KR20090095694A - method for maintaining statistical process used semiconductor manufacture equipment control system - Google Patents
method for maintaining statistical process used semiconductor manufacture equipment control system Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090095694A KR20090095694A KR1020080020783A KR20080020783A KR20090095694A KR 20090095694 A KR20090095694 A KR 20090095694A KR 1020080020783 A KR1020080020783 A KR 1020080020783A KR 20080020783 A KR20080020783 A KR 20080020783A KR 20090095694 A KR20090095694 A KR 20090095694A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- measurement data
- semiconductor manufacturing
- management system
- statistics
- statistical process
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 70
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 26
- 238000007726 management method Methods 0.000 claims description 44
- 238000003070 Statistical process control Methods 0.000 claims description 15
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 14
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 11
- 238000012952 Resampling Methods 0.000 claims description 8
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000013179 statistical model Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/4183—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by data acquisition, e.g. workpiece identification
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법에 관한 것으로서, 상세하게는 QB 통계량에서 산출되는 공정 관리 한계를 이용하여 반도체 제조공정의 이상을 감지하고, 원인을 분석토록 할 수 있는 반도체 제조설비 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a statistical process control method applied to a management system of a semiconductor manufacturing facility. Specifically, the process control limit calculated from the QB statistics can be used to detect an abnormality in the semiconductor manufacturing process and analyze the cause. A statistical process control method applied to a semiconductor manufacturing facility management system.
최근, 반도체 제조 업계에서는 반도체 칩의 동작 속도를 증대시키고 단위 면적당 정보 저장 능력을 증가시키기 위하여 반도체 집적 회로 공정에 적용되는 최소 선폭이 꾸준히 줄어드는 추세에 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 상에 집적화 되는 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 크기가 서브 하프 마이크론 이하로 축소되고 있다. Recently, in the semiconductor manufacturing industry, the minimum line width applied to the semiconductor integrated circuit process has been steadily decreasing to increase the operation speed of the semiconductor chip and increase the information storage capability per unit area. In addition, the size of semiconductor devices such as transistors integrated on semiconductor wafers has been reduced to sub-half microns or less.
반도체 소자는 증착공정, 포토공정, 식각공정, 확산공정을 통하여 제조될 수 있으며, 이러한 공정들이 수 차례에서 수십 차례 반복되어야 탄생될 수 있다. 또 한, 각각의 공정이 이루어지는 과정에서 결과에 영향을 미칠 수 있는 수많은 변수들이 존재한다.The semiconductor device may be manufactured through a deposition process, a photo process, an etching process, and a diffusion process, and may be produced when these processes are repeated several times to several tens of times. In addition, there are a number of variables that can affect the results of each process.
공정 변수들은 서로 조합(combination)되어 각각의 공정에서 나타나며, 웨이퍼 표면 검사와 같은 결과에 중요한 영향을 미친다. 계측 결과를 이용하여 각 공정 변수들의 추적이 가능하다. 따라서, 계측 결과를 실시간으로 피드백시켜 각 공정의 안정화를 꽤하고 있다. Process variables are combined with each other and appear in each process and have a significant impact on results such as wafer surface inspection. The measurement results can be used to track individual process variables. Therefore, the measurement result is fed back in real time, and stabilization of each process is considerably performed.
일반적으로, 공정 안정화를 달성하기 위해 사용되는 방법 중에 널리 유효성이 알려진 방법이 온라인 통계적 공정 관리이다. 이러한 통계적 공정 관리 방법 중 가장 보편적으로 쓰이는 방법이 관리도이다. 온라인 관리도의 가장 중요한 기능은 공정 불안정, 즉 공정 산포 확대의 원인인 공정 변동의 발생을 최대한 빨리 감지하여 많은 양의 불량이 생기기 전에 그 변동원인에 대한 공정의 조사와 상응하는 교정 조치가 취해질 수 있도록 하는 것이다. 관리도에서 공정 변동의 모니터링은 공정에서 계측된 공정 데이터를 일정한 형태의 통계적 모델로 가공하여 진행된다.In general, one of the well-known methods used to achieve process stabilization is online statistical process control. The most commonly used method of statistical process control is the control chart. The most important function of the online control chart is to detect as soon as possible the instability of the process, which is the cause of the process spread, so that the investigation of the cause of the change and the corresponding corrective action can be taken before a large amount of failure occurs. It is. Monitoring of process variation in control charts is accomplished by processing the process data measured in the process into some form of statistical model.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 관리방법을 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described a statistical management method applied to the management system of the semiconductor manufacturing equipment according to the prior art.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법을 나타내는 다이아 그램이다.1 is a diagram illustrating a statistical process control method applied to a management system of a semiconductor manufacturing facility according to the prior art.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법은 안정된 상태에서 수집되는 기준 데이터를 이용하여 계산된 관리 한계를 계산하고(S100), 공정 중에 실시간으로 수집되는 계측 데이터를 관리 한계와 비교하여 공정 변동을 감지토록 한다(S200).As shown in Figure 1, the statistical process management method applied to the management system of the semiconductor manufacturing equipment according to the prior art calculates the control limits calculated by using the reference data collected in a stable state (S100), in real time during the process By comparing the measurement data collected by the control limit to detect the process variation (S200).
