KR20090116842A - Light emitting device and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20090116842A
KR20090116842A KR20080042603A KR20080042603A KR20090116842A KR 20090116842 A KR20090116842 A KR 20090116842A KR 20080042603 A KR20080042603 A KR 20080042603A KR 20080042603 A KR20080042603 A KR 20080042603A KR 20090116842 A KR20090116842 A KR 20090116842A
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박형조
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device and a method for fabricating the same are provided to improve the reliability of an emitting device through a stable operation voltage by removing current concentration of an emitting device. CONSTITUTION: In a light emitting device and a method for fabricating the same, an un-doped GaN layer and the first conductivity type semiconductor are formed on a substrate. A semiconductor layer of the second conductive types is formed on the second electrode layer(80). An ohmic electrode layer(70) is formed on the second electrode layer. An active layer(50) is formed on the semiconductor layer of the second conductive types. A current shielding layer(40) is formed on the semiconductor layer of the first conductivity type. The current blocking layer is formed as a multi-layer, and the top, bottom, side of a current block layer is surrounded with the semiconductor layer of the first conductivity type.

Description

발광 소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME} LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same.

최근, 발광 소자로써 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 장치가 많이 연구되고 있다.Recently, many devices using light emitting diodes (LEDs) as light emitting devices have been studied.

LED는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기 신호를 빛으로 변환시키는 것으로, 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 제2 도전형의 반도체층이 적층되어 전원이 인가됨에 따라 상기 활성층에서 빛을 방출한다. 상기 제1 도전형의 반도체층은 N형 반도체층이 되고 상기 제2 도전형의 반도체층은 P형 반도체층이 될 수 있고, 또는 그 반대가 될 수도 있다.The LED converts an electrical signal into light using characteristics of a compound semiconductor, and the first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer are stacked to emit light from the active layer as power is applied. . The first conductive semiconductor layer may be an N-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer may be a P-type semiconductor layer, or vice versa.

한편, 상기 제1 도전형의 반도체층에 전원을 인가하는 제1 전극층과 상기 제2 도전형의 반도체층에 전원을 인가하는 제2 전극층이 수직 방향으로 배치되는 수직형 LED 구조에서, 상기 제1 전극층의 하측에 전류가 집중되는 현상이 발생될 수 있다.Meanwhile, in the vertical LED structure in which a first electrode layer applying power to the first conductive semiconductor layer and a second electrode layer applying power to the second conductive semiconductor layer are arranged in a vertical direction, the first A phenomenon in which current is concentrated under the electrode layer may occur.

상기 제1 전극층의 하측에 전류가 집중되는 형상이 발생되는 경우, 동작 전 압이 상승되고 광도가 저하될 수 있으며, 결과적으로 발광 소자의 신뢰성이 떨어진다.When the shape in which the current is concentrated below the first electrode layer is generated, the operating voltage may be increased and the brightness may be decreased, and as a result, the reliability of the light emitting device is low.

실시예는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device and a method of manufacturing the same.

실시예는 전류 집중 현상을 제거할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of eliminating current concentration and a method of manufacturing the same.

실시예는 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있고, 광도가 저하됨없이 안정적으로 동작될 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device and a method of manufacturing the same, which can be driven at a stable operating voltage and can be operated stably without deterioration of brightness.

본 발명에 따른 발광 소자는 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층에 형성된 전류 차단층; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 제1 전극층이 포함된다.The light emitting device according to the present invention includes a second electrode layer; A second conductive semiconductor layer formed on the second electrode layer; An active layer formed on the second conductive semiconductor layer; A first conductive semiconductor layer formed on the active layer; A current blocking layer formed on the first conductive semiconductor layer; And a first electrode layer formed on the first conductive semiconductor layer.

실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 기판 상에 Un-doped GaN층 및 제1 도전형의 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 전류 차단층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형의 반도체층을 더 성장시켜 상기 전류 차단층이 내부에 포함되도록 형성하는 단계; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 기판 및 Un-doped GaN층을 제거하고, 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계가 포함된다.In another embodiment, a light emitting device manufacturing method includes: forming an undoped GaN layer and a first conductive semiconductor layer on a substrate; Forming a current blocking layer on the first conductive semiconductor layer; Further growing the first conductive semiconductor layer to form the current blocking layer therein; Forming an active layer and a second conductive semiconductor layer on the first conductive semiconductor layer; Forming a second electrode layer on the second conductive semiconductor layer; And removing the substrate and the un-doped GaN layer and forming a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer.

실시예는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device and a method of manufacturing the same.

