KR20090128235A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

IR drop을 방지하고 유기 발광 소자의 내충격성을 향상할 수 있도록, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극 및 상기 제2 전극상에 상기 제2 전극과 접하도록 배치되는 도전 부재를 포함하고, 상기 도전 부재는 탄소 나노 튜브를 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic light emitting display apparatus}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로 더 상세하게는 IR drop을 방지하고, 유기 발광 소자의 내충격성을 향상할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 디스플레이 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 디스플레이 장치 중에서도 전계 발광 표시장치는 자발광형 디스플레이 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐 만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 장치로 주목 받고 있다. 또한 발광층의 형성 물질이 유기물로 구성되는 유기 발광 표시 장치는 무기 발광 표시 장치에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 점을 가지고 있다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극 사이에 유기물층을 형성하고 전극을 통하여 전압을 인가하여 화면을 구현하게 된다. 이 때 유기 발광 표시 장치의 전체적인 두께를 줄이고 가시광선의 투과율을 향상하기 위하여 전극은 박막으로 형성한다.
전극이 박막화함에 따라 저항이 증가하여 전압이 강하하는 IR drop현상이 발생한다. 특히 유기 발광 표시 장치를 대형화하면 이러한 전압 강하 현상은 더 커진다. 그 결과 전력 소모가 늘어나고 유기 발광 표시 장치의 전체적인 화질이 불균일하게 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 IR drop을 방지하고, 유기 발광 소자의 내충격성을 향상할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극 및 상기 제2 전극상에 상기 제2 전극과 접하도록 배치되는 도전 부재를 포함하고, 상기 도전 부재는 탄소 나노 튜브를 구비하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 도전 부재의 가시광선 투과율은 30 내지 99%일 수 있다
본 발명에 있어서 상기 도전 부재는 제2 전극을 덮도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 전극, 유기 발광층, 제2 전극을 밀봉하도록 상기 제2 전극상에 배치된 밀봉 부재를 더 포함하고, 상기 도전 부재는 상기 제2 전극과 밀봉 부재 사이의 공간을 충진하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치는 제2 전극과 밀봉 부재상에 탄소 나노튜브 물질을 포함하여 IR drop을 방지하고, 유기 발광 소자의 내충격성을 향상할 수 있다.
도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치는 기판(101), 유기 발광 소자(130) 및 도전 부재(150)를 포함한다.
기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 기판(101)을 형성하는 플라스틱 재는 절연성 유기물일 수 있는데, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루 어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
화상이 기판(101)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(101)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 기판(101)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(101)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(101)을 형성할 수 있다. 금속으로 기판(101)을 형성할 경우 기판(101)은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(101)은 금속 포일로 형성할 수 있다.
비록 도시하지 않았으나 기판(101)의 상면에는 기판(101)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
기판(101)상에 유기 발광 소자(130)가 형성된다. 유기 발광 소자(130)는 서로 대향된 제1 전극(131), 제2 전극(133) 및 유기 발광층(132)을 포함한다.
제2 전극(133)방향으로 화상을 구현하는 전면 발광형(top emission type)일 경우, 제1 전극(131)은 반사 전극일 수 있고, 제2 전극(133)은 투과형 전극일 수 있다. 반사 전극 기능을 하는 제1 전극(131)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등을 형성하여 이루어질 수 있다.
투과형 전극 기능을 하는 제2 전극(133)은 일함수가 작은 금속 즉 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 도전물질을 형성하여 이루어질 수 있다.
양면 발광형의 경우 제1 전극(131)과 제2 전극(133)은 모두 투과형 전극일 수 있다.
기판(101)방향으로 화상을 구현하는 배면 발광형의 경우 제1 전극(131)은 투과형 전극이 되고, 제2 전극(133)은 반사 전극이 될 수 있다. 제1 전극(131)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성되고, 제2 전극(133)은 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 등으로 형성될 수 있다.
제1 전극(131)의 패턴은 수동 구동형(passive matrix type:PM)의 경우에는 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상의 라인들로 형성될 수 있고, 능동 구동형(active matrix type:AM)의 경우에는 화소에 대응하는 형태로 형성될 수 있다.
