) 내외로 출입될 수 있도록 한다. 두 개의 기판출입구(135)는 두 개의 분할된 내부 처리 공간(A, B)으로 각기 연결되며 슬릿 밸브(미도시)등에 의해 개폐된다.On the other hand, the front surface of the upper housing body 131 is provided with two substrate entrances 135 for entering and exiting the substrate to allow the substrate (W) to enter and exit the interior processing space (A, B). The two substrate entrances 135 are connected to two divided internal processing spaces A and B, respectively, and are opened and closed by a slit valve (not shown).

여기서, 상부하우징본체(131)에는 내부 처리 공간(A, B) 내에서 기판의 처리 반응을 외부에서 모니터링 할 수 있도록 소정 영역의 모니터링부(137)가 구비된다. 모니터링부(137)는 석영, 유리와 같이 투명한 부재로 구비되어 내부 처리 공간(A, B) 내에서 처리 반응의 진행상태를 모니터링 할 수 있도록 한다. 모니터링부(137)는 상부 챔버하우징(100)의 벽면을 따라 복수개로 구비될 수 있다.Here, the upper housing body 131 is provided with a monitoring unit 137 in a predetermined region to monitor the processing reaction of the substrate from the outside in the interior processing spaces (A, B). The monitoring unit 137 is provided with a transparent member such as quartz or glass to monitor the progress of the processing reaction in the internal processing spaces A and B. The monitoring unit 137 may be provided in plural along the wall surface of the upper chamber housing 100.

한편, 상부하우징(130)은 후술할 플라즈마소스부(500, 도8 참조)가 결합되는 소스결합부(미도시)를 더 포함한다. 소스결합부(미도시)는 플라즈마소스부(500)가 상부하우징(130)에 개폐가능하게 결합될 수 있도록 구비되거나, 플라즈마소스(510)의 형태에 따라 다른 형태로 구비될 수 있다. Meanwhile, the upper housing 130 further includes a source coupling part (not shown) to which the plasma source part 500 (see FIG. 8) to be described later is coupled. The source coupling part (not shown) may be provided to allow the plasma source part 500 to be openably coupled to the upper housing 130 or may be provided in other forms according to the shape of the plasma source 510.

중간하우징(140)은 상부하우징(130)의 하부에 위치하며, 기판 처리 스테이션(145)이 구비된다. 중간하우징(140)은 중간하우징본체(141)와, 중간하우징본체(141)의 연통벽(146)에 결합된 기판 처리 스테이션(145)과, 기판 처리 스테이션(145)의 둘레영역에 구비된 가스배출유로(148)와, 중간파티션수용부(144)를 포함한다. The intermediate housing 140 is positioned below the upper housing 130 and is provided with a substrate processing station 145. The intermediate housing 140 includes an intermediate housing body 141, a substrate processing station 145 coupled to the communication wall 146 of the intermediate housing body 141, and a gas provided in the peripheral region of the substrate processing station 145. The discharge passage 148 and the intermediate partition receiving portion 144 is included.

중간하우징본체(141)는 기판 처리 스테이션(145)이 일체로 형성되고, 기판 처리 스테이션(145)의 둘레영역을 따라 상부하우징본체(131)의 상부 제1곡면(132)과 동일한 곡률의 중간 제1곡면(142)이 구비된다. 중간 제1곡면(142)은 중간하우징본체(141)의 양측에 각각 구비된다. 한 쌍의 중간 제1곡면(142) 사이에는 중간파티션수용부(144)가 구비된다. 중간파티션수용부(144)는 중간 제1곡면(142)과 결합되어 내부 처리 공간(A, B)의 대칭적 형상을 완성하는 중간 제2곡면(223)이 형성되는 중간파티션부재(200)가 수용된다.The intermediate housing body 141 is integrally formed with the substrate processing station 145 and has the same curvature as the upper first curved surface 132 of the upper housing body 131 along the circumferential region of the substrate processing station 145. One curved surface 142 is provided. The intermediate first curved surface 142 is provided on both sides of the intermediate housing body 141, respectively. An intermediate partition accommodating part 144 is provided between the pair of intermediate first curved surfaces 142. The intermediate partition accommodating part 144 has an intermediate partition member 200 which is combined with the intermediate first curved surface 142 to form an intermediate second curved surface 223 for completing the symmetrical shapes of the internal processing spaces A and B. Are accepted.

기판 처리 스테이션(145)은 도3 내지 도5에 도시된 바와 같이 중간하우징본체(141)의 연통벽(146)에 연결되어 형성된다. 기판 처리 스테이션(145)은 챔버하우징(100)의 바닥면으로부터 일정 높이 이격된 상태로 구비된다. 기판 처리 스테이션(145)은 중간하우징본체(141)의 연통벽(146)으로부터 형성되어 내부 처리 공간(A, B)과 독립된 공간을 갖는다. 기판 처리 스테이션(145)이 챔버하우징(100)의 바닥면에 결합되지 않고 이격되게 구비되므로 후술할 공통 배기 채널(300)이 바닥면에 대해 완만하게 구비될 수 있도록 한다.The substrate processing station 145 is connected to the communication wall 146 of the intermediate housing body 141, as shown in Figs. The substrate processing station 145 is provided to be spaced apart from the bottom of the chamber housing 100 by a predetermined height. The substrate processing station 145 is formed from the communication wall 146 of the intermediate housing body 141 and has a space independent of the internal processing spaces A and B. Since the substrate processing station 145 is provided to be spaced apart from the bottom surface of the chamber housing 100, the common exhaust channel 300 to be described later may be gently provided with respect to the bottom surface.