여기서, 기준 데이터는 안정적인 공정 상태를 공정 데이터로서 통계적 공정 모델을 추정하여 관리 한계를 계산토록 하기 위해 일정 개수 이상으로 수집된다(S110). 통계적 모델 추정은 이상적으로 안정적인 공정 상태에서 발생되는 이상치를 제거시키는 것으로부터 이루어질 수 있다(S120). 이상치가 제거된 기준 데이터는 일반적인 관리도가 가정하는 정규분포를 따르게 되고, 통계적 모델링을 진행시킬 수 있다(S130). 예컨대, 전통적인 슈와르트(Shewhart) 형태의 관리도에 따른 통계적 모델의 결과는 공정 평균과 공정 분산이다. 공정 평균 및 공정 분산을 이용하여 관리 한계를 계산할 수 있다(S140). 따라서, 기준 데이터를 수집하여 관리한계를 산출하는 것은 후속에서 공정을 실시간으로 모니터링 하기 위한 기준을 제시하는 제 1 상태라고 볼 수 있다. Here, the reference data is collected in a predetermined number or more in order to calculate a control limit by estimating a statistical process model as a stable process state as the process data (S110). Statistical model estimation may be made by removing an outlier generated in an ideally stable process state (S120). The reference data from which the outliers are removed may follow a normal distribution assumed by a general control chart, and statistical modeling may be performed (S130). For example, the result of a statistical model according to a traditional Schewhart-type control chart is the process mean and process variance. The control limit may be calculated using the process average and the process variance (S140). Therefore, the collection of the reference data and the calculation of the control limit can be regarded as the first state to present the criteria for monitoring the process in real time in the following.
반면, 계측 데이터는 반도체 생산라인의 양산에서 이루어지는 공정의 상태를 실시간으로 계측하여 수집되는 데이터이다(S210). 계측 데이터는 관리 통계량으로 변환되어(S220) 제 1 상태에서 계산된 관리 한계를 벗어나는지를 판정 받게된다(S230). 관리 한계를 벗어난 계측 데이터가 발생할 경우, 엔지니어로 하여금 공정 이상 원인을 찾아 교정토록 할 수 있다(S240). 따라서, 계측 데이터가 관리 한계 내에 존재 여부를 판정하는 것은 공정 정상 여부를 모니터링 하는 제 2 상태로 볼 수 있다. On the other hand, the measurement data is data collected by measuring the state of the process made in the mass production of the semiconductor production line in real time (S210). The measurement data is converted into management statistics (S220) and it is determined whether or not to deviate from the management limit calculated in the first state (S230). If measurement data occurs outside the control limits, the engineer may be able to find and correct the cause of the process failure (S240). Thus, determining whether the measurement data is within control limits can be viewed as a second state of monitoring whether the process is normal.
기준 데이터는 약 25개 정도의 웨이퍼가 탑재되는 카세트를 하나의 기준으로 4 내지 6개 정도의 카세트에 탑재되는 약 100개 내지 약 150개의 웨이퍼에 대응되 는 각종 데이터로 이루어진다. 관리 한계를 산출하기 위해서는 일정 개수 이상의 카세트 내에 탑재되는 다수개의 웨이퍼에서 수집되는 기준 데이터를 필요로 한다. 그러나, 다품종 소량 생산방식의 제조 라인에서는 수집되는 기준 데이터 량이 부족한 것이 일반적이다.The reference data is composed of various data corresponding to about 100 to about 150 wafers mounted on 4 to 6 cassettes on one basis of a cassette on which about 25 wafers are mounted. To calculate the control limit requires reference data collected from a plurality of wafers mounted in a certain number or more of cassettes. However, it is common for the production line of a multi-variate small quantity production method to lack the amount of reference data collected.
