KR20090104714A - Adhesive composition, adhesive sheet and production method of semiconductor device - Google Patents

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KR20090104714A
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Abstract

PURPOSE: An adhesive composition and an adhesive sheet are provided to prevent a chip from being crushed and split by reducing power for a pick-up process. CONSTITUTION: An adhesive composition includes an acrylic polymer, an epoxy resin, a thermosetting agent, and a silicone compound. The silicone compound is organopolysiloxane having an aromatic ring-containing group as a side chain. The silicone compound has 50~100,000 mm^2/s dynamic viscosity at 25°C. The aromatic ring-containing group excludes a reactive organic functional group.

Description

점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법{Adhesive composition, adhesive sheet and production method of semiconductor device}Adhesive composition, adhesive sheet and production method of semiconductor device

본 발명은 반도체 웨이퍼로부터 칩을 얻는 다이싱 공정, 및 칩을 유기 기판이나 리드 프레임 등에 다이 본딩하는 공정에서 사용하기에 특히 적합한 점접착제 조성물 및 이 점접착제 조성물로 되는 점접착제층을 갖는 점접착 시트 및 이것을 사용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.INDUSTRIAL APPLICATION This invention is an adhesive agent sheet which has an adhesive agent composition especially suitable for use in the dicing process of obtaining a chip from a semiconductor wafer, and the die bonding process of a chip to an organic substrate, a lead frame, etc., and the adhesive agent layer which consists of this adhesive agent composition. And a method for manufacturing a semiconductor device using the same.

실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 웨이퍼는 대직경의 상태로 제조되고, 이 웨이퍼는 소자 소편(小片)(칩)으로 절단 분리(다이싱)된 후에 다음 공정인 다이 본딩 공정으로 이송되고 있다. 이때, 반도체 웨이퍼는 사전에 점착 시트에 첩착(貼着)된 상태로 다이싱, 세정, 건조, 익스팬딩, 픽업의 각 공정이 가해진 후, 다음 공정인 다이 본딩 공정으로 이송된다.Semiconductor wafers such as silicon and gallium arsenide are manufactured in a large diameter state, and the wafers are cut and diced into small pieces (chips) and then transferred to a die bonding step, which is the next step. At this time, the semiconductor wafer is subjected to dicing, cleaning, drying, expanding, and picking up in a state where the semiconductor wafer is previously attached to the adhesive sheet, and then transferred to the next bonding step.

이들 공정 중에서 픽업 공정과 다이 본딩 공정의 프로세스를 간략화하기 위해, 웨이퍼 고정기능과 다이 접착기능을 동시에 겸비한 다이싱·다이 본딩용 점접착 시트가 각종 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1~4).In order to simplify the process of a pick-up process and a die bonding process among these processes, the various adhesive sheets for dicing and die bonding which combine the wafer holding function and the die bonding function simultaneously are proposed (for example, patent documents 1-4). ).

특허문헌 1~4에는 특정 조성물로 되는 점접착제층이, 기재 상에 형성되어 되 는 점접착 시트가 개시되어 있다. 이 점접착제층은 웨이퍼 다이싱시에는 웨이퍼를 고정하는 기능을 가지고, 다이싱 종료 후, 칩의 픽업을 행하면, 점접착제층은 칩과 함께 기재로부터 박리된다. 점접착제층을 수반한 칩을 기판의 다이 패드부 상에 올려놓고, 가열하면, 점접착제층 중의 열경화성 수지가 접착력을 발현하여, 칩과 기판의 접착이 완료된다.In patent documents 1-4, the adhesive sheet in which the adhesive agent layer which consists of specific compositions is formed on a base material is disclosed. This adhesive layer has the function of fixing a wafer at the time of wafer dicing, and when picking up a chip | tip after completion | finish of dicing, an adhesive agent layer peels from a base material with a chip | tip. When the chip with an adhesive agent layer is put on the die pad part of a board | substrate, and it heats, the thermosetting resin in an adhesive agent layer expresses adhesive force, and adhesion | attachment of a chip | tip and a board | substrate is completed.

그 후, 칩과 기판의 와이어 패드부 또는 금속 프레임의 리드부와의 전기적인 도통(導通)을 얻기 위하여, 금선 등의 금속 와이어를 칩 및 기판의 와이어 패드부에 접속(와이어 본딩)한다. 그 후, 외계(外界)로부터의 전기적, 역학적 보호를 목적으로 트랜스퍼 성형에 의한 봉지(封止)나 푀터링(pottering) 봉지를 행하여, 기판 뒷면에 솔더볼을 탑재하거나, 또는 금속 리드 프레임의 비봉지 부분에 솔더 도금을 행함으로써 반도체장치로서 완성하고, 외계와의 전기적 접속을 행하는 것이 가능해진다.Thereafter, in order to obtain electrical conduction between the chip and the wire pad portion of the substrate or the lead portion of the metal frame, metal wires such as gold wires are connected (wire bonding) to the wire pad portions of the chip and the substrate. Thereafter, for the purpose of electrical and mechanical protection from external environments, sealing or pottering is carried out by transfer molding, and solder balls are mounted on the back of the substrate, or the metal lead frame is unsealed. By soldering a part, it becomes possible to complete it as a semiconductor device and to make electrical connection with an external system.

상기 특허문헌에 개시되어 있는 점접착 시트는, 이른바 다이렉트 다이 본딩을 가능하게 하여, 다이 접착용 접착제의 도포 공정을 생략할 수 있게 된다. 상기 특허문헌에 개시되어 있는 점접착제에는, 에너지선 경화성 성분으로서 저분자량의 에너지선 경화성 화합물이 배합되어 있다. 다이싱 후 칩을 픽업하기 전에 에너지선을 조사함으로써, 상기 에너지선 경화성 화합물이 중합 경화되고, 점접착제층의 접착력이 저하되어, 기재로부터의 점접착제층의 박리가 용이해진다. 또한 상기 점접착 시트의 점접착제층은, 에너지선 경화 및 열경화를 거친 다이 본딩 후에는 모든 성분이 경화되어, 칩과 기판을 강고하게 접착한다.The adhesive sheet disclosed by the said patent document enables what is called direct die bonding, and can apply the coating process of the adhesive agent for die bonding. A low molecular weight energy ray curable compound is compounded in the adhesive agent disclosed in the said patent document as an energy ray curable component. By irradiating an energy ray before picking up a chip after dicing, the said energy-beam curable compound polymerizes and hardens, the adhesive force of an adhesive agent layer falls, and peeling of an adhesive agent layer from a base material becomes easy. Moreover, in the adhesive agent layer of the said adhesive sheet, all the components harden | cure after die-bonding which passed through energy ray hardening and thermosetting, and adhere | attachs a chip | tip and a board | substrate firmly.

또한, 특허문헌 4에서는, (A) 점착성분과, (B) 열경화형 접착성분과, (C) 폴리실록산 올리고머에 실란 커플링제를 부가, 축합시킨 화합물로 되는 것을 특징으로 하는 점접착제 조성물이 개시되고, 상기 화합물(C)로서, 하기 화학식으로 표시되는 화합물이 개시되어 있다.In addition, Patent Document 4 discloses an adhesive agent composition comprising (A) an adhesive component, (B) a thermosetting adhesive component, and (C) a compound in which a silane coupling agent is added and condensed to a polysiloxane oligomer, As said compound (C), the compound represented by a following formula is disclosed.

Figure 112009018848440-PAT00001
Figure 112009018848440-PAT00001

위 화학식 중, R은 메틸기 또는 에틸기이고, S는 R 또는 실란 커플링제에 의해 도입되는 기이며, 화합물(C) 1분자 중에는, 실란 커플링제에 의해 도입되는 기가 바람직하게는 2개 이상 포함되어 있다.In the above formula, R is a methyl group or an ethyl group, S is a group introduced by R or a silane coupling agent, and in one molecule of the compound (C), two or more groups introduced by the silane coupling agent are preferably included. .

그러나 최근, 반도체장치에는 추가적인 고집적화가 요망되고 있다. 반도체장치를 고집적화하기 위하여 칩을 한정된 일정 높이의 범위 내에서 세로로 복수층 적층하는 경우가 있어, 이 때문에, 반도체장치를 구성하는 칩을 추가적으로 박형화하는 것이 요구되고 있다.In recent years, however, further high integration has been desired for semiconductor devices. In order to highly integrate a semiconductor device, a plurality of chips may be stacked vertically within a limited fixed height range, and therefore, it is required to further thin a chip constituting the semiconductor device.

그리고 칩의 박형화에 수반하여, 칩을 픽업할 때의 박리력(이 점접착 시트의 기재로부터 점접착제층을 칩과 함께 박리시키는데 필요한 힘)이 수율을 결정하는 커다란 요인이 되고 있다. 이 값이 크면, 픽업시에 칩이 쪼개지거나 깨져 떨어져나가, 칩의 수율이 저하되어 버린다. 또한 반송시의 웨이퍼 및 칩의 강도도 제품 수 율을 결정하는 커다란 요소이다.And with thinning of a chip | tip, the peeling force at the time of picking up a chip | tip (the force required to peel an adhesive agent layer with a chip | tip from the base material of this adhesive sheet) becomes a big factor which determines a yield. If this value is large, the chip breaks or breaks off at the time of pickup, resulting in a decrease in the yield of the chip. In addition, the strength of wafers and chips during transport is a big factor in determining product yield.

즉 최근 요구되고 있는 반도체장치의 고집적화가, 반도체장치의 수율 저하를 초래하고 있다.In other words, recently required high integration of semiconductor devices has caused a decrease in yield of semiconductor devices.

[특허문헌 1] 일본국 특허공개 평2-32181호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-32181

[특허문헌 2] 일본국 특허공개 평8-239636호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-239636

[특허문헌 3] 일본국 특허공개 평10-8001호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-8001

[특허문헌 4] 일본국 특허공개 제2000-17246호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-17246

이로 인해, 박형화되고 있는 칩을 실장(實裝)한 반도체장치에 있어서, 그 제조시에 칩이 쪼개지거나 깨져 떨어지지 않고 반도체장치로서 높은 수율로 양품을 얻는 것이 요구되고 있다.For this reason, in a semiconductor device in which a thin chip is mounted, it is required to obtain a good product with a high yield as a semiconductor device without cracking or breaking the chip at the time of its manufacture.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술에 비추어 이루어진 것으로, 칩의 다이싱 및 다이 본딩시에 사용되는 점접착제를 추가로 검토하여, 상기 요구에 대응하는 것을 목적으로 하고 있다.This invention is made | formed in view of the prior art as mentioned above, and aims at responding to the said request further by examining the adhesive agent used at the time of dicing and die bonding of a chip | tip.

본 발명자들은 이와 같은 과제의 해결을 목적으로 예의 검토한 결과, 특정의 실리콘 화합물 성분을 함유시킨 점접착제 조성물로 되는 점접착제층을 갖는 점접착 시트에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining for the purpose of solving such a subject, the present inventors discovered that the said subject can be solved by the adhesive sheet which has the adhesive agent layer which consists of an adhesive composition containing a specific silicone compound component, The present invention has been completed.

상기 점접착 시트를 사용하면, 칩이 박형화된 경우에도, 칩을 픽업할 때의 박리력이 작기 때문에, 픽업 공정에 있어서 칩이 쪼개지거나 깨져 떨어지지 않고 반도체장치로서 높은 수율로 양품을 얻을 수 있다.When the adhesive sheet is used, even when the chip is thin, the peeling force at the time of picking up the chip is small, so that a good product can be obtained in a high yield as a semiconductor device without breaking or chipping the chip in the pick-up step.

즉, 본 발명의 요지는 이하와 같다.That is, the summary of this invention is as follows.

