KR20090117002A

KR20090117002A - Light emitting device

Info

Publication number: KR20090117002A
Application number: KR20080042856A
Authority: KR
Inventors: 김근호; 원유호
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2008-05-08
Filing date: 2008-05-08
Publication date: 2009-11-12
Also published as: KR100993112B1

Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to improve optical efficiency by making uniformly the distribution of the fluorescent substance and preventing a change of a color coordinate. CONSTITUTION: In a light emitting device, a lighting-emitting area(11) radiates a light of a first wavelength. DBR(Distributed Bragg Reflector Layer) layer reflects a light of a second wavelength longer than a first wavelength. A fluorescent material receives a light of the first wavelength from the lighting-emitting area and radiates the light of second wavelength. The phosphor thin film receives a light of the first wavelength from the lighting-emitting area and radiates the light of second wavelength. A molding unit(15) is formed on a phosphor thin film.

Description

Light emitting device

실시 예는 발광 디바이스에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device.

다양한 분야에서 발광 디바이스가 이용되고 있다. 발광 디바이스는 하나의 예로서 발광다이오드와 형광체를 포함하여 구현될 수 있다. 이때 발광다이오드에서 제공되는 제1 파장의 빛과 형광체에서 제공되는 제2 파장의 빛에 의하여 백색광을 제공하는 발광 디바이스가 구현될 수 있게 된다. 그런데, 형광체에서 제공되는 빛이 발광다이오드로 흡수됨에 따라 광효율이 감소되는 단점이 있다. BACKGROUND Light emitting devices are used in various fields. The light emitting device may be embodied as an example including a light emitting diode and a phosphor. In this case, a light emitting device that provides white light may be implemented by light of a first wavelength provided from a light emitting diode and light of a second wavelength provided from a phosphor. However, there is a disadvantage that the light efficiency is reduced as the light provided from the phosphor is absorbed by the light emitting diode.

실시 예는 광효율을 향상시킬 수 있는 발광 디바이스를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of improving light efficiency.

실시 예에 따른 발광 디바이스는, 제1 파장 대역의 빛을 발광하는 발광부; 상기 발광부 위에 배치되며, 상기 제1 파장 대역의 빛은 투과시키고, 상기 제1 파장 대역에 비하여 파장이 더 긴 제2 파장 대역의 빛을 반사시키는 DBR 층(Distributed Bragg Reflector Layer); 상기 DBR 층 위에 배치되며, 상기 발광부 에서 발광되는 상기 제1 파장 대역의 빛을 입사 받고 상기 제2 파장 대역의 빛을 발광하는 형광체를 포함하는 몰딩부; 를 포함한다.According to an embodiment, there is provided a light emitting device, including: a light emitting unit emitting light of a first wavelength band; A distributed Bragg reflector layer disposed on the light emitting part and transmitting light of the first wavelength band and reflecting light of a second wavelength band longer than the first wavelength band; A molding part disposed on the DBR layer and including a phosphor that receives light of the first wavelength band emitted from the light emitting part and emits light of the second wavelength band; It includes.

실시 예에 따른 발광 디바이스는, 제1 파장 대역의 빛을 발광하는 발광부; 상기 발광부 위에 배치되며, 상기 제1 파장 대역의 빛은 투과시키고, 상기 제1 파장 대역에 비하여 파장이 더 긴 제2 파장 대역의 빛을 반사시키는 DBR 층(Distributed Bragg Reflector Layer); 상기 DBR 층 위에 배치되며, 상기 발광부에서 발광되는 상기 제1 파장 대역의 빛을 입사 받고 상기 제2 파장 대역의 빛을 발광하는 형광체 박막; 을 포함한다.According to an embodiment, there is provided a light emitting device, including: a light emitting unit emitting light of a first wavelength band; A distributed Bragg reflector layer disposed on the light emitting part and transmitting light of the first wavelength band and reflecting light of a second wavelength band longer than the first wavelength band; A phosphor thin film disposed on the DBR layer and configured to receive light of the first wavelength band emitted from the light emitting part and emit light of the second wavelength band; It includes.

