KR20090110219A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 기판의 처리를 행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate.
반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지의 처리를 행하기 위해, 기판처리장치가 사용되고 있다.Substrate processing apparatus for processing various substrates such as semiconductor substrate, substrate for liquid crystal display, substrate for plasma display, substrate for optical disk, substrate for magnetic disk, substrate for magneto-optical disk, substrate for photomask, etc. Is being used.
이러한 기판처리장치에서는, 일반적으로, 한 장의 기판에 대해 복수의 상이한 처리가 연속적으로 행해진다. 일본특허공개 2003-324139호 공보에 기재된 기판처리장치는, 인덱서블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스트막용 처리블록, 현상처리블록 및 인터페이스블록에 의해 구성된다. 인터페이스블록에 인접하도록, 기판처리장치와는 별체의 외부장치인 노광장치가 배치된다.In such a substrate processing apparatus, generally, several different processes are performed continuously with respect to one board | substrate. The substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-324139 is composed of an indexer block, an antireflection film processing block, a resist film processing block, a development processing block, and an interface block. An exposure apparatus, which is an external device separate from the substrate processing apparatus, is disposed adjacent to the interface block.
상기의 기판처리장치에 있어서는, 인덱서블록으로부터 반입되는 기판은, 반사방지막용 처리블록 및 레지스트막용 처리블록에서 반사방지막의 형성 및 레지스트막의 도포처리가 행해진 후, 인터페이스블록을 통해 노광장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판 상의 레지스트막에 노광처리가 행해진 후, 기판은 인터페이스블록을 통해 현상처리블록으로 반송된다. 현상처리블록에서 기판 상의 레지스트막에 현상처리가 행해짐으로써 레지스트패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서블록으로 반송된다.In the above substrate processing apparatus, the substrate loaded from the indexer block is conveyed to the exposure apparatus through the interface block after the antireflection film formation and the resist film coating process are performed in the antireflection film processing block and the resist film processing block. After the exposure treatment is performed on the resist film on the substrate in the exposure apparatus, the substrate is conveyed to the developing block through the interface block. After the development process is performed on the resist film on the substrate in the development block, the substrate is conveyed to the indexer block.
근년, 디바이스의 고밀도화 및 고(高)집적화에 따라, 레지스트패턴의 미세화가 중요한 과제로 되어 있다. 종래의 일반적인 노광장치에 있어서는, 레티클의 패턴을 투영렌즈를 통해 기판 상에 축소투영함으로써 노광처리가 행해지고 있었다. 그러나, 이러한 종래의 노광장치에서는, 노광패턴의 선(線)폭은 노광장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트패턴의 미세화에 한계가 있었다.In recent years, along with the higher density and higher integration of devices, the miniaturization of resist patterns has become an important problem. In the conventional general exposure apparatus, exposure processing is performed by reducing and projecting the pattern of the reticle onto the substrate through the projection lens. However, in such a conventional exposure apparatus, since the line width of the exposure pattern is determined by the wavelength of the light source of the exposure apparatus, there is a limit to the miniaturization of the resist pattern.
그래서, 노광패턴의 가일층 미세화를 가능하게 하는 투영노광방법으로서 액침법(液浸法)이 제안되어 있다(예를 들면, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영노광장치에 있어서는, 투영광학계와 기판 사이에 액체가 채워져 있어, 기판 표면에서의 노광 광을 단파장화할 수 있다. 이에 의해, 노광패턴의 가일층 미세화가 가능하게 된다.Therefore, a liquid immersion method has been proposed as a projection exposure method that enables further miniaturization of an exposure pattern (see, for example, International Publication No. 99/49504 pamphlet). In the projection exposure apparatus of International Publication No. 99/49504 pamphlet, liquid is filled between the projection optical system and the substrate, so that the exposure light on the substrate surface can be shortened. As a result, the exposure pattern can be further miniaturized.
근년에 있어서의 노광패턴의 미세화의 요구에 따라, 기판의 처리공정이 복잡화하고 있다. 이에 의해, 기판처리장치의 처리량이 저하한다.In recent years, in accordance with the demand for miniaturization of an exposure pattern, a substrate processing step is complicated. This reduces the throughput of the substrate processing apparatus.
또한, 기판의 노광처리 후에 있어서는, 노광처리에 의한 화학반응을 레지스트막 내에서 촉진시키기 위해, 기판의 PEB(노광 후 베이크)처리가 행해진다. 소망의 노광패턴을 얻기 위해서는, 노광처리 후, 더 신속하게 기판의 PEB처리를 행하여, 신속하게 화학반응을 촉진시키는 것이 바람직하다.In addition, after the exposure treatment of the substrate, PEB (post-exposure bake) treatment of the substrate is performed to promote the chemical reaction by the exposure treatment in the resist film. In order to obtain a desired exposure pattern, it is preferable to perform the PEB treatment of the substrate more quickly after the exposure treatment to promptly accelerate the chemical reaction.
본 발명의 목적은, 처리량이 향상되는 동시에, 노광 후에 신속하게 기판의 가열처리를 행할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which are capable of performing a heat treatment of a substrate quickly after exposure while improving throughput.
(1) 본 발명의 일 국면에 따른 기판처리장치는, 노광장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 제1 처리부와, 제1 처리부와 노광장치 사이에 배치되어, 기판에 처리를 행하는 동시에 노광장치에 대해 기판의 반입 및 반출을 행하는 제2 처리부를 구비하고, 제1 처리부는, 기판 상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막 형성유닛을 포함하며, 제2 처리부는, 노광처리 전의 기판을 세정하는 세정처리유닛과, 노광처리 후의 기판에 열처리를 행하는 열처리유닛과, 노광처리 전의 기판을 제1 처리부, 세정처리유닛 및 노광장치 사이에서 반송하는 제1 기판반송기구와, 노광처리 후의 기판을 노광장치 및 열처리유닛 사이에서 반송하는 제2 기판반송기구를 포함하는 것이다.(1) A substrate processing apparatus according to one aspect of the present invention is a substrate processing apparatus arranged to be adjacent to an exposure apparatus, and is disposed between a first processing unit for processing a substrate, a first processing unit, and an exposure apparatus, A second processing portion for processing the substrate and carrying the substrate in and out of the exposure apparatus; the first processing portion includes a photosensitive film forming unit for forming a photosensitive film made of a photosensitive material on the substrate; The processing unit includes a cleaning processing unit for cleaning the substrate before the exposure treatment, a heat treatment unit for performing a heat treatment on the substrate after the exposure treatment, and a first substrate conveyance conveying the substrate before the exposure treatment between the first processing portion, the cleaning treatment unit, and the exposure apparatus. And a second substrate transfer mechanism for transferring the substrate after the exposure treatment between the exposure apparatus and the heat treatment unit.
이 기판처리장치에 있어서는, 제1 처리부에서 감광성막 형성유닛에 의해 기판 상에 감광성막이 형성된다. 그 기판은 제2 처리부에 반송되어, 세정처리유닛에 의해 세정된 후, 노광장치에 반입된다. 노광장치에서 노광처리가 행해진 기판은, 제2 처리부에 되돌려진다. 그리고, 제2 처리부에서 열처리유닛에 의해 기판에 열처리가 행해진다.In this substrate processing apparatus, a photosensitive film is formed on a substrate by the photosensitive film forming unit in the first processing unit. The substrate is conveyed to the second processing unit, washed by the cleaning processing unit, and then loaded into the exposure apparatus. The substrate subjected to the exposure treatment in the exposure apparatus is returned to the second processing unit. Then, heat treatment is performed on the substrate by the heat treatment unit in the second treatment portion.
이 경우, 노광처리 전의 기판이 제1 기판반송기구에 의해 제1 처리부, 세정 처리유닛 및 노광장치 사이에서 반송되고, 노광처리 후의 기판이 제2 기판반송기구에 의해 노광장치 및 열처리유닛 사이에서 반송된다. 즉, 제2 처리부에서는, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 각각 독립적으로 확보되어 있다.In this case, the substrate before the exposure treatment is transferred between the first processing unit, the cleaning processing unit and the exposure apparatus by the first substrate transfer mechanism, and the substrate after the exposure treatment is transferred between the exposure apparatus and the heat treatment unit by the second substrate transfer mechanism. do. That is, in the 2nd processing part, the conveyance path of the board | substrate before an exposure process, and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process are each independently ensured.
이에 의해, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 교차하는 경우에 비해, 효율 좋게 기판을 반송할 수 있다. 그 결과, 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판이 동일한 부위에 접촉하지 않으므로, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판 사이의 상호오염을 방지할 수 있다.Thereby, a board | substrate can be conveyed efficiently rather than the case where the conveyance path of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process cross | intersect. As a result, it becomes possible to improve the throughput. In addition, since the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment do not contact the same site, mutual contamination between the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment can be prevented.
또한, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 각각 독립되어 있음으로써, 노광처리 후의 기판을 원활하게 열처리유닛으로 반송할 수 있다. 그 때문에, 복수의 기판을 연속적으로 처리하는 경우에, 노광처리로부터 열처리까지의 시간을 대략 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 노광패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.Moreover, since the conveyance path | route of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path | route of the board | substrate after an exposure process are independent, respectively, the board | substrate after an exposure process can be smoothly conveyed to a heat processing unit. Therefore, when processing several board | substrate continuously, the time from exposure processing to heat processing can be made substantially constant. As a result, variation in the accuracy of the exposure pattern can be prevented.
또한, 열처리유닛이 노광장치에 인접하는 제2 처리부에 설치되어 있으므로, 노광처리 후의 기판을 신속하게 열처리유닛까지 반송할 수 있다. 따라서, 노광처리 후, 신속하게 기판의 열처리를 행할 수 있다. 그 결과, 감광성막내의 화학반응을 신속하게 촉진 시킬 수 있어, 소망의 노광패턴을 얻을 수 있다.Moreover, since the heat processing unit is provided in the 2nd processing part adjacent to an exposure apparatus, the board | substrate after an exposure process can be conveyed to a heat processing unit quickly. Therefore, after an exposure process, heat processing of a board | substrate can be performed quickly. As a result, the chemical reaction in the photosensitive film can be promptly accelerated, and a desired exposure pattern can be obtained.
(2) 제2 처리부는, 기판에 처리를 행하는 처리용 블록과, 노광장치에 대해 기판의 반입 및 반출을 행하는 반입반출용 블록을 포함하고, 세정처리유닛 및 열처 리유닛은, 처리용 블록에 설치되며, 제1 기판반송기구는, 처리용 블록에 설치되어, 노광처리 전의 기판을 제1 처리부, 세정처리유닛 및 반입반출용 블록 사이에서 반송하는 제1 반송장치와, 반입반출용 블록에 설치되어, 노광처리 전의 기판을 처리용 블록 및 노광장치 사이에서 반송하는 제2 반송장치를 포함하고, 제2 기판반송기구는, 처리용 블록에 설치되어, 노광처리 후의 기판을 반입반출용 블록 및 열처리유닛 사이에 반송하는 제3 반송장치와, 반입반출용 블록에 설치되어, 노광처리 후의 기판을 노광장치 및 처리용 블록 사이에서 반송하는 제4 반송장치를 포함해도 좋다.(2) The second processing unit includes a processing block for processing the substrate and a loading / exporting block for carrying in and out of the substrate with respect to the exposure apparatus, and the cleaning processing unit and the thermal processing unit are provided in the processing block. The first substrate transport mechanism is provided in the processing block, the first transport apparatus for transporting the substrate before the exposure treatment between the first processing unit, the cleaning processing unit, and the block for carrying in and out, and the block for carrying in and out. And a second transfer device for transferring the substrate before the exposure process between the processing block and the exposure apparatus, wherein the second substrate transfer mechanism is provided in the processing block, and carries the heat-treated substrate into the carrying-out block and heat treatment. You may include the 3rd conveying apparatus conveyed between units, and the 4th conveying apparatus provided in the block for carrying in and carrying out, and conveying the board | substrate after an exposure process between an exposure apparatus and a process block.
