KR20090103819A - 일체형의 헤어스프링 및 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 일체형의 헤어스프링(21, 21')에 관한 것으로, 상기 헤어스프링은 콜릿(27, 27') 상에 동축으로 장착된 밸런스 스프링(25, 25')을 포함하며 실리콘계 재료의 동일한 층에 제조된다. 본 발명에 따르면, 헤어스프링은 상기 헤어스프링의 동심 전개(concentric development)를 개선시키도록 실리콘계 재료의 상기 층 위에, 상기 밸런스 스프링의 외측 코일을 위한 높임 장치(2, 2')를 포함한다.

또한 본 발명은 이러한 타입의 헤어스프링을 포함하는 시계 및 상기 타입의 헤어스프링 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명은 시계 무브먼트 분야에 관한 것이다.

Description

일체형의 헤어스프링 및 이의 제조 방법{ONE-PIECE HAIRSPRING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 헤어스프링, 보다 구체적으로는 일체형으로 형성된 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 시계의 조정 부재는 밸런스로 불리는 관성 톱니바퀴 및 헤어스프링으로 불리는 공진기를 포함한다. 이 부품들은 시계의 작동 품질에 관해 결정적인 역할을 수행한다. 실질적으로 이들은 무브먼트를 조정하는데 이는 즉 무브먼트의 진동수를 제어한다는 의미이다.

상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링의 경우, 공진 조립에 대하여 결정적인 어려움 없이,다수의 재료들과 벙법들이 시험되어 왔다.

본 발명의 목적은, 열탄성계수가 조절될 수 있으며 조립 어려움을 최소화시키는 제조 방법을 사용하여 얻어지는 상승된 터미널 커브를 가진 일체형의 헤어스프링을 제공하여, 이전에 언급된 결점들 모두 또는 일부분을 극복하는데 있다.

따라서 본 발명은 일체형의 헤어스프링에 관한 것으로, 상기 일체형의 헤어스프링은 콜릿 상에 동축으로 장착된 밸런스 스프링을 포함하며 실리콘계 재료의 동일한 층에 제조되고, 상기 일체형 헤어스프링은 상기 헤어스프링의 동심 전개(concentric development)를 개선시키기 위하여 실리콘계 재료의 상기 층 위에, 상기 밸런스 스프링의 외측 코일을 높이거나 또는 상승시키는 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 유리한 양태들에 따르면,

-높임 장치는 실리콘계 재료의 제 2층에 제조된, 밸런스 스프링의 외측 코일을 연결하기 위한 높임 수단을 포함하며,

-높임 장치는, Breguet® coil을 형성하는, 실리콘계 재료의 제 3층에 형성되고 상기 높임 수단에 연결된 끝 부분 커브를 가지고,

-끝 부분 커브는 Phillips curve이며,

-콜릿은 상기 헤어스프링의 안내(guiding)를 개선시키도록 상기 밸런스 스프링으로부터 돌출하는 하나의 연장된 부분을 포함하고,

-높임 장치는 이중 밸런스 스프링(double balance spring)을 직렬로 형성하기 위하여 실리콘계 재료의 제 3층에 형성되고 상기 높임 수단에 연결된, 제 2 콜릿 상에 동축으로 장착된 제 2 밸런스 스프링을 포함하며,

-헤어스프링은, 상기 헤어스프링이 보다 큰 기계적 저항력을 가지게 만들도록 그리고 상기 헤어스프링의 열탄성계수를 조절하도록, 실리콘 다이옥사이드로 제조된 적어도 하나의 부분을 포함하고,

-적어도 하나의 콜릿은 실리콘계 재료들로 제조된 내측 직경들이 손상되는 것을 피하도록 아버가 내부로 이동되는(driven) 한 금속 부분(29, 31)을 가지며,

-적어도 하나의 내부 밸런스 스프링 코일은 상기 헤어스프링의 동심 전개를 개선시키도록 Grossmann curve를 가진다.

보다 일반적으로, 본 발명은 시계에 관한 것으로, 이 시계는 앞에서 언급한 변형예들 중 어느 한 변형예를 따르는 일체형의 헤어스프링을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 다음의 단계들을 포함하는 헤어스프링 제조 방법에 관한 것으로, 이 제조 방법은,

a)실리콘계 재료들로 제조된 최상측층과 바닥층을 포함하는 기판을 제공하는 단계를 포함하며,

b)실리콘계 재료로 제조된, 상기 헤어스프링의 높임 수단을 결정(define)하기 위하여 최상측층에서 적어도 하나의 공동을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하고,

c)실리콘계 재료의 추가층을 기판의 에칭된 최상측층에 접합(joining)시키는 단계를 포함하며,

d)실리콘계 재료로 제조된, 상기 헤어스프링의 콜릿과 밸런스 스프링의 패턴을 결정하기 위하여 그리고 높임 수단의 패턴을 지속시키기 위하여 추가층에서 적어도 하나의 공동을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하고,

이 제조 방법은 추가적으로,

e)끝 부분 코일의 패턴을 결정하기 위하여 그리고 높임 수단의 패턴을 지속시키기 위하여 바닥층에서 적어도 하나의 공동을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하며,

f)기판으로부터 헤어스프링을 구속해제시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 유리한 그 외의 다른 양태들에 따르면,

-d)단계에서 콜릿과 밸런스 스프링의 에칭가공(etch)은 e)단계에서 끝 부분 커브의 에칭가공과 상반되며(reversed),

-콜릿의 연장된 부분의 패턴이 실리콘계 재료의 그 외의 다른 층들 중 적어도 한 층에서 에칭되고,

-e)단계 동안 에칭된 끝 부분 커브의 패턴은 이중 밸런스 스프링을 직렬로 형성하도록 제 2 콜릿과 제 2 밸런스 스프링의 패턴들로 대체되며(replaced),

-밸런스 스프링을 에칭하는 단계 뒤에, 일체형 헤어스프링 제조 방법은,

g)상기 밸런스 스프링이 보다 큰 기계적 저항력을 가지게 만들도록 그리고 상기 밸런스 스프링의 열탄성계수를 조절하도록, 실리콘계 재료로 제조된 밸런스 스프링을 산화시키는 단계를 포함하며,