[1] 아크릴 중합체(A)와, 에폭시 수지(B)와, 열경화제(C)와, 실리콘 화합물(D)을 포함하는 점접착제 조성물로서, 상기 실리콘 화합물(D)이 측쇄로서 방향족 고리 함유기(반응성 유기 관능기를 제외한다)를 갖는 오르가노폴리실록산이고, 또 한, 25℃에 있어서의 동점도(動粘度)가 50~100,000 ㎟/s인 것을 특징으로 하는 점접착제 조성물.[1] An adhesive agent composition comprising an acrylic polymer (A), an epoxy resin (B), a thermosetting agent (C), and a silicone compound (D), wherein the silicone compound (D) is an aromatic ring-containing group as a side chain An organopolysiloxane which has a reactive organic functional group (except reactive organic functional group), Furthermore, the kinematic viscosity in 25 degreeC is 50-100,000 mm <2> / s, The adhesive agent composition characterized by the above-mentioned.

[2] 상기 방향족 고리 함유기가 아랄킬기인 상기 [1]에 기재의 점접착제 조성물.[2] The adhesive agent composition according to the above [1], wherein the aromatic ring-containing group is an aralkyl group.

[3] 상기 열경화제(C)가, 페놀성 수산기 및/또는 아미노기를 갖는 열경화제인 상기 [1] 또는 [2]에 기재의 점접착제 조성물.[3] The adhesive agent composition according to the above [1] or [2], wherein the thermosetting agent (C) is a thermosetting agent having a phenolic hydroxyl group and / or an amino group.

[4] 상기 [1] 또는 [2]에 기재의 점접착제 조성물로 되는 점접착제층이, 기재 상에 형성되어 되는 점접착 시트.[4] The adhesive sheet, wherein the adhesive layer made of the adhesive composition of the above-mentioned [1] or [2] is formed on the substrate.

[5] 상기 [3]에 기재의 점접착제 조성물로 되는 점접착제층이, 기재 상에 형성되어 되는 점접착 시트.[5] The adhesive sheet, wherein the adhesive layer made of the adhesive composition according to the above [3] is formed on the substrate.

[6] 상기 [4]에 기재의 점접착 시트의 점접착제층에 반도체 웨이퍼를 첩착하는 공정과, 이 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 칩으로 하는 공정과, 이 칩을, 그 뒷면에 상기 점접착제층을 전사시켜서 상기 점접착 시트의 기재로부터 박리하는 공정과, 박리된 칩을 다이 패드부 상에, 이 칩의 뒷면에 전사된 점접착제층을 매개로 열압착하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.[6] a step of bonding the semiconductor wafer to the adhesive layer of the adhesive sheet as described in [4] above, a step of dicing the semiconductor wafer into a chip, and the chip on the back surface of the adhesive agent Manufacture of a semiconductor device comprising a step of transferring a layer and peeling it from the base material of the adhesive sheet, and a step of thermocompression bonding the peeled chip onto the die pad portion via an adhesive layer transferred to the back side of the chip. Way.

[7] 상기 [5]에 기재의 점접착 시트의 점접착제층에 반도체 웨이퍼를 첩착하는 공정과, 이 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 칩으로 하는 공정과, 이 칩을, 그 뒷면에 상기 점접착제층을 전사시켜서 상기 점접착 시트의 기재로부터 박리하는 공정과, 박리된 칩을 다이 패드부 상에, 이 칩의 뒷면에 전사된 점접착제층을 매개로 열압착하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.[7] A step of bonding the semiconductor wafer to the adhesive layer of the adhesive sheet as described in [5] above, a step of dicing the semiconductor wafer into a chip, and the chip on the back side of the adhesive agent. Manufacture of a semiconductor device comprising a step of transferring a layer and peeling it from the base material of the adhesive sheet, and a step of thermocompression bonding the peeled chip onto the die pad portion via an adhesive layer transferred to the back side of the chip. Way.

본 발명의 점접착 시트에 의하면, 박형화되고 있는 칩을 실장한 반도체장치의 제조에 있어서, 픽업 공정에서 픽업에 소요되는 힘이 저감되어, 칩이 쪼개지거나 깨져 떨어지는 경우가 매우 적다. 이 때문에 반도체장치로서 높은 수율로 양품을 얻을 수 있다.According to the adhesive sheet of the present invention, in the manufacture of a semiconductor device on which a thin chip is mounted, the force required for pick-up in the pick-up step is reduced, and the chip is hardly split or broken. For this reason, a good product can be obtained with a high yield as a semiconductor device.

또한 본 발명에 의하면, 이 점접착 시트를 사용한 반도체장치의 제조방법이 제공된다.Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device using this adhesive sheet is provided.

이하, 본 발명에 대하여 추가적으로 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in further detail.

[본 발명의 점접착제(粘接着劑) 조성물][Adhesive Adhesive Composition of the Present Invention]

본 발명의 점접착제 조성물은, 아크릴 중합체(A)와, 에폭시 수지(B)와, 열경화제(C)와, 특정의 실리콘 화합물(D)을 필수성분으로서 포함하고, 각종 물성을 개량하기 위하여, 필요에 따라 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 이하, 이들의 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.The adhesive agent composition of this invention contains an acrylic polymer (A), an epoxy resin (B), a thermosetting agent (C), and a specific silicone compound (D) as an essential component, and in order to improve various physical properties, Other components may be included as needed. Hereinafter, each of these components is demonstrated concretely.

<(A) 아크릴 중합체><(A) Acrylic Polymer>

아크릴 중합체(A)로서는 종래 공지의 아크릴 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴 중합체(A)의 중량 평균 분자량은 1만 이상 200만 이하인 것이 바람직하고, 10만 이상 150만 이하인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체의 중량 평균 분자량이 지나치게 낮으면, 기재와의 점착력이 높아져, 칩의 픽업 불량이 발생하는 경우가 있고, 200만을 초과하면 기판 요철로의 점접착제층을 추종(追從)할 수 없는 경우가 있어, 보이드 등의 발생 요인이 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 중량 평균 분자량은 GPC로 측정한 표준 폴리스티렌 분자량 환산에 의한 중량 평균 분자량을 가리킨다.As the acrylic polymer (A), a conventionally known acrylic polymer can be used. It is preferable that it is 10,000 or more and 2 million or less, and, as for the weight average molecular weight of an acrylic polymer (A), it is more preferable that it is 100,000 or more and 1.5 million or less. When the weight average molecular weight of an acrylic polymer is too low, the adhesive force with a base material may become high, and the pick-up defect of a chip may generate | occur | produce, and when it exceeds 2 million, when the adhesive agent layer to a board | substrate unevenness cannot be followed There is a cause of occurrence of voids and the like. In addition, in this specification, a weight average molecular weight points out the weight average molecular weight by standard polystyrene molecular weight conversion measured by GPC.

아크릴 중합체(A)의 유리전이온도는, 바람직하게는 -60℃ 이상 20℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -50℃ 이상 10℃ 이하, 특히 바람직하게는 -40℃ 이상 5℃ 이하의 범위에 있다. 유리전이온도가 지나치게 낮으면 점접착제층과 기재의 박리력이 커져 칩의 픽업 불량을 개선할 수 없게 되는 경우가 있고, 지나치게 높으면 웨이퍼를 고정하기 위한 접착력이 불충분해질 우려가 있다.Glass transition temperature of an acrylic polymer (A) becomes like this. Preferably it is -60 degreeC or more and 20 degrees C or less, More preferably, it is -50 degreeC or more and 10 degrees C or less, Especially preferably, it is in the range of -40 degreeC or more and 5 degrees C or less. If the glass transition temperature is too low, the peeling force of the adhesive agent layer and the substrate may increase, so that pick-up failure of the chip may not be improved. If the glass transition temperature is too high, the adhesive force for fixing the wafer may become insufficient.

아크릴 중합체(A)의 구조단위를 형성하는 모노머로서는, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그의 유도체를 들 수 있다.As a monomer which forms the structural unit of an acrylic polymer (A), the (meth) acrylic acid ester monomer or its derivative (s) is mentioned.

(메타)아크릴산에스테르 모노머로서는, 알킬기의 탄소수가 1~18인 알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이와 같은 화합물로서 예를 들면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid ester monomer include alkyl (meth) acrylates having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group, and examples of such compounds include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, Propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate are mentioned.

또한, (메타)아크릴산에스테르 모노머의 유도체로서는, 예를 들면 환상(環狀) 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트를 들 수 있고, 이와 같은 화합물로서 예를 들면 시클로알킬(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 이미드아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트를 들 수 있다.Moreover, as a derivative of a (meth) acrylic acid ester monomer, the (meth) acrylate which has a cyclic skeleton is mentioned, for example, As such a compound, for example, cycloalkyl (meth) acrylate and benzyl ( Meta) acrylate, isobonyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyl oxyethyl acrylate, imide acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate Can be mentioned.

이 유도체의 다른 예로서, 수산기를 함유하는 (메타)아크릴레이트, 예를 들면, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트를 들 수 있다.As another example of this derivative, (meth) acrylate containing a hydroxyl group, for example, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxy Propyl methacrylate.

또한, 아크릴 중합체(A)에는, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 된다.In addition, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, etc. may be copolymerized with the acrylic polymer (A).

상기 예시한 모노머 중에서도, 수산기를 가지고 있는 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트 및 2-히드록시프로필메타크릴레이트가, 에폭시 수지(B)와의 상용성이 좋기 때문에 바람직하다.Among the monomers exemplified above, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate and 2-hydroxypropyl methacrylate having a hydroxyl group are epoxy resins (B). It is preferable because compatibility with is good.

아크릴 중합체(A)는 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.An acrylic polymer (A) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

<(B) 에폭시 수지><(B) Epoxy Resin>

에폭시 수지(B)로서는, 종래 공지의 각종 에폭시 수지를 1종 단독으로, 또는 2종류 이상 조합하여 사용할 수 있다. 종래 공지의 각종 에폭시 수지로서는 비스페놀 A 디글리시딜에테르나 그의 수소첨가물, 오르토 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(하기 화학식 1 참조), 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(하기 화학식 2 참조), 비페닐형 에폭시 수지(하기 화학식 3 및 4 참조), 다관능형 에폭시 수지(하기 화학식 5 참조) 등, 분자 중에 2개 이상의 관능기를 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있다. 에폭시 수지(B)로서는, 그 주 골격 중에 방향족 고리가 포함되는 것이 바람직하다.As an epoxy resin (B), conventionally well-known various epoxy resins can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Conventionally known various epoxy resins include bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated substances thereof, ortho cresol novolac type epoxy resins (see formula 1 below), dicyclopentadiene type epoxy resins (see formula 2 below), biphenyl type Epoxy compounds which have two or more functional groups in a molecule | numerator, such as an epoxy resin (refer Formulas 3 and 4 below) and a polyfunctional epoxy resin (see Formula 5 below), are mentioned. As an epoxy resin (B), it is preferable that an aromatic ring is contained in the main skeleton.

Figure 112009018848440-PAT00002
Figure 112009018848440-PAT00002

(단, 화학식 중 n은 0 이상의 정수를 나타낸다)(Wherein n represents an integer of 0 or more)

Figure 112009018848440-PAT00003
Figure 112009018848440-PAT00003

(단, 화학식 중 n은 0 이상의 정수를 나타낸다)(Wherein n represents an integer of 0 or more)

Figure 112009018848440-PAT00004
Figure 112009018848440-PAT00004

(단, 화학식 중 n은 0 이상의 정수를 나타낸다)(Wherein n represents an integer of 0 or more)

Figure 112009018848440-PAT00005
Figure 112009018848440-PAT00005

(단, 화학식 중 R은 수소원자 또는 메틸기이다.)(Wherein R is a hydrogen atom or a methyl group)

Figure 112009018848440-PAT00006
Figure 112009018848440-PAT00006

(단, 화학식 중 n은 0 이상의 정수를 나타낸다)(Wherein n represents an integer of 0 or more)

<(C) 열경화제><(C) thermosetting agent>

열경화제(C)는 에폭시 수지(B)의 경화제로서 기능하여, 이것을 사용함으로써 점접착제 조성물로 되는 점접착제층의 열경화 반응속도의 조절이나, 이 점접착제층의 경화물의 탄성률 등의 물성을 바람직한 영역으로 조정할 수 있다.A thermosetting agent (C) functions as a hardening | curing agent of an epoxy resin (B), and by using this, physical properties, such as adjustment of the thermosetting reaction rate of the adhesive agent layer which becomes an adhesive agent composition, and the elasticity modulus of the hardened | cured material of this adhesive agent layer are preferable. You can adjust the area.