또한, 계측 데이터는 카세트 내에 탑재되는 다수개의 웨이퍼에 대응되는 군내 산포를 통해 관리도의 관리 통계량으로 표현될 수 있다. 그러나, 카세트들간의 연관성에 기인되는 계측 데이터에 대응되는 군간 산포를 표현하지 못한다. 따라서, 종래 기술의 통계적 관리방법은 군내 산포만을 표현할 수 있을 뿐 군간 산포를 나타내지 못하기 때문에 공정 관리의 신뢰도가 떨어지는 단점이 있다.In addition, the measurement data may be expressed as management statistics of the control chart through in-group scattering corresponding to a plurality of wafers mounted in the cassette. However, it does not represent an intergroup distribution corresponding to the measurement data due to the association between cassettes. Therefore, the statistical management method of the prior art has a disadvantage in that the reliability of process management is lowered because only intra-group dispersion can be expressed but not inter-group dispersion.
상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 군내 산포 및 군간 산포를 포함하는 통계량을 이용하여 공정 관리의 신뢰도를 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비의 관리 시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법을 제공하는 데 있다. An object of the present invention for solving the problems according to the prior art described above, the statistical applied to the management system of the semiconductor manufacturing equipment that can increase or maximize the reliability of the process management by using the statistics including intra-group and inter-group dispersion To provide a process control method.
다품종 소량 생산 방식에 적합한 반도체 제조설비 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a statistical process control method applied to a semiconductor manufacturing facility management system suitable for a multi-product small quantity production method.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따른 반도체 제조설비 관리 시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법은, 적어도 하나이상의 계측장치로부터 웨이퍼의 특성에 대응되는 계측 데이터를 수집하는 단계; 상기 계측 데이터의 평균값 및 분산값에 대응되는 일반 통계량을 계산하는 단계; 상기 일반 통계량으로부터 하나의 카세트 내에 탑재되는 다수개의 상기 웨이퍼에서 검출되는 계측 데이터에 대응되는 군내 산포와, 상기 다수개의 웨이퍼가 탑재되는 여러 개의 상기 카세트들을 기준으로 해당 웨이퍼에서 검출되는 계측 데이터에 대응되는 군간 산포를 동시에 포함하는 QB 통계량을 이용하여 공정 관리 한계를 실시간으로 업데이트 하는 단계; 및 상기 공정 관리 한계를 기준으로 공정 변동 발생 여부를 감지하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.A statistical process management method applied to a semiconductor manufacturing facility management system according to an aspect of the present invention for achieving the above object comprises the steps of: collecting measurement data corresponding to characteristics of a wafer from at least one measuring device; Calculating general statistics corresponding to the mean and variance values of the measurement data; In-group dispersion corresponding to measurement data detected in the plurality of wafers mounted in one cassette from the general statistics and corresponding to the measurement data detected in the wafer based on the plurality of cassettes in which the plurality of wafers are mounted. Updating process control limits in real time using QB statistics that simultaneously include intergroup dispersion; And detecting whether a process variation occurs based on the process control limit.
여기서, 상기 군간 산포에 대응되는 계측 데이터의 추정치가 작을 경우, 부트스트랩 리샘플링 방법을 이용하여 새로운 계측 데이터를 생성시켜 QB 통계량을 이용토록 함이 바람직하다. Here, when the estimated value of the measurement data corresponding to the group spread is small, it is preferable to generate new measurement data using the bootstrap resampling method to use the QB statistics.
본 발명에 의하면, 군간 산포 및 군내 산포를 포함하는 QB 통계량을 이용하여 관리 한계를 실시간으로 업데이트 시키면서 공정 관리의 신뢰도를 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect of increasing or maximizing the reliability of process management while updating control limits in real time using QB statistics including intergroup distribution and intragroup distribution.