-e)단계 전에, 일체형 헤어스프링 제조 방법은,

h)콜릿 상에서 금속 부분의 패턴을 결정하기 위하여 적어도 하나의 금속층을 바닥층 상에 선택적으로 증착시키는 단계를 포함하고,

-h)단계는,

i)내부로 이동되는(driven) 아버를 수용하기 위한 금속 부분을 형성하도록, 적어도 부분적으로 바닥층의 표면 위에서 연속 금속층(successive metal layer)들로 상기 증착부(deposition)를 성장시키는 단계를 포함하며,

-h)단계는,

j)금속 부분을 수용하기 위하여 바닥층에서 적어도 하나의 공동을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하고,

k)아버가 내부로 이동되는(driven) 금속 부분을 형성하도록, 적어도 부분적으로 상기 적어도 하나의 공동 내에서 연속 금속층들로 상기 증착부를 성장시키는 단계를 포함하며,

-h)단계는 마지막 단계인

l)금속 증착부를 폴리싱하는 단계를 포함하고,

-몇몇 헤어스프링들은 동일한 기판 위에서 제조된다.

본 제조 방법에 따르면, 바닥층이 에칭됨에 따라 공동의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 될 수 있다.

본 제조 방법에 따르면, 전기도금으로 얻어진 실린더에 따라 상기 실린더의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 될 수 있다. 따라서 특히 내측 직경은 반드시 원형일 필요가 없지만 예를 들어 다각형 형태가 되며, 이에 따라 일치하는 형태의 아버와 회전하는 응력 전달을 개선시킬 수 있다.

본 제조 방법에 따르면, 헤어스프링의 제조 동안 고정된 요소들 상에서 직접적으로 조립되기 때문에 부분들을 형성하는데 관하여 더 이상 어떠한 문제도 발생하지 않는다.

그 외의 다른 특징들과 양태들은 첨부된 도면들을 참조하여 비제한적인 예시방법으로 하기 설명으로부터 보다 명확하게 나타날 것이다.

도 1 내지 도 5는 본 발명에 따른 제조 방법을 도시한 연속적인 도면.

도 6내지 도 8은 대안의 실시예들의 연속 단계들을 도시한 도면.

도 9는 본 발명에 따른 제조 방법의 플로차트.

도 10과 도 11은 본 발명에 따른 일체형의 헤어스프링을 도시한 투시도.

도 12는 본 발명의 변형예에 따른 헤어스프링을 도시한 투시도.

본 발명은 시계 무브먼트를 위한 높여진 또는 상승된 터미널 커브(terminal curve)를 가진 일체형 헤어스프링(21, 21') 제조 방법에 관한 것으로, 이 제조 방법은 전체적으로 도면부호 1로 표시된다. 도 1 내지 도 9에 예시된 바와 같이, 제조 방법(1)은 전체적으로 실리콘계 재료들로 형성될 수 있는, 적어도 한 가지 타입의 헤어스프링을 형성하기 위한 연속적 단계들을 포함한다.

도 1과 도 9를 참조하면, 제 1 단계(100)는 실리콘 온 인슐레이터(silicon-on-insulator, SOI) 기판(3)을 제공하는 단계로 구성된다. 기판(3)은 각각 실리콘계 재료로 형성된 최상측층(5)과 바닥층(7)을 포함한다.

바람직하게, 상기 단계(100)에서, 기판(3)은 바닥층(7)의 높이가 최종 헤어스프링(21)의 한 부분의 높이와 일치되도록 선택된다.

바람직하게, 최상측층(5)은 바닥층(7)에 대해 공간형성 수단(spacing means)으로서 사용된다. 이에 따라, 최상측층(5)의 높이는 상승된 터미널 코일(21, 21')을 가진 헤어스프링의 형상(configuration)에 따라 적합하게 될 것이다.

도 2에 도시된 제 2 단계(101)에서, 공동(8)은 실리콘계 재료의 최상측층(5)에서 예를 들어 반응성 이온 에칭(deep reactive ionic etch, DRIE) 공정으로 선택적으로 에칭된다. 바람직하게, 상기 공동(8)은 헤어스프링(21, 21')의 높임 장치(elevation device, 2)에 속한 실리콘 부분의 내부 및 외부 윤곽들을 결정하는 패턴(6)을 형성한다.

도 10과 도 11에 예시된 제 1 변형예에서, 패턴(6)은 헤어스프링(21)의 높임 장치(2)의 높임 수단(elevation means, 4)의 중앙 부분(median part)을 형성한다. 도 2에 예시된 바와 같이, 패턴(6)은 대략 만곡된 직사각형 판 형태를 가진다. 하지만, 유리하게 본 제조 방법(1)에 따르면, 최상측층(5) 상에 에칭됨으로써 패턴(6)의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 된다. 따라서 이 패턴이 반드시 직사각형일 필요가 없지만, 예를 들어 사다리꼴이 될 수 있다.

도 12에 예시된 제 2 변형예에서, 패턴(6)은 헤어스프링(21')의 높임 장치(2')의 높임 수단(4')의 중간 부분(intermediate part)을 형성한다. 도 2에 예시된 바와 같이, 패턴(6)은 대략 만곡된 직사각형 판 형태를 가진다. 하지만, 유리하게 본 제조 방법(1)에 따르면, 최상측층(5) 상에 에칭됨으로써 패턴(6)의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 된다. 따라서 이 패턴이 반드시 직사각형일 필요가 없지만, 예를 들어 완전한 링(ring) 형태가 될 수 있다.

바람직하게, 도 10과 도 11의 제 1 변형예를 위하여, 패턴(6)과 완전히 다른 패턴(9)을 형성하도록 단계(101) 동안 또 다른 공동(10)이 에칭될 수 있으며, 이 패턴(9)은 헤어스프링(21)의 콜릿(27)에 속한 실리콘 부분의 각각의 내부 및 외부 윤곽들을 결정한다.

