KR101463983B1

KR101463983B1 - Multi-workpiece processing chamber and workpiece processing mehtod thereof

Info

Publication number: KR101463983B1
Application number: KR1020080071939A
Authority: KR
Inventors: 남창우; 위순임
Original assignee: 주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority date: 2008-07-23
Filing date: 2008-07-23
Publication date: 2014-11-27
Also published as: KR20100010866A

Abstract

본 발명의 다중 기판 처리 챔버는 둘 이상의 내부 처리 공간이 형성된 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징에 설치되어 상기 챔버 하우징을 상기 둘 이상의 내부 처리 공간으로 분할하는 적어도 하나의 파티션 부재;를 포함하고, 상기 각 내부 처리 공간은 상기 파티션 부재와 결합되어 균일한 처리 반응이 발생되는 대칭적인 형상을 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다중 기판 처리 챔버는 내부 처리 공간이 파티션 부재와의 결합에 의해 대칭적인 형상을 가지므로 처리 반응이 내부 처리 공간 전영역에 걸쳐 균일하게 발생되어 기판 처리 공정의 재현성과 균일성을 향상 시킬 수 있다.The multiple substrate processing chamber of the present invention includes a chamber housing having two or more internal processing spaces formed therein; And at least one partition member installed in the chamber housing and dividing the chamber housing into the two or more internal processing spaces, wherein each of the internal processing spaces is symmetrical Shape. The multi-substrate processing chamber of the present invention has a symmetrical shape due to the engagement of the internal processing space with the partition member, so that the processing reaction is uniformly generated throughout the entire internal processing space to improve reproducibility and uniformity of the substrate processing process .

기판 처리, 공통 배기, 통공, 파티션 부재 Substrate processing, common exhaust, through hole, partition member

Description

&Lt; Desc / Clms Page number 1 > MULTI-WORKPIECE PROCESSING CHAMBER AND WORKPIECE PROCESSING MEHTOD THEREOF &

본 발명은 다중 기판 처리 챔버와 이의 기판 처리 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 공통 배기 구조를 갖는 다중 기판 처리 챔버와 이의 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-substrate processing chamber and a substrate processing method thereof, and more particularly, to a multi-substrate processing chamber having a common exhaust structure and a substrate processing method thereof.

최근, 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치, 반도체 장치들의 제조를 위한 기판 처리 시스템들은 복수 매의 기판을 일괄적으로 처리할 수 있는 클러스터 시스템이 채용되고 있다. 클러스터(cluster) 시스템은 이송 로봇(또는 핸들러; handler)과 그 주위에 마련된 복수의 기판 처리 모듈을 포함하는 멀티 챔버형 기판 처리 시스템을 지칭한다. 일반적으로, 클러스터 시스템은 이송 챔버(transfer chamber)와 이송 챔버 내에 회동이 자유롭게 마련된 이송 로봇을 구비한다. 이송 챔버의 각 변에는 기판의 처리 공정을 수행하기 위한 기판 처리 챔버가 장착된다. 이와 같은 클러스터 시스템은 복수개의 기판을 동시에 처리하거나 또는 여러 공정을 연속해서 진행 할 수 있도록 함으로 기판 처리량을 높이고 있다. 기판 처리량을 높이기 위한 또 다른 노력으로는 다중 기판 처리 챔버에서 복수 매 의 기판을 동시에 처리하도록 하여 시간당 기판 처리량을 높이도록 하고 있다.Recently, a substrate processing system for manufacturing liquid crystal display devices, plasma display devices, and semiconductor devices employs a cluster system capable of collectively processing a plurality of substrates. A cluster system refers to a multi-chambered substrate processing system that includes a transfer robot (or handler) and a plurality of substrate processing modules disposed therearound. Generally, the cluster system includes a transfer chamber and a transfer robot provided rotatably in the transfer chamber. Each side of the transfer chamber is equipped with a substrate processing chamber for carrying out the processing process of the substrate. Such a cluster system increases the throughput of a substrate by simultaneously processing a plurality of substrates or allowing various processes to proceed in succession. Another effort to increase substrate throughput is to simultaneously process multiple substrates in a multiple substrate processing chamber to increase substrate throughput per hour.

미국특허 등록공보 US6077157에는 복수 매의 기판을 동시에 처리할 수 있는 다중 기판 처리 챔버가 개시되어 있다. 이 다중 기판 처리 챔버는 챔버 내에 일체로 형성된 격벽에 의해 공간을 구획하고, 구획된 각 공간에 기판 처리 스테이션을 구비하는 구조를 갖는다. 이에 의해 두 개의 기판 처리 스테이션에서 기판을 동시에 처리할 수 있다. 그러나, 개시된 다중 기판 처리 챔버는 격벽이 챔버와 일체로 구비되어 있어 두 개의 기판 처리 스테이션 및 내부 공간의 청소 및 유지 보수가 불편한 문제가 있었다.U.S. Patent No. 6,077,157 discloses a multiple substrate processing chamber capable of simultaneously processing a plurality of substrates. The multiple substrate processing chamber has a structure partitioning the space by a partition wall integrally formed in the chamber and having a substrate processing station in each partitioned space. Whereby the substrates can be processed simultaneously in the two substrate processing stations. However, since the disclosed multi-substrate processing chamber is provided integrally with the chamber, the cleaning and maintenance of the two substrate processing stations and the internal space are inconvenient.

한편, 미국특허 공개공보 US2007/0281085에는 챔버 내부 공간을 분리가능한 파티션 부재에 의해 구획하고 하나의 배기구를 통해서 공통으로 배기하는 구조를 갖는 다중 기판 처리 챔버가 개시되어 있다. 파티션 부재에 의해서 분할되는 두 개의 내부 처리 공간에 각기 하나의 기판 처리 스테이션이 존재하여 동시에 두 개의 기판을 처리할 수 있다. On the other hand, U.S. Patent Publication No. 2007/0281085 discloses a multi-substrate processing chamber having a structure in which an internal space of a chamber is partitioned by a separable partition member and exhausted in common through one exhaust port. There is one substrate processing station in each of the two internal processing spaces divided by the partition member so that two substrates can be processed at the same time.

그런데, 개시된 다중 기판 처리 챔버는 파티션 부재가 분리가능하므로 청소 및 유지 보수는 편리하나 파티션 부재에 의해 구획된 처리공간의 형상이 중심으로부터 비대칭형태를 가진다. 즉, 대칭적인 원의 형상이 아닌 "D"자 형태의 비대칭형태를 가지므로 중심으로부터의 위치에 따라 전위의 불균형이 발생되고 기판의 처리를 위해 발생된 플라즈마의 밀도도 불균일하게 형성된다. 이러한 플라즈마의 밀도는 압력이 고압화되면서 더욱 심화되므로 개시된 다중 기판 처리 챔버는 고압에서는 사용하지 못하고 저압에서만 사용하는 사용상의 제약이 있었다.However, the disclosed multi-substrate processing chamber has an asymmetrical shape from the center to the shape of the processing space partitioned by the partition member since the partition member is detachable so that cleaning and maintenance are convenient. That is, asymmetric shape of the "D" shape rather than a symmetrical circle shape, dislocation unevenness occurs depending on the position from the center, and the density of the plasma generated for processing the substrate is also formed nonuniformly. Since the density of such a plasma is further increased as the pressure is increased, the disclosed multiple substrate processing chamber can not be used at high pressure, and there is a limitation in the use of the plasma only at a low pressure.

또한, 개시된 다중 기판 처리 챔버는 공통 배기 구조에서 챔버와 공통 배기 유로 간의 형상이 상호 수직하게 구비되어 배기가스의 컨덕턴스가 저하되는 문제가 있었다. In addition, the disclosed multi-substrate processing chamber has a problem that the shape of the chamber and the common exhaust flow path are perpendicular to each other in the common exhaust structure, and the conductance of the exhaust gas is lowered.

본 발명의 목적은 분리가능한 파티션부재를 통해 처리 공간이 완벽한 대칭 형상을 갖도록 하여 처리 공간 내에 전위와 플라즈마가 균일하게 발생되도록 하여 기판 처리 재현성과 수율을 높이고, 저압 및 고압에서도 사용될 수 있는 다중 기판 처리 챔버를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method which enable a processing space to have a perfect symmetrical shape through a separable partition member to uniformly generate potential and plasma in the processing space, thereby improving the reproducibility and yield of substrate processing, The purpose of the chamber is to provide.

