KR20090128082A - 무용제 타입 전도성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양광 전지의 전극 제조에 유용한 도전성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 다관능성 모노머 또는 올리고머, 도전성 금속 재료, 유리 프릿(frit) 및 광개시제를 포함하는 본 발명에 의한 무용제 타입 도전성 페이스트 조성물은 전극 제조시 건조 공정을 생략할 수 있어서 전극 생산 시간과 생산 설비를 간략하게 할 수 있다는 장점이 있을 뿐 아니라 전극의 소성후 무너짐을 방지할 수 있어서 수광영역을 증가시키고 광전환 효율을 증가시킬 수 있다.
태양광 전지, 전극 페이스트, 다관능성 모노머, 광 개시제, 무용제 타입 페이스트
Description
본 발명은 도전성 페이스트 조성물, 특히 태양광 전지의 전극 제조에 유용한 무용제 타입 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
태양광 전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 반도체 소자로서 일반적으로 p형의 반도체와 n형의 반도체의 접합형태를 가지며 그 기본 구조는 다이오드와 동일하다.
태양광 전지에 빛이 입사되면 흡수되어 빛과 태양광 전지의 반도체를 구성하고 있는 물질과의 상호작용이 일어난다. 그리고 (-)전화와 (+)전하를 띤 전자와 전자가 빠져나간 정공이 발생하여 전류가 흐르거나 전기 그 자체가 발생하기도 한다. 이것을 반도체의 광전효과라고 한다.
반도체에는 (-)전하를 띤 전자를 끌어당기는 n형 반도체와 (+)전하를 띠는 정공을 끌어당기는 p형 반도체의 두 종류가 있는데, 반도체에서 발생한 (-)전하는 n형 반도체 쪽으로, (+)전하는 p형 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각각 양쪽의 전극부에 모이면, 양쪽의 전극을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있게 된다.
결정질 실리콘 태양광 전지(crystalline silicon solar cell)는 크게 단결정(single crystalline) 형태와 다결정(polycrystalline) 형태의 재료로 나뉘며 기본적으로 p-n동종접합(homojunction)으로서 태양광 전지에 사용된다. 단결정은 순도가 높고 결정 결함 밀도가 낮은 고품위의 재료로서 당연히 높은 효율을 달성할 수 있으나 고가인 반면, 다결정 재료는 상대적으로 저급한 재료를 저렴한 공정으로 처리하여 상용화가 가능한 정도의 효율의 전지를 낮은 비용으로 생산하려는 의도로 사용된다. 단결정 실리콘을 사용한 전지는 집광장치를 사용하지 않은 경우의 기록이 약 24% 정도이며 집광장치를 사용한 전지는 28%이상의 효율이 있음이 알려져 있다. 그리고, 다결정 실리콘 전지는 약 18% 효율이 있음이 알려져 있는데, 실질적으로 효율의 도달 한계치는 단결정이 35%, 다결정이 19%정도가 된다.
기존 태양광 전지 제조에 사용되는 전극용 페이스트 조성물은 비반응성 용제를 사용하여 제조된 전극 페이스트를 인쇄한 후 150 내지 250℃ 온도범위 내에서 1 내지 2분간 가열 건조하는 단계를 거치고 750℃에서 수십 초 동안 소성공정을 거치기 때문에 생산성이 낮을 뿐 아니라 소성시 막 무너짐의 문제가 있다.
따라서 본 발명의 목적은 전극 패턴 인쇄 후 가열 건조 없이 진행하여 생산성 개선시키고 소성시 막 무너짐을 개선시킬 수 있는 전도성 페이스트 조성물을 제공하고자 하는 것이다.
상기 목적에 따라, 본 발명에서는 다관능성 모노머 또는 올리고머, 도전성 금속 재료, 유리 프릿 및 광개시제를 포함하는 무용제 타입 도전성 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 도전성 페이스트 조성물을 사용하여 전극을 제조하는 방법 및 이러한 방법으로 제조된 전극을 표면 전극으로 포함하는 태양광 전지를 제공한다.
본 발명에 의한 무용제 타입의 전극 페이스트 조성물은 인쇄 후 가열 건조 없이 공정을 진행하여 생산성 건조라인의 간략화 및 공정시간 개선시키고 소성시 막 무너짐을 개선시킨다. 따라서 본 발명의 도전성 페이스트에 의하여 형성되는 표면 전극을 태양광 전지셀에 적용한다면 수광 면적이 크고 또한 광전 변환율이 높은 태양광 전지 셀을 얻을 수 있다.
