KR20090110219A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A substrate processor and a substrate process method for improving throughput are provided to perform the heating processing of a substrate and improve throughput of the substrate process. CONSTITUTION: A substrate processor(500) includes a first processing unit and a second processing unit. The first processing unit performs a processing in the substrate. The second processing unit is arranged between the first processing unit and the exposure device(16). The second processing unit carries in a substrate about the exposure device processing in a substrate. The first processing unit includes the photosensitive film formation unit on the photosensitive film. The second processing unit includes a cleaning processing unit, a heat treatment unit, a first substrate transfer unit and a second substrate transfer unit.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate Processing Apparatus and Substrate Processing Method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은, 기판의 처리를 행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate.

반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지의 처리를 행하기 위해, 기판처리장치가 사용되고 있다.Substrate processing apparatus for processing various substrates such as semiconductor substrate, substrate for liquid crystal display, substrate for plasma display, substrate for optical disk, substrate for magnetic disk, substrate for magneto-optical disk, substrate for photomask, etc. Is being used.

이러한 기판처리장치에서는, 일반적으로, 한 장의 기판에 대해 복수의 상이한 처리가 연속적으로 행해진다. 일본특허공개 2003-324139호 공보에 기재된 기판처리장치는, 인덱서블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스트막용 처리블록, 현상처리블록 및 인터페이스블록에 의해 구성된다. 인터페이스블록에 인접하도록, 기판처리장치와는 별체의 외부장치인 노광장치가 배치된다.In such a substrate processing apparatus, generally, several different processes are performed continuously with respect to one board | substrate. The substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-324139 is composed of an indexer block, an antireflection film processing block, a resist film processing block, a development processing block, and an interface block. An exposure apparatus, which is an external device separate from the substrate processing apparatus, is disposed adjacent to the interface block.

상기의 기판처리장치에 있어서는, 인덱서블록으로부터 반입되는 기판은, 반사방지막용 처리블록 및 레지스트막용 처리블록에서 반사방지막의 형성 및 레지스트막의 도포처리가 행해진 후, 인터페이스블록을 통해 노광장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판 상의 레지스트막에 노광처리가 행해진 후, 기판은 인터페이스블록을 통해 현상처리블록으로 반송된다. 현상처리블록에서 기판 상의 레지스트막에 현상처리가 행해짐으로써 레지스트패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서블록으로 반송된다.In the above substrate processing apparatus, the substrate loaded from the indexer block is conveyed to the exposure apparatus through the interface block after the antireflection film formation and the resist film coating process are performed in the antireflection film processing block and the resist film processing block. After the exposure treatment is performed on the resist film on the substrate in the exposure apparatus, the substrate is conveyed to the developing block through the interface block. After the development process is performed on the resist film on the substrate in the development block, the substrate is conveyed to the indexer block.

근년, 디바이스의 고밀도화 및 고(高)집적화에 따라, 레지스트패턴의 미세화가 중요한 과제로 되어 있다. 종래의 일반적인 노광장치에 있어서는, 레티클의 패턴을 투영렌즈를 통해 기판 상에 축소투영함으로써 노광처리가 행해지고 있었다. 그러나, 이러한 종래의 노광장치에서는, 노광패턴의 선(線)폭은 노광장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트패턴의 미세화에 한계가 있었다.In recent years, along with the higher density and higher integration of devices, the miniaturization of resist patterns has become an important problem. In the conventional general exposure apparatus, exposure processing is performed by reducing and projecting the pattern of the reticle onto the substrate through the projection lens. However, in such a conventional exposure apparatus, since the line width of the exposure pattern is determined by the wavelength of the light source of the exposure apparatus, there is a limit to the miniaturization of the resist pattern.

그래서, 노광패턴의 가일층 미세화를 가능하게 하는 투영노광방법으로서 액침법(液浸法)이 제안되어 있다(예를 들면, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영노광장치에 있어서는, 투영광학계와 기판 사이에 액체가 채워져 있어, 기판 표면에서의 노광 광을 단파장화할 수 있다. 이에 의해, 노광패턴의 가일층 미세화가 가능하게 된다.Therefore, a liquid immersion method has been proposed as a projection exposure method that enables further miniaturization of an exposure pattern (see, for example, International Publication No. 99/49504 pamphlet). In the projection exposure apparatus of International Publication No. 99/49504 pamphlet, liquid is filled between the projection optical system and the substrate, so that the exposure light on the substrate surface can be shortened. As a result, the exposure pattern can be further miniaturized.

근년에 있어서의 노광패턴의 미세화의 요구에 따라, 기판의 처리공정이 복잡화하고 있다. 이에 의해, 기판처리장치의 처리량이 저하한다.In recent years, in accordance with the demand for miniaturization of an exposure pattern, a substrate processing step is complicated. This reduces the throughput of the substrate processing apparatus.

또한, 기판의 노광처리 후에 있어서는, 노광처리에 의한 화학반응을 레지스트막 내에서 촉진시키기 위해, 기판의 PEB(노광 후 베이크)처리가 행해진다. 소망의 노광패턴을 얻기 위해서는, 노광처리 후, 더 신속하게 기판의 PEB처리를 행하여, 신속하게 화학반응을 촉진시키는 것이 바람직하다.In addition, after the exposure treatment of the substrate, PEB (post-exposure bake) treatment of the substrate is performed to promote the chemical reaction by the exposure treatment in the resist film. In order to obtain a desired exposure pattern, it is preferable to perform the PEB treatment of the substrate more quickly after the exposure treatment to promptly accelerate the chemical reaction.

본 발명의 목적은, 처리량이 향상되는 동시에, 노광 후에 신속하게 기판의 가열처리를 행할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which are capable of performing a heat treatment of a substrate quickly after exposure while improving throughput.

(1) 본 발명의 일 국면에 따른 기판처리장치는, 노광장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 제1 처리부와, 제1 처리부와 노광장치 사이에 배치되어, 기판에 처리를 행하는 동시에 노광장치에 대해 기판의 반입 및 반출을 행하는 제2 처리부를 구비하고, 제1 처리부는, 기판 상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막 형성유닛을 포함하며, 제2 처리부는, 노광처리 전의 기판을 세정하는 세정처리유닛과, 노광처리 후의 기판에 열처리를 행하는 열처리유닛과, 노광처리 전의 기판을 제1 처리부, 세정처리유닛 및 노광장치 사이에서 반송하는 제1 기판반송기구와, 노광처리 후의 기판을 노광장치 및 열처리유닛 사이에서 반송하는 제2 기판반송기구를 포함하는 것이다.(1) A substrate processing apparatus according to one aspect of the present invention is a substrate processing apparatus arranged to be adjacent to an exposure apparatus, and is disposed between a first processing unit for processing a substrate, a first processing unit, and an exposure apparatus, A second processing portion for processing the substrate and carrying the substrate in and out of the exposure apparatus; the first processing portion includes a photosensitive film forming unit for forming a photosensitive film made of a photosensitive material on the substrate; The processing unit includes a cleaning processing unit for cleaning the substrate before the exposure treatment, a heat treatment unit for performing a heat treatment on the substrate after the exposure treatment, and a first substrate conveyance conveying the substrate before the exposure treatment between the first processing portion, the cleaning treatment unit, and the exposure apparatus. And a second substrate transfer mechanism for transferring the substrate after the exposure treatment between the exposure apparatus and the heat treatment unit.

이 기판처리장치에 있어서는, 제1 처리부에서 감광성막 형성유닛에 의해 기판 상에 감광성막이 형성된다. 그 기판은 제2 처리부에 반송되어, 세정처리유닛에 의해 세정된 후, 노광장치에 반입된다. 노광장치에서 노광처리가 행해진 기판은, 제2 처리부에 되돌려진다. 그리고, 제2 처리부에서 열처리유닛에 의해 기판에 열처리가 행해진다.In this substrate processing apparatus, a photosensitive film is formed on a substrate by the photosensitive film forming unit in the first processing unit. The substrate is conveyed to the second processing unit, washed by the cleaning processing unit, and then loaded into the exposure apparatus. The substrate subjected to the exposure treatment in the exposure apparatus is returned to the second processing unit. Then, heat treatment is performed on the substrate by the heat treatment unit in the second treatment portion.

이 경우, 노광처리 전의 기판이 제1 기판반송기구에 의해 제1 처리부, 세정 처리유닛 및 노광장치 사이에서 반송되고, 노광처리 후의 기판이 제2 기판반송기구에 의해 노광장치 및 열처리유닛 사이에서 반송된다. 즉, 제2 처리부에서는, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 각각 독립적으로 확보되어 있다.In this case, the substrate before the exposure treatment is transferred between the first processing unit, the cleaning processing unit and the exposure apparatus by the first substrate transfer mechanism, and the substrate after the exposure treatment is transferred between the exposure apparatus and the heat treatment unit by the second substrate transfer mechanism. do. That is, in the 2nd processing part, the conveyance path of the board | substrate before an exposure process, and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process are each independently ensured.

이에 의해, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 교차하는 경우에 비해, 효율 좋게 기판을 반송할 수 있다. 그 결과, 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판이 동일한 부위에 접촉하지 않으므로, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판 사이의 상호오염을 방지할 수 있다.Thereby, a board | substrate can be conveyed efficiently rather than the case where the conveyance path of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process cross | intersect. As a result, it becomes possible to improve the throughput. In addition, since the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment do not contact the same site, mutual contamination between the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment can be prevented.

또한, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 각각 독립되어 있음으로써, 노광처리 후의 기판을 원활하게 열처리유닛으로 반송할 수 있다. 그 때문에, 복수의 기판을 연속적으로 처리하는 경우에, 노광처리로부터 열처리까지의 시간을 대략 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 노광패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.Moreover, since the conveyance path | route of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path | route of the board | substrate after an exposure process are independent, respectively, the board | substrate after an exposure process can be smoothly conveyed to a heat processing unit. Therefore, when processing several board | substrate continuously, the time from exposure processing to heat processing can be made substantially constant. As a result, variation in the accuracy of the exposure pattern can be prevented.

또한, 열처리유닛이 노광장치에 인접하는 제2 처리부에 설치되어 있으므로, 노광처리 후의 기판을 신속하게 열처리유닛까지 반송할 수 있다. 따라서, 노광처리 후, 신속하게 기판의 열처리를 행할 수 있다. 그 결과, 감광성막내의 화학반응을 신속하게 촉진 시킬 수 있어, 소망의 노광패턴을 얻을 수 있다.Moreover, since the heat processing unit is provided in the 2nd processing part adjacent to an exposure apparatus, the board | substrate after an exposure process can be conveyed to a heat processing unit quickly. Therefore, after an exposure process, heat processing of a board | substrate can be performed quickly. As a result, the chemical reaction in the photosensitive film can be promptly accelerated, and a desired exposure pattern can be obtained.

(2) 제2 처리부는, 기판에 처리를 행하는 처리용 블록과, 노광장치에 대해 기판의 반입 및 반출을 행하는 반입반출용 블록을 포함하고, 세정처리유닛 및 열처 리유닛은, 처리용 블록에 설치되며, 제1 기판반송기구는, 처리용 블록에 설치되어, 노광처리 전의 기판을 제1 처리부, 세정처리유닛 및 반입반출용 블록 사이에서 반송하는 제1 반송장치와, 반입반출용 블록에 설치되어, 노광처리 전의 기판을 처리용 블록 및 노광장치 사이에서 반송하는 제2 반송장치를 포함하고, 제2 기판반송기구는, 처리용 블록에 설치되어, 노광처리 후의 기판을 반입반출용 블록 및 열처리유닛 사이에 반송하는 제3 반송장치와, 반입반출용 블록에 설치되어, 노광처리 후의 기판을 노광장치 및 처리용 블록 사이에서 반송하는 제4 반송장치를 포함해도 좋다.(2) The second processing unit includes a processing block for processing the substrate and a loading / exporting block for carrying in and out of the substrate with respect to the exposure apparatus, and the cleaning processing unit and the thermal processing unit are provided in the processing block. The first substrate transport mechanism is provided in the processing block, the first transport apparatus for transporting the substrate before the exposure treatment between the first processing unit, the cleaning processing unit, and the block for carrying in and out, and the block for carrying in and out. And a second transfer device for transferring the substrate before the exposure process between the processing block and the exposure apparatus, wherein the second substrate transfer mechanism is provided in the processing block, and carries the heat-treated substrate into the carrying-out block and heat treatment. You may include the 3rd conveying apparatus conveyed between units, and the 4th conveying apparatus provided in the block for carrying in and carrying out, and conveying the board | substrate after an exposure process between an exposure apparatus and a process block.

이 경우, 노광처리 전의 기판이, 제1 반송장치에 의해 제1 처리부로부터 세정처리유닛에 반송되고, 이어서. 세정처리유닛으로부터 반입반출용 블록에 반송된다. 그리고, 제2 반송장치에 의해 그 기판이 노광장치에 반입된다.In this case, the board | substrate before an exposure process is conveyed from a 1st process part to a washing | cleaning processing unit by a 1st conveying apparatus, and then. It is conveyed to a block for carrying in / out from a washing process unit. And the board | substrate is carried in to an exposure apparatus by a 2nd conveyance apparatus.

또한, 노광처리 후의 기판이, 제3 반송장치에 의해 노광장치로부터 반출된다. 그리고, 그 기판이 제4 반송장치에 의해 반입반출용 블록으로부터 열처리유닛에 반송된다. Moreover, the board | substrate after an exposure process is carried out from an exposure apparatus with a 3rd conveying apparatus. And the board | substrate is conveyed to the heat processing unit from the block for carrying in / out by a 4th conveying apparatus.

이에 의해, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 독립하여, 효율 좋게 기판을 반송할 수 있다. 그 결과, 처리량을 충분히 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판이 동일한 부위에 접촉하는 것을 확실히 방지할 수 있어, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판 사이의 상호오염을 방지할 수 있다.Thereby, the conveyance path of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process are independent, and a board | substrate can be conveyed efficiently. As a result, the throughput can be sufficiently improved. In addition, it is possible to reliably prevent the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment from contacting the same site, thereby preventing mutual contamination between the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment.

(3) 반입반출용 블록은, 처리용 블록에 대해 가동(可動)이어도 좋다. 이 경 우, 반입반출용 블록을 처리용 블록에 대해 이동시킴으로써, 보수작업을 위한 작업공간을 확보할 수 있다. 이에 의해, 처리용 블록에서 많은 용력(用力)을 사용하는 경우에, 처리용 블록과 용력설비의 접속을 유지한 채로 보수작업을 행할 수 있다. 따라서, 작업노력 및 작업시간을 큰 폭으로 경감할 수 있다.(3) The carrying in / outing block may be movable with respect to the processing block. In this case, a work space for maintenance work can be secured by moving the block for import / export relative to the block for processing. Thereby, when a lot of power is used in a process block, maintenance work can be performed, maintaining the connection of a process block and a power installation. Therefore, work effort and work time can be greatly reduced.

(4) 제1 처리부는, 열처리유닛으로부터 열처리 후의 기판을 반출하는 제5 반송장치를 더 포함해도 좋다.(4) The first processing unit may further include a fifth transfer device for carrying out the substrate after the heat treatment from the heat treatment unit.

이 경우, 노광처리 후의 기판이 제4 반송장치에 의해 열처리유닛에 반입되고, 제5 반송장치에 의해 열처리유닛으로부터 반출된다. 이와 같이, 열처리유닛을 통해 제1 처리부로부터 제2 처리부로의 기판의 반송을 행함으로써, 기판의 반송효율을 더 향상시킬 수 있다.In this case, the board | substrate after an exposure process is carried in to a heat processing unit by a 4th conveying apparatus, and is carried out from a heat processing unit by a 5th conveying apparatus. In this way, the transfer efficiency of the substrate can be further improved by carrying the substrate from the first processing portion to the second processing portion through the heat treatment unit.

(5) 열처리유닛은, 제3 반송장치에 의해 반입된 기판을 일시적으로 재치하기 위한 제1 재치부와, 제5 반송장치에 의해 반출되는 기판을 일시적으로 재치하기 위한 제2 재치부와, 기판을 가열하는 가열부와, 제1 재치부 및 제2 재치부, 그리고 가열부 사이에서 기판을 반송하는 반송부를 가져도 좋다.(5) The heat treatment unit includes a first placing portion for temporarily placing the substrate carried by the third conveying apparatus, a second placing portion for temporarily placing the substrate carried by the fifth conveying apparatus, and a substrate. You may have a heating part which heats a heating part, a 1st mounting part, a 2nd mounting part, and the conveyance part which conveys a board | substrate between a heating part.