본 발명의 다른 목적은 챔버와 공통 배기 구조 사이 채널 구조를 완만하게 구비하여 배기가스의 컨덕턴스를 향상시키는 것이다. It is another object of the present invention to provide a channel structure between the chamber and the common exhaust structure to improve the conductance of the exhaust gas.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다중 기판 처리 챔버는,
둘 이상의 내부 처리 공간이 형성된 챔버 하우징;
상기 챔버 하우징에 설치되어 상기 챔버 하우징을 상기 둘 이상의 내부 처리 공간으로 분할하는 적어도 하나의 파티션 부재;를 포함하고,
상기 각 내부 처리 공간은 상기 파티션 부재와 결합되어 균일한 처리 반응이 발생되는 대칭적인 형상을 갖되,
상기 챔버 하우징은 소정 곡률을 갖는 제1곡면을 포함하고,
상기 파티션 부재는 상기 제1곡면과 동일한 곡률의 제2곡면을 포함하여,
상기 제1곡면과 상기 제2곡면이 결합되어 대칭적인 각각의 원을 이루는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 챔버 하우징은 상호 결합되는 복수의 하우징을 포함한다.According to an aspect of the present invention,
A chamber housing having two or more internal processing spaces formed therein;
And at least one partition member installed in the chamber housing and dividing the chamber housing into the at least two internal processing spaces,
Wherein each of the internal processing spaces has a symmetrical shape that is coupled with the partition member to generate a uniform treatment reaction,
Wherein the chamber housing includes a first curved surface having a predetermined curvature,
Wherein the partition member includes a second curved surface having the same curvature as the first curved surface,
The first curved surface and the second curved surface are combined to form symmetrical circles.
According to one embodiment, the chamber housing includes a plurality of housings coupled together.

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일 실시예에 따르면, 상기 챔버 하우징은, 기판 지지 스테이션이 구비되는 중간하우징; 상기 중간하우징의 상부에 결합되며 제1곡면이 형성되는 상부하우징; 및 상기 중간하우징의 하부에 결합되는 하부하우징을 포함한다.According to one embodiment, the chamber housing comprises: an intermediate housing having a substrate supporting station; An upper housing coupled to an upper portion of the intermediate housing and having a first curved surface; And a lower housing coupled to a lower portion of the intermediate housing.

일 실시예에 따르면, 상기 상부하우징에 결합되어 상기 각 내부 처리 공간의 내벽면을 커버하는 라이너를 더 포함한다.According to one embodiment, the apparatus further includes a liner coupled to the upper housing to cover an inner wall surface of each of the inner processing spaces.

일 실시예에 따르면, 상기 파티션 부재는 복수개의 파티션이 상호 결합되어 구비된다.According to one embodiment, the partition member is provided with a plurality of partitions coupled to each other.

일 실시예에 따르면, 상기 파티션 부재는, 상기 중간하우징에 결합되는 중간파티션; 상기 중간파티션에 관통결합되며 상기 중간파티션의 하부로 소정 길이 노출되는 노출영역을 갖는 노출파티션; 및 상기 중간파티션의 상부에 마련되며 상기 상부하우징의 제1곡면에 대응하는 제2곡면이 형성되는 상부파티션을 포함한다.According to one embodiment, the partition member comprises: an intermediate partition coupled to the intermediate housing; An exposure partition penetrating through the intermediate partition and having an exposed region exposed a predetermined length below the intermediate partition; And an upper partition provided on the upper portion of the intermediate partition and having a second curved surface corresponding to the first curved surface of the upper housing.

일 실시예에 따르면, 상기 노출파티션은 상기 노출영역의 길이가 가변가능하게 구비된다.According to one embodiment, the exposure partition is provided such that the length of the exposure region is variable.

일 실시예에 따르면, 상기 둘 이상의 내부 처리 공간에 공통으로 연결되는 공통 배기 채널을 더 포함한다. According to one embodiment, the apparatus further includes a common exhaust channel commonly connected to the two or more internal processing spaces.

일 실시예에 따르면, 상기 중간하우징에는 상기 기판 처리 스테이션의 테두리 영역을 따라 상기 공통 배기 채널과 연통된 가스배출유로가 구비된다. According to one embodiment, the intermediate housing is provided with a gas discharge passage communicating with the common exhaust channel along the edge region of the substrate processing station.

일 실시예에 따르면, 공통 배기 채널은 상기 챔버 하우징에 대해 경사지게 구비된다.According to one embodiment, a common exhaust channel is provided inclined with respect to the chamber housing.

일 실시예에 따르면, 상기 공통 배기 채널은 상기 노출파티션의 노출영역에 의해 제1배기채널과 제2배기채널로 분할된다. According to one embodiment, the common exhaust channel is divided into a first exhaust channel and a second exhaust channel by an exposed region of the exposure partition.

일 실시예에 따르면, 상기 공통 배기 채널에는 상기 제1배기채널과 제2배기채널을 선택적으로 개폐하는 배기채널 개폐부재가 구비된다. According to one embodiment, the common exhaust channel is provided with an exhaust channel opening / closing member for selectively opening and closing the first exhaust channel and the second exhaust channel.

상술한 목적은 본 발명에 따라 제1곡면을 갖는 둘 이상의 내부 처리 공간을 갖는 챔버를 구비하는 단계와; 상기 챔버에 제2곡면을 갖는 적어도 하나의 파티션 부재를 결합시켜 둘 이상의 대칭적으로 완성된 내부 처리 공간을 형성하는 단계와;The above-mentioned object is achieved according to the present invention by providing a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a chamber having two or more internal processing spaces having a first curved surface; Combining at least one partitioning member having a second curved surface into the chamber to form at least two symmetrically completed internal processing spaces;

상기 내부 처리 공간에 기판을 적재하는 단계와; 상기 기판에 균일한 처리반응을 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 기판 처리 챔버의 기판 처리 방법에 의해 달성될 수 있다.Loading the substrate into the internal processing space; And a step of causing a uniform treatment reaction to occur on the substrate.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버는 파티션 부재에 의해 복수의 내부 처리 공간으로 구획되며, 파티션부재의 형상과 챔버의 형상이 결합되어 대칭적인 내부 처리 공간을 형성한다. 이에 의해 내부 처리 공간 내부에서 전위와 플라즈마가 전 영역에 걸쳐 균일하게 발생되므로 기판 처리 균일성을 높일 수 있다. As described above, the multi-substrate processing chamber according to the present invention is partitioned into a plurality of internal processing spaces by a partition member, and the shape of the partition member and the shape of the chamber are combined to form a symmetrical internal processing space. Thus, since the potential and the plasma are uniformly generated over the entire area within the internal processing space, the uniformity of the substrate processing can be increased.

또한, 균일하게 플라즈마가 발생될 수 있으므로 저압 뿐만 아니라 고압에서도 사용될 수 있다. Further, since plasma can be generated uniformly, it can be used not only at low pressure but also at high pressure.

그리고, 복수의 내부 처리 공간의 처리가스를 공통으로 배기할 수 있는 공통 배기 채널을 가지고, 공통 배기 채널이 완만한 형태로 구비되므로 배기가스의 컨덕턴스를 향상시킬 수 있다. Further, since the common exhaust channel has a common exhaust channel in which the process gases in the plurality of internal processing spaces can be exhausted in common, and the common exhaust channel is provided in a gentle form, the conductance of the exhaust gas can be improved.

또한, 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버는 챔버 하우징 및 파티션 부재가 복수의 부재의 결합에 의해 구비되므로 청소 및 유지보수가 편리하다. Further, the multiple substrate processing chamber according to the present invention is convenient for cleaning and maintenance since the chamber housing and the partition member are provided by the combination of the plural members.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.For a better understanding of the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings can be exaggeratedly expressed to emphasize a clearer description. It should be noted that in the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and constructions which may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.

도1은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 구성을 도시한 사시도이고, 도2는 다중 기판 처리 챔버의 평면 구성을 도시한 평면도이고, 도3은 다중 기판 처리 챔버의 구성을 분해하여 도시한 분해사시도이다. FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of a multiple substrate processing chamber according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a planar configuration of a multiple substrate processing chamber, and FIG. 3 is a cross- It is a perspective view.

본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버(10)는 도시된 바와 같이 복수의 내부 처리 공간(A, B)을 갖는 챔버하우징(100)과, 챔버하우징(100)에 결합되어 내부 처 리 공간(A, B)을 구획하고 동시에 내부 처리 공간(A, B)이 대칭적 형상을 갖도록 하는 파티션부재(200)와, 복수의 내부 처리 공간(A, B)에 공통적으로 결합되며 각 내부 처리 공간(A, B)의 처리가스가 공통적으로 배기되는 공통 배기 채널(300)을 포함한다. A multiple substrate processing chamber 10 according to the present invention includes a chamber housing 100 having a plurality of internal processing spaces A and B as shown and a plurality of internal processing spaces A, B and a plurality of internal processing spaces A and B connected in common to the plurality of internal processing spaces A and B and partitioning the internal processing spaces A and B into symmetrical shapes, B are commonly exhausted from the common exhaust channel 300.