이 경우, 노광처리 전의 기판이, 제1 반송장치에 의해 제1 처리부로부터 세정처리유닛에 반송되고, 이어서. 세정처리유닛으로부터 반입반출용 블록에 반송된다. 그리고, 제2 반송장치에 의해 그 기판이 노광장치에 반입된다.In this case, the board | substrate before an exposure process is conveyed from a 1st process part to a washing | cleaning processing unit by a 1st conveying apparatus, and then. It is conveyed to a block for carrying in / out from a washing process unit. And the board | substrate is carried in to an exposure apparatus by a 2nd conveyance apparatus.
또한, 노광처리 후의 기판이, 제3 반송장치에 의해 노광장치로부터 반출된다. 그리고, 그 기판이 제4 반송장치에 의해 반입반출용 블록으로부터 열처리유닛에 반송된다. Moreover, the board | substrate after an exposure process is carried out from an exposure apparatus with a 3rd conveying apparatus. And the board | substrate is conveyed to the heat processing unit from the block for carrying in / out by a 4th conveying apparatus.
이에 의해, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 독립하여, 효율 좋게 기판을 반송할 수 있다. 그 결과, 처리량을 충분히 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판이 동일한 부위에 접촉하는 것을 확실히 방지할 수 있어, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판 사이의 상호오염을 방지할 수 있다.Thereby, the conveyance path of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process are independent, and a board | substrate can be conveyed efficiently. As a result, the throughput can be sufficiently improved. In addition, it is possible to reliably prevent the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment from contacting the same site, thereby preventing mutual contamination between the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment.
(3) 반입반출용 블록은, 처리용 블록에 대해 가동(可動)이어도 좋다. 이 경 우, 반입반출용 블록을 처리용 블록에 대해 이동시킴으로써, 보수작업을 위한 작업공간을 확보할 수 있다. 이에 의해, 처리용 블록에서 많은 용력(用力)을 사용하는 경우에, 처리용 블록과 용력설비의 접속을 유지한 채로 보수작업을 행할 수 있다. 따라서, 작업노력 및 작업시간을 큰 폭으로 경감할 수 있다.(3) The carrying in / outing block may be movable with respect to the processing block. In this case, a work space for maintenance work can be secured by moving the block for import / export relative to the block for processing. Thereby, when a lot of power is used in a process block, maintenance work can be performed, maintaining the connection of a process block and a power installation. Therefore, work effort and work time can be greatly reduced.
(4) 제1 처리부는, 열처리유닛으로부터 열처리 후의 기판을 반출하는 제5 반송장치를 더 포함해도 좋다.(4) The first processing unit may further include a fifth transfer device for carrying out the substrate after the heat treatment from the heat treatment unit.
이 경우, 노광처리 후의 기판이 제4 반송장치에 의해 열처리유닛에 반입되고, 제5 반송장치에 의해 열처리유닛으로부터 반출된다. 이와 같이, 열처리유닛을 통해 제1 처리부로부터 제2 처리부로의 기판의 반송을 행함으로써, 기판의 반송효율을 더 향상시킬 수 있다.In this case, the board | substrate after an exposure process is carried in to a heat processing unit by a 4th conveying apparatus, and is carried out from a heat processing unit by a 5th conveying apparatus. In this way, the transfer efficiency of the substrate can be further improved by carrying the substrate from the first processing portion to the second processing portion through the heat treatment unit.
(5) 열처리유닛은, 제3 반송장치에 의해 반입된 기판을 일시적으로 재치하기 위한 제1 재치부와, 제5 반송장치에 의해 반출되는 기판을 일시적으로 재치하기 위한 제2 재치부와, 기판을 가열하는 가열부와, 제1 재치부 및 제2 재치부, 그리고 가열부 사이에서 기판을 반송하는 반송부를 가져도 좋다.(5) The heat treatment unit includes a first placing portion for temporarily placing the substrate carried by the third conveying apparatus, a second placing portion for temporarily placing the substrate carried by the fifth conveying apparatus, and a substrate. You may have a heating part which heats a heating part, a 1st mounting part, a 2nd mounting part, and the conveyance part which conveys a board | substrate between a heating part.
이 경우, 제3 반송장치에 의해 제1 재치부에 기판이 반입되고, 반송부에 의해 그 기판이 가열부에 반송된다. 가열부에서 기판에 가열처리가 행해지고, 가열처리 후의 기판이 반송부에 의해 가열부로부터 제2 재치부에 반송된다. 그리고, 제5 반송장치에 의해 제2 재치부로부터 기판이 반출된다.In this case, a board | substrate is carried in to a 1st mounting part by a 3rd conveying apparatus, and the board | substrate is conveyed to a heating part by a conveyance part. Heat processing is performed to a board | substrate by a heating part, and the board | substrate after heat processing is conveyed from a heating part to a 2nd mounting part by a conveyance part. And a board | substrate is carried out from a 2nd mounting part by a 5th conveying apparatus.
이와 같이, 제1 재치부와 제2 재치부를 별개로 설치함으로써, 제3 반송장치에 의한 기판의 반입동작 및 제5 반송장치에 의한 기판의 반출동작을 용이하면서 원활히 행할 수 있다. 이에 의해, 처리량을 더 향상시킬 수 있다.Thus, by providing a 1st mounting part and a 2nd mounting part separately, carrying out of the board | substrate carrying by the 3rd conveying apparatus and carrying out of the board | substrate by a 5th conveying apparatus can be performed smoothly. As a result, the throughput can be further improved.
(6) 제2 처리부는, 노광장치에 의한 노광처리 후이며 열처리유닛에 의한 열처리 전에 기판을 건조시키는 건조처리유닛을 더 포함하며, 제2 기판반송기구는, 노광처리 후의 기판을 노광장치, 건조처리유닛 및 열처리유닛 사이에서 반송해도 좋다.(6) The second processing unit further includes a drying processing unit for drying the substrate after the exposure treatment by the exposure apparatus and before the heat treatment by the heat treatment unit, and the second substrate transfer mechanism includes an exposure apparatus and drying the substrate after the exposure treatment. You may convey between a processing unit and a heat processing unit.
이 경우, 노광장치에서 기판에 액체가 부착해도, 그 액체가 기판처리장치 내에 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리장치의 동작불량을 방지할 수 있다.In this case, even if the liquid adheres to the substrate in the exposure apparatus, the liquid can be prevented from falling into the substrate processing apparatus. As a result, malfunction of the substrate processing apparatus can be prevented.
(7) 제1 처리부, 제2 처리부 및 노광장치는 제1 방향에 따라 병설되고, 세정처리유닛, 열처리유닛 및 건조처리유닛은, 제2 처리부에서 제1 방향과 수평면 내에서 직교하는 제2 방향에 따라 배치되며, 열처리유닛은, 제2 처리부의 대략 중앙부에 배치되고, 세정처리유닛 및 건조처리유닛은, 제2 방향에 따른 열처리유닛의 일방측(一方側) 및 타방측(他方側)에 배치되어도 좋다.(7) The first processing unit, the second processing unit, and the exposure apparatus are arranged along the first direction, and the cleaning processing unit, the heat processing unit, and the drying processing unit are arranged in a second direction perpendicular to the first direction and the horizontal plane in the second processing unit. The heat treatment unit is disposed in a substantially central portion of the second treatment portion, and the cleaning treatment unit and the drying treatment unit are disposed on one side and the other side of the heat treatment unit in the second direction. It may be arranged.
이 경우, 제2 처리부에서의 기판의 반송효율을 충분히 확보하면서 제2 처리부의 소형화 및 공간절약화가 가능하게 된다.In this case, the size of the second processing unit can be reduced and the space can be reduced while ensuring sufficient transfer efficiency of the substrate in the second processing unit.
(8) 본 발명의 다른 국면에 따른 기판처리방법은, 노광장치에 인접하도록 배치되고, 제1 처리부 및 제2 처리부를 포함하는 기판처리장치에서 기판을 처리하는 기판처리방법으로서, 제1 처리부에서 기판 상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 공정과, 감광성막 형성 후의 기판을 제1 기판반송기구에 의해 제1 처리부로부터 제2 처리부에 반송하는 공정과, 제2 처리부에서 기판을 세정하는 공 정과, 세정 후의 기판을 제1 기판반송기구에 의해 제2 처리부로부터 노광장치에 반송하는 공정과, 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 제2 기판반송기구에 의해 노광장치로부터 제2 처리부에 반송하는 공정과, 제2 처리부에서 기판에 열처리를 행하는 공정을 구비한 것이다.(8) A substrate processing method according to another aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate in a substrate processing apparatus that is disposed adjacent to an exposure apparatus and includes a first processing unit and a second processing unit. A process of forming a photosensitive film made of a photosensitive material on the substrate, a process of conveying the substrate after the photosensitive film formation from the first processing unit to the second processing unit by the first substrate transport mechanism, and a process of cleaning the substrate in the second processing unit; The process of conveying the board | substrate after washing | cleaning from a 2nd process part to an exposure apparatus by a 1st board | substrate conveyance mechanism, and the process of conveying the board | substrate after exposure processing by an exposure apparatus from a exposure apparatus to a 2nd process part by a 2nd board | substrate transport mechanism. And a step of performing heat treatment on the substrate in the second processing unit.
이 기판처리방법에 있어서는, 제1 처리부에서 기판 상에 감광성막이 형성된다. 그 기판은 제2 처리부에 반송되어, 세정된 후에 노광장치에 반입된다. 노광장치에서 노광처리가 행하여진 기판은, 제2 처리부에 되돌려진다. 그리고, 제2 처리부에서 기판에 열처리가 행해진다.In this substrate processing method, a photosensitive film is formed on a substrate in the first processing unit. The substrate is conveyed to the second processing unit, and washed and then loaded into the exposure apparatus. The substrate subjected to the exposure treatment in the exposure apparatus is returned to the second processing unit. Then, heat treatment is performed on the substrate in the second processing unit.
이 경우, 노광처리 전의 기판이 제1 기판반송기구에 의해 제1 처리부, 제2 처리부 및 노광장치 사이에서 반송되고, 노광처리 후의 기판이 제2 기판반송기구에 의해 노광장치 및 제2 처리부 사이에서 반송된다. 즉, 제2 처리부에서는, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 각각 독립적으로 확보되어 있다.In this case, the substrate before the exposure process is conveyed between the first processing unit, the second processing unit and the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism, and the substrate after the exposure process is transported between the exposure apparatus and the second processing unit by the second substrate transport mechanism. Is returned. That is, in the 2nd processing part, the conveyance path of the board | substrate before an exposure process, and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process are each independently ensured.
이에 의해, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 교차하는 경우에 비해, 효율 좋게 기판을 반송할 수 있다. 그 결과, 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판이 동일한 부위에 접촉하는 경우가 없으므로, 노광처리 전의 기판과 노광처리 후의 기판 사이의 상호오염을 방지할 수 있다.Thereby, a board | substrate can be conveyed efficiently rather than the case where the conveyance path of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process cross | intersect. As a result, it becomes possible to improve the throughput. In addition, since the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment do not come into contact with the same site, mutual contamination between the substrate before the exposure treatment and the substrate after the exposure treatment can be prevented.