이 경우, 제3 반송장치에 의해 제1 재치부에 기판이 반입되고, 반송부에 의해 그 기판이 가열부에 반송된다. 가열부에서 기판에 가열처리가 행해지고, 가열처리 후의 기판이 반송부에 의해 가열부로부터 제2 재치부에 반송된다. 그리고, 제5 반송장치에 의해 제2 재치부로부터 기판이 반출된다.In this case, a board | substrate is carried in to a 1st mounting part by a 3rd conveying apparatus, and the board | substrate is conveyed to a heating part by a conveyance part. Heat processing is performed to a board | substrate by a heating part, and the board | substrate after heat processing is conveyed from a heating part to a 2nd mounting part by a conveyance part. And a board | substrate is carried out from a 2nd mounting part by a 5th conveying apparatus.

이와 같이, 제1 재치부와 제2 재치부를 별개로 설치함으로써, 제3 반송장치에 의한 기판의 반입동작 및 제5 반송장치에 의한 기판의 반출동작을 용이하면서 원활히 행할 수 있다. 이에 의해, 처리량을 더 향상시킬 수 있다.Thus, by providing a 1st mounting part and a 2nd mounting part separately, carrying out of the board | substrate carrying by the 3rd conveying apparatus and carrying out of the board | substrate by a 5th conveying apparatus can be performed smoothly. As a result, the throughput can be further improved.

(6) 제2 처리부는, 노광장치에 의한 노광처리 후이며 열처리유닛에 의한 열처리 전에 기판을 건조시키는 건조처리유닛을 더 포함하며, 제2 기판반송기구는, 노광처리 후의 기판을 노광장치, 건조처리유닛 및 열처리유닛 사이에서 반송해도 좋다.(6) The second processing unit further includes a drying processing unit for drying the substrate after the exposure treatment by the exposure apparatus and before the heat treatment by the heat treatment unit, and the second substrate transfer mechanism includes an exposure apparatus and drying the substrate after the exposure treatment. You may convey between a processing unit and a heat processing unit.

이 경우, 노광장치에서 기판에 액체가 부착해도, 그 액체가 기판처리장치 내에 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리장치의 동작불량을 방지할 수 있다.In this case, even if the liquid adheres to the substrate in the exposure apparatus, the liquid can be prevented from falling into the substrate processing apparatus. As a result, malfunction of the substrate processing apparatus can be prevented.

(7) 제1 처리부, 제2 처리부 및 노광장치는 제1 방향에 따라 병설되고, 세정처리유닛, 열처리유닛 및 건조처리유닛은, 제2 처리부에서 제1 방향과 수평면 내에서 직교하는 제2 방향에 따라 배치되며, 열처리유닛은, 제2 처리부의 대략 중앙부에 배치되고, 세정처리유닛 및 건조처리유닛은, 제2 방향에 따른 열처리유닛의 일방측(一方側) 및 타방측(他方側)에 배치되어도 좋다.(7) The first processing unit, the second processing unit, and the exposure apparatus are arranged along the first direction, and the cleaning processing unit, the heat processing unit, and the drying processing unit are arranged in a second direction perpendicular to the first direction and the horizontal plane in the second processing unit. The heat treatment unit is disposed in a substantially central portion of the second treatment portion, and the cleaning treatment unit and the drying treatment unit are disposed on one side and the other side of the heat treatment unit in the second direction. It may be arranged.

이 경우, 제2 처리부에서의 기판의 반송효율을 충분히 확보하면서 제2 처리부의 소형화 및 공간절약화가 가능하게 된다.In this case, the size of the second processing unit can be reduced and the space can be reduced while ensuring sufficient transfer efficiency of the substrate in the second processing unit.

(8) 본 발명의 다른 국면에 따른 기판처리방법은, 노광장치에 인접하도록 배치되고, 제1 처리부 및 제2 처리부를 포함하는 기판처리장치에서 기판을 처리하는 기판처리방법으로서, 제1 처리부에서 기판 상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 공정과, 감광성막 형성 후의 기판을 제1 기판반송기구에 의해 제1 처리부로부터 제2 처리부에 반송하는 공정과, 제2 처리부에서 기판을 세정하는 공 정과, 세정 후의 기판을 제1 기판반송기구에 의해 제2 처리부로부터 노광장치에 반송하는 공정과, 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 제2 기판반송기구에 의해 노광장치로부터 제2 처리부에 반송하는 공정과, 제2 처리부에서 기판에 열처리를 행하는 공정을 구비한 것이다.(8) A substrate processing method according to another aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate in a substrate processing apparatus that is disposed adjacent to an exposure apparatus and includes a first processing unit and a second processing unit. A process of forming a photosensitive film made of a photosensitive material on the substrate, a process of conveying the substrate after the photosensitive film formation from the first processing unit to the second processing unit by the first substrate transport mechanism, and a process of cleaning the substrate in the second processing unit; The process of conveying the board | substrate after washing | cleaning from a 2nd process part to an exposure apparatus by a 1st board | substrate conveyance mechanism, and the process of conveying the board | substrate after exposure processing by an exposure apparatus from a exposure apparatus to a 2nd process part by a 2nd board | substrate transport mechanism. And a step of performing heat treatment on the substrate in the second processing unit.

이 기판처리방법에 있어서는, 제1 처리부에서 기판 상에 감광성막이 형성된다. 그 기판은 제2 처리부에 반송되어, 세정된 후에 노광장치에 반입된다. 노광장치에서 노광처리가 행하여진 기판은, 제2 처리부에 되돌려진다. 그리고, 제2 처리부에서 기판에 열처리가 행해진다.In this substrate processing method, a photosensitive film is formed on a substrate in the first processing unit. The substrate is conveyed to the second processing unit, and washed and then loaded into the exposure apparatus. The substrate subjected to the exposure treatment in the exposure apparatus is returned to the second processing unit. Then, heat treatment is performed on the substrate in the second processing unit.

이 경우, 노광처리 전의 기판이 제1 기판반송기구에 의해 제1 처리부, 제2 처리부 및 노광장치 사이에서 반송되고, 노광처리 후의 기판이 제2 기판반송기구에 의해 노광장치 및 제2 처리부 사이에서 반송된다. 즉, 제2 처리부에서는, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 각각 독립적으로 확보되어 있다.In this case, the substrate before the exposure process is conveyed between the first processing unit, the second processing unit and the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism, and the substrate after the exposure process is transported between the exposure apparatus and the second processing unit by the second substrate transport mechanism. Is returned. That is, in the 2nd processing part, the conveyance path of the board | substrate before an exposure process, and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process are each independently ensured.

이에 의해, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 교차하는 경우에 비해, 효율 좋게 기판을 반송할 수 있다. 그 결과, 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판이 동일한 부위에 접촉하는 경우가 없으므로, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판 사이의 상호오염을 방지할 수 있다.Thereby, a board | substrate can be conveyed efficiently rather than the case where the conveyance path of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process cross | intersect. As a result, it becomes possible to improve the throughput. In addition, since the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment do not come into contact with the same site, mutual contamination between the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment can be prevented.

또한, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 각각 독립되어 있음으로써, 원활히 노광처리 후의 기판의 열처리를 행할 수 있다. 그 때문에, 복수의 기판을 연속적으로 처리하는 경우에, 노광처리로부터 열처리까지의 시간을 대략 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 노광패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.Moreover, since the conveyance path | route of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process are independent, respectively, the heat treatment of the board | substrate after an exposure process can be performed smoothly. Therefore, when processing several board | substrate continuously, the time from exposure processing to heat processing can be made substantially constant. As a result, variation in the accuracy of the exposure pattern can be prevented.

또한, 제2 처리부에서 열처리를 행하기 때문에, 노광처리 후, 신속하게 기판의 열처리를 행할 수 있다. 그 결과, 감광성막 내의 화학반응을 신속하게 촉진시킬 수 있어 소망의 노광패턴을 얻을 수 있다.In addition, since the heat treatment is performed in the second processing unit, the substrate can be heat-treated quickly after the exposure treatment. As a result, the chemical reaction in the photosensitive film can be promptly accelerated, and a desired exposure pattern can be obtained.

이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치에 대해 도면을 이용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is demonstrated using drawing. In the following description, a substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display device substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.

(1) 기판처리장치의 구성(1) Structure of Substrate Processing Apparatus

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도이다. 또한, 도 1, 그리고 후술하는 도 2 ~ 도 5 및 도 8에는, 위치관계를 명확하게 하기 위해 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙인다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직방향에 상당한다. 또한, 각 방향에서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대의 방향을 -방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전방향을 θ방향으로 하고 있다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition, the arrow which shows the X direction, Y direction, and Z direction orthogonal to each other is attached | subjected to FIG. 1 and FIGS. The X and Y directions are perpendicular to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. Moreover, the direction which an arrow points in each direction makes a + direction, and the opposite direction makes a-direction. Moreover, the rotation direction centering on a Z direction is made into (theta) direction.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판처리장치(500)는, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버 막용 처리블록(13), 레지스트커버막 제거블록(14), 및 인터페이스블록(15)을 포함한다. 인터페이스블록(15)은, 세정가열블록(15a) 및 반입반출블록(15b)을 포함한다. 인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)에 인접하도록 노광장치(16)가 배치된다. 노광장치(16)에서는, 액침법에 의해 기판(W)에 노광처리가 행해진다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 500 includes an indexer block 9, an antireflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, and a resist cover film processing block. (13), the resist cover film removal block 14, and the interface block 15. The interface block 15 includes a cleaning heating block 15a and an import / export block 15b. The exposure apparatus 16 is disposed adjacent to the carry-in / out block 15b of the interface block 15. In the exposure apparatus 16, the exposure process is performed to the board | substrate W by the liquid immersion method.

이하, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버막용 처리블록(13), 레지스트커버막 제거블록(14) 및 인터페이스블록(15)의 각각을 처리블록이라 부른다.Hereinafter, the indexer block 9, the anti-reflection film processing block 10, the resist film processing block 11, the development processing block 12, the resist cover film processing block 13, the resist cover film removing block 14 and Each of the interface blocks 15 is called a processing block.

인덱서블록(9)은, 각 처리블록의 동작을 제어하는 메인컨트롤러(제어부)(30), 복수의 캐리어 재치대(40) 및 인덱서로봇(IR)을 포함한다. 인덱서로봇(IR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(IRH)가 설치된다.The indexer block 9 includes a main controller (control unit) 30, a plurality of carrier mounting tables 40, and an indexer robot IR that control the operation of each processing block. The indexer robot IR is provided with a hand IRH for sending and receiving the substrate W. As shown in FIG.

반사방지막용 처리블록(10)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용 도포처리부(50) 및 제1 센터로봇(CR1)을 포함한다. 반사방지막용 도포처리부(50)는, 제1 센터로봇(CR1)을 끼고 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 대향해서 설치된다. 제1 센터로봇(CR1)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH1,CRH2)가 상하에 설치된다.The antireflection film processing block 10 includes the antireflection film heat treatment parts 100 and 101, the antireflection film coating part 50, and the first center robot CR1. The antireflection film coating unit 50 is provided to face the heat treatment units 100 and 101 for antireflection film with the first center robot CR1 interposed therebetween. In the first center robot CR1, hands CRH1 and CRH2 for exchanging the substrate W are provided above and below.

인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS1, PASS2)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS1)는, 기판(W)을 인덱서블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS2) 는, 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서블록(9)으로 반송할 때 사용된다.Between the indexer block 9 and the anti-reflection film processing block 10, a partition 17 for blocking the atmosphere is provided. The partition walls 17 are provided with substrate placing portions PASS1 and PASS2 close to the top and bottom to exchange the substrate W between the indexer block 9 and the anti-reflection film processing block 10. The upper substrate placing part PASS1 is used to convey the substrate W from the indexer block 9 to the anti-reflection film processing block 10, and the lower substrate placing part PASS2 is used to convey the substrate W. It is used when conveying from the anti-reflection film processing block 10 to the indexer block 9.

또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시 안함)가 설치되어 있다. 이에 의해, 기판재치부(PASS1, PASS2)에서 기판(W)이 재치되어 있는지 아닌지의 판정을 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 고정설치된 복수 개의 지지핀이 설치되어 있다. 또한, 상기의 광학식의 센서 및 지지핀은, 후술하는 기판재치부(PASS3~PASS12)에도 마찬가지로 설치된다.In addition, the optical sensor (not shown) which detects the presence or absence of the board | substrate W is provided in board | substrate mounting part PASS1, PASS2. This makes it possible to judge whether or not the substrate W is placed in the substrate placing portions PASS1 and PASS2. Further, a plurality of support pins fixed to the substrate placing parts PASS1 and PASS2 are provided. In addition, the said optical sensor and a support pin are similarly provided also in the board | substrate mounting part PASS3-PASS12 mentioned later.

레지스트막용 처리블록(11)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용 도포처리부(60) 및 제2 센터로봇(CR2)을 포함한다. 레지스트막용 도포처리부(60)는, 제2 센터로봇(CR2)를 끼고 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 대향해서 설치된다. 제2 센터로봇(CR2)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하에 설치된다.The resist film processing block 11 includes a resist film heat treatment unit 110 and 111, a resist film coating unit 60, and a second center robot CR2. The resist film coating unit 60 is provided to face the resist film heat treatment units 110 and 111 with the second center robot CR2 interposed therebetween. In the second center robot CR2, hands CRH3 and CRH4 for exchanging the substrate W are provided above and below.

반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(18)이 설치된다. 이 격벽(18)에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS3)는, 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS4)는, 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 사용된다.Between the anti-reflection film processing block 10 and the resist film processing block 11, a partition wall 18 for blocking the atmosphere is provided. On the partition wall 18, substrate placing portions PASS3 and PASS4 for transferring the substrate W between the anti-reflection film processing block 10 and the resist film processing block 11 are provided close to each other. do. The upper substrate placing part PASS3 is used to convey the substrate W from the anti-reflection film processing block 10 to the resist film processing block 11, and the lower substrate placing part PASS4 is used as the substrate W. FIG. ) Is used to transfer from the resist film processing block 11 to the anti-reflection film processing block 10.

현상처리블록(12)은, 현상용 열처리부(120, 121), 현상처리부(70) 및 제3 센터로봇(CR3)을 포함한다. 현상처리부(70)는, 제3 센터로봇(CR3)을 끼고 현상용 열처리부(120, 121)에 대향해서 설치된다. 제3 센터로봇(CR3)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하에 설치된다.The developing block 12 includes a developing heat treatment unit 120 and 121, a developing unit 70, and a third center robot CR3. The developing unit 70 is provided to face the developing heat treatment units 120 and 121 with the third center robot CR3 interposed therebetween. In the third center robot CR3, hands CRH5 and CRH6 for exchanging the substrate W are provided above and below.

레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(19)이 설치된다. 이 격벽(19)에는, 레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS5)는, 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS6)는, 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때 사용된다.Between the process block 11 for resist film and the development process block 12, the partition 19 for blocking an atmosphere is provided. The partitions 19 are provided with substrate placing portions PASS5 and PASS6 for transferring the substrate W between the resist film processing block 11 and the development processing block 12 close up and down. The upper substrate placing part PASS5 is used to convey the substrate W from the resist film processing block 11 to the developing processing block 12, and the lower substrate placing part PASS6 carries the substrate W. It is used when conveying from the developing processing block 12 to the processing block 11 for resist film.

레지스트커버막용 처리블록(13)은, 레지스트커버막용 열처리부(130, 131), 레지스트커버막용 도포처리부(80) 및 제4 센터로봇(CR4)을 포함한다. 레지스트커버막용 도포처리부(80)는, 제4 센터로봇(CR4)을 끼고 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에 대향해서 설치된다.The resist cover film processing block 13 includes a resist cover film heat treatment section 130, 131, a resist cover film coating section 80, and a fourth center robot CR4. The resist processing film coating processing section 80 is provided to face the heat treatment sections 130 and 131 for resist cover films with the fourth center robot CR4 interposed therebetween.

제4 센터로봇(CR4)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7, CRH8)가 상하에 설치된다.In the fourth center robot CR4, hands CRH7 and CRH8 for exchanging the substrate W are provided above and below.

현상처리블록(12)과 레지스트커버막용 처리블록(13) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는, 현상처리블록(12)과 레지스트커버막용 처리블록(13) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS7)는, 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS8)는, 기판(W)을 레지스트커버막용 처리블록(13)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때 사용된다.Between the developing block 12 and the resist cover film processing block 13, a partition 20 for blocking the atmosphere is provided. The partition wall 20 is provided with substrate placing portions PASS7 and PASS8 for transferring the substrate W between the developing block 12 and the resist cover film processing block 13 up and down. . The upper substrate placing portion PASS7 is used to convey the substrate W from the developing block 12 to the processing block 13 for resist cover film, and the lower substrate placing portion PASS8 is used for the substrate W. FIG. Is used when conveying from the processing block 13 for resist cover film to the developing processing block 12.