또한, 반도체 제조공정이 짧아 산출되는 계측 데이터가 부족한 경우, 부트스트랩 리샘플링 방법으로 새로운 계측 데이터를 생성시켜 반도체 생산라인 또는 연 구소에서 사용토록 할 수 있기 때문에 다품종 소량 생산 방식에 적합하다.In addition, if the measurement data produced by the short semiconductor manufacturing process is insufficient, new measurement data can be generated by the bootstrap resampling method and used in a semiconductor production line or a laboratory, which is suitable for a multi-product small quantity production method.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비 관리 시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법을 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.Hereinafter, a statistical process control method applied to a semiconductor manufacturing facility management system according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.
도 2는 반도체 제조설비 관리시스템을 개략적으로 나타낸 다이아 그램으로서, 본 발명의 반도체 제조설비 관리시스템은, 크게 웨이퍼를 가공하는 소정의 단위 공정을 수행하는 복수개의 제조 설비(10)와, 상기 단위 공정이 완료된 웨이퍼의 특성을 계측하는 복수개의 계측 설비(20)와, 상기 계측 설비(20) 및 상기 제조 설비(10)에 데이터를 주고받으면서 반도체 제조공정 전반을 총괄하여 제어하는 호스트 컴퓨터(30)를 포함하여 구성된다. FIG. 2 is a diagram schematically showing a semiconductor manufacturing facility management system, wherein the semiconductor manufacturing facility management system of the present invention includes a plurality of
여기서, 상기 복수개의 제조 설비(10)는 웨이퍼 표면에 소정의 크기의 반도체 소자 패턴을 형성하기 위한 단위 공정을 개별적으로 수행하는 단위 공정 장치이다. 예컨대, 단위 공정은 증착 공정, 포토 공정, 식각 공정, 연마 공정, 및 세정 공정 등을 포함하여 이루어진다. 도시되지는 않았지만, 상기 복수개의 제조 설 비(10)는 단위 공정을 자동화시키면서 개별적으로 관리하는 복수개의 제 1 설비 컴퓨터를 포함하여 이루어진다.Here, the plurality of
상기 복수개의 계측 설비(20)는 웨이퍼 상에 형성되는 패턴을 기계적, 광학적, 및 전기적으로 계측하여 상기 웨이퍼 또는 상기 패턴의 특성을 파악하는 계측 장치이다. 예컨대, 상기 계측 설비(20)는 SEM과 같은 전자 현미경과, TEM과 같은 광학 현미경과, X-ray 검사장치를 포함하여 이루어진다. 마찬가지로, 상기 복수개의 계측 설비(20)는 계즉 공정을 자동화시키는 복수개의 제 2 설비 컴퓨터(도시되지 않음)를 포함하여 이루어진다.The plurality of
상기 호스트 컴퓨터(30)는 반도체 생산라인의 전반에 걸쳐 거의 모든 제조 설비(10) 및 계측 설비(20)를 체계적으로 관리할 수 있도록 형성되어 있다. 또한, 상기 제조 설비(10) 및 계측 설비(20)에서 발생되는 모든 상황을 파악하여 기록할 수 있으며, 후속의 공정과 연계되도록 설정되어 있다. 예컨대, 상기 제 1 설비 컴퓨터 및 제 2 설비 컴퓨터와 상기 호스트 컴퓨터(30)는 일반적으로 널리 알려진 통신 규약인 TCP/IP(Transmission Control Protocol/Internet Protocol)에 의해 통신을 하면서 상호 데이터를 서로 주고받는다. 상기 제 1 설비 컴퓨터 및 상기 제 2 설비 컴퓨터와 상기 호스트 컴퓨터(30)는 전송된 데이터를 인지하고 응답할 수 있도록 상호간의 통신을 규정하는 반도체 장비 표준 통신 규약인 SECS(Semi Equipment Communication Standard) 프로토콜에 의하여 상호 통신하며 데이터를 공유하도록 형성되어 있다. The
이와 같은 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법 을 설명하면 다음과 같다.The statistical process control method applied to the management system of the semiconductor manufacturing equipment is as follows.