또한, 노광처리 전의 기판의 반송경로와 노광처리 후의 기판의 반송경로가 각각 독립되어 있음으로써, 원활히 노광처리 후의 기판의 열처리를 행할 수 있다. 그 때문에, 복수의 기판을 연속적으로 처리하는 경우에, 노광처리로부터 열처리까지의 시간을 대략 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 노광패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.Moreover, since the conveyance path | route of the board | substrate before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate after an exposure process are independent, respectively, the heat treatment of the board | substrate after an exposure process can be performed smoothly. Therefore, when processing several board | substrate continuously, the time from exposure processing to heat processing can be made substantially constant. As a result, variation in the accuracy of the exposure pattern can be prevented.
또한, 제2 처리부에서 열처리를 행하기 때문에, 노광처리 후, 신속하게 기판의 열처리를 행할 수 있다. 그 결과, 감광성막 내의 화학반응을 신속하게 촉진시킬 수 있어 소망의 노광패턴을 얻을 수 있다.In addition, since the heat treatment is performed in the second processing unit, the substrate can be heat-treated quickly after the exposure treatment. As a result, the chemical reaction in the photosensitive film can be promptly accelerated, and a desired exposure pattern can be obtained.
이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치에 대해 도면을 이용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is demonstrated using drawing. In the following description, a substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display device substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.
(1) 기판처리장치의 구성(1) Structure of Substrate Processing Apparatus
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도이다. 또한, 도 1, 그리고 후술하는 도 2 ~ 도 5 및 도 8에는, 위치관계를 명확하게 하기 위해 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙인다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직방향에 상당한다. 또한, 각 방향에서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대의 방향을 -방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전방향을 θ방향으로 하고 있다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition, the arrow which shows the X direction, Y direction, and Z direction orthogonal to each other is attached | subjected to FIG. 1 and FIGS. The X and Y directions are perpendicular to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. Moreover, the direction which an arrow points in each direction makes a + direction, and the opposite direction makes a-direction. Moreover, the rotation direction centering on a Z direction is made into (theta) direction.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판처리장치(500)는, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버 막용 처리블록(13), 레지스트커버막 제거블록(14), 및 인터페이스블록(15)을 포함한다. 인터페이스블록(15)은, 세정가열블록(15a) 및 반입반출블록(15b)을 포함한다. 인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)에 인접하도록 노광장치(16)가 배치된다. 노광장치(16)에서는, 액침법에 의해 기판(W)에 노광처리가 행해진다.As shown in FIG. 1, the
이하, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버막용 처리블록(13), 레지스트커버막 제거블록(14) 및 인터페이스블록(15)의 각각을 처리블록이라 부른다.Hereinafter, the
인덱서블록(9)은, 각 처리블록의 동작을 제어하는 메인컨트롤러(제어부)(30), 복수의 캐리어 재치대(40) 및 인덱서로봇(IR)을 포함한다. 인덱서로봇(IR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(IRH)가 설치된다.The
반사방지막용 처리블록(10)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용 도포처리부(50) 및 제1 센터로봇(CR1)을 포함한다. 반사방지막용 도포처리부(50)는, 제1 센터로봇(CR1)을 끼고 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 대향해서 설치된다. 제1 센터로봇(CR1)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH1,CRH2)가 상하에 설치된다.The antireflection
인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS1, PASS2)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS1)는, 기판(W)을 인덱서블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS2) 는, 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서블록(9)으로 반송할 때 사용된다.Between the
또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시 안함)가 설치되어 있다. 이에 의해, 기판재치부(PASS1, PASS2)에서 기판(W)이 재치되어 있는지 아닌지의 판정을 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 고정설치된 복수 개의 지지핀이 설치되어 있다. 또한, 상기의 광학식의 센서 및 지지핀은, 후술하는 기판재치부(PASS3~PASS12)에도 마찬가지로 설치된다.In addition, the optical sensor (not shown) which detects the presence or absence of the board | substrate W is provided in board | substrate mounting part PASS1, PASS2. This makes it possible to judge whether or not the substrate W is placed in the substrate placing portions PASS1 and PASS2. Further, a plurality of support pins fixed to the substrate placing parts PASS1 and PASS2 are provided. In addition, the said optical sensor and a support pin are similarly provided also in the board | substrate mounting part PASS3-PASS12 mentioned later.
레지스트막용 처리블록(11)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용 도포처리부(60) 및 제2 센터로봇(CR2)을 포함한다. 레지스트막용 도포처리부(60)는, 제2 센터로봇(CR2)를 끼고 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 대향해서 설치된다. 제2 센터로봇(CR2)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하에 설치된다.The resist
반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(18)이 설치된다. 이 격벽(18)에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS3)는, 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS4)는, 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 사용된다.Between the anti-reflection
현상처리블록(12)은, 현상용 열처리부(120, 121), 현상처리부(70) 및 제3 센터로봇(CR3)을 포함한다. 현상처리부(70)는, 제3 센터로봇(CR3)을 끼고 현상용 열처리부(120, 121)에 대향해서 설치된다. 제3 센터로봇(CR3)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하에 설치된다.The developing
레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(19)이 설치된다. 이 격벽(19)에는, 레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS5)는, 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS6)는, 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때 사용된다.Between the
레지스트커버막용 처리블록(13)은, 레지스트커버막용 열처리부(130, 131), 레지스트커버막용 도포처리부(80) 및 제4 센터로봇(CR4)을 포함한다. 레지스트커버막용 도포처리부(80)는, 제4 센터로봇(CR4)을 끼고 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에 대향해서 설치된다.The resist cover
제4 센터로봇(CR4)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7, CRH8)가 상하에 설치된다.In the fourth center robot CR4, hands CRH7 and CRH8 for exchanging the substrate W are provided above and below.
현상처리블록(12)과 레지스트커버막용 처리블록(13) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는, 현상처리블록(12)과 레지스트커버막용 처리블록(13) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS7)는, 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS8)는, 기판(W)을 레지스트커버막용 처리블록(13)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때 사용된다.Between the developing
레지스트커버막 제거블록(14)은, 열처리부(140), 기판재치부(PASS11), 에지 노광부(EEW), 레지스트커버막제거용 처리부(90) 및 제5 센터로봇(CR5)을 포함한다. 기판재치부(PASS11) 및 에지 노광부(EEW)는, 세정가열블록(15a)에 인접하도록 상하에 설치된다. 레지스트커버막제거용 처리부(90)는, 제5 센터로봇(CR5)을 끼고 열처리부(140), 기판재치부(PASS11) 및 에지 노광부(EEW)에 대향해서 설치된다. 제5 센터로봇(CR5)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH9, CRH10)가 상하에 설치된다.The resist cover
레지스트커버막용 처리블록(13)과 레지스트커버막 제거블록(14) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(21)이 설치된다. 이 격벽(21)에는, 레지스트커버막용 처리블록(13)과 레지스트커버막 제거블록(14) 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS9, PASS10)가 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부(PASS9)는, 기판(W)을 레지스트커버막용 처리블록(13)으로부터 레지스트커버막 제거블록(14)으로 반송할 때 사용되고, 하측의 기판재치부(PASS10)는, 기판(W)을 레지스트커버막 제거블록(14)으로부터 레지스트커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때 사용된다.Between the
인터페이스블록(15)의 세정가열블록(15a)은, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2), 제6 센터로봇(CR6), 재치 겸 베이크유닛(P-PEB) 및 제7 센터로봇(CR7)을 포함한다. 또한, 세정/건조처리유닛(SD1)은, 노광처리 전의 기판(W)의 세정처리 및 건조처리를 행한다. 세정/건조처리유닛(SD2)은, 노광처리 후의 기판(W)의 세정처리 및 건조처리를 행한다. 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서의 세정처리시에는, 순수 등의 세정액이 사용된다.The cleaning
제6 센터로봇(CR6)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH11, CRH12)가 상하에 설치되고, 제7 센터로봇(CR7)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH13, CRH14)가 상하에 설치된다.The sixth center robot CR6 has hands CRH11 and CRH12 for exchanging the substrate W up and down, and the hands CRH13 for exchanging the substrate W for the seventh center robot CR7. CRH14) is provided above and below.
인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)은, 베벨검사유닛(IM), 재치 겸 냉각유닛(P-CP), 센딩버퍼부(SBF), 인터페이스용 반송기구(IFR), 기판재치부(PASS12) 및 리턴버퍼부(RBF)를 포함한다. 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)가 상하에 설치된다. 핸드(H1, H2)는 각각 독립적으로 구동된다.The carry-in / out
반입반출블록(15b)은, 세정가열블록(15a)에 대해 +X방향 및 -X방향으로 이동가능하게 설치된다. 인터페이스블록(15) 또는 노광장치(16)의 메인트넌스 때에는, 반입반출블록(15b)을 +X방향 또는 -X방향으로 이동시켜 작업공간을 확보한다. 또한, 반입반출블록(15b)은 다른 블록에 비해 경량이어서, 용이하게 이동시킬 수 있다.The carry-in / out
또한, 세정가열블록(15a)에서는, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서 다량의 세정액을 사용한다. 그 때문에, 세정가열블록(15a)은, 세정액을 공급하는 용력(用力)설비(후술하는 도 6의 세정액 공급원(R1) 등)에 확실히 접속할 필요가 있다. 한 편, 반입반출블록(15b)에서는, 용력을 거의 사용하지 않는다. 그 때문에, 반입반출블록(15b)은, 용력설비에 간이적으로 접속할 수 있다. 이에 의해, 반입반출블록(15b)과 용력설비 사이에서는, 분리 및 재접속을 용이하게 행할 수 있다.In addition, in the
따라서, 반입반출블록(15b)을 이동시키는 것은, 세정가열블록(15a)을 이동 시키는 것에 비해 용이하다. 그 때문에, 메인트넌스 때에, 세정가열블록(15a)을 이동시키지 않고 반입반출블록(15b)만을 이동시킴으로써, 작업자의 노력 및 작업시간을 큰 폭으로 경감할 수 있다.Therefore, it is easier to move the carry-in and take-
도 2는, 도 1의 기판처리장치(500)를 +X방향에서 본 개략 측면도이고, 도 3은, 도 1의 기판처리장치(500)를 -X방향에서 본 개략 측면도이다. 또한, 도 2에서는, 기판처리장치(500)의 +X측에 설치되는 것을 주로 나타내고, 도 3에서는, 기판처리장치(500)의 -X측에 설치되는 것을 주로 나타내고 있다.2 is a schematic side view of the
우선, 도 2를 이용하여, 기판처리장치(500)의 +X측의 구성에 대해 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포처리부(50)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(BARC)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(BARC)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지하여 회전하는 스핀척(51) 및 스핀척(51) 상에 보유지지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(52)을 구비한다.First, the structure of the + X side of the
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 도포처리부(60)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(RES)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(RES)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지해서 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61) 상에 보유지지 된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(62)을 구비한다.Three coating units RES are stacked on top of each other in the resist film coating unit 60 (see FIG. 1) of the resist
현상처리블록(12)의 현상처리부(70)에는, 5개의 현상처리유닛(DEV)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 현상처리유닛(DEV)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지해서 회전하는 스핀척(71) 및 스핀척(71) 상에 보유지지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다.In the developing
레지스트커버막용 처리블록(13)의 레지스트커버막용 도포처리부(80)에는, 3개의 도포유닛(COV)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(COV)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지해서 회전하는 스핀척(81) 및 스핀척(81) 상에 보유지지된 기판(W)에 레지스트커버막의 도포액을 공급하는 공급노즐(82)을 구비한다. 레지스트커버막의 도포액으로서는, 레지스트 및 물과의 친화력이 낮은 재료(레지스트 및 물과의 반응성이 낮은 재료)를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불화수소산수지이다. 도포유닛(COV)은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 도포액을 도포함으로써, 기판(W) 상에 형성된 레지스트막 위에 레지스트커버막을 형성한다.Three coating units COV are stacked on top of each other in the
레지스트커버막 제거블록(14)의 레지스트커버막제거용 처리부(90)에는, 3개의 제거유닛(REM)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 제거유닛(REM)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지해서 회전하는 스핀척(91) 및 스핀척(91) 상에 보유지지된 기판(W)에 박리액(예를 들면, 불화수소산수지)를 공급하는 공급노즐(92)을 구비한다. 제거유닛(REM)은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 박리액을 도포함으로써, 기판(W) 상에 형성된 레지스트커버막을 제거한다.In the resist cover film
또한, 제거유닛(REM)에 있어서의 레지스트커버막의 제거방법은 상기의 예로 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 윗쪽에서 슬릿노즐을 이동시키면서 기판(W) 상에 박리액을 공급함으로써 레지스트커버막을 제거해도 좋다.In addition, the removal method of the resist cover film in the removal unit REM is not limited to said example. For example, the resist cover film may be removed by supplying a peeling liquid onto the substrate W while moving the slit nozzle above the substrate W. FIG.