챔버하우징(100)은 상호 연통된 복수의 내부 처리 공간(A, B)을 갖는다. 연통 영역은 파티션부재(200)가 결합되어 챔버하우징(100)을 복수의 내부 처리 공간(A, B)으로 분할한다. 복수의 내부 처리 공간(A, B)은 상호 동일한 볼륨을 갖도록 구비되고, 각 내부 처리 공간(A, B)에는 각기 하나의 기판 처리 스테이션(145)이 구비된다. The chamber housing 100 has a plurality of internal processing spaces (A, B) communicating with each other. The partitioning member 200 is coupled to divide the chamber housing 100 into a plurality of internal processing spaces A and B, The plurality of internal processing spaces A and B are provided to have the same volume, and one substrate processing station 145 is provided in each of the internal processing spaces A and B.

챔버하우징(100)은 도1 및 도2에 도시된 바와 같이 각 내부 처리 공간(A, B)을 형성하는 제1곡면(110)이 형성되고, 파티션부재(200)는 제1곡면형상의 곡률과 동일한 곡률을 갖는 제2곡면(120)이 형성된다. 챔버하우징(100)에 파티션부재(200)가 결합될 경우 제1곡면(110)과 제2곡면(120)이 결합되어 각각의 독립된 내부 처리 공간(A, B)을 형성한다. 파티션부재(200)와 결합된 내부 처리 공간(A, B)은 중심으로부터 대칭적인(symmetric) 형상을 갖는 원을 이룬다. 또한, 내부 처리 공간(A, B)의 가운데 영역에 기판 처리 스테이션(145)이 구비된다. 따라서 기판 처리 스테이션(145)과 내부 처리 공간(A, B) 사이의 간격(d)도 내부 처리 공간(A, B)의 전영역에 걸쳐 동일하고 상호 대칭적으로 구비된다.1 and 2, the chamber housing 100 is formed with a first curved surface 110 forming each of the internal processing spaces A and B. The partition member 200 has a curvature of a first curved surface shape The second curved surface 120 having the same curvature as the curved surface 120 is formed. When the partition member 200 is coupled to the chamber housing 100, the first curved surface 110 and the second curved surface 120 are combined to form respective independent internal processing spaces A and B. [ The internal processing spaces A, B associated with the partition member 200 form a circle having a symmetric shape from the center. In addition, a substrate processing station 145 is provided in the middle area of the internal processing spaces A and B. The distance d between the substrate processing station 145 and the internal processing spaces A and B is equally and symmetrically provided over the entire area of the internal processing spaces A and B.

이러한 대칭적인 형상을 갖는 내부 처리 공간(A, B)에는 반응 공정 동안 전위가 균일하게 형성되고, 기판 처리 반응, 일례로 플라즈마가 발생될 경우 내부 처 리 공간(A, B) 전체에 걸쳐 균일한 밀도로 발생될 수 있다. 따라서, 저압 뿐만 아니라 고압에서도 기판을 처리할 수 있으며 재현성과 수율을 높일 수 있다.In the internal processing spaces A and B having such a symmetrical shape, dislocations are uniformly formed during the reaction process, and when a substrate processing reaction, for example, a plasma, is generated, uniformity over the entire internal processing spaces A and B Density < / RTI > Therefore, the substrate can be processed not only at low pressure but also at high pressure, and can improve reproducibility and yield.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 챔버하우징(100)은 도3에 도시된 바와 같이 복수의 하우징(130, 140, 150)의 결합에 의해 구현된다. 챔버하우징(100)은 상부 제1곡면(132)이 형성된 상부하우징(130)과, 기판 처리 스테이션(145)이 구비되는 중간하우징(140)과, 공통 배기 채널(300)과 결합되는 하부하우징(150)을 포함한다. The chamber housing 100 according to the preferred embodiment of the present invention is implemented by the combination of the plurality of housings 130, 140, 150 as shown in FIG. The chamber housing 100 includes an upper housing 130 having an upper first curved surface 132, an intermediate housing 140 having a substrate processing station 145, a lower housing coupled to the common exhaust channel 300, 150).

상부하우징(130)은 상부하우징본체(131)와, 상부하우징본체(131)에 형성된 상부 제1곡면(132)과, 상부 제1곡면(132) 사이에 개재되어 상부파티션부재(200)가 결합되는 상부파티션수용부(134)와, 기판이 출입되는 기판출입구(135)와, 내부 처리 공간(A, B)에서 진행되는 반응을 모니터링할 수 있도록 구비된 모니터링부(137)를 포함한다. The upper housing 130 includes an upper housing body 131, an upper first curved face 132 formed on the upper housing body 131, and an upper first curved face 132, And a monitoring unit 137 provided to monitor reactions occurring in the internal processing spaces A and B, as shown in FIG.

상부하우징본체(131)는 중간하우징(140)의 상측에 마련되어 기판이 처리되는 복수의 내부 처리 공간(A, B)을 형성한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상부하우징본체(131)는 상부파티션수용부(134)를 기준으로 좌우 양측으로 두 개의 내부 처리 공간(A, B)을 구비한다. 여기서 좌우의 각 내부 처리 공간(A, B)은 소정의 반경을 갖는 상부 제1곡면(132)을 구비한다. 상부 제1곡면(132)은 내부 처리 공간(A, B)의 중심으로부터 동일한 반경을 갖도록 소정 원호형태로 구비된다. The upper housing body 131 is provided on the upper side of the intermediate housing 140 to form a plurality of internal processing spaces A and B for processing the substrate. The upper housing main body 131 according to the preferred embodiment of the present invention has two internal processing spaces A and B on the left and right sides with respect to the upper partition receiving portion 134. Each of the left and right internal processing spaces A and B has an upper first curved surface 132 having a predetermined radius. The upper first curved surface 132 is provided in a predetermined arc shape so as to have the same radius from the center of the inner processing spaces A,

상부파티션수용부(134)는 후술할 상부 제2곡면(213)을 갖는 상부파티션(210)이 수용된다. 상부파티션수용부(134)는 상부파티션(210)을 수용하여 상부 제1곡 면(132)과 상부 제2곡면(213)이 결합되어 챔버하우징(100) 내에 좌우로 분리된 복수의 내부 처리 공간(A, B)을 형성하도록 한다.The upper partition receiving portion 134 receives the upper partition 210 having an upper second curved surface 213 to be described later. The upper partition receiving portion 134 receives the upper partition 210 and the upper first curved surface 132 and the upper second curved surface 213 are coupled to form a plurality of inner processing spaces (A, B).

한편, 상부하우징본체(131)의 전면에는 기판이 출입되는 두 개의 기판출입구(135)가 구비되어 기판(W)이 내부 처리 공간(A, B) 내외로 출입될 수 있도록 한다. 두 개의 기판출입구(135)는 두 개의 분할된 내부 처리 공간(A, B)으로 각기 연결되며 슬릿 밸브(미도시)등에 의해 개폐된다.On the front surface of the upper housing main body 131, two substrate outlets 135 through which the substrates enter and exit are provided to allow the substrate W to enter and exit the internal processing spaces A and B. The two substrate outlets 135 are connected to two divided inner processing spaces A and B, respectively, and are opened and closed by a slit valve (not shown) or the like.

여기서, 상부하우징본체(131)에는 내부 처리 공간(A, B) 내에서 기판의 처리 반응을 외부에서 모니터링 할 수 있도록 소정 영역의 모니터링부(137)가 구비된다. 모니터링부(137)는 석영, 유리와 같이 투명한 부재로 구비되어 내부 처리 공간(A, B) 내에서 처리 반응의 진행상태를 모니터링 할 수 있도록 한다. 모니터링부(137)는 상부 챔버하우징(100)의 벽면을 따라 복수개로 구비될 수 있다.Here, the upper housing body 131 is provided with a monitoring unit 137 in a predetermined area so that the processing reaction of the substrate can be externally monitored in the internal processing spaces A and B. The monitoring unit 137 is provided as a transparent member such as quartz or glass so as to monitor the progress of the reaction in the internal processing spaces A and B. The monitoring unit 137 may be provided along a wall surface of the upper chamber housing 100.

한편, 상부하우징(130)은 후술할 플라즈마소스부(500, 도8 참조)가 결합되는 소스결합부(미도시)를 더 포함한다. 소스결합부(미도시)는 플라즈마소스부(500)가 상부하우징(130)에 개폐가능하게 결합될 수 있도록 구비되거나, 플라즈마소스(510)의 형태에 따라 다른 형태로 구비될 수 있다. Meanwhile, the upper housing 130 further includes a source coupling portion (not shown) to which a plasma source portion 500 (see FIG. 8) described later is coupled. The source coupling part (not shown) may be coupled to the upper housing 130 so as to be openable and closable or may be provided in a different form depending on the shape of the plasma source 510.

