KR20090124062A - Apparatus and method for processing a substrate - Google Patents

Apparatus and method for processing a substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20090124062A
KR20090124062A KR1020080050059A KR20080050059A KR20090124062A KR 20090124062 A KR20090124062 A KR 20090124062A KR 1020080050059 A KR1020080050059 A KR 1020080050059A KR 20080050059 A KR20080050059 A KR 20080050059A KR 20090124062 A KR20090124062 A KR 20090124062A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist film
developing
unit
developing process
development
Prior art date
Application number
KR1020080050059A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100979757B1 (en
Inventor
김철우
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080050059A priority Critical patent/KR100979757B1/en
Publication of KR20090124062A publication Critical patent/KR20090124062A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100979757B1 publication Critical patent/KR100979757B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70608Monitoring the unpatterned workpiece, e.g. measuring thickness, reflectivity or effects of immersion liquid on resist
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70533Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE: An apparatus and method for processing a substrate are provided to improve efficiency and reliability of the developing process by sensing the thickness variance of the photoresist film. CONSTITUTION: The develop unit(110) is proceed by the developing process of the photoresist film formed in the top of the substrate. While the photolithography process of the photoresist film operates, the sensor(121) senses the thickness of the photoresist film. The operation unit(122) computes the time to be required to the developing process according to the thickness variance of the photoresist film. The controller(123) controls the operation of the develop unit. The fixing part(124) resets the standards developing process time. In case the standards developing process time does not accord to development process time, the controller stops the operation of the develop unit.

Description

기판 처리 장치 및 방법{apparatus and method for processing a substrate}Apparatus and method for processing a substrate

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 포토레지스트 막이 형성된 기판을 가공하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for processing a substrate on which a photoresist film is formed.

일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 소자들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.In general, semiconductor devices include a fabrication (fab) process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, and an electrical die sorting (EDS) process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process. And a package process for encapsulating and individualizing the semiconductor devices with an epoxy resin, respectively.

상기 팹 공정은 다양한 단위 공정들을 포함하며, 상기 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 증착 공정을 통해 상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정에서 사용되는 포토레지스트 패턴을 상기 막 상에 형성하기 위해 수행된다.The fab process may include various unit processes, and among the unit processes, the photolithography process may include a photoresist pattern used in an etching process for forming a film formed on the silicon wafer into a pattern having electrical properties through a deposition process. To form on the film.

상기 포토리소그래피 공정은 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 상기 포토레지스트 막에 포함된 용제의 휘발(volatilization)과 상기 포토레지스트 막을 고체화(solidification)를 위한 소 프트(soft) 베이크 공정과, 상기 소프트 베이크 공정을 통해 고체화된 포토레지스트 막 상에 포토 마스크 패턴(photo mask pattern)을 전사하기 위한 노광 공정과, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 반도체 기판으로 조사되는 광의 산란에 의한 해상도 저하를 방지하기 위한 노광 후 베이크(post exposure bake; 이하 'PEB'라 한다) 공정과, 상기 노광 처리된 포토레지스트 막을 부분적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상 공정과, 상기 현상된 포토레지스트 패턴의 강화를 위한 하드(hard) 베이크 공정 등을 포함할 수 있다.The photolithography process includes a photoresist coating process for forming a photoresist film on the wafer, volatilization of a solvent contained in the photoresist film, and a softening for solidification of the photoresist film. A baking process, an exposure process for transferring a photo mask pattern onto the photoresist film solidified through the soft baking process, and scattering of light irradiated onto the semiconductor substrate during the exposure process. A post exposure bake process to prevent a decrease in resolution, a development process for forming a photoresist pattern by partially removing the exposed photoresist film, and the developed photo And a hard bake process for strengthening the resist pattern.

상기 현상 공정은 기 설정된 기준 현상 공정 조건에 따라 상기 포토레지스트 막으로 현상액을 제공하여 수행된다. 작업자가 현상된 포토레지스트 막을 정기적으로 검사하여 상기 현상 공정이 정상적으로 수행되는지를 확인한다. 따라서, 상기 현상 공정의 불량 발생을 실시간으로 발견할 수 없으며, 상기 현상 공정의 불량을 확인하는데 많은 시간이 소요된다. 그리고, 상기 현상 공정이 불량한 기판을 선별하지 못하여 반도체 소자의 품질 및 수율이 저하될 수 있다.The developing process is performed by providing a developing solution to the photoresist film according to preset reference developing process conditions. An operator periodically inspects the developed photoresist film to confirm that the developing process is normally performed. Therefore, it is impossible to find out the occurrence of the defect of the developing process in real time, and it takes a lot of time to confirm the defect of the developing process. In addition, the quality of the semiconductor device may be deteriorated because the developing process fails to select a poor substrate.