인터페이스블록(15)의 세정가열블록(15a)의 +X측에는, 5개의 세정/건조처리유닛(SD2)이 상하에 적층배치된다. 반입반출블록(15b)의 +X측에는, 기판재치부(PASS12) 및 리턴버퍼부(RBF)가 상하에 배치된다.On the + X side of the cleaning
다음으로, 도 3을 이용하여, 기판처리장치(500)의 -X측의 구성에 대해 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 2개의 가열유닛(핫플레이트)(HP) 및 2개의 냉각유닛(쿨링플레이트)(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.Next, the structure of the -X side of the
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.In the resist film
현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(120, 121)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 현상용 열처리부(120, 121)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.In the developing
레지스트커버막용 처리블록(13)의 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에 는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.In the
레지스트커버막 제거블록(14)의 열처리부(140)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 상하에 적층배치된다. 또한, 세정가열블록(15a)에 인접하도록, 기판재치부(PASS11) 및 2개의 에지 노광부(EEW)가 상하에 적층배치된다.In the
인터페이스블록(15)의 세정가열블록(15a)의 -X측에는, 5개의 세정/건조처리유닛(SD1)이 상하에 적층배치된다. 반입반출블록(15b)의 +X측에는, 베벨검사유닛(IM), 4개의 재치 겸 냉각유닛(P-CP) 및 센딩버퍼부(SBF)가 상하에 배치된다.On the -X side of the cleaning
또한, 도포유닛(BARC, RES, COV), 현상처리유닛(DEV), 제거유닛(REM), 가열유닛(HP), 냉각유닛(CP), 에지 노광부(EEW), 세정/건조처리유닛(SD1, SD2), 베벨검사유닛(IM), 재치 겸 냉각유닛(P-CP) 및 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 개수는 적절하게 변경해도 좋다.Further, coating unit BARC, RES, COV, developing unit DEV, removing unit REM, heating unit HP, cooling unit CP, edge exposure unit EEW, cleaning / drying processing unit ( The number of SD1, SD2), bevel inspection unit (IM), mounting and cooling unit (P-CP) and mounting and heating unit (P-PEB) may be changed as appropriate.
(2) 기판처리장치의 동작(2) operation of substrate processing apparatus
다음으로, 본 실시 형태에 따른 기판처리장치(500)의 동작에 대해 도 1 ~ 도 3을 참조하면서 설명한다.Next, operation | movement of the
인덱서블록(9)의 캐리어 재치대(40) 위에는, 복수 매의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서로봇(IR)은, 핸드(IRH)를 사용하여 캐리어(C) 내에 수납된 미처리의 기판(W)을 꺼낸다. 그후, 인덱서로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전이동하여, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1) 에 재치한다.On the
본 실시 형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical Inter Face)포드나 수납 기판(W)을 외기에 노출하는 OC(open cassette) 등을 이용해도 좋다.In this embodiment, although front opening unified pod (FOUP) is used as carrier C, it is not limited to this, The OC (open which exposes SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pod and storage board | substrate W to outside air) is open. cassette) or the like.
또한, 인덱서로봇(IR), 제1~ 제7 센터로봇(CR1~CR7) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대해 직선적으로 슬라이딩시켜 핸드의 진퇴동작을 행하는 직동형(直動型) 운반로봇을 사용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 관절을 움직임으로써 직선적으로 핸드의 진퇴동작을 행하는 다관절형 운반로봇을 사용해도 좋다.In addition, the indexer robot IR, the first to seventh center robots CR1 to CR7, and the interface transfer mechanism IFR, respectively, linearly slide linearly with respect to the substrate W to perform the hand movement of the hand. Although a linear robot is used, an articulated robot may be used that is not limited to this, and moves the joint linearly to move the hand forward and backward.
기판재치부(PASS1)에 재치된 미처리의 기판(W)은, 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 수취된다. 제1 센터로봇(CR1)은, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다.The unprocessed substrate W placed on the substrate placing unit PASS1 is received by the first center robot CR1 of the anti-reflection
그후, 제1 센터로봇(CR1)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 도포처리부(50)에 반입한다. 이 반사방지막용 도포처리부(50)에서는, 노광시에 발생하는 정재파(定在波)나 할레이션을 감소시키기 위해, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W) 상에 반사방지막이 도포형성된다.Thereafter, the first center robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the anti-reflection film
다음으로, 제1 센터로봇(CR1)은, 반사방지막용 도포처리부(50)로부터 도포처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다. 그후, 제1 센터로봇(CR1)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.Next, the first center robot CR1 takes out the coated substrate W from the antireflective
기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은, 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 수취된다. 제2 센터로봇(CR2)은, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다.The substrate W placed on the substrate placing part PASS3 is received by the second center robot CR2 of the
그후, 제2 센터로봇(CR2)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트막용 도포처리부(60)에 반입한다. 이 레지스트막용 도포처리부(60)에서는, 도포유닛(RES)에 의해 반사방지막이 도포형성된 기판(W) 상에 레지스트막이 도포형성된다.Thereafter, the second center robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the
다음으로, 제2 센터로봇(CR2)은, 레지스트막용 도포처리부(60)로부터 도포처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 그후, 제2 센터로봇(CR2)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.Next, the second center robot CR2 takes out the coated substrate W from the resist
기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은, 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS5 is received by the third center robot CR3 of the developing
기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은, 레지스트커버막용 처리블록(13)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇(CR4)은, 그 기판(W)을 레지스트커버막용 도포처리부(80)에 반입한다. 이 레지스트커버막용 도포처리부(80)에서는, 도포유닛(COV)에 의해 레지스트막이 도포형성된 기판(W) 상에 레지스트커버막이 도포형성된다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS7 is received by the fourth center robot CR4 of the
다음으로, 제4 센터로봇(CR4)은, 레지스트커버막용 도포처리부(80)로부터 도포처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에 반입한다. 그후, 제4 센터로봇(CR4)은, 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)로부터 열처리완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.Next, the fourth center robot CR4 takes out the coated substrate W from the coating
기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은, 레지스트커버막 제거블록(14)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 수취된다. 제5 센터로봇(CR5)은, 그 기판(W)을 에지 노광부(EEW)에 반입한다. 이 에지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주연부(周緣部)에 노광처리가 행해진다. 그후, 제5 센터로봇(CR5)은, 에지 노광부(EEW)로부터 에지 노광처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS11)에 재치한다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS9 is received by the fifth center robot CR5 of the resist cover
기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은, 세정가열블록(15a)의 제6 센터로봇(CR6)에 의해 수취된다. 제6 센터로봇(CR6)은, 그 기판(W)을 세정/건조처리유닛(SD1) 중 어느 하나에 반입한다. 세정/건조처리유닛(SD1)에서는, 상술한 바와 같이 노광처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행해진다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS11 is received by the sixth center robot CR6 of the cleaning
다음으로, 제6 센터로봇(CR6)은, 세정/건조처리유닛(SD1)으로부터 세정 및 건조처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반입반출블록(15b)의 베벨검사유닛(IM)에 반입한다. 베벨검사유닛(IM)에서는, 기판(W)의 베벨부(외주단부(外周端部))의 검사가 행하여져, 기판(W)의 베벨부에 막 벗겨짐 등의 이상이 없는지 확인된다.Next, the sixth center robot CR6 takes out the cleaned and dried substrate W from the cleaning / drying processing unit SD1, and moves the substrate W to the bevel inspection unit of the carry-in / out
베벨검사유닛(IM)에서 베벨부의 이상이 확인된 경우, 그 기판(W)은, 별도 소망의 배치가 취해진다. 예를 들면 그 기판(W)은, 제6 센터로봇(CR6)에 의해 베벨검사유닛(IM)으로부터 꺼내진 뒤, 센딩버퍼부(SBF)에 반입된다. 그리고, 로트종료 후에 작업자에 의해 회수된다.When abnormality of the bevel part is confirmed by the bevel inspection unit IM, the board | substrate W is separately arranged desired. For example, the board | substrate W is taken out from the bevel inspection unit IM by the 6th center robot CR6, and is carried in the sending buffer part SBF. Then, after the lot is finished, it is recovered by the worker.
베벨부에 이상이 없는 기판(W)은, 제6 센터로봇(CR6)에 의해 베벨검사유닛(IM)으로부터 꺼내어져, 그후, 이하와 같이 처리된다.The substrate W having no abnormality in the bevel portion is taken out from the bevel inspection unit IM by the sixth center robot CR6, and then processed as follows.