중간하우징(140)은 상부하우징(130)의 하부에 위치하며, 기판 처리 스테이션(145)이 구비된다. 중간하우징(140)은 중간하우징본체(141)와, 중간하우징본체(141)의 연통벽(146)에 결합된 기판 처리 스테이션(145)과, 기판 처리 스테이션(145)의 둘레영역에 구비된 가스배출유로(148)와, 중간파티션수용부(144)를 포함한다. The intermediate housing 140 is located below the upper housing 130, and a substrate processing station 145 is provided. The intermediate housing 140 includes an intermediate housing body 141, a substrate processing station 145 coupled to the communication wall 146 of the intermediate housing body 141, A discharge passage 148, and an intermediate partition receiving portion 144. [

중간하우징본체(141)는 기판 처리 스테이션(145)이 일체로 형성되고, 기판 처리 스테이션(145)의 둘레영역을 따라 상부하우징본체(131)의 상부 제1곡면(132)과 동일한 곡률의 중간 제1곡면(142)이 구비된다. 중간 제1곡면(142)은 중간하우징본체(141)의 양측에 각각 구비된다. 한 쌍의 중간 제1곡면(142) 사이에는 중간파티션수용부(144)가 구비된다. 중간파티션수용부(144)는 중간 제1곡면(142)과 결합되어 내부 처리 공간(A, B)의 대칭적 형상을 완성하는 중간 제2곡면(223)이 형성되는 중간파티션부재(200)가 수용된다.The intermediate housing body 141 is formed integrally with the substrate processing station 145 and has an intermediate portion of the same curvature as the upper first curved surface 132 of the upper housing body 131 along the peripheral region of the substrate processing station 145 One curved surface 142 is provided. The intermediate first curved surface 142 is provided on both sides of the intermediate housing body 141, respectively. An intermediate partition receiving portion 144 is provided between the pair of intermediate first curved surfaces 142. The middle partition receiving portion 144 includes an intermediate partition member 200 coupled with the intermediate first curved surface 142 to form an intermediate second curved surface 223 to complete the symmetrical shape of the internal processing spaces A and B .

기판 처리 스테이션(145)은 도3 내지 도5에 도시된 바와 같이 중간하우징본체(141)의 연통벽(146)에 연결되어 형성된다. 기판 처리 스테이션(145)은 챔버하우징(100)의 바닥면으로부터 일정 높이 이격된 상태로 구비된다. 기판 처리 스테이션(145)은 중간하우징본체(141)의 연통벽(146)으로부터 형성되어 내부 처리 공간(A, B)과 독립된 공간을 갖는다. 기판 처리 스테이션(145)이 챔버하우징(100)의 바닥면에 결합되지 않고 이격되게 구비되므로 후술할 공통 배기 채널(300)이 바닥면에 대해 완만하게 구비될 수 있도록 한다.The substrate processing station 145 is connected to the communication wall 146 of the intermediate housing body 141 as shown in Figs. The substrate processing station 145 is provided at a predetermined height from the bottom surface of the chamber housing 100. The substrate processing station 145 is formed from the communication wall 146 of the intermediate housing body 141 and has a space independent of the internal processing spaces A and B. [ Since the substrate processing station 145 is provided not to be coupled to the bottom surface of the chamber housing 100 but spaced apart from the substrate processing station 145, a common exhaust channel 300 to be described later can be smoothly provided to the bottom surface.

기판 처리 스테이션(145)의 상부에는 기판지지대(170)가 결합되어 기판 처리 스테이션(145)의 내부를 내부 처리 공간(A, B)과 차폐시킨다. 이에 의해 기판 처리 스테이션(145) 내부는 진공 상태의 내부 처리 공간(A, B)과 독립된 대기압 상태를 유지한다. 기판 처리 스테이션(145)에는 중간하우징본체(141)의 연통벽(146) 내부에 형성된 개구(147)를 통해 기판승강수단(미도시)과 전원공급수단(미도시) 등의 유틸리티 수단이 연결될 수 있다.A substrate support 170 is coupled to the upper portion of the substrate processing station 145 to shield the interior of the substrate processing station 145 from the internal processing spaces A and B. Thereby, the inside of the substrate processing station 145 maintains the atmospheric pressure state independent from the internal processing spaces A and B in the vacuum state. The substrate processing station 145 may be connected to utility means such as a substrate lifting means (not shown) and a power supply means (not shown) through an opening 147 formed in the communication wall 146 of the intermediate housing body 141 have.

기판 처리 스테이션(145)과 중간하우징본체(141) 사이의 둘레영역에는 내부 처리 공간(A, B)에서 기판 처리 반응이 종료된 후의 처리 가스가 배출되는 가스배출유로(148)가 구비된다. 가스배출유로(148)는 기판 처리 스테이션(145) 하부의 공통 배기 채널(300)과 연결된다. The peripheral region between the substrate processing station 145 and the intermediate housing body 141 is provided with a gas discharge passage 148 through which the process gas is discharged after the substrate processing reaction is completed in the internal process spaces A and B. The gas discharge passage 148 is connected to the common exhaust channel 300 under the substrate processing station 145.

여기서, 가스배출유로(148)에는 다공성 구조를 갖는 배기가스배플(미도시)이 구비되어 공정 처리 후의 가스가 수직하게 유동하여 공통 배기 채널(300)로 배기되도록 한다. 배기가스배플(미도시)은 기판 처리 스테이션(145)에 결합가능하게 구비된다.Here, the gas discharge passage 148 is provided with an exhaust gas baffle (not shown) having a porous structure, so that the gas after the process flows vertically and is exhausted to the common exhaust channel 300. An exhaust gas baffle (not shown) is provided to be connectable to the substrate processing station 145.

기판 처리 스테이션(145)은 중간하우징본체(141)와 동일한 간격(d)을 갖도록 중간하우징본체(141)의 중심영역에 구비된다.The substrate processing station 145 is provided in the central region of the intermediate housing body 141 so as to have the same distance d as the intermediate housing body 141.

하부하우징(150)은 중간하우징(140)의 하부에 위치하며 공통 배기 채널(300)과 연결된다. 이에 의해 중간하우징(140)의 가스배출유로(148)를 경유한 처리가스가 공통 배기 채널(300)로 배출되도록 한다. 하부하우징(150)은 챔버하우징(100)의 바닥면을 형성하는 하부하우징본체(151)와 하부하우징본체(151)에 구비되어 공통 배기 채널(300)과 결합되는 배기채널결합부(153)를 구비한다. 배기채널결합부(153)는 공통 배기 채널(300)의 크기에 대응되도록 구비된다. 배기채널결합부(153)는 공통배기채널(300)의 경사면(310)의 경사각도에 대응하는 경사를 갖도록 구비되는 것이 배기가스의 컨덕턴스를 향상시킬 수 있어 바람직하다. The lower housing 150 is located below the intermediate housing 140 and is connected to the common exhaust channel 300. Thereby allowing the process gas passing through the gas discharge passage 148 of the intermediate housing 140 to be discharged to the common discharge channel 300. The lower housing 150 includes a lower housing main body 151 forming a bottom surface of the chamber housing 100 and an exhaust channel engaging portion 153 provided in the lower housing main body 151 and coupled with the common exhaust channel 300 Respectively. The exhaust channel engaging portion 153 is provided to correspond to the size of the common exhaust channel 300. The exhaust channel joining part 153 is provided to have an inclination corresponding to the inclination angle of the inclined face 310 of the common exhaust channel 300 because the conductance of the exhaust gas can be improved.

한편, 상부하우징(130), 중간하우징(140) 및 하부하우징(150)은 상호 결합을 위한 결합수단(미도시)이 구비된다. 결합수단(미도시)은 핀, 볼트/너트, 걸림결합 등 공지된 결합 수단이 구비될 수 있다.Meanwhile, the upper housing 130, the intermediate housing 140, and the lower housing 150 are provided with coupling means (not shown) for mutual coupling. The coupling means (not shown) may be provided with a known coupling means such as a pin, a bolt / nut, and a coupling.

또한, 상부하우징(130), 중간하우징(140) 및 하부하우징(150)의 결합영역에는 적어도 하나의 실링부재(미도시)가 구비되어 내부 처리 공간(A,B)의 기밀을 유지한다. In addition, at least one sealing member (not shown) is provided in the coupling region of the upper housing 130, the intermediate housing 140, and the lower housing 150 to maintain the airtightness of the internal processing spaces A and B.