본 발명은 포토레지스트 막의 현상 공정을 모니터링할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of monitoring a developing process of a photoresist film.

본 발명은 포토레지스트 막의 현상 공정을 모니터링할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing method capable of monitoring a developing process of a photoresist film.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행하는 현상 유닛 및 상기 현상 유닛의 일측에 구비되며 상기 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막의 두께를 감지하는 감지부, 상기 감지부에서 감지되는 상기 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 상기 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하는 연산부 및 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 갖는 모니터링 유닛을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a developing unit for performing a developing process of a photoresist film formed on a substrate and a sensing unit provided at one side of the developing unit and sensing a thickness of the photoresist film during the developing process of the photoresist film. The developing unit may calculate a time required for the developing process according to a change in the thickness of the photoresist film detected by the sensing unit, and the developing unit may be configured according to whether the developing process time calculated by the calculating unit matches the reference developing process time. It may include a monitoring unit having a control unit for controlling the operation.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 현상 유닛의 동작을 중단하며, 상기 모니터링 유닛은 상기 기준 형상 공정 시간을 재설정하는 설정부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the reference developing process time and the actual developing process time do not match, the controller stops the operation of the developing unit, and the monitoring unit is set to reset the reference shape process time. It may further include wealth.

상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 유닛의 동작을 유지시킬 수 있다.When the development of the photoresist film is not completed within the reference development process time, the controller may maintain the operation of the developing unit until the development of the photoresist film is completed.

상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되는 경우, 상기 제어부는 상기 현상 유닛의 동작을 즉시 중단할 수 있다. When the development of the photoresist film is completed before the reference development process time, the controller may immediately stop the operation of the developing unit.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 모니터링 유닛은 상기 포토레지스트 막의 두께, 기준 현상 공정 시간 및 상기 현상 공정 소요 시간을 표시하는 표시부를 더 포함할 수 있다.According to another embodiment of the invention, the monitoring unit may further include a display unit for displaying the thickness of the photoresist film, the reference development process time and the development process time.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 모니터링 유닛은 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부의 제어 신호에 따라 알람을 발생하는 알람부를 더 포함할 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present disclosure, the monitoring unit may further include an alarm unit that generates an alarm according to a control signal of the controller when the reference developing process time and the actual developing process time do not match.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행하고, 상기 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막의 두께를 감지하고, 상기 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 상기 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하고, 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 공정을 제어할 수 있다.In the substrate treating method according to the present invention, the development process of the photoresist film formed on the substrate is performed, the thickness of the photoresist film is sensed while the development process of the photoresist film is performed, and the development is performed according to the thickness change of the photoresist film. The time required for the process may be calculated, and the developing process may be controlled according to whether the developing process time calculated by the calculating unit coincides with the reference developing process time.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우 상기 현상 공정을 중단하고, 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정하여 상기 현상 공정을 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, when the reference developing process time does not match the actual developing process time, the developing process may be stopped and the developing process may be controlled by resetting the reference developing process time.

상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되지 않는 경우 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 공정을 유지시킬 수 있다. When the development of the photoresist film is not completed within the reference development process time, the development process may be maintained until the development of the photoresist film is completed.

상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되는 경우 상기 현상 공정을 즉시 중단할 수 있다.When the development of the photoresist film is completed before the reference development process time, the development process may be immediately stopped.

본 발명에 따르면 현상 공정이 수행되는 동안 포토레지스트 막의 두께 변화를 감지하여 상기 현상 공정의 이상 여부를 확인할 수 있다. 상기 현상 공정에 이상이 있는 경우, 상기 현상 공정을 중단하여 상기 포토레지스트 막의 현상 불량을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 현상 공정의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, during the development process, the thickness change of the photoresist film may be sensed to determine whether the development process is abnormal. When there is an abnormality in the developing process, the developing process may be stopped to prevent development failure of the photoresist film. Therefore, the efficiency and reliability of the development process can be improved.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a substrate processing apparatus and method according to an embodiment of the present invention. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 기판 처리 장치(100)는 현상 유닛(110) 및 현상 공정 조건 설정 유닛(120)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a developing unit 110 and a developing process condition setting unit 120.