바람직한 열경화제로서는, 에폭시기와 반응 가능한 관능기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있고, 그 관능기로서는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중 경화성의 관점에서 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기, 산무수물이고, 더욱 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기이다.As a preferable thermosetting agent, the compound which has two or more functional groups which can react with an epoxy group in 1 molecule is mentioned, A phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, an acid anhydride, etc. are mentioned as this functional group. Among these, from a hardenable viewpoint, Preferably they are a phenolic hydroxyl group, an amino group, and an acid anhydride, More preferably, they are a phenolic hydroxyl group and an amino group.

이들 열경화제의 구체적인 예로서는 노볼락형 페놀 수지(하기 화학식 6 참조), 디시클로펜타디엔형 페놀 수지(하기 화학식 7 참조), 다관능형 페놀 수지(하기 화학식 8 참조) 등의 페놀성 열경화제나, DICY(디시안디아미드) 등의 아민계 경화제를 들 수 있다. 이들 열경화제는, 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Specific examples of these thermosetting agents include phenolic thermosetting agents such as novolak-type phenol resins (see formula 6), dicyclopentadiene-type phenol resins (see formula 7 below), and polyfunctional phenol resins (see formula 8 below); Amine type hardening | curing agents, such as DICY (dicyandiamide), are mentioned. These thermosetting agents can be used individually or in mixture of 2 or more types.

Figure 112009018848440-PAT00007
Figure 112009018848440-PAT00007

(단, 화학식 중 n은 0 이상의 정수를 나타낸다)(Wherein n represents an integer of 0 or more)

Figure 112009018848440-PAT00008
Figure 112009018848440-PAT00008

(단, 화학식 중 n은 0 이상의 정수를 나타낸다)(Wherein n represents an integer of 0 or more)

Figure 112009018848440-PAT00009
Figure 112009018848440-PAT00009

(단, 화학식 중 n은 0 이상의 정수를 나타낸다)(Wherein n represents an integer of 0 or more)

열경화제(C)로서는, 그 주 골격 중에 방향족 고리가 포함되는 것이 바람직하다.As a thermosetting agent (C), it is preferable that an aromatic ring is contained in the main skeleton.

에폭시 수지(B) 및 열경화제(C)의 함량은, 그 중량 합계가 아크릴 중합체(A) 100 중량부에 대해 1~1500 중량부가 되는 양인 것이 바람직하고, 3~1000 중량부가 되는 양인 것이 보다 바람직하다. 1 중량부 미만이면 충분한 접착성이 얻어지지 않아 본원 발명의 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다. 한편 1500 중량부를 초과하면 점접착제 조성물을 시트형상으로 가공하는 것이 곤란해지는 경우가 있다.The content of the epoxy resin (B) and the thermosetting agent (C) is preferably an amount of 1 to 1500 parts by weight, more preferably 3 to 1000 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic polymer (A). Do. If it is less than 1 weight part, sufficient adhesiveness may not be obtained and the effect of this invention may not fully be acquired. On the other hand, when it exceeds 1500 weight part, it may become difficult to process an adhesive agent composition into a sheet form.

또한, 열경화제(C)의 사용량은, 에폭시 수지(B) 100 중량부에 대해 바람직하게는 0.1~500 중량부이고, 보다 바람직하게는 1~200 중량부이다. 에폭시 수지(B)에 대한 열경화제(C)의 사용량이 지나치게 적으면 경화 부족으로 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 지나치게 많은 경우는 흡습률이 높아져 반도체장치의 신뢰성을 저하시키는 경우가 있다.In addition, the usage-amount of a thermosetting agent (C) becomes like this. Preferably it is 0.1-500 weight part with respect to 100 weight part of epoxy resins (B), More preferably, it is 1-200 weight part. When the usage-amount of the thermosetting agent (C) with respect to an epoxy resin (B) is too small, adhesiveness may not be obtained due to lack of hardening, and when too much, a moisture absorption may become high and the reliability of a semiconductor device may fall.

<(D) 실리콘 화합물><(D) Silicone Compound>

본 발명의 점접착제 조성물은, 특정의 실리콘 화합물(D)을 포함하는 것을 특징으로 하고 있어, 이것에 의해 개편화(個片化)(다이싱)된 칩의 픽업 공정에 있어서, 칩을 집어올리는데 필요한 힘(픽업력)을 낮출 수 있어, 칩이 쪼개지거나 깨져 떨어지지 않고 하나하나 집어올릴 수 있다.The adhesive agent composition of this invention is characterized by including a specific silicone compound (D), and picking up a chip | tip in the pick-up process of the chip | tip divided into (dicing) by this, The required force (pickup force) can be lowered so that chips can be picked up one by one without breaking or breaking.

여기서, 실리콘 화합물(D)이란, 측쇄로서 방향족 고리 함유기(반응성 유기 관능기를 제외한다)를 갖는 오르가노폴리실록산이고, 또한, 25℃에 있어서의 동점 도가 50~100,000 ㎟/s인 것을 말한다.Here, a silicone compound (D) is organopolysiloxane which has an aromatic ring containing group (except reactive organic functional group) as a side chain, and says that kinematic viscosity in 25 degreeC is 50-100,000 mm <2> / s.

폴리실록산이란, -Si(X)2-O-로 표시되는 단위구조(X는 측쇄를 나타낸다)가 복수 연결된 화합물이고, 이 단위구조의 수는 상기 동점도의 범위를 만족시키는 한 특별히 한정되지 않지만, 통상 3 이상이다.The polysiloxane is a compound in which a plurality of unit structures (X represents a side chain) represented by -Si (X) 2 -O- is connected, and the number of the unit structures is not particularly limited as long as the range of the kinematic viscosity is satisfied. 3 or more.

실리콘 화합물(D)은, 오르가노폴리실록산의 실록산 부분에 의해 픽업력을 낮추는 동시에, 상기의 방향족 고리 함유기를 측쇄에 가짐으로써 지용성이 높고, 점접착제 조성물 중의 다른 성분과의 상용성이 높다. 또한, 점접착제 조성물 중의 에폭시 수지(B) 및 열경화제(C)는 구성 성분으로서 방향족 고리를 갖는 경우가 많아, 그와 같은 경우에는 실리콘 화합물(D)의 상기 방향족 고리 함유기에 의해 상호 상용성이 더욱 높아진다. 이와 같은, 점접착제 조성물 중의 다른 성분과의 상용성이 높은 실리콘 화합물(D)을 첨가함으로써, 픽업 공정시에 칩이 쪼개지거나 깨져 떨어지는 경우가 발생하는 것을 유효하게 방지할 수 있고, 또한 이 실리콘 화합물(D)은 다이 본딩 공정 등의 가열 공정시에 있어서도 점접착제층 중에서 배어나오거나, 또는 아웃가스로서 발생하기 어렵다.The silicone compound (D) lowers the pick-up force by the siloxane moiety of the organopolysiloxane, and has the above-mentioned aromatic ring-containing group in the side chain, thereby having high fat solubility and high compatibility with other components in the adhesive composition. In addition, the epoxy resin (B) and the thermosetting agent (C) in an adhesive agent composition often have an aromatic ring as a component, and in such a case, mutual compatibility is carried out by the said aromatic ring containing group of a silicone compound (D). Even higher. By adding a silicone compound (D) having high compatibility with other components in the adhesive composition, it is possible to effectively prevent the chip from breaking or breaking during the pick-up process. (D) is hard to leak out in an adhesive agent layer at the time of a heating process, such as a die bonding process, or to generate | occur | produce as outgas.

상기 방향족 고리 함유기는 반응성 유기 관능기를 제외한 방향족 고리 함유기로서, 그 예로서는, 페닐기, 아랄킬기를 들 수 있다. 여기서 말하는 아랄킬기란, 알킬부가 직쇄상 또는 분기쇄상이고, 알킬부의 탄소수가 바람직하게는 1~5, 보다 바람직하게는 1~3이고, 아릴부의 탄소수가 바람직하게는 6~10, 보다 바람직하게는 6인 아랄킬기이다. 아랄킬기의 바람직한 예로서는, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로 필기, 페닐이소프로필기를 들 수 있다.The aromatic ring-containing group is an aromatic ring-containing group excluding a reactive organic functional group, and examples thereof include a phenyl group and an aralkyl group. The aralkyl group herein refers to an alkyl moiety being linear or branched, preferably 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms, and preferably 6 to 10 carbon atoms, more preferably an aryl moiety. Aralkyl group of six. Preferred examples of the aralkyl group include benzyl group, phenylethyl group, phenylpropoxy and phenylisopropyl group.

상기 방향족 고리 함유기로서는, 아랄킬기가 바람직하다. 규소에 방향족 고리가 직접 결합하는 것보다도, 아랄킬기와 같이 알킬부를 매개로 폴리실록산 골격의 규소에 결합하면, 방향족 고리의 자유도가 높아, 에폭시 수지(B) 및 열경화제(C) 등이 방향족 고리를 갖는 경우에는, 그것과 최적의 배치를 취함으로써 상용성이 더욱 높아지기 때문이다.As said aromatic ring containing group, an aralkyl group is preferable. When the aromatic ring is bonded directly to the silicon of the polysiloxane skeleton via an alkyl moiety as in the aralkyl group, rather than the aromatic ring directly bonded to silicon, the degree of freedom of the aromatic ring is high, and the epoxy resin (B), the thermosetting agent (C), This is because compatibility is further enhanced by taking an optimum arrangement therewith.

상기 반응성 유기 관능기란, 전자공여성기 또는 전자흡인성기를 갖는 관능기를 말한다. 그 구체적인 예로서는, 히드록시알킬기, 카르복시알킬기, 아미노알킬기, 에폭시기 함유 알킬기, 지환식 에폭시기 함유 알킬기, 메타크릴기 함유 알킬기, 페놀기 함유 알킬기 및 메르캅토알킬기를 들 수 있다.The reactive organic functional group refers to a functional group having an electron donating group or an electron withdrawing group. Specific examples thereof include a hydroxyalkyl group, a carboxyalkyl group, an aminoalkyl group, an epoxy group-containing alkyl group, an alicyclic epoxy group-containing alkyl group, a methacryl group-containing alkyl group, a phenol group-containing alkyl group and a mercaptoalkyl group.

또한, 측쇄에 있어서의 상기 방향족 고리 함유기가 차지하는 비율은, 통상 5~100 몰%이고, 바람직하게는 10~90 몰%이며, 더욱 바람직하게는 15~80 몰%이다. 상기 방향족 고리 함유기가 측쇄에 차지하는 비율이 5 몰% 미만인 경우, 점접착제층과의 상용성이 불충분해져, 다이 본딩 공정 등에 있어서 아웃가스 등이 발생할 가능성이 있다. 또한, 상기 방향족 고리 함유기로 차지되는 이외의 측쇄부분은, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 등의 알킬기로 차지된다.Moreover, the ratio which the said aromatic ring containing group in a side chain occupies is 5-100 mol% normally, Preferably it is 10-90 mol%, More preferably, it is 15-80 mol%. When the ratio of the aromatic ring-containing group to the side chain is less than 5 mol%, compatibility with the adhesive layer is insufficient, and outgas or the like may occur in the die bonding step or the like. Incidentally, the side chain portions other than those occupied by the aromatic ring-containing group are occupied by alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group and isopropyl group.