도 3은 본 발명의 실시에에 따른 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법을 나타내는 다이아 그램이다.3 is a diagram illustrating a statistical process control method applied to a management system for semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법은, 호스트 컴퓨터(30)에서 실시간으로 계측 데이터를 수집하면서 관리 한계를 계산하고, 상기 관리 한계에 따라 공정 이상 변동을 감지토록 형성되어 있다. As shown in FIG. 3, the statistical process management method applied to the management system of the semiconductor manufacturing facility according to the embodiment of the present invention calculates the management limit while collecting measurement data in real time from the
먼저, 호스트 컴퓨터(30)는 계측 데이터를 순차적으로 수집하고 데이터 베이스에 저장한다(S10). 여기서, 호스트 컴퓨터(30)는 계측 설비(20)로부터 계측 데이터를 실시간으로 수집한다. 예컨대, 계측 데이터의 수집은 관리도에 적용되는 시점의 공정 관리 상태는 안정하다는 것을 전재로 한다.First, the
다음, 계측 데이터의 일반 통계량을 계산한다(S20). 예컨대, 일반 통계량은 계측 데이터의 평균값 및 분산값에 대응된다. 이때, 해당 계측 데이터의 일반 통계량 계산 전에 호스트 컴퓨터(30)는 계측 데이터의 이상치(outlier)에 대한 판단을 해야만 한다. 이상치란 확률상 일어나기 어려운 값들을 의미하는 것으로 측정 에러, 타이밍 미스등을 포함한다. Next, the general statistics of the measurement data are calculated (S20). For example, the general statistics correspond to the mean value and the variance value of the measurement data. At this time, the
이상치에 대한 판단은 현 시점 바로 이전까지의 계측 데이터가 이상치를 나타내고 있는지의 여부에 따라 결정될 수 있다. 즉, 일반 통계량의 계산 전에 이전의 평균값 또는 분산값 내에 계측 데이터가 존재하는가에 따라 현재 수집되는 계측 데이터가 정상적인 것으로 판단함으로서 일반 통계량을 계산토록 할 수 있다. 따라 서, 호스트 컴퓨터(30)는 실시간으로 계측되는 계측 데이터의 이상치 판단 후에 상기 계측 데이터를 이용한 평균값 및 분산값에 대응되는 일반 통계량을 계산한다. The determination of the outlier may be determined depending on whether or not the measurement data just before the present time point indicates the outlier. That is, it is possible to calculate the general statistics by determining that the measurement data currently collected is normal according to whether the measurement data exists in the previous average value or the variance value before the calculation of the general statistics. Accordingly, the
그 다음, 일반 통계량을 Q 통계량과 QB 통계량으로 변환시키면서 공정 관리 한계를 실시간으로 업데이트 시킨다(S30). QB 통계량은 Q 통계량의 일반적인 형태로서 Z 통계량과 비교되어 도 4와 같이 나타난다. 여기서, Q 통계량은 T 분포의 누적확률분포함수(Gn1+..+ni-i(wi))에 의해 나타나는 정규분포의 역함수로 표현된다. n1+..+ni-i는 T 분포의 자유도(degree of freedom)이다. T 분포의 누적확률분포함수(Gn1+..+ni(wi))는 평균()과 표본 평균()의 차이를 표준편차()으로 곱하고, 다시 분산추정치(S2 p,i)나누면서 표준정규분포화(wi)되어 있다. 분산추정치(S2 p,i)는 분산값(S2 i)으로 이루어진다. 이때, 분산값(S2 i)은 군내 산포에 대응되는 값만을 포함하여 이루어진다. 결국, Q 통계량은 군내 산포를 포함하여 나타난다. 뿐만 아니라, Q 통계량은 평균의 차이(-)를 분산추정치(S2 p,i)나누면서 일반화(normalize)되면서 0을 기준으로 ±1 또는 ±숫자 범주의 관리 한계를 구하도록 할 수 있다.Next, the process control limits are updated in real time while converting the general statistics into Q statistics and QB statistics (S30). The QB statistic is a general form of the Q statistic and is shown in FIG. 4 compared with the Z statistic. Here, the Q statistic is expressed as the inverse of the normal distribution represented by the cumulative probability distribution function (G n1 + .. + ni-i (w i )) of the T distribution. n 1 + .. + n i -i is the degree of freedom of the T distribution. The cumulative probability distribution function (G n1 + .. + ni (w i )) of the T distribution is the mean ( ) And sample mean ( ) Is the standard deviation ( ) And multiply by the variance estimate (S 2 p, i ) and standard normal distribution (w i ). The variance estimate S 2 p, i consists of the variance value S 2 i . In this case, the dispersion value S 2 i includes only a value corresponding to the dispersion within the group. Eventually, the Q statistic includes intragroup distribution. In addition, the Q statistic is the difference in means ( - ) Can be normalized by dividing the variance estimate (S 2 p, i ) to obtain control limits of the ± 1 or ± numeric categories based on zero.