실시 예에 따른 발광 디바이스는 광효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The light emitting device according to the embodiment has an advantage of improving light efficiency.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 디바이스를 개념적으로 나타낸 도면이다.1 is a view conceptually illustrating a light emitting device according to a first embodiment.

제1 실시 예에 따른 발광 디바이스는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 발광부(11), DBR 층(Distributed Bragg Reflector Layer)(13), 몰딩부(15)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the light emitting device according to the first embodiment includes a light emitting part 11, a distributed bragg reflector layer 13, and a molding part 15.

상기 발광부(11)는 제1 파장 대역의 빛을 발광한다. 상기 몰딩부(15)는 상기 DBR 층(13) 위에 배치된다. 상기 몰딩부(15)는 상기 발광부(11)에서 발광되는 상기 제1 파장 대역의 빛을 입사 받고 제2 파장 대역의 빛을 발광하는 형광체를 포함한다. 상기 제2 파장 대역은 상기 제1 파장 대역에 비하여 더 긴 파장 대역을 갖는다.The light emitter 11 emits light of a first wavelength band. The molding part 15 is disposed on the DBR layer 13. The molding part 15 includes a phosphor that receives the light of the first wavelength band emitted from the light emitting part 11 and emits light of the second wavelength band. The second wavelength band has a longer wavelength band than the first wavelength band.

상기 DBR 층(13)은 상기 발광부(11)와 상기 몰딩부(15) 사이에 배치된다. 상기 DBR 층(13)은 상기 발광부(11)에서 제공되는 상기 제1 파장 대역의 빛을 투과시킨다. 또한 상기 DBR 층(13)은 상기 몰딩부(15)에서 제공되는 상기 제2 파장 대역의 빛을 반사시킨다. 이에 따라 상기 몰딩부(15)에서 발광된 빛이 상기 발광부(11)에 흡수되는 것을 방지할 수 있게 되며, 외부로 제공되는 광효율을 향상시킬 수 있게 된다.The DBR layer 13 is disposed between the light emitting part 11 and the molding part 15. The DBR layer 13 transmits light of the first wavelength band provided from the light emitting part 11. In addition, the DBR layer 13 reflects light of the second wavelength band provided from the molding part 15. Accordingly, it is possible to prevent the light emitted from the molding part 15 from being absorbed by the light emitting part 11 and to improve the light efficiency provided to the outside.

예로서, 상기 발광부(11)는 청색광을 제공하는 발광다이오드(LED:Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(15)는 상기 발광부(11)에서 발광되는 청색광을 입사 받고, 황색광을 제공하는 형광체를 포함할 수 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광 디바이스는 상기 발광부(11)에서 제공되는 청색광과 상기 몰딩부(15)에서 제공되는 황색광에 의하여 백색광을 제공할 수 있게 된다.For example, the light emitting unit 11 may include a light emitting diode (LED) for providing blue light. The molding part 15 may include a phosphor that receives blue light emitted from the light emitting part 11 and provides yellow light. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can provide white light by the blue light provided from the light emitting part 11 and the yellow light provided from the molding part 15.

상기 몰딩부(15)는 실리콘 젤 또는 에폭시 복합 수지에 형광체가 혼합되어 형성될 수 있다. 한편, 상기 몰딩부(15)를 경화시키기 위하여 열 공정을 진행하는 경우, 시간 지체가 발생하여 형광체가 아래로 가라않게 되는 현상이 발생될 수 있다. 이러한 경우, 실리콘 젤 또는 에폭시 수지 내에 형광체의 분포가 불균일하게 될 수 있으며, 색좌표가 변화될 수 있는 단점이 있다. The molding part 15 may be formed by mixing a phosphor in a silicone gel or an epoxy composite resin. On the other hand, when the thermal process is performed to cure the molding part 15, a time delay may occur and a phenomenon in which the phosphor does not go down may occur. In this case, there may be a non-uniform distribution of the phosphor in the silicone gel or epoxy resin, there is a disadvantage that the color coordinates can be changed.