레지스트커버막 제거블록(14)은, 열처리부(140), 기판재치부(PASS11), 에지 노광부(EEW), 레지스트커버막제거용 처리부(90) 및 제5 센터로봇(CR5)을 포함한다. 기판재치부(PASS11) 및 에지 노광부(EEW)는, 세정가열블록(15a)에 인접하도록 상하에 설치된다. 레지스트커버막제거용 처리부(90)는, 제5 센터로봇(CR5)을 끼고 열처리부(140), 기판재치부(PASS11) 및 에지 노광부(EEW)에 대향해서 설치된다. 제5 센터로봇(CR5)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH9, CRH10)가 상하에 설치된다.The resist cover film removing block 14 includes a heat treatment part 140, a substrate placing part PASS11, an edge exposure part EEW, a resist cover film removing processing part 90, and a fifth center robot CR5. . The substrate placing portion PASS11 and the edge exposure portion EEW are disposed above and below the cleaning heating block 15a. The resist cover film removal processing unit 90 is provided to face the heat treatment unit 140, the substrate placing unit PASS11, and the edge exposure unit EEW with the fifth center robot CR5 interposed therebetween. In the fifth center robot CR5, hands CRH9 and CRH10 for exchanging the substrate W are provided above and below.

레지스트커버막용 처리블록(13)과 레지스트커버막 제거블록(14) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(21)이 설치된다. 이 격벽(21)에는, 레지스트커버막용 처리블록(13)과 레지스트커버막 제거블록(14) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS9, PASS10)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS9)는, 기판(W)을 레지스트커버막용 처리블록(13)으로부터 레지스트커버막 제거블록(14)으로 반송할 때 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS10)는, 기판(W)을 레지스트커버막 제거블록(14)으로부터 레지스트커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때 사용된다.Between the process block 13 for resist cover film and the resist cover film removal block 14, a partition 21 for blocking the atmosphere is provided. In the partition wall 21, substrate placing portions PASS9 and PASS10 for transferring the substrate W between the resist cover film processing block 13 and the resist cover film removing block 14 are located close to the top and bottom. Is installed. The upper substrate placing portion PASS9 is used to convey the substrate W from the resist cover film processing block 13 to the resist cover film removing block 14, and the lower substrate placing portion PASS10 is used as the substrate ( It is used to convey W) from the resist cover film removal block 14 to the processing block 13 for a resist cover film.

인터페이스블록(15)의 세정가열블록(15a)은, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2), 제6 센터로봇(CR6), 재치 겸 베이크유닛(P-PEB) 및 제7 센터로봇(CR7)을 포함한다. 또한, 세정/건조처리유닛(SD1)은, 노광처리 전의 기판(W)의 세정처리 및 건조처리를 행한다. 세정/건조처리유닛(SD2)은, 노광처리 후의 기판(W)의 세정처리 및 건조처리를 행한다. 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서의 세정처리시에는, 순수 등의 세정액이 사용된다.The cleaning heating block 15a of the interface block 15 includes the cleaning / drying processing units SD1 and SD2, the sixth center robot CR6, the mounting and baking unit P-PEB, and the seventh center robot CR7. It includes. In addition, the cleaning / drying processing unit SD1 performs the cleaning treatment and the drying treatment of the substrate W before the exposure treatment. The cleaning / drying processing unit SD2 performs the cleaning treatment and the drying treatment of the substrate W after the exposure treatment. In the cleaning processing in the cleaning / drying processing units SD1 and SD2, a cleaning liquid such as pure water is used.

제6 센터로봇(CR6)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH11, CRH12)가 상하에 설치되고, 제7 센터로봇(CR7)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH13, CRH14)가 상하에 설치된다.The sixth center robot CR6 has hands CRH11 and CRH12 for exchanging the substrate W up and down, and the hands CRH13 for exchanging the substrate W for the seventh center robot CR7. CRH14) is provided above and below.

인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)은, 베벨검사유닛(IM), 재치 겸 냉각유닛(P-CP), 센딩버퍼부(SBF), 인터페이스용 반송기구(IFR), 기판재치부(PASS12) 및 리턴버퍼부(RBF)를 포함한다. 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)가 상하에 설치된다. 핸드(H1, H2)는 각각 독립적으로 구동된다.The carry-in / out block 15b of the interface block 15 includes a bevel inspection unit IM, a mounting and cooling unit P-CP, a sending buffer section SBF, an interface conveyance mechanism IFR, a substrate placing section PASS12) and a return buffer portion (RBF). In the interface transfer mechanism IFR, hands H1 and H2 for exchanging the substrate W are provided above and below. The hands H1 and H2 are driven independently of each other.

반입반출블록(15b)은, 세정가열블록(15a)에 대해 +X방향 및 -X방향으로 이동가능하게 설치된다. 인터페이스블록(15) 또는 노광장치(16)의 메인트넌스 때에는, 반입반출블록(15b)을 +X방향 또는 -X방향으로 이동시켜 작업공간을 확보한다. 또한, 반입반출블록(15b)은 다른 블록에 비해 경량이어서, 용이하게 이동시킬 수 있다.The carry-in / out block 15b is provided so that it can move to + X direction and -X direction with respect to the washing heating block 15a. At the time of maintenance of the interface block 15 or the exposure apparatus 16, the carry-in / out block 15b is moved to + X direction or -X direction, and a working space is secured. In addition, the carry-in / out block 15b is lighter than other blocks and can be easily moved.

또한, 세정가열블록(15a)에서는, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서 다량의 세정액을 사용한다. 그 때문에, 세정가열블록(15a)은, 세정액을 공급하는 용력(用力)설비(후술하는 도 6의 세정액 공급원(R1) 등)에 확실히 접속할 필요가 있다. 한 편, 반입반출블록(15b)에서는, 용력을 거의 사용하지 않는다. 그 때문에, 반입반출블록(15b)은, 용력설비에 간이적으로 접속할 수 있다. 이에 의해, 반입반출블록(15b)과 용력설비 사이에서는, 분리 및 재접속을 용이하게 행할 수 있다.In addition, in the washing heating block 15a, a large amount of washing liquid is used in the washing / drying processing units SD1 and SD2. Therefore, it is necessary to reliably connect the cleaning heating block 15a to a facility for supplying cleaning solution (such as cleaning solution supply source R1 in FIG. 6 described later). On the other hand, in the carry-in / out block 15b, little power is used. Therefore, the carry-in / out block 15b can be easily connected to the thermal power facility. As a result, separation and reconnection can be easily performed between the carry-in / out block 15b and the thermal power facility.

따라서, 반입반출블록(15b)을 이동시키는 것은, 세정가열블록(15a)을 이동 시키는 것에 비해 용이하다. 그 때문에, 메인트넌스 때에, 세정가열블록(15a)을 이동시키지 않고 반입반출블록(15b)만을 이동시킴으로써, 작업자의 노력 및 작업시간을 큰 폭으로 경감할 수 있다.Therefore, it is easier to move the carry-in and take-out block 15b than to move the cleaning heating block 15a. Therefore, at the time of maintenance, only the carry-in / out block 15b is moved, without moving the washing-heating block 15a, and a worker's effort and work time can be largely reduced.

도 2는, 도 1의 기판처리장치(500)를 +X방향에서 본 개략 측면도이고, 도 3은, 도 1의 기판처리장치(500)를 -X방향에서 본 개략 측면도이다. 또한, 도 2에서는, 기판처리장치(500)의 +X측에 설치되는 것을 주로 나타내고, 도 3에서는, 기판처리장치(500)의 -X측에 설치되는 것을 주로 나타내고 있다.2 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 1 seen in the + X direction, and FIG. 3 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 1 viewed in the -X direction. In addition, in FIG. 2, what is installed in the + X side of the substrate processing apparatus 500 is mainly shown, and in FIG. 3, what is installed in the -X side of the substrate processing apparatus 500 is mainly shown.

우선, 도 2를 이용하여, 기판처리장치(500)의 +X측의 구성에 대해 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포처리부(50)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(BARC)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(BARC)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지하여 회전하는 스핀척(51) 및 스핀척(51) 상에 보유지지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(52)을 구비한다.First, the structure of the + X side of the substrate processing apparatus 500 is demonstrated using FIG. As shown in FIG. 2, three coating units BARC are laminated | stacked up and down in the anti-reflective film coating process part 50 (refer FIG. 1) of the anti-reflective film processing block 10. As shown in FIG. Each coating unit BARC supplies the coating liquid of the antireflection film to the spin chuck 51 and the substrate W held on the spin chuck 51 by rotating the suction and holding the substrate W in a horizontal position. The supply nozzle 52 is provided.

레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 도포처리부(60)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(RES)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(RES)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지해서 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61) 상에 보유지지 된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(62)을 구비한다.Three coating units RES are stacked on top of each other in the resist film coating unit 60 (see FIG. 1) of the resist film processing block 11. Each coating unit RES supplies the coating liquid of the resist film to the spin chuck 61 and the substrate W held on the spin chuck 61 by rotating the suction and holding the substrate W in a horizontal position. A supply nozzle 62 is provided.

현상처리블록(12)의 현상처리부(70)에는, 5개의 현상처리유닛(DEV)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 현상처리유닛(DEV)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지해서 회전하는 스핀척(71) 및 스핀척(71) 상에 보유지지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다.In the developing processing unit 70 of the developing processing block 12, five developing processing units DEV are stacked up and down. Each developing processing unit DEV supplies a developing nozzle to the spin chuck 71 which rotates by holding and holding the substrate W in a horizontal position and the substrate W held on the spin chuck 71. 72 is provided.

레지스트커버막용 처리블록(13)의 레지스트커버막용 도포처리부(80)에는, 3개의 도포유닛(COV)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(COV)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지해서 회전하는 스핀척(81) 및 스핀척(81) 상에 보유지지된 기판(W)에 레지스트커버막의 도포액을 공급하는 공급노즐(82)을 구비한다. 레지스트커버막의 도포액으로서는, 레지스트 및 물과의 친화력이 낮은 재료(레지스트 및 물과의 반응성이 낮은 재료)를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불화수소산수지이다. 도포유닛(COV)은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 도포액을 도포함으로써, 기판(W) 상에 형성된 레지스트막 위에 레지스트커버막을 형성한다.Three coating units COV are stacked on top of each other in the coating unit 80 for the resist cover film of the processing block 13 for the resist cover film. Each coating unit COV supplies the coating liquid of the resist cover film to the spin chuck 81 and the substrate W held on the spin chuck 81 by rotating the suction and holding the substrate W in a horizontal position. The supply nozzle 82 is provided. As a coating liquid of a resist cover film, the material (material with low reactivity with a resist and water) with low affinity with a resist and water can be used. For example, hydrofluoric acid resin. The coating unit COV forms a resist cover film on the resist film formed on the substrate W by applying the coating liquid onto the substrate W while rotating the substrate W. FIG.

레지스트커버막 제거블록(14)의 레지스트커버막제거용 처리부(90)에는, 3개의 제거유닛(REM)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 제거유닛(REM)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지해서 회전하는 스핀척(91) 및 스핀척(91) 상에 보유지지된 기판(W)에 박리액(예를 들면, 불화수소산수지)를 공급하는 공급노즐(92)을 구비한다. 제거유닛(REM)은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 박리액을 도포함으로써, 기판(W) 상에 형성된 레지스트커버막을 제거한다.In the resist cover film removal processing unit 90 of the resist cover film removal block 14, three removal units REM are stacked up and down. Each removal unit REM is a spinner 91 which is rotated by adsorption holding and holding the substrate W in a horizontal position and a stripping liquid (for example, the substrate W is held on the spin chuck 91). And a supply nozzle 92 for supplying hydrofluoric acid resin). The removal unit REM removes the resist cover film formed on the substrate W by applying a stripping liquid onto the substrate W while rotating the substrate W. As shown in FIG.

또한, 제거유닛(REM)에 있어서의 레지스트커버막의 제거방법은 상기의 예로 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 윗쪽에서 슬릿노즐을 이동시키면서 기판(W) 상에 박리액을 공급함으로써 레지스트커버막을 제거해도 좋다.In addition, the removal method of the resist cover film in the removal unit REM is not limited to said example. For example, the resist cover film may be removed by supplying a peeling liquid onto the substrate W while moving the slit nozzle above the substrate W. FIG.

인터페이스블록(15)의 세정가열블록(15a)의 +X측에는, 5개의 세정/건조처리유닛(SD2)이 상하에 적층배치된다. 반입반출블록(15b)의 +X측에는, 기판재치부(PASS12) 및 리턴버퍼부(RBF)가 상하에 배치된다.On the + X side of the cleaning heating block 15a of the interface block 15, five cleaning / drying processing units SD2 are stacked up and down. On the + X side of the carry-in / out block 15b, the board | substrate mounting part PASS12 and the return buffer part RBF are arrange | positioned up and down.

다음으로, 도 3을 이용하여, 기판처리장치(500)의 -X측의 구성에 대해 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 2개의 가열유닛(핫플레이트)(HP) 및 2개의 냉각유닛(쿨링플레이트)(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.Next, the structure of the -X side of the substrate processing apparatus 500 is demonstrated using FIG. As shown in Fig. 3, two heating units (hot plates) HP and two cooling units (cooling plates) (CP) are provided in the anti-reflection film heat treatment parts 100 and 101 of the anti-reflection film processing block 10. ) Are each stacked. Further, in the heat treatment parts 100 and 101 for the antireflection film, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are arranged at the top.

레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.In the resist film heat treatment parts 110 and 111 of the resist film processing block 11, two heating units HP and two cooling units CP are laminated. Further, in the heat treatment units 110 and 111 for resist films, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are arranged at the top.

현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(120, 121)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 현상용 열처리부(120, 121)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.In the developing heat treatment parts 120 and 121 of the developing block 12, two heating units HP and two cooling units CP are laminated. Further, in the developing heat treatment parts 120 and 121, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are disposed at the top.

레지스트커버막용 처리블록(13)의 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에 는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.In the heat treatment portions 130 and 131 for the resist cover film processing block 13, two heating units HP and two cooling units CP are laminated. Further, in the heat treatment parts 130 and 131 for the resist cover film, a local controller LC for controlling the temperature of the heating unit HP and the cooling unit CP is disposed at the top.

레지스트커버막 제거블록(14)의 열처리부(140)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 상하에 적층배치된다. 또한, 세정가열블록(15a)에 인접하도록, 기판재치부(PASS11) 및 2개의 에지 노광부(EEW)가 상하에 적층배치된다.In the heat treatment part 140 of the resist cover film removal block 14, two heating units HP and two cooling units CP are stacked up and down. Further, the substrate placing portion PASS11 and the two edge exposure portions EEW are stacked up and down so as to be adjacent to the cleaning heating block 15a.

인터페이스블록(15)의 세정가열블록(15a)의 -X측에는, 5개의 세정/건조처리유닛(SD1)이 상하에 적층배치된다. 반입반출블록(15b)의 +X측에는, 베벨검사유닛(IM), 4개의 재치 겸 냉각유닛(P-CP) 및 센딩버퍼부(SBF)가 상하에 배치된다.On the -X side of the cleaning heating block 15a of the interface block 15, five cleaning / drying processing units SD1 are stacked up and down. On the + X side of the carry-in / out block 15b, the bevel inspection unit IM, four mounting and cooling units P-CP, and the sending buffer part SBF are arrange | positioned up and down.

또한, 도포유닛(BARC, RES, COV), 현상처리유닛(DEV), 제거유닛(REM), 가열유닛(HP), 냉각유닛(CP), 에지 노광부(EEW), 세정/건조처리유닛(SD1, SD2), 베벨검사유닛(IM), 재치 겸 냉각유닛(P-CP) 및 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 개수는 적절하게 변경해도 좋다.Further, coating unit BARC, RES, COV, developing unit DEV, removing unit REM, heating unit HP, cooling unit CP, edge exposure unit EEW, cleaning / drying processing unit ( The number of SD1, SD2), bevel inspection unit (IM), mounting and cooling unit (P-CP) and mounting and heating unit (P-PEB) may be changed as appropriate.

(2) 기판처리장치의 동작(2) operation of substrate processing apparatus

다음으로, 본 실시 형태에 따른 기판처리장치(500)의 동작에 대해 도 1 ~ 도 3을 참조하면서 설명한다.Next, operation | movement of the substrate processing apparatus 500 which concerns on this embodiment is demonstrated, referring FIGS.

인덱서블록(9)의 캐리어 재치대(40) 위에는, 복수 매의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서로봇(IR)은, 핸드(IRH)를 사용하여 캐리어(C) 내에 수납된 미처리의 기판(W)을 꺼낸다. 그후, 인덱서로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전이동하여, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1) 에 재치한다.On the carrier mounting base 40 of the indexer block 9, the carrier C which accommodates the several board | substrate W in multiple stages is carried in. The indexer robot IR takes out the unprocessed board | substrate W accommodated in the carrier C using the hand IRH. Thereafter, the indexer robot IR is rotated in the ± θ direction while moving in the ± X direction, and the unprocessed substrate W is placed on the substrate placing part PASS1.