제2 전극(133)은 수동 구동형의 경우에는 제1 전극(131)의 패턴에 직교하는 스트라이프 형상일 수 있고 능동 구동형의 경우에는 화상이 구현되는 액티브 영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다.
제1 전극(131)과 제2 전극(133)의 사이에 개재된 유기 발광층(132)은 제1 전극(131)과 제2 전극(133)의 전기적 구동에 의해 발광한다. 유기 발광층(132)은 저분자 또는 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 유기 발광층(132)이 저분자 유기물로 형성되는 경우 유기 발광층(132)을 중심으로 제1 전극(131)의 방향으로 홀 수송층 및 홀 주입층 등이 적층되고, 제2 전극(133) 방향으로 전자 수송층 및 전자 주입층 등이 적층된다.
이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층될 수 있다. 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다.
한편, 고분자 유기물로 형성된 고분자 유기층의 경우에는 유기 발광층(132)을 중심으로 제1 전극(131)의 방향으로 홀 수송층(Hole Transport Layer: HTL)만이 포함될 수 있다. 상기 고분자 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 제1 전극(131)층 상부에 형성되며, 고분자 유기 발광층(132)은 PPV, Soluble PPV's, Cyano-PPV, 폴리플루오렌(Polyfluorene) 등을 사용할 수 있으며 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅 또는 레이저를 이용한 열전사방식 등의 통상의 방법으로 컬러 패턴을 형성할 수 있다.
제2 전극(133)상에 제2 전극(133)과 접하도록 도전 부재(150)를 형성한다. 도전 부재(150)는 탄소 나노 튜브를 포함한다. 탄소 나노 튜브를 포함하는 도전 부재(150)는 아크 방전과 같은 방전 방식, CVD, PECVD, 레이저 어뷸레이션, 스크린 인쇄 또는 졸겔법(sol-gel)으로 형성할 수 있다.
도전 부재(150)는 30 내지 99%의 가시광선 투과율 값을 가진다. 이를 통하여 전면 발광형 구조에서도 휘도의 감소를 방지한다. 이러한 가시광선 투과율 값을 가지도록 도전 부재(150)의 두께를 조절하거나 탄소 나노 튜브의 배합을 조절할 수 있다.
또한 도전 부재(150)에 탄소 나노 튜브외에 접착물질을 추가하여 고르게 박막이 형성되도록 할 수 있다.
도전 부재(150)는 제2 전극(133)을 덮도록 제2 전극(133)의 전면에 형성될 수 있다.
도전 부재(150)를 형성하는 탄소나노튜브는, 지구상에 다량으로 존재하는 탄소로 이루어진 탄소동소체로서 하나의 탄소가 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브형태를 이루고 있는 물질이며, 튜브의 직경이 나노미터 수준으로 극히 작은 영역의 물질에 해당된다. 또한 탄소나노튜브는 상온에서 동작이 가능하고, 전도도가 좋으며 반응 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다. 이러한 장점은 탄소나노튜브가 갖는 물성에서 기인하는데, 탄소나노튜브는 육각형 고리로 연결된 탄소들로 이루어진 흑연 판상(sp2)을 둥글게 말아서 생긴 튜브 형태의 분자로 그 직경이 수 내지 수십 ㎚에 이른다. 탄소나노튜브는 강도가 강하면서도 잘 휘고 계속적인 반복 사용에도 손상되거나 마모되지 않는 특성을 가진다.
유기 발광 소자(130)상에 밀봉 부재(160)가 배치될 수 있다. 구체적으로 밀봉 부재(160)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위해 형성한다. 밀봉 부재(160)는 도전 부재(150)상에 배치되어 유기 발광 소자(130)를 밀봉한다. 밀봉 부재(160)는 투명한 재질로 형성할 수 있다. 이를 위해 글라스, 플 라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다. 배면 발광형일 경우에는 밀봉 부재(160)는 불투명한 재질일 수 있다.