따라서 도 10과 도 11에 예시된 예에서, 패턴(9)은 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링(21)의 콜릿(27)의 중앙 부분을 형성한다. 도 2에 예시된 바와 같이, 패턴(9)은 원형 섹션을 가진 대략 원통형 형태를 가진다. 하지만, 유리하게 본 제조 방법(1)에 따르면, 최상측층(5) 상에 에칭됨으로써 패턴(9)의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 된다. 따라서 이 패턴이 반드시 원형일 필요가 없지만, 예를 들어 타원형이 될 수 있고 및/또는 비원형 내측 직경을 가질 수 있다.

바람직하게, 단계(101) 동안, 제조 동안 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링(21, 21')을 기판(3) 위에 고정시키기 위하여 적어도 하나의 재료의 브리지(16)가 제조된다. 도 2에 예시된 예에서, 재료의 브리지(16)가 패턴(6)의 주 표면들 중 한 표면과 에칭되지 않은 층(5)의 잔여부 사이에 형성된 것을 볼 수 있다.

도 3에 도시된 제 3 단계(102)에서, 실리콘계 재료의 추가층(11)이 기판(3)에 추가된다. 바람직하게, 이 추가층(11)은 실리콘 융합 접합(silicon fusion bonding, SFB)으로 최상측층(5)에 고정된다. 따라서 유리하게 단계(102)는 매우 높은 수준의 점착력(adherence)으로 패턴(6 및 가능하게는 9)의 최상측면을 추가층(11)의 바닥면에 접합시킴으로써 최상측층(5)을 덮는다(cover).

도 4에 도시된 제 4 단계(103)에서, 공동(18 및 20)들은 예를 들어 단계(101)의 공정과 유사한 DRIE 공정으로 실리콘 추가층(11)에서 선택적으로 에칭된다. 이 공동(18 및 20)들은 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링(21, 21')의 실리콘 부분들의 내부 및 외부 윤곽들을 결정하는 3개의 패턴(17, 19 및 24)들을 형성한다.

도 4에 예시된 예에서, 패턴(17)은 원형 섹션을 가진 대략 원통형으로 구성되며 패턴(19)은 대략 나선형 형태를 가진다. 하지만, 유리하게 본 제조 방법(1)에 따르면, 추가층(11) 상에 에칭됨으로써 패턴(17 및 19)들의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 될 수 있다. 따라서 특히 패턴(19)은 EP 특허 1 612 627호에 설명된 바와 같이 상기 패턴의 동심 전개(concentric development)를 개선시키는 Grossmann curve를 포함하는 내부 코일 또는 그 보다 많은 코일들을 가질 수 있으며, 상기 특허는 본 명세서에서 참조문헌으로서 통합된다.

바람직하게, 도 10과 도 11의 제 1 변형예를 위하여, 추가층(11)에 형성된 패턴(17)은 최상측층(5)에 형성된 패턴(9)과 유사한 형태로 구성되고 상기 패턴(9)과 수직으로 배열된다(plumb with). 이는 패턴(17 및 9)들의 내측 직경을 각각 형성하는 공동(18 및 10)들이 서로 연결소통되며(communicate with) 대략 한 공동이 다른 공동 위에 배열되는 것을 의미한다. 도 10과 도 11에 예시된 예에서, 패턴(9 및 17)들은 각각 헤어스프링(21)의 콜릿(27)의 상측 부분 및 중앙 부분을 형성한다.

유리하게, 패턴(17 및 19)들이 동시에 에칭되기 때문에 이들은 추가층(11)에서 일체형 부분을 형성한다. 도 10과 도 11에 예시된 제 1 변형예에서, 패턴(17 및 19)들은 각각 콜릿(27)의 하측 부분 및 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링(21)의 밸런스 스프링(25)을 형성한다. 도 12에 예시된 제 2 변형예에서, 패턴(17 및 19)는 각각 제 1 콜릿(27') 및 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링(21')의 제 1 밸런스 스프링(25')을 형성한다.

바람직하게, 추가층(11)에 형성된 패턴(24)은 최상측층(5)에 형성된 패턴(6)과 유사한 형태로 구성되고 상기 패턴(6)과 수직으로 배열된다(plumb with). 도 10과 도 11에 예시된 제 1 변형예에서, 패턴(6 및 24)들은 각각 헤어스프링(21)의 높임 장치(2)의 높임 수단(4)의 상측 부분 및 중간 부분을 형성한다.

도 12에 예시된 제 2 변형예에서, 패턴(6 및 24)들은 각각 헤어스프링(21')의 높임 장치(2')의 높임 수단(4')의 상측 부분 및 중간 부분을 형성한다. 물론 이와 유사하게, 재료의 브리지(16)의 패턴은 단계(103) 동안 추가층(11) 내로 연장될 수 있다.

상기 제 4 단계(103) 뒤에, 추가층(11)에서 에칭된 패턴(17, 19 및 24)들은 높은 수준의 접착력으로 패턴(24)의 바닥에 의해 최상측층(5)에 에칭된 패턴(6) 위로 연결되는 것은 자명하다.

바람직하게, 도 9에서 점선들로 표시된 바와 같이, 본 제조 방법(1)은, 상기 제 1 밸런스 스프링이 보다 큰 기계적 저항력을 가지게 만들도록 그리고 상기 밸런스 스프링의 열탄성계수를 조절하도록, 적어도 패턴(19)을 즉 헤어스프링(21, 21')의 밸런스 스프링(25, 25')을 산화시키는 단계로 구성된 제 5 단계(104)를 포함할 수 있다. 이 산화 단계는 본 명세서에서 참조문헌으로 통합된 EP 특허 1 422 436호에서 설명된다.

유리하게, 본 발명에 따르면, 제 4 단계(103) 뒤에, 또는 바람직하게는 제 5 단계(104) 뒤에, 본 제조 방법(1)은 도 9에 예시된 바와 같이 3개의 실시예(A, B 및 C)를 포함할 수 있다. 하지만, 이들 3개의 실시예(A, B 및 C)들은 각각 동일한 최종 단계(106)에서 끝나며, 이 최종 단계는 상승된 터미널 커브를 가진 제조된 헤어스프링(21, 21')을 기판(3)으로부터 구속해제 시키는 단계로 구성된다.