또한 상기 몰딩부(15)를 형성함에 있어, 주입기(syringe)를 이용하여 형광체와 수지의 혼합물을 상기 DBR 층(13) 위에 형성한다. 이때, 주입기 내에 있는 형광체가 시간이 경과되면서 아래 부분으로 침전하게 될 수 있다. 이러한 경우, 시간 경과에 따라 주입기로부터 토출되는 혼합물의 분포가 변화될 수 있으며, 제조 순서 에 따라 발광 디바이스의 색좌표가 변화될 수 있는 단점이 있다. In addition, in forming the molding part 15, a mixture of the phosphor and the resin is formed on the DBR layer 13 by using a syringe. At this time, the phosphor in the injector may be precipitated to the lower portion over time. In this case, the distribution of the mixture discharged from the injector may change with time, and the color coordinates of the light emitting device may change depending on the manufacturing order.

한편, 도 2는 제2 실시 예에 따른 발광 디바이스를 개념적으로 나타낸 도면으로서, 제1 실시 예에서 발생될 수 있는 단점을 보완할 수 있다.Meanwhile, FIG. 2 is a diagram conceptually illustrating a light emitting device according to the second embodiment, and may compensate for disadvantages that may occur in the first embodiment.

제2 실시 예에 따른 발광 디바이스는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 발광부(21), DBR 층(23), 형광체 박막(25), 몰딩부(27)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the light emitting device according to the second embodiment includes a light emitting part 21, a DBR layer 23, a phosphor thin film 25, and a molding part 27.

상기 발광부(21)는 제1 파장 대역의 빛을 발광한다. 상기 형광체 박막(25)은 상기 발광부(21)에서 발광되는 상기 제1 파장 대역의 빛을 입사 받고 제2 파장 대역의 빛을 발광하는 형광체를 포함한다. 상기 제2 파장 대역은 상기 제1 파장 대역에 비하여 더 긴 파장 대역을 갖는다.The light emitter 21 emits light of a first wavelength band. The phosphor thin film 25 includes a phosphor that receives the light of the first wavelength band emitted from the light emitter 21 and emits light of the second wavelength band. The second wavelength band has a longer wavelength band than the first wavelength band.

상기 DBR 층(23)은 상기 발광부(21)와 상기 형광체 박막(25) 사이에 배치된다. 상기 DBR 층(23)은 상기 발광부(21)에서 제공되는 상기 제1 파장 대역의 빛을 투과시킨다. 또한 상기 DBR 층(23)은 상기 형광체 박막(25)에서 제공되는 상기 제2 파장 대역의 빛을 반사시킨다. 이에 따라 상기 형광체 박막(25)에서 발광된 빛이 상기 발광부(21)에 흡수되는 것을 방지할 수 있게 되며, 외부로 제공되는 광효율을 향상시킬 수 있게 된다.The DBR layer 23 is disposed between the light emitting portion 21 and the phosphor thin film 25. The DBR layer 23 transmits light of the first wavelength band provided from the light emitter 21. In addition, the DBR layer 23 reflects light of the second wavelength band provided from the phosphor thin film 25. Accordingly, the light emitted from the phosphor thin film 25 may be prevented from being absorbed by the light emitting part 21, and the light efficiency provided to the outside may be improved.

예로서, 상기 발광부(21)는 청색광을 제공하는 발광다이오드(LED:Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 형광체 박막(25)은 상기 발광부(21)에서 발광되는 청색광을 입사 받고, 황색광을 제공하는 형광체를 포함할 수 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광 디바이스는 상기 발광부(21)에서 제공되는 청색광과 상기 형광체 박막(25)에서 제공되는 황색광에 의하여 백색광을 제공할 수 있게 된다.For example, the light emitting unit 21 may include a light emitting diode (LED) for providing blue light. The phosphor thin film 25 may include a phosphor that receives blue light emitted from the light emitter 21 and provides yellow light. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can provide white light by the blue light provided from the light emitting unit 21 and the yellow light provided from the phosphor thin film 25.