한편, 상부하우징(130)과 중간하우징(140)에는 내부 처리 공간(A, B)의 내표면을 커버하는 상부라이너(160)와 중간라이너(180)가 각각 구비된다. 상부라이너(160)는 상부하우징본체(131)의 상부 제1곡면(132)과 상부파티션(210)의 상부 제2곡면(213)의 결합에 의해 형성된 내부 처리 공간(A, B)의 내표면에 결합된다. 상부라이너(160)는 후술할 중간라이너(180)가 결합되는 중간라이너결합부(161)와 상부하우징(130)의 모니터링부(137)에 대응되게 구비되는 모니터링창(163)이 구비된다. The upper housing 130 and the intermediate housing 140 are provided with an upper liner 160 and an intermediate liner 180 covering the inner surfaces of the inner processing spaces A and B, respectively. The upper liner 160 is fixed to the inner surface of the inner processing spaces A and B formed by the engagement of the upper first curved surface 132 of the upper housing body 131 and the upper second curved surface 213 of the upper partition 210 Lt; / RTI > The upper liner 160 is provided with an intermediate liner engagement portion 161 to which an intermediate liner 180 is coupled and a monitoring window 163 provided corresponding to the monitoring portion 137 of the upper housing 130.

중간라이너결합부(161)는 내표면으로부터 단턱이 형성되어 중간라이너(180)가 단턱에 걸쳐지도록 구비된다. The intermediate liner engaging portion 161 is formed so that the intermediate liner 180 extends from the inner surface to the step.

중간라이너(180)는 중간하우징본체(141)의 중간 제1곡면(142)과 중간파티션(220)의 중간 제2곡면(223)의 결합에 의해 형성된 내부 처리 공간(A, B)의 내표면에 결합된다. 중간라이너(180)는 상부라이너(160)의 중간라이너결합부(161)에 적재되어 위치가 고정된다. The intermediate liner 180 is formed on the inner surface of the inner processing spaces A and B formed by the combination of the intermediate first curved surface 142 of the intermediate housing body 141 and the intermediate second curved surface 223 of the intermediate partition 220 Lt; / RTI > The intermediate liner 180 is mounted on the intermediate liner engaging portion 161 of the upper liner 160 and fixed in position.

상부라이너(160)와 중간라이너(180)는 내부 처리 공간(A, B)의 내표면이 플라즈마의 이온 충돌 등에 의해 손상이 가거나 마모가 되는 것을 방지하기 위해 내부 처리 공간(A, B)의 내벽면에 구비된다. 상부라이너(160)와 중간라이너(180)는 복수회의 처리 반응에 의해 내벽면이 손상이 가거나 마모되는 경우 교체하여 사용될 수 있다.The upper liner 160 and the intermediate liner 180 are disposed in the inner processing spaces A and B in order to prevent the inner surfaces of the inner processing spaces A and B from being damaged or abraded by ion collision, Is provided on the wall surface. The upper liner 160 and the intermediate liner 180 can be used interchangeably when the inner wall surface is damaged or worn by a plurality of treatment reactions.

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 기판 처리 챔버(10)는 조립시의 편리성과 유지보수의 편리성을 위해 상부라이너와 중간라이너의 복수개의 라이너를 구비하고 있으나, 경우에 따라 한 개의 라이너를 구비할 수도 있다. Meanwhile, the multi-substrate processing chamber 10 according to the preferred embodiment of the present invention includes a plurality of liners of a top liner and an intermediate liner for convenience of assembly and maintenance, .

파티션부재(200)는 챔버하우징(100)에 결합되어 챔버하우징(100)을 두 개의 내부 처리 공간(A, B)으로 구획하고, 챔버하우징(100)의 제1곡면(110)과 결합되어 대칭적인 형상을 갖는 내부 처리 공간(A, B)을 완성한다. The partition member 200 is coupled to the chamber housing 100 to divide the chamber housing 100 into two internal processing spaces A and B and is coupled with the first curved surface 110 of the chamber housing 100, Thereby completing the internal processing spaces A and B having a shape as shown in Fig.

파티션부재(200)는 복수의 파티션(210,220,230)의 결합에 의해 구비된다. 파티션부재(200)는 상부하우징(130)에 결합되는 상부파티션(210)과, 중간하우징(140)에 결합되는 중간파티션(220)과, 중간파티션(220)에 관통결합되는 노출파티션(230)을 포함한다. 파티션부재(200)는 접지단(미도시)에 연결되어 각 내부 처리 공간(A, B)이 균일한 전위를 형성하도록 한다. The partition member 200 is provided by a combination of a plurality of partitions 210, 220, and 230. The partition member 200 includes an upper partition 210 coupled to the upper housing 130, an intermediate partition 220 coupled to the intermediate housing 140, an exposure partition 230 coupled to the intermediate partition 220, . The partition member 200 is connected to a ground terminal (not shown) so that each of the internal process spaces A and B forms a uniform potential.

상부파티션(210)은 상부하우징본체(131)에 수용결합되는 상부파티션본체(211)와, 상부파티션본체(211)에 형성되어 상부하우징본체(131)의 상부 제1곡면(132)과 결합되는 상부 제2곡면(213)을 포함한다. 상부파티션본체(211)는 상부하우징본체(131)의 상부파티션수용부(134)의 형상에 대응되게 구비되어 상부파티션수용부(134)에 끼워맞춤된다. 상부 제2곡면(213)은 상부파티션본체(211)의 양측면에 각각 구비된다. 상부 제2곡면(213)은 상부 제1곡면(132)의 곡률과 동일한 곡률을 갖도록 구비되어 상부 제1곡면(132)과 상부 제2곡면(213)이 결합된 내부 처리 공 간(A, B)이 중심으로부터 동일한 반경을 갖는 원의 형상을 갖도록 한다. 상부파티션(210)은 상부하우징본체(131)에 억지끼워맞춤되거나 공지된 결합수단에 의해 결합될 수 있다.The upper partition 210 includes an upper partition body 211 which is received in and coupled to the upper housing body 131 and a lower partition body 211 which is coupled to the upper first curved surface 132 of the upper housing body 131 And an upper second curved surface 213. The upper partition body 211 corresponds to the shape of the upper partition receiving portion 134 of the upper housing body 131 and is fitted into the upper partition receiving portion 134. And upper second curved surfaces 213 are provided on both side surfaces of the upper partition body 211, respectively. The upper second curved surface 213 is provided so as to have the same curvature as the curvature of the upper first curved surface 132 so that the upper and lower curved surfaces 132, Have the shape of a circle having the same radius from the center. The upper partitions 210 may be coupled to the upper housing body 131 by interference fit or by known engaging means.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상부파티션본체(211)에는 도10에 도시된 바와 같이 소정 길이의 슬릿(215)이 구비될 수 있다. 슬릿(215)은 복수의 내부 처리 공간(A, B) 사이에 발생되는 정전기, 전위 등의 상호 간섭을 줄인다. 즉, 복수의 내부 처리 공간(A, B)에 서로 다른 전위가 인가될 경우 인접한 내부 처리 공간(A, B)의 전위가 영향을 줄 수 있다. 이 때 슬릿(215)은 둘 사이의 내부 처리 공간(A, B)을 공간적으로 단절시켜 이러한 간섭과 영향을 줄일 수 있다.Meanwhile, the upper partition body 211 according to another embodiment of the present invention may be provided with a slit 215 having a predetermined length as shown in FIG. The slits 215 reduce the mutual interference of static electricity, electric potential, etc. generated between the plurality of internal processing spaces A and B. That is, when different potentials are applied to the plurality of the inner processing spaces A and B, the potentials of the adjacent inner processing spaces A and B can be influenced. At this time, the slits 215 can spatially interrupt the internal processing spaces A and B between the two to reduce such interference and influence.

중간파티션(220)은 중간하우징(140)에 수용결합된다. 중간파티션(220)은 중간 제2곡면(223)이 형성된 중간파티션본체(221)와, 중간파티션본체(221)에 형성되어 노출파티션(230)이 결합되는 노출파티션수용홀(225)을 포함한다. 중간파티션본체(221)는 중간하우징본체(141)의 중간파티션수용부(144)에 수용결합된다. 중간 제2곡면(223)은 중간하우징(140)의 중간 제1곡면(142)과 결합되어 대칭적인 형상의 내부 처리 공간(A, B)을 완성한다. The intermediate partition 220 is received in the intermediate housing 140. The intermediate partition 220 includes an intermediate partition body 221 formed with an intermediate second curved surface 223 and an exposed partition receiving hole 225 formed in the intermediate partition body 221 and coupled with the exposure partition 230 . The middle partition main body 221 is received in the middle partition receiving portion 144 of the intermediate housing main body 141. The intermediate second curved surface 223 is engaged with the intermediate first curved surface 142 of the intermediate housing 140 to complete the symmetrically shaped internal processing spaces A,

노출파티션수용홀(225)은 노출파티션(230)의 두께에 대응하는 너비로 구비되며, 노출파티션(230)이 삽입된다. 한편, 중간파티션(220)에도 상부파티션(210)과 동일하게 연통공(미도시)과 슬릿(미도시)이 구비될 수 있다. The exposed partition receiving hole 225 is provided at a width corresponding to the thickness of the exposed partition 230, and the exposed partition 230 is inserted. Meanwhile, the middle partition 220 may be provided with a communication hole (not shown) and a slit (not shown) in the same manner as the upper partition 210.