이하에서는 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명에 의한 무용제타입 도전성 페이스트 조성물은 다관능성 모노머 또는 올리고머, 도전성 금속 재료, 유리 프릿 및 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 본 발명에 의한 조성물은 5 ∼ 30중량%의 다관능성 모노머 또는 올리고머, 60 ∼ 90중량%의 도전성 금속 재료, 1 ∼ 10중량%의 유리 프릿 및 0.1 ∼ 5중량%의 광개시제를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 도전성 페이스트 조성물에 사용되는 다관능성 모노머는 디아크릴레이트 또는 트리아크릴레이트인 것이 바람직하며, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트 또는 헥산디올디아크릴레이트인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 의한 조성물에 사용되는 다관능성 올리고머는 디올, 이소시아네이트 및 아크릴레이트를 반응시켜 얻은 우레탄 아크릴레이트인 것이 바람직하다. 이 때, 디올은 폴리테트라메틸렌글리콜 또는 프로필렌글리콜이고, 이소시아네이트는 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 또는 톨루엔 디이소시아네이트(TDI)이며, 아크릴레이트는 하이드록시에틸메타크릴레이트 또는 하이드록시에틸아크릴레이트인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 의한 조성물에 사용되는 다관능성 올리고머의 분자량은 5,000 내지 50,000 인 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 조성물은 필요에 따라 통상적으로 알려져 있는 첨가제, 예를 들면, 광증감제, 중합금지제, 분산제, 탈포제, 레벨링제를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 도전성 페이스트에 사용되는 도전성 금속 재료로는 은 분말, 구리분말, 니켈 분말, 알루미늄 분말 등이 사용될 수 있는데, 그 중에서 은 분말이 가장 바람직하다. 이하에서는 편의상 은 분말을 예로 들어 도전성 금속재료에 대해 설명한다.
은 분말은 평균입경은 0.5~5㎛이며, 그 형상이 구상(球狀), 침상(針狀), 판상(板狀) 그리고 무정상(無定狀) 중 적어도 1종 이상일 수 있다. 은 분말의 평균입경은 페이스트화 용이성 및 소성시 치밀도를 고려할 때 0.5㎛ 내지 5㎛이 바람직하다. 그리고, 은 분말의 함량은 인쇄시 형성되는 전극 두께 및 전극의 선저항을 고려할 때 도전성 페이스트 조성물 총중량을 기준으로 60 내지 90 중량%가 바람직하다.
또한 본 발명의 조성물에 사용되는 유리 프릿은 평균 입경 0.5~5㎛ 이며, 그 성분이, PbO 43 ~ 91 wt%, SiO2 21 wt% 이하, B2O3+Bi2O3 25 wt%이하, Al2O3 7wt% 이하, ZnO 20 wt% 이하, Na2O+K2O+Li2O 15 wt% 이하, BaO+CaO+MgO+SrO 15 wt% 이하인 유리분말중 적어도 1종 이상인 것이 바람직하며, 유리 연화온도가 320℃~520℃, 열팽창 계수가 62 ~ 110 × 10-7 /℃ 인 것이 바람직하다. 유리 프릿의 함량은 도전성 페이스트 조성물 총중량을 기준으로 1 내지 10중량%가 바람직한데, 1 중량% 미만이면 불완전 소성이 이루어져 전기 비저항이 높아질 우려가 있고, 10 중량% 초과하면 은 분말의 소성체 내에 유리 성분이 너무 많아져 전기 비저항이 역시 높아질 우려가 있다.
본 발명에 의한 도선성 페이스트 조성물은 태양광 전지의 표면 전극 제조에 유용하다. 도 1은 태양광 전지의 구조를 설명하는 개략도이다. 실리콘 기판은 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘일 수 있다. 수광에 따라서 기전력을 만들어 내도록, p-n 접합이 수광면 근처에 형성된다. p-n접합의 형성에는 기판을 p형으로 하고 확산에 의하여 수광면측을 n형으로 하여도 좋고 역으로 기판1을 n형으로 하고 수광면측을 p-형으로 하여도 좋다.