유리하게, 상기 구속해제 단계(106)는 재료의 브리지(16)들을 차단(break)하기 위하여 헤어스프링(21, 21')에 충분한 힘을 가함으로써 간단하게 구현될 수 있다. 이 힘은 예를 들어 운영자에 의해 수동식으로 또는 기계가공(machining)에 의해 발생될 수 있다.

제 1 실시예(A)에 따르면, 제 6 단계(105)에서, 공동(12 및 14)들은 예를 들어 단계(101 및 103)의 공정과 유사한 DRIE 공정으로 실리콘계 재료의 바닥층(7)에서 선택적으로 에칭된다. 이 공동(12 및 14)들은 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링(21, 21')의 실리콘 부분들의 내부 및 외부 윤곽들을 결정하는 3개의 패턴(13, 15 및 22)들을 형성한다.

도 5에 예시된 제 1 변형예에서, 패턴(13)은 원형 섹션을 가진 대략 원통형으로 구성되며 패턴(15)은 대략 나선형 형태를 가진다. 게다가, 패턴(22)은 만곡된 직사각형 판 형태를 가진다. 하지만, 유리하게 본 제조 방법(1)에 따르면, 바닥층(7)에서 에칭됨으로써 패턴(13, 15 및 22)들의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 된다. 따라서 특히 패턴(15)은 예컨대 보다 많은 코일들을 포함할 수 있다.

바람직하게, 도 10과 도 11의 제 1 변형예를 위하여, 바닥층(7)에 형성된 패턴(13)은 최상측층(5)과 추가층(11)에 형성된 패턴(9 및 17)들과 유사한 형태로 구성되고 상기 패턴(9 및 17)들과 실질적으로 수직으로 배열된다. 이는 패턴(13, 9 및 17)들의 내측 직경들을 각각 형성하는 공동(12, 10 및 18)들이 서로 연결소통되며 대략 한 공동이 다른 공동 위에 배열되는 것을 의미한다. 도 10과 도 11에 예시된 제 1 변형예에서, 패턴(17, 9 및 13)들은 각각 헤어스프링(21)의 콜릿(27)의 상측 부분, 중앙 부분 및 하측 부분을 형성한다.

바람직하게, 도 12의 제 2 변형예를 위하여, 바닥층(7)에 형성된 패턴(13)은 최상측층(5)에 형성된 패턴(17)과 유사한 형태로 구성되고 상기 패턴(17)과 실질적으로 수직으로 배열된다. 이는 패턴(13 및 17)들의 내측 직경들을 각각 형성하는 공동(12 및 18)들이 연속적(contiguous)으로 배열되지 않고 대략 한 공동이 다른 공동 위에 배열되는 것을 의미한다. 도 12에 예시된 제 2 변형예에서, 패턴(17 및 13)들은 각각 이중 직렬(double series) 헤어스프링(21')의 제 1 콜릿(27') 및 제 2 콜릿(27")을 형성한다.

바람직하게, 바닥층(7)에 형성된 패턴(22)은 최상측층(5)에 형성된 패턴(6)과 유사한 형태로 구성되고 상기 패턴(6)과 실질적으로 수직으로 배열된다. 도 10과 도 11에 예시된 제 1 변형예에서, 패턴(22, 6 및 24)들은 각각 헤어스프링(21)의 높임 장치(2)의 높임 수단(4)의 하측 부분, 중간 부분 및 상측 부분을 형성한다. 도 12에 예시된 제 2 변형예에서, 패턴(22, 6 및 24)들은 각각 헤어스프링(21')의 높임 장치(2')의 높임 수단(4')의 하측 부분, 중간 부분 및 상측 부분을 형성한다. 물론, 재료의 브리지(16)의 패턴은 단계(105) 동안 바닥층(7) 내로 연장될 수 있다.

게다가, 바람직하게, 도 10과 도 11의 제 1 변형예를 위하여, 패턴(15)은 Phillips 헤어스프링의 기준을 충족시키도록 제조된다. 따라서 유리하게, 패턴(22 및 15)들이 동시에 에칭되기 때문에, 이에 따라 이 패턴들은 바닥층(7)에서 일체형 부분을 형성한다. 도 10과 도 11에 예시된 제 1 변형예에서, 패턴(22 및 15)들은 각각 높임 수단(4)의 하측 부분 및 헤어스프링(21)의 높임 장치(2)의 터미널 커브(23)를 형성한다.

최종적으로 바람직하게, 도 12의 제 2 변형예를 위하여, 패턴(15)은 단계(103) 동안 형성된 패턴(19)과 유사한 방식으로 형성된다. 따라서 유리하게, 패턴(13, 22 및 15)들이 동시에 에칭되기 때문에, 이에 따라 이 패턴들은 바닥층(7)에서 일체형 부분을 형성한다. 도 12에 예시된 제 2 변형예에서, 패턴(22, 15 및 13)들은 각각 높임 수단(4')의 하측 부분, 높임 장치(2')의 제 2 밸런스 스프링(23') 및 직렬로 배열된 이중 밸런스 스프링(21')의 제 2 콜릿(27")을 형성한다. 유리하게, 본 제조 방법(1)에 따르면, 바닥층(7) 상에 에칭됨으로써 패턴(15)의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 될 수 있다. 따라서 예컨대 패턴(15)은 EP 특허 1 612 627호에 설명된 바와 같이 상기 패턴의 동심 전개를 개선시키기 위한 Grossmann curve를 포함하는 내부 코일 또는 그 보다 많은 코일들을 가질 수 있으며, 상기 특허는 본 명세서에서 참조문헌으로서 통합된다.

따라서 위에서 설명한 최종 단계(106) 뒤에, 제 1 실시예(A)는 도 10과 도 11 또는 도 12에 도시된 바와 같이 오로지 실리콘계 재료들로 형성된, 상승된 터미널 커브를 가진 일체형의 헤어스프링(21 또는 21')을 제조한다. 이에 따라 헤어스프링(21 또는 21')의 제조 동안 고정된 요소들 상에서 직접적으로 조립되기 때문에 부분들을 형성하는데 관하여 더 이상 어떠한 문제도 발생하지 않을 것이라는 것은 자명하다.