본 실시 형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical Inter Face)포드나 수납 기판(W)을 외기에 노출하는 OC(open cassette) 등을 이용해도 좋다.In this embodiment, although front opening unified pod (FOUP) is used as carrier C, it is not limited to this, The OC (open which exposes SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pod and storage board | substrate W to outside air) is open. cassette) or the like.

또한, 인덱서로봇(IR), 제1~ 제7 센터로봇(CR1~CR7) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대해 직선적으로 슬라이딩시켜 핸드의 진퇴동작을 행하는 직동형(直動型) 운반로봇을 사용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 관절을 움직임으로써 직선적으로 핸드의 진퇴동작을 행하는 다관절형 운반로봇을 사용해도 좋다.In addition, the indexer robot IR, the first to seventh center robots CR1 to CR7, and the interface transfer mechanism IFR, respectively, linearly slide linearly with respect to the substrate W to perform the hand movement of the hand. Although a linear robot is used, an articulated robot may be used that is not limited to this, and moves the joint linearly to move the hand forward and backward.

기판재치부(PASS1)에 재치된 미처리의 기판(W)은, 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 수취된다. 제1 센터로봇(CR1)은, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다.The unprocessed substrate W placed on the substrate placing unit PASS1 is received by the first center robot CR1 of the anti-reflection film processing block 10. The first center robot CR1 carries the substrate W into the antireflection film heat treatment units 100 and 101.

그후, 제1 센터로봇(CR1)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 도포처리부(50)에 반입한다. 이 반사방지막용 도포처리부(50)에서는, 노광시에 발생하는 정재파(定在波)나 할레이션을 감소시키기 위해, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W) 상에 반사방지막이 도포형성된다.Thereafter, the first center robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the anti-reflection film heat treatment units 100 and 101 and carries the substrate W into the anti-reflection film coating unit 50. In this anti-reflection coating unit 50, an anti-reflection film is formed on the substrate W by the coating unit BARC in order to reduce standing waves and halation occurring during exposure.

다음으로, 제1 센터로봇(CR1)은, 반사방지막용 도포처리부(50)로부터 도포처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다. 그후, 제1 센터로봇(CR1)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.Next, the first center robot CR1 takes out the coated substrate W from the antireflective coating treatment unit 50 and carries the substrate W into the antireflective coating heat treatment units 100 and 101. do. Thereafter, the first center robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the antireflection film heat treatment units 100 and 101, and places the substrate W on the substrate placing unit PASS3.

기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은, 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 수취된다. 제2 센터로봇(CR2)은, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다.The substrate W placed on the substrate placing part PASS3 is received by the second center robot CR2 of the processing film 11 for resist film. The second center robot CR2 carries the substrate W into the heat treatment units 110 and 111 for resist films.

그후, 제2 센터로봇(CR2)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트막용 도포처리부(60)에 반입한다. 이 레지스트막용 도포처리부(60)에서는, 도포유닛(RES)에 의해 반사방지막이 도포형성된 기판(W) 상에 레지스트막이 도포형성된다.Thereafter, the second center robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the heat treatment units 110 and 111 for the resist film, and carries the substrate W into the coating film 60 for the resist film. In this resist film coating processing section 60, a resist film is coated and formed on the substrate W on which the antireflection film is formed by the coating unit RES.

다음으로, 제2 센터로봇(CR2)은, 레지스트막용 도포처리부(60)로부터 도포처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 그후, 제2 센터로봇(CR2)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.Next, the second center robot CR2 takes out the coated substrate W from the resist film coating unit 60 and carries the substrate W into the resist film heat treatment units 110 and 111. Thereafter, the second center robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the heat treatment units 110 and 111 for the resist film, and mounts the substrate W on the substrate placing unit PASS5.

기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은, 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS5 is received by the third center robot CR3 of the developing block 12. The 3rd center robot CR3 mounts the board | substrate W in the board | substrate mounting part PASS7.

기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은, 레지스트커버막용 처리블록(13)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇(CR4)은, 그 기판(W)을 레지스트커버막용 도포처리부(80)에 반입한다. 이 레지스트커버막용 도포처리부(80)에서는, 도포유닛(COV)에 의해 레지스트막이 도포형성된 기판(W) 상에 레지스트커버막이 도포형성된다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS7 is received by the fourth center robot CR4 of the processing block 13 for resist cover film. The 4th center robot CR4 carries the board | substrate W into the coating process part 80 for resist covers films. In this resist cover film coating processing section 80, a resist cover film is coated and formed on the substrate W on which the resist film is formed by the coating unit COV.

다음으로, 제4 센터로봇(CR4)은, 레지스트커버막용 도포처리부(80)로부터 도포처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에 반입한다. 그후, 제4 센터로봇(CR4)은, 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)로부터 열처리완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.Next, the fourth center robot CR4 takes out the coated substrate W from the coating member 80 for resist cover film and carries the substrate W into the heat treatment parts 130 and 131 for the resist cover film. do. Thereafter, the fourth center robot CR4 takes out the heat-treated substrate W from the heat treatment portions 130 and 131 for the resist cover film, and places the substrate W on the substrate placing portion PASS9.

기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은, 레지스트커버막 제거블록(14)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 수취된다. 제5 센터로봇(CR5)은, 그 기판(W)을 에지 노광부(EEW)에 반입한다. 이 에지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주연부(周緣部)에 노광처리가 행해진다. 그후, 제5 센터로봇(CR5)은, 에지 노광부(EEW)로부터 에지 노광처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS11)에 재치한다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS9 is received by the fifth center robot CR5 of the resist cover film removing block 14. The fifth center robot CR5 carries the substrate W into the edge exposure portion EEW. In this edge exposure part EEW, an exposure process is performed to the periphery of the board | substrate W. As shown in FIG. Thereafter, the fifth center robot CR5 takes out the substrate W having been subjected to the edge exposure processing from the edge exposure portion EEW, and places the substrate W on the substrate placing portion PASS11.

기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은, 세정가열블록(15a)의 제6 센터로봇(CR6)에 의해 수취된다. 제6 센터로봇(CR6)은, 그 기판(W)을 세정/건조처리유닛(SD1) 중 어느 하나에 반입한다. 세정/건조처리유닛(SD1)에서는, 상술한 바와 같이 노광처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행해진다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS11 is received by the sixth center robot CR6 of the cleaning heating block 15a. The sixth center robot CR6 carries the substrate W into one of the cleaning / drying processing units SD1. In the cleaning / drying processing unit SD1, as described above, cleaning and drying processing of the substrate W before the exposure processing are performed.

다음으로, 제6 센터로봇(CR6)은, 세정/건조처리유닛(SD1)으로부터 세정 및 건조처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반입반출블록(15b)의 베벨검사유닛(IM)에 반입한다. 베벨검사유닛(IM)에서는, 기판(W)의 베벨부(외주단부(外周端部))의 검사가 행하여져, 기판(W)의 베벨부에 막 벗겨짐 등의 이상이 없는지 확인된다.Next, the sixth center robot CR6 takes out the cleaned and dried substrate W from the cleaning / drying processing unit SD1, and moves the substrate W to the bevel inspection unit of the carry-in / out block 15b. Bring in (IM) In the bevel inspection unit IM, the bevel portion (outer circumferential end) of the substrate W is inspected to confirm that there is no abnormality such as peeling off of the bevel portion of the substrate W. FIG.

베벨검사유닛(IM)에서 베벨부의 이상이 확인된 경우, 그 기판(W)은, 별도 소망의 배치가 취해진다. 예를 들면 그 기판(W)은, 제6 센터로봇(CR6)에 의해 베벨검사유닛(IM)으로부터 꺼내진 뒤, 센딩버퍼부(SBF)에 반입된다. 그리고, 로트종료 후에 작업자에 의해 회수된다.When abnormality of the bevel part is confirmed by the bevel inspection unit IM, the board | substrate W is separately arranged desired. For example, the board | substrate W is taken out from the bevel inspection unit IM by the 6th center robot CR6, and is carried in the sending buffer part SBF. Then, after the lot is finished, it is recovered by the worker.

베벨부에 이상이 없는 기판(W)은, 제6 센터로봇(CR6)에 의해 베벨검사유닛(IM)으로부터 꺼내어져, 그후, 이하와 같이 처리된다.The substrate W having no abnormality in the bevel portion is taken out from the bevel inspection unit IM by the sixth center robot CR6, and then processed as follows.

노광장치(16)에 의한 노광처리의 시간은, 통상, 다른 처리공정 및 반송공정보다 길다. 그 때문에, 노광장치(16)가 다음의 기판(W)의 수용을 할 수 없는 경우가 많다. 이 경우, 기판(W)은 반입반출블록(15b)의 센딩버퍼부(SBF)에 일시적으로 수납보관된다. 본 실시 형태에서는, 제6 센터로봇(CR6)이, 베벨검사유닛(IM)으로부터 꺼낸 검사완료의 기판(W)을 센딩버퍼부(SBF)에 반송한다.The exposure processing time by the exposure apparatus 16 is usually longer than other processing steps and conveyance steps. Therefore, the exposure apparatus 16 may not be able to accommodate the next board | substrate W in many cases. In this case, the substrate W is temporarily stored in the sending buffer portion SBF of the carry-in / out block 15b. In this embodiment, 6th center robot CR6 conveys the test | inspection completed board | substrate W taken out from the bevel inspection unit IM to the sending buffer part SBF.

다음으로, 제6 센터로봇(CR6)은, 센딩버퍼부(SBF)에 수납보관되어 있는 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에 반입한다. 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에 반입된 기판(W)은, 노광장치(16) 내와 같은 온도(예를 들면, 23℃)로 유지된다.Next, the 6th center robot CR6 takes out the board | substrate W accommodated in the sending buffer part SBF, and loads the board | substrate W to a mounting and cooling unit P-CP. The substrate W carried in the mounting and cooling unit P-CP is maintained at the same temperature (eg, 23 ° C.) in the exposure apparatus 16.

또한, 노광장치(16)가 충분한 처리속도를 갖는 경우에는, 센딩버퍼부(SBF)에 기판(W)을 수납보관하지 않고, 베벨검사유닛(IM)으로부터 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에 기판(W)을 반송해도 좋다.When the exposure apparatus 16 has a sufficient processing speed, the substrate W is not stored and stored in the sending buffer portion SBF, but is placed on the mounting and cooling unit P-CP from the bevel inspection unit IM. You may convey the board | substrate W.

이어서, 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에서 상기 소망온도로 유지된 기판(W)이, 반입반출블록(15b)의 인터페이스용 반송기구(IFR) 상측의 핸드(H1)에 의해 수취되어, 노광장치(16)내의 기판반입부(16a)에 반입된다.Subsequently, the substrate W held at the desired temperature in the mounting and cooling unit P-CP is received by the hand H1 above the interface transfer mechanism IFR of the carry-in / out block 15b and exposed. It is carried in the board | substrate loading part 16a in the apparatus 16. As shown in FIG.

노광장치(16)에서 노광처리가 행하여진 기판(W)은, 인터페이스용 반송기구(IFR) 하측의 핸드(H2)에 의해 기판반출부(16b)로부터 반출된다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS12)에 재치한다.The substrate W subjected to the exposure treatment in the exposure apparatus 16 is carried out from the substrate carrying out portion 16b by the hand H2 below the interface transfer mechanism IFR. The interface conveyance mechanism IFR mounts the board | substrate W in the board | substrate mounting part PASS12.

기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은, 세정가열블록(15a)의 제7 센터로봇(CR7)에 의해 수취된다. 제7 센터로봇(CR7)은, 그 기판(W)을 세정/건조처리유닛(SD2) 중 어느 하나에 반입한다. 세정/건조처리유닛(SD2)에서는, 상술한 바와 같이 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행해진다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS12 is received by the seventh center robot CR7 of the cleaning heating block 15a. The seventh center robot CR7 carries the substrate W into any one of the cleaning / drying processing units SD2. In the cleaning / drying processing unit SD2, the cleaning and drying processing of the substrate W after the exposure processing is performed as described above.

다음으로, 제7 센터로봇(CR7)은, 세정/건조처리유닛(SD2)으로부터 세정 및 건조처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에 반입한다. 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에서는, 기판(W)에 대해 노광 후 베이크(PEB) 처리가 행해진다. 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 상세에 대해서는 후술한다.Next, the seventh center robot CR7 removes the cleaned and dried substrates W from the cleaning / drying processing unit SD2 and places the substrates W on the heating unit P-PEB. Bring in In the placement and heating unit P-PEB, post-exposure bake PEB processing is performed on the substrate W. As shown in FIG. Details of the mounting and heating unit (P-PEB) will be described later.

본 실시 형태에서는, 제6 센터로봇(CR6)의 동작공정이, 기판재치부(PASS11)로부터 세정/건조처리유닛(SD1)으로의 기판(W)의 반송, 세정/건조처리유닛(SD1)으로부터 베벨검사유닛(IM)으로의 기판(W)의 반송, 베벨검사유닛(IM)으로부터 센딩버퍼부(SBF)로의 기판(W)의 반송, 센딩버퍼부(SBF)로부터 재치 겸 냉각유닛(P-CP)으로의 기판(W)의 반송, 및 재치 겸 냉각유닛(P-CP)으로부터 기판재치부(PASS11)로의 회전이동의 5 공정으로 된다.In this embodiment, the operation process of the 6th center robot CR6 transfers the board | substrate W from the board | substrate mounting part PASS11 to the washing | cleaning / drying processing unit SD1, and from the washing | cleaning / drying processing unit SD1. Transfer of the substrate W to the bevel inspection unit IM, transfer of the substrate W from the bevel inspection unit IM to the sending buffer portion SBF, and the mounting and cooling unit P- from the sending buffer portion SBF. 5 steps of conveyance of the board | substrate W to CP, and rotational movement from the mounting and cooling unit P-CP to the board | substrate mounting part PASS11.

이 경우, 예를 들면 1개의 공정을 3.6초에 행하는 것이 가능한 제6 센터로봇(CR6)을 이용하면, 1시간에 200매의 기판(W)을 반송할 수 있다.In this case, for example, when the sixth center robot CR6 capable of performing one step in 3.6 seconds can carry 200 substrates W in one hour.

또한, 제7 센터로봇(CR7)의 동작공정이, 기판재치부(PASS12)로부터 세정/건조처리유닛(SD2)으로의 기판(W)의 반송, 세정/건조처리유닛(SD2)으로부터 재치 겸 가열유닛(P-PEB)으로의 기판(W)의 반송, 및 재치 겸 가열유닛(P-PEB)으로부터 기판재치부(PASS12)로의 회전이동의 3 공정으로 된다.In addition, the operation process of the seventh center robot CR7 is carried on the substrate W from the substrate placing unit PASS12 to the cleaning / drying processing unit SD2, and is placed and heated from the cleaning / drying processing unit SD2. 3 steps of conveyance of the board | substrate W to the unit P-PEB, and rotational movement from the mounting and heating unit P-PEB to the board | substrate mounting part PASS12.

이 경우, 예를 들면 1개의 공정을 3.6초에 행하는 것이 가능한 제7 센터로봇(CR7)을 이용하면, 1시간에 333매의 기판(W)을 반송할 수 있다.In this case, for example, when the 7th center robot CR7 which can perform one process in 3.6 second is used, 333 board | substrates W can be conveyed in 1 hour.

또한, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 동작공정이, 재치 겸 냉각유닛(P-CP)으로부터 노광장치(16)로의 기판(W)의 반송, 노광장치(16)로부터 기판재치부(PASS12)로의 기판(W)의 반송, 및 기판재치부(PASS12)로부터 재치 겸 냉각유닛(P-CP)으로의 회전이동의 3 공정으로 된다.In addition, the operation process of the interface conveyance mechanism IFR is carried out from the mounting and cooling unit P-CP to the board | substrate W to the exposure apparatus 16, and from the exposure apparatus 16 to the board | substrate mounting part PASS12. 3 steps of conveyance of the board | substrate W and rotational movement from the board | substrate mounting part PASS12 to a mounting and cooling unit P-CP.

이 경우, 예를 들면 1개의 공정을 4.8초에 행하는 것이 가능한 인터페이스용 반송기구(IFR)를 사용하면, 1시간에 250매의 기판(W)을 반송할 수 있다.In this case, if the interface conveyance mechanism IFR which can perform one process in 4.8 second, for example, 250 board | substrates W can be conveyed in 1 hour.

이들에 의해, 인터페이스블록(15)에서, 단시간에 효율 좋게 복수의 기판(W)을 반송할 수 있다.As a result, the plurality of substrates W can be conveyed efficiently by the interface block 15 in a short time.