제2 전극(133)은 통상 박막으로 형성하게 되므로 유기 발광 표시 장치가 대형화할수록 제2 전극(133)의 표면 저항은 증가한다. 그로 인하여 유기 발광 표시 장치의 동작 시 IR drop현상이 일어나 전압이 감소하고 결과적으로 소비 전력이 증가한다. 그러나 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)는 제2 전극(133)상에 제2 전극(133)과 접하도록 배치되고 탄소 나노 튜브를 구비하는 도전 부재(150)를 포함한다. 그로 인하여 제2 전극(133)의 저항을 낮출 수 있다.
또한 유기 발광 표시 장치는 휴대용으로 사용하는 경우가 많아 외부로부터 충격을 받게 되는 경우가 많다. 유기 발광 표시 장치가 충격을 받게 되면 유기 발광표시 장치에 포함된 다수의 박막이 손상되기 쉽고 특히 유기 발광 소자의 손상으로 유기 발광 표시 장치의 수명이 짧아진다.
그러나 본 발명은 제2 전극(133)상에 탄소 나노 튜브를 포함하는 도전 부재(150)를 포함한다. 탄소 나노 튜브는 구조적 특징으로 인하여 탄성과 강도가 높다. 결과적으로 도전 부재(150)를 통하여 유기 발광 표시 장치(100)의 유기 발광 소자(130)를 충격으로부터 용이하게 보호할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심을 설명하기로 한다. 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(201), 유기 발광 소자(230) 및 도전 부재(250)를 포함한다.
도 1에 도시한 전술한 실시예와 동일한 구조이나 도전 부재(250)와 밀봉 부재(260)가 접촉하는 구성에 있어서만 차이가 있다. 도전 부재(250)의 두께를 조절하거나 밀봉 부재(260)를 접합하는 경우에 공정 조건 등을 조절하여 도전 부재(250)와 밀봉 부재(260)가 접하도록 할 수 있다.
또한 도전 부재(250)를 밀봉 부재(260)상에 형성하고 나서, 밀봉 부재(260)를 기판(201)과 대향하도록 결합하여 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치(200)를 제조할 수 도 있다.
이를 통하여 밀봉 부재(260)에 충격이 가해질 경우에 도전 부재(250)가 이를 완충하는 작용을 할 수 있다. 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 내구성을 향상한다.
또한 밀봉 부재(260)와 유기 발광 소자(230)간의 공간을 줄여서 유기 발광 소자(230)에서 발생한 가시 광선의 간섭 현상을 최소화하여 화질 특성을 향상한다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다. 구체적으로는 수동 구동형(passive matrix type:PM)을 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명한다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(300)는 기판(301), 유기 발광 소자(330) 및 도전 부재(350)를 포함한다.
기판(301)상에 버퍼층(302)이 형성된다. 버퍼층(302)은 SiO2 및/또는 SiNx 등으로 형성할 수 있다.
버퍼층(302)상에 제1 전극(331)이 형성된다. 제1 전극(331)은 소정의 스트라이프 패턴으로 형성되어 있고, 이 제1 전극(331) 상에 이를 구획하도록 내부 절연막(335)이 형성되어 있다.
내부 절연막(335) 상에는 유기 발광층(332) 및 제2 전극(333)의 패터닝을 위해, 제1 전극(331)에 직교하도록 형성된 세퍼레이터(336)가 형성되어 있다. 이 세퍼레이터(336)에 의해, 유기 발광층(332) 및 제2 전극(333)은 제1 전극(331)에 교차하도록 패터닝된다.
제2 전극(333)상에 제2 전극(333)과 접하도록 도전 부재(350)를 형성한다. 도전 부재(350)는 탄소 나노 튜브를 포함한다. 탄소 나노 튜브를 포함하는 도전 부재(350)는 아크 방전과 같은 방전 방식, CVD, PECVD, 레이저 어뷸레이션, 스크린 인쇄 또는 졸겔법(sol-gel)으로 형성할 수 있다.
도전 부재(350)는 30 내지 99%의 가시광선 투과율 값을 가진다. 이를 통하여 전면 발광형 구조에서도 휘도의 감소를 방지한다. 도전 부재(350)는 제2 전극(333)을 덮도록 제2 전극(333)의 전면에 형성될 수 있다.