기판 처리 스테이션(145)의 상부에는 기판지지대(170)가 결합되어 기판 처리 스테이션(145)의 내부를 내부 처리 공간(A, B)과 차폐시킨다. 이에 의해 기판 처리 스테이션(145) 내부는 진공 상태의 내부 처리 공간(A, B)과 독립된 대기압 상태를 유지한다. 기판 처리 스테이션(145)에는 중간하우징본체(141)의 연통벽(146) 내부에 형성된 개구(147)를 통해 기판승강수단(미도시)과 전원공급수단(미도시) 등의 유틸리티 수단이 연결될 수 있다.The substrate support 170 is coupled to the upper portion of the substrate processing station 145 to shield the interior of the substrate processing station 145 from the internal processing spaces A and B. As a result, the inside of the substrate processing station 145 maintains an atmospheric pressure state independent of the internal processing spaces A and B in a vacuum state. The substrate processing station 145 may be connected with utility means such as a substrate lifting means (not shown) and a power supply means (not shown) through an opening 147 formed in the communication wall 146 of the intermediate housing body 141. have.

기판 처리 스테이션(145)과 중간하우징본체(141) 사이의 둘레영역에는 내부 처리 공간(A, B)에서 기판 처리 반응이 종료된 후의 처리 가스가 배출되는 가스배출유로(148)가 구비된다. 가스배출유로(148)는 기판 처리 스테이션(145) 하부의 공통 배기 채널(300)과 연결된다. In the circumferential region between the substrate processing station 145 and the intermediate housing body 141, a gas discharge passage 148 is provided to discharge the processing gas after the substrate processing reaction is completed in the internal processing spaces A and B. The gas exhaust passage 148 is connected to the common exhaust channel 300 under the substrate processing station 145.

여기서, 가스배출유로(148)에는 다공성 구조를 갖는 배기가스배플(미도시)이 구비되어 공정 처리 후의 가스가 수직하게 유동하여 공통 배기 채널(300)로 배기되도록 한다. 배기가스배플(미도시)은 기판 처리 스테이션(145)에 결합가능하게 구비된다.Here, the gas discharge passage 148 is provided with an exhaust gas baffle (not shown) having a porous structure so that the gas after the process is vertically flowed to be exhausted to the common exhaust channel 300. An exhaust gas baffle (not shown) is provided to be coupled to the substrate processing station 145.

기판 처리 스테이션(145)은 중간하우징본체(141)와 동일한 간격(d)을 갖도록 중간하우징본체(141)의 중심영역에 구비된다.The substrate processing station 145 is provided in the center area of the intermediate housing body 141 to have the same distance d as the intermediate housing body 141.

하부하우징(150)은 중간하우징(140)의 하부에 위치하며 공통 배기 채널(300)과 연결된다. 이에 의해 중간하우징(140)의 가스배출유로(148)를 경유한 처리가스가 공통 배기 채널(300)로 배출되도록 한다. 하부하우징(150)은 챔버하우징(100)의 바닥면을 형성하는 하부하우징본체(151)와 하부하우징본체(151)에 구비되어 공통 배기 채널(300)과 결합되는 배기채널결합부(153)를 구비한다. 배기채널결합부(153)는 공통 배기 채널(300)의 크기에 대응되도록 구비된다. 배기채널결합부(153)는 공통배기채널(300)의 경사면(310)의 경사각도에 대응하는 경사를 갖도록 구비되는 것이 배기가스의 컨덕턴스를 향상시킬 수 있어 바람직하다. The lower housing 150 is located below the middle housing 140 and is connected to the common exhaust channel 300. As a result, the processing gas via the gas discharge passage 148 of the intermediate housing 140 is discharged to the common exhaust channel 300. The lower housing 150 includes an exhaust channel coupling part 153 provided in the lower housing body 151 and the lower housing body 151 which form the bottom surface of the chamber housing 100 and coupled to the common exhaust channel 300. Equipped. The exhaust channel combiner 153 is provided to correspond to the size of the common exhaust channel 300. Exhaust channel coupling portion 153 is preferably provided to have an inclination corresponding to the inclination angle of the inclined surface 310 of the common exhaust channel 300 can improve the conductance of the exhaust gas.

한편, 상부하우징(130), 중간하우징(140) 및 하부하우징(150)은 상호 결합을 위한 결합수단(미도시)이 구비된다. 결합수단(미도시)은 핀, 볼트/너트, 걸림결합 등 공지된 결합 수단이 구비될 수 있다.On the other hand, the upper housing 130, the middle housing 140 and the lower housing 150 is provided with a coupling means (not shown) for mutual coupling. Coupling means (not shown) may be provided with a known coupling means such as pins, bolts / nuts, engaging.

또한, 상부하우징(130), 중간하우징(140) 및 하부하우징(150)의 결합영역에는 적어도 하나의 실링부재(미도시)가 구비되어 내부 처리 공간(A,B)의 기밀을 유지한다. In addition, at least one sealing member (not shown) is provided in a coupling region of the upper housing 130, the middle housing 140, and the lower housing 150 to maintain the airtightness of the internal processing spaces A and B.

한편, 상부하우징(130)과 중간하우징(140)에는 내부 처리 공간(A, B)의 내표면을 커버하는 상부라이너(160)와 중간라이너(180)가 각각 구비된다. 상부라이너(160)는 상부하우징본체(131)의 상부 제1곡면(132)과 상부파티션(210)의 상부 제2곡면(213)의 결합에 의해 형성된 내부 처리 공간(A, B)의 내표면에 결합된다. 상부라이너(160)는 후술할 중간라이너(180)가 결합되는 중간라이너결합부(161)와 상부하우징(130)의 모니터링부(137)에 대응되게 구비되는 모니터링창(163)이 구비된다. On the other hand, the upper housing 130 and the middle housing 140 is provided with an upper liner 160 and the intermediate liner 180 to cover the inner surface of the interior processing space (A, B), respectively. The upper liner 160 is an inner surface of the inner processing spaces A and B formed by the combination of the upper first curved surface 132 of the upper housing body 131 and the upper second curved surface 213 of the upper partition 210. Is coupled to. The upper liner 160 includes a monitoring window 163 provided to correspond to the monitoring unit 137 of the intermediate liner coupling unit 161 and the upper housing 130 to which the intermediate liner 180 to be described later is coupled.