노광 후 베이크처리가 행하여진 기판(W)은, 레지스트커버막 제거블록(14)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 재치 겸 가열유닛(P-PEB)으로부터 수취된다. 제5 센터로봇(CR5)은, 그 기판(W)을 레지스트커버막제거용 처리부(90)에 반입한다. 레지스트커버막제거용 처리부(90)에서는, 레지스트커버막이 제거된다.The substrate W subjected to the post-exposure bake treatment is received from the mounting and heating unit P-PEB by the fifth center robot CR5 of the resist cover film removal block 14. The fifth center robot CR5 carries the substrate W into the resist cover film removal processing unit 90. In the resist cover film removal processing unit 90, the resist cover film is removed.

또한, 제거유닛(REM)의 고장 등에 의해, 레지스트커버막 제거블록(14)이 일시적으로 기판(W)을 수용할 수 없을 때는, 리턴버퍼부(RBF)에 노광처리 후의 기 판(W)을 일시적으로 수납보관할 수 있다.In addition, when the resist cover film removal block 14 cannot temporarily receive the substrate W due to a failure of the removal unit REM or the like, the substrate W after the exposure process is placed in the return buffer portion RBF. Can be temporarily stored.

다음으로, 제5 센터로봇(CR5)은, 레지스트커버막제거용 처리부(90)로부터 처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS10)에 재치한다.Next, the fifth center robot CR5 takes out the processed substrate W from the resist cover film removing processing unit 90 and places the substrate W on the substrate placing unit PASS10.

기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은, 레지스트커버막용 처리블록(13)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 기판재치부(PASS8)에 재치된다.The substrate W placed on the substrate placing portion PASS10 is placed on the substrate placing portion PASS8 by the fourth center robot CR4 of the processing block 13 for resist cover film.

기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은, 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은, 그 기판(W)을 현상처리부(70)에 반입한다. 현상처리부(70)에서는, 노광된 기판(W)에 대해 현상처리가 행해진다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS8 is received by the third center robot CR3 of the developing block 12. The third center robot CR3 carries the substrate W into the developing unit 70. In the development processing unit 70, development processing is performed on the exposed substrate W. FIG.

다음으로, 제3 센터로봇(CR3)은, 현상처리부(70)로부터 현상처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(120, 121)에 반입한다. 그후, 제3 센터로봇(CR3)은, 현상용 열처리부(120, 121)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.Next, the third center robot CR3 takes out the development completed substrate W from the development processing unit 70 and carries the substrate W into the development heat treatment units 120 and 121. Thereafter, the third center robot CR3 takes out the substrate W after the heat treatment from the developing heat treatment sections 120 and 121, and places the substrate W on the substrate placing section PASS6.

기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은, 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 기판재치부(PASS4)에 재치된다. 기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 기판재치부(PASS2)에 재치된다.The substrate W placed on the substrate placing portion PASS6 is placed on the substrate placing portion PASS4 by the second center robot CR2 of the resist film processing block 11. The substrate W mounted on the substrate placing part PASS4 is placed on the substrate placing part PASS2 by the first center robot CR1 of the anti-reflection film processing block 10.

기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은, 인덱서블록(9)의 인덱서로봇(IR)에 의해 캐리어(C)내에 수납된다. 이에 의해, 기판처리장치(500)에서의 기판(W)의 각 처리가 종료된다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS2 is accommodated in the carrier C by the indexer robot IR of the indexer block 9. Thereby, each process of the board | substrate W in the substrate processing apparatus 500 is complete | finished.

(3) 재치 겸 가열유닛의 상세(3) Details of mounting and heating unit

도 4는, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 외관 사시도이고, 도 5는, YZ평면에서의 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 단면도이다.4 is an external perspective view of the mounting and heating unit P-PEB, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the mounting and heating unit P-PEB in the YZ plane.

도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)은, 반출용 재치부(200), 반입용 재치부(210), 가열부(220) 및 반송기구(230)를 구비한다. 반출 용 재치부(200), 반입용 재치부(210) 및 가열부(220)는, Y방향에 따라 나란히 배치되어 있다. As shown in FIG. 4 and FIG. 5, the placing-and-heating unit (P-PEB) includes a placing portion 200 for carrying out, a placing portion 210 for carrying in, a heating portion 220, and a conveying mechanism 230. do. The carrying-out base part 200, the carrying-in base part 210, and the heating part 220 are arrange | positioned side by side along the Y direction.

반출용 재치부(200)는, 냉각플레이트(201)를 포함한다. 냉각플레이트의 내부에는, 냉각배관(WP)이 설치되어 있다. 냉각배관(WP)을 통해 냉각매체(예를 들면 냉각수)를 순환시킴으로써, 냉각플레이트(201)를 냉각할 수 있다. 냉각플레이트(201)로부터 윗쪽으로 돌출하도록, 복수(본 예에서는 3개)의 승강핀(202)이 설치되어 있다.The dismounting unit 200 for carrying out includes a cooling plate 201. Inside the cooling plate, a cooling pipe WP is provided. The cooling plate 201 can be cooled by circulating a cooling medium (for example, cooling water) through the cooling pipe WP. A plurality of lift pins 202 are provided so as to protrude upward from the cooling plate 201.

반입용 재치부(210)는, 재치플레이트(211)를 포함한다. 재치플레이트(211)로부터 윗쪽으로 돌출하도록, 복수(본 예에서는 3개)의 승강핀(212)이 설치되어 있다.The carrying-in unit 210 for carrying in includes the mounting plate 211. A plurality of lifting pins 212 (three in this example) are provided so as to project upward from the mounting plate 211.

가열부(220)는, 가열플레이트(221)를 포함한다. 가열플레이트(221)로부터 윗쪽으로 돌출하도록, 복수(본 예에서는 3개)의 승강핀(222)이 설치되어 있다. 가열플레이트(221)의 윗쪽에는, 상(上)덮개(224)가 설치되어 있다. 상덮개(224)는 상덮개 승강구동부(225)에 부착되어 있다. 상덮개 승강구동부(225)에 의해, 상덮개(224)가 승강구동된다.The heating unit 220 includes a heating plate 221. A plurality of lifting pins 222 are provided so as to protrude upward from the heating plate 221. An upper cover 224 is provided above the heating plate 221. The upper cover 224 is attached to the upper cover elevating drive unit 225. The upper cover 224 is driven up and down by the upper cover elevating drive unit 225.

도 5에 나타내는 바와 같이, 복수의 승강핀(202)은 핀지지판(203)에 부착되 고, 복수의 승강핀(212)은 핀지지판(213)에 부착되어 있다. 복수의 승강핀(222)은 핀지지판(223)에 부착되어 있다. 핀지지판(203, 213, 223)은, 승강핀 구동기구(240)에 의해 각각 독립적으로 승강구동된다.As shown in FIG. 5, the plurality of lifting pins 202 are attached to the pin support plate 203, and the plurality of lifting pins 212 are attached to the pin support plate 213. The plurality of lifting pins 222 are attached to the pin support plate 223. The pin support plates 203, 213, and 223 are lifted and lowered independently by the lift pin drive mechanism 240, respectively.

도 4에 나타내는 바와 같이, 반출용 재치부(200), 반입용 재치부(210) 및 가열부(220)의 측방에는, Y방향에 따라 가이드레일(231)이 부설되어 있다. 반송기구(230)는, 가이드레일(231)을 따라 이동가능하게 설치되어 있다.As shown in FIG. 4, the guide rail 231 is provided in the side of the carrying-out base part 200, the carrying-in base part 210, and the heating part 220 along the Y direction. The conveyance mechanism 230 is provided to be movable along the guide rail 231.

반송기구(230)은, 반송핸드(232) 및 핸드구동부(233)를 갖는다. 반송핸드(232)는, 핸드구동부(233)에 의해 승강되는 동시에, 핸드구동부(233)와 일체적으로 Y방향에 따라 이동한다. 반송핸드(232)는, 기판(W)을 보유지지한 상태에서, 반출용 재치부(200), 반입용 재치부(210) 및 가열부(220) 사이를 이동한다. 반송핸드(232)에는, 승강핀(202, 212, 222)과 간섭하지 않도록 노치가 형성되어 있다.The conveyance mechanism 230 has a conveyance hand 232 and a hand drive part 233. The conveyance hand 232 is lifted by the hand driver 233 and moves integrally with the hand driver 233 along the Y direction. The transfer hand 232 moves between the carrying-out base part 200, the carrying-in base part 210, and the heating part 220 in the state which hold | maintained the board | substrate W. FIG. The notch is formed in the transfer hand 232 so as not to interfere with the lifting pins 202, 212, and 222.

다음으로, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 동작에 대해 설명한다. 먼저, 도 1의 제7 센터로봇(CR7)이, 핸드(CRH13) 또는 핸드(CRH14)에 의해 X방향에 따라 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에 기판(W)을 반입하여, 반입재치부(210)의 승강핀(212) 상에 재치한다.Next, the operation of the placing and heating unit P-PEB will be described. First, the 7th center robot CR7 of FIG. 1 carries in the board | substrate W to the mounting-and-heating unit P-PEB along the X direction by the hand CRH13 or the hand CRH14, and a carrying-in part It is mounted on the lifting pin 212 of 210.

제7 센터로봇(CR7)의 핸드(CRH13) 또는 핸드(CRH14)가 퇴출한 후, 반송핸드(232)가 기판(W)과 재치플레이트(211) 사이로 이동하여, 지지핀(212)상의 기판(W)을 수취한다.After the hand CRH13 or the hand CRH14 of the seventh center robot CR7 is withdrawn, the transfer hand 232 is moved between the substrate W and the mounting plate 211 so that the substrate on the support pin 212 ( Receive W)

이어서, 상덮개(224)가 가열플레이트(221)로부터 이격된 상태에서, 반송핸드(232)가 가열플레이트(221)상으로 이동하여, 지지핀(222)상에 기판(W)을 재치한 다.Subsequently, with the top cover 224 spaced apart from the heating plate 221, the transfer hand 232 moves on the heating plate 221 to place the substrate W on the support pins 222. .

이어서, 반송핸드(232)가 가열부(220)로부터 퇴피하는 동시에, 상덮개(224)가 하강하여 가열플레이트(221)상의 공간을 폐색(閉塞)한다. 그리고, 승강핀(222)이 하강하여 기판(W)을 가열플레이트(221)상에 재치한다. 그 상태에서, 가열플레이트(221)에 의해 기판(W)이 가열된다.Subsequently, the transfer hand 232 retracts from the heating unit 220, and the top cover 224 descends to close the space on the heating plate 221. Then, the lifting pins 222 are lowered to place the substrate W on the heating plate 221. In this state, the substrate W is heated by the heating plate 221.

소정시간 경과후, 기판(W)의 가열이 정지되고, 상덮개(224)가 상승한다. 이어서, 승강핀(222)이 상승하여 기판(W)을 가열플레이트(221)로부터 이격시킨다. 그리고, 가열플레이트(221)와 기판(W) 사이에 반송핸드(232)가 이동하여, 승강핀(222)상의 기판(W)을 수취한다.After the predetermined time elapses, the heating of the substrate W is stopped, and the upper lid 224 is raised. Subsequently, the lifting pins 222 are raised to separate the substrate W from the heating plate 221. Then, the transfer hand 232 moves between the heating plate 221 and the substrate W to receive the substrate W on the lifting pins 222.

이어서, 가열 후의 기판(W)을 보유지지한 상태에서 반송핸드(232)가 반출용 재치부(200)의 냉각플레이트(201)상으로 이동하여, 지지핀(202)상에 기판(W)을 재치한다. 이어서, 지지핀(202)이 하강하여 기판(W)을 냉각플레이트(201)상에 재치한다. 그 상태에서, 냉각플레이트(201)가 냉각됨으로써, 기판(W)이 냉각된다.Subsequently, in a state where the substrate W after heating is held, the transfer hand 232 moves on the cooling plate 201 of the dismounting unit 200 for carrying out, thereby placing the substrate W on the support pins 202. Wit Subsequently, the support pin 202 is lowered to mount the substrate W on the cooling plate 201. In this state, the cooling plate 201 is cooled, whereby the substrate W is cooled.

소정시간 경과후, 기판(W)의 냉각이 정지되고, 지지핀(202)이 상승하여 기판(W)을 냉각플레이트(201)로부터 이격시킨다. 그리고, 도 1의 제5 센터로봇(CR5)이, 핸드(CR9) 또는 핸드(CR10)에 의해, 지지핀(202)상으로부터 기판(W)을 수취하고, Y방향에 따라 재치 겸 가열유닛(P-PEB)으로부터 반출한다.After a predetermined time has elapsed, cooling of the substrate W is stopped, and the support pins 202 are raised to separate the substrate W from the cooling plate 201. Then, the fifth center robot CR5 of FIG. 1 receives the substrate W from the support pins 202 by the hand CR9 or the hand CR10, and is placed and mounted along the Y direction. P-PEB).

재치 겸 가열유닛(P-PEB)에서는, 제7 센터로봇(CR7)에 근접하는 위치에 반입용 재치부(210)가 설치되고, 제5 센터로봇(CR5)에 근접하는 위치에 반출용 재치부(200)가 설치되어 있다. 이에 의해, 제7 센터로봇(CR7)에 의한 반입용 재치 부(210)로의 기판(W)의 반입 및 제5 센터로봇(CR5)에 의한 반출용 재치부(200)로부터의 기판(W)의 반출이 용이하게 된다. 그 결과, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출을 신속하게 행하는 것이 가능하게 된다.In the placement-and-heating unit P-PEB, the placement unit 210 for carrying in is installed at a position close to the seventh center robot CR7, and the placement unit for carrying out is located at a position close to the fifth center robot CR5. 200 is installed. Thereby, the board | substrate W is carried in to the loading part 210 for carrying in by the 7th center robot CR7, and the board | substrate W from the mounting part 200 for carrying out by the 5th center robot CR5 is carried out. Export is easy. As a result, the loading and unloading of the substrate W to the placing and heating unit P-PEB can be performed quickly.

또한, 본 실시 형태에서는, 냉각플레이트(201)에 의해 기판(W)이 냉각되지만, 기판(W)의 냉각방법은 이에 한정하지 않고, 반송핸드(232)에 기판(W)을 냉각하기 위한 냉각기능을 부여해도 좋다.In addition, in this embodiment, although the board | substrate W is cooled by the cooling plate 201, the cooling method of the board | substrate W is not limited to this, The cooling for cooling the board | substrate W in the conveyance hand 232 is carried out. You may give a function.

(4) 세정/건조처리유닛(4) cleaning / drying processing unit

다음으로, 세정/건조처리유닛(SD1)에 대해 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 도 6은, 세정/건조처리유닛(SD1)의 구성을 나타내는 측면도이다. 또한, 세정/건조처리유닛(SD2)은, 세정/건조처리유닛(SD1)과 동일한 구성을 갖는다.Next, the washing / drying processing unit SD1 will be described in detail with reference to the drawings. 6 is a side view showing the configuration of the cleaning / drying processing unit SD1. In addition, the cleaning / drying processing unit SD2 has the same configuration as the cleaning / drying processing unit SD1.

도 6에 나타내는 바와 같이, 세정/건조처리유닛(SD1)은, 기판(W)을 수평으로 보유지지하는 동시에, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직의 회전축 주위에서 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(621)을 구비한다.As shown in FIG. 6, the cleaning / drying processing unit SD1 holds the substrate W horizontally and rotates the substrate W around a vertical rotation axis passing through the center of the substrate W. As shown in FIG. A spin chuck 621 is provided.

스핀척(621)은, 척회전구동기구(636)에 의해 회전되는 회전축(625)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀척(621)에는 흡기로(도시 안함)가 형성되어 있어, 스핀척(621)상에 기판(W)을 재치한 상태에서 흡기로 내를 배기함으로써, 기판(W)의 하면(下面)을 스핀척(621)에 진공흡착하여, 기판(W)을 수평자세로 보유지지할 수 있다.The spin chuck 621 is fixed to the upper end of the rotating shaft 625 rotated by the chuck rotation driving mechanism 636. In addition, an intake air (not shown) is formed in the spin chuck 621, and the inside of the intake air is exhausted in a state where the substrate W is placed on the spin chuck 621. ) Is vacuum-adsorbed to the spin chuck 621 to hold the substrate W in a horizontal position.

스핀척(621)의 바깥쪽에는, 모터(660)가 설치되어 있다. 모터(660)에는, 회동축(661)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(661)에는, 아암(662)이 수평방향으로 뻗 도록 연결되고, 아암(662)의 선단(先端)에 세정처리용 노즐(650)이 설치되어 있다.The motor 660 is provided outside the spin chuck 621. The rotation shaft 661 is connected to the motor 660. In addition, the arm 662 is connected to the rotation shaft 661 so as to extend in the horizontal direction, and a nozzle 650 for cleaning treatment is provided at the tip of the arm 662.

