KR20090119823A - 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조 방법 및 그를 이용한 전기 소자 - Google Patents
환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조 방법 및 그를 이용한 전기 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090119823A KR20090119823A KR1020090107171A KR20090107171A KR20090119823A KR 20090119823 A KR20090119823 A KR 20090119823A KR 1020090107171 A KR1020090107171 A KR 1020090107171A KR 20090107171 A KR20090107171 A KR 20090107171A KR 20090119823 A KR20090119823 A KR 20090119823A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cnt
- carbon nanotubes
- reducing agent
- cnts
- injected
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 것을 특징으로 하는 CNT.
- 제1항에 있어서,상기 CNT는 p-형 도핑된 CNT, 중성 도핑된 CNT, n-형 도핑된 CNT 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 CNT.
- 제1항에 있어서,상기 CNT는 n-형 도핑된 CNT를 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT.
- (a) 탄소 나노튜브를 환원제와 반응시켜 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 생성하는 단계 및(b) 상기 (a) 단계의 반응 혼합물을 분산제를 이용하여 용매에서 분산한 후 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법.
- (a) 탄소 나노튜브를 환원제와 반응시켜 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 생성하는 단계 및(b) 상기 (a) 단계의 반응 혼합물로부터 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 원심 분리하여 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 환원제로 금속 수소화물, 유기 환원 용매 또는 수소 기체 중 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 환원제로 수소화붕소계 금속 수소화물, 수소화알루미늄계 금속 수소화물, 히드라진, 수소화붕소테트라부틸암모늄, 글리콜계 용매 또는 디올계 용매 중 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 (a) 단계의 전자가 주입된 CNT는p-형 도핑된 CNT, 중성 도핑된 CNT, n-형 도핑된 CNT 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 (a)단계의 전자가 주입된 CNT는, 환원제의 양, 환원 반응 시간 또는 온도에 따라서, 전자 밀도가 정하여지는 것임을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 CNT를 포함하는 CNT 박막.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 CNT를 포함하는 CNT 전극.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 CNT를 포함하는 트랜지스터.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090107171A KR101014007B1 (ko) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조 방법 및 그를 이용한 전기 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090107171A KR101014007B1 (ko) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조 방법 및 그를 이용한 전기 소자 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070072673A Division KR100931962B1 (ko) | 2007-07-20 | 2007-07-20 | 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조방법 및 그를 이용한 전기 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090119823A true KR20090119823A (ko) | 2009-11-20 |
KR101014007B1 KR101014007B1 (ko) | 2011-02-14 |
Family
ID=41603383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090107171A KR101014007B1 (ko) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조 방법 및 그를 이용한 전기 소자 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101014007B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7429371B2 (en) * | 2004-03-02 | 2008-09-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Reversible oxidation of carbon nanotubes |
-
2009
- 2009-11-06 KR KR1020090107171A patent/KR101014007B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101014007B1 (ko) | 2011-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100931962B1 (ko) | 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조방법 및 그를 이용한 전기 소자 | |
Hodge et al. | Unweaving the rainbow: a review of the relationship between single-walled carbon nanotube molecular structures and their chemical reactivity | |
Barreiro et al. | Thermal decomposition of ferrocene as a method for production of single-walled carbon nanotubes without additional carbon sources | |
Wang et al. | Heteroatom-doped graphene materials: syntheses, properties and applications | |
Li et al. | High-quality, highly concentrated semiconducting single-wall carbon nanotubes for use in field effect transistors and biosensors | |
Živcová et al. | Electrochemistry and in situ Raman spectroelectrochemistry of low and high quality boron doped diamond layers in aqueous electrolyte solution | |
Pati et al. | Graphene and its fascinating attributes | |
Nakanishi et al. | Thin single-wall BN-nanotubes formed inside carbon nanotubes | |
Burdanova et al. | Ultrafast optoelectronic processes in 1D radial van der Waals heterostructures: carbon, boron nitride, and MoS2 nanotubes with coexisting excitons and highly mobile charges | |
Hussain et al. | Functionalization of carbon nanotubes by water plasma | |
Tang et al. | In-situ mechanochemically tailorable 2D gallium oxyselenide for enhanced optoelectronic NO2 gas sensing at room temperature | |
Chernyak et al. | Synthesis and modification of pristine and nitrogen-doped carbon dots by combining template pyrolysis and oxidation | |
Vieira et al. | Synthesis of multicolor photoluminescent carbon quantum dots functionalized with hydrocarbons of different chain lengths | |
Li et al. | Preparation of metallic single-wall carbon nanotubes | |
Ibrahim et al. | Current progress in the chemical vapor deposition of type-selected horizontally aligned single-walled carbon nanotubes | |
Gao et al. | Catalyst-free synthesis of sub-5 nm silicon nanowire arrays with massive lattice contraction and wide bandgap | |
Sankaran et al. | Enhanced optoelectronic performances of vertically aligned hexagonal boron nitride nanowalls-nanocrystalline diamond heterostructures | |
Anggoro et al. | Optical properties and defect states of rGO-like carbon derived from biomass with heating treatment | |
Lee et al. | Fabrication of dual emission carbon dots and its use in highly sensitive thioamide detection | |
Niavol et al. | ZnO quantum dots decorated on graphene oxide and graphene nanoplatelets: Comparison the structure and sensing properties | |
Ozhukil Valappil et al. | Role of structural distortion in stabilizing electrosynthesized blue-emitting phosphorene quantum dots | |
KR101014007B1 (ko) | 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조 방법 및 그를 이용한 전기 소자 | |
Li et al. | Selective synthesis of large diameter, highly conductive and high density single-walled carbon nanotubes by a thiophene-assisted chemical vapor deposition method on transparent substrates | |
Cai et al. | Phosphorene: physical properties, synthesis, and fabrication | |
Jenkins et al. | Preparation and properties of luminescent lanthanide based graphene oxide |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140124 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190116 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200120 Year of fee payment: 10 |