중간라이너결합부(161)는 내표면으로부터 단턱이 형성되어 중간라이너(180)가 단턱에 걸쳐지도록 구비된다. Intermediate liner coupling portion 161 is provided with a stepped from the inner surface so that the intermediate liner 180 over the stepped.

중간라이너(180)는 중간하우징본체(141)의 중간 제1곡면(142)과 중간파티션(220)의 중간 제2곡면(223)의 결합에 의해 형성된 내부 처리 공간(A, B)의 내표면에 결합된다. 중간라이너(180)는 상부라이너(160)의 중간라이너결합부(161)에 적재되어 위치가 고정된다. The intermediate liner 180 is an inner surface of the inner processing spaces A and B formed by the combination of the intermediate first curved surface 142 of the intermediate housing body 141 and the intermediate second curved surface 223 of the intermediate partition 220. Is coupled to. The intermediate liner 180 is mounted on the intermediate liner coupling portion 161 of the upper liner 160 to fix the position.

상부라이너(160)와 중간라이너(180)는 내부 처리 공간(A, B)의 내표면이 플라즈마의 이온 충돌 등에 의해 손상이 가거나 마모가 되는 것을 방지하기 위해 내부 처리 공간(A, B)의 내벽면에 구비된다. 상부라이너(160)와 중간라이너(180)는 복수회의 처리 반응에 의해 내벽면이 손상이 가거나 마모되는 경우 교체하여 사용될 수 있다.The upper liner 160 and the intermediate liner 180 are formed in the interior processing spaces A and B in order to prevent the inner surfaces of the interior processing spaces A and B from being damaged or worn out by ion bombardment of the plasma. It is provided on the wall. The upper liner 160 and the intermediate liner 180 may be used by replacing when the inner wall surface is damaged or worn by a plurality of treatment reactions.

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 기판 처리 챔버(10)는 조립시의 편리성과 유지보수의 편리성을 위해 상부라이너와 중간라이너의 복수개의 라이너를 구비하고 있으나, 경우에 따라 한 개의 라이너를 구비할 수도 있다. On the other hand, the multi-substrate processing chamber 10 according to the preferred embodiment of the present invention is provided with a plurality of liners of the upper liner and the middle liner for the convenience of assembly and the convenience of maintenance, in some cases one liner It may be provided.

파티션부재(200)는 챔버하우징(100)에 결합되어 챔버하우징(100)을 두 개의 내부 처리 공간(A, B)으로 구획하고, 챔버하우징(100)의 제1곡면(110)과 결합되어 대칭적인 형상을 갖는 내부 처리 공간(A, B)을 완성한다. The partition member 200 is coupled to the chamber housing 100 to partition the chamber housing 100 into two internal processing spaces A and B, and is coupled to the first curved surface 110 of the chamber housing 100 to be symmetrical. The interior processing spaces A and B having a typical shape are completed.

파티션부재(200)는 복수의 파티션(210,220,230)의 결합에 의해 구비된다. 파티션부재(200)는 상부하우징(130)에 결합되는 상부파티션(210)과, 중간하우징(140)에 결합되는 중간파티션(220)과, 중간파티션(220)에 관통결합되는 노출파티션(230)을 포함한다. 파티션부재(200)는 접지단(미도시)에 연결되어 각 내부 처리 공간(A, B)이 균일한 전위를 형성하도록 한다. Partition member 200 is provided by the combination of a plurality of partitions (210, 220, 230). The partition member 200 includes an upper partition 210 coupled to the upper housing 130, an intermediate partition 220 coupled to the intermediate housing 140, and an exposed partition 230 penetrated through the intermediate partition 220. It includes. The partition member 200 is connected to a ground terminal (not shown) so that each of the internal processing spaces A and B forms a uniform potential.

상부파티션(210)은 상부하우징본체(131)에 수용결합되는 상부파티션본체(211)와, 상부파티션본체(211)에 형성되어 상부하우징본체(131)의 상부 제1곡면(132)과 결합되는 상부 제2곡면(213)을 포함한다. 상부파티션본체(211)는 상부하우징본체(131)의 상부파티션수용부(134)의 형상에 대응되게 구비되어 상부파티션수용부(134)에 끼워맞춤된다. 상부 제2곡면(213)은 상부파티션본체(211)의 양측면에 각각 구비된다. 상부 제2곡면(213)은 상부 제1곡면(132)의 곡률과 동일한 곡률을 갖도록 구비되어 상부 제1곡면(132)과 상부 제2곡면(213)이 결합된 내부 처리 공 간(A, B)이 중심으로부터 동일한 반경을 갖는 원의 형상을 갖도록 한다. 상부파티션(210)은 상부하우징본체(131)에 억지끼워맞춤되거나 공지된 결합수단에 의해 결합될 수 있다.The upper partition 210 is formed on the upper partition body 211 accommodated in the upper housing body 131, the upper partition body 211 is coupled to the upper first curved surface 132 of the upper housing body 131 An upper second curved surface 213 is included. The upper partition body 211 is provided to correspond to the shape of the upper partition accommodating part 134 of the upper housing body 131 and is fitted to the upper partition accommodating part 134. The upper second curved surface 213 is provided on both side surfaces of the upper partition body 211, respectively. The upper second curved surface 213 is provided to have the same curvature as the curvature of the upper first curved surface 132 so that the inner processing spaces A and B in which the upper first curved surface 132 and the upper second curved surface 213 are combined. ) Has the shape of a circle with the same radius from the center. The upper partition 210 may be fitted to the upper housing body 131 or coupled by a known coupling means.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상부파티션본체(211)에는 도10에 도시된 바와 같이 소정 길이의 슬릿(215)이 구비될 수 있다. 슬릿(215)은 복수의 내부 처리 공간(A, B) 사이에 발생되는 정전기, 전위 등의 상호 간섭을 줄인다. 즉, 복수의 내부 처리 공간(A, B)에 서로 다른 전위가 인가될 경우 인접한 내부 처리 공간(A, B)의 전위가 영향을 줄 수 있다. 이 때 슬릿(215)은 둘 사이의 내부 처리 공간(A, B)을 공간적으로 단절시켜 이러한 간섭과 영향을 줄일 수 있다.On the other hand, the upper partition body 211 according to another embodiment of the present invention may be provided with a slit 215 of a predetermined length as shown in FIG. The slit 215 reduces mutual interference such as static electricity and potential generated between the plurality of internal processing spaces A and B. That is, when different potentials are applied to the plurality of internal processing spaces A and B, the potentials of the adjacent internal processing spaces A and B may influence. In this case, the slit 215 may spatially disconnect the internal processing spaces A and B between the two to reduce such interference and influence.