한편, 실리콘 화합물(D)의 25℃에 있어서의 동점도는, 50~100,000 ㎟/s이고, 바람직하게는 200~10,000 ㎟/s이며, 더욱 바람직하게는 500~3,000 ㎟/s이다.On the other hand, the dynamic viscosity at 25 degrees C of a silicone compound (D) is 50-100,000 mm <2> / s, Preferably it is 200-10,000 mm <2> / s, More preferably, it is 500-3,000 mm <2> / s.

25℃에 있어서의 동점도가 50 ㎟/s 미만이면 다이 본딩시에 점접착제층으로부터 실리콘 화합물(D)이 배어나오고, 또한, 100,000 ㎟/s를 초과하면 점접착제층 중에서 실리콘 화합물(D)과 다른 성분이 상분리(相分離)되어 버려, 균일한 픽업력이 얻어지지 않는다.If the kinematic viscosity at 25 ° C. is less than 50 mm 2 / s, the silicon compound (D) will bleed out from the adhesive layer at the time of die bonding, and if it exceeds 100,000 mm 2 / s, it will be different from the silicone compound (D) in the adhesive layer. The components are phase separated and a uniform pick-up force is not obtained.

또한, 본 명세서에 있어서 동점도는, JIS K2283에 준거하여 우베로데 점도계에 의해 측정한 값을 가리킨다.In addition, in this specification, a kinematic viscosity points out the value measured with the Uberode viscometer based on JISK2283.

가장 일반적인 실리콘 화합물인 PDMS(폴리디메틸실록산)를 배합한 점접착제 조성물로는 픽업력을 저감하는 효과는 얻어지지만, 다이 본딩 공정 후의 와이어 본딩 공정에 있어서 문제가 발생한다. 이것은, 다이 본딩시의 열경화 공정이나 와이어 본딩 공정과 같은 가열을 요하는 공정을 거치면, PDMS는 에폭시 수지와의 상용성이 나쁘기 때문에, 저분자 실록산이 점접착제층 외부로 배어나오거나 아웃가스로서 방출되어, 이것이 금이나 알루미늄 등 와이어를 접속하는 와이어 패드부를 오염시켜 버리기 때문이라고 생각되고, 그 결과 안정된 접속강도가 얻어지지 않는다.Although the effect which reduces pick-up force is acquired with the adhesive agent composition which mix | blended PDMS (polydimethylsiloxane) which is the most common silicone compound, a problem arises in the wire bonding process after a die bonding process. This is because PDMS has poor compatibility with epoxy resins through a process that requires heating such as a thermosetting process or a wire bonding process at the time of die bonding, so that low-molecular siloxanes are oozed out of the adhesive layer or released as outgas. It is considered that this is because the wire pad portion connecting the wire such as gold or aluminum is contaminated, and as a result, stable connection strength is not obtained.

이에 대해 본 발명에서 사용되는 실리콘 화합물(D)은, 측쇄에 방향족 고리 함유기를 가지기 때문에, 에폭시 수지(B) 또는 열경화제(C)로서 사용되는 페놀 수지와의 상용성이 높아, 점접착제층의 바깥쪽으로 삼출(渗出)되기 어렵다고 생각된다. 이 때문에, 실리콘 화합물(D)은 점접착제층의 외부로 배어나오기 어렵고, 아웃가스로서 발생하기 어렵다. 따라서 본 발명의 점접착제 조성물을 사용하면, 칩의 다이 본딩 공정에서 와이어 패드부가 오염되는 일 없이, 안정된 와이어 본딩성이 실현된다.On the other hand, since the silicone compound (D) used by this invention has an aromatic ring containing group in a side chain, it has high compatibility with the phenol resin used as an epoxy resin (B) or a thermosetting agent (C), It is thought that it is difficult to exude to the outside. For this reason, a silicone compound (D) hardly leaks out of an adhesive agent layer, and is hard to generate | occur | produce as an outgas. Therefore, when the adhesive agent composition of this invention is used, stable wire bonding property is realized without the wire pad part being contaminated in the die bonding process of a chip | tip.

실리콘 화합물(D)은 종래 공지의 방법으로 제조할 수 있고, 또한 시판품으로서도 입수 가능하여, 예를 들면, 측쇄에 아랄킬기를 갖는 오르가노폴리실록산으로 서 「XF42-334(모멘티브·파포만스·마테리아루즈·쟈판 고도가이샤)」, 측쇄에 페닐이소프로필기를 갖는 오르가노폴리실록산으로서 「X-22-1877(신에츠 화학공업(주))」를 들 수 있다.A silicone compound (D) can be manufactured by a conventionally well-known method, and can also be obtained as a commercial item, For example, as an organopolysiloxane which has an aralkyl group in a side chain, "XF42-334 (Momentive Papmans. "Material Rouge Japan Advanced Chemical Co., Ltd." and "X-22-1877 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)" are mentioned as organopolysiloxane which has a phenyl isopropyl group in a side chain.

이들의 측쇄에 방향족 고리 함유기를 갖는 실리콘 화합물은 각각 단독 혹은 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The silicone compound which has an aromatic ring containing group in these side chains can be used individually or in combination of 2 or more types, respectively.

실리콘 화합물(D)의 함유량은, 바람직하게는 점접착제층의 중량에 대해 0.001~5 중량부, 보다 바람직하게는 0.05~1 중량부이다. 점접착제층이란, 뒤에서 상세하게 기술하지만, 기재 상에 점접착제 조성물을 도포 건조하는 것 등에 의해 얻어지는 것이다. 점접착제 조성물을 기재 상에 도포하기 쉽게 하기 위해, 점접착제 조성물에는 용제를 함유시키는 것이 일반적이다. 따라서, 점접착제층의 중량이란, 점접착제 조성물 전체의 중량에서, 용제 등의 휘발성분의 중량을 뺀 것이다.Content of a silicone compound (D), Preferably it is 0.001-5 weight part with respect to the weight of an adhesive agent layer, More preferably, it is 0.05-1 weight part. Although an adhesive agent layer is described in detail later, it is obtained by apply | coating and drying an adhesive agent composition on a base material. In order to make it easier to apply an adhesive composition on a base material, it is common to contain a solvent in an adhesive agent composition. Therefore, the weight of an adhesive agent layer removes the weight of volatile components, such as a solvent, from the weight of the whole adhesive agent composition.

0.001 중량부 이하이면 픽업력을 낮추는 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있고, 또한 5 중량부 이상이면, 점접착제층의 칩과의 접착력이 떨어져, 반도체장치로서의 신뢰성이 저하되어 버리는 경우가 있다.If it is 0.001 weight part or less, the effect of lowering pick-up force may not fully be acquired, and if it is 5 weight part or more, the adhesive force with the chip of an adhesive agent layer may fall, and reliability as a semiconductor device may fall.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 점접착제 조성물은 아크릴 중합체(A)와, 에폭시 수지(B)와, 열경화제(C)와, 특정의 측쇄를 갖는 실리콘 화합물(D)을 포함한다. 실리콘 화합물(D)은 픽업력을 낮출 수 있고, 또한 점접착제층의 외부로 배어나오거나 아웃가스로서 발생하기 어렵기 때문에, 본 발명의 점접착제 조성물로 되는 점접착제층을 갖는 점접착 시트를 사용하면, 칩의 다이 본딩 후에 행해지는 와이어 본딩 공정에 있어서, 접착면 주변에 존재하는 와이어 패드부를 오염시키지 않고, 안정적으로 와이어를 칩에 접속할 수 있다. 그 결과, 반도체장치로서 높은 수율로 양품을 얻을 수 있다. 본 발명의 점접착제 조성물은, 각종 물성을 개량하기 위해 필요에 따라 이하의 성분을 포함하고 있어도 된다.As explained above, the adhesive agent composition of this invention contains an acrylic polymer (A), an epoxy resin (B), a thermosetting agent (C), and the silicone compound (D) which has a specific side chain. Since the silicone compound (D) can lower the pick-up force and hardly bleed out of the adhesive layer or occur as outgas, the adhesive sheet having the adhesive layer of the adhesive composition of the present invention can be used. In the wire bonding step performed after die bonding of the chip, the wire can be stably connected to the chip without contaminating the wire pad portion existing around the adhesive surface. As a result, a good product can be obtained with a high yield as a semiconductor device. The adhesive agent composition of this invention may contain the following components as needed in order to improve various physical properties.

<(E) 경화촉진제><(E) Curing accelerator>

경화촉진제(E)는 점접착제 조성물의 경화속도를 조정하기 위해 사용된다. 바람직한 경화촉진제로서는, 에폭시기와, 페놀성 수산기나 아미노기 등과의 반응을 촉진할 수 있는 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, A hardening accelerator (E) is used to adjust the hardening rate of an adhesive agent composition. As a preferable hardening accelerator, the compound which can accelerate | stimulate reaction with an epoxy group, a phenolic hydroxyl group, an amino group, etc. are mentioned. Specifically,

트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류;Tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris (dimethylaminomethyl) phenol;

2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸류;Imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole and 2-phenyl-4-methylimidazole;

트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류;Organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine;

테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.Tetraphenyl boron salts, such as tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate and a triphenyl phosphine tetraphenyl borate, etc. are mentioned.

이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These can be used individually or in mixture of 2 or more types.

경화촉진제(E)는 경화성의 관점에서 에폭시 수지(B) 100 중량부에 대해 0.01~100 중량부 포함되는 것이 바람직하고, 0.1~50 중량부가 보다 바람직하며, 1~30 중량부가 더욱 바람직하다.It is preferable to contain 0.01-100 weight part with respect to 100 weight part of epoxy resins (B) from a hardening point (E) from a sclerosis | hardenability viewpoint, 0.1-50 weight part is more preferable, 1-30 weight part is more preferable.

<(F) 커플링제><(F) Coupling agent>

커플링제(F)는 점접착제 조성물의 피착체에 대한 접착성, 밀착성을 향상시키기 위해 사용된다. 또한, 커플링제를 사용함으로써, 점접착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 내열성을 손상시키지 않고, 그 내수성을 향상시킬 수 있다. 커플링제로서는, 상기 (A)성분, (B)성분, (C)성분 등이 갖는 관능기와 반응하는 기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다.Coupling agent (F) is used in order to improve the adhesiveness and adhesiveness to the to-be-adhered body of an adhesive agent composition. Moreover, by using a coupling agent, the water resistance can be improved, without impairing the heat resistance of the hardened | cured material obtained by hardening | curing an adhesive agent composition. As a coupling agent, the compound which has group which reacts with the functional group which the said (A) component, (B) component, (C) component, etc. have is used preferably.

커플링제(F)로서는 실란 커플링제가 바람직하다. 이와 같은 커플링제로서는 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴로프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.As a coupling agent (F), a silane coupling agent is preferable. Such coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ- (methacrylo) Propyl) trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldiethoxy Silane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-tri Ethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, imidazolesilane, and the like.

이들 커플링제는, 분자 내에 적어도 2종류 이상의 관능기를 갖기 때문에 경화 후에 점접착제층과 칩 또는 유기 기판과의 접착성을 향상시킨다.Since these coupling agents have at least 2 or more types of functional groups in a molecule | numerator, they improve adhesiveness of an adhesive agent layer, a chip | tip, or an organic substrate after hardening.