노광장치(16)에 의한 노광처리의 시간은, 통상, 다른 처리공정 및 반송공정보다 길다. 그 때문에, 노광장치(16)가 다음의 기판(W)의 수용을 할 수 없는 경우가 많다. 이 경우, 기판(W)은 반입반출블록(15b)의 센딩버퍼부(SBF)에 일시적으로 수납보관된다. 본 실시 형태에서는, 제6 센터로봇(CR6)이, 베벨검사유닛(IM)으로부터 꺼낸 검사완료의 기판(W)을 센딩버퍼부(SBF)에 반송한다.The exposure processing time by the
다음으로, 제6 센터로봇(CR6)은, 센딩버퍼부(SBF)에 수납보관되어 있는 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에 반입한다. 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에 반입된 기판(W)은, 노광장치(16) 내와 같은 온도(예를 들면, 23℃)로 유지된다.Next, the 6th center robot CR6 takes out the board | substrate W accommodated in the sending buffer part SBF, and loads the board | substrate W to a mounting and cooling unit P-CP. The substrate W carried in the mounting and cooling unit P-CP is maintained at the same temperature (eg, 23 ° C.) in the
또한, 노광장치(16)가 충분한 처리속도를 갖는 경우에는, 센딩버퍼부(SBF)에 기판(W)을 수납보관하지 않고, 베벨검사유닛(IM)으로부터 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에 기판(W)을 반송해도 좋다.When the
이어서, 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에서 상기 소망온도로 유지된 기판(W)이, 반입반출블록(15b)의 인터페이스용 반송기구(IFR) 상측의 핸드(H1)에 의해 수취되어, 노광장치(16)내의 기판반입부(16a)에 반입된다.Subsequently, the substrate W held at the desired temperature in the mounting and cooling unit P-CP is received by the hand H1 above the interface transfer mechanism IFR of the carry-in / out
노광장치(16)에서 노광처리가 행하여진 기판(W)은, 인터페이스용 반송기구(IFR) 하측의 핸드(H2)에 의해 기판반출부(16b)로부터 반출된다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS12)에 재치한다.The substrate W subjected to the exposure treatment in the
기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은, 세정가열블록(15a)의 제7 센터로봇(CR7)에 의해 수취된다. 제7 센터로봇(CR7)은, 그 기판(W)을 세정/건조처리유닛(SD2) 중 어느 하나에 반입한다. 세정/건조처리유닛(SD2)에서는, 상술한 바와 같이 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행해진다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS12 is received by the seventh center robot CR7 of the cleaning
다음으로, 제7 센터로봇(CR7)은, 세정/건조처리유닛(SD2)으로부터 세정 및 건조처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에 반입한다. 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에서는, 기판(W)에 대해 노광 후 베이크(PEB) 처리가 행해진다. 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 상세에 대해서는 후술한다.Next, the seventh center robot CR7 removes the cleaned and dried substrates W from the cleaning / drying processing unit SD2 and places the substrates W on the heating unit P-PEB. Bring in In the placement and heating unit P-PEB, post-exposure bake PEB processing is performed on the substrate W. As shown in FIG. Details of the mounting and heating unit (P-PEB) will be described later.
본 실시 형태에서는, 제6 센터로봇(CR6)의 동작공정이, 기판재치부(PASS11)로부터 세정/건조처리유닛(SD1)으로의 기판(W)의 반송, 세정/건조처리유닛(SD1)으로부터 베벨검사유닛(IM)으로의 기판(W)의 반송, 베벨검사유닛(IM)으로부터 센딩버퍼부(SBF)로의 기판(W)의 반송, 센딩버퍼부(SBF)로부터 재치 겸 냉각유닛(P-CP)으로의 기판(W)의 반송, 및 재치 겸 냉각유닛(P-CP)으로부터 기판재치부(PASS11)로의 회전이동의 5 공정으로 된다.In this embodiment, the operation process of the 6th center robot CR6 transfers the board | substrate W from the board | substrate mounting part PASS11 to the washing | cleaning / drying processing unit SD1, and from the washing | cleaning / drying processing unit SD1. Transfer of the substrate W to the bevel inspection unit IM, transfer of the substrate W from the bevel inspection unit IM to the sending buffer portion SBF, and the mounting and cooling unit P- from the sending buffer portion SBF. 5 steps of conveyance of the board | substrate W to CP, and rotational movement from the mounting and cooling unit P-CP to the board | substrate mounting part PASS11.
이 경우, 예를 들면 1개의 공정을 3.6초에 행하는 것이 가능한 제6 센터로봇(CR6)을 이용하면, 1시간에 200매의 기판(W)을 반송할 수 있다.In this case, for example, when the sixth center robot CR6 capable of performing one step in 3.6 seconds can carry 200 substrates W in one hour.
또한, 제7 센터로봇(CR7)의 동작공정이, 기판재치부(PASS12)로부터 세정/건조처리유닛(SD2)으로의 기판(W)의 반송, 세정/건조처리유닛(SD2)으로부터 재치 겸 가열유닛(P-PEB)으로의 기판(W)의 반송, 및 재치 겸 가열유닛(P-PEB)으로부터 기판재치부(PASS12)로의 회전이동의 3 공정으로 된다.In addition, the operation process of the seventh center robot CR7 is carried on the substrate W from the substrate placing unit PASS12 to the cleaning / drying processing unit SD2, and is placed and heated from the cleaning / drying processing unit SD2. 3 steps of conveyance of the board | substrate W to the unit P-PEB, and rotational movement from the mounting and heating unit P-PEB to the board | substrate mounting part PASS12.
이 경우, 예를 들면 1개의 공정을 3.6초에 행하는 것이 가능한 제7 센터로봇(CR7)을 이용하면, 1시간에 333매의 기판(W)을 반송할 수 있다.In this case, for example, when the 7th center robot CR7 which can perform one process in 3.6 second is used, 333 board | substrates W can be conveyed in 1 hour.
또한, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 동작공정이, 재치 겸 냉각유닛(P-CP)으로부터 노광장치(16)로의 기판(W)의 반송, 노광장치(16)로부터 기판재치부(PASS12)로의 기판(W)의 반송, 및 기판재치부(PASS12)로부터 재치 겸 냉각유닛(P-CP)으로의 회전이동의 3 공정으로 된다.In addition, the operation process of the interface conveyance mechanism IFR is carried out from the mounting and cooling unit P-CP to the board | substrate W to the
이 경우, 예를 들면 1개의 공정을 4.8초에 행하는 것이 가능한 인터페이스용 반송기구(IFR)를 사용하면, 1시간에 250매의 기판(W)을 반송할 수 있다.In this case, if the interface conveyance mechanism IFR which can perform one process in 4.8 second, for example, 250 board | substrates W can be conveyed in 1 hour.
이들에 의해, 인터페이스블록(15)에서, 단시간에 효율 좋게 복수의 기판(W)을 반송할 수 있다.As a result, the plurality of substrates W can be conveyed efficiently by the
노광 후 베이크처리가 행하여진 기판(W)은, 레지스트커버막 제거블록(14)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 재치 겸 가열유닛(P-PEB)으로부터 수취된다. 제5 센터로봇(CR5)은, 그 기판(W)을 레지스트커버막제거용 처리부(90)에 반입한다. 레지스트커버막제거용 처리부(90)에서는, 레지스트커버막이 제거된다.The substrate W subjected to the post-exposure bake treatment is received from the mounting and heating unit P-PEB by the fifth center robot CR5 of the resist cover
또한, 제거유닛(REM)의 고장 등에 의해, 레지스트커버막 제거블록(14)이 일시적으로 기판(W)을 수용할 수 없을 때는, 리턴버퍼부(RBF)에 노광처리 후의 기 판(W)을 일시적으로 수납보관할 수 있다.In addition, when the resist cover
다음으로, 제5 센터로봇(CR5)은, 레지스트커버막제거용 처리부(90)로부터 처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS10)에 재치한다.Next, the fifth center robot CR5 takes out the processed substrate W from the resist cover film removing
기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은, 레지스트커버막용 처리블록(13)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 기판재치부(PASS8)에 재치된다.The substrate W placed on the substrate placing portion PASS10 is placed on the substrate placing portion PASS8 by the fourth center robot CR4 of the
기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은, 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은, 그 기판(W)을 현상처리부(70)에 반입한다. 현상처리부(70)에서는, 노광된 기판(W)에 대해 현상처리가 행해진다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS8 is received by the third center robot CR3 of the developing
다음으로, 제3 센터로봇(CR3)은, 현상처리부(70)로부터 현상처리 완료의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(120, 121)에 반입한다. 그후, 제3 센터로봇(CR3)은, 현상용 열처리부(120, 121)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.Next, the third center robot CR3 takes out the development completed substrate W from the
기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은, 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 기판재치부(PASS4)에 재치된다. 기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 기판재치부(PASS2)에 재치된다.The substrate W placed on the substrate placing portion PASS6 is placed on the substrate placing portion PASS4 by the second center robot CR2 of the resist
기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은, 인덱서블록(9)의 인덱서로봇(IR)에 의해 캐리어(C)내에 수납된다. 이에 의해, 기판처리장치(500)에서의 기판(W)의 각 처리가 종료된다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS2 is accommodated in the carrier C by the indexer robot IR of the
(3) 재치 겸 가열유닛의 상세(3) Details of mounting and heating unit
도 4는, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 외관 사시도이고, 도 5는, YZ평면에서의 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 단면도이다.4 is an external perspective view of the mounting and heating unit P-PEB, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the mounting and heating unit P-PEB in the YZ plane.