중간파티션(220)은 중간하우징(140)에 수용결합된다. 중간파티션(220)은 중간 제2곡면(223)이 형성된 중간파티션본체(221)와, 중간파티션본체(221)에 형성되어 노출파티션(230)이 결합되는 노출파티션수용홀(225)을 포함한다. 중간파티션본체(221)는 중간하우징본체(141)의 중간파티션수용부(144)에 수용결합된다. 중간 제2곡면(223)은 중간하우징(140)의 중간 제1곡면(142)과 결합되어 대칭적인 형상의 내부 처리 공간(A, B)을 완성한다. The intermediate partition 220 is accommodated in the intermediate housing 140. The intermediate partition 220 includes an intermediate partition body 221 having an intermediate second curved surface 223, and an exposed partition accommodation hole 225 formed on the intermediate partition body 221 to which the exposed partition 230 is coupled. . The intermediate partition body 221 is received and coupled to the intermediate partition receiving portion 144 of the intermediate housing body 141. The intermediate second curved surface 223 is combined with the intermediate first curved surface 142 of the intermediate housing 140 to complete the internal processing spaces A and B having a symmetrical shape.

노출파티션수용홀(225)은 노출파티션(230)의 두께에 대응하는 너비로 구비되며, 노출파티션(230)이 삽입된다. 한편, 중간파티션(220)에도 상부파티션(210)과 동일하게 연통공(미도시)과 슬릿(미도시)이 구비될 수 있다. The exposed partition accommodating hole 225 has a width corresponding to the thickness of the exposed partition 230, and the exposed partition 230 is inserted therein. Meanwhile, the intermediate partition 220 may be provided with a communication hole (not shown) and a slit (not shown) similarly to the upper partition 210.

노출파티션(230)은 중간파티션(220)에 삽입되어 공통 배기 채널(500)를 두 개의 영역으로 분할한다. 노출파티션(230)은 중간파티션(220)에 수용되는 수용영 역(231)과, 중간파티션(220)의 외부로 노출되어 공통 배기 채널(300)에 결합되는 노출영역(233)을 포함한다. 노출영역(233)은 공통 배기 채널(300)의 형상에 대응하도록 경사면 또는 곡면을 갖도록 구비될 수 있다. 노출파티션(230)에는 노출파티션수용홀(225)에 삽입될 때 위치를 고정하기 위해 걸림결합부(135)가 구비된다. 걸림결합부(135)는 수용영역(231)으로부터 양측으로 확장되게 구비되어 노출파티션수용홀(225)에 걸림결한된다. The exposed partition 230 is inserted into the intermediate partition 220 to divide the common exhaust channel 500 into two regions. The exposure partition 230 includes a receiving area 231 accommodated in the intermediate partition 220 and an exposure area 233 exposed to the outside of the intermediate partition 220 and coupled to the common exhaust channel 300. The exposure area 233 may be provided to have an inclined surface or a curved surface to correspond to the shape of the common exhaust channel 300. The exposure partition 230 is provided with a engaging portion 135 to fix the position when inserted into the exposure partition receiving hole 225. The engaging portion 135 is provided to extend from both sides of the receiving area 231 to the exposed partition receiving hole 225.

상부파티션(210), 중간파티션(220) 및 노출파티션(230)은 도 4 및 도5에 도시된 바와 같이 중간파티션(220)에 노출파티션(230)이 수용되고, 중간파티션(220)의 상부에 상부파티션(210)이 적층된다. 각 파티션(210,220,230)의 길이는 챔버하우징(100)의 길이에 대응되게 조절될 수 있다. The upper partition 210, the intermediate partition 220, and the exposed partition 230 are exposed to the intermediate partition 220, as shown in FIGS. 4 and 5, and an upper portion of the intermediate partition 220. The upper partition 210 is stacked on. The length of each partition 210, 220, 230 may be adjusted to correspond to the length of the chamber housing 100.

여기서, 노출파티션(230)이 중간파티션(220)의 하부로 노출되는 노출길이(L)는 조절가능하게 구비될 수 있다. 노출길이(L)를 조절하여 내부 처리 공간(A, B)으로부터 공통 배기 채널(300)로 배기되는 처리가스의 양, 처리가스의 속도 등을 조절할 수 있다. Here, the exposure length (L) that the exposure partition 230 is exposed to the lower portion of the intermediate partition 220 may be provided to be adjustable. The exposure length L may be adjusted to adjust the amount of processing gas exhausted from the internal processing spaces A and B to the common exhaust channel 300, the speed of the processing gas, and the like.