도전 부재(350) 상으로는 밀봉 부재(360)를 포함하여 유기 발광 소자(330)를 외기로부터 차단한다. 경우에 따라서 세퍼레이터(336) 없이 유기 발광층(332) 및 제2 전극(333)을 패터닝할 수도 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(300)도 제2 전극(333)의 저항 증가로 인한 IR drop 현상을 방지하여 소비 전력을 감소하고 외부의 충격으로부터 유기 발광 소 자(330)를 용이하게 보호하여 내구성을 향상한다.
도 3에는 도전 부재(350)와 밀봉 부재(360)가 접하도록 도시되었으나 도 1에 도시한 것처럼 도전 부재(350)와 밀봉 부재(360)가 접하지 않을 수도 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다. 구체적으로는 능동 구동형(active matrix type:AM)을 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)는 기판(401), 박막 트랜지스터(TFT), 유기 발광 소자(430) 및 도전 부재(450)를 포함한다.
기판(401)의 상면에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 이 박막 트랜지스터(TFT)는 각 화소별로 적어도 하나씩 형성되는 데, 유기 발광 소자(430)에 전기적으로 연결된다.
구체적으로, 기판(401)상에 버퍼층(402)을 형성한다. 버퍼층(402)상에 소정 패턴의 활성층(410)이 형성된다. 활성층(410)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체나 유기 반도체로 형성될 수 있고 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함한다.
소스 및 드레인 영역은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성한 활성층(410)에 불순물을 도핑하여 형성할 수 있다. 3족 원소인 붕소(B)등으로 도핑 하면 p-type, 5족 원소인 질소(N)등으로 도핑 하면 n-type 반도체를 형성할 수 있다.
활성층(410)의 상부에는 게이트 절연막(411)이 형성되고, 게이트 절연 막(411)상부의 소정 영역에는 게이트 전극(412)이 형성된다. 게이트 절연막(411)은 활성층(410)과 게이트 전극(412)을 절연하기 위한 것으로 유기물 또는 SiNx, SiO2같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 전극(412)은 MoW, Al/Cu 등과 같은 물질로 형성하나 이에 한정되지 않고 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 평탄성, 전기 저항 및 가공성등을 고려하여 다양한 재료를 사용할 수 있다.
게이트 전극(412)은 TFT 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다. 게이트 전극(412)의 상부로는 컨택홀을 구비하는 층간 절연막(413)이 형성된다.
컨택홀을 통해 소스 전극(414) 및 드레인 전극(415)이 각각 활성층(410)의 소스 및 드레인 영역에 접하도록 형성한다.
드레인 전극(415)은 콘택홀을 통하여 활성층(410)과 전기적으로 연결된다. 활성층(410)과의 전기적 연결이 용이하도록 드레인 전극(415)을 박막으로 형성하고 콘택홀의 외곽을 덮도록 형성한다.
이렇게 형성한 TFT는 패시베이션막(420)을 덮어 보호한다. 패시베이션막(420)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용하여 형성할 수 있다.
패시베이션막(420)막을 형성하는 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함될 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함될 수 있다.
패시베이션막(420)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성할 수 있다.
패시베이션막(420)에는 비아홀이 형성된다. 비아홀을 통하여 패시베이션막(420)하부에 형성된 드레인 전극(415)이 노출된다. 패시베이션막(420) 상부에는 유기 발광 소자(430)의 제1 전극(431)이 형성된다.
제1 전극(431)은 포토 리소그래피법에 의해 소정의 패턴으로 형성할 수 있다. 제1 전극(431)은 비아홀을 통하여 박막 트랜지스터의 드레인 전극(415)과 전기적으로 연결된다.
제1 전극(431) 및 패시베이션막(420)을 덮도록 절연물로 화소 정의막(440)(pixel define layer)을 형성한다. 화소 정의막(440)에 소정의 개구를 형성한 후, 이 개구로 한정된 영역 내에 유기 발광 소자(430)의 유기 발광층(432)을 형성한다. 그리고, 전체 화소들을 모두 덮도록 유기 발광 소자(430)의 캐소드 전극이 되는 제2 전극(433)을 형성된다.