상기 현상 유닛(110)은 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)을 현상하는 것으로, 척(112) 및 분사 노즐(114)을 포함한다.The developing unit 110 develops the photoresist film 20 formed on the substrate 10 and includes a chuck 112 and a spray nozzle 114.

상기 척(112)은 상기 포토레지스트 막(20)이 형성된 기판(10)을 지지하며 고정한다. 상기 척(112)의 예로는 정전기력을 이용하여 상기 기판(10)을 고정하는 정전척, 진공력을 이용하여 상기 기판(10)을 고정하는 진공척 등을 들 수 있다.The chuck 112 supports and fixes the substrate 10 on which the photoresist film 20 is formed. Examples of the chuck 112 include an electrostatic chuck that fixes the substrate 10 by using electrostatic force, and a vacuum chuck that fixes the substrate 10 by using vacuum force.

또한, 상기 척(112)은 회전 구동부(미도시)의 구동력에 의해 회전할 수 있다.In addition, the chuck 112 may be rotated by a driving force of a rotation driver (not shown).

상기 분사 노즐(114)은 상기 척(112) 상에 배치되며, 상기 척(112)에 고정된 기판(10)으로 현상액(30)을 분사한다. 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다. 일 예로, 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)에서 노광된 부위를 선택적으로 현상할 수 있다. 다른 예로, 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)에서 노광되지 않은 부위를 선택적으로 현상할 수 있다.The spray nozzle 114 is disposed on the chuck 112, and sprays the developer 30 onto the substrate 10 fixed to the chuck 112. The developer 30 develops the photoresist film 20. For example, the developer 30 may selectively develop portions exposed in the photoresist film 20. As another example, the developer 30 may selectively develop unexposed portions of the photoresist film 20.

상기 현상 공정 조건 설정 유닛(120)은 상기 현상 유닛(110)의 공정 조건을 설정하기 위한 것으로, 감지부(121), 연산부(122), 제어부(123), 설정부(124), 표시부(125) 및 알람부(126)를 포함한다. The developing process condition setting unit 120 is for setting the process conditions of the developing unit 110, and includes a sensing unit 121, a calculating unit 122, a control unit 123, a setting unit 124, and a display unit 125. ) And an alarm unit 126.

상기 감지부(121)는 상기 현상 유닛(110)의 척(112) 상에 배치된다. 상기 감지부(121)는 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 감지한다. 따라서, 상기 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막(20)의 두께 변화를 확인할 수 있다. 상기 감지부(121)에서 감지된 상기 포토레지스트 막(20)의 두께에 관한 데이터는 상기 연산부(122)로 전송된다.The detector 121 is disposed on the chuck 112 of the developing unit 110. The detector 121 detects a thickness of the photoresist film 20. Therefore, the thickness change of the photoresist film 20 may be confirmed while the developing process is performed. Data about the thickness of the photoresist film 20 detected by the detector 121 is transmitted to the calculator 122.

상기 감지부(121)는 상기 포토레지스트 막(20)으로 제공하기 위한 광을 발생시키는 광원과, 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광을 측정하는 광 측정 부, 상기 광 측정부에 의해 측정된 광 신호를 분석하여 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 검출하는 프로세서를 포함한다.The detector 121 is a light source for generating light for providing to the photoresist film 20, a light measuring unit for measuring the light reflected from the photoresist film 20, measured by the light measuring unit And a processor for detecting the thickness of the photoresist film 20 by analyzing the light signals.

상기 광원은 레이저빔(laser beam)과 같은 광을 발생시키며, 바람직하게는 적색 레이저빔을 발생시킨다. 상기 광은 상기 세정액(30)을 통과하여 상기 포토레지스트 막(20)으로 제공되고, 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광은 상기 광 측정부에 의해 측정된다. The light source generates light, such as a laser beam, and preferably generates a red laser beam. The light passes through the cleaning liquid 30 and is provided to the photoresist film 20, and the light reflected from the photoresist film 20 is measured by the light measuring unit.

상기 광 측정부는 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광의 간섭 신호를 측정한다.The light measuring unit measures an interference signal of light reflected from the photoresist film 20.