도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)은, 반출용 재치부(200), 반입용 재치부(210), 가열부(220) 및 반송기구(230)를 구비한다. 반출 용 재치부(200), 반입용 재치부(210) 및 가열부(220)는, Y방향에 따라 나란히 배치되어 있다. As shown in FIG. 4 and FIG. 5, the placing-and-heating unit (P-PEB) includes a placing
반출용 재치부(200)는, 냉각플레이트(201)를 포함한다. 냉각플레이트의 내부에는, 냉각배관(WP)이 설치되어 있다. 냉각배관(WP)을 통해 냉각매체(예를 들면 냉각수)를 순환시킴으로써, 냉각플레이트(201)를 냉각할 수 있다. 냉각플레이트(201)로부터 윗쪽으로 돌출하도록, 복수(본 예에서는 3개)의 승강핀(202)이 설치되어 있다.The
반입용 재치부(210)는, 재치플레이트(211)를 포함한다. 재치플레이트(211)로부터 윗쪽으로 돌출하도록, 복수(본 예에서는 3개)의 승강핀(212)이 설치되어 있다.The carrying-in
가열부(220)는, 가열플레이트(221)를 포함한다. 가열플레이트(221)로부터 윗쪽으로 돌출하도록, 복수(본 예에서는 3개)의 승강핀(222)이 설치되어 있다. 가열플레이트(221)의 윗쪽에는, 상(上)덮개(224)가 설치되어 있다. 상덮개(224)는 상덮개 승강구동부(225)에 부착되어 있다. 상덮개 승강구동부(225)에 의해, 상덮개(224)가 승강구동된다.The
도 5에 나타내는 바와 같이, 복수의 승강핀(202)은 핀지지판(203)에 부착되 고, 복수의 승강핀(212)은 핀지지판(213)에 부착되어 있다. 복수의 승강핀(222)은 핀지지판(223)에 부착되어 있다. 핀지지판(203, 213, 223)은, 승강핀 구동기구(240)에 의해 각각 독립적으로 승강구동된다.As shown in FIG. 5, the plurality of lifting
도 4에 나타내는 바와 같이, 반출용 재치부(200), 반입용 재치부(210) 및 가열부(220)의 측방에는, Y방향에 따라 가이드레일(231)이 부설되어 있다. 반송기구(230)는, 가이드레일(231)을 따라 이동가능하게 설치되어 있다.As shown in FIG. 4, the
반송기구(230)은, 반송핸드(232) 및 핸드구동부(233)를 갖는다. 반송핸드(232)는, 핸드구동부(233)에 의해 승강되는 동시에, 핸드구동부(233)와 일체적으로 Y방향에 따라 이동한다. 반송핸드(232)는, 기판(W)을 보유지지한 상태에서, 반출용 재치부(200), 반입용 재치부(210) 및 가열부(220) 사이를 이동한다. 반송핸드(232)에는, 승강핀(202, 212, 222)과 간섭하지 않도록 노치가 형성되어 있다.The
다음으로, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)의 동작에 대해 설명한다. 먼저, 도 1의 제7 센터로봇(CR7)이, 핸드(CRH13) 또는 핸드(CRH14)에 의해 X방향에 따라 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에 기판(W)을 반입하여, 반입재치부(210)의 승강핀(212) 상에 재치한다.Next, the operation of the placing and heating unit P-PEB will be described. First, the 7th center robot CR7 of FIG. 1 carries in the board | substrate W to the mounting-and-heating unit P-PEB along the X direction by the hand CRH13 or the hand CRH14, and a carrying-in part It is mounted on the
제7 센터로봇(CR7)의 핸드(CRH13) 또는 핸드(CRH14)가 퇴출한 후, 반송핸드(232)가 기판(W)과 재치플레이트(211) 사이로 이동하여, 지지핀(212)상의 기판(W)을 수취한다.After the hand CRH13 or the hand CRH14 of the seventh center robot CR7 is withdrawn, the
이어서, 상덮개(224)가 가열플레이트(221)로부터 이격된 상태에서, 반송핸드(232)가 가열플레이트(221)상으로 이동하여, 지지핀(222)상에 기판(W)을 재치한 다.Subsequently, with the
이어서, 반송핸드(232)가 가열부(220)로부터 퇴피하는 동시에, 상덮개(224)가 하강하여 가열플레이트(221)상의 공간을 폐색(閉塞)한다. 그리고, 승강핀(222)이 하강하여 기판(W)을 가열플레이트(221)상에 재치한다. 그 상태에서, 가열플레이트(221)에 의해 기판(W)이 가열된다.Subsequently, the
소정시간 경과후, 기판(W)의 가열이 정지되고, 상덮개(224)가 상승한다. 이어서, 승강핀(222)이 상승하여 기판(W)을 가열플레이트(221)로부터 이격시킨다. 그리고, 가열플레이트(221)와 기판(W) 사이에 반송핸드(232)가 이동하여, 승강핀(222)상의 기판(W)을 수취한다.After the predetermined time elapses, the heating of the substrate W is stopped, and the
이어서, 가열 후의 기판(W)을 보유지지한 상태에서 반송핸드(232)가 반출용 재치부(200)의 냉각플레이트(201)상으로 이동하여, 지지핀(202)상에 기판(W)을 재치한다. 이어서, 지지핀(202)이 하강하여 기판(W)을 냉각플레이트(201)상에 재치한다. 그 상태에서, 냉각플레이트(201)가 냉각됨으로써, 기판(W)이 냉각된다.Subsequently, in a state where the substrate W after heating is held, the
소정시간 경과후, 기판(W)의 냉각이 정지되고, 지지핀(202)이 상승하여 기판(W)을 냉각플레이트(201)로부터 이격시킨다. 그리고, 도 1의 제5 센터로봇(CR5)이, 핸드(CR9) 또는 핸드(CR10)에 의해, 지지핀(202)상으로부터 기판(W)을 수취하고, Y방향에 따라 재치 겸 가열유닛(P-PEB)으로부터 반출한다.After a predetermined time has elapsed, cooling of the substrate W is stopped, and the support pins 202 are raised to separate the substrate W from the
재치 겸 가열유닛(P-PEB)에서는, 제7 센터로봇(CR7)에 근접하는 위치에 반입용 재치부(210)가 설치되고, 제5 센터로봇(CR5)에 근접하는 위치에 반출용 재치부(200)가 설치되어 있다. 이에 의해, 제7 센터로봇(CR7)에 의한 반입용 재치 부(210)로의 기판(W)의 반입 및 제5 센터로봇(CR5)에 의한 반출용 재치부(200)로부터의 기판(W)의 반출이 용이하게 된다. 그 결과, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출을 신속하게 행하는 것이 가능하게 된다.In the placement-and-heating unit P-PEB, the
또한, 본 실시 형태에서는, 냉각플레이트(201)에 의해 기판(W)이 냉각되지만, 기판(W)의 냉각방법은 이에 한정하지 않고, 반송핸드(232)에 기판(W)을 냉각하기 위한 냉각기능을 부여해도 좋다.In addition, in this embodiment, although the board | substrate W is cooled by the
(4) 세정/건조처리유닛(4) cleaning / drying processing unit
다음으로, 세정/건조처리유닛(SD1)에 대해 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 도 6은, 세정/건조처리유닛(SD1)의 구성을 나타내는 측면도이다. 또한, 세정/건조처리유닛(SD2)은, 세정/건조처리유닛(SD1)과 동일한 구성을 갖는다.Next, the washing / drying processing unit SD1 will be described in detail with reference to the drawings. 6 is a side view showing the configuration of the cleaning / drying processing unit SD1. In addition, the cleaning / drying processing unit SD2 has the same configuration as the cleaning / drying processing unit SD1.
도 6에 나타내는 바와 같이, 세정/건조처리유닛(SD1)은, 기판(W)을 수평으로 보유지지하는 동시에, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직의 회전축 주위에서 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(621)을 구비한다.As shown in FIG. 6, the cleaning / drying processing unit SD1 holds the substrate W horizontally and rotates the substrate W around a vertical rotation axis passing through the center of the substrate W. As shown in FIG. A
스핀척(621)은, 척회전구동기구(636)에 의해 회전되는 회전축(625)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀척(621)에는 흡기로(도시 안함)가 형성되어 있어, 스핀척(621)상에 기판(W)을 재치한 상태에서 흡기로 내를 배기함으로써, 기판(W)의 하면(下面)을 스핀척(621)에 진공흡착하여, 기판(W)을 수평자세로 보유지지할 수 있다.The
스핀척(621)의 바깥쪽에는, 모터(660)가 설치되어 있다. 모터(660)에는, 회동축(661)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(661)에는, 아암(662)이 수평방향으로 뻗 도록 연결되고, 아암(662)의 선단(先端)에 세정처리용 노즐(650)이 설치되어 있다.The
모터(660)에 의해 회동축(661)이 회전하는 동시에 아암(662)이 회동하고, 세정처리용 노즐(650)이 스핀척(621)에 의해 보유지지된 기판(W)의 위쪽으로 이동한다.The
모터(660), 회동축(661) 및 아암(662)의 내부를 통과하도록 세정처리용 공급관(663)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(663)은, 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통해 세정액 공급원(R1) 및 린스액 공급원(R2)에 접속되어 있다.A cleaning
이 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(663)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 도 6의 구성에 있어서는, 밸브(Va)를 열므로써, 세정처리용 공급관(663)에 세정액을 공급할 수 있고, 밸브(Vb)를 엶여는 열므로써, 세정처리용 공급관(663)에 린스액을 공급할 수 있다.By controlling the opening and closing of these valves Va and Vb, it is possible to select the processing liquid to be supplied to the cleaning
세정처리용 노즐(650)에는, 세정액 또는 린스액이, 세정처리용 공급관(663)을 통해 세정액 공급원(R1) 또는 린스액 공급원(R2)으로부터 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 세정액으로서는, 예를 들면, 순수, 순수에 착체(錯體)(이온화한 것)를 녹인 액 또는 불화수소산계 약액 등이 사용된다. 린스액으로서는, 예를 들면, 순수, 탄산수, 수소수, 전해이온수 및 HFE(하이드로플루오르에테르) 중 어느 하나가 사용된다.The cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the
스핀척(621)의 바깥쪽에는, 모터(671)가 설치되어 있다. 모터(671)에는, 회동축(672)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(672)에는, 아암(673)이 수평방향으로 뻗도록 연결되고, 아암(673)의 선단에 건조처리용 노즐(670)이 설치되어 있다.The
모터(671)에 의해 회동축(672)가 회전하는 동시에, 아암(673)이 회동하여, 건조처리용 노즐(670)이 스핀척(621)에 의해 보유지지된 기판(W)의 위쪽으로 이동한다.The
모터(671), 회동축(672) 및 아암(673)의 내부를 통과하도록 건조처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 건조처리용 공급관(674)은, 밸브(Vc)를 통해 불활성가스 공급원(R3)에 접속되어 있다. 이 밸브(Vc)의 개폐를 제어함으로써, 건조처리용 공급관(674)에 공급하는 불활성가스의 공급량을 조정할 수 있다.A drying
건조처리용 노즐(670)에는, 불활성가스가, 건조처리용 공급관(674)을 통해 불활성가스 공급원(R3)으로부터 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면으로 불활성가스를 공급할 수 있다. 불활성가스로서는, 예를 들면, 질소가스가 사용된다.Inert gas is supplied to the
기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 때에는, 세정처리용 노즐(650)은 기판의 윗쪽에 위치하고, 기판(W)의 표면으로 불활성가스를 공급할 때에는, 세정처리용 노즐(650)은 소망의 위치로 퇴피된다.When the cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the surface of the substrate W, the cleaning
또한, 기판(W)의 표면으로 세정액 또는 린스액을 공급할 때에는, 건조처리용 노즐(670)은 소망의 위치에 퇴피되고, 기판(W)의 표면으로 불활성가스를 공급할 때에는, 건조처리용 노즐(670)은 기판(W)의 윗쪽에 위치한다.When the cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the surface of the substrate W, the drying
스핀척(621)에 보유지지된 기판(W)은, 처리컵(623)내에 수용된다. 처리컵(623)의 내측에는, 통형상의 칸막이벽(633)이 설치되어 있다. 또한, 스핀척(621)의 주위를 둘러싸도록, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액(세정액 또는 린스액)을 배액하기 위한 배액공간(631)이 형성되어 있다. 또한, 배액공간(631)을 둘러싸도록, 처리컵(623)과 칸막이벽(633) 사이에, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액을 회수하기 위한 회수액공간(632)가 형성되어 있다.The substrate W held by the
배액공간(631)에는, 배액처리장치(도시 안함)로 처리액을 인도하기 위한 배액관(634)이 접속되고, 회수액공간(632)에는, 회수처리장치(도시 안함)로 처리액을 인도하기 위한 회수관(635)이 접속되어 있다.A
처리컵(623)의 윗쪽에는, 기판(W)으로부터의 처리액이 바깥쪽에 비산하는 것을 방지하기 위한 가아드(624)가 설치되어 있다. 이 가아드(624)는, 회전축(625)에 대해 회전대칭인 형상으로 이루어져 있다. 가아드(624)의 상단부의 내면에는, 단면이 く자 형상의 배액안내홈(641)이 고리형상으로 형성되어 있다.On the upper side of the
또한, 가아드(624)의 하단부의 내면에는, 외측 아래쪽으로 경사되는 경사면으로 이루어지는 회수액 안내부(642)가 형성되어 있다. 회수액 안내부(642)의 상단 부근에는, 처리컵(623)의 칸막이벽(633)을 수용하기 위한 칸막이벽수납홈(643)이 형성되어 있다.Moreover, the recovery
이 가아드(624)에는, 볼나사기구 등으로 구성된 가아드승강구동기구(도시 안함)가 설치되어 있다. 가아드승강구동기구는, 가아드(624)를, 회수액 안내부(642)가 스핀척(621)에 보유지지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 회수위치와, 배액안내홈(641)이 스핀척(621)에 보유지지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 배액위치 사이에서 상하동(上下動)시킨다. 가아드(624)가 회수위치(도 6에 나타내는 가아드의 위치)에 있는 경우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽에 비산한 처리액이 회수액 안내부(642)에 의해 회수액공간(632)에 인도되고, 회수관(635)를 통해 회수된다. 한 편, 가아드(624)가 배액위치에 있는 경우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽에 비산한 처리액이 배액안내홈(641)에 의해 배액공간(631)으로 인도되고, 배액관(634)를 통해 배액된다. 이상의 구성에 의해, 처리액의 배액 및 회수가 행하여진다.This
다음으로, 상기 구성을 갖는 세정/건조처리유닛(SD1)의 처리동작에 대해 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 세정/건조처리유닛(SD1)의 각 구성요소의 동작은, 도 1의 메인컨트롤러(제어부)(30)에 의해 제어된다. 세정/건조처리유닛(SD2)의 처리동작은, 세정/건조처리유닛(SD1)의 처리동작과 마찬가지이다.Next, the processing operation of the cleaning / drying processing unit SD1 having the above configuration will be described. In addition, the operation | movement of each component of the washing | cleaning / drying processing unit SD1 demonstrated below is controlled by the main controller (control part) 30 of FIG. The processing operation of the washing / drying processing unit SD2 is the same as the processing operation of the washing / drying processing unit SD1.