노출파티션(230)은 중간파티션(220)에 삽입되어 공통 배기 채널(500)를 두 개의 영역으로 분할한다. 노출파티션(230)은 중간파티션(220)에 수용되는 수용영 역(231)과, 중간파티션(220)의 외부로 노출되어 공통 배기 채널(300)에 결합되는 노출영역(233)을 포함한다. 노출영역(233)은 공통 배기 채널(300)의 형상에 대응하도록 경사면 또는 곡면을 갖도록 구비될 수 있다. 노출파티션(230)에는 노출파티션수용홀(225)에 삽입될 때 위치를 고정하기 위해 걸림결합부(135)가 구비된다. 걸림결합부(135)는 수용영역(231)으로부터 양측으로 확장되게 구비되어 노출파티션수용홀(225)에 걸림결한된다. The exposure partition 230 is inserted into the intermediate partition 220 to divide the common exhaust channel 500 into two regions. The exposure partition 230 includes a receiving area 231 accommodated in the intermediate partition 220 and an exposed area 233 exposed to the outside of the intermediate partition 220 and coupled to the common exhaust channel 300. The exposed region 233 may be inclined or curved to correspond to the shape of the common exhaust channel 300. The exposure partition 230 is provided with a latching portion 135 for fixing the position when inserted into the exposure partition receiving hole 225. [ The engaging portion 135 is extended from both sides of the receiving region 231 to engage with the exposed partition receiving hole 225.

상부파티션(210), 중간파티션(220) 및 노출파티션(230)은 도 4 및 도5에 도시된 바와 같이 중간파티션(220)에 노출파티션(230)이 수용되고, 중간파티션(220)의 상부에 상부파티션(210)이 적층된다. 각 파티션(210,220,230)의 길이는 챔버하우징(100)의 길이에 대응되게 조절될 수 있다. The upper partition 210, the middle partition 220 and the exposure partition 230 are configured such that the exposure partition 230 is received in the middle partition 220 as shown in FIGS. 4 and 5, The upper partition 210 is stacked. The length of each partition 210, 220, 230 may be adjusted to correspond to the length of the chamber housing 100.

여기서, 노출파티션(230)이 중간파티션(220)의 하부로 노출되는 노출길이(L)는 조절가능하게 구비될 수 있다. 노출길이(L)를 조절하여 내부 처리 공간(A, B)으로부터 공통 배기 채널(300)로 배기되는 처리가스의 양, 처리가스의 속도 등을 조절할 수 있다. Here, the exposure length L in which the exposure partition 230 is exposed to the lower portion of the intermediate partition 220 may be adjustably provided. The amount of the processing gas exhausted from the internal processing spaces A and B to the common exhaust channel 300, the speed of the processing gas, and the like can be adjusted by adjusting the exposure length L.

한편, 파티션부재(200)에는 파티션부재(200)에 의해 분할되는 두 개의 내부 처리 공간을 공간적으로 연결하는 연통공(미도시)이 적어도 한 개 구비될 수 있다. 연통공(미도시)은 단면형상이 원형 구조, 사각형 구조, 타원형 구조, 모서리가 완만한 장방형 구조, 원호형 구조 등과 같이 다양한 구조로 구현될 수 있다. 또한, 연통공(미도시)은 수평 또는 수직의 슬릿 구조로 개구될 수 있다. 연통공(미도시)은 상부파티션(210) 또는 하부파티션(220)에 구비될 수 있다. 또한, 연통공(미도 시)는 상부파티션(210)의 상부영역, 가운데영역, 하단영역 중 어느 한 영역에 복수개로 구비될 수 있다. On the other hand, at least one communication hole (not shown) for spatially connecting the two internal processing spaces divided by the partition member 200 may be provided in the partition member 200. The communication hole (not shown) can be implemented in various structures such as a circular shape, a rectangular shape, an elliptical shape, a gentle rectangular shape, and an arc shape. Further, the communication hole (not shown) may be opened with a horizontal or vertical slit structure. A communication hole (not shown) may be provided in the upper partition 210 or the lower partition 220. In addition, a plurality of communication holes (not shown) may be provided in any one of an upper region, a middle region, and a lower region of the upper partition 210.

한편, 각각의 연통공(미도시)은 마주 대향되지 않도록 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 각각의 연통공(미도시)은 서로 다른 위치에 구성됨으로서 분할된 두 개의 내부 처리 공간(A, B)이 상호 직접적으로 투사되지 않는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the respective communication holes (not shown) are configured so as not to face each other. That is, each of the communication holes (not shown) may be formed at different positions so that the divided two internal processing spaces A and B are not directly projected to each other.

연통공(미도시)는 파티션 부재(200)에 의해서 분할되는 두 개의 내부 처리 공간(A, B)을 공간적으로 연결하여 두 개의 내부 처리 공간(A,B)이 동일한 기압과 분위기를 유지하게 된다. 또한, 연통공(미도시)이 파티션 부재(200)에 구비됨으로 유지 보수가 용이할 수 있다.The communication holes (not shown) spatially connect the two internal processing spaces A and B divided by the partition member 200 so that the two internal processing spaces A and B maintain the same atmospheric pressure and atmosphere . Further, since the partition member 200 is provided with a communication hole (not shown), the maintenance can be facilitated.

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파티션부재(200)는 청소 및 유지보수의 편리성을 위해 복수개로 구비되었으나 챔버하우징(100)의 제1곡면(110)에 대응하는 제2곡면(120)을 갖는 한 개의 구조로 구비될 있으며, 경우에 따라 4개 이상으로 분할되어 구비될 수도 있다. The partition member 200 according to the preferred embodiment of the present invention includes a plurality of partition members 200 for convenience of cleaning and maintenance but a second curved surface 120 corresponding to the first curved surface 110 of the chamber housing 100, And may be divided into four or more structures as the case may be.

공통 배기 채널(300)은 챔버하우징(100)의 하부에 구비되어 처리 반응이 종료된 후 처리가스가 배기되는 유로를 제공한다. 공통 배기 채널(300)은 복수의 내부 처리 공간(A, B)의 가운데 영역에 구비되고 노출파티션(230)에 의해 제1배기채널(D)과 제2배기채널(E)로 분할된다. The common exhaust channel 300 is provided under the chamber housing 100 to provide a flow path through which the process gas is exhausted after the process reaction is completed. The common exhaust channel 300 is provided in the middle region of the plurality of internal processing spaces A and B and is divided into the first exhaust channel D and the second exhaust channel E by the exposure partition 230.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 공통 배기 채널(300)은 도6에 도시된 바와 같이 하부하우징(150)에 대해 경사지게 구비된 경사면(310)을 포함한다. 이 경우 종래 챔버하우징에 대해 공통 배기 채널이 수직하게 구비되는 경우에 비해 진공 상태에서 배기가스의 컨덕턴스를 향상시킬 수 있다.The common exhaust channel 300 according to the preferred embodiment of the present invention includes an inclined surface 310 inclined with respect to the lower housing 150 as shown in FIG. In this case, the conductance of the exhaust gas can be improved in a vacuum state as compared with the case where the common exhaust channel is vertically provided to the conventional chamber housing.

한편, 공통 배기 채널(300)은 도7에 도시된 바와 같이 하부하우징(150)에 대해 완만한 곡률을 갖는 곡면(320)으로 구비될 수 있다. Meanwhile, the common exhaust channel 300 may be provided with a curved surface 320 having a gentle curvature with respect to the lower housing 150 as shown in FIG.

또한, 공통 배기 채널(300)은 도6 및 도7에 도시된 바와 같이 하부하우징(150)의 일부영역과 결합되게 구비되거나 도11에 도시된 바와 같이 중간하우징(140)의 전 영역에 걸쳐 완만하게 구비된 전체 경사면(330)으로 구비될 수 있다. In addition, the common exhaust channel 300 may be provided to be coupled with a part of the lower housing 150 as shown in FIGS. 6 and 7, The entire inclined surface 330 may be provided.