태양전지 셀의 수광면에는 수광면에 있어서 반사를 방지하고 수광효율을 올리기 위해 CVD(화학적 증착법)등의 방법에 의해 반사방지층을 설치한다. 반사방지층은 산화티탄, 이산화규소, 질화규소 등으로 형성할 수 있고, 그 중에서도 질화규소가 디바이스로서의 안정성이 우수하기 때문에 바람직하다. 반사방지층은 패시베이션층으로도 사용이 가능하다. 반사 방지층의 두께는 통상 50 내지 100nm정도이다. 실리콘 기판의 이면에 형성된 이면 전극은 알루미늄 등의 도전성 금속재료를 도포하고 건조시켜 제조한다. 본 발명에 의한 도전성 페이스트는 반사방지층의 표면에 형성된 표면 전극에 이용될 수 있다. 표면 전극 패턴을 형성하고 건조 후 표면 전극과 이면 전극을 동시에 소성하다. 표면 전극의 패턴의 형상으로서는 평행선과 격자 등을 예로 들 수 있다.
본 발명에 의한 도정성 페이스트 조성물을 사용하여 전극을 제조하기 위해서는 먼저, 본 발명에 의한 무용제 타입 도전성 페이스트 조성물을 기판 상에 인쇄하는 단계와, 인쇄된 전극 페이스트를 포토마스크를 사용하여 자외선에 선택적으로 노광시키는 단계와, 상기 자외선에 선택적으로 노광된 상기 전극 페이스트를 현상액으로 현상하여 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 전극 페이스트를 소성시켜 전극을 형성하는 단계를 실시한다.
본 발명에 의한 도전성 페이스트 조성물은 스크린 프린팅, 그라비어 옵셋 공법, 로터리 스크린 프린팅 공법 또는 리프트 오프법 등 다양한 인쇄법을 사용하여 기판 상에 인쇄될 수 있다. 이렇게 형성된 전극은 10 내지 40㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 도전성 페이스트 조성물로 패터닝 된 전극 페이스트는 별도의 건조 공정 없이 700 내지 900℃의 온도에서 수초간 소성될 수 있다.
본 발명의 조성물을 사용하여 제조된 태양광 전지 셀은 그 기능을 향상시키기 위한 추가의 요소를 가질 수 있다. 예를 들면 표면 전극의 표면에 전지 성능의 신뢰성을 향상시키기 위해 용접층을 설치할 수 있다.
본 발명에 의한 도전성 페이스트로 형성되는 표면 전극은 종횡비(높이/폭) 0.3 이상을 실현할 수 있기 때문에 이 표면 전극을 태양전지 셀에 적용한다면 태양전지 셀에 있어서 수광 면적을 93% 이상으로 높일 수 있다. 또한 본 발명에 의한 도전성 페이스트는 소성하는 경우 선 저항이 저하되기 때문에 수광에 의하여 발생한 기전력을 전류로서 효율적으로 사용할 수 있게 한다.
이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
<
제조예
1>
올리고머
1의 제조
1L 플라스크에 폴리테트라메틸렌글리콜(PTMG 1000, 제조원: Ausimount사, 이탈리아) 375.27g 및 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 89.38g을 혼합하고 40 내지 60℃로 가온한 후 n-부틸틴라우레이트(DBTL) 0.10g을 첨가하였다. 200 내지 300 rpm으로 교반하면서 발열이 끝난 후 온도를 65 내지 85℃로 유지하면서 -OH 피크가 소멸할 때까지 반응시켰다. IR 상에 -OH 피크가 완전히 소멸되면 하이드로퀴논모노메틸에테르(HQMME) 0.13g, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트(2-HEMA) 34.85g을 첨가하고, 발열이 종료되면 온도를 70 내지 90℃로 유지하여 IR 상의 -NCO 피크가 완전히 소멸될 때까지 반응시킴으로써, 우레탄 올리고머를 제조하였다. 제조된 올리고머의 점도(브룩필드 점도계)는 25,000cps이고 분자량(GPC)은 6,000이다.
<
제조예
2>
올리고머
2의 제조
폴리테트라메틸렌글리콜로서 PTMG 1000 대신 PTMG 2000(제조원: Ausimount사, 이탈리아)을 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 우레탄 올리고머를 제조하였다. 제조된 올리고머의 점도(브룩필드 점도계)는 65,000cps 이고 분자량(GPC)은 18,000이다.
<
제조예
3> 바인더 1의 제조
1L 플라스크에 에틸셀룰로오스(ethyl cellulose; 상품명 Ethocel Std, 미국 다우 케미칼사) 25g를 텍사놀(Texanol, 이스트만사) 130g와 디옥틸프탈레이트(DOP)10g를 혼합 용매중에서 85℃에서 1시간 용해 반응을 행하여 바인더 수지를 제조하였다.