상기 몰딩부(27)는 투명 수지층으로 형성될 수 있으며, 하부에 배치된 상기형광체 박막(25), 상기 DBR 층(23), 상기 발광부(21)를 보호하는 기능을 수행한다. 이와 같이 제2 실시 예에 의하면, 제2 파장 대역의 빛을 발광하는 형광체가 상기 형광체 박막(25)으로 제공된다. 이에 따라, 형광체의 분포가 균일하게 제공될 수 있게 되므로 색좌표에 변화가 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.The molding part 27 may be formed of a transparent resin layer, and serves to protect the phosphor thin film 25, the DBR layer 23, and the light emitting part 21 disposed below. As described above, according to the second exemplary embodiment, a phosphor for emitting light of a second wavelength band is provided to the phosphor thin film 25. Accordingly, since the distribution of the phosphor can be provided uniformly, a change in the color coordinate can be prevented.

상기 제1 실시 예 및 제2 실시 예에서 설명된 바와 같이, 상기 DBR 층(13, 23)은 제1 파장 대역의 빛은 투과시키고, 제2 파장 대역의 빛은 반사시키도록 구현될 수 있다. 상기 DBR 층(13, 23)은 상기 발광부(11, 21)의 누설전류를 억제하여 주는 기능도 수행할 수 있다. As described in the first and second embodiments, the DBR layers 13 and 23 may be implemented to transmit light in the first wavelength band and reflect light in the second wavelength band. The DBR layers 13 and 23 may also function to suppress leakage current of the light emitting units 11 and 21.

도 3은 실시 예에 따른 DBR 층의 특성을 나타낸 도면이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 DBR 층(13, 23)은 상기 발광부(11, 21)에서 발광된 청색광의 반사도는 0%에 가깝고, 형광체에서 발광된 황색광의 반사도는 100%에 가깝도록 구현될 수 있다. 도 3에서 점선으로 도시된 청색광과 황색광은 파장 대역에 따른 반사율을 표시하기 위하여 나타낸 것이다. 3 is a diagram illustrating characteristics of a DBR layer according to an embodiment. As shown in FIG. 3, the DBR layers 13 and 23 have a reflectivity of blue light emitted from the light emitters 11 and 21 close to 0%, and a reflectance of yellow light emitted from a phosphor close to 100%. Can be. In FIG. 3, the blue light and the yellow light shown by dotted lines are shown to indicate reflectance according to the wavelength band.

상기 DBR 층(13, 23)은 굴절율이 서로 다른 유전체가 적층되어 형성될 수 있다. 굴절율이 큰 유전체의 굴절율을 n_h로 표기하고 굴절율이 작은 물질의 굴절율을 h_l로 표기하는 경우 반사도(R_DBR)는 다음과 같이 표기될 수 있다. m은 적층 수를 나타낸다.The DBR layers 13 and 23 may be formed by stacking dielectrics having different refractive indices. When the refractive index of the dielectric having a large refractive index is expressed as n _h and the refractive index of the material having a small refractive index is expressed as h _l , the reflectivity R _DBR may be expressed as follows. m represents a lamination number.

하나의 예로서 상기 DBR 층(13, 23)은 상대적으로 굴절율이 큰 TiO₂층과 상대적으로 굴절율이 작은 SiO₂층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 DBR 층(13, 23)에서 반사되거나 투과되는 파장 대역은 적층 물질, 적층 두께 등의 변화를 통하여 적절하게 선택될 수 있다.As one example, the DBR layers 13 and 23 may be implemented with a TiO ₂ layer having a relatively high refractive index and a SiO ₂ layer having a relatively low refractive index. In addition, the wavelength band reflected or transmitted by the DBR layers 13 and 23 may be appropriately selected through a change in the stacking material, the stack thickness, and the like.