반면, QB 통계량은 T 분포의 누적확률분포함수(Gdf(i)(wi))에 의해 나타나는 정규분포의 역함수로 표현될 수 있다. 이때, df(i)는 T 분포의 자유도(degree of freedom)를 의미한다. T 분포의 누적확률분포함수(Gdf(i)(wi))는 평균()과 표본 평균()의 차이를 루트(root) 군간 산포 분산추정치(σ2 b.i) 및 군내 산포 분산 추정치(σ2 w.i)로 나누면서 표준정규분포화(wi)되어 있다. 군간 산포 분산추정치(σ2 b.i)는 군간 산포 분산값(Σ(-)/i-1)으로 나타나며, 군내 산포 분산 추정치(σ2 w.i)는 군내 산포 분산값(S2 i)으로 표현될 수 있다. QB 통계량은 군간 산포 및 군내 산포를 포함하는 분산값들을 이용하여 표준정규분포화할 수 있다. 때문에, QB 통계량을 이용하여 공정 관리 한계를 용이하게 산출할 수 있다.On the other hand, the QB statistic can be expressed as the inverse of the normal distribution represented by the cumulative probability distribution function G df (i) (w i ) of the T distribution. In this case, df (i) means the degree of freedom of the T distribution. The cumulative probability distribution function of the T distribution (G df (i) (w i )) is the mean ( ) And sample mean ( ) Is the difference between the root (root) groups scattered variance estimate (σ 2 bi) and gunnae dispensing nanumyeonseo a variance estimate (σ 2 wi) the standard normal distribution screen (w i) of the. The scatter variance estimate between groups (σ 2 bi ) is the scatter variance value between groups (Σ ( - ) / i-1), the intra-group dispersion variance estimate (σ 2 wi ) may be expressed as the intra-group dispersion variance value (S 2 i ). The QB statistic can be standard normalized using variance values including intergroup distribution and intragroup distribution. Therefore, the QB statistic can be used to easily calculate the process control limits.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법은, 군간 산포 및 군내 산포를 포함하는 QB 통계량을 이용하여 관리 한계를 실시간으로 업데이트 시키면서 공정 관리의 신뢰도를 증대 또는 극대화할 수 있다.Therefore, the statistical process management method applied to the management system of the semiconductor manufacturing equipment according to the embodiment of the present invention increases the reliability of process management while updating control limits in real time using QB statistics including intergroup distribution and intragroup distribution. Or maximize.
한편, 군내 산포의 경우, 하나의 카세트에 탑재되는 약 25개의 웨이퍼에 대응되는 각각의 계측 데이터를 수집하는 과정에 대한 문제점이 발생될 경우는 희박하다. 그러나, 군간 산포의 경우, 짧은 공정이 요구되는 다수개의 웨이퍼가 탑재되는 카세트들에서 수집되는 계측 데이터가 부족할 수 있다. 즉, 군간 산포에 대응되 는 계측 데이터들이 일정부분 존재해야만 QB 통계를 이용하여 공정 관리 한계를 산출할 수 있다. On the other hand, in the case of dispersion within the group, it is rare to encounter a problem in the process of collecting the respective measurement data corresponding to about 25 wafers mounted in one cassette. However, in case of intergroup spread, measurement data collected in cassettes loaded with a plurality of wafers requiring a short process may be insufficient. In other words, process control limits can be calculated using QB statistics only when some measurement data corresponding to the distribution between groups exists.
따라서, 본 발명의 실시예에서는 부트스트랩(Bootstrap) 리샘플(resampling) 방법을 이용하여 군간 산포에 대응되는 계측 데이터들을 임의로 만들 수 있다. 예컨대, 부트스트랩 리샘플링 방법은 기존의 샘플링된 계측 데이터의 범주 내에 새로운 샘플들을 만드는 방법이다. Therefore, in the exemplary embodiment of the present invention, measurement data corresponding to intergroup spread may be arbitrarily generated by using a bootstrap resampling method. For example, the bootstrap resampling method is a method of creating new samples within the scope of existing sampled metrology data.