한편, 파티션부재(200)에는 파티션부재(200)에 의해 분할되는 두 개의 내부 처리 공간을 공간적으로 연결하는 연통공(미도시)이 적어도 한 개 구비될 수 있다. 연통공(미도시)은 단면형상이 원형 구조, 사각형 구조, 타원형 구조, 모서리가 완만한 장방형 구조, 원호형 구조 등과 같이 다양한 구조로 구현될 수 있다. 또한, 연통공(미도시)은 수평 또는 수직의 슬릿 구조로 개구될 수 있다. 연통공(미도시)은 상부파티션(210) 또는 하부파티션(220)에 구비될 수 있다. 또한, 연통공(미도 시)는 상부파티션(210)의 상부영역, 가운데영역, 하단영역 중 어느 한 영역에 복수개로 구비될 수 있다. Meanwhile, the partition member 200 may be provided with at least one communication hole (not shown) for spatially connecting two internal processing spaces divided by the partition member 200. The communication hole (not shown) may be implemented in various structures such as a circular structure, a rectangular structure, an elliptical structure, a rectangular structure having a smooth edge, an arc-like structure, and the like. In addition, the communication hole (not shown) may be opened in a horizontal or vertical slit structure. Communication holes (not shown) may be provided in the upper partition 210 or the lower partition 220. In addition, a plurality of communication holes (not shown) may be provided in any one of an upper region, a middle region, and a lower region of the upper partition 210.

한편, 각각의 연통공(미도시)은 마주 대향되지 않도록 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 각각의 연통공(미도시)은 서로 다른 위치에 구성됨으로서 분할된 두 개의 내부 처리 공간(A, B)이 상호 직접적으로 투사되지 않는 것이 바람직하다.On the other hand, each communication hole (not shown) is preferably configured not to face each other. That is, it is preferable that each communication hole (not shown) is configured at different positions so that the two divided internal processing spaces A and B are not directly projected on each other.

연통공(미도시)는 파티션 부재(200)에 의해서 분할되는 두 개의 내부 처리 공간(A, B)을 공간적으로 연결하여 두 개의 내부 처리 공간(A,B)이 동일한 기압과 분위기를 유지하게 된다. 또한, 연통공(미도시)이 파티션 부재(200)에 구비됨으로 유지 보수가 용이할 수 있다.The communication hole (not shown) spatially connects two internal processing spaces A and B divided by the partition member 200 so that the two internal processing spaces A and B maintain the same air pressure and atmosphere. . In addition, since a communication hole (not shown) is provided in the partition member 200, maintenance may be easy.

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파티션부재(200)는 청소 및 유지보수의 편리성을 위해 복수개로 구비되었으나 챔버하우징(100)의 제1곡면(110)에 대응하는 제2곡면(120)을 갖는 한 개의 구조로 구비될 있으며, 경우에 따라 4개 이상으로 분할되어 구비될 수도 있다. On the other hand, the partition member 200 according to the preferred embodiment of the present invention is provided with a plurality of for convenience of cleaning and maintenance, but the second curved surface 120 corresponding to the first curved surface 110 of the chamber housing 100 It may be provided in one structure having, and may be provided divided into four or more in some cases.

공통 배기 채널(300)은 챔버하우징(100)의 하부에 구비되어 처리 반응이 종료된 후 처리가스가 배기되는 유로를 제공한다. 공통 배기 채널(300)은 복수의 내부 처리 공간(A, B)의 가운데 영역에 구비되고 노출파티션(230)에 의해 제1배기채널(D)과 제2배기채널(E)로 분할된다. The common exhaust channel 300 is provided below the chamber housing 100 to provide a flow path through which the processing gas is exhausted after the processing reaction is completed. The common exhaust channel 300 is provided in the middle region of the plurality of internal processing spaces A and B and is divided into the first exhaust channel D and the second exhaust channel E by the exposure partition 230.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 공통 배기 채널(300)은 도6에 도시된 바와 같이 하부하우징(150)에 대해 경사지게 구비된 경사면(310)을 포함한다. 이 경우 종래 챔버하우징에 대해 공통 배기 채널이 수직하게 구비되는 경우에 비해 진공 상태에서 배기가스의 컨덕턴스를 향상시킬 수 있다.The common exhaust channel 300 according to the preferred embodiment of the present invention includes an inclined surface 310 provided to be inclined with respect to the lower housing 150 as shown in FIG. In this case, the conductance of the exhaust gas can be improved in a vacuum state as compared with the case where the common exhaust channel is vertically provided with respect to the conventional chamber housing.

한편, 공통 배기 채널(300)은 도7에 도시된 바와 같이 하부하우징(150)에 대해 완만한 곡률을 갖는 곡면(320)으로 구비될 수 있다. Meanwhile, the common exhaust channel 300 may be provided as a curved surface 320 having a smooth curvature with respect to the lower housing 150 as shown in FIG. 7.

또한, 공통 배기 채널(300)은 도6 및 도7에 도시된 바와 같이 하부하우징(150)의 일부영역과 결합되게 구비되거나 도11에 도시된 바와 같이 중간하우징(140)의 전 영역에 걸쳐 완만하게 구비된 전체 경사면(330)으로 구비될 수 있다. In addition, the common exhaust channel 300 is provided to be coupled with a partial region of the lower housing 150 as shown in FIGS. 6 and 7 or is smooth over the entire region of the intermediate housing 140 as shown in FIG. It may be provided to the entire inclined surface 330 provided.