모터(660)에 의해 회동축(661)이 회전하는 동시에 아암(662)이 회동하고, 세정처리용 노즐(650)이 스핀척(621)에 의해 보유지지된 기판(W)의 위쪽으로 이동한다.The rotating shaft 661 rotates at the same time as the rotating shaft 661 is rotated by the motor 660, and the cleaning nozzle 650 moves above the substrate W held by the spin chuck 621. .

모터(660), 회동축(661) 및 아암(662)의 내부를 통과하도록 세정처리용 공급관(663)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(663)은, 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통해 세정액 공급원(R1) 및 린스액 공급원(R2)에 접속되어 있다.A cleaning processing supply pipe 663 is provided to pass through the inside of the motor 660, the rotation shaft 661, and the arm 662. The cleaning processing supply pipe 663 is connected to the cleaning liquid supply source R1 and the rinse liquid supply source R2 through the valve Va and the valve Vb.

이 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(663)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 도 6의 구성에 있어서는, 밸브(Va)를 열므로써, 세정처리용 공급관(663)에 세정액을 공급할 수 있고, 밸브(Vb)를 엶여는 열므로써, 세정처리용 공급관(663)에 린스액을 공급할 수 있다.By controlling the opening and closing of these valves Va and Vb, it is possible to select the processing liquid to be supplied to the cleaning processing supply pipe 663 and to adjust the supply amount. In the configuration of FIG. 6, the cleaning liquid can be supplied to the cleaning processing supply pipe 663 by opening the valve Va, and the rinsing liquid is supplied to the cleaning processing supply pipe 663 by opening the valve Vb. Can supply

세정처리용 노즐(650)에는, 세정액 또는 린스액이, 세정처리용 공급관(663)을 통해 세정액 공급원(R1) 또는 린스액 공급원(R2)으로부터 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 세정액으로서는, 예를 들면, 순수, 순수에 착체(錯體)(이온화한 것)를 녹인 액 또는 불화수소산계 약액 등이 사용된다. 린스액으로서는, 예를 들면, 순수, 탄산수, 수소수, 전해이온수 및 HFE(하이드로플루오르에테르) 중 어느 하나가 사용된다.The cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the cleaning nozzle 650 from the cleaning liquid supply source R1 or the rinse liquid supply source R2 via the cleaning processing supply pipe 663. Thereby, the washing | cleaning liquid or the rinse liquid can be supplied to the surface of the board | substrate W. FIG. As the washing liquid, for example, a liquid obtained by dissolving a complex (ionized) in pure water or pure water, a hydrofluoric acid chemical liquid, or the like is used. As the rinse liquid, any one of pure water, carbonated water, hydrogen water, electrolytic ion water and HFE (hydrofluoroether) is used, for example.

스핀척(621)의 바깥쪽에는, 모터(671)가 설치되어 있다. 모터(671)에는, 회동축(672)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(672)에는, 아암(673)이 수평방향으로 뻗도록 연결되고, 아암(673)의 선단에 건조처리용 노즐(670)이 설치되어 있다.The motor 671 is provided outside the spin chuck 621. The rotation shaft 672 is connected to the motor 671. In addition, the arm 673 is connected to the rotation shaft 672 so as to extend in the horizontal direction, and a drying nozzle 670 is provided at the tip of the arm 673.

모터(671)에 의해 회동축(672)가 회전하는 동시에, 아암(673)이 회동하여, 건조처리용 노즐(670)이 스핀척(621)에 의해 보유지지된 기판(W)의 위쪽으로 이동한다.The rotating shaft 672 is rotated by the motor 671 and the arm 673 is rotated so that the drying nozzle 670 is moved above the substrate W held by the spin chuck 621. do.

모터(671), 회동축(672) 및 아암(673)의 내부를 통과하도록 건조처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 건조처리용 공급관(674)은, 밸브(Vc)를 통해 불활성가스 공급원(R3)에 접속되어 있다. 이 밸브(Vc)의 개폐를 제어함으로써, 건조처리용 공급관(674)에 공급하는 불활성가스의 공급량을 조정할 수 있다.A drying processing supply pipe 674 is provided to pass through the inside of the motor 671, the rotation shaft 672, and the arm 673. The drying process supply pipe 674 is connected to the inert gas supply source R3 through the valve Vc. By controlling the opening and closing of this valve Vc, the supply amount of the inert gas supplied to the drying process supply pipe 674 can be adjusted.

건조처리용 노즐(670)에는, 불활성가스가, 건조처리용 공급관(674)을 통해 불활성가스 공급원(R3)으로부터 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면으로 불활성가스를 공급할 수 있다. 불활성가스로서는, 예를 들면, 질소가스가 사용된다.Inert gas is supplied to the drying process nozzle 670 from the inert gas supply source R3 through the drying process supply pipe 674. Thereby, an inert gas can be supplied to the surface of the board | substrate W. As shown in FIG. As an inert gas, nitrogen gas is used, for example.

기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 때에는, 세정처리용 노즐(650)은 기판의 윗쪽에 위치하고, 기판(W)의 표면으로 불활성가스를 공급할 때에는, 세정처리용 노즐(650)은 소망의 위치로 퇴피된다.When the cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the surface of the substrate W, the cleaning nozzle 650 is located above the substrate. When the inert gas is supplied to the surface of the substrate W, the cleaning nozzle 650 is Evacuate to the desired location.

또한, 기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 때에는, 건조처리용 노즐(670)은 소망의 위치에 퇴피되고, 기판(W)의 표면으로 불활성가스를 공급할 때에는, 건조처리용 노즐(670)은 기판(W)의 윗쪽에 위치한다.When the cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the surface of the substrate W, the drying nozzle 670 is evacuated to a desired position. When the inert gas is supplied to the surface of the substrate W, the drying nozzle ( 670 is located above the substrate (W).

스핀척(621)에 보유지지된 기판(W)은, 처리컵(623)내에 수용된다. 처리컵(623)의 내측에는, 통형상의 칸막이벽(633)이 설치되어 있다. 또한, 스핀척(621)의 주위를 둘러싸도록, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액(세정액 또는 린스액)을 배액하기 위한 배액공간(631)이 형성되어 있다. 또한, 배액공간(631)을 둘러싸도록, 처리컵(623)과 칸막이벽(633) 사이에, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액을 회수하기 위한 회수액공간(632)가 형성되어 있다.The substrate W held by the spin chuck 621 is accommodated in the processing cup 623. Inside the processing cup 623, a cylindrical partition wall 633 is provided. Further, a drainage space 631 for draining the processing liquid (cleaning liquid or rinse liquid) used for the processing of the substrate W is formed so as to surround the spin chuck 621. A recovery liquid space 632 for recovering the processing liquid used for the processing of the substrate W is formed between the processing cup 623 and the partition wall 633 so as to surround the drainage space 631.

배액공간(631)에는, 배액처리장치(도시 안함)로 처리액을 인도하기 위한 배액관(634)이 접속되고, 회수액공간(632)에는, 회수처리장치(도시 안함)로 처리액을 인도하기 위한 회수관(635)이 접속되어 있다.A drainage tube 634 is connected to the drainage space 631 for guiding the processing liquid to a drainage processing apparatus (not shown), and a recovery liquid space 632 for guiding the processing liquid to a recovery processing apparatus (not shown). The recovery pipe 635 is connected.

처리컵(623)의 윗쪽에는, 기판(W)으로부터의 처리액이 바깥쪽에 비산하는 것을 방지하기 위한 가아드(624)가 설치되어 있다. 이 가아드(624)는, 회전축(625)에 대해 회전대칭인 형상으로 이루어져 있다. 가아드(624)의 상단부의 내면에는, 단면이 く자 형상의 배액안내홈(641)이 고리형상으로 형성되어 있다.On the upper side of the processing cup 623, a guard 624 for preventing the processing liquid from the substrate W from scattering to the outside is provided. The guard 624 has a shape that is rotationally symmetrical with respect to the rotation shaft 625. On the inner surface of the upper end of the guard 624, a drain guide groove 641 having a cross section is formed in a ring shape.

또한, 가아드(624)의 하단부의 내면에는, 외측 아래쪽으로 경사되는 경사면으로 이루어지는 회수액 안내부(642)가 형성되어 있다. 회수액 안내부(642)의 상단 부근에는, 처리컵(623)의 칸막이벽(633)을 수용하기 위한 칸막이벽수납홈(643)이 형성되어 있다.Moreover, the recovery liquid guide part 642 which consists of the inclined surface inclined to the outer side downward is formed in the inner surface of the lower end part of the guard 624. As shown in FIG. In the vicinity of the upper end of the recovery liquid guide part 642, a partition wall storage groove 643 for accommodating the partition wall 633 of the processing cup 623 is formed.

이 가아드(624)에는, 볼나사기구 등으로 구성된 가아드승강구동기구(도시 안함)가 설치되어 있다. 가아드승강구동기구는, 가아드(624)를, 회수액 안내부(642)가 스핀척(621)에 보유지지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 회수위치와, 배액안내홈(641)이 스핀척(621)에 보유지지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 배액위치 사이에서 상하동(上下動)시킨다. 가아드(624)가 회수위치(도 6에 나타내는 가아드의 위치)에 있는 경우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽에 비산한 처리액이 회수액 안내부(642)에 의해 회수액공간(632)에 인도되고, 회수관(635)를 통해 회수된다. 한 편, 가아드(624)가 배액위치에 있는 경우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽에 비산한 처리액이 배액안내홈(641)에 의해 배액공간(631)으로 인도되고, 배액관(634)를 통해 배액된다. 이상의 구성에 의해, 처리액의 배액 및 회수가 행하여진다.This guard 624 is provided with a guard lift drive mechanism (not shown) composed of a ball screw mechanism or the like. The guard lifting and driving mechanism includes a guard 624 having a recovery position where the recovery liquid guide portion 642 opposes an outer circumferential end face of the substrate W held by the spin chuck 621, and the drain guide groove 641. It moves up and down between the drain positions which oppose the outer periphery end surface of the board | substrate W hold | maintained by the spin chuck 621. As shown in FIG. When the guard 624 is in the recovery position (the position of the guard shown in FIG. 6), the processing liquid scattered outward from the substrate W is led to the recovery liquid space 632 by the recovery liquid guide part 642. Then, it is recovered through the recovery pipe 635. On the other hand, when the guard 624 is in the drainage position, the processing liquid scattered outward from the substrate W is led to the drainage space 631 by the drainage guide groove 641, and the drainage pipe 634 is closed. Drained through. With the above configuration, the processing liquid is drained and recovered.

다음으로, 상기 구성을 갖는 세정/건조처리유닛(SD1)의 처리동작에 대해 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 세정/건조처리유닛(SD1)의 각 구성요소의 동작은, 도 1의 메인컨트롤러(제어부)(30)에 의해 제어된다. 세정/건조처리유닛(SD2)의 처리동작은, 세정/건조처리유닛(SD1)의 처리동작과 마찬가지이다.Next, the processing operation of the cleaning / drying processing unit SD1 having the above configuration will be described. In addition, the operation | movement of each component of the washing | cleaning / drying processing unit SD1 demonstrated below is controlled by the main controller (control part) 30 of FIG. The processing operation of the washing / drying processing unit SD2 is the same as the processing operation of the washing / drying processing unit SD1.

먼저, 기판(W)의 반입시에는, 가아드(624)가 하강하는 동시에, 도 1의 제6 센터로봇(CR6)이 기판(W)을 스핀척(621)상에 재치한다. 스핀척(621)상에 재치된 기판(W)은, 스핀척(621)에 의해 흡착 보유지지된다.First, at the time of carrying in the board | substrate W, the guard 624 falls and the 6th center robot CR6 of FIG. 1 mounts the board | substrate W on the spin chuck 621. FIG. The substrate W mounted on the spin chuck 621 is sucked and held by the spin chuck 621.

다음으로, 가아드(624)가 상술한 배액위치까지 이동하는 동시에, 세정처리용 노즐(650)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동한다. 그후, 회전축(625)이 회전하고, 이 회전에 따라 스핀척(621)에 보유지지되어 있는 기판(W)이 회전한다. 그후, 세정처리용 노즐(650)로부터 세정액이 기판(W)의 상면(上面)에 토출된다. 이에 의해, 기판(W)의 세정이 행하여진다.Next, the guard 624 moves to the above-mentioned drainage position, and the cleaning nozzle 650 moves above the center of the substrate W. Next, as shown in FIG. Thereafter, the rotation shaft 625 rotates, and the substrate W held by the spin chuck 621 rotates according to the rotation. Thereafter, the cleaning liquid is discharged from the cleaning nozzle 650 to the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. Thereby, the board | substrate W is wash | cleaned.

또한, 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 이 세정시에 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분이 세정액 중으로 용출(溶出)한다. 또한, 기판(W)의 세정에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)상에 세정액을 공급하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액은 원심력에 의해 항상 기판(W)의 주연부로 이동하여 비산한다. 따라서, 세정액 중으로 용출한 레지스트커버막의 성분이 기판(W)상에 잔류하는 것 을 방지할 수 있다.In the cleaning / drying processing unit SD1, the components of the resist cover film on the substrate W are eluted into the cleaning liquid during the cleaning. In the cleaning of the substrate W, the cleaning liquid is supplied onto the substrate W while the substrate W is rotated. In this case, the cleaning liquid on the substrate W always moves to and scatters around the periphery of the substrate W by centrifugal force. Therefore, it is possible to prevent the components of the resist cover film eluted in the cleaning liquid from remaining on the substrate W. FIG.

또한, 상기의 레지스트커버막의 성분은, 예를 들면, 기판(W)상에 순수를 올려서 일정시간 보유지지하는 것으로 용출시켜도 좋다. 또한, 기판(W)상으로의 세정액의 공급은, 이류체(二流體)노즐을 사용한 소프트스프레이방식에 의해 행하여도 좋다.The resist cover film may be eluted by, for example, raising pure water on the substrate W and holding it for a predetermined time. The cleaning liquid onto the substrate W may be supplied by a soft spray method using a two-fluid nozzle.

소정시간 경과후, 세정액의 공급이 정지되고, 세정처리용 노즐(650)로부터 린스액이 토출된다. 이에 의해, 기판(W)상의 세정액이 씻겨내려간다.After a predetermined time elapses, the supply of the cleaning liquid is stopped, and the rinse liquid is discharged from the cleaning nozzle 650. Thereby, the washing | cleaning liquid on the board | substrate W washes off.

또한 소정시간 경과후, 회전축(625)의 회전속도가 저하한다. 이에 의해, 기판(W)의 회전에 의해 털려나가는 린스액의 양이 감소하고, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층 L이 형성된다. 또한, 회전축(625)의 회전을 정지시켜 기판(W)의 표면 전체에 액층 L을 형성하여도 좋다.In addition, after a predetermined time elapses, the rotation speed of the rotation shaft 625 decreases. Thereby, the quantity of the rinse liquid shaken off by the rotation of the board | substrate W reduces, and the liquid layer L of the rinse liquid is formed in the whole surface of the board | substrate W as shown to FIG. The liquid layer L may be formed over the entire surface of the substrate W by stopping the rotation of the rotation shaft 625.

다음으로, 린스액의 공급이 정지되고, 세정처리용 노즐(650)이 소망의 위치로 퇴피하는 동시에 건조처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 윗쪽으로 이동한다. 그후, 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성가스가 토출된다. 이에 의해, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 중심부의 린스액이 기판(W)의 주연부로 이동하여, 기판(W)의 주연부에만 액층 L이 존재하는 상태로 된다.Next, the supply of the rinse liquid is stopped, the cleaning nozzle 650 retracts to a desired position, and the drying nozzle 670 moves above the center of the substrate W. As shown in FIG. Thereafter, the inert gas is discharged from the drying nozzle 670. Thereby, as shown in FIG.7 (b), the rinse liquid of the center part of the board | substrate W moves to the periphery of the board | substrate W, and the liquid layer L exists only in the periphery of the board | substrate W. As shown in FIG.

다음으로, 회전축(625)(도 6 참조)의 회전수가 상승하는 동시에, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이 건조처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 윗쪽으로부터 주연부 윗쪽으로 서서히 이동한다. 이에 의해, 기판(W)상의 액층 L에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 기판(W)의 표면 전체에 불활성가스를 내뿜을 수 있으므로, 기판(W)상 의 액층 L을 확실히 없앨 수 있다. 그 결과, 기판(W)을 확실히 건조시킬 수 있다.Next, while the rotation speed of the rotating shaft 625 (refer FIG. 6) rises, as shown in FIG.7 (c), the drying process nozzle 670 moves gradually from upper part of the center part of the board | substrate W to upper peripheral part. . As a result, a large centrifugal force acts on the liquid layer L on the substrate W, and inert gas can be blown out over the entire surface of the substrate W, so that the liquid layer L on the substrate W can be reliably removed. As a result, the substrate W can be reliably dried.