이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 커플링제(F)를 사용할 때에는, 에폭시 수지(B) 100 중량부에 대해 통상 0.1~20 중량부, 바람직하게는 0.5~15 중량부, 보다 바람직하게는 1~10 중량부의 비율로 사용된다. 0.1 중량부 미만이면 커플링제로서의 효과가 얻어지지 않는 경우가 있고, 20 중량부를 초과하면 커플링제가 아웃가스로서 방출될 가능성이 있다.These can be used individually or in mixture of 2 or more types. When using these coupling agents (F), it is 0.1-20 weight part normally with respect to 100 weight part of epoxy resins (B), Preferably it is used in the ratio of 0.5-15 weight part, More preferably, it is 1-10 weight part. When it is less than 0.1 weight part, the effect as a coupling agent may not be acquired, and when it exceeds 20 weight part, there exists a possibility that a coupling agent may be discharge | released as outgas.

<(G) 가교제><(G) crosslinking agent>

본 발명의 점접착제 조성물의 초기 접착력 및 응집력을 조절하기 위하여, 가교제(G)를 함유시키는 것도 가능하다. 가교제(G)의 예로서는 유기 다가 이소시아네이트 화합물 및 유기 다가 이민 화합물을 들 수 있다.In order to adjust the initial adhesive force and cohesion force of the adhesive agent composition of this invention, it is also possible to contain a crosslinking agent (G). Examples of the crosslinking agent (G) include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent imine compounds.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다.As said organic polyvalent isocyanate compound, an aromatic polyvalent isocyanate compound, an aliphatic polyvalent isocyanate compound, an alicyclic polyvalent isocyanate compound, etc. are mentioned.

유기 다가 이소시아네이트 화합물의 더욱 구체적인 예로서는, 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 리신이소시아네이트를 들 수 있다. 또한, 이들 다가 이소시아네이트 화합물의 삼량체, 및 이들 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜서 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등도 상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물에 포함된다.More specific examples of the organic polyvalent isocyanate compound include, for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane- 4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-di Isocyanate, dicyclohexyl methane-2,4'- diisocyanate, and lysine isocyanate. Moreover, the trimer of these polyvalent isocyanate compounds, the terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by making these polyvalent isocyanate compounds, and a polyol compound react etc. are contained in the said organic polyvalent isocyanate compound.

상기 유기 다가 이민 화합물의 구체예로서는, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-b-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-b-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민을 들 수 있다.Specific examples of the organic polyvalent imine compound include N, N'-diphenylmethane-4,4'-bis (1-aziridinecarboxyamide), trimethylolpropane-tri-b-aziridinylpropionate, tetramethyl Olmethane-tri-b-aziridinylpropionate and N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxyamide) triethylenemelamine.

이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These can be used individually or in mixture of 2 or more types.

가교제(G)는 반응성의 관점에서, 아크릴 중합체(A) 100 중량부에 대해 통상 0.01~10 중량부, 바람직하게는 0.1~5 중량부, 보다 바람직하게는 0.5~3 중량부의 비율로 사용된다.The crosslinking agent (G) is usually used in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, and more preferably 0.5 to 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic polymer (A).

<(H) 무기 충전재><(H) inorganic filler>

무기 충전재(H)를 본 발명의 점접착제 조성물에 배합함으로써, 그의 열팽창계수를 조정하는 것이 가능해져, 칩이나 유기 기판에 대해 경화 후의 점접착제층의 열팽창계수를 최적화함으로써 반도체장치의 내열성을 향상시킬 수 있다. 또한, 점접착제층의 경화 후의 흡습률을 저감시키는 것도 가능해진다.By mixing the inorganic filler (H) with the adhesive agent composition of the present invention, the thermal expansion coefficient thereof can be adjusted, and the heat resistance of the semiconductor device can be improved by optimizing the thermal expansion coefficient of the adhesive agent layer after curing with respect to the chip or the organic substrate. Can be. Moreover, it becomes possible to reduce the moisture absorption after hardening of an adhesive agent layer.

바람직한 무기 충전재로서는, 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 티탄화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화(球形化)한 비즈, 단결정 섬유, 유리 섬유 등을 들 수 있다.Preferred inorganic fillers include silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengal, silicon carbide, boron nitride, powders such as beads, spherical beads, single crystal fibers, glass fibers and the like.

본 발명에 있어서는, 이들 중에서도, 실리카 분말, 알루미나 분말의 사용이 바람직하다.In this invention, use of a silica powder and an alumina powder is preferable among these.

이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These can be used individually or in mixture of 2 or more types.

무기 충전재(H)는, 점접착제 조성물 전체에 대해, 통상 0~80 중량%의 범위에서 조정이 가능하다.An inorganic filler (H) can be adjusted in the range of 0 to 80 weight% normally with respect to the whole adhesive agent composition.

<(I) 에너지선 중합성 화합물><(I) energy ray polymerizable compound>

본 발명의 점접착제 조성물에는, 에너지선 중합성 화합물(I)이 배합되어도 된다. 에너지선 중합성 화합물(I)이 배합된 점접착제층을 에너지선 조사에 의해 경화시킴으로써, 점접착제층의 점착력을 저하시킬 수 있기 때문에, 픽업 공정에 있어 서의 기재와 점접착제층의 층간 박리를 용이하게 행할 수 있다.An energy ray polymeric compound (I) may be mix | blended with the adhesive agent composition of this invention. Since the adhesive force of an adhesive agent layer can be reduced by hardening the adhesive agent layer which the energy-beam polymerizable compound (I) was mix | blended by energy ray irradiation, the interlayer peeling of the base material and adhesive agent layer in a pick-up process is carried out. It can be performed easily.

에너지선 중합성 화합물(I)은, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화되는 화합물이다.The energy ray polymerizable compound (I) is a compound which is polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams.

이 에너지선 중합성 화합물(I)로서는, 구체적으로는, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 또는 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the energy ray-polymerizable compound (I) include dicyclopentadienedimethoxydiacrylate, trimethylolpropanetriacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, and dipentaerythritol monohydroxypenta. Acrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy modified Acrylate type compounds, such as an acrylate, a polyether acrylate, and an itaconic acid oligomer, are mentioned.

이와 같은 화합물은, 분자 내에 1개 이상의 중합성 이중결합을 갖고, 중량 평균 분자량이 통상 100~30,000, 바람직하게는 300~10,000 정도이다.Such a compound has one or more polymerizable double bonds in a molecule | numerator, and a weight average molecular weight is 100-30,000 normally, Preferably it is about 300-10,000.

이들은 1종 단독으로, 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

에너지선 중합성 화합물(I)을 사용하는 경우, 점접착제 조성물 중의 에너지선 중합성 화합물(I)의 함량은, 아크릴 중합체(A) 100 중량부에 대해 통상 1~400 중량부, 바람직하게는 3~300 중량부, 보다 바람직하게는 10~200 중량부이다. 400 중량부를 초과하면, 유기 기판이나 리드 프레임에 대한 점접착제층의 접착성을 저하시키는 경우가 있다.In the case of using the energy ray polymerizable compound (I), the content of the energy ray polymerizable compound (I) in the adhesive composition is usually 1 to 400 parts by weight, preferably 3 to 100 parts by weight of the acrylic polymer (A). 300 parts by weight, more preferably 10 to 200 parts by weight. When it exceeds 400 weight part, the adhesiveness of the adhesive agent layer with respect to an organic substrate or a lead frame may fall.

<(J) 광중합 개시제><(J) Photoinitiator>

에너지선 중합성 화합물(I)이 배합된 점접착제 조성물은, 그 사용시에, 에너지선으로서 자외선을 조사하는 경우가 있다. 이때, 이 조성물 중에 광중합 개시제(J)를 첨가함으로써, 중합 경화시간 및 광선 조사량을 적게 할 수 있다.The adhesive agent composition which the energy-beam polymerizable compound (I) was mix | blended may irradiate an ultraviolet-ray as an energy ray at the time of its use. At this time, by adding a photoinitiator (J) in this composition, polymerization hardening time and a light irradiation amount can be reduced.

이와 같은 광중합 개시제(J)로서는, 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인 안식향산, 벤조인 안식향산 메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티옥산톤, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.As such a photoinitiator (J), specifically, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin Methyl benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2,4-diethyl thioxanthone, α-hydroxycyclohexylphenyl ketone, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, diacetyl, β -Chloro anthraquinone, etc. are mentioned.

광중합 개시제(J)는 1종 단독으로, 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.A photoinitiator (J) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

광중합 개시제(J)의 배합비율은, 이론적으로는, 점접착제 중에 존재하는 불포화 결합량이나 그의 반응성 및 사용되는 광중합 개시제의 반응성을 토대로 하여 결정되어야 하지만, 복잡한 혼합물계에 있어서는 반드시 용이한 것은 아니다.Although the compounding ratio of a photoinitiator (J) should theoretically be determined based on the amount of unsaturated bonds in the adhesive agent, its reactivity, and the reactivity of the photoinitiator used, it is not necessarily easy in a complicated mixture system.

광중합 개시제(J)를 사용하는 경우에는, 일반적인 지침으로서, 점접착제 조성물 중의 광중합 개시제(J)의 함량은, 에너지선 중합성 화합물(I) 100 중량부에 대해 0.1~10 중량부가 바람직하고, 1~5 중량부가 보다 바람직하다. 0.1 중량부 미만이면 광중합의 부족으로 만족스러운 픽업성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 10 중량부를 초과하면 광중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되어, 점접착제층의 경화성이 불충분해지는 경우가 있다.When using a photoinitiator (J), as a general guideline, the content of the photoinitiator (J) in an adhesive agent composition is 0.1-10 weight part is preferable with respect to 100 weight part of energy ray polymeric compounds (I), 1 5 weight part is more preferable. If it is less than 0.1 weight part, satisfactory pick-up property may not be obtained by lack of photopolymerization, and when it exceeds 10 weight part, the residue which does not contribute to photopolymerization may produce | generate, and the hardenability of an adhesive agent layer may become inadequate.

<기타 성분><Other Ingredients>

본 발명의 점접착제 조성물에는, 상기의 성분 외에, 필요에 따라 각종 첨가제가 배합되어도 된다. 예를 들면, 점접착제층이 경화된 후의 경화물의 가요성을 유지하기 위해 가요성 성분을 첨가할 수 있다. 가요성 성분은, 상온 및 가열하에서 가요성을 갖는 성분으로, 가열이나 에너지선 조사로는 실질적으로 경화되지 않는 것이 선택된다. 가요성 성분은, 열가소성 수지나 엘라스토머로 되는 폴리머여도 되고, 폴리머의 그래프트 성분, 폴리머의 블록 성분이어도 된다. 또한, 가요성 성분이 에폭시 수지로 사전에 변성된 변성 수지여도 된다.Various additives may be mix | blended with the adhesive agent composition of this invention as needed other than said component. For example, a flexible component can be added in order to maintain the flexibility of the hardened | cured material after an adhesive agent layer hardens. The flexible component is a component having flexibility at room temperature and under heating, and one that is not substantially cured by heating or energy ray irradiation is selected. The flexible component may be a polymer made of a thermoplastic resin or an elastomer, or may be a graft component of a polymer or a block component of a polymer. In addition, the modified resin may be a modified component previously modified with an epoxy resin.

또한, 본 발명의 점접착제 조성물의 각종 첨가제로서는, 가소제, 대전방지제, 산화방지제, 안료, 염료 등을 들 수 있다.Moreover, as various additives of the adhesive agent composition of this invention, a plasticizer, an antistatic agent, antioxidant, a pigment, dye, etc. are mentioned.

상기와 같은 각 성분으로 되는 점접착제 조성물은 감압(減壓) 접착성과 가열경화성을 가져, 미경화 상태에서는 각종 피착체를 일시적으로 유지하는 기능을 갖는다. 그리고 열경화를 거쳐서 최종적으로는 내충격성이 높은 경화물을 부여할 수 있으며, 또한 전단강도와 박리강도의 균형도 우수하여, 엄격한 습열 조건하에 있어서도 충분한 접착물성을 유지할 수 있다.The adhesive agent composition which consists of each above-mentioned component has pressure-sensitive adhesiveness and heat hardenability, and has a function to temporarily hold various adherends in an uncured state. Finally, the cured product having high impact resistance can be provided through thermal curing, and the balance between shear strength and peeling strength is excellent, and sufficient adhesive physical properties can be maintained even under strict wet heat conditions.