한편, 노출파티션(230)에 의해 제1배기채널(D)과 제2배기채널(E)로 분할된 공통 배기 채널(300)에는 도9a 및 도9b에 도시된 바와 같이 각 배기채널(D,E)을 선택적으로 개폐할 수 있는 개폐부재(400)가 구비될 수 있다. 개폐부재(400)는 도9a에 도시된 바와 같이 노출파티션(230)을 중심에 구비된 회동축(410)으로 회동가능하게 구비되는 제1회동부재(420) 및 제2회동부재(430)에 의해 구현될 수 있다. 여기서, 각 회동부재(420, 430)는 처리가스의 유동을 간섭하지 않기 위해 가스의 유동방향의 전면으로 회동되게 구비되는 것이 바람직하다.Meanwhile, as illustrated in FIGS. 9A and 9B, the common exhaust channel 300 divided into the first exhaust channel D and the second exhaust channel E by the exposure partition 230 is shown in FIG. An opening and closing member 400 capable of selectively opening and closing E) may be provided. As shown in FIG. 9A, the opening / closing member 400 includes a first rotating member 420 and a second rotating member 430 rotatably provided with a rotating shaft 410 having a center of the exposed partition 230. Can be implemented. Here, each of the rotating members 420 and 430 is preferably provided to be rotated to the front of the flow direction of the gas so as not to interfere with the flow of the processing gas.

개폐부재(400)는 복수의 내부 처리 공간(A, B) 중 어느 일측의 사용이 불가할 경우 또는 사용이 불필요할 경우에 해당되는 배기채널(D, E)중 하나의 채널을 폐쇄하여 불필요한 사용을 막는 용도로 사용할 수 있다. The opening / closing member 400 closes one channel of the exhaust channels D and E corresponding to when one side of the plurality of internal processing spaces A and B is impossible to use or is unnecessary. It can be used to prevent this.

한편, 개폐부재(400a)는 도9b에 도시된 바와 같이 배기채널(D, E)의 축방향에 대해 가로방향으로 슬라이딩 이동가능하게 구비되는 한 쌍의 개폐도어(420a, 420b)가 각각 배기채널(D, E)을 선택적으로 개폐할 수 있도록 구비될 수 있다. Meanwhile, as illustrated in FIG. 9B, the opening / closing member 400a includes a pair of opening / closing doors 420a and 420b which are slidably moved in the horizontal direction with respect to the axial direction of the exhaust channels D and E, respectively. (D, E) may be provided to selectively open and close.

한편, 개폐부재(400,400a)는 상술한 실시예 외에도 유로를 선택적으로 개폐 할 수 있는 공지된 기술에 의해 구현될 수 있다.On the other hand, the opening and closing member (400,400a) may be implemented by a known technique that can selectively open and close the flow path in addition to the above-described embodiment.

도3 내지 도5, 도11을 참조하여 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버(10)의 조립 방법 및 다중 기판 처리 방법을 설명한다. 3 to 5 and 11, a method of assembling and processing a multiple substrate processing chamber 10 according to the present invention will be described.

먼저, 하부하우징(150)에 중간하우징(140)을 결합시키고, 중간하우징(140)의 중간파티션수용부(144)에 중간파티션(220)을 결합시킨다. 결합된 중간파티션(220)에 노출파티션(230)을 삽입한다. First, the intermediate housing 140 is coupled to the lower housing 150, and the intermediate partition 220 is coupled to the intermediate partition accommodating part 144 of the intermediate housing 140. The exposure partition 230 is inserted into the combined intermediate partition 220.

중간하우징(140)에 상부하우징(130)을 결합시키고, 상부하우징(130)에 상부파티션(210)을 체결한다. 이에 의해 상부 제1곡면(132)과 상부 제2곡면(213)이 결합되고 대칭적인 내부 처리 공간(A, B)이 완성된다. 완성된 내부 처리 공간(A, B)의 내벽면에 상부라이너(160)를 결합시킨다. 상부라이너(160)의 중간라이너결합부(161)에 중간라이너(180)를 결합시킨다. 그리고, 상부하우징(130)에 플라즈마 소스부(500)를 결합시킨다. The upper housing 130 is coupled to the middle housing 140, and the upper partition 210 is fastened to the upper housing 130. As a result, the upper first curved surface 132 and the upper second curved surface 213 are combined to form symmetrical internal processing spaces A and B. The upper liner 160 is coupled to the inner wall surfaces of the completed internal processing spaces A and B. The middle liner 180 is coupled to the middle liner coupling portion 161 of the upper liner 160. Then, the plasma source unit 500 is coupled to the upper housing 130.

플라즈마소스부(500)는 플라즈마소스(510)를 구비하고, 플라즈마소스(510)는 각 내부 처리 공간(A, B)에 플라즈마를 공급한다. 플라즈마소스(510)는 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리한다. 플라즈마소스(510)는 용량결합 플라즈마 소스, 유도결합 플라즈마 소스, 변합기 결합 플라즈마 소스 등으로 구현될 수 있다. 플라즈마소스(510)의 기판 처리 종류에 따라 적합한 것으로 구비될 수 있다. The plasma source unit 500 includes a plasma source 510, and the plasma source 510 supplies plasma to each of the internal processing spaces A and B. The plasma source 510 generates a plasma to process the substrate. The plasma source 510 may be implemented as a capacitively coupled plasma source, an inductively coupled plasma source, a transformer coupled plasma source, or the like. It may be provided according to the type of substrate processing of the plasma source 510.

플라즈마소스부(500)에는 플라즈마를 발생시킬 수 있는 반응가스를 공급하는 가스공급채널(미도시)이 구비될 수 있다. The plasma source unit 500 may be provided with a gas supply channel (not shown) for supplying a reaction gas capable of generating plasma.