한편, 노출파티션(230)에 의해 제1배기채널(D)과 제2배기채널(E)로 분할된 공통 배기 채널(300)에는 도9a 및 도9b에 도시된 바와 같이 각 배기채널(D,E)을 선택적으로 개폐할 수 있는 개폐부재(400)가 구비될 수 있다. 개폐부재(400)는 도9a에 도시된 바와 같이 노출파티션(230)을 중심에 구비된 회동축(410)으로 회동가능하게 구비되는 제1회동부재(420) 및 제2회동부재(430)에 의해 구현될 수 있다. 여기서, 각 회동부재(420, 430)는 처리가스의 유동을 간섭하지 않기 위해 가스의 유동방향의 전면으로 회동되게 구비되는 것이 바람직하다.9A and 9B, the common exhaust channel 300 divided into the first exhaust channel D and the second exhaust channel E by the exposure partition 230 is connected to each exhaust channel D, E may be selectively opened and closed. The opening and closing member 400 includes a first tiltable member 420 and a second tiltable member 430 rotatably provided on a rotation axis 410 provided at the center of the exposure partition 230 as shown in FIG. &Lt; / RTI > Here, it is preferable that the respective tiltable members 420 and 430 are provided so as to be pivoted to the front surface in the flow direction of the gas so as not to interfere with the flow of the process gas.

개폐부재(400)는 복수의 내부 처리 공간(A, B) 중 어느 일측의 사용이 불가할 경우 또는 사용이 불필요할 경우에 해당되는 배기채널(D, E)중 하나의 채널을 폐쇄하여 불필요한 사용을 막는 용도로 사용할 수 있다. The opening and closing member 400 closes one of the exhaust channels D and E corresponding to the case where any one of the plurality of internal processing spaces A and B can not be used or is unnecessary, Can be used.

한편, 개폐부재(400a)는 도9b에 도시된 바와 같이 배기채널(D, E)의 축방향에 대해 가로방향으로 슬라이딩 이동가능하게 구비되는 한 쌍의 개폐도어(420a, 420b)가 각각 배기채널(D, E)을 선택적으로 개폐할 수 있도록 구비될 수 있다. 9B, the opening and closing member 400a includes a pair of opening and closing doors 420a and 420b slidably movable in the lateral direction with respect to the axial direction of the exhaust channels D and E, (D) and (E) can be selectively opened and closed.

한편, 개폐부재(400,400a)는 상술한 실시예 외에도 유로를 선택적으로 개폐 할 수 있는 공지된 기술에 의해 구현될 수 있다.On the other hand, the opening and closing members 400 and 400a may be realized by a known technique capable of selectively opening and closing the flow path in addition to the above-described embodiments.

도3 내지 도5, 도11을 참조하여 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버(10)의 조립 방법 및 다중 기판 처리 방법을 설명한다. A method of assembling the multiple substrate processing chamber 10 and a method of processing multiple substrates according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5 and 11. FIG.

먼저, 하부하우징(150)에 중간하우징(140)을 결합시키고, 중간하우징(140)의 중간파티션수용부(144)에 중간파티션(220)을 결합시킨다. 결합된 중간파티션(220)에 노출파티션(230)을 삽입한다. The middle housing 140 is coupled to the lower housing 150 and the middle partition 220 is coupled to the middle partition receiving portion 144 of the intermediate housing 140. [ And inserts the exposure partition 230 into the combined intermediate partition 220.

중간하우징(140)에 상부하우징(130)을 결합시키고, 상부하우징(130)에 상부파티션(210)을 체결한다. 이에 의해 상부 제1곡면(132)과 상부 제2곡면(213)이 결합되고 대칭적인 내부 처리 공간(A, B)이 완성된다. 완성된 내부 처리 공간(A, B)의 내벽면에 상부라이너(160)를 결합시킨다. 상부라이너(160)의 중간라이너결합부(161)에 중간라이너(180)를 결합시킨다. 그리고, 상부하우징(130)에 플라즈마 소스부(500)를 결합시킨다. The upper housing 130 is coupled to the middle housing 140 and the upper partition 210 is coupled to the upper housing 130. Thereby, the upper first curved surface 132 and the upper second curved surface 213 are joined and the symmetrical internal processing spaces A and B are completed. And the upper liner 160 is engaged with the inner wall surface of the completed inner processing space (A, B). The intermediate liner 180 is engaged with the intermediate liner engagement portion 161 of the upper liner 160. [ Then, the plasma source part 500 is coupled to the upper housing 130.

플라즈마소스부(500)는 플라즈마소스(510)를 구비하고, 플라즈마소스(510)는 각 내부 처리 공간(A, B)에 플라즈마를 공급한다. 플라즈마소스(510)는 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리한다. 플라즈마소스(510)는 용량결합 플라즈마 소스, 유도결합 플라즈마 소스, 변합기 결합 플라즈마 소스 등으로 구현될 수 있다. 플라즈마소스(510)의 기판 처리 종류에 따라 적합한 것으로 구비될 수 있다. The plasma source portion 500 has a plasma source 510 and the plasma source 510 supplies plasma to each of the internal processing spaces A and B. [ The plasma source 510 generates a plasma to process the substrate. The plasma source 510 may be implemented as a capacitively coupled plasma source, an inductively coupled plasma source, a transformer coupled plasma source, or the like. And may be suitably adapted to the type of substrate processing of the plasma source 510.

플라즈마소스부(500)에는 플라즈마를 발생시킬 수 있는 반응가스를 공급하는 가스공급채널(미도시)이 구비될 수 있다. The plasma source unit 500 may include a gas supply channel (not shown) for supplying a reactive gas capable of generating a plasma.

다중 기판 처리 챔버(10)의 조립이 완료되면 기판출입구(135)를 통해 기판지 지대(170)에 기판(W)이 적재된다. 그리고, 플라즈마소스(510)에서 플라즈마를 발생시켜 기판(W)의 표면을 처리한다. 이 때, 내부 처리 공간(A, B)이 제1곡면(110)과 제2곡면(120)에 의해 대칭적인 원형을 이루므로 내부 처리 공간(A, B) 전체에 걸쳐 플라즈마 밀도가 균일하게 발생한다. 따라서, 기판(W)도 전영역에 걸쳐 균일하게 처리가 가능하다. 플라즈마 반응이 완료되면 처리 가스는 가스배출유로(148)를 통해 배출되고 공통 배출 채널(300)을 통해 외부로 배출된다. When the assembly of the multiple substrate processing chamber 10 is completed, the substrate W is loaded onto the substrate support 170 through the substrate entrance 135. Then, a plasma is generated in the plasma source 510 to process the surface of the substrate W. Since the internal processing spaces A and B are symmetrically formed by the first curved surface 110 and the second curved surface 120 at this time, the plasma density uniformly occurs throughout the internal processing spaces A and B do. Therefore, the substrate W can be uniformly processed over the entire area. When the plasma reaction is completed, the process gas is discharged through the gas discharge passage 148 and discharged to the outside through the common discharge channel 300.

한편, 상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 기판 처리 챔버는 원형의 대칭적 구조를 갖도록 챔버하우징과 파티션이 결합하고 있으나, 경우에 따라 사각형의 형태로 구현될 수도 있다. Meanwhile, although the chamber housing and the partition are coupled so as to have a circular symmetrical structure, the multi-substrate processing chamber according to the preferred embodiment of the present invention may be implemented in a rectangular shape as the case may be.

또한, 상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 기판 처리 챔버는 두 개의 내부 처리 공간을 갖는 것으로 설명하였으나, 이는 일례일 뿐이며 3개 이상의 내부 처리 공간을 갖도록 구비될 수도 있다. In addition, although the multi-substrate processing chamber according to the preferred embodiment of the present invention has been described as having two internal processing spaces, this is only an example and it may be provided to have three or more internal processing spaces.