<
제조예
4> 바인더 2의 제조
텍사놀(Texanol, 이스트만사)을 130g 대신 90g 사용한 것을 제외하고는 제조예 3과 동일한 방법으로 바인더 수지를 제조하였다.
전도성 페이스트 조성물의 제조
<
실시예
1>
제조예 2에 의해 제조된 올리고머 8.3g, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(TMPTA) 9.3g , 광개시제(Irga907, 시바사) 0.2g, 분산제(BYK110, BYK Chemi사) 0.5g, 프릿(평균 입경 1미크론) 5g을 넣고 삼본밀을 사용하여 분산하고 은 분말(구상, 평균 입경 1미크론) 78g을 혼합하고 또한 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하고 도전성 페이스트를 제조했다. 이 도전성 페이스트를 325 서스 메쉬 필터를 사용하여 여과한 후 물성을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<
실시예
2>
제조예 1에 의해 제조된 올리고머 10g, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(TMPTA) 6g, 광개시제(Irga907, 시바사) 0.5g, 분산제(BYK110, BYK Chemi사) 0.5g, 프릿(평균 입경 1미크론) 5g을 넣고 삼본밀을 사용하여 분산하고 은 분말(구상, 평균 입경 1미크론) 78g을 혼합하고 또한 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하고 도전성 페이스트를 제조했다. 이 도전성 페이스트를 325 서스 메쉬 필터를 사용하여 여과한 후 물성을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<
실시예
3>
제조예 1에 의해 제조된 올리고머 10g, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(TMPTA) 5.5g, 광개시제(Irga907, 시바사) 1g, 분산제(BYK110, BYK Chemi사) 0.5g, 프릿(평균 입경 1미크론) 5g을 넣고 삼본밀을 사용하여 분산하고 은 분말(구상, 평균 입경 1미크론) 78g을 혼합하고 또한 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하고 도전성 페이스트를 제조했다. 이 도전성 페이스트를 325 서스 메쉬 필터를 사용하여 여과한 후 물성을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<
실시예
4>
제조예 1에 의해 제조된 올리고머 8.5g, 트리메틸올프로판트리아크릴레이 트(TMPTA) 5.g, 광개시제(Irga907, 시바사) 1g, 분산제(BYK110, BYK Chemi사) 0.5g, 프릿(평균 입경 1미크론) 5g을 넣고 삼본밀을 사용하여 분산하고 은 분말(구상, 평균 입경 1미크론) 80g을 혼합하고 또한 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하고 도전성 페이스트를 제조했다. 이 도전성 페이스트를 325 서스 메쉬 필터를 사용하여 여과한 후 물성을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<
실시예
5>
제조예 1에 의해 제조된 올리고머 7.5g, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(TMPTA) 4g, 광개시제(Irga907, 시바사) 1g, 분산제(BYK110, BYK Chemi사) 0.5g, 프릿(평균 입경 1미크론) 5g을 넣고 삼본밀을 사용하여 분산하고 은 분말(구상, 평균 입경 1미크론) 82g을 혼합하고 또한 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하고 도전성 페이스트를 제조했다. 이 도전성 페이스트를 325 서스 메쉬 필터를 사용하여 여과한 후 물성을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 1>
제조예 3에서 제조된 바인더 수지 16.5g, 분산제(BYK110, BYK Chemi사) 0.5g, 프릿(평균 입경 1미크론) 5g, 은 분말(구상, 평균 입경 1미크론) 78g을 혼합하고 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하고 도전성 페이스트를 제조했다. 이 도전성 페이스트를 325 서스 메쉬 필터를 사용하여 여과한 후 물성을 평 가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 2>
제조예 4에서 제조된 바인더 수지 12.5g, 분산제(BYK110, BYK Chemi사) 0.5g, 프릿(평균 입경 1미크론) 5g, 은 분말(구상, 평균 입경 1미크론) 82g을 혼합하고 삼본밀을 사용하여 분산하였다. 그 뒤 감압 탈포하고 도전성 페이스트를 제조했다. 이 도전성 페이스트를 325 서스 메쉬 필터를 사용하여 여과한 후 물성을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
물성 평가
실시예 및 비교예에서 얻은 도전성 페이스트의 물성 평가는 아래와 같은 방법에 의하여 행하였다.