도 10과 도 11에 예시된 제 1 변형예에서, 헤어스프링(21)은 콜릿(27)에 동축으로 연결된 밸런스 스프링(25)을 포함하며, 이 밸런스 스프링의 외측 코일은 높임 수단(4)과 터미널 커브(23)로서 작용하는 3개의 층(11, 5, 7)들에 에칭된 직사각형 판을 주로 포함하는 높임 장치(2)를 가진다. 도 10과 도 11에 도시된 바와 같이, 이에 따라 얻어진 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링(21)은 Breguet® 형상을 가진다. 유리하게 본 발명에 따르면, 콜릿(27)도 또한 헤어스프링(21)의 안내를 개선시키는 3개의 층(11, 5, 7)들에 에칭됨을 유의해야 할 것이다. 게다가, 밸런스 스프링(25)의 내측 코일(26)은 상기 밸런스 스프링의 동심 전개를 개선시키기 위하여 Grossmann curve를 가진다.

추가적으로, 본 제조 방법(1)의 단계(103 및 105)들에서 에칭됨에 따라 터미널 커브(23), 밸런스 스프링(25), 높임 수단(4) 및 콜릿(27)의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 된다. 따라서, 특히 밸런스 스프링(25), 높임 수단(4) 및 터미널 커브(23) 사이의 연속성(continuity)은 서로 다른 기하학적 형상을 가질 수 있다.

동일한 이유에 따라서, 콜릿(27)은 바닥 부분, 중앙 부분 및/또는 최상측 부분(13, 9 및 7)들 중 적어도 한 부분 위에서 일정하게 독특하거나 또는 서로 다른 치수 및/또는 기하학적 형상들을 가질 수 있다. 실질적으로, 콜릿(27)이 장착되는 아버에 기초하여, 내측 직경은 콜릿(27)의 모든 높이 또는 콜릿 높이의 일부분에 걸쳐 상호 보완적인 형태를 가질 수 있다. 유사한 방식으로, 내측 및/또는 외측 직경들은 반드시 원형일 필요는 없지만 예를 들어 타원형 및/또는 다각형이 될 수 있다.

또한 매우 우수한 구조적 정확성을 가진 반응성 이온 에칭이 밸런스 스프링(25)의 시작 반경(start radius) 즉 콜릿(27)의 외측 직경을 감소시키며, 이는 콜릿(27)의 내측 및 외측 직경들이 최소화될 수 있는 것을 의미함을 유의해야 한다. 따라서 유리하게 헤어스프링(21)은 공동(18, 10 및 12)들을 통해 현재 통상적으로 제조되는 것보다 더 작은 직경을 가진 아버를 수용할 수 있는 것은 자명하다.

바람직하게, 상기 아버는 콜릿들 중 한 콜릿(27)의 내측 직경(18 및/또는 10 및/또는 12)에 고정될 수 있다. 예를 들어 실리콘계 재료로 제조된 콜릿(27)에 에칭된 탄성 수단(resilient means)으로 콜릿이 가볍게 만들어 수 있다. 실리콘 콜릿(27' 또는 27")에 에칭된 탄성 수단을 사용하여 아버가 죄어질 수 있다. 이러한 탄성 수단은 예를 들어 EP 특허 1 655 642호의 도 10A 내지 도 10E에 개시된 것들의 형태 또는 EP 특허 1 584 994호의 도 1, 도 3 및 도 5에 개시된 것들의 형태를 가질 수 있으며, 이 특허들은 본 명세서에서 참조문헌들로서 통합된다.

도 12에 예시된 제 2 변형예에서, 헤어스프링(21')은 콜릿(27')에 동축으로 연결된 제 1 밸런스 스프링(25')을 포함하며, 이 제 1 밸런스 스프링의 외측 코일은 높임 수단(4'), 제 2 밸런스 스프링(23') 및 제 2 콜릿(27")으로서 작용하는 3개의 층(11, 5, 7)들에 에칭된 직사각형 판을 주로 포함하는 높임 장치(2')를 가진다. 도 12에 도시된 바와 같이, 이에 따라 얻어진 헤어스프링(21')은 이중 직렬 헤어스프링 형상을 가진다.

추가적으로, 본 제조 방법(1)의 단계(103 및 105)들에서 에칭됨에 따라 밸런스 스프링(25' 및 23'), 높임 수단(4') 및 콜릿(27' 및 27")들의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 된다. 따라서, 특히 밸런스 스프링(25', 23')과 높임 수단(4') 사이의 연속성은 서로 다른 기하학적 형상을 가질 수 있다. 또한 이전의 변형예에서와 같이, 각각의 코일의 동심 전개를 개선시키기 위하여 각각의 밸런스 스프링(25' 및 23')들의 내부 코일들이 Grossmann curve를 가질 수 있는 것을 고려해 보는 것도 가능하다.

동일한 이유에 따라서, 콜릿(27' 및 27")도 또한 독특하거나 또는 서로 다른 치수 및/또는 기하학적 형상들을 가질 수 있다. 실질적으로, 콜릿(27', 27")이 함께 장착되는 아버에 기초하여, 상기 콜릿의 내측 직경이 상호 보완적인 형태를 가질 수 있다. 유사한 방식으로, 각각의 콜릿(27', 27")의 내측 및/또는 외측 직경들은 반드시 원형일 필요는 없지만 예를 들어 타원형 및/또는 다각형이 될 수 있다.

또한 매우 우수한 구조적 정확성을 가진 반응성 이온 에칭이 각각의 밸런스 스프링(25' 및 23')의 시작 반경 즉 콜릿(27' 및 27")의 외측 직경을 감소시키며, 이는 콜릿(27' 및 27")의 내측 및 외측 직경들이 최소화될 수 있는 것을 의미함을 유의해야 한다. 따라서 유리하게 헤어스프링(21')은 공동(18 또는 12)들을 통해 현재 통상적으로 제조되는 것보다 더 작은 직경을 가진 아버를 수용할 수 있는 것은 자명하다.