상기 프로세서는 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광 신호의 간섭 신호로부터 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 검출할 수도 있다. 예를 들면, 상기 반사된 광은 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사되는 제1 반사광과 상기 기판(10)으로부터 반사되는 제2 반사광으로 이루어지고, 상기 프로세서는 제1 반사광과 제2 반사광의 위상 차이에 따라 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 검출하게 된다.The processor may detect the thickness of the photoresist film 20 from the interference signal of the optical signal reflected from the photoresist film 20. For example, the reflected light may include a first reflected light reflected from the photoresist film 20 and a second reflected light reflected from the substrate 10, and the processor may include a phase of the first reflected light and the second reflected light. According to the difference, the thickness of the photoresist film 20 is detected.

상기 연산부(122)는 상기 감지부(121)와 연결되며, 상기 감지부(121)로부터 전송되는 상기 포토레지스트 막(20)의 두께 데이터를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시간을 연산한다. 예를 들면, 상기 연산부(122)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상에 소요되는 시간을 연산할 수 있다. 상기 연산부(122)는 연산 결과를 상기 제어부(123)로 전송한다. The calculation unit 122 is connected to the detection unit 121 and uses the thickness data of the photoresist layer 20 transmitted from the detection unit 121 to determine a development process time of the photoresist layer 20. Calculate For example, the calculator 122 may calculate the time required for the development of the photoresist film 20 using the start time of the development process of the photoresist film 20 and the time of the development end point. The calculation unit 122 transmits the calculation result to the control unit 123.

상기 제어부(123)는 상기 연산부(122)와 연결된다. 상기 제어부(123)는 상기 연산부(122)에서 연산된 현상 공정 시간과 기 설정된 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 유닛(110)의 동작을 제어한다. The controller 123 is connected to the calculator 122. The controller 123 controls the operation of the developing unit 110 according to whether the developing process time calculated by the calculating unit 122 coincides with a preset reference developing process time.

상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하는 경우, 상기 현상 유닛(110)에서 이루어진 현상 공정이 정상적인 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(123)는 상기 현상 공정이 계속 수행되도록 상기 현상 유닛(110)을 제어한다. When the reference developing process time and the actual developing process time coincide, it may be determined that the developing process performed in the developing unit 110 is normal. Therefore, the controller 123 controls the developing unit 110 to continue the developing process.

상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 현상 유닛(110)에서 이루어진 현상 공정에 이상이 있는 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(123)는 상기 현상 공정이 중단되도록 상기 현상 유닛(110)을 제어한다. When the reference developing process time does not coincide with the actual developing process time, it may be determined that there is an abnormality in the developing process performed by the developing unit 110. Therefore, the controller 123 controls the developing unit 110 to stop the developing process.

예를 들면, 상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막(20)의 현상이 완료되지 않는 경우, 상기 제어부(123)는 즉시 상기 현상 공정을 중단하지 않고, 상기 포토레지스트 막(10)의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 유닛(110)의 동작을 유지하고, 상기 포토레지스트 막(10)의 현상이 완료되면 상기 현상 유닛(110)의 동작을 중단한다. For example, when the development of the photoresist film 20 is not completed within the reference development process time, the controller 123 does not immediately stop the development process, and the development of the photoresist film 10 is not completed. The operation of the developing unit 110 is maintained until completion, and when the development of the photoresist film 10 is completed, the operation of the developing unit 110 is stopped.

다른 예로, 상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막(20)의 현상이 완료되는 경우, 상기 제어부(123)는 즉시 상기 현상 유닛(110)의 동작을 중단한다. As another example, when development of the photoresist film 20 is completed before the reference development process time, the controller 123 immediately stops the operation of the developing unit 110.

상기 설정부(124)는 상기 제어부(123)와 연결되며, 상기 기준 현상 공정 시 간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부(123)의 제어에 따라 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정한다. 상기 재설정되는 기준 공정 시간은 상기 실제 현상 공정 시간일 수 있다.The setting unit 124 is connected to the control unit 123, and if the reference development process time and the actual development process time do not match, the reference development process time is reset according to the control of the controller 123. The reset reference process time may be the actual development process time.

상기 표시부(125)는 상기 제어부(123)와 연결되며, 상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 상기 감지부(122)에서 검출된 데이터를 표시한다. 예를 들면, 상기 표시부(125)는 상기 포토레지스트 막(20)의 두께, 상기 기준 현상 공정 시간 및 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 진행 시간을 표시할 수 있다.The display unit 125 is connected to the control unit 123 and displays data detected by the detection unit 122 according to a control signal of the control unit 123. For example, the display unit 125 may display the thickness of the photoresist film 20, the reference development process time, and the development process progress time of the photoresist film 20.