실시예는 전류 집중 현상을 제거할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device capable of removing a current concentration phenomenon and a method of manufacturing the same.

실시예는 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있고, 광도가 저하됨없이 안정적으로 동작될 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device and a method of manufacturing the same, which can be driven at a stable operating voltage and can be operated stably without deterioration of brightness.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment according to the present invention, each layer (film), region, pattern or structure may be "on" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. "On" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer, as described in do. In addition, the criteria for the above / above or below of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다.1 to 7 illustrate a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a first embodiment of the present invention.

먼저, 도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자는 제2 전극 층(80)과, 상기 제2 전극층(80) 상에 형성된 오믹 전극층(70)과, 상기 오믹 전극층(70) 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층(60), 활성층(50) 및 제1 도전형의 반도체층(30)과, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 형성된 제1 전극층(90)이 포함된다. 또한, 상기 제1 도전형의 반도체층(30)에는 전류가 흐르는 경로를 변화시키기 위한 전류 차단층(40)이 형성된다.First, referring to FIG. 7, the light emitting device according to the first embodiment of the present invention includes a second electrode layer 80, an ohmic electrode layer 70 formed on the second electrode layer 80, and the ohmic electrode layer ( The second conductive semiconductor layer 60, the active layer 50, and the first conductive semiconductor layer 30 formed on the 70 and the first electrode layer formed on the first conductive semiconductor layer 30. 90 is included. In addition, a current blocking layer 40 for changing a path through which a current flows is formed in the first conductive semiconductor layer 30.

상기 오믹 전극층(70)은 상기 제2 전극층(80)와 하면 및 측면이 접촉하여 형성될 수도 있으며, 상기 오믹 전극층(70)의 상면과 상기 제2 전극층(80)의 상면은 동일 수평 평면 상에 형성될 수도 있다.The ohmic electrode layer 70 may be formed by contacting a bottom surface and a side surface of the second electrode layer 80. An upper surface of the ohmic electrode layer 70 and an upper surface of the second electrode layer 80 may be disposed on the same horizontal plane. It may be formed.

상기 제1 전극층(90)과 상기 오믹 전극층(70)은 수직 방향으로 배치된다. 또는, 상기 제1 전극층(90)과 상기 제2 전극층(80)은 수직 방향으로 배치된다. 즉, 상기 제1 전극층(90)과 상기 오믹 전극층(70) 또는 제2 전극층(80)은 적어도 일부분이 동일 수직 평면 상에 배치될 수 있다.The first electrode layer 90 and the ohmic electrode layer 70 are disposed in a vertical direction. Alternatively, the first electrode layer 90 and the second electrode layer 80 are disposed in the vertical direction. That is, at least a portion of the first electrode layer 90 and the ohmic electrode layer 70 or the second electrode layer 80 may be disposed on the same vertical plane.

실시예에 따른 발광 소자에서는 상기 제1 전극층(90)의 아래에, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 내에 전류 차단층(40)을 형성한다. 상기 전류 차단층(40)은 절연 물질로 형성되며, 예를 들어, SiO2, SiNx, TiO2, Ta2O3, SiON, SiCN 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, a current blocking layer 40 is formed in the first conductive semiconductor layer 30 under the first electrode layer 90. The current blocking layer 40 may be formed of an insulating material, for example, at least one of SiO 2 , SiN x , TiO 2 , Ta 2 O 3 , SiON, and SiCN.

상기 전류 차단층(40)이 형성됨에 따라 도 7에 화살표로 도시된 바와 같이, 상기 오믹 전극층(70)에서 상기 제1 전극층(90)으로 흐르는 전류는 상기 제1 전극층(90)의 하측으로 집중되어 흐르지 않고, 제2 도전형의 반도체층(60), 활성층(50) 및 제1 도전형의 반도체층(30)의 넓은 영역으로 퍼져 흐르게 된다.As the current blocking layer 40 is formed, as shown by an arrow in FIG. 7, current flowing from the ohmic electrode layer 70 to the first electrode layer 90 is concentrated downward of the first electrode layer 90. Instead of flowing, it spreads to a wide area of the second conductive semiconductor layer 60, the active layer 50, and the first conductive semiconductor layer 30.

따라서, 상기 제1 전극층(90)의 하측으로 전류가 집중되어 흐르는 전류 집중 현상을 방지할 수 있고, 결과적으로 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있으며, 광도가 향상될 수 있다.Therefore, it is possible to prevent the current concentration phenomenon in which the current is concentrated under the first electrode layer 90, and as a result, can be driven at a stable operating voltage, and the brightness can be improved.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다.8 is a view for explaining a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 발광 소자는 도 7에 도시된 발광 소자와 기본적인 특징은 유사하다. 다만, 도 8에 도시된 발광 소자에서 상기 전류 차단층(40)이 부분적으로 복수개가 형성된다.The light emitting device shown in FIG. 8 is similar in basic features to the light emitting device shown in FIG. 7. However, in the light emitting device shown in FIG. 8, a plurality of the current blocking layers 40 are partially formed.