다음으로, 불활성가스의 공급이 정지되고, 건조처리 노즐(670)이 소망의 위치에 퇴피하는 동시에 회전축(625)의 회전이 정지한다. 그후, 가아드(624)가 하강하는 동시에 도 1의 제6 센터로봇(CR6)이 기판(W)을 반출한다. 이에 의해, 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서의 처리동작이 종료된다. 또한, 세정 및 건조처리 중에 있어서의 가아드(624)의 위치는, 처리액의 회수 또는 배액의 필요성에 따라 적절하게 변경하는 것이 바람직하다.Next, the supply of inert gas is stopped, the drying nozzle 670 is retracted to a desired position, and the rotation of the rotation shaft 625 is stopped. Thereafter, the guard 624 descends and the sixth center robot CR6 of FIG. 1 unloads the substrate W. As shown in FIG. As a result, the processing operation in the cleaning / drying processing unit SD1 is completed. In addition, it is preferable to change the position of the guard 624 in washing | cleaning and drying process suitably according to the need of collection | recovery or drainage of a process liquid.

또한, 상기 실시 형태에서는, 세정액처리용 노즐(650)로부터 세정액 및 린스액 중 어느 하나를 공급할 수 있도록, 세정액의 공급 및 린스액의 공급에 세정액처리용 노즐(650)을 공용하는 구성을 채용하고 있지만, 세정액공급용의 노즐과 린스액공급용의 노즐을 따로 나눈 구성을 채용해도 좋다.Moreover, in the said embodiment, the structure which shares the washing | cleaning liquid processing nozzle 650 with the supply of a washing | cleaning liquid and the supply of a rinse liquid is employ | adopted so that any one of a washing | cleaning liquid and a rinse liquid can be supplied from the washing | cleaning liquid processing nozzle 650, However, a configuration may be employed in which the nozzle for supplying the cleaning liquid and the nozzle for supplying the rinse liquid are separated.

또한, 린스액을 공급하는 경우에는, 린스액이 기판(W)의 이면으로 돌아들어가지 않도록, 기판(W)의 이면에 대해 도시하지 않는 백린스용 노즐로부터 순수를 공급해도 좋다.In addition, when supplying a rinse liquid, you may supply pure water from the back rinse nozzle which is not shown with respect to the back surface of the board | substrate W so that a rinse liquid may not return to the back surface of the board | substrate W.

또한, 기판(W)을 세정하는 세정액으로 순수를 사용하는 경우에는, 린스액의 공급을 행할 필요가 없다.In addition, when pure water is used as a washing | cleaning liquid which wash | cleans the board | substrate W, it is not necessary to supply a rinse liquid.

또한, 상기 실시 형태에서는, 스핀건조방법에 의해 기판(W)에 건조처리를 행하지만, 감압건조방법, 에어나이프 건조방법 등의 다른 건조방법에 의해 기판(W)에 건조처리를 행하여도 좋다.In addition, in the said embodiment, although the drying process is performed to the board | substrate W by the spin drying method, you may dry-process the board | substrate W by other drying methods, such as a reduced pressure drying method and an air knife drying method.

또한, 상기 실시 형태에서는, 린스액의 액층 L이 형성된 상태에서, 건조처리 용 노즐(670)로부터 불활성가스를 공급하도록 하고 있지만, 린스액의 액층 L을 형성하지 않는 경우 혹은 린스액을 사용하지 않는 경우에는 세정액의 액층을 기판(W)을 회전시켜 일단 털어낸 다음, 즉석에서 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성가스를 공급해서 기판(W)을 완전히 건조시키도록 해도 좋다.In the above embodiment, the inert gas is supplied from the nozzle 670 for drying while the liquid layer L of the rinse liquid is formed, but the liquid layer L of the rinse liquid is not formed or the rinse liquid is not used. In this case, the liquid layer of the cleaning liquid may be shaken off once by rotating the substrate W and immediately supplied with an inert gas from the drying nozzle 670 to dry the substrate W completely.

(5) 본 실시 형태의 효과(5) Effect of this embodiment

본 실시 형태에서는, 인터페이스블록(15)의 세정가열블록(15a)에서, 노광처리 전의 기판(W)이 제6 센터로봇(CR6)에 의해 반송되고, 노광처리 후의 기판(W)이 제7 센터로봇(CR7)에 의해 반송된다. 또한, 인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)에서, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1, H2)가 각각 독립적으로 구동되어, 노광처리 전의 기판(W)이 핸드(H1)에 의해 반송되고, 노광처리 후의 기판(W)이 핸드(H2)에 의해 반송된다.In this embodiment, in the cleaning heating block 15a of the interface block 15, the substrate W before the exposure treatment is conveyed by the sixth center robot CR6, and the substrate W after the exposure treatment is transferred to the seventh center. It is conveyed by the robot CR7. In addition, in the carry-in / out block 15b of the interface block 15, the hands H1 and H2 of the interface conveyance mechanism IFR are respectively driven independently, and the board | substrate W before exposure process is carried out to the hand H1. It conveys and the board | substrate W after an exposure process is conveyed by the hand H2.

이와 같이, 인터페이스블록(15)에서, 노광처리 전의 기판(W)의 반송경로와 노광처리 후의 기판(W)의 반송경로가 각각 독립적으로 확보되어 있다. 이 경우, 노광처리 전의 기판(W)의 반송경로와 노광처리 후의 기판(W)의 반송경로가 교차하는 경우에 비해, 제6 센터로봇(CR6) 및 제7 센터로봇(CR7)의 동작이 간략화된다. 이에 의해, 기판(W)의 반송효율이 향상하여, 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다.In this way, in the interface block 15, the conveyance path of the substrate W before the exposure process and the conveyance path of the substrate W after the exposure process are each independently secured. In this case, the operations of the sixth center robot CR6 and the seventh center robot CR7 are simplified compared with the case where the conveyance path of the substrate W before the exposure process and the conveyance path of the substrate W after the exposure process cross each other. do. Thereby, the conveyance efficiency of the board | substrate W improves and it becomes possible to improve a throughput.

또한, 세정가열블록(15a) 및 반입반출블록(15b)에서, 노광처리 전의 기판(W)과 노광처리 후의 기판(W)이 동일한 부위에 접촉하는 경우가 없다. 따라서, 노광처리 전의 기판(W)과 노광처리 후의 기판(W) 사이의 크로스컨테미네이션(상호오염)을 방지할 수 있다.In the cleaning heating block 15a and the carry-in / out block 15b, the substrate W before the exposure treatment and the substrate W after the exposure treatment do not contact the same site. Therefore, cross contamination (mutual contamination) between the substrate W before the exposure treatment and the substrate W after the exposure treatment can be prevented.

또한, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)이, 노광장치(16)에 인접하는 인터페이스블록(15)에 설치되어 있으므로, 노광처리 후의 기판(W)을 신속하게 재치 겸 가열유닛(P-PEB)까지 반송할 수 있다. 따라서, 노광처리 후, 신속하게 기판(W)의 PEB처리를 행할 수 있다. 그 결과, 신속하게 레지스트막 내의 화학반응을 촉진시킬 수 있어, 소망의 노광패턴을 얻을 수 있다.In addition, since the placing and heating unit P-PEB is provided in the interface block 15 adjacent to the exposure apparatus 16, the placing and heating unit P-PEB can be quickly placed and placed on the substrate W after the exposure treatment. You can return to. Therefore, the PEB process of the board | substrate W can be performed quickly after an exposure process. As a result, the chemical reaction in the resist film can be promptly promoted, and a desired exposure pattern can be obtained.

또한, 노광처리 전의 기판(W)의 반송경로와 노광처리 후의 기판(W)의 반송경로가 각각 독립되어 있음으로써, 노광처리 후의 기판(W)을 원활히 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에 반송할 수 있다. 그 때문에, 복수의 기판(W)을 연속적으로 처리하는 경우에, 노광처리로부터 PEB처리까지의 시간을 거의 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 노광패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.Moreover, since the conveyance path of the board | substrate W before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate W after an exposure process are independent, respectively, the board | substrate W after an exposure process is smoothly conveyed to a heating unit P-PEB. can do. Therefore, when processing several board | substrate W continuously, the time from exposure processing to PEB process can be made substantially constant. As a result, variation in the accuracy of the exposure pattern can be prevented.

또한, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)은, 제7 센터로봇(CR7)으로부터 제5 센터로봇(CR5)으로의 기판(W)의 주고받기를 위한 재치부의 역할을 맡고 있다. 이 경우, 인터페이스블록(15)으로부터 레지스트커버막 제거블록(14)으로의 기판(W)의 반송경로를 간략화할 수 있다. 이에 의해, 처리량을 더 향상시킬 수 있다.In addition, the placing and heating unit P-PEB plays a role of placing part for transferring the substrate W from the seventh center robot CR7 to the fifth center robot CR5. In this case, the transfer path of the substrate W from the interface block 15 to the resist cover film removal block 14 can be simplified. As a result, the throughput can be further improved.

또한, 본 실시 형태에서는, 노광장치(16)에서 기판(W)의 노광처리를 하기 전에, 세정/건조처리유닛(SD1)에서 기판(W)의 세정처리가 행해진다. 이 세정처리시에, 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분의 일부가 세정액 또는 린스액 중으로 용출하여, 씻겨내려간다. 그 때문에, 노광장치(16)에서 기판(W)이 액체와 접촉하여도, 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분은 액체 중으로 거의 용출하지 않는다. 또한, 노광처리 전의 기판(W)에 부착된 먼지 등을 제거할 수 있다. 이러한 결과, 노광장 치(16)내의 오염이 방지된다.In addition, in this embodiment, the cleaning process of the board | substrate W is performed by the washing | cleaning / drying processing unit SD1 before the exposure process of the board | substrate W is performed by the exposure apparatus 16. Moreover, as shown in FIG. At the time of this washing | cleaning process, a part of the component of the resist cover film on the board | substrate W elutes in a washing | cleaning liquid or a rinse liquid, and is wash | cleaned. Therefore, even when the substrate W is in contact with the liquid in the exposure apparatus 16, the components of the resist cover film on the substrate W hardly elute into the liquid. Moreover, the dust etc. which adhered to the board | substrate W before exposure process can be removed. As a result, contamination in the exposure apparatus 16 is prevented.

또한, 세정/건조처리유닛(SD1)에서는, 기판(W)의 세정처리 후에 기판(W)의 건조처리가 행해진다. 이에 의해, 세정처리시에 기판(W)에 부착한 세정액 또는 린스액이 제거되므로, 세정처리 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 다시 부착하는 것이 방지된다. 그 결과, 노광장치(16)내의 오염을 확실히 방지할 수 있다.In addition, in the washing / drying processing unit SD1, the drying treatment of the substrate W is performed after the washing treatment of the substrate W. FIG. Thereby, since the washing | cleaning liquid or rinse liquid which adhered to the board | substrate W at the time of a washing | cleaning process is removed, it is prevented that dust etc. in atmosphere reattach to the board | substrate W after a washing process. As a result, contamination in the exposure apparatus 16 can be reliably prevented.

또한, 세정/건조처리유닛(SD1)에서는, 기판(W)을 회전시키면서 불활성가스를 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 내뿜움으로써 기판(W)의 건조처리를 행하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액 및 린스액을 확실히 제거할 수 있으므로, 세정 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 오염을 확실히 방지할 수 있는 동시에, 기판(W)의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Further, in the cleaning / drying processing unit SD1, the drying process of the substrate W is performed by blowing inert gas from the center portion of the substrate W to the peripheral portion while rotating the substrate W. As shown in FIG. In this case, since the washing | cleaning liquid and rinse liquid on the board | substrate W can be removed reliably, it can reliably prevent dust and the like from adhering to the board | substrate W after washing | cleaning. As a result, contamination of the substrate W can be reliably prevented, and dry spots can be prevented from occurring on the surface of the substrate W. FIG.

또한, 세정/건조처리유닛(SD2)에서는, 노광처리 후의 기판(W)의 건조처리가 행해진다. 이에 의해, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가, 기판처리장치(500)내로 낙하하는 것이 방지된다. 또한, 노광처리 후의 기판(W)의 건조처리를 행함으로써, 노광처리 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착하는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다.In addition, in the washing / drying processing unit SD2, a drying treatment of the substrate W after the exposure treatment is performed. Thereby, the liquid adhering to the board | substrate W at the time of an exposure process is prevented from falling into the substrate processing apparatus 500. FIG. In addition, by performing the drying treatment of the substrate W after the exposure treatment, dust or the like in the atmosphere is prevented from adhering to the substrate W after the exposure treatment, so that contamination of the substrate W can be prevented.

또한, 기판처리장치(500)내를 액체가 부착한 기판(W)이 반송되는 것을 방지할 수 있으므로, 노광처리시에 기판(W)에 부착한 액체가 기판처리장치(500)내의 분위기에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 기판처리장치(500)내의 온습도 조정이 용이하게 된다.In addition, since the substrate W with the liquid attached to the substrate processing apparatus 500 can be prevented from being transported, the liquid attached to the substrate W during the exposure treatment affects the atmosphere in the substrate processing apparatus 500. It can prevent giving. Thereby, the temperature-humidity adjustment in the substrate processing apparatus 500 becomes easy.

또한, 노광처리시에 기판(W)에 부착한 액체가 인덱서용 반송기구(IFR) 및 제1 ~ 제7 센터로봇(CR1~CR7)에 부착하는 것이 방지된다. 그 때문에, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착하는 것이 방지된다. 이에 의해, 노광처리 전의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착하는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염이 방지된다. 그 결과, 노광처리시의 해상(解像)성능의 열화를 방지할 수 있는 동시에 노광장치(16)내의 오염을 방지할 수 있다.In addition, the liquid adhering to the substrate W during the exposure treatment is prevented from adhering to the indexer conveyance mechanism IFR and the first to seventh center robots CR1 to CR7. Therefore, the liquid is prevented from adhering to the substrate W before the exposure treatment. As a result, dust or the like in the atmosphere is prevented from adhering to the substrate W before the exposure treatment, so that contamination of the substrate W is prevented. As a result, deterioration of the resolution performance during the exposure process can be prevented and contamination in the exposure apparatus 16 can be prevented.

또한, 세정/건조처리유닛(SD2)으로부터 현상처리부(70)로 기판(W)을 반송하는 동안에, 레지스트의 성분 또는 레지스트커버막의 성분이 기판(W)상에 잔류한 세정액 및 린스액 중으로 용출하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이에 의해, 레지스트막에 형성된 노광패턴의 변형을 방지할 수 있다. 그 결과, 현상처리시에 있어서의 선폭 정밀도의 저하를 확실히 방지할 수 있다.During the transfer of the substrate W from the cleaning / drying processing unit SD2 to the developing unit 70, the components of the resist or the components of the resist cover film are eluted into the cleaning liquid and the rinse liquid remaining on the substrate W. It can certainly prevent things. Thereby, deformation of the exposure pattern formed in the resist film can be prevented. As a result, the fall of the line width precision at the time of image development process can be prevented reliably.

이러한 결과, 기판처리장치(500)의 전기계통의 이상 등의 동작불량을 방지할 수 있는 동시에, 기판(W)의 처리불량을 확실히 방지할 수 있다.As a result, an operation failure such as an abnormality in the electrical system of the substrate processing apparatus 500 can be prevented, and a processing failure of the substrate W can be reliably prevented.

또한, 세정/건조처리유닛(SD2)에서는, 기판(W)을 회전시키면서 불활성가스를 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 내뿜움으로써 기판(W)의 건조처리를 행하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액 및 린스액을 확실히 제거할 수 있으므로, 세정 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 오염을 확실히 방지할 수 있는 동시에, 기판(W)의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Further, in the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W is dried by blowing inert gas from the center of the substrate W to the peripheral portion while rotating the substrate W. As shown in FIG. In this case, since the washing | cleaning liquid and rinse liquid on the board | substrate W can be removed reliably, it can reliably prevent dust and the like from adhering to the board | substrate W after washing | cleaning. As a result, contamination of the substrate W can be reliably prevented, and dry spots can be prevented from occurring on the surface of the substrate W. FIG.

또한, 세정/건조처리유닛(SD2)에서는, 건조처리 전에 기판(W)의 세정처리가 행하여지므로, 노광처리시에 액체가 부착한 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착해도, 그 부착물을 제거할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리불량을 확실히 방지할 수 있다.In addition, in the cleaning / drying processing unit SD2, the cleaning processing of the substrate W is performed before the drying treatment. Can be removed. Thereby, the contamination of the board | substrate W can be prevented. As a result, poor processing of the substrate can be reliably prevented.