상기 알람부(126)는 상기 제어부(123)와 연결된다. 상기 알람부(126)는 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 알람을 발생한다.The alarm unit 126 is connected to the control unit 123. When the reference developing process time and the actual developing process time do not coincide with each other, the alarm unit 126 generates an alarm according to a control signal of the controller 123.

상기 기판 처리 장치(100)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정에 소요되는 시간과 상기 기준 현상 공정 시간의 상관관계를 고려하여 상기 현상 공정의 정상 여부를 판단하고, 상기 현상 유닛(110)의 동작을 제어한다. 따라서, 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 불량을 방지할 수 있고, 상기 현상 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus 100 determines whether the development process is normal in consideration of a correlation between the time required for the development process of the photoresist film 20 and the reference development process time, and the development unit 110. To control the operation. Therefore, defective development process of the photoresist film 20 can be prevented, and the reliability of the development process can be improved.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 설명하기 위한 구성도이다. 2 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 기판 처리 장치(200)는 현상 유닛(210) 및 현상 공정 조건 설정 유닛(220)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 200 includes a developing unit 210 and a developing process condition setting unit 220.

상기 현상 유닛(210)은 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)을 현상하 는 것으로, 용기(212) 및 이송암(214)을 포함한다.The developing unit 210 develops the photoresist film 20 formed on the substrate 10, and includes a container 212 and a transfer arm 214.

상기 용기(212)는 상방이 개방되며, 내부에 상기 기판(10)을 현상하기 위한 현상액(30)을 수용한다. 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다. The container 212 is opened upward, and accommodates the developer 30 for developing the substrate 10 therein. The developer 30 develops the photoresist film 20.

상기 이송암(214)은 상기 용기(212)에 인접하도록 구비되며, 상기 기판(20)의 일측을 파지한다. 상기 이송암(214)은 상기 기판(10)이 상기 현상액(30)에 잠기도록 상기 기판(10)을 이송하거나, 현상이 완료된 기판(10)을 상기 세정액(30) 외부로 이송한다. The transfer arm 214 is provided to be adjacent to the container 212, and grips one side of the substrate 20. The transfer arm 214 transfers the substrate 10 so that the substrate 10 is immersed in the developing solution 30, or transfers the completed substrate 10 to the outside of the cleaning solution 30.

상기 현상 공정 조건 설정 유닛(220)은 상기 현상 유닛(210)의 공정 조건을 설정하기 위한 것으로, 감지부(221), 연산부(222), 제어부(223), 설정부(224), 표시부(225) 및 알람부(226)를 포함한다. The developing process condition setting unit 220 is for setting process conditions of the developing unit 210, and includes a sensing unit 221, a calculating unit 222, a control unit 223, a setting unit 224, and a display unit 225. ) And an alarm unit 226.

상기 감지부(221)가 상기 용기(212)의 상방에 배치되어 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 감지한다는 점을 제외하면, 상기 감지부(221), 연산부(222), 제어부(223), 설정부(224), 표시부(225) 및 알람부(226)에 대한 설명은 도 1을 참조한 감지부(121), 연산부(122), 제어부(123), 설정부(124), 표시부(125) 및 알람부(126)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다. The detector 221, the calculator 222, and the controller 223 except that the detector 221 is disposed above the container 212 to detect a development end point of the photoresist film 20. ), The setting unit 224, the display unit 225, and the alarm unit 226 are described in detail with reference to FIG. 1, the sensing unit 121, the calculating unit 122, the control unit 123, the setting unit 124, and the display unit ( 125 and the alarm unit 126 are substantially the same.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 현상 공정 조건 설정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a developing process condition setting method according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하여, 상기 현상 공정 조건 설정 방법을 도 1에 도시된 기판 처리 장치(100)를 중심으로 설명한다.Referring to FIG. 3, the developing process condition setting method will be described with reference to the substrate processing apparatus 100 illustrated in FIG. 1.

우선, 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)에 현상액(30)을 제공하여 현상 공정을 수행한다(S110).First, a developing process is performed by providing a developing solution 30 to the photoresist film 20 formed on the substrate 10 (S110).

일 예로, 척(112)이 상기 기판(10)을 고정하여 회전한다. 상기 회전하는 기판(10)을 향해 분사 노즐(114)이 현상액(30)을 분사한다. 상기 현상액(30)이 상기 포토레지스트 막(30)을 현상한다. For example, the chuck 112 rotates to fix the substrate 10. The spray nozzle 114 sprays the developing solution 30 toward the rotating substrate 10. The developer 30 develops the photoresist film 30.