그리고 본 발명의 점접착제 조성물은 픽업력을 저감하고, 칩으로서 높은 수율로 양품을 얻는 것을 가능하게 하며, 또한 칩의 다이 본딩 후에 행해지는 와이어 본딩 공정에 있어서, 접착면 주변에 존재하는 와이어 패드부를 오염시키지 않고, 안정적으로 와이어를 칩에 접속하는 것도 가능하게 한다. 그 결과, 반도체장치로서 높은 수율로 양품을 얻을 수 있다.And the adhesive agent composition of this invention reduces pick-up force, makes it possible to obtain a good product with a high yield as a chip, and also the wire pad part which exists around an adhesive surface in the wire bonding process performed after die bonding of a chip | tip. It is also possible to stably connect the wire to the chip without contaminating it. As a result, a good product can be obtained with a high yield as a semiconductor device.

본 발명의 점접착제 조성물은, 상기 각 성분을 적절한 비율로 혼합하여 얻어진다. 혼합시에는, 각 성분을 사전에 용매로 희석해 두어도 되고, 또한 혼합시에 용매를 첨가해도 된다.The adhesive agent composition of this invention is obtained by mixing each said component in an appropriate ratio. In the case of mixing, you may dilute each component with a solvent previously, and may add a solvent at the time of mixing.

[본 발명의 점접착 시트][Adhesive Adhesive Sheet of the Present Invention]

본 발명의 점접착 시트는, 기재 상에, 상기 점접착제 조성물로 되는 점접착제층이 형성되어 된다. 본 발명의 점접착 시트의 형상은, 테이프상, 라벨상 등 모든 형상을 취할 수 있다.The adhesive agent layer which becomes the said adhesive agent composition is formed on the base material of the adhesive agent sheet of this invention. The shape of the adhesive sheet of this invention can take all shapes, such as a tape form and a label form.

점접착 시트의 기재로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌초산비닐 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등의 투명 필름이 사용된다.As a base material of an adhesive adhesive sheet, a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethyl pentene film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate, for example Film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate film, ionomer resin film, ethylene (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film , Transparent films such as polyimide films and fluororesin films are used.

또한 이들의 가교 필름도 사용된다. 추가로 이들의 적층 필름이어도 된다. 또한, 상기의 투명 필름 외에, 이들을 착색한 불투명 필름 등을 사용할 수 있다.Moreover, these crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated | multilayer film may be sufficient. Moreover, in addition to said transparent film, the opaque film which colored these can be used.

본 발명의 점접착 시트는, 각종 피착체에 첩부(貼付)되고, 피착체에 소요의 가공을 실시한 후, 점접착제층은 피착체에 전사시켜서 기재로부터 박리된다. 즉 본 발명의 점접착 시트는, 점접착제층을 기재로부터 피착체에 전사하는 공정을 포함하는 프로세스에 사용된다.The adhesive sheet of this invention is affixed to various to-be-adhered bodies, and after performing required processing to a to-be-adhered body, an adhesive agent layer is transcribe | transferred to a to-be-adhered body and peels from a base material. That is, the adhesive sheet of this invention is used for the process including the process of transferring an adhesive layer from a base material to a to-be-adhered body.

이 때문에, 기재의 점접착제층에 접하는 면의 표면장력은, 바람직하게는 40 mN/m 이하, 더욱 바람직하게는 37 mN/m 이하, 특히 바람직하게는 35 mN/m 이하인 것이 바람직하다. 또한, 픽업 공정까지는 점접착제층이 칩 또는 기재로부터 박리되지 않기 위해서 표면장력은 5 mN/m 이상일 필요가 있다. 이와 같은 표면장력이 낮은 기재는, 재질을 적절하게 선택해서 얻는 것이 가능하고, 또한 기재 표면에 박리제를 도포하여 박리처리를 실시함으로써 얻는 것도 가능하다.For this reason, the surface tension of the surface which contacts the adhesive agent layer of a base material becomes like this. Preferably it is 40 mN / m or less, More preferably, it is 37 mN / m or less, Especially preferably, it is 35 mN / m or less. In addition, the surface tension needs to be 5 mN / m or more so that the adhesive agent layer does not peel from a chip | tip or a base material until a pick-up process. A substrate having such a low surface tension can be obtained by appropriately selecting a material, and can also be obtained by applying a release agent to the surface of the substrate and subjecting the release treatment.

기재의 박리처리에 사용되는 박리제로서는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등의 것이 사용되지만, 특히 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.Alkyd-based, silicone-based, fluorine-based, unsaturated polyester-based, polyolefin-based, wax-based, etc. are used as the release agent used for the stripping treatment of the base material, but the alkyd-based, silicone-based, and fluorine-based release agents are preferable because they have heat resistance.

또한, 실리콘계의 박리제를 사용하는 경우에는, 기재에 도포된 실리콘계 박리제가 점접착제층에 부착되는 경우가 있어, 본 발명의 효과가 얻어지지 않게 되어버릴 가능성이 있기 때문에, 그 사용량은 필요 최저한에 그쳐야 한다.In addition, when using a silicone type | system | group release agent, since the silicone type release agent apply | coated to the base material may adhere to an adhesive agent layer, and the effect of this invention may become impossible, the usage-amount should only be the minimum required. do.

상기의 박리제를 사용하여 기재의 표면을 박리처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀젼화하고, 그라비아 코터, 메이어 바 코터, 에어나이프 코터, 롤 코터 등에 의해 기재에 도포하여, 상온, 가열 또는 전자선으로 경화시키거나, 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열용융 라미네이션, 용융압출 라미네이션, 공압출 가공 등으로 기재층 및 박리제층의 적층체를 형성하면 된다.In order to peel-off the surface of a base material using said peeling agent, a peeling agent is used as it is, without solvent, or solvent dilution or emulsification is apply | coated to a base material with a gravure coater, a Meyer bar coater, an air knife coater, a roll coater, etc., and room temperature What is necessary is just to form a laminated body of a base material layer and a peeling agent layer by hardening by heating or an electron beam, or by wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, etc.

기재의 막두께는 통상은 10~500 ㎛, 바람직하게는 15~300 ㎛, 특히 바람직하게는 20~250 ㎛ 정도이다.The film thickness of a base material is 10-500 micrometers normally, Preferably it is 15-300 micrometers, Especially preferably, it is about 20-250 micrometers.

또한, 점접착제층의 두께는, 통상은 1~500 ㎛, 바람직하게는 5~300 ㎛, 특히 바람직하게는 5~150 ㎛ 정도이다.In addition, the thickness of an adhesive agent layer is 1-500 micrometers normally, Preferably it is 5-300 micrometers, Especially preferably, it is about 5-150 micrometers.

본 발명의 점접착 시트의 제조방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 기재 상에 점접착제층을 구성하는 점접착제 조성물을 도포 건조함으로써 제조해도 되고, 또한 점접착제층을 박리 필름 상에 설치하여, 이것을 상기 기재에 전사함으로써 제조해도 된다. 또한, 점접착 시트의 사용 전에 점접착제층을 보호하기 위해, 점접착제층의 상면에 박리 필름을 적층해 두어도 된다. 또한, 점접착제층의 표면 외주부(外周部)에는, 링 프레임 등의 다른 지그를 고정하기 위해 별도 감압성 접착제층이 설치되어 있어도 된다.The manufacturing method of the adhesive bonding sheet of this invention is not specifically limited, It can manufacture by a well-known method. For example, you may manufacture by apply | coating and drying the adhesive agent composition which comprises an adhesive agent layer on a base material, and you may manufacture by providing an adhesive agent layer on a peeling film, and transferring this to the said base material. In addition, in order to protect an adhesive layer before use of an adhesive sheet, you may laminate | stack a peeling film on the upper surface of an adhesive agent layer. Moreover, in order to fix another jig | tool, such as a ring frame, the pressure-sensitive adhesive layer may be provided in the surface outer peripheral part of an adhesive agent layer separately.

[반도체장치의 제조방법][Method of Manufacturing Semiconductor Device]

다음으로 본 발명의 점접착 시트의 이용방법에 대해, 이 점접착 시트를 반도체장치의 제조에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.Next, the use method of the adhesive sheet of this invention is demonstrated taking the case where this adhesive sheet is applied to manufacture of a semiconductor device as an example.

본 발명의 반도체장치의 제조방법에 있어서는, 먼저, 본 발명의 점접착 시트를 다이싱장치 상에 링 프레임으로 고정하여, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면을 상기 점접착 시트의 점접착제층 상에 올려놓고, 가볍게 눌러, 반도체 웨이퍼를 고정한다.In the semiconductor device manufacturing method of the present invention, first, the adhesive sheet of the present invention is fixed on a dicing apparatus by a ring frame, and one surface of the semiconductor wafer is placed on the adhesive layer of the adhesive sheet. Press lightly to fix the semiconductor wafer.

이어서, 다이싱 블레이드 등의 절단수단을 사용해서, 상기의 반도체 웨이퍼를 절단하여 칩을 얻는다. 이때의 절단깊이는, 반도체 웨이퍼의 두께와, 점접착제층의 두께의 합계 및 다이싱 블레이드의 마모분을 가미한 깊이로 한다.Subsequently, the said semiconductor wafer is cut | disconnected using cutting means, such as a dicing blade, and a chip is obtained. The depth of cut at this time is made into the depth which added the thickness of the semiconductor wafer, the sum total of the thickness of an adhesive agent layer, and the abrasion of a dicing blade.

계속해서 필요에 따라, 점접착 시트의 익스팬드를 행하면, 칩 간격이 확장되어, 칩의 픽업을 더욱 용이하게 행할 수 있게 된다. 이때, 점접착제층과 기재 사이 에 어긋남이 발생하게 되어, 점접착제층과 기재 사이의 접착력이 감소하고, 칩의 픽업성이 향상되기 때문이다. 또한, 점접착제층에 상기 에너지선 중합성 화합물(I)을 함유시키는 경우, 다이싱 후에 에너지선을 조사함으로써 픽업력을 저감시키거나, 또는, 다이싱 전에 에너지선을 조사함으로써 웨이퍼 고정기능과 다이 접착기능을 발휘시킬 수 있다.Subsequently, if necessary, when the adhesive sheet is expanded, the chip spacing is extended, so that the pick-up of the chip can be performed more easily. At this time, a deviation occurs between the adhesive layer and the base material, the adhesive force between the adhesive layer and the base material decreases, and the pick-up property of the chip is improved. In addition, in the case where the adhesive layer contains the energy ray-polymerizable compound (I), the pick-up force may be reduced by irradiating the energy ray after dicing, or by irradiating the energy ray before dicing. Adhesion can be exhibited.

이와 같이 하여 칩의 픽업을 행하면, 절단된 점접착제층을 칩 뒷면에 전사시켜서 기재로부터 박리할 수 있다.When the chip is picked up in this manner, the cut adhesive layer can be transferred to the back surface of the chip to be peeled off from the substrate.

본 발명의 점접착제 조성물은 전술한 바와 같이 실리콘 화합물(D)을 함유하고 있기 때문에, 픽업력이 낮고, 이 때문에 칩이 쪼개지거나 깨져 떨어지지 않고 칩으로서 높은 수율로 양품을 얻을 수 있다.Since the adhesive agent composition of this invention contains a silicone compound (D) as mentioned above, pick-up force is low and for this reason, a good product can be obtained with a high yield as a chip, without chip | cracking or chipping.