실시 예에 따른 발광부(11, 21)는 하나의 예로서 발광다이오드(LED)로 구현될 수 있으며, 발광다이오드는 도 4에 도시된 수평형 발광다이오드 또는 도 5에 도시된 수직형 발광다이오드로 구현될 수 있다.The light emitting units 11 and 21 according to the embodiment may be embodied as light emitting diodes (LEDs) as an example. The light emitting diodes may be a horizontal light emitting diode shown in FIG. 4 or a vertical light emitting diode shown in FIG. 5. Can be implemented.

도 4는 실시 예에 따른 수평형 LED의 예를 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하여 실시 예에 따른 수평형 LED의 제조공정을 간략하게 설명한다.4 is a diagram illustrating an example of a horizontal LED according to an embodiment. A manufacturing process of the horizontal LED according to the embodiment will be briefly described with reference to FIG. 4.

사파이어, n-GaAs, GaN 등의 기판(101) 위에 버퍼층(102), 제1도전층으로서의 n-콘택층(103), 활성층(104), 제2도전층으로서의 p-콘택층(105)을 CVD 기법에 의하여 연속적으로 증착한다. 그리고, 사진 식각 공정 및 습식/건식 식각 방법에 의하여 상기 n-콘택층(103)이 노출되도록 메사(MESA)패터닝 한 후, 광 투과가 용이한 투명전극으로 전류확산층(106)을 상기 p-콘택층(105) 위에 형성한다. 이어서 외부회로와의 전기적인 연결을 위하여 상기 p-콘택층(105)과 상기 n-콘택층(103) 위 에 제2전극으로서의 p-전극(108)과 제1전극으로서의 n-전극(107)을 형성한다.A buffer layer 102, an n-contact layer 103 as a first conductive layer, an active layer 104, and a p-contact layer 105 as a second conductive layer are formed on a substrate 101 such as sapphire, n-GaAs, GaN, or the like. Deposited continuously by CVD technique. After the mesa (MESA) is patterned to expose the n-contact layer 103 by a photolithography process and a wet / dry etching method, the current diffusion layer 106 is transferred to the p-contact by a transparent electrode that is easy to transmit light. Form on layer 105. Subsequently, a p-electrode 108 as a second electrode and an n-electrode 107 as a first electrode are formed on the p-contact layer 105 and the n-contact layer 103 for electrical connection with an external circuit. To form.

다음 공정으로 DBR 층(110)를 형성한다. 상기 DBR 층(110)은 전자빔 증발(E-beam evaporation) 방법 또는 스퍼터링(Sputtering) 방법을 통하여 증착할 수 있으며, 원하는 반사도-파장의 곡선을 얻기 위하여 적절한 굴절율을 갖는 두 종류의 유전체를 교번하여 증착한다. 예로서 높은 굴절율을 갖는 유전체로는 TiO₂를 사용하고, 낮은 굴절율을 갖는 유전체로는 SiO₂ 유전체를 사용할 수 있으며, 두 층을 서로 교번하여 한 층 이상의 주기로 형성하여 구할 수 있다. The DBR layer 110 is formed by the following process. The DBR layer 110 may be deposited through an e-beam evaporation method or a sputtering method, and alternately deposit two kinds of dielectrics having appropriate refractive indices to obtain a desired reflectance-wavelength curve. do. For example, TiO ₂ may be used as a dielectric having a high refractive index, and SiO ₂ dielectric may be used as a dielectric having a low refractive index, and two layers may be alternately formed to be formed by one or more cycles.

사진 식각 공정을 이용하여 발광다이오드와 외부 회로와의 전기적 연결이 필요한 통로를 만들어 주기 위하여, 상기 DBR 층(110)을 건식 또는 습식 식각 공정을 이용하여 패터닝할 수 있다. 또한 상기 DBR 층(110)의 패터닝 공정은 상기 DBR 층(110)을 증착하기 전에 사진 식각 공정을 이용하여 패터닝하고 상기 DBR 층(110)을 증착한 후 감광막 위의 DBR 층을 제거하는 리프트 오프(Lift-off) 공정을 이용할 수도 있다. The DBR layer 110 may be patterned using a dry or wet etching process in order to create a passage requiring electrical connection between the light emitting diode and an external circuit using a photolithography process. In addition, the patterning process of the DBR layer 110 may be performed by using a photolithography process before depositing the DBR layer 110, and removing the DBR layer on the photoresist layer after depositing the DBR layer 110. Lift-off process can also be used.