다른 예로, 이송암(214)이 상기 기판(10)을 파지한 후, 용기(212) 내부의 현상액(30)에 상기 기판(10)을 침지한다. 상기 현상액(30)이 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다. As another example, after the transfer arm 214 grips the substrate 10, the substrate 10 is immersed in the developing solution 30 inside the container 212. The developer 30 develops the photoresist film 20.

상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 검출한다(S120).The developing end point of the photoresist film 20 is detected (S120).

감지부(121)가 상기 포토레지스트 막(20)을 향해 광을 조사하고, 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광의 간섭 신호를 측정하며, 측정된 광의 간섭 신호를 분석하여 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 검출한다. 상기 포토레지스트 막(20)의 두께 데이터는 연산부(122)로 전송된다. The detector 121 irradiates light toward the photoresist film 20, measures an interference signal of the light reflected from the photoresist film 20, and analyzes the interference signal of the measured light. 20) detect the thickness. The thickness data of the photoresist film 20 is transmitted to the calculator 122.

상기 포토레지스트 막(20)의 두께 데이터를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시간을 연산한다(S130).The development process time of the photoresist film 20 is calculated using the thickness data of the photoresist film 20 (S130).

상기 감지부(121)로부터 전송된 상기 두께 데이터를 이용하여 연산부(122)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 연산한다. 상기 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 차이를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상에 소요되는 시간을 연산한다. 이후, 상기 연산부(122)는 연산 결과를 상기 제어부(123)로 전송한다. Using the thickness data transmitted from the detector 121, the calculator 122 calculates a start time of a developing process of the photoresist film 20 and a time of the end point of development. The time required for developing the photoresist film 20 is calculated using the difference between the start time of the developing process and the time of the developing end point. Thereafter, the calculation unit 122 transmits the calculation result to the control unit 123.

상기 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상 기 현상 공정을 제어한다(S140).The developing process is controlled according to whether the calculated developing process time matches the reference developing process time (S140).

상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하는 경우, 상기 현상 유닛(110)에서 이루어진 현상 공정이 정상적인 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(123)는 상기 현상 유닛(110)을 제어하여 상기 현상 공정을 계속 수행시킨다. 그러므로, 상기 현상 유닛(110)에서 후속하는 기판(10)들에 대한 현상 공정이 수행될 수 있다. When the reference developing process time and the actual developing process time coincide, it may be determined that the developing process performed in the developing unit 110 is normal. Therefore, the controller 123 controls the developing unit 110 to continue the developing process. Therefore, the developing process for the subsequent substrates 10 in the developing unit 110 may be performed.

상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 현상 유닛(110)에서 이루어진 현상 공정에 이상이 있는 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(123)는 상기 현상 공정이 중단되도록 상기 현상 유닛(110)을 제어한다. When the reference developing process time does not coincide with the actual developing process time, it may be determined that there is an abnormality in the developing process performed by the developing unit 110. Therefore, the controller 123 controls the developing unit 110 to stop the developing process.

예를 들면, 상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막(20)의 현상이 완료되지 않는 경우, 상기 제어부(123)는 즉시 상기 현상 공정을 중단하지 않고, 상기 포토레지스트 막(10)의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 유닛(110)의 동작을 유지하고, 상기 포토레지스트 막(10)의 현상이 완료되면 상기 현상 유닛(110)의 동작을 중단한다. For example, when the development of the photoresist film 20 is not completed within the reference development process time, the controller 123 does not immediately stop the development process, and the development of the photoresist film 10 is not completed. The operation of the developing unit 110 is maintained until completion, and when the development of the photoresist film 10 is completed, the operation of the developing unit 110 is stopped.

다른 예로, 상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막(20)의 현상이 완료되는 경우, 상기 제어부(123)는 즉시 상기 현상 유닛(110)의 동작을 중단한다. As another example, when development of the photoresist film 20 is completed before the reference development process time, the controller 123 immediately stops the operation of the developing unit 110.

상기 현상 공정이 중단되면, 상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 상기 설정부(124)는 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정한다. 상기 재설정되는 기준 공정 시간은 상기 실제 현상 공정 시간일 수 있다.When the developing process is stopped, the setting unit 124 resets the reference developing process time according to the control signal of the controller 123. The reset reference process time may be the actual development process time.