다중 기판 처리 챔버(10)의 조립이 완료되면 기판출입구(135)를 통해 기판지 지대(170)에 기판(W)이 적재된다. 그리고, 플라즈마소스(510)에서 플라즈마를 발생시켜 기판(W)의 표면을 처리한다. 이 때, 내부 처리 공간(A, B)이 제1곡면(110)과 제2곡면(120)에 의해 대칭적인 원형을 이루므로 내부 처리 공간(A, B) 전체에 걸쳐 플라즈마 밀도가 균일하게 발생한다. 따라서, 기판(W)도 전영역에 걸쳐 균일하게 처리가 가능하다. 플라즈마 반응이 완료되면 처리 가스는 가스배출유로(148)를 통해 배출되고 공통 배출 채널(300)을 통해 외부로 배출된다. When the assembly of the multiple substrate processing chamber 10 is completed, the substrate W is loaded on the substrate support 170 through the substrate entrance 135. The plasma source 510 generates plasma to treat the surface of the substrate W. At this time, since the internal processing spaces A and B form a symmetrical circle by the first curved surface 110 and the second curved surface 120, the plasma density is uniformly generated throughout the internal processing spaces A and B. do. Therefore, the board | substrate W can also be processed uniformly over the whole area | region. When the plasma reaction is completed, the process gas is discharged through the gas discharge passage 148 and discharged to the outside through the common discharge channel 300.

한편, 상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 기판 처리 챔버는 원형의 대칭적 구조를 갖도록 챔버하우징과 파티션이 결합하고 있으나, 경우에 따라 사각형의 형태로 구현될 수도 있다. On the other hand, the multi-substrate processing chamber according to the preferred embodiment of the present invention described above is coupled to the chamber housing and partition to have a circular symmetrical structure, it may be implemented in the form of a square in some cases.

또한, 상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 기판 처리 챔버는 두 개의 내부 처리 공간을 갖는 것으로 설명하였으나, 이는 일례일 뿐이며 3개 이상의 내부 처리 공간을 갖도록 구비될 수도 있다. In addition, although the multi-substrate processing chamber according to the preferred embodiment of the present invention described above has been described as having two internal processing spaces, this is only an example and may be provided to have three or more internal processing spaces.

도12는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버에서 제1곡면(110)과 제2곡면(120)이 결합되어 형성된 내부 처리 공간(A, B)의 외벽과 기판 처리 스테이션(170) 사이에서 발생되는 전위를 설명하는 도면이다. 내부 처리 공간(A, B)의 외벽은 제1곡면(110)과 제2곡면(120)이 결합되어 대칭적인 구조를 갖는 원의 형상을 이루며 파티션 부재(200)가 접지되어 있으므로 전위값은 0이다. 외벽으로부터 일정 간격 이격되어 있는 기판 처리 스테이션(170)은 내부 처리 공간과의 대칭적인 형상에 의해 어떠한 지점에서도 동일한 전위를 갖게 된다. 즉, 도13에 도시된 바와 같이 위상각(θ)이 90ㅀ인 지점에서의 전위값과 위상각(θ)이 180ㅀ인 지점에서의 전 위값은 V1으로 동일하며, 이는 전 영역에 걸쳐 균일하게 적용된다.12 is generated between the substrate processing station 170 and the outer wall of the interior processing space (A, B) formed by combining the first curved surface 110 and the second curved surface 120 in the multiple substrate processing chamber according to the present invention. It is a figure explaining an electric potential. The outer walls of the inner processing spaces A and B form a circle having a symmetrical structure by combining the first curved surface 110 and the second curved surface 120, and the potential of the partition member 200 is grounded. to be. The substrate processing station 170 spaced a predetermined distance from the outer wall has the same potential at any point due to the symmetrical shape with the internal processing space. That is, as shown in Fig. 13, the potential value at the point where the phase angle θ is 90 ° and the potential value at the point where the phase angle θ is 180 ° are equal to V1, which is uniform across the entire area. Is applied.

이상에서 설명된 본 발명의 다중 기판 처리 챔버 및 기판 처리 방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모 든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Embodiments of the multiple substrate processing chamber and substrate processing method of the present invention described above are merely exemplary, and various modifications and equivalent other embodiments are possible to those skilled in the art to which the present invention pertains. You can see that. Therefore, it will be understood that the present invention is not limited to the forms mentioned in the above detailed description. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims. It is also to be understood that the present invention includes all modifications, equivalents, and substitutes within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

이상과 같은 본 발명의 다중 기판 처리 챔버와 이의 기판 처리 방법은 반도체 집적 회로의 제조, 평판 디스플레이 제조, 태양전지의 제조와 같은 다양한 박막 형성을 위한 플라즈마 처리 공정에 매우 유용하게 이용될 수 있다. As described above, the multi-substrate processing chamber and the substrate processing method thereof may be very usefully used in plasma processing processes for forming various thin films, such as fabrication of semiconductor integrated circuits, flat panel display manufacture, and solar cell manufacture.

도 1은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 구성을 도시한 사시도,1 is a perspective view showing the configuration of a multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 평면구성을 도시한 평면도,2 is a plan view showing a planar configuration of a multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 분해된 구성을 도시한 분해사시도,3 is an exploded perspective view showing an exploded configuration of a multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 4는 도1의 다중 기판 처리 챔버의 일부 구성을 도시한 일부절개사시도,4 is a partial cutaway perspective view showing a part of the configuration of the multiple substrate processing chamber of FIG. 1;

도 5는 도2의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면구성을 도시한 단면도,5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration along the line V-V of FIG.