이어서 점접착제층을 매개로 칩을 기판의 다이 패드부 상에 올려놓는다. 다이 패드부는 칩을 올려놓기 전에 가열하거나 올려놓은 직후에 가열된다. 가열온도는 통상은 80~200℃, 바람직하게는 100~180℃이고, 가열시간은 통상은 0.1초~5분, 바람직하게는 0.5초~3분이며, 재치(載置)압력은 통상 1 kPa~200 MPa이다.The chip is then placed on the die pad portion of the substrate via the adhesive layer. The die pad portion is heated before or after placing the chip. The heating temperature is usually 80 to 200 ° C, preferably 100 to 180 ° C, and the heating time is usually 0.1 seconds to 5 minutes, preferably 0.5 seconds to 3 minutes, and the mounting pressure is usually 1 kPa. ˜200 MPa.

칩을 다이 패드부에 올려놓은 후, 필요에 따라 추가로 가열을 행해도 된다. 이 때의 가열조건은, 상기 가열온도의 범위이고, 가열시간은 통상 1~180분, 바람직하게는 10~120분이다.After placing a chip on a die pad part, you may heat further as needed. The heating conditions at this time are the range of the said heating temperature, and heating time is 1 to 180 minutes normally, Preferably it is 10 to 120 minutes.

또한, 올려놓은 후의 가열처리는 행하지 않고 가접착상태로 해두고, 후공정에서 행해지는 수지 봉지(封止)에서의 가열을 이용하여 점접착제층을 경화시켜도 된다.In addition, you may make it the temporary adhesive state, without performing the heat processing after mounting, and harden an adhesive agent layer using the heating in the resin sealing performed by a post process.

이와 같은 공정을 거침으로써, 점접착제층이 경화되어, 칩과 다이 패드부를 강고하게 접착할 수 있다. 점접착제층은 다이 본딩 조건하에서는 유동화되어 있기 때문에, 다이 패드부의 요철에도 충분히 채워 넣어져, 보이드의 발생을 방지할 수 있다.By passing through such a process, an adhesive agent layer hardens | cures and a chip and a die pad part can be adhere | attached firmly. Since the adhesive agent layer is fluidized under die bonding conditions, the unevenness of the die pad portion is also sufficiently filled, so that generation of voids can be prevented.

즉, 얻어지는 실장품에 있어서는 칩의 고착수단인 점접착제가 경화되고, 또한 다이 패드부의 요철에도 충분히 채워 넣어진 구성이 되기 때문에, 가혹한 조건하에 있어서도 충분한 반도체장치의 신뢰성과 보드 실장성이 달성된다.That is, in the obtained packaged product, the adhesive agent, which is a chip fixing means, is cured, and the concave and convexities of the die pad portion are sufficiently filled, so that sufficient semiconductor device reliability and board mountability are achieved even under severe conditions.

이와 같이 하여 칩을 기판에 접착한 후, 추가로 와이어 본딩이 행해지는 경우도 있다. 전술한 바와 같이 본 발명에서 사용되는 실리콘 화합물(D)은, 측쇄에 방향족 고리 함유기를 갖기 때문에, 에폭시 수지와의 상용성이 높아, 점접착제층의 외부로 배어나오거나 아웃가스로서 발생하기 어렵다. 따라서, 칩의 와이어 본딩 공정에서 와이어 패드부가 오염되지 않고, 안정된 와이어 본딩성이 실현된다.In this way, after bonding the chip to the substrate, wire bonding may be further performed. As mentioned above, since the silicone compound (D) used by this invention has an aromatic ring containing group in a side chain, it is high in compatibility with an epoxy resin, and it is hard to bleed out to an exterior of an adhesive agent layer, or to generate | occur | produce as an outgas. Therefore, the wire pad portion is not contaminated in the wire bonding step of the chip, and stable wire bonding property is realized.

또한, 본 발명의 점접착제 조성물 및 점접착 시트는, 상기한 바와 같은 사용방법 외에, 반도체 화합물, 유리, 세라믹스, 금속 등의 접착에 사용하는 것도 가능하다.Moreover, the adhesive agent composition and adhesive sheet of this invention can also be used for adhesion | attachment of a semiconductor compound, glass, ceramics, a metal, etc. other than the usage method as mentioned above.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples.

또한, 이하의 실시예 및 비교예에 있어서, 「픽업 하중 측정」, 「픽업 시험」 및 「와이어 풀 시험」은 다음과 같이 행하였다.In addition, in the following example and the comparative example, "pickup load measurement", "pickup test", and "wire pull test" were performed as follows.

「픽업 하중 측정」`` Pickup Load Measurement ''

6 인치 웨이퍼(두께; 350 ㎛, 뒷면; #2000 연삭)의 뒷면에, 실시예 및 비교예의 점접착 시트를 첩부하여, 상기 웨이퍼를 링 프레임(디스코사제 2-6-1)에 고정하고, 다이싱장치(디스코제; DFD651, 다이싱 블레이드; 디스코사제 27HECC)를 사용하여, 블레이드의 보내기속도를 50 mm/초, 회전 수 30000 rpm, 점접착 시트로의 컷팅량 50 ㎛의 조건에서 상기 웨이퍼를 5 mm□로 풀컷하였다.On the back side of a 6-inch wafer (thickness; 350 µm, back side; # 2000 grinding), the adhesive sheets of Examples and Comparative Examples were affixed to fix the wafer to a ring frame (2-6-1 manufactured by Disco), and The wafer was subjected to the use of a sawing device (Disco; DFD651, Dicing Blade; 27HECC, manufactured by Disco) under conditions of a blade feeding speed of 50 mm / sec, rotational speed of 30000 rpm, and an amount of cut to an adhesive sheet of 50 μm. Full cut to 5 mm square.

이것을 링 프레임의 내경(內徑)을 따라 웨이퍼 첩부면에 평행하게 전체적으로 12 mm 잡아늘여(익스팬드), 그 뒤쪽에서 푸시 풀 게이지(아이코사제 CPU 게이지)를 사용하여, 개편화된 칩을 눌러, 점접착층이 첩부된 상태로 칩이 박리되는데 필요한 힘을 30개분 측정하여, 그 평균을 구하였다.This is stretched 12 mm overall (expanded) parallel to the wafer abutment surface along the inner diameter of the ring frame, and the pushed gauge (a CPU gauge manufactured by Aiko Corporation) is pressed at the rear to press the separated chip, The force required for peeling a chip | tip in the state which affixed the adhesive bond layer was measured for 30 pieces, and the average was calculated | required.

「픽업 시험」`` Pickup Test ''

8 인치 웨이퍼(두께; 75 ㎛, 뒷면; 드라이폴리시)의 뒷면에 실시예 및 비교예의 점접착 시트를 첩부하고, 상기 웨이퍼를 링 프레임(디스코제 2-8-1)에 고정하여, 다이싱장치(디스코제; DFD651, 다이싱 블레이드; 디스코사제 27HECC)를 사용하여, 블레이드의 보내기속도 50 mm/초, 회전 수 30000 rpm, 점접착 시트로의 컷팅량 50 ㎛의 조건에서 상기 웨이퍼를 8 mm□로 풀컷함으로써 개편화(칩화)하였다.The dicing apparatus was affixed on the back of an 8-inch wafer (thickness; 75 µm, backside; dry polish), and the adhesive sheets of Examples and Comparative Examples were fixed to the ring frame (Disco 2-8-1). (Disco; DFD651, Dicing Blade; Disco Co., Ltd. 27HECC), the wafer was subjected to 8 mm square under a condition of a blade feeding speed of 50 mm / sec, a rotational speed of 30000 rpm, and an amount of cut to an adhesive sheet of 50 µm. It was separated into pieces (chips) by full-cutting.

이것을 풀 오토 다이 본더장치(캐논머시너리제; BESTEM-DOII)를 사용하여, 4 플러스 1핀의 밀어올림 지그와 중공 콜릿에 의해, 전체 핀 밀어올림량 600 ㎛, 밀어올림 스피드 10 mm/s로 각 20개 밀어올렸을 때, 칩이 들어올려지지 않고 장치가 정지하거나, 칩이 파손되어 버리는 불량이 발생하지 않고 칩을 픽업하여, 그 칩을 기판에 올려놓을 수 있었던 개수를 구하였다.By using a full auto die bonder (Canon Machinery; BESTEM-DOII), a 4 plus 1 pin push jig and a hollow collet are used for a total pin lift amount of 600 µm and a push speed of 10 mm / s. When each 20 pieces were pushed up, the chip was not lifted and the device stopped, or the chip was picked up without a defect that the chip was broken, and the number of chips that could be placed on the substrate was determined.

「와이어 풀 시험」`` Wire pool test ''

#2000 연마한 TEG 웨이퍼(히타치 ULSI 시스템제; PHASEO(폴리이미드 도포, 알루미늄 패드 개구부 80 ㎛□, 직경 150 mm, 두께 350 ㎛))의 연마면에, 실시예 및 비교예의 점접착 시트를 테이프 마운터(린텍사제; Adwill RAD2500)에 의해 첩부하고, 웨이퍼 다이싱용 링 프레임에 고정하였다. 이어서, 다이싱장치(디스코사제; DFD651, 다이싱 블레이드; 디스코사제 27HECC)를 사용하여, 블레이드의 보내기속도 50 mm/초, 회전 수 40,000 rpm, 점접착 시트로의 컷팅량 50 ㎛의 조건으로 상기 웨이퍼를 다이싱하고, 8.52 mm□ 사이즈의 칩을 얻었다.Tape-mounted adhesive adhesive sheets of Examples and Comparative Examples were polished on a polished surface of a # 2000 polished TEG wafer (manufactured by Hitachi ULSI system; PHASEO (polyimide coating, aluminum pad opening 80 μm □, diameter 150 mm, thickness 350 μm)) (Made by Lintec; Adwill RAD2500), it affixed and fixed to the ring frame for wafer dicing. Subsequently, using a dicing apparatus (Disco Co., Ltd .; DFD651, Dicing Blade; Disco Co., Ltd. 27HECC), the blade was subjected to a feed rate of 50 mm / sec, a rotational speed of 40,000 rpm, and a cut amount of 50 µm to the adhesive sheet. The wafer was diced to obtain a chip of 8.52 mm square size.

이것을, BT 수지(미쯔비시 가스화학 주식회사제; CCL-HL832HS)를 절연접착층으로서 사용하고, 동박 부착 적층 기판의 동박에 회로 패턴이 형성되고, 그 패턴 상에 솔더레지스트(다이요 잉크제 PSR4000 AUS303)를 가지고 있는 기판(히타치 ULSI 시스템제; 본딩 패드 Ni/Au 합금 0.4 ㎛)에, 풀 오토 다이 본더장치(캐논 머시너리제; BESTEM-DOII)를 사용하여 다이 본딩하였다.Using this, BT resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd .; CCL-HL832HS) as an insulating adhesive layer, a circuit pattern was formed on the copper foil of the laminated substrate with copper foil, and had a solder resist (PSR4000 AUS303 made by Daiyo Ink) on the pattern. The die-bonding was carried out to the board | substrate (made by Hitachi ULSI system; 0.4 micrometers of bonding pads Ni / Au alloy) using the full auto die bonder apparatus (made by Canon machine; BESTEM-DOII).