상기 전류 차단층(40)이 부분적으로 복수개가 형성되는 경우, 상기 제1 도전형의 반도체층(30)이 보다 용이하게 성장될 수 있는 장점을 갖는다.When a plurality of the current blocking layers 40 are partially formed, the first conductive semiconductor layer 30 may be more easily grown.

또한, 상기 전류 차단층(40)과 전류 차단층(40) 사이로도 전류가 흐를 수 있기 때문에 전류 퍼짐 효과가 보다 극대화될 수도 있다.In addition, since the current may flow between the current blocking layer 40 and the current blocking layer 40, the current spreading effect may be more maximized.

도 9는 도 7에 도시된 전류 차단층의 평면 형상이고, 도 10은 도 8에 도시된 전류 차단층의 평면 형상이다.FIG. 9 is a planar shape of the current blocking layer shown in FIG. 7, and FIG. 10 is a planar shape of the current blocking layer shown in FIG. 8.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 전류 차단층(40)의 상측에도 제1 도전형의 반도체층(30)이 성장되는데, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 전류 차단층(40)이 복수개로 분할되어 서로 이격되어 형성되는 경우 전류 차단층(40)과 전류 차단층(40) 사이로 상기 제1 도전형의 반도체층(30)이 성장될 수 있는 장점을 갖는다.As shown in FIGS. 7 and 8, the first conductive semiconductor layer 30 is also grown on the current blocking layer 40. As shown in FIG. 10, the current blocking layer 40 is formed. The first conductive semiconductor layer 30 may be grown between the current blocking layer 40 and the current blocking layer 40 when the plurality of divided parts are separated from each other.

이하에서는 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 7.

도 1 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1 to 7 are views for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 Un-doped GaN층(20) 및 제1 도전형의 반도체층(30)을 형성한다. 또한, 상기 기판(10)과 상기 Un-doped GaN층(20) 사이에는 버퍼층(미도시)가 더 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 1, an undoped GaN layer 20 and a first conductive semiconductor layer 30 are formed on a substrate 10. In addition, a buffer layer (not shown) may be further formed between the substrate 10 and the un-doped GaN layer 20.

상기 기판(10)은 사파이어(Al2O3), Si, SiC, GaAs, ZnO, MgO 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다. The substrate 10 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), Si, SiC, GaAs, ZnO, MgO.

상기 버퍼층은 AlInN/GaN, InxGa1-xN/GaN, AlxInyGa1-x-yN/InxGa1-xN/GaN 등과 같은 적층 구조를 이루는 멀티층으로 형성될 수도 있고, 예를 들어, 트리메틸 갈륨(TMGa)과 트리메틸 인듐(TMIn) 및 트리메틸 알루미늄(TMAl)을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버 내부로 주입시킴으로써 성장시킬 수 있다. The buffer layer may be formed of a multi layer having a stacked structure such as AlInN / GaN, InxGa 1-x N / GaN, Al x In y Ga 1-xy N / In x Ga 1-x N / GaN, or the like. For example, trimethyl gallium (TMGa), trimethyl indium (TMIn) and trimethyl aluminum (TMAl) can be grown by injecting hydrogen gas and ammonia gas into the chamber.

상기 Un-doped GaN층(20)은 트리메틸 갈륨(TMGa)을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다.The undoped GaN layer 20 may be grown by injecting trimethyl gallium (TMGa) into the chamber together with hydrogen gas and ammonia gas.

상기 제1 도전형의 반도체층(30)은 제1 도전형의 불순물 이온이 주입된 질화물 반도체층이 될 수 있고, 예를 들어, N형 불순물 이온이 주입된 반도체층이 될 수 있다. 상기 제1 도전형의 반도체층(30)은 트리메틸 갈륨(TMGa), N형 불순물(예를 들어, Si)을 포함하는 사이렌 가스(SiN4) 및 을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다.The first conductive semiconductor layer 30 may be a nitride semiconductor layer implanted with impurity ions of the first conductivity type, for example, a semiconductor layer implanted with N-type impurity ions. The first conductive semiconductor layer 30 is injected with siren gas (SiN 4 ) containing trimethyl gallium (TMGa), N-type impurities (eg, Si) and hydrogen gas and ammonia gas into the chamber. Can be grown.