(1) 점도 및 칙소(thixo) 지수
점도의 측정은 비스코미터(Hakke 사, RV1)를 사용하여 Ti 35 스핀들을 사용하여 전단속도(shear rate) 10s-1에서 측정했다. 칙소 지수는 마찬가지로 전단속도 1 s-1과 10s-1에 점도를 각각 측정하였고, 점도비는 (1s-1으로 측정한 점도/10s-1으로 측정한 점도)으로 표현했다.
(2) 종횡비
325 메쉬 제판을 사용하여 폭 100㎛ 인쇄성을 확인하였다. 스크린 프린터를 사용하여 스퀴즈 속도 40cm/min으로 인쇄하였다. 인쇄 후 UV 경화기(Fusion사)를 사용하여 300mJ광량으로 노광하였다. 그 뒤 소성로(시에라썸사)에 최고 도달점 750℃로 소성하고 인쇄 형상을 관찰하고 종횡비(A/R) 를 구했다. 소성시 막 무너짐의 정도는 소성 전 및 소성 후 종횡비의 변화를 비교해 봄으로써 알 수 있다.
(3) 저항 측정
폭 100㎛의 선폭과 두께를 측정하고 멀티미터(Fluke 사)를 사용하여 저항을 측정하여 저항 × 선폭 × 두께 / 길이를 사용하여 비저항을 계산하였다.
표 1의 결과를 보면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 5의 도전성 페이스트는 소성 전 및 소성 후 종횡비를 비교해 볼 때 그 변화가 작으므로, 막 무너짐이 감소하였으나, 비교예의 조성물은 그 변화가 커 막 무너짐이 심한 것을 알 수 있다
또한 실시예 1 내지 5를 비교해 보면, 개시제 양이 증가할수록 종횡비가 높아짐을 알 수 있고 이는 소성시 막 무너짐을 방지효과가 우수해짐을 의미한다. 또한 은 분말 함량이 높아질수록 저항이 개선되고 종횡비도 0.3 이상까지 증가됨을 알 수 있다.
특히, 실시예 5의 도전성 화합물에서는 소성전 0.35/소성후 0.31까지 종횡비를 개선하는 것에 성공했다. 종횡비가 개선됨으로써 수광 면적이 늘어나고 선저항이 감소될 수 있었다.
도 1은 일반적인 태양광 전지의 구조를 설명하는 개략도이다.
Claims (16)
- 다관능성 모노머 또는 올리고머, 도전성 금속 재료, 유리 프릿 및 광개시제를 포함하는 무용제 타입 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 5 ∼ 30중량%의 다관능성 모노머 또는 올리고머, 60 ∼ 90중량%의 도전성 금속 재료, 1 ∼ 10중량%의 유리 프릿 및 0.1 ∼ 5중량%의 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 다관능성 모노머는 디아크릴레이트 또는 트리아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 다관능성 모노머는 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트 또는 헥산디올디아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 다관능성 올리고머는 디올, 이소시아네이트 및 아크릴레이트를 반응시켜 얻은 우레탄 아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 디올은 폴리테트라메틸렌글리콜 또는 프로필렌글리콜인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 이소시아네이트는 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 또는 톨루엔 디이소시아네이트(TDI)인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 아크릴레이트는 하이드록시에틸메타크릴레이트 또는 하이드록시에틸아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 다관능성 올리고머의 분자량은 5,000 내지 50,000 인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 광증감제, 중합금지제, 분산제, 탈포제, 레벨링제, 요변제 로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 도전성 페이스트 조성물을 기판 상에 인쇄하는 단계와, 인쇄된 전극 페이스트를 포토마스크를 사용하여 자외선에 선택적으로 노광시키는 단계와, 상기 자외선에 선택적으로 노광된 상기 전극 페이스트를 현상액으로 현상하여 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 전극 페이스트를 소성시켜 전 극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 전극은 10 내지 40㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 패터닝된 전극 페이스트는 700 내지 900℃의 온도에서 소성되는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 도전성 페이스트 조성물은 스크린 프린팅, 그라비어 옵셋 공법, 로터리 스크린 프린팅 공법 또는 리프트 오프법으로 기판 상에 인쇄되는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 전극이 태양광 전지의 표면전극인 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
- 제 11 항의 방법으로 제조된 전극을 표면 전극으로 포함하는 태양광 전지.
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