바람직하게, 상기 아버는 콜릿(27', 27")들 중 한 콜릿의 내측 직경(18 및/또는 12)에 고정될 수 있다. 그 외의 다른 콜릿은 스프렁 밸런스 바(sprung balance bar) 위에 또는 밸런스 위에 장착될 수 있다. 실리콘 콜릿(27' 또는 27")에 에칭된 탄성 수단을 사용하여 아버가 죄어질 수 있다. 이러한 탄성 수단은 예를 들어 EP 특허 1 655 642호의 도 10A 내지 도 10E에 개시된 것들의 형태 또는 EP 특허 1 584 994호의 도 1, 도 3 및 도 5에 개시된 것들의 형태를 가질 수 있으며, 이 특허들은 본 명세서에서 참조문헌들로서 통합된다.

제 2 실시예(B)에 따르면, 단계(103 또는 104) 뒤에, 본 제조 방법(1)은 도 6에 도시된 바와 같이 LIGA 공정(독일 "rntgenLIthographie, Galvanoformung & Abformung"으로부터의)을 실행하는 단계로 구성된 제 6 단계(107)를 포함한다. 이 공정은 광구조화된 수지(photostructured resin)를 사용하여 금속을 특정 형태로 기판(3)의 바닥층(7) 위에 전기도금하기 위한 일련의 단계들을 포함한다. 이 LIGA 공정은 잘 알려져 있기 때문에 여기서는 보다 자세하게 기술되지 않을 것이다. 바람직하게, 증착된 금속은 예를 들어 금 또는 니켈 또는 이 금속들의 합금이 될 수 있다.

도 6에 예시된 예에서, 단계(107)는 실린더(29)를 증착시키는 단계로 구성될 수 있다. 도 6에 예시된 예에서, 유리하게 실린더(29)는 내부로 이동되는 아버를 수용하기 위함이다. 사실상, 실리콘의 한 결점은 실리콘이 매우 작은 탄성 및 소성 영역들을 가지며 이에 따라 실리콘이 매우 잘 부서진다는 데 있다. 따라서 본 발명은, 콜릿(27, 27' 또는 27")의 실리콘에 대해서가 아니라 단계(107) 동안 전기도금되는 금속 실린더(29)의 내측 직경(28) 상에, 아버 예를 들어 밸런스 스태프(balance staff)를 죄는 것을 제안한다.

유리하게, 본 제조 방법(1)에 따르면, 전기도금에 의해 얻어진 실린더(29)에 따라 이 실린더의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 될 수 있다. 따라서, 특히 내측 직경(28)은 반드시 원형일 필요가 없지만 예를 들어 다각형 형태가 되며, 이에 따라 일치하는 형태의 아버와 회전하는 응력 전달(transmission of stress)을 개선시킬 수 있다.

도 5에 도시된 단계(105)와 유사한 제 7 단계(108)에서, 공동들은 예를 들어 DRIE 방법으로 실리콘계 재료의 바닥층(7)에 선택적으로 에칭된다. 이 공동들에 따라 패턴들은 두 변형예들 중 한 변형예에 따른 제 1 실시예(A)의 패턴(13, 15 및 22)들과 유사하게 형성될 수 있다.

위에서 설명한 최종 단계(106) 뒤에, 제 2 실시예(B)는, 금속 부분(29)을 추가하여, 실시예(A)와 동일한 이점들을 가진 실리콘계 재료들로 형성된, 상승된 터미널 커브를 가진 일체형의 헤어스프링을 제조한다. 따라서 헤어스프링(21 또는 21')의 제조 동안 직접적으로 고정된 요소들 상에 형성되기 때문에 부분들을 형성하는데 관하여 더 이상 어떠한 문제도 발생하지 않을 것이라는 것은 자명하다. 유리하게, 아버는 금속 부분(29)의 내측 직경(28)에 대해 반대로 이동될 수 있다. 따라서 아버가 콜릿(27, 27' 또는 27")과 접촉하도록 가압되어 끼워맞춤되는 것을 방지하기 위하여, 금속 부분(29)의 내측 직경(28)의 치수보다 더 큰 치수들의 섹션들을 포함하는 변형예에 따른 공동(12 및 10)들을 고려해 볼 수 있다.

제 3 실시예(C)에 따르면, 단계(103 또는 104) 뒤에, 본 제조 방법(1)은 도 7에 도시된 제 6 단계(109)를 포함하는데, 이 제 6 단계는 예를 들어 DRIE 공정으로 실리콘계 재료의 바닥층(7)에 제한된 깊이로 공동(30)을 선택적으로 에칭하는 단계로 구성된다. 상기 공동(30)은 금속 부분을 위한 용기로 사용될 수 있는 리세스를 형성한다. 도 7에 예시된 예에서와 같이, 얻어진 공동(30)은 디스크(disc)의 형태를 취할 수 있다. 하지만 유리하게 본 제조 방법(1)에 따르면, 바닥층(7)이 에칭됨에 따라 공동(30)의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 될 수 있다.

도 7에 예시된 바와 같이, 제 7 단계(110)에서, 본 제조 방법(1)은 특정 금속 형태에 따라 공동(30)을 채우기 위하여 갈바닉 성장(galvanic growth) 또는 LIGA 공정을 실행하는 단계를 포함한다. 바람직하게, 증착된 금속은 예컨대 금 또는 니켈 또는 이 금속들의 합금이 될 수 있다.

도 8에 예시된 예에서, 단계(110)는 공동(30)에 실린더(31)를 증착시키는 단계로 구성될 수 있다. 유리하게 실린더(31)는 내부로 이동되는 아버를 수용하기 위함이다. 사실상, 위에서 설명한 대로, 본 발명의 이로운 한 양태는 콜릿(27, 27' 또는 27")의 실리콘계 재료에 대해서가 아니라 단계(110) 동안 전기도금되는 금속 실린더(31)의 내측 직경(32) 상에, 아버 예를 들어 밸런스 스태프를 죄는 단계로 구성된다.