제2 전극(433)상에 제2 전극(433)과 접하도록 도전 부재(450)를 형성한다. 도전 부재(450)는 탄소 나노 튜브를 포함한다. 탄소 나노 튜브를 포함하는 도전 부재(450)는 아크 방전과 같은 방전 방식, CVD, PECVD, 레이저 어뷸레이션, 스크린 인쇄 또는 졸겔법(sol-gel)으로 형성할 수 있다.
도전 부재(450)는 30 내지 99%의 가시광선 투과율 값을 가진다. 이를 통하여 전면 발광형 구조에서도 휘도의 감소를 방지한다. 도전 부재(450)는 제2 전극(433)을 덮도록 제2 전극(433)의 전면에 형성될 수 있다.
도전 부재(450)상에는 밀봉 부재(460)를 포함하여 유기 발광 소자(430)를 외기로부터 차단한다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)도 제2 전극(433)의 저항 증가로 인한 IR drop 현상을 방지하여 소비 전력을 감소하고 외부의 충격으로부터 유기 발광 소자(430)를 용이하게 보호하여 내구성을 향상한다. 도 4에는 도전 부재(450)와 밀봉 부재(460)가 접하도록 도시되었으나 도 1에 도시한 것처럼 도전 부재(450)와 밀봉 부재(460)가 접하지 않을 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
101, 201, 301, 401: 기판 130, 230, 330, 430: 유기 발광 소자
131, 231, 331, 431: 제1 전극 132, 232, 332, 432: 유기 발광층
133, 233, 333, 433: 제2 전극 150, 250, 350, 450: 도전 부재
160, 260, 360, 460: 밀봉 부재 302, 402: 버퍼층
335: 내부 절연막 336: 세퍼레이터
410: 활성층 411: 게이트 절연막
412: 게이트 전극 413: 층간 절연막
414: 소스 전극 415: 드레인 전극
420: 패시베이션막 440: 화소 정의막
100, 200, 300, 400: 유기 발광 표시 장치

Claims (5)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극; 및
    상기 제2 전극상에 상기 제2 전극과 접하도록 배치되는 도전 부재를 포함하고,
    상기 도전 부재는 탄소 나노 튜브를 구비하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 도전 부재의 가시광선 투과율은 30 내지 99%인 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 도전 부재는 상기 제2 전극을 덮도록 배치되는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극, 유기 발광층, 제2 전극을 밀봉하도록 상기 제2 전극상에 배치된 밀봉 부재를 더 포함하고,
    상기 도전 부재는 상기 제2 전극과 밀봉 부재 사이의 공간을 충진하도록 배 치된 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 도전 부재는 상기 제2 전극 및 상기 밀봉 부재와 접하도록 배치되는 유기 발광 표시 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160051828A (ko) * 2013-09-04 2016-05-11 오스람 오엘이디 게엠베하 유기 광전자 부품

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101097454B1 (ko) * 2009-02-16 2011-12-23 네오뷰코오롱 주식회사 Ｏｌｅｄ 패널의 화소 회로, 이를 이용한 표시 장치 및 ｏｌｅｄ 패널의 구동 방법
US8766269B2 (en) * 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
KR101047721B1 (ko) 2010-03-09 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US9245833B2 (en) * 2012-08-30 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal pads with openings in integrated circuits
KR102084288B1 (ko) * 2012-11-05 2020-03-03 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 아이엔씨. 디스플레이의 휘도 보상

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7026658B2 (en) * 2003-03-13 2006-04-11 Samsung Sdi, Co., Ltd. Electrical conductors in an electroluminescent display device
US20060099448A1 (en) * 2003-04-28 2006-05-11 Zheng-Hong Lu Top light-emitting devices with fullerene layer
US7772756B2 (en) * 2003-08-01 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device including a dual emission panel
US20070090387A1 (en) * 2004-03-29 2007-04-26 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits
US7358538B2 (en) * 2004-10-28 2008-04-15 Zheng-Hong Lu Organic light-emitting devices with multiple hole injection layers containing fullerene
US20060228543A1 (en) * 2005-04-12 2006-10-12 Zheng-Hong Lu Metal/fullerene anode structure and application of same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160051828A (ko) * 2013-09-04 2016-05-11 오스람 오엘이디 게엠베하 유기 광전자 부품

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