도 2를 참조하면, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 마스크(미도시)를 형성하고, 절연 물질로 형성된 전류 차단층(40)을 형성한다. 상기 전류 차단층(40)은 SiO2, SiNx, TiO2, Ta2O3, SiON, SiCN 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(40)이 SiO2로 형성되는 경우, SiH4 또는 Si2H6와 같이 실리콘(Si) 를 포함하는 가스와 N2O, O2, O3와 같이 산소(O)를 포함하는 가스를 주입하여 CVD 방법으로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, a mask (not shown) is formed on the first conductive semiconductor layer 30, and a current blocking layer 40 formed of an insulating material is formed. The current blocking layer 40 may be formed of at least one of SiO 2 , SiN x , TiO 2 , Ta 2 O 3 , SiON, and SiCN. For example, when the current blocking layer 40 is formed of SiO 2 , a gas containing silicon (Si), such as SiH 4 or Si 2 H 6, and oxygen (N 2 O, O 2 , O 3 , etc.). A gas containing O) may be injected to form the CVD method.

이 때, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 형성되는 마스크(미도시)의 패턴 형상에 따라 도 2 및 도 9에 도시된 바와 같은 전류 차단층(40)이 형성되거나, 도 8 및 도 10에 도시된 바와 같은 전류 차단층(40)이 형성될 수 있다.At this time, according to the pattern of the mask (not shown) formed on the first conductive semiconductor layer 30, the current blocking layer 40 as shown in Figs. 2 and 9 is formed, or Fig. 8 And a current blocking layer 40 as shown in FIG. 10.

도 3을 참조하면, 상기 마스크(미도시)를 제거하고, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 추가적으로 제1 도전형의 반도체층(30)을 성장시킨다. 상기 제1 도전형의 반도체층(30)이 추가적으로 성장됨에 따라 상기 전류 차단층(40)은 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 내에 매립되는 형태가 된다.Referring to FIG. 3, the mask (not shown) is removed and an additional first conductive semiconductor layer 30 is grown on the first conductive semiconductor layer 30. As the first conductive semiconductor layer 30 is further grown, the current blocking layer 40 is embedded in the first conductive semiconductor layer 30.

그리고, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 활성층(40) 및 제2 도전형의 반도체층(60)을 형성한다.The active layer 40 and the second conductive semiconductor layer 60 are formed on the first conductive semiconductor layer 30.

상기 활성층(40)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물(Multi-Quantum Well) 구조로 형성될 수 있고, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 적층구조로 형성될 수도 있다.The active layer 40 may be formed of a single quantum well structure or a multi-quantum well structure. For example, the active layer 40 may be formed of a stacked structure of an InGaN well layer / GaN barrier layer.

상기 제2 도전형의 반도체층(60)은 제2 도전형의 불순물 이온이 주입된 질화물 반도체층이 될 수 있고, 예를 들어, P형 불순물 이온이 주입된 반도체층이 될 수 있다. 상기 제2 도전형의 반도체층(60)은 트리메틸 갈륨(TMGa), P형 불순물(예를 들어, Mg)을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2} 및 을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다.The second conductive semiconductor layer 60 may be a nitride semiconductor layer implanted with impurity ions of the second conductivity type, for example, a semiconductor layer implanted with P-type impurity ions. The second conductive semiconductor layer 60 is bicetyl cyclopentadienyl magnesium (EtCp 2 Mg) containing trimethyl gallium (TMGa) and P-type impurities (eg, Mg) {Mg (C 2 H 5 C 5 H 4 ) 2 } and may be grown together by injecting hydrogen gas and ammonia gas into the chamber.

도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(60) 상에 오믹 전극층(70) 및 제2 전극층(80)을 형성한다.Referring to FIG. 4, an ohmic electrode layer 70 and a second electrode layer 80 are formed on the second conductive semiconductor layer 60.

상기 오믹 전극층(70)은 투명 전극층으로 형성될 수도 있고, 예를 들어, ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.The ohmic electrode layer 70 may be formed of a transparent electrode layer, for example, at least one of ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx.

또한, 상기 오믹 전극층(70)은 반사층 및 접착층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In addition, the ohmic electrode layer 70 may include at least one of a reflective layer and an adhesive layer.

상기 제2 전극층(80)은 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 전도성 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.For example, the second electrode layer 80 may be formed of at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), and a conductive substrate. It may be.