(6) 다른 실시 형태(6) other embodiment

도 8은, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도이다. 도 8에 나타내는 기판처리장치(500a)에 대해, 상기 실시 형태의 기판처리장치(500)와 상이한 점을 설명한다.8 is a plan view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. The point different from the substrate processing apparatus 500 of the said embodiment is demonstrated about the substrate processing apparatus 500a shown in FIG.

기판처리장치(500a)에서는, 인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)에, 인터페이스용 반송기구(IFR) 대신에 인터페이스용 반송기구(IFRa, IFRb)가 설치된다. 또한, 인터페이스용 반송기구(IFRb)와 제7 센터로봇(CR7) 사이의 세정가열블록(15a)내의 영역에, 기판재치부(PASS12) 및 리턴버퍼부(RBF)가 상하에 배치된다.In the substrate processing apparatus 500a, the interface conveyance mechanisms IFRa and IFRb are provided in the carry-in / out block 15b of the interface block 15 instead of the interface conveyance mechanism IFR. Further, the substrate placing portion PASS12 and the return buffer portion RBF are disposed above and below the region within the cleaning heating block 15a between the interface transfer mechanism IFRb and the seventh center robot CR7.

인터페이스용 반송기구(IFRa)는, 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에 재치된 기판(W)을 수취하고, 그 기판(W)을 노광장치(16)의 기판반입부(16a)에 반입한다. 인터페이스용 반송기구(IFRb)는, 노광장치(16)의 기판반출부(16b)로부터 노광처리 후의 기판(W)을 반출하여, 그 기판(W)을 세정가열블록(15a)의 기판재치부(PASS12)에 재치한다. 기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은, 제7 센터로봇(CR7)에 의해 수취되어, 상기 실시 형태와 동일하게 처리된다.The interface conveyance mechanism IFRa receives the substrate W mounted on the placing and cooling unit P-CP, and carries the substrate W into the substrate loading portion 16a of the exposure apparatus 16. . The interface conveyance mechanism IFRb carries out the substrate W after the exposure process from the substrate carrying section 16b of the exposure apparatus 16, and replaces the substrate W with the substrate placing section of the cleaning heating block 15a. It is mounted on PASS12). The board | substrate W mounted on the board | substrate mounting part PASS12 is received by 7th center robot CR7, and is processed similarly to the said embodiment.

이와 같이, 기판처리장치(500a)에서는, 인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)에서, 노광처리 전의 기판(W)이 인터페이스용 반송기구(IFRa)에 의해 반송되고, 노광처리 후의 기판(W)이 인터페이스용 반송기구(IFRb)에 의해 반송된다.Thus, in the substrate processing apparatus 500a, the board | substrate W before an exposure process is conveyed by the interface conveyance mechanism IFRa in the carrying-in / out block 15b of the interface block 15, and the board | substrate after an exposure process ( W) is conveyed by the interface conveyance mechanism IFRb.

이 경우, 인터페이스용 반송기구(IFRa, IFRb)가 각각 독립해서 기판(W)의 반송동작을 행할 수 있으므로, 더 효율 좋게 기판(W)을 반송할 수 있다. 따라서, 처리량을 더 향상시킬 수 있다.In this case, since the interface conveyance mechanisms IFRa and IFRb can carry out the conveyance operation | movement of the board | substrate W independently, respectively, the board | substrate W can be conveyed more efficiently. Therefore, the throughput can be further improved.

또한, 반입반출블록(15b)에서, 노광처리 전의 기판(W)과 노광처리 후의 기판(W)이 별개의 인터페이스용 반송기구에 의해 반송되기 때문에, 노광처리 전의 기판(W)과 노광처리 후의 기판(W) 사이의 크로스컨테미네이션이 더 확실히 방지된다.In addition, in the carry-in / out block 15b, since the board | substrate W before an exposure process and the board | substrate W after an exposure process are conveyed by the separate interface conveyance mechanism, the board | substrate W before an exposure process and the board | substrate after an exposure process are carried out. Crossconference between (W) is more reliably prevented.

(7) 또다른 실시 형태(7) another embodiment

상기 실시 형태에서는, 액침법에 의해 기판(W)의 노광처리를 행하는 노광장치(16)를 기판처리장치(500)의 외부장치로서 설치하는 경우에 대해 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 액체를 이용하지 않고 기판(W)의 노광처리를 행하는 종래의 노광장치를 외부장치로서 설치해도 좋다. 그 경우, 세정가열블록(10)에 세정/건조처리유닛(SD2)을 설치하지 않아도 좋다.In the said embodiment, although the case where the exposure apparatus 16 which performs the exposure process of the board | substrate W by the immersion method was provided as an external apparatus of the substrate processing apparatus 500 was demonstrated, it is not limited to this, A liquid is used. The conventional exposure apparatus which performs the exposure process of the board | substrate W may be provided as an external apparatus, without doing this. In that case, it is not necessary to provide the cleaning / drying processing unit SD2 in the cleaning heating block 10.

(8) 청구항의 각 구성요소와 실시 형태의 각 요소의 대응(8) Correspondence between each component of the claim and each component of the embodiment

이하, 청구항의 각 구성요소와 실시 형태의 각 요소의 대응예에 대해 설명하지만, 본 발명은 하기 예로 한정되지 않는다.Hereinafter, although the corresponding example of each component of an claim and each element of embodiment is demonstrated, this invention is not limited to the following example.

상기 실시 형태에서는, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버막용 처리블록(13) 및 레지스트커버막 제거블록(14)이 제1 처리부의 예이고, 인터페이스블록(15)이 제2 처리부의 예이며, 도포유닛(RES)이 감광성막 형성유닛의 예이고, 세정/건조처리유닛(SD1)이 세정처리유닛의 예이며, 재치 겸 베이크유닛(P-PEB)이 열처리유닛의 예 이고, 제6 센터로봇(CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1)가 제1 기판반송기구의 예이며, 제7 센터로봇(CR7) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H2)가 제2 기판반송기구의 예이다.In the above embodiment, the indexer block 9, the antireflection film processing block 10, the resist film processing block 11, the development processing block 12, the resist cover film processing block 13, and the resist cover film removing block ( 14 is an example of the first processing unit, the interface block 15 is an example of the second processing unit, the coating unit RES is an example of the photosensitive film forming unit, and the cleaning / drying processing unit SD1 is an example of the cleaning processing unit. An example is the mounting and baking unit P-PEB, which is an example of the heat treatment unit, and the hand H1 of the sixth center robot CR6 and the interface transfer mechanism IFR is an example of the first substrate transfer mechanism. 7 The center robot CR7 and the hand H2 of the interface transfer mechanism IFR are examples of the second substrate transfer mechanism.

또한, 세정가열블록(15a)이 처리용 블록의 예이고, 반입반출블록(15b)이 반입반출용 블록의 예이며, 제6 센터로봇(CR6)이 제1 반송장치의 예이고, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1)가 제2 반송장치의 예이며, 제7 센터로봇(CR7)이 제3 반송장치의 예이고, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H2)가 제4 반송장치의 예이다.In addition, the cleaning heating block 15a is an example of a processing block, the carry-in / out block 15b is an example of a carry-in and export block, the 6th center robot CR6 is an example of a 1st conveying apparatus, and an interface conveyance The hand H1 of the mechanism IFR is an example of the second conveyance apparatus, the seventh center robot CR7 is an example of the third conveyance apparatus, and the hand H2 of the interface conveyance mechanism IFR is the fourth conveyance. Example of the device.

또한, 제5 센터로봇(CR5)이 제5 반송장치의 예이고, 반입용 재치부(210)가 제1 재치부의 예이며, 반출용 재치부(200)가 제2 재치부의 예이고, 반송기구(230)가 반송부의 예이며, 세정/건조처리유닛(SD2)이 건조처리유닛의 예이다.In addition, the fifth center robot CR5 is an example of the fifth conveying apparatus, the loading placing unit 210 is an example of the first placing unit, the carrying out placing unit 200 is an example of the second placing unit, and the transfer mechanism 230 is an example of a conveyance part, and the washing | cleaning / drying processing unit SD2 is an example of a drying processing unit.

청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지의 요소를 사용할 수도 있다.As each component of a claim, you may use other various elements which have the structure or function which were described in a claim.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도,1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 기판처리장치를 +X방향에서 본 개략 측면도,FIG. 2 is a schematic side view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 as seen in the + X direction. FIG.

도 3은 도 1의 기판처리장치를 -X방향에서 본 개략 측면도,3 is a schematic side view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 seen in the -X direction;

도 4는 재치 겸 가열유닛의 외관 사시도,4 is an external perspective view of the mounting and heating unit,

도 5는 YZ평면에서의 재치 겸 가열유닛의 단면도,5 is a cross-sectional view of the mounting and heating unit in the YZ plane,

도 6은 세정/건조처리유닛의 구성을 나타내는 측면도,6 is a side view showing the structure of the cleaning / drying processing unit,

도 7은 세정/건조처리유닛의 동작을 설명하기 위한 도면,7 is a view for explaining the operation of the cleaning / drying processing unit,

도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도이다.8 is a plan view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

Claims (8)

노광(露光)장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서,A substrate processing apparatus arranged to be adjacent to an exposure apparatus, 기판에 처리를 행하기 위한 제1 처리부와,A first processing unit for processing the substrate; 상기 제1 처리부와 상기 노광장치 사이에 배치되어, 기판에 처리를 행하는 동시에 상기 노광장치에 대해 기판의 반입 및 반출을 행하는 제2 처리부를 구비하고, A second processing unit disposed between the first processing unit and the exposure apparatus and performing processing on the substrate and carrying in and out of the substrate to the exposure apparatus; 상기 제1 처리부는,The first processing unit, 기판 상에 감광성(感光性) 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막 형성유닛을 포함하며,A photosensitive film forming unit for forming a photosensitive film made of a photosensitive material on a substrate, 상기 제2 처리부는,The second processing unit, 노광처리 전의 기판을 세정하는 세정처리유닛과,A cleaning processing unit for cleaning the substrate before the exposure treatment; 노광처리 후의 기판에 열처리를 행하는 열처리유닛과,A heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate after the exposure treatment; 노광처리 전의 기판을 상기 제1 처리부, 상기 세정처리유닛 및 상기 노광장치 사이에서 반송하는 제1 기판반송기구와,A first substrate transfer mechanism for transferring the substrate before the exposure treatment between the first processing portion, the cleaning processing unit, and the exposure apparatus; 노광처리 후의 기판을 상기 노광장치 및 상기 열처리유닛 사이에서 반송하는 제2 기판반송기구를 포함하는 기판처리장치.And a second substrate transfer mechanism for transferring the substrate after the exposure treatment between the exposure apparatus and the heat treatment unit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 처리부는, 기판에 처리를 행하는 처리용 블록과, 상기 노광장치에 대해 기판의 반입 및 반출을 행하는 반입반출용 블록을 포함하고,The second processing unit includes a processing block for processing a substrate and an import / export block for carrying in and out of the substrate with respect to the exposure apparatus, 상기 세정처리유닛 및 상기 열처리유닛은, 상기 처리용 블록에 설치되며,The cleaning processing unit and the heat treatment unit are installed in the processing block, 상기 제1 기판반송기구는,The first substrate transport mechanism, 상기 처리용 블록에 설치되어, 노광처리 전의 기판을 상기 제1 처리부, 상기 세정처리유닛 및 상기 반입반출용 블록 사이에서 반송하는 제1 반송장치와,A first conveying apparatus which is provided in the processing block and conveys the substrate before the exposure process between the first processing unit, the cleaning processing unit, and the carry-in / out block; 상기 반입반출용 블록에 설치되어, 노광처리 전의 기판을 상기 처리용 블록 및 상기 노광장치 사이에서 반송하는 제2 반송장치를 포함하고,A second conveying apparatus which is provided at the block for carrying in and carrying out and conveys the substrate before the exposure process between the processing block and the exposure apparatus; 상기 제2 기판반송기구는,The second substrate transport mechanism, 상기 처리용 블록에 설치되어, 노광처리 후의 기판을 상기 반입반출용 블록 및 상기 열처리유닛 사이에서 반송하는 제3 반송장치와,A third conveying apparatus which is provided in the processing block and conveys the substrate after the exposure process between the carry-in / out block and the heat treatment unit; 상기 반입반출용 블록에 설치되어, 노광처리 후의 기판을 상기 노광장치 및 상기 처리용 블록 사이에서 반송하는 제4 반송장치를 포함하는 기판처리장치.And a fourth conveying device which is provided in the carry-in / out block for conveying the substrate after the exposure process between the exposure apparatus and the processing block. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 반입반출용 블록은, 상기 처리용 블록에 대해 가동(可動)되는 기판처리장치.The said carry-in / out block is movable with respect to the said processing block. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 처리부는, 상기 열처리유닛으로부터 열처리 후의 기판을 반출하는 제5 반송장치를 더 포함하는 기판처리장치.And the first processing unit further includes a fifth transfer device for carrying out the substrate after the heat treatment from the heat treatment unit. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 열처리유닛은,The heat treatment unit, 제3 반송장치에 의해 반입된 기판을 일시적으로 재치(載置)하기 위한 제1 재치부와,A first placing unit for temporarily placing the substrate loaded by the third conveying apparatus; 제5 반송장치에 의해 반출되는 기판을 일시적으로 재치하기 위한 제2 재치부와,A second placing portion for temporarily placing the substrate carried out by the fifth conveying apparatus; 기판을 가열하는 가열부와,A heating unit for heating the substrate, 상기 제1 재치부 및 제2 재치부, 그리고 상기 가열부 사이에서 기판을 반송하는 반송부를 갖는 기판처리장치.The substrate processing apparatus which has a conveyance part which conveys a board | substrate between the said 1st mounting part, the 2nd mounting part, and the said heating part. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 처리부는, 상기 노광장치에 의한 노광처리 후이며 상기 열처리유닛에 의한 열처리 전에 기판을 건조시키는 건조처리유닛을 더 포함하고,The second processing unit further includes a drying processing unit for drying the substrate after the exposure treatment by the exposure apparatus and before the heat treatment by the heat treatment unit, 상기 제2 기판반송기구는, 노광처리 후의 기판을 상기 노광장치, 상기 건조처리유닛 및 상기 열처리유닛 사이에서 반송하는 기판처리장치.And the second substrate transfer mechanism transfers the substrate after the exposure treatment between the exposure apparatus, the drying processing unit, and the heat treatment unit. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 처리부, 상기 제2 처리부 및 상기 노광장치는 제1 방향에 따라 병설(竝設)되고,The first processing unit, the second processing unit, and the exposure apparatus are arranged along the first direction; 상기 세정처리유닛, 상기 열처리유닛 및 상기 건조처리유닛은, 상기 제2 처리부에서 상기 제1 방향과 수평면 내에서 직교하는 제2 방향에 따라 배치되며,The cleaning treatment unit, the heat treatment unit and the drying treatment unit are disposed in the second processing unit along a second direction orthogonal to the first direction and in a horizontal plane, 상기 열처리유닛은, 상기 제2 처리부의 대략 중앙부에 배치되고,The heat treatment unit is disposed in an approximately center portion of the second processing portion, 상기 세정처리유닛 및 상기 건조처리유닛은, 상기 제2 방향에 따른 상기 열처리유닛의 일방측 및 타방측에 배치되는 기판처리장치.And the cleaning processing unit and the drying processing unit are disposed on one side and the other side of the heat treatment unit in the second direction. 노광장치에 인접하도록 배치되어, 제1 처리부 및 제2 처리부를 포함하는 기판처리장치에서 기판을 처리하는 기판처리방법으로서,A substrate processing method for processing a substrate in a substrate processing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus and including a first processing unit and a second processing unit, 상기 제1 처리부에서 기판 상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 공정과,Forming a photosensitive film made of a photosensitive material on the substrate in the first processing unit; 감광성막 형성 후의 기판을 제1 기판반송기구에 의해 상기 제1 처리부로부터 상기 제2 처리부에 반송하는 공정과,Conveying the substrate after the photosensitive film formation from the first processing portion to the second processing portion by a first substrate transport mechanism; 제2 처리부에서 기판을 세정하는 공정과,Cleaning the substrate in the second processing unit; 세정 후의 기판을 상기 제1 기판반송기구에 의해 상기 제2 처리부로부터 상기 노광장치에 반송하는 공정과,Conveying the substrate after cleaning from the second processing unit to the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism; 상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 제2 기판반송기구에 의해 상기 노광장치로부터 상기 제2 처리부에 반송하는 공정과,Conveying the substrate after the exposure treatment by the exposure apparatus from the exposure apparatus to the second processing portion by a second substrate transfer mechanism; 제2 처리부에서 기판에 열처리를 행하는 공정을 구비한 기판처리방법.The substrate processing method provided with the process of heat-processing a board | substrate in a 2nd process part.
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