유리하게 본 제조 방법(1)에 따르면, 전기도금으로 얻어진 실린더(31)에 따라 상기 실린더의 기하학적 형상이 완전히 자유롭게 될 수 있다. 따라서 특히 내측 직경(32)은 반드시 원형일 필요가 없지만 예를 들어 다각형 형태가 되며, 이에 따라 일치하는 형태의 아버와 회전하는 응력 전달을 개선시킬 수 있다.

바람직하게, 본 제조 방법(1)은 제 8 단계(111)를 포함하는데, 이 제 8 단계는 증착부(deposition)를 평평하게 만들기 위하여 단계(110) 동안 제조된 금속 증착부(31)를 폴리싱하는 단계로 구성된다.

도 5에 도시된 단계(105)와 유사한 제 9 단계(112)에서, 공동들은 예를 들어 DRIE 공정으로 실리콘계 재료의 바닥층(7)에서 선택적으로 에칭된다. 이 공동들은 두 변형예들 중 한 변형예에 따른 제 1 실시예(A)의 패턴(13, 15 및 22)들과 유사한 패턴들을 형성한다.

위에서 설명한 최종 단계(106) 뒤에, 제 3 실시예(C)는, 금속 부분(31)을 추가하여, 실시예(A)와 동일한 이점들을 가진 실리콘계 재료들로 형성된 일체형의 헤어스프링을 제조한다. 따라서 헤어스프링(21 또는 21')의 제조 동안 고정된 요소들 상에 직접적으로 형성되기 때문에 더 이상 어떠한 제조 문제도 발생하지 않을 것이라는 것은 자명하다. 유리하게, 아버는 금속 부분의 내측 직경(32)에 대해 반대로 이동될 수 있다. 따라서 바람직하게 아버가 콜릿(27, 27', 27")과 접촉하도록 가압되어 끼워맞춤되는 것을 방지하기 위하여, 금속 부분(31)의 내측 직경(32)의 치수보다 더 큰 치수들의 섹션들을 포함하는 변형예에 따른 공동(12 및/또는 10 및/또는 18)들을 고려해 볼 수 있다.

세 실시예(A, B 및 C)에 따르면, 최종 헤어스프링(21 또는 21')은 구성되기 전에 즉 전기도금으로 변경되고 및/또는 에칭되기 전에 조립되는 것으로 이해되어야 한다. 유리하게 이는 현재의 제조 방법들에 의해 발생된 분산(dispersion)을 최소화시키며 이에 따라 기초를 둔 조정기 부재(regulator member)의 정확성을 개선시킨다.

유리하게, 본 발명에 따르면, 몇몇 상승된 터미널 커브를 가진 헤어스프링(21 또는 21')들은 배치 생산(batch production)이 가능한 동일한 기판(3) 위에서 제조될 수 있는 것이 자명하다.

게다가, 드라이빙 인서트(driving insert)를 금속 증착부(29 및/또는 31)와 동일한 유형으로 만들 수 있거나, 또는 오직 추가층(11) 및/또는 최상측층(5)으로부터 만들 수 있다.

본 제조 방법(1)은, 단계(105, 108 또는 112) 뒤에, 밸런스 스프링이 보다 큰 기계적 저항력을 가지게 만들도록 그리고 상기 밸런스 스프링의 열탄성계수를 조절하도록, 패턴(15) 즉 헤어스프링(21 또는 21')의 밸런스 스프링(23') 또는 터미널 커브(23)를 산화시키는 단계로 구성될 수 있는, 단계(104)와 동일한 타입의 단계를 포함할 수 있다. 단계(111)의 타입의 폴리싱 단계는 또한 단계(107)와 단계(108) 중간에서 수행될 수 있다.

유리하게 본 발명에 따르면, 어떤 실시예(A, B 또는 C)가 사용되던 간에, 본 제조 방법(1)에 따라 밸런스 스프링(25, 25')과 콜릿(27, 27')을 추가층(11)에 에칭시키는 단계로 구성된 단계(103)가 터미널 커브(23) 또는 밸런스 스프링(23') 및 콜릿(27")을 바닥층(7)에 에칭시키는 단계로 구성된 단계(105, 108 또는 112)와 상반될 수 있다(reversed). 이는 터미널 커브(23) 또는 밸런스 스프링(23') 및 콜릿(27")이 우선적으로 추가층(11) 위에서 에칭될 수 있으며, 그 뒤 밸런스 스프링(25, 25')과 콜릿(27, 27')이 바닥층(7)에 에칭될 수 있음을 의미한다. 이 경우, 터미널 커브(23)는, 예를 들어 밸런스 스프링(25)이 산화되기 전에, 단계(104)에서 산화될 수 있다.

또한 등시성 문제(isochronism problem)들을 방지하기 위하여, 전도층(conductive layer)이 헤어스프링(21 또는 21')의 적어도 한 부분 위에 증착될 수 있다. 이 전도층은 본 명세서에서 참조문헌으로 통합된 EP 특허 1 837 722호에 개시된 타입으로 구성될 수 있다.

콜릿(27)의 높이는 예시된 제 1 변형예의 도 10과 도 11에서보다 더 ㅁ낳이 제한될 수 있는데, 이는 예를 들어 상기 콜릿의 높이가 층(5 및 11)에 제한될 수 있음을 의미한다. 또한 높임 수단(4)도 만곡된 직사각형의 판 형태와 상이한 형태를 가질 수 있다.

제조 동안 헤어스프링(21)을 기판(3)에 고정시키기 위하여 재료의 적어도 제 2 브리지가 제공될 수 있으며, 패턴(19)의 외측 커브와 에칭되지 않은 층(11)의 잔여부 사이에서 수행될 수 있다.