상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 상기 감지부(122)에서 검출된 데이터가 표시부(125)에 표시된다. 예를 들면, 상기 표시부(125)는 상기 포토레지스트 막(20)의 두께, 상기 기준 현상 공정 시간 및 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 진행 시간을 표시할 수 있다.The data detected by the detector 122 is displayed on the display unit 125 according to the control signal of the controller 123. For example, the display unit 125 may display the thickness of the photoresist film 20, the reference development process time, and the development process progress time of the photoresist film 20.

상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 상기 알람부(126)는 알람을 발생한다. 따라서, 작업자가 상기 현상 공정의 이상을 확인할 수 있다.When the reference developing process time does not coincide with the actual developing process time, the alarm unit 126 generates an alarm according to a control signal of the controller 123. Therefore, the worker can confirm the abnormality of the said developing process.

이후, 상기 현상 공정의 이상 원인이 상기 기준 현상 공정 시간의 설정으로 인한 것인지 다른 현상 공정 조건의 변화로 인한 것인지를 확인하여 상기 원인을 해결한다. 상기 원인이 해결되면, 상기 제어부(123)는 상기 현상 유닛(110)을 제어하여 상기 포토레지스트 막이 형성된 후속하는 기판에 대한 현상 공정을 다시 수행한다.Subsequently, it is determined whether the cause of the abnormality of the developing process is due to the setting of the reference developing process time or the change of other developing process conditions, thereby solving the cause. When the cause is solved, the controller 123 controls the developing unit 110 to perform a developing process on a subsequent substrate on which the photoresist film is formed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면 현상 공정이 수행되는 동안 포토레지스트 막의 두께 변화를 감지하여 상기 현상 공정의 이상 여부를 확인할 수 있다. 상기 현상 공정에 이상이 있는 경우, 상기 현상 공정을 중단하여 상기 포토레지스트 막의 현상 불량을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 현상 공정의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, it is possible to determine whether the development process is abnormal by detecting a change in the thickness of the photoresist film during the development process. When there is an abnormality in the developing process, the developing process may be stopped to prevent development failure of the photoresist film. Therefore, the efficiency and reliability of the development process can be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 구성도이다.2 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 처리 장치 110 : 현상 유닛100: substrate processing apparatus 110: developing unit

112 : 척 114 : 분사 노즐112: chuck 114: injection nozzle

120 : 모니터링 유닛 121 : 감지부120: monitoring unit 121: detector

122 : 연산부 123 : 제어부122: calculator 123: controller

124 : 설정부 125 : 표시부124: setting unit 125: display unit

126 : 알람부 210 : 현상 유닛126: alarm unit 210: development unit

212 : 용기 214 : 이송암212 container 214 transfer arm

Claims (10)

기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행하는 현상 유닛; 및A developing unit which performs a developing process of the photoresist film formed on the substrate; And 상기 현상 유닛의 일측에 구비되며 상기 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막의 두께를 감지하는 감지부, 상기 감지부에서 감지되는 상기 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 상기 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하는 연산부 및 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 갖는 모니터링 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.A sensing unit provided at one side of the developing unit and sensing a thickness of the photoresist film while the developing process of the photoresist film is performed, and a time required for the developing process according to a change in thickness of the photoresist film detected by the sensing unit; And a monitoring unit having a calculating unit for calculating a value and a control unit for controlling an operation of the developing unit according to whether the developing process time calculated by the calculating unit matches the reference developing process time. 제1항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 현상 유닛의 동작을 중단하며,The method of claim 1, wherein when the reference developing process time does not coincide with the actual developing process time, the controller stops the operation of the developing unit. 상기 모니터링 유닛은 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정하는 설정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The monitoring unit further comprises a setting unit for resetting the reference development process time. 제2항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 유닛의 동작을 유지시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing according to claim 2, wherein when the development of the photoresist film is not completed within the reference development process time, the controller maintains the operation of the developing unit until the development of the photoresist film is completed. Device. 제2항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되는 경우, 상기 제어부는 상기 현상 유닛의 동작을 즉시 중단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 2, wherein when the development of the photoresist film is completed before the reference development process time, the controller immediately stops the operation of the developing unit. 제1항에 있어서, 상기 모니터링 유닛은,The method of claim 1, wherein the monitoring unit, 상기 포토레지스트 막의 두께, 기준 현상 공정 시간 및 상기 현상 공정 소요 시간을 표시하는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a display unit for displaying a thickness of the photoresist film, a reference development process time, and a time required for the development process. 제1항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부의 제어 신호에 따라 알람을 발생하는 알람부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 1, further comprising an alarm unit that generates an alarm according to a control signal of the controller when the reference developing process time does not coincide with the actual developing process time. 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행하는 단계;Performing a developing process of a photoresist film formed on the substrate; 상기 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막의 두께를 감지하는 단계;Sensing the thickness of the photoresist film during the development process of the photoresist film; 상기 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 상기 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하는 단계; 및Calculating a time required for the developing process according to a change in thickness of the photoresist film; And 상기 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 공정을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And controlling the developing process according to whether or not the calculated developing process time coincides with a reference developing process time. 제7항에 있어서, 상기 현상 공정을 제어하는 단계는,The method of claim 7, wherein the controlling the developing process, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우 상기 현상 공정을 중단하는 단계; 및Stopping the developing process if the reference developing process time and the actual developing process time do not coincide; And 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And resetting the reference development process time. 제8항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되지 않는 경우 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 공정을 유지시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method of claim 8, wherein if the development of the photoresist film is not completed within the reference development process time, the development process is maintained until the development of the photoresist film is completed. 제8항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되는 경우 상기 현상 공정을 즉시 중단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method of claim 8, wherein the developing process is immediately stopped when development of the photoresist film is completed before the reference developing process time.
KR1020080050059A 2008-05-29 2008-05-29 apparatus and method for processing a substrate KR100979757B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080050059A KR100979757B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 apparatus and method for processing a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080050059A KR100979757B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 apparatus and method for processing a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090124062A true KR20090124062A (en) 2009-12-03
KR100979757B1 KR100979757B1 (en) 2010-09-02