이것을 오븐에서 120℃에서 1시간, 추가로 140℃에서 1시간 열을 가하여 점접착제층을 열경화시킨 후, 와이어 본더((주)신카와제; UTC-470(φ25 ㎛ Au선 와이어, K&S사제; 486FC-2052-R34 캐필러리))를 사용하여 180℃, 10 밀리초간, 하중 25 gf, 초음파 출력 30 PLS로 칩과 기판 사이를 236개의 와이어로 본딩하여 칩과 기판을 접속하였다. 이 중 각각 20개에 대하여 와이어 중앙부분을 칩면에 대하여 수직방향으로 잡아당겨(와이어 풀 시험), 와이어가 파손되었을 때의 인장강도를 측정하 고, 또한 칩측의 접속부가 떨어지지 않고, 또한 와이어부가 파괴되어 인장강도가 7.0 gf 이상을 나타낸 와이어의 개수를 구하였다. 상기의 「와이어 중앙부분을 칩면에 대하여 수직방향으로 잡아당기는」모양을 도 1에 나타낸다.After heat-hardening an adhesive layer by applying this heat in oven at 120 degreeC for 1 hour, and further at 140 degreeC for 1 hour, the wire bonder (made by Shinkawa Co., Ltd .; UTC-470 (φ25 micrometer Au wire wire, the product made by K & S Corporation) 486FC-2052-R34 capillary)) was bonded at 180 ° C. for 10 milliseconds with a load of 25 gf and an ultrasonic output of 30 PLS using 236 wires to bond the chip and the substrate. For each of the 20 pieces, the wire center portion was pulled vertically with respect to the chip surface (wire pull test) to measure the tensile strength when the wire was broken, and the connection portion on the chip side did not fall, and the wire portion was broken. And the number of wires showing a tensile strength of 7.0 gf or more. The above-mentioned "pulling the wire center part in the vertical direction with respect to the chip surface" is shown in FIG.

또한, 실시예 및 비교예의 점접착 시트의 점접착제 조성물을 구성하는 각 성분은 하기와 같다.In addition, each component which comprises the adhesive agent composition of the adhesive sheet of an Example and a comparative example is as follows.

(A) 아크릴 중합체: 닛폰 합성화학공업 주식회사제, 코포닐 N-2359-6(Mw: 약 30만, Tg: -28℃)(A) Acrylic polymer: Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd. make, Coponyl N-2359-6 (Mw: about 300,000, Tg: -28 degreeC)

(B-1) 액상 에폭시 수지: 비스페놀 A형 에폭시 수지 20 phr 아크릴 입자 함유품(주식회사 닛폰쇼쿠바이: 에포세트 BPA328, 에폭시 당량 235 g/eq)(B-1) Liquid epoxy resin: Bisphenol A type epoxy resin 20 phr Acrylic particle-containing product (Nippon Shokubai Co., Ltd .: Eposet BPA328, Epoxy equivalent 235 g / eq)

(B-2) 고체 에폭시 수지: 비스페놀 A형 에폭시 수지(다이닛폰 잉크화학 주식회사: EPICRON 1050, 에폭시 당량 850 g/eq)(B-2) Solid epoxy resin: Bisphenol A type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .: EPICRON 1050, epoxy equivalent 850 g / eq)

(B-3) 고체 에폭시 수지: DCPD형 에폭시 수지(다이닛폰 잉크화학 주식회사: EPICRON HP-7200HH, 에폭시 당량 278 g/eq)(B-3) Solid epoxy resin: DCPD type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .: EPICRON HP-7200HH, epoxy equivalent 278 g / eq)

(C) 열경화제: 노볼락형 페놀 수지(쇼와 고분자 주식회사: 쇼우놀 BRG-556, 페놀성 수산기 당량 104 g/eq)(C) Thermosetting agent: novolak-type phenol resin (Showa Polymer Co., Ltd .: Shool BRG-556, phenolic hydroxyl equivalent 104 g / eq)

(D-1) 측쇄 알킬, 아랄킬 변성 실리콘 화합물(측쇄에 아랄킬기를 갖는 오르가노폴리실록산; 모멘티브·파포만스·마테리아루즈·쟈판 고도가이샤: XF42-334; 동점도(1,300 ㎟/s))(D-1) Side chain alkyl, an aralkyl modified silicone compound (Organopolysiloxane which has an aralkyl group in a side chain; Momentive performances material loose rouge Japan company: XF42-334; Kinematic viscosity (1,300 mm <2> / s))

(D-2) 무변성 실리콘 화합물(폴리디메틸실록산 모멘티브·파포만스·마테리아루즈·쟈판 고도가이샤: TSF-451-1000, 동점도(1,000 ㎟/s))(D-2) Unmodified Silicone Compound (Polydimethylsiloxane Momentive Performance Materia Rouge Japan High-Grade: TSF-451-1000, Kinematic Viscosity (1,000 mm 2 / s))

(E) 경화촉진제: 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(시코쿠 화성공업 주식회사: 큐어졸 2PHZ-PW)(E) Curing accelerator: 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd .: Cursol 2PHZ-PW)

(F) 실란 커플링제(미쯔비시 화학 주식회사제: MKC 실리케이트 MSEP2)(F) Silane coupling agent (Mitsubishi Chemical Corporation make: MKC silicate MSEP2)

(H) 실리카 충전재(주식회사 애드머텍스: 애드머파인 SC2050)(H) Silica filler (Admertex Co., Ltd .: Admerfine SC2050)

(I) 에너지선 중합성 화합물: 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트(닛폰 가야쿠 주식회사: KAYARAD R-684)(I) Energy-beam polymerizable compound: Dicyclopentadiene dimethoxy diacrylate (Nippon Kayaku Co., Ltd .: KAYARAD R-684)

(J) 광중합 개시제: α-히드록시시클로헥실페닐케톤(씨바·스페셜티·케미컬즈 주식회사제: 이루가큐어 184)(J) Photoinitiator: (alpha) -hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Siba Specialty Chemicals Corporation make: Irgacure 184)

또한, 점접착 시트의 기재로서는, 폴리프로필렌 필름(두께 100 ㎛, 표면장력 31 mN/m)을 사용하였다.As the base material of the adhesive sheet, a polypropylene film (thickness 100 m, surface tension 31 mN / m) was used.

(실시예 및 비교예)(Examples and Comparative Examples)

표 1 기재 조성의 점접착제 조성물을 사용하였다. 표 중, 수치는 불휘발성분 환산의 중량부를 나타낸다. 표 1 기재 조성의 점접착제 조성물을 실리콘처리된 박리 필름(린텍 주식회사제 SP-PET381031C) 상에 30 ㎛의 두께가 되도록 도포, 건조(건조조건 오븐에서 100℃, 1분간)한 후에 기재와 첩합(貼合)시켜, 점접착제층을 기재 상에 전사함으로써 점접착 시트를 얻었다.Table 1 The adhesive composition of the base material composition was used. In a table | surface, a numerical value shows the weight part of conversion of a nonvolatile matter. Table 1 The adhesive composition of the substrate composition was applied on a siliconized release film (SP-PET381031C manufactured by Lintec Co., Ltd.) to a thickness of 30 μm, dried (100 ° C. in a drying condition oven for 1 minute), and then bonded to the substrate ( The adhesive sheet was obtained by bonding together and transferring an adhesive layer onto a base material.

얻어진 점접착 시트를 사용하여, 상기 3종류의 시험을 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.The said three types of tests were done using the obtained adhesive sheet. The results are shown in Table 2.

Figure 112009018848440-PAT00010
Figure 112009018848440-PAT00010

Figure 112009018848440-PAT00011
Figure 112009018848440-PAT00011

본 발명의 점접착제 조성물을 이용한 점접착 시트에 의하면, 칩이 박형화된 경우에도, 픽업 공정에 있어서 칩이 쪼개지거나 깨져 떨어지지 않고 높은 수율로 양품을 얻을 수 있고, 또한 다이 본딩 후에 행해지는 와이어 본딩 공정에 있어서, 접착면 주변에 존재하는 와이어 패드부를 오염시키지 않고, 안정적으로 와이어를 접속할 수 있다. 이것에 의해 반도체장치로서 높은 수율로 양품을 얻을 수 있다.According to the adhesive sheet using the adhesive agent composition of this invention, even if a chip becomes thin, the wire bonding process performed after die bonding can obtain a good product with a high yield, without a chip being split or broken in a pick-up process. WHEREIN: A wire can be connected stably without polluting the wire pad part which exists in the periphery of an adhesive surface. Thereby, a good product can be obtained with a high yield as a semiconductor device.

또한 본 발명에 의하면 이 점접착 시트를 사용한 반도체장치의 제조방법이 제공된다.Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device using this adhesive sheet is provided.

도 1은 와이어 풀 시험에 있어서, 와이어 중앙부분을 칩면에 대하여 수직방향으로 잡아당기는 모양을 나타낸다.1 shows the shape of pulling the center of the wire in the direction perpendicular to the chip surface in the wire pull test.

Claims (7)

아크릴 중합체(A)와, 에폭시 수지(B)와, 열경화제(C)와, 실리콘 화합물(D)을 포함하는 점접착제 조성물로서,As an adhesive agent composition containing an acrylic polymer (A), an epoxy resin (B), a thermosetting agent (C), and a silicone compound (D), 상기 실리콘 화합물(D)이 측쇄로서 방향족 고리 함유기(반응성 유기 관능기를 제외한다)를 갖는 오르가노폴리실록산이고, 또한, 25℃에 있어서의 동점도가 50~100,000 ㎟/s인 것을 특징으로 하는 점접착제 조성물.The silicone compound (D) is an organopolysiloxane having an aromatic ring-containing group (excluding reactive organic functional groups) as a side chain, and has a kinematic viscosity at 25 ° C. of 50 to 100,000 mm 2 / s. Composition. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방향족 고리 함유기가 아랄킬기인 것을 특징으로 하는 점접착제 조성물.An adhesive composition, wherein said aromatic ring-containing group is an aralkyl group. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 열경화제(C)가, 페놀성 수산기 및/또는 아미노기를 갖는 열경화제인 점접착제 조성물.The adhesive agent composition whose said thermosetting agent (C) is a thermosetting agent which has a phenolic hydroxyl group and / or an amino group. 제1항 또는 제2항의 점접착제 조성물로 되는 점접착제층이, 기재 상에 형성되어 되는 점접착 시트.The adhesive sheet in which the adhesive agent layer which consists of an adhesive agent composition of Claim 1 or 2 is formed on a base material. 제3항의 점접착제 조성물로 되는 점접착제층이, 기재 상에 형성되어 되는 점 접착 시트.The adhesive agent layer in which the adhesive agent layer which consists of an adhesive agent composition of Claim 3 is formed on a base material. 제4항의 점접착 시트의 점접착제층에 반도체 웨이퍼를 첩착(貼着)하는 공정과,Bonding a semiconductor wafer to the adhesive layer of the adhesive sheet of claim 4, and 이 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 칩으로 하는 공정과,Dicing this semiconductor wafer into chips; 이 칩을, 그 뒷면에 상기 점접착제층을 전사시켜서 상기 점접착 시트의 기재로부터 박리하는 공정과,Peeling the chip from the base material of the adhesive sheet by transferring the adhesive layer to the back surface thereof; 박리된 칩을 다이 패드부 상에, 이 칩의 뒷면에 전사된 점접착제층을 매개로 열압착하는 공정Process of thermocompression bonding the peeled chip on the die pad part through the adhesive agent layer transferred to the back side of the chip 을 포함하는 반도체장치의 제조방법.Method for manufacturing a semiconductor device comprising a. 제5항의 점접착 시트의 점접착제층에 반도체 웨이퍼를 첩착하는 공정과,Bonding a semiconductor wafer to the adhesive layer of the adhesive sheet of claim 5; 이 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 칩으로 하는 공정과,Dicing this semiconductor wafer into chips; 이 칩을, 그 뒷면에 상기 점접착제층을 전사시켜서 상기 점접착 시트의 기재로부터 박리하는 공정과,Peeling the chip from the base material of the adhesive sheet by transferring the adhesive layer to the back surface thereof; 박리된 칩을 다이 패드부 상에, 이 칩의 뒷면에 전사된 점접착제층을 매개로 열압착하는 공정Process of thermocompression bonding the peeled chip on the die pad part through the adhesive agent layer transferred to the back side of the chip 을 포함하는 반도체장치의 제조방법.Method for manufacturing a semiconductor device comprising a.
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