먼저, 기판(W)의 반입시에는, 가아드(624)가 하강하는 동시에, 도 1의 제6 센터로봇(CR6)이 기판(W)을 스핀척(621)상에 재치한다. 스핀척(621)상에 재치된 기판(W)은, 스핀척(621)에 의해 흡착 보유지지된다.First, at the time of carrying in the board | substrate W, the
다음으로, 가아드(624)가 상술한 배액위치까지 이동하는 동시에, 세정처리용 노즐(650)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동한다. 그후, 회전축(625)이 회전하고, 이 회전에 따라 스핀척(621)에 보유지지되어 있는 기판(W)이 회전한다. 그후, 세정처리용 노즐(650)로부터 세정액이 기판(W)의 상면(上面)에 토출된다. 이에 의해, 기판(W)의 세정이 행하여진다.Next, the
또한, 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 이 세정시에 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분이 세정액 중으로 용출(溶出)한다. 또한, 기판(W)의 세정에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)상에 세정액을 공급하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액은 원심력에 의해 항상 기판(W)의 주연부로 이동하여 비산한다. 따라서, 세정액 중으로 용출한 레지스트커버막의 성분이 기판(W)상에 잔류하는 것 을 방지할 수 있다.In the cleaning / drying processing unit SD1, the components of the resist cover film on the substrate W are eluted into the cleaning liquid during the cleaning. In the cleaning of the substrate W, the cleaning liquid is supplied onto the substrate W while the substrate W is rotated. In this case, the cleaning liquid on the substrate W always moves to and scatters around the periphery of the substrate W by centrifugal force. Therefore, it is possible to prevent the components of the resist cover film eluted in the cleaning liquid from remaining on the substrate W. FIG.
또한, 상기의 레지스트커버막의 성분은, 예를 들면, 기판(W)상에 순수를 올려서 일정시간 보유지지하는 것으로 용출시켜도 좋다. 또한, 기판(W)상으로의 세정액의 공급은, 이류체(二流體)노즐을 사용한 소프트스프레이방식에 의해 행하여도 좋다.The resist cover film may be eluted by, for example, raising pure water on the substrate W and holding it for a predetermined time. The cleaning liquid onto the substrate W may be supplied by a soft spray method using a two-fluid nozzle.
소정시간 경과후, 세정액의 공급이 정지되고, 세정처리용 노즐(650)로부터 린스액이 토출된다. 이에 의해, 기판(W)상의 세정액이 씻겨내려간다.After a predetermined time elapses, the supply of the cleaning liquid is stopped, and the rinse liquid is discharged from the cleaning
또한 소정시간 경과후, 회전축(625)의 회전속도가 저하한다. 이에 의해, 기판(W)의 회전에 의해 털려나가는 린스액의 양이 감소하고, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층 L이 형성된다. 또한, 회전축(625)의 회전을 정지시켜 기판(W)의 표면 전체에 액층 L을 형성하여도 좋다.In addition, after a predetermined time elapses, the rotation speed of the
다음으로, 린스액의 공급이 정지되고, 세정처리용 노즐(650)이 소망의 위치로 퇴피하는 동시에 건조처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 윗쪽으로 이동한다. 그후, 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성가스가 토출된다. 이에 의해, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 중심부의 린스액이 기판(W)의 주연부로 이동하여, 기판(W)의 주연부에만 액층 L이 존재하는 상태로 된다.Next, the supply of the rinse liquid is stopped, the cleaning
다음으로, 회전축(625)(도 6 참조)의 회전수가 상승하는 동시에, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이 건조처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 윗쪽으로부터 주연부 윗쪽으로 서서히 이동한다. 이에 의해, 기판(W)상의 액층 L에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 기판(W)의 표면 전체에 불활성가스를 내뿜을 수 있으므로, 기판(W)상 의 액층 L을 확실히 없앨 수 있다. 그 결과, 기판(W)을 확실히 건조시킬 수 있다.Next, while the rotation speed of the rotating shaft 625 (refer FIG. 6) rises, as shown in FIG.7 (c), the drying
다음으로, 불활성가스의 공급이 정지되고, 건조처리 노즐(670)이 소망의 위치에 퇴피하는 동시에 회전축(625)의 회전이 정지한다. 그후, 가아드(624)가 하강하는 동시에 도 1의 제6 센터로봇(CR6)이 기판(W)을 반출한다. 이에 의해, 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서의 처리동작이 종료된다. 또한, 세정 및 건조처리 중에 있어서의 가아드(624)의 위치는, 처리액의 회수 또는 배액의 필요성에 따라 적절하게 변경하는 것이 바람직하다.Next, the supply of inert gas is stopped, the drying
또한, 상기 실시 형태에서는, 세정액처리용 노즐(650)로부터 세정액 및 린스액 중 어느 하나를 공급할 수 있도록, 세정액의 공급 및 린스액의 공급에 세정액처리용 노즐(650)을 공용하는 구성을 채용하고 있지만, 세정액공급용의 노즐과 린스액공급용의 노즐을 따로 나눈 구성을 채용해도 좋다.Moreover, in the said embodiment, the structure which shares the washing | cleaning
또한, 린스액을 공급하는 경우에는, 린스액이 기판(W)의 이면으로 돌아들어가지 않도록, 기판(W)의 이면에 대해 도시하지 않는 백린스용 노즐로부터 순수를 공급해도 좋다.In addition, when supplying a rinse liquid, you may supply pure water from the back rinse nozzle which is not shown with respect to the back surface of the board | substrate W so that a rinse liquid may not return to the back surface of the board | substrate W.
또한, 기판(W)을 세정하는 세정액으로 순수를 사용하는 경우에는, 린스액의 공급을 행할 필요가 없다.In addition, when pure water is used as a washing | cleaning liquid which wash | cleans the board | substrate W, it is not necessary to supply a rinse liquid.
또한, 상기 실시 형태에서는, 스핀건조방법에 의해 기판(W)에 건조처리를 행하지만, 감압건조방법, 에어나이프 건조방법 등의 다른 건조방법에 의해 기판(W)에 건조처리를 행하여도 좋다.In addition, in the said embodiment, although the drying process is performed to the board | substrate W by the spin drying method, you may dry-process the board | substrate W by other drying methods, such as a reduced pressure drying method and an air knife drying method.
또한, 상기 실시 형태에서는, 린스액의 액층 L이 형성된 상태에서, 건조처리 용 노즐(670)로부터 불활성가스를 공급하도록 하고 있지만, 린스액의 액층 L을 형성하지 않는 경우 혹은 린스액을 사용하지 않는 경우에는 세정액의 액층을 기판(W)을 회전시켜 일단 털어낸 다음, 즉석에서 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성가스를 공급해서 기판(W)을 완전히 건조시키도록 해도 좋다.In the above embodiment, the inert gas is supplied from the
(5) 본 실시 형태의 효과(5) Effect of this embodiment
본 실시 형태에서는, 인터페이스블록(15)의 세정가열블록(15a)에서, 노광처리 전의 기판(W)이 제6 센터로봇(CR6)에 의해 반송되고, 노광처리 후의 기판(W)이 제7 센터로봇(CR7)에 의해 반송된다. 또한, 인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)에서, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1, H2)가 각각 독립적으로 구동되어, 노광처리 전의 기판(W)이 핸드(H1)에 의해 반송되고, 노광처리 후의 기판(W)이 핸드(H2)에 의해 반송된다.In this embodiment, in the cleaning
이와 같이, 인터페이스블록(15)에서, 노광처리 전의 기판(W)의 반송경로와 노광처리 후의 기판(W)의 반송경로가 각각 독립적으로 확보되어 있다. 이 경우, 노광처리 전의 기판(W)의 반송경로와 노광처리 후의 기판(W)의 반송경로가 교차하는 경우에 비해, 제6 센터로봇(CR6) 및 제7 센터로봇(CR7)의 동작이 간략화된다. 이에 의해, 기판(W)의 반송효율이 향상하여, 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다.In this way, in the
또한, 세정가열블록(15a) 및 반입반출블록(15b)에서, 노광처리 전의 기판(W)과 노광처리 후의 기판(W)이 동일한 부위에 접촉하는 경우가 없다. 따라서, 노광처리 전의 기판(W)과 노광처리 후의 기판(W) 사이의 크로스컨테미네이션(상호오염)을 방지할 수 있다.In the cleaning
또한, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)이, 노광장치(16)에 인접하는 인터페이스블록(15)에 설치되어 있으므로, 노광처리 후의 기판(W)을 신속하게 재치 겸 가열유닛(P-PEB)까지 반송할 수 있다. 따라서, 노광처리 후, 신속하게 기판(W)의 PEB처리를 행할 수 있다. 그 결과, 신속하게 레지스트막 내의 화학반응을 촉진시킬 수 있어, 소망의 노광패턴을 얻을 수 있다.In addition, since the placing and heating unit P-PEB is provided in the
또한, 노광처리 전의 기판(W)의 반송경로와 노광처리 후의 기판(W)의 반송경로가 각각 독립되어 있음으로써, 노광처리 후의 기판(W)을 원활히 재치 겸 가열유닛(P-PEB)에 반송할 수 있다. 그 때문에, 복수의 기판(W)을 연속적으로 처리하는 경우에, 노광처리로부터 PEB처리까지의 시간을 거의 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 노광패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.Moreover, since the conveyance path of the board | substrate W before an exposure process and the conveyance path of the board | substrate W after an exposure process are independent, respectively, the board | substrate W after an exposure process is smoothly conveyed to a heating unit P-PEB. can do. Therefore, when processing several board | substrate W continuously, the time from exposure processing to PEB process can be made substantially constant. As a result, variation in the accuracy of the exposure pattern can be prevented.