Family

ID=41686039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080050059A KR100979757B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 apparatus and method for processing a substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100979757B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100979758B1 (en) * 2008-05-29 2010-09-02 세메스 주식회사 Unit for monitoring a developing process and apparatus for processing a substrate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000018615A (en) * 1998-09-03 2000-04-06 윤종용 Fabrication apparatus of semiconductor device
JP3710735B2 (en) 2001-08-31 2005-10-26 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate development processing method and development processing apparatus
KR100688726B1 (en) 2004-12-27 2007-03-02 동부일렉트로닉스 주식회사 System and method for photolithography
KR20090069358A (en) * 2007-12-26 2009-07-01 주식회사 동부하이텍 Track apparatus for manufacturing semiconductor devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100979758B1 (en) * 2008-05-29 2010-09-02 세메스 주식회사 Unit for monitoring a developing process and apparatus for processing a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR100979757B1 (en) 2010-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20040101289A (en) Semiconductor manufacturing method and device thereof
US9653367B2 (en) Methods including a processing of wafers and spin coating tool
KR100719367B1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductors and method for processing wafers
KR100979757B1 (en) apparatus and method for processing a substrate
KR100597641B1 (en) Baking apparatus having unit for detecting wafer loading failure
JP2006319217A (en) Application inspection method and oil immersion exposure method
US6924072B2 (en) Method for exposing a peripheral area of a wafer and apparatus for performing the same
KR100931298B1 (en) Developing process condition setting unit and method, and substrate processing apparatus
KR20200133892A (en) spin coater and manufacturing method of semiconductor device using the same
KR100850113B1 (en) Method for detecting defect of photo-resist pattern
KR100539279B1 (en) Method for overlay measurement
KR100979758B1 (en) Unit for monitoring a developing process and apparatus for processing a substrate
JP2007110055A (en) Method of monitoring optical integrator of photo-lithography system
JP2000042472A (en) Apparatus for membrane coating having coating abnormality detection means, exposure device, and membrane coating
KR20070109447A (en) Wafer transfer apparatus for aligning and method for wafer align
KR20090069358A (en) Track apparatus for manufacturing semiconductor devices
JPH11145029A (en) Alignment measuring equipment
KR20060076820A (en) Apparatus for monitoring wafer and machine having the same
KR100816193B1 (en) Method of examining exposure process for semiconductor device fabrication
KR100607735B1 (en) System for detecting developer leakage in semiconductor develop unit
KR100780615B1 (en) Method and apparatus of monitoring bending of a yaw guide of a light-exposure apparatus
KR20060131076A (en) Device and method for preventing use together with photo resist of spinner equipment thereof
KR20060074590A (en) Apparatus for monitoring coating of photo resist
Bokelberg et al. Manufacturing requirements for a single-wafer develop process
KR20060074579A (en) Apparatus for monitoring coating of photo resist

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130801

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140804

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150804

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160726

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170728

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190802

Year of fee payment: 10