도 6은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 공통 배기 채널의 구성을 도시한 단면도,6 is a cross-sectional view showing the configuration of a common exhaust channel of a multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 공통 배기 채널의 다른 실시예를 도시한 단면도,7 is a cross-sectional view showing another embodiment of a common exhaust channel of a multiple substrate processing chamber in accordance with the present invention;

도 8은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버에 플라즈마 소스부가 결합된 상태를 도시한 단면도,8 is a cross-sectional view showing a plasma source unit coupled to a multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 9a는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 개폐부재의 구성을 도시한 개략도,Figure 9a is a schematic diagram showing the configuration of the opening and closing member of the multiple substrate processing chamber according to the present invention,

도 9b는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 개폐부재의 변형예를 도시한 개략도,9B is a schematic view showing a modification of the opening and closing member of the multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 10은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 변형예를 도시한 사시도,10 is a perspective view showing a modification of the multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 11은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 공통 배기 채널의 다른 실시예를 도시한 단면도,11 is a cross-sectional view showing another embodiment of a common exhaust channel of a multiple substrate processing chamber in accordance with the present invention;

도 12는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 내부 처리 공간에서의 전위 분포를 개략적으로 도시한 개략도,12 is a schematic diagram schematically showing a potential distribution in an internal processing space of a multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 13은 도12에 따른 내부 처리 공간의 전위분포상태를 도시한 그래프이다.FIG. 13 is a graph showing a potential distribution state of the internal processing space shown in FIG. 12.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 다중 기판 처리 챔버 100: 챔버하우징10: multiple substrate processing chamber 100: chamber housing

110: 제1곡면 120: 제2곡면110: first surface 120: second surface

130: 상부하우징 131: 상부하우징본체130: upper housing 131: upper housing body

132: 상부 제1곡면 134: 상부파티션수용부132: upper first curved surface 134: upper partition receiving portion

135: 기판 출입구 137: 모니터링부135: substrate entrance 137: monitoring unit

140: 중간하우징 141: 중간하우징본체140: intermediate housing 141: intermediate housing body

142: 중간 제1곡면 144: 중간파티션수용부142: intermediate first surface 144: intermediate partition receiving portion

145: 기판처리스테이션 146: 연통벽145: substrate processing station 146: communication wall

147: 개구 148: 가스배출유로147: opening 148: gas discharge flow path

150: 하부하우징 151: 하부하우징본체150: lower housing 151: lower housing body

153: 배기채널결합부 160: 상부라이너153: exhaust channel coupler 160: upper liner

170: 기판지지대 180: 중간라이너170: substrate support 180: intermediate liner

200: 파티션부재 210: 상부파티션200: partition member 210: upper partition

211: 상부파티션본체 213: 상부 제2곡면211: upper partition body 213: second upper surface

215: 슬릿 220: 중간파티션215: slit 220: intermediate partition

221: 중간파티션본체 223: 중간 제2곡면221: intermediate partition body 223: intermediate second surface

225: 노출파티션수용홀 230: 노출파티션225: exposure partition receiving hole 230: exposure partition

231: 수용영역 233: 노출영역231: accommodation area 233: exposure area

300: 공통 배기 채널 310: 경사면300: common exhaust channel 310: slope

320: 곡면 330: 전체경사면320: curved surface 330: total slope

400,400a: 개폐부재 410: 회전축400, 400a: opening and closing member 410: the rotating shaft

500: 플라즈마 소스부 510: 플라즈마 소스500: plasma source portion 510: plasma source

A, B : 내부 처리 공간A, B: internal processing space

D, E : 제1배기채널, 제2배기채널 D, E: first exhaust channel, second exhaust channel

Claims

A chamber housing in which at least two internal processing spaces are formed;

And at least one partition member installed in the chamber housing to divide the chamber housing into the two or more internal processing spaces.

Wherein each of the internal processing spaces has a symmetrical shape in combination with the partition member to produce a uniform processing reaction.

The method of claim 1,

The chamber housing includes a first curved surface having a predetermined curvature,

The partition member includes a second curved surface of the same curvature as the first curved surface,

And the first curved surface and the second curved surface form a symmetrical circle.

The method according to claim 1 or 2,

And the chamber housing includes a plurality of housings coupled to each other.

The method of claim 3,

The chamber housing,

An intermediate housing having a substrate support station;

An upper housing coupled to an upper portion of the intermediate housing and having a first curved surface; And

And a lower housing coupled to a lower portion of the intermediate housing.

The method of claim 4, wherein

And a liner coupled to the upper housing to cover an inner wall surface of each of the internal processing spaces.

The method of claim 4, wherein

The partition member is a multiple substrate processing chamber, characterized in that provided with a plurality of partitions are coupled to each other.

The method of claim 6,

The partition member,

An intermediate partition coupled to the intermediate housing;

An exposure partition penetratingly coupled to the intermediate partition and having an exposed area exposed to the lower portion of the intermediate partition by a predetermined length; And

And an upper partition disposed on the intermediate partition and having a second curved surface corresponding to the first curved surface of the upper housing.

The method of claim 7, wherein

The exposure partition is a multiple substrate processing chamber, characterized in that the variable length of the exposed area is provided.

The method of claim 8,

And a common exhaust channel commonly connected to said at least two internal processing spaces.

The method of claim 9,

And the intermediate housing is provided with a gas discharge passage communicating with the common exhaust channel along an edge region of the substrate processing station.

The method of claim 9 or 10,

And the common exhaust channel comprises an inclined surface that is inclined with respect to the chamber housing.

The method of claim 11,

And the common exhaust channel is divided into a first exhaust channel and a second exhaust channel by an exposed region of the exposure partition.

The method of claim 12,

And the exhaust channel opening and closing member for selectively opening and closing the first exhaust channel and the second exhaust channel in the common exhaust channel.

Providing a substrate processing chamber having two or more internal processing spaces having a first curved surface;

Coupling at least one partition member having a second curved surface to the substrate processing chamber to form two or more symmetrically shaped interior processing spaces;

Loading a substrate in the internal processing space;

And generating a uniform processing reaction on the substrate.