다음 공정으로 상기 DBR 층(110) 위에 형광체 박막(111)을 형성한다. 상기 형광체 박막(111)은 스퍼터링, 전자빔 증발(E-beam evaporation), CVD 또는 ALD 등의 반도체 공정의 박막 증착 공정 기법을 이용하여 증착할 수 있다. Next, the phosphor thin film 111 is formed on the DBR layer 110. The phosphor thin film 111 may be deposited using a thin film deposition process technique of a semiconductor process such as sputtering, E-beam evaporation, CVD or ALD.

한편, 도 5는 실시 예에 따른 수직형 LED의 예를 나타낸 도면이다. 도 5를 참조하여 실시 예에 따른 수직형 LED의 제조공정을 간략하게 설명한다.On the other hand, Figure 5 is a view showing an example of a vertical LED according to the embodiment. A manufacturing process of the vertical LED according to the embodiment will be briefly described with reference to FIG. 5.

SiC 또는 GaAs 등의 도전성이 우수한 기판(201) 위에 버퍼층(202), 제1도전 층으로서의 n-콘택층(203), 활성층(204), 제2도전층으로서의 p-콘택층(205)을 CVD 기법에 의하여 연속적으로 증착한다. 그리고, 광 투과가 용이한 투명전극으로 전류확산층(206)을 상기 p-콘택층(205) 위에 형성한다. 이어서 외부회로와의 전기적인 연결을 위하여 제2전극으로서의 p-전극(208)과 제1전극으로서의 n-전극(207)을 형성한다. 다음 공정으로는 DBR 층(210)과 형광체 박막(211)을 형성하며, 이 공정은 위의 수평형 구조와 유사한 방식으로 형성할 수 있다. A buffer layer 202, an n-contact layer 203 as a first conductive layer, an active layer 204, and a p-contact layer 205 as a second conductive layer are CVD on a substrate 201 having excellent conductivity such as SiC or GaAs. Deposited continuously by technique. In addition, the current diffusion layer 206 is formed on the p-contact layer 205 using a transparent electrode that is easy to transmit light. Subsequently, the p-electrode 208 as the second electrode and the n-electrode 207 as the first electrode are formed for electrical connection with the external circuit. Next, the DBR layer 210 and the phosphor thin film 211 are formed. This process may be formed in a manner similar to the above horizontal structure.

한편, 실시 예에 따른 수직형 LED는 도 6에 도시된 구조로 형성될 수도 있다.Meanwhile, the vertical LED according to the embodiment may be formed in the structure shown in FIG. 6.

사파이어, n-GaAs, GaN 등의 기판 위에 버퍼층, 제1도전층으로서의 n-콘택층(303), 활성층(304), 제2도전층으로서의 p-콘택층(305)을 CVD 기법에 의하여 연속적으로 증착한다. 이어서 상기 p-콘택층(305) 위에 반사층(306), 접착층(307), 도전성 기판(308)을 형성하고 상기 기판, 버퍼층을 제거한다. 이때 LLO 방법이 이용될 수 있다. 그리고 상기 n-콘택층(303)에 제1전극으로서의 n 전극(309)을 형성한다. 상기 도전성 기판(308)이 제2전극으로서의 p 전극으로 이용될 수도 있으며, 별도의 p 전극을 상기 도전성 기판(308)에 형성할 수도 있다. 그리고 상기 결과물에 DBR 층과 형광체 박막이 형성된다. 이와 같이 실시 예에 따른 LED는 n-탑(top)층의 수직형 LED로 구현될 수도 있다.A buffer layer, an n-contact layer 303 as a first conductive layer, an active layer 304, and a p-contact layer 305 as a second conductive layer are successively formed on a substrate such as sapphire, n-GaAs, GaN, etc. by a CVD technique. Deposit. Subsequently, the reflective layer 306, the adhesive layer 307, and the conductive substrate 308 are formed on the p-contact layer 305, and the substrate and the buffer layer are removed. In this case, the LLO method may be used. An n electrode 309 as a first electrode is formed on the n-contact layer 303. The conductive substrate 308 may be used as a p electrode as a second electrode, or a separate p electrode may be formed on the conductive substrate 308. And a DBR layer and a phosphor thin film is formed on the result. As such, the LED according to the embodiment may be implemented as a vertical LED of the n-top layer.