또한, 재치 겸 가열유닛(P-PEB)은, 제7 센터로봇(CR7)으로부터 제5 센터로봇(CR5)으로의 기판(W)의 주고받기를 위한 재치부의 역할을 맡고 있다. 이 경우, 인터페이스블록(15)으로부터 레지스트커버막 제거블록(14)으로의 기판(W)의 반송경로를 간략화할 수 있다. 이에 의해, 처리량을 더 향상시킬 수 있다.In addition, the placing and heating unit P-PEB plays a role of placing part for transferring the substrate W from the seventh center robot CR7 to the fifth center robot CR5. In this case, the transfer path of the substrate W from the
또한, 본 실시 형태에서는, 노광장치(16)에서 기판(W)의 노광처리를 하기 전에, 세정/건조처리유닛(SD1)에서 기판(W)의 세정처리가 행해진다. 이 세정처리시에, 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분의 일부가 세정액 또는 린스액 중으로 용출하여, 씻겨내려간다. 그 때문에, 노광장치(16)에서 기판(W)이 액체와 접촉하여도, 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분은 액체 중으로 거의 용출하지 않는다. 또한, 노광처리 전의 기판(W)에 부착된 먼지 등을 제거할 수 있다. 이러한 결과, 노광장 치(16)내의 오염이 방지된다.In addition, in this embodiment, the cleaning process of the board | substrate W is performed by the washing | cleaning / drying processing unit SD1 before the exposure process of the board | substrate W is performed by the
또한, 세정/건조처리유닛(SD1)에서는, 기판(W)의 세정처리 후에 기판(W)의 건조처리가 행해진다. 이에 의해, 세정처리시에 기판(W)에 부착한 세정액 또는 린스액이 제거되므로, 세정처리 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 다시 부착하는 것이 방지된다. 그 결과, 노광장치(16)내의 오염을 확실히 방지할 수 있다.In addition, in the washing / drying processing unit SD1, the drying treatment of the substrate W is performed after the washing treatment of the substrate W. FIG. Thereby, since the washing | cleaning liquid or rinse liquid which adhered to the board | substrate W at the time of a washing | cleaning process is removed, it is prevented that dust etc. in atmosphere reattach to the board | substrate W after a washing process. As a result, contamination in the
또한, 세정/건조처리유닛(SD1)에서는, 기판(W)을 회전시키면서 불활성가스를 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 내뿜움으로써 기판(W)의 건조처리를 행하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액 및 린스액을 확실히 제거할 수 있으므로, 세정 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 오염을 확실히 방지할 수 있는 동시에, 기판(W)의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Further, in the cleaning / drying processing unit SD1, the drying process of the substrate W is performed by blowing inert gas from the center portion of the substrate W to the peripheral portion while rotating the substrate W. As shown in FIG. In this case, since the washing | cleaning liquid and rinse liquid on the board | substrate W can be removed reliably, it can reliably prevent dust and the like from adhering to the board | substrate W after washing | cleaning. As a result, contamination of the substrate W can be reliably prevented, and dry spots can be prevented from occurring on the surface of the substrate W. FIG.
또한, 세정/건조처리유닛(SD2)에서는, 노광처리 후의 기판(W)의 건조처리가 행해진다. 이에 의해, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가, 기판처리장치(500)내로 낙하하는 것이 방지된다. 또한, 노광처리 후의 기판(W)의 건조처리를 행함으로써, 노광처리 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착하는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다.In addition, in the washing / drying processing unit SD2, a drying treatment of the substrate W after the exposure treatment is performed. Thereby, the liquid adhering to the board | substrate W at the time of an exposure process is prevented from falling into the
또한, 기판처리장치(500)내를 액체가 부착한 기판(W)이 반송되는 것을 방지할 수 있으므로, 노광처리시에 기판(W)에 부착한 액체가 기판처리장치(500)내의 분위기에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 기판처리장치(500)내의 온습도 조정이 용이하게 된다.In addition, since the substrate W with the liquid attached to the
또한, 노광처리시에 기판(W)에 부착한 액체가 인덱서용 반송기구(IFR) 및 제1 ~ 제7 센터로봇(CR1~CR7)에 부착하는 것이 방지된다. 그 때문에, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착하는 것이 방지된다. 이에 의해, 노광처리 전의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착하는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염이 방지된다. 그 결과, 노광처리시의 해상(解像)성능의 열화를 방지할 수 있는 동시에 노광장치(16)내의 오염을 방지할 수 있다.In addition, the liquid adhering to the substrate W during the exposure treatment is prevented from adhering to the indexer conveyance mechanism IFR and the first to seventh center robots CR1 to CR7. Therefore, the liquid is prevented from adhering to the substrate W before the exposure treatment. As a result, dust or the like in the atmosphere is prevented from adhering to the substrate W before the exposure treatment, so that contamination of the substrate W is prevented. As a result, deterioration of the resolution performance during the exposure process can be prevented and contamination in the
또한, 세정/건조처리유닛(SD2)으로부터 현상처리부(70)로 기판(W)을 반송하는 동안에, 레지스트의 성분 또는 레지스트커버막의 성분이 기판(W)상에 잔류한 세정액 및 린스액 중으로 용출하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이에 의해, 레지스트막에 형성된 노광패턴의 변형을 방지할 수 있다. 그 결과, 현상처리시에 있어서의 선폭 정밀도의 저하를 확실히 방지할 수 있다.During the transfer of the substrate W from the cleaning / drying processing unit SD2 to the developing
이러한 결과, 기판처리장치(500)의 전기계통의 이상 등의 동작불량을 방지할 수 있는 동시에, 기판(W)의 처리불량을 확실히 방지할 수 있다.As a result, an operation failure such as an abnormality in the electrical system of the
또한, 세정/건조처리유닛(SD2)에서는, 기판(W)을 회전시키면서 불활성가스를 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 내뿜움으로써 기판(W)의 건조처리를 행하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액 및 린스액을 확실히 제거할 수 있으므로, 세정 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 오염을 확실히 방지할 수 있는 동시에, 기판(W)의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Further, in the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W is dried by blowing inert gas from the center of the substrate W to the peripheral portion while rotating the substrate W. As shown in FIG. In this case, since the washing | cleaning liquid and rinse liquid on the board | substrate W can be removed reliably, it can reliably prevent dust and the like from adhering to the board | substrate W after washing | cleaning. As a result, contamination of the substrate W can be reliably prevented, and dry spots can be prevented from occurring on the surface of the substrate W. FIG.
또한, 세정/건조처리유닛(SD2)에서는, 건조처리 전에 기판(W)의 세정처리가 행하여지므로, 노광처리시에 액체가 부착한 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착해도, 그 부착물을 제거할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리불량을 확실히 방지할 수 있다.In addition, in the cleaning / drying processing unit SD2, the cleaning processing of the substrate W is performed before the drying treatment. Can be removed. Thereby, the contamination of the board | substrate W can be prevented. As a result, poor processing of the substrate can be reliably prevented.
(6) 다른 실시 형태(6) other embodiment
도 8은, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도이다. 도 8에 나타내는 기판처리장치(500a)에 대해, 상기 실시 형태의 기판처리장치(500)와 상이한 점을 설명한다.8 is a plan view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. The point different from the
기판처리장치(500a)에서는, 인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)에, 인터페이스용 반송기구(IFR) 대신에 인터페이스용 반송기구(IFRa, IFRb)가 설치된다. 또한, 인터페이스용 반송기구(IFRb)와 제7 센터로봇(CR7) 사이의 세정가열블록(15a)내의 영역에, 기판재치부(PASS12) 및 리턴버퍼부(RBF)가 상하에 배치된다.In the
인터페이스용 반송기구(IFRa)는, 재치 겸 냉각유닛(P-CP)에 재치된 기판(W)을 수취하고, 그 기판(W)을 노광장치(16)의 기판반입부(16a)에 반입한다. 인터페이스용 반송기구(IFRb)는, 노광장치(16)의 기판반출부(16b)로부터 노광처리 후의 기판(W)을 반출하여, 그 기판(W)을 세정가열블록(15a)의 기판재치부(PASS12)에 재치한다. 기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은, 제7 센터로봇(CR7)에 의해 수취되어, 상기 실시 형태와 동일하게 처리된다.The interface conveyance mechanism IFRa receives the substrate W mounted on the placing and cooling unit P-CP, and carries the substrate W into the substrate loading portion 16a of the
이와 같이, 기판처리장치(500a)에서는, 인터페이스블록(15)의 반입반출블록(15b)에서, 노광처리 전의 기판(W)이 인터페이스용 반송기구(IFRa)에 의해 반송되고, 노광처리 후의 기판(W)이 인터페이스용 반송기구(IFRb)에 의해 반송된다.Thus, in the
이 경우, 인터페이스용 반송기구(IFRa, IFRb)가 각각 독립해서 기판(W)의 반송동작을 행할 수 있으므로, 더 효율 좋게 기판(W)을 반송할 수 있다. 따라서, 처리량을 더 향상시킬 수 있다.In this case, since the interface conveyance mechanisms IFRa and IFRb can carry out the conveyance operation | movement of the board | substrate W independently, respectively, the board | substrate W can be conveyed more efficiently. Therefore, the throughput can be further improved.
또한, 반입반출블록(15b)에서, 노광처리 전의 기판(W)과 노광처리 후의 기판(W)이 별개의 인터페이스용 반송기구에 의해 반송되기 때문에, 노광처리 전의 기판(W)과 노광처리 후의 기판(W) 사이의 크로스컨테미네이션이 더 확실히 방지된다.In addition, in the carry-in / out
(7) 또다른 실시 형태(7) another embodiment
상기 실시 형태에서는, 액침법에 의해 기판(W)의 노광처리를 행하는 노광장치(16)를 기판처리장치(500)의 외부장치로서 설치하는 경우에 대해 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 액체를 이용하지 않고 기판(W)의 노광처리를 행하는 종래의 노광장치를 외부장치로서 설치해도 좋다. 그 경우, 세정가열블록(10)에 세정/건조처리유닛(SD2)을 설치하지 않아도 좋다.In the said embodiment, although the case where the
(8) 청구항의 각 구성요소와 실시 형태의 각 요소의 대응(8) Correspondence between each component of the claim and each component of the embodiment
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시 형태의 각 요소의 대응예에 대해 설명하지만, 본 발명은 하기 예로 한정되지 않는다.Hereinafter, although the corresponding example of each component of an claim and each element of embodiment is demonstrated, this invention is not limited to the following example.
상기 실시 형태에서는, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버막용 처리블록(13) 및 레지스트커버막 제거블록(14)이 제1 처리부의 예이고, 인터페이스블록(15)이 제2 처리부의 예이며, 도포유닛(RES)이 감광성막 형성유닛의 예이고, 세정/건조처리유닛(SD1)이 세정처리유닛의 예이며, 재치 겸 베이크유닛(P-PEB)이 열처리유닛의 예 이고, 제6 센터로봇(CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1)가 제1 기판반송기구의 예이며, 제7 센터로봇(CR7) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H2)가 제2 기판반송기구의 예이다.In the above embodiment, the
또한, 세정가열블록(15a)이 처리용 블록의 예이고, 반입반출블록(15b)이 반입반출용 블록의 예이며, 제6 센터로봇(CR6)이 제1 반송장치의 예이고, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1)가 제2 반송장치의 예이며, 제7 센터로봇(CR7)이 제3 반송장치의 예이고, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H2)가 제4 반송장치의 예이다.In addition, the cleaning
또한, 제5 센터로봇(CR5)이 제5 반송장치의 예이고, 반입용 재치부(210)가 제1 재치부의 예이며, 반출용 재치부(200)가 제2 재치부의 예이고, 반송기구(230)가 반송부의 예이며, 세정/건조처리유닛(SD2)이 건조처리유닛의 예이다.In addition, the fifth center robot CR5 is an example of the fifth conveying apparatus, the
청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지의 요소를 사용할 수도 있다.As each component of a claim, you may use other various elements which have the structure or function which were described in a claim.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도,1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 2는 도 1의 기판처리장치를 +X방향에서 본 개략 측면도,FIG. 2 is a schematic side view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 as seen in the + X direction. FIG.
도 3은 도 1의 기판처리장치를 -X방향에서 본 개략 측면도,3 is a schematic side view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 seen in the -X direction;
도 4는 재치 겸 가열유닛의 외관 사시도,4 is an external perspective view of the mounting and heating unit,
도 5는 YZ평면에서의 재치 겸 가열유닛의 단면도,5 is a cross-sectional view of the mounting and heating unit in the YZ plane,
도 6은 세정/건조처리유닛의 구성을 나타내는 측면도,6 is a side view showing the structure of the cleaning / drying processing unit,
도 7은 세정/건조처리유닛의 동작을 설명하기 위한 도면,7 is a view for explaining the operation of the cleaning / drying processing unit,
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 기판처리장치의 평면도이다.8 is a plan view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
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