도12는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버에서 제1곡면(110)과 제2곡면(120)이 결합되어 형성된 내부 처리 공간(A, B)의 외벽과 기판 처리 스테이션(170) 사이에서 발생되는 전위를 설명하는 도면이다. 내부 처리 공간(A, B)의 외벽은 제1곡면(110)과 제2곡면(120)이 결합되어 대칭적인 구조를 갖는 원의 형상을 이루며 파티션 부재(200)가 접지되어 있으므로 전위값은 0이다. 외벽으로부터 일정 간격 이격되어 있는 기판 처리 스테이션(170)은 내부 처리 공간과의 대칭적인 형상에 의해 어떠한 지점에서도 동일한 전위를 갖게 된다. 즉, 도13에 도시된 바와 같이 위상각(θ)이 90ㅀ인 지점에서의 전위값과 위상각(θ)이 180ㅀ인 지점에서의 전 위값은 V1으로 동일하며, 이는 전 영역에 걸쳐 균일하게 적용된다.12 is a schematic view of a substrate processing system according to the present invention in which a first curved surface 110 and a second curved surface 120 are formed in a multi-substrate processing chamber, Fig. Since the outer walls of the inner processing spaces A and B form a circular shape having a symmetrical structure by joining the first curved surface 110 and the second curved surface 120 and the partition member 200 is grounded, to be. The substrate processing station 170, which is spaced apart from the outer wall at a predetermined distance, has the same potential at any point due to the symmetrical shape with the internal processing space. That is, as shown in FIG. 13, the potential value at the point where the phase angle? Is 90 占 and the potential value at the point where the phase angle? Is 180 占 is equal to V1, Lt; / RTI >

이상에서 설명된 본 발명의 다중 기판 처리 챔버 및 기판 처리 방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모 든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The embodiments of the multi-substrate processing chamber and the substrate processing method of the present invention described above are merely illustrative, and those skilled in the art can make various modifications and equivalent embodiments therefrom. You can see that it is. Therefore, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

이상과 같은 본 발명의 다중 기판 처리 챔버와 이의 기판 처리 방법은 반도체 집적 회로의 제조, 평판 디스플레이 제조, 태양전지의 제조와 같은 다양한 박막 형성을 위한 플라즈마 처리 공정에 매우 유용하게 이용될 수 있다. The multiple substrate processing chamber and the substrate processing method of the present invention as described above can be very usefully used in a plasma processing process for forming various thin films such as the manufacture of semiconductor integrated circuits, the manufacture of flat panel displays, and the manufacture of solar cells.

도 1은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 구성을 도시한 사시도,1 is a perspective view showing a configuration of a multi-substrate processing chamber according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 평면구성을 도시한 평면도,2 is a plan view showing a planar configuration of a multiple substrate processing chamber according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 분해된 구성을 도시한 분해사시도,3 is an exploded perspective view showing an exploded configuration of a multiple substrate processing chamber according to the present invention,

도 4는 도1의 다중 기판 처리 챔버의 일부 구성을 도시한 일부절개사시도,FIG. 4 is a partially cutaway perspective view showing a partial configuration of the multiple substrate processing chamber of FIG. 1;

도 5는 도2의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면구성을 도시한 단면도,5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along a line V-V in Fig. 2,

도 6은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 공통 배기 채널의 구성을 도시한 단면도,6 is a cross-sectional view showing a configuration of a common exhaust channel of a multi-substrate processing chamber according to the present invention,

도 7은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 공통 배기 채널의 다른 실시예를 도시한 단면도,7 is a cross-sectional view of another embodiment of a common exhaust channel of a multiple substrate processing chamber in accordance with the present invention,

도 8은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버에 플라즈마 소스부가 결합된 상태를 도시한 단면도,8 is a cross-sectional view illustrating a state in which a plasma source unit is coupled to a multiple substrate processing chamber according to the present invention,

도 9a는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 개폐부재의 구성을 도시한 개략도,9A is a schematic view showing the configuration of the opening and closing member of the multiple substrate processing chamber according to the present invention,

도 9b는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 개폐부재의 변형예를 도시한 개략도,9B is a schematic view showing a modification of the opening and closing member of the multiple substrate processing chamber according to the present invention,

도 10은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 변형예를 도시한 사시도,10 is a perspective view showing a modified example of the multiple substrate processing chamber according to the present invention,

도 11은 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 공통 배기 채널의 다른 실시예를 도시한 단면도,11 is a cross-sectional view showing another embodiment of a common exhaust channel of a multiple substrate processing chamber according to the present invention,

도 12는 본 발명에 따른 다중 기판 처리 챔버의 내부 처리 공간에서의 전위 분포를 개략적으로 도시한 개략도,12 is a schematic view schematically showing a potential distribution in an internal processing space of a multiple substrate processing chamber according to the present invention;

도 13은 도12에 따른 내부 처리 공간의 전위분포상태를 도시한 그래프이다.13 is a graph showing the potential distribution state of the internal process space according to FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

10 : 다중 기판 처리 챔버 100: 챔버하우징10: multiple substrate processing chamber 100: chamber housing

110: 제1곡면 120: 제2곡면110: first curved surface 120: second curved surface

130: 상부하우징 131: 상부하우징본체130: upper housing 131: upper housing body

132: 상부 제1곡면 134: 상부파티션수용부132: upper first curved surface 134: upper partition receiving portion

135: 기판 출입구 137: 모니터링부135: substrate entrance port 137: monitoring section

140: 중간하우징 141: 중간하우징본체140: intermediate housing 141: intermediate housing body

142: 중간 제1곡면 144: 중간파티션수용부142: intermediate first curved surface 144: intermediate partition receiving portion

145: 기판처리스테이션 146: 연통벽145: substrate processing station 146:

147: 개구 148: 가스배출유로147: opening 148: gas discharge passage

150: 하부하우징 151: 하부하우징본체150: lower housing 151: lower housing body

153: 배기채널결합부 160: 상부라이너153: exhaust channel connecting portion 160: upper liner

170: 기판지지대 180: 중간라이너170: substrate support 180: intermediate liner

200: 파티션부재 210: 상부파티션200: partition member 210: upper partition

211: 상부파티션본체 213: 상부 제2곡면211: upper partition body 213: upper second curved surface

215: 슬릿 220: 중간파티션215: slit 220: intermediate partition

221: 중간파티션본체 223: 중간 제2곡면221: intermediate partition body 223: intermediate second curved surface

225: 노출파티션수용홀 230: 노출파티션225: Exposure partition receiving hole 230: Exposure partition

231: 수용영역 233: 노출영역231: receiving area 233: exposed area

300: 공통 배기 채널 310: 경사면300: common exhaust channel 310: inclined surface

320: 곡면 330: 전체경사면320: curved surface 330: entire inclined surface

400,400a: 개폐부재 410: 회전축400, 400a: an opening / closing member 410:

500: 플라즈마 소스부 510: 플라즈마 소스500: plasma source part 510: plasma source

A, B : 내부 처리 공간A, B: internal processing space

D, E : 제1배기채널, 제2배기채널 D, E: first exhaust channel, second exhaust channel

Claims

A chamber housing having two or more internal processing spaces formed therein;

And at least one partition member installed in the chamber housing and dividing the chamber housing into the at least two internal processing spaces,

Wherein each of the internal processing spaces has a symmetrical shape that is coupled with the partition member to generate a uniform treatment reaction,

Wherein the chamber housing includes a first curved surface having a predetermined curvature,

Wherein the partition member includes a second curved surface having the same curvature as the first curved surface,

Wherein the first curved surface and the second curved surface are combined to form respective symmetrical circles.

delete

The method according to claim 1,

Wherein the chamber housing comprises a plurality of housings coupled together.

The method of claim 3,

The chamber housing,

An intermediate housing having a substrate support station;

An upper housing coupled to an upper portion of the intermediate housing and having a first curved surface; And

And a lower housing coupled to a lower portion of the intermediate housing.

5. The method of claim 4,

Further comprising a liner coupled to the upper housing to cover an inner wall surface of each of the inner processing spaces.

5. The method of claim 4,

Wherein the partition member is provided with a plurality of partitions coupled to each other.

The method according to claim 6,

The partition member

An intermediate partition coupled to the intermediate housing;

An exposure partition penetrating through the intermediate partition and having an exposed region exposed a predetermined length below the intermediate partition; And

And an upper partition provided at an upper portion of the intermediate partition and having a second curved surface corresponding to the first curved surface of the upper housing.

8. The method of claim 7,

Wherein the exposure partition is provided such that a length of the exposure region is variable.

9. The method of claim 8,

Further comprising a common exhaust channel commonly connected to the at least two internal processing spaces.

10. The method of claim 9,

Wherein the intermediate housing is provided with a gas discharge passage communicating with the common exhaust channel along the edge region of the substrate processing station.

11. The method according to claim 9 or 10,

Wherein the common exhaust channel comprises an inclined surface inclined relative to the chamber housing.

12. The method of claim 11,

Wherein the common exhaust channel is divided into a first exhaust channel and a second exhaust channel by an exposed region of the exposed partition.

13. The method of claim 12,

Wherein the common exhaust channel is provided with an exhaust channel opening / closing member for selectively opening and closing the first exhaust channel and the second exhaust channel.

The method comprising: providing a substrate processing chamber having two or more internal processing spaces having a first curved surface;

Coupling at least one partition member having a second curved surface to the substrate processing chamber to form at least two symmetrically shaped internal processing spaces;

Loading the substrate into the internal processing space;

And generating a uniform process reaction on the substrate. &Lt; Desc / Clms Page number 19 >