또한 p-탑(top)층의 수직형 LED로 구현될 수도 있다. 이는 수평형 구조의 LED에서 기판, 버퍼층을 제거한 후에 n-콘택층에 반사층, 접착층, 도전성 기판을 형성함으로써 구현될 수 있다. 상기 결과물에 DBR 층과 형광체 박막이 형성된다.It may also be implemented as a vertical LED with a p-top layer. This can be realized by removing the substrate and the buffer layer from the LED of the horizontal structure and forming the reflective layer, the adhesive layer, and the conductive substrate on the n-contact layer. The resultant DBR layer and the phosphor thin film are formed.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 기술적 사상을 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made with reference to the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the technical spirit, and those having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong may not be exemplified above without departing from the essential characteristics of the embodiments. It will be appreciated that eggplant modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

도 2는 제2 실시 예에 따른 발광 디바이스를 개념적으로 나타낸 도면이다.2 is a view conceptually illustrating a light emitting device according to a second embodiment.

도 3은 실시 예에 따른 DBR 층의 특성을 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating characteristics of a DBR layer according to an embodiment.

도 4는 실시 예에 따른 수평형 LED의 예를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating an example of a horizontal LED according to an embodiment.

도 5는 실시 예에 따른 수직형 LED의 예를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating an example of a vertical LED according to an embodiment.

도 6은 실시 예에 따른 수직형 LED의 다른 구조를 나타낸 도면이다.6 is a view showing another structure of the vertical LED according to the embodiment.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

11, 21... 발광부11, 21.

13, 23... DBR 층13, 23 ... DBR Layer

15... 몰딩부15. Molding part

25... 형광체 박막25 ... Phosphor Thin Film

27... 몰딩부27. Molding part

Claims

A light emitting unit emitting light of a first wavelength band;

A distributed Bragg reflector layer disposed on the light emitting part and transmitting light of the first wavelength band and reflecting light of a second wavelength band longer than the first wavelength band;

A molding part disposed on the DBR layer and including a phosphor that receives light of the first wavelength band emitted from the light emitting part and emits light of the second wavelength band;

Light emitting device comprising a.

A light emitting unit emitting light of a first wavelength band;

A phosphor thin film disposed on the DBR layer and configured to receive light of the first wavelength band emitted from the light emitting part and emit light of the second wavelength band;

Light emitting device comprising a.

The light emitting device of claim 2, further comprising a molding part formed on the phosphor thin film.

The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the light emitting portion is a light emitting diode (LED).

The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the light emitting portion is a horizontal LED or a vertical LED.

The light emitting device of claim 1 or 2, wherein the DBR layer comprises a TiO ₂ layer and an SiO ₂ layer.

The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the first wavelength band is a wavelength band of blue light, and the second wavelength band is a wavelength band of yellow light.

The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein white light is emitted by light of the first wavelength band and light of the second wavelength band.

The method of claim 1 or 2, wherein the light emitting portion,

Board;

A buffer layer disposed on the substrate;

A first conductive layer disposed on the buffer layer;

An active layer disposed on the first conductive layer;

A second conductive layer disposed on the active layer;

A first electrode disposed on the first conductive layer;

A second electrode disposed on the second conductive layer;

Light emitting device comprising a.

The method of claim 1 or 2, wherein the light emitting portion,

Conductive substrates;

A first conductive layer disposed on the conductive substrate;

An active layer disposed on the first conductive layer;

A second conductive layer disposed on the active layer;

An electrode disposed on the second conductive layer;

Light emitting device comprising a.