도 5를 참조하면, 도 4의 결과물에서, 상기 기판(10) 및 Un-doped GaN층(20)을 제거한다. 버퍼층이 형성된 경우에 상기 버퍼층도 제거된다.Referring to FIG. 5, in the resultant product of FIG. 4, the substrate 10 and the un-doped GaN layer 20 are removed. When the buffer layer is formed, the buffer layer is also removed.

도 6을 참조하면, 도 5의 결과물에서, 칩 분리를 위한 아이솔레이션(isolation) 에칭 공정이 진행된다. Referring to FIG. 6, in the result of FIG. 5, an isolation etching process for chip separation is performed.

도 7을 참조하면, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 제1 전극층(90)을 형성한다. 상기 제1 전극층(90)은 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 7, a first electrode layer 90 is formed on the first conductive semiconductor layer 30. For example, the first electrode layer 90 may be formed of at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), and gold (Au).

이와 같은 방법으로, 도 7 및 도 8에 도시된 발광 소자가 제조될 수 있다.In this way, the light emitting device shown in FIGS. 7 and 8 can be manufactured.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made based on the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains may not have been exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

도 1 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면.1 to 7 illustrate a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면.8 is a view for explaining a light emitting device according to a second embodiment of the present invention;

도 9는 도 7에 도시된 전류 차단층의 평면 형상.9 is a planar shape of the current blocking layer shown in FIG.

도 10은 도 8에 도시된 전류 차단층의 평면 형상.10 is a planar shape of the current blocking layer shown in FIG.

Claims (10)

제2 전극층;A second electrode layer; 상기 제2 전극층 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층;A second conductive semiconductor layer formed on the second electrode layer; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 활성층;An active layer formed on the second conductive semiconductor layer; 상기 활성층 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층;A first conductive semiconductor layer formed on the active layer; 상기 제1 도전형의 반도체층에 형성된 전류 차단층; 및A current blocking layer formed on the first conductive semiconductor layer; And 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 제1 전극층이 포함되는 발광 소자.A light emitting device comprising a first electrode layer formed on the first conductive semiconductor layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전극층, 제2 전극층 및 전류 차단층은 적어도 일부분이 동일 수직면 상에 배치되는 발광 소자.The first electrode layer, the second electrode layer and the current blocking layer is at least partially disposed on the same vertical surface. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 차단층은 상면, 하면 및 측면이 상기 제1 도전형의 반도체층에 의해 둘러싸여 형성되는 발광 소자.The current blocking layer has a top surface, a bottom surface and a side surface formed by being surrounded by the semiconductor layer of the first conductivity type. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 차단층은 SiO2, SiNx, TiO2, Ta2O3, SiON, SiCN 중 적어도 어느 하나로 형성되는 발광 소자.The current blocking layer is formed of at least one of SiO 2 , SiN x , TiO 2 , Ta 2 O 3 , SiON, SiCN. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 차단층은 복수개로 이격되어 형성되는 발광 소자.The current blocking layer is formed of a plurality of light emitting devices spaced apart. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 전극층 상에 오믹 전극층이 형성되는 발광 소자.A light emitting device in which an ohmic electrode layer is formed on the second electrode layer. 기판 상에 Un-doped GaN층 및 제1 도전형의 반도체층을 형성하는 단계;Forming an un-doped GaN layer and a first conductive semiconductor layer on the substrate; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 전류 차단층을 형성하는 단계;Forming a current blocking layer on the first conductive semiconductor layer; 상기 제1 도전형의 반도체층을 더 성장시켜 상기 전류 차단층이 내부에 포함되도록 형성하는 단계;Further growing the first conductive semiconductor layer to form the current blocking layer therein; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계;Forming an active layer and a second conductive semiconductor layer on the first conductive semiconductor layer; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및Forming a second electrode layer on the second conductive semiconductor layer; And 상기 기판 및 Un-doped GaN층을 제거하고, 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계가 포함되는 발광 소자 제조방법.Removing the substrate and the un-doped GaN layer, and forming a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 전류 차단층은 SiO2, SiNx, TiO2, Ta2O3, SiON, SiCN 중 적어도 어느 하나로 형성되는 발광 소자 제조방법.The current blocking layer is formed of at least one of SiO 2 , SiN x , TiO 2 , Ta 2 O 3 , SiON, SiCN. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 전류 차단층은 복수개로 이격되어 형성되는 발광 소자 제조방법.The current blocking layer is a plurality of light emitting device manufacturing method is formed spaced apart. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제2 전극층을 형성하기 전 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 오믹 전극층을 형성하는 단계가 포함되는 발광 소자 제조방법.Before forming the second electrode layer, forming an ohmic electrode layer on the second conductive semiconductor layer.
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