Claims (20)

1. 콜릿(27, 27') 상에 동축으로 장착된 밸런스 스프링(25, 25')을 포함하며 실리콘계 재료의 동일한 층에 제조된 일체형 헤어스프링(21, 21')에 있어서,

   상기 일체형 헤어스프링은 상기 헤어스프링의 동심 전개(concentric development)를 개선시키도록 실리콘계 재료의 상기 층 위에, 상기 밸런스 스프링의 외측 코일을 위한 높임 장치(2, 2')를 포함하는 일체형 헤어스프링.
2. 제 1항에 있어서,

   높임 장치(2, 2')는 실리콘계 재료의 제 2층에 제조된, 밸런스 스프링(25, 25')의 외측 코일을 연결하는 높임 수단(4, 4')을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링.
3. 제 2항에 있어서,

   높임 장치(2)는 실리콘계 재료의 제 3층에 형성되고 상기 높임 수단(4)에 연결된 터미널 커브(23)를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링.
4. 제 3항에 있어서,

   터미널 커브(23)는 Phillips curve인 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링.
5. 제 1항에 있어서,

   콜릿(27)은 상기 헤어스프링의 안내(guiding)를 개선시키도록 상기 밸런스 스프링으로부터 돌출하는 하나의 연장된 부분(9, 13)을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링.
6. 제 2항에 있어서,

   높임 장치(2')는 이중 직렬 헤어스프링(double series hairspring)을 형성하기 위하여 실리콘계 재료의 제 3층에 형성되고 상기 높임 수단(4')에 연결된 제 2 콜릿(27") 상에 동축으로 장착된 제 2 밸런스 스프링(23')을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링.
7. 제 1항에 있어서,

   헤어스프링은, 상기 헤어스프링이 보다 큰 기계적 저항력을 가지게 만들도록 그리고 상기 헤어스프링의 열탄성계수를 조절하도록, 적어도 하나의 실리콘 다이옥사이드 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링.
8. 제 1항에 있어서,

   적어도 하나의 콜릿(27, 27', 27")은 내부로 이동되는(driven) 아버를 수용하기 위한 한 금속 부분(29, 31)을 가지는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링.
9. 제 1항에 있어서,

   적어도 하나의 밸런스 스프링(25, 25', 23')의 내부 코일(26)은 상기 헤어스프링의 동심 전개를 개선시키도록 Grossmann curve를 가지는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링.
10. 시계에 있어서,

    상기 시계는 제 1항에 따른 일체형 헤어스프링(21, 21')을 포함하는 것을 특징으로 하는 시계.
11. a)실리콘계 재료들의 최상측층(5)과 바닥층(11)을 포함하는 기판(3)을 제공하는 단계(100)를 포함하며,

    b)실리콘계 재료로 제조된, 상기 헤어스프링의 높임 수단(4)을 결정(define)하기 위하여 최상측층(5)에서 적어도 하나의 공동(8, 10)을 선택적으로 에칭하는 단계(101)를 포함하고,

    c)실리콘계 재료의 추가층(7)을 기판(3)의 에칭된 최상측층(5)에 접합(joining)시키는 단계(102)를 포함하며,

    d)실리콘계 재료로 제조된, 상기 헤어스프링의 콜릿(27)과 밸런스 스프링(25)의 패턴들을 결정하기 위하여 그리고 높임 수단(4)의 패턴을 지속시키기 위하여 추가층(7)에서 적어도 하나의 공동(18, 20)을 선택적으로 에칭하는 단계(103)를 포함하는, 일체형 헤어스프링 제조 방법(1)에 있어서,

    이 제조 방법은 추가적으로,

    e)실리콘계 재료로 제조된, 터미널 커브(23)의 패턴을 결정하기 위하여 그리고 높임 수단(4)의 패턴을 지속시키기 위하여 바닥층(11)에서 적어도 하나의 공동(12, 14)을 선택적으로 에칭하는 단계(105, 108, 112)를 포함하며,

    f)기판으로부터 일체형 헤어스프링(21)을 구속해제시키는 단계(106)를 포함하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
12. 제 11항에 있어서,

    d)단계에서 콜릿(27)과 밸런스 스프링(23)의 에칭가공(etch)은 e)단계에서 터미널 커브(23)의 에칭가공과 상반되는(reversed) 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
13. 제 11항에 있어서,

    콜릿(27)의 연장된 부분의 패턴(9, 13)이 실리콘계 재료의 그 외의 다른 층들 중 적어도 한 층에서 에칭되는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
14. 제 11항에 있어서,

    e)단계 동안 에칭된 터미널 커브(23)의 패턴은 이중 헤어스프링(21')을 직렬로 형성하기 위하여 제 2 콜릿(27")과 제 2 밸런스 스프링(23')의 패턴들로 대체되는(replaced) 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
15. 제 11항에 있어서, 밸런스 스프링(25, 25', 23')을 에칭하는 단계 뒤에,

    일체형 헤어스프링 제조 방법은 추가적으로,

    g)상기 밸런스 스프링이 보다 큰 기계적 저항력을 가지게 만들도록 그리고 상기 밸런스 스프링의 열탄성계수를 조절하도록, 실리콘계 재료로 제조된 밸런스 스프링(25, 25', 23')을 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
16. 제 11항에 있어서, e)단계 전에,

    일체형 헤어스프링 제조 방법은 추가적으로,

    h)상기 헤어스프링의 금속 부분(29, 31)의 패턴을 결정하기 위하여 적어도 하나의 금속층을 바닥층 상에 선택적으로 증착시키는 단계(107, 110)를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
17. 제 16항에 있어서, h)단계는,

    i)내부로 이동되는(driven) 아버를 수용하기 위한 금속 부분(29)을 형성하도록, 적어도 부분적으로 바닥층의 표면 위에서 연속 금속층(successive metal layer)들로 상기 증착부(deposition)를 성장시키는 단계(107)를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
18. 제 16항에 있어서, h)단계는,

    j)금속 부분(31)을 수용하기 위하여 바닥층에서 적어도 하나의 공동(30)을 선택적으로 에칭하는 단계(109)를 포함하고,

    k)내부로 이동되는(driven) 아버를 수용하기 위한 금속 부분(31)을 형성하도록, 적어도 부분적으로 상기 적어도 하나의 공동 내에서 연속 금속층들로 상기 증착부를 성장시키는 단계(110)를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
19. 제 16항에 있어서, h)단계는 마지막 단계인

    l)금속 증착부를 폴리싱하는 단계(111)를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.
20. 제 11항에 있어서, 몇몇 일체형 헤어스프링(21, 21')들은 동일한 기판(3) 위에서 제조되는 것을 특징으로 하는 일체형 헤어스프링 제조 방법.