도 5는 부트스트랩 리샘플 방법을 도식화하여 나타낸 도면으로서, 기존의 계측 데이터(S기존)를 기준으로 하여 계산된 함수(f)에 따라 계산되는 범주 내에서 새로운 계측 데이터에 대응되는 생성 데이터(Snew1,...Snew10)를 생성할 수 있다.FIG. 5 is a diagram illustrating a bootstrap resample method. FIG. 5 illustrates generated data Snew1 corresponding to new measurement data in a category calculated according to a function f calculated based on existing measurement data S existing. , ... Snew10).
여기서, 부트스트랩 리샘플링 방법은 기존의 n개인 계측 데이터를 바탕으로 다시 n개 정도의 난수를 만들고, 임의의 인덱스에 따라 상기 난수 중에 샘플 데이터를 선택하고, 샘플 데이터를 토대로 새로운 생성 데이터를 생성한다. 이때, 임의의 인덱스는 기존의 계측 데이터를 바탕으로 계산된 범주에 대응되는 함수(f)가 될 수 있다. 예컨대, 생성 데이터는 함수(f)에 의해 계산되는 종모양의 가우시안 분포(Gausian distribution, 40)의 내에 존재토록 생성될 수 있다. Here, the bootstrap resampling method again generates about n random numbers based on the existing n-person measurement data, selects sample data among the random numbers according to an arbitrary index, and generates new generated data based on the sample data. In this case, the arbitrary index may be a function f corresponding to a category calculated based on the existing measurement data. For example, the generated data can be generated to exist within the bell-shaped
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비의 관리 시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법은 반도체 제조공정이 짧아 산출되는 계측 데이터가 부족한 경우, 부트스트랩 리샘플링 방법으로 새로운 계측 데이터를 생성시켜 반도체 생산라인 또는 연구소에서 사용토록 할 수 있기 때문에 다품종 소량 생산 방식에 적합하다. Accordingly, the statistical process management method applied to the management system of the semiconductor manufacturing equipment according to the embodiment of the present invention generates a new measurement data by using a bootstrap resampling method when the measurement data calculated due to the short semiconductor manufacturing process is insufficient. It can also be used in research institutes, so it is suitable for small quantity batch production.
이후, 관리 한계를 기준으로 수집되는 각각의 계측 데이터의 QB 통계량으로 계산된 값을 비교 분석하여 공정의 변동을 감지한다(S40).Thereafter, by comparing and analyzing the value calculated by the QB statistics of each measurement data collected on the basis of the control limit to detect the change in the process (S40).
도 6은 반도체 연구소 제조 라인에서 획득된 계측 데이터를 이용하여 산출되는 일반화(normalized)된 QB 통계량에 따른 관리도이고, 도 7은 도 6의 비일반화(non-normalized)된 QB 통계량에 따른 관리도이다.FIG. 6 is a control chart according to normalized QB statistics calculated using measurement data obtained from a semiconductor lab manufacturing line, and FIG. 7 is a control chart according to the non-normalized QB statistics of FIG. 6.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 일반화된 QB 통계량에 따른 관리도는 0을 기준으로 수렴되는 그래프로 나타나고 있으나, 비일반화된 QB 통계량에 따른 관리도는 해당 변수의 단위를 갖는 실제 계측 데이터로 이루어지는 그래프로 나타나고 있다. 6 and 7, the control chart according to the generalized QB statistic is shown as a graph that converges to 0, but the control chart according to the non-generalized QB statistic is composed of actual measurement data having a unit of the corresponding variable. It is shown in the graph.
여기서, 각각의 가로축은 시간대별 또는 해당 웨이퍼별 변수이고, 세로축은 각각 다르게 나타난다. 일반화된 QB 통계량에 따른 관리도의 세로축은 0을 기준으로 ±가 대칭적으로 나타난다. 도시되지는 않았지만, 비일반화된 QB 통계량에 따른 관리도의 세로축은 계측 데이터의 단위의 변화되는 값으로서 계측 샘플의 깊이, 면적, 부피, 전압, 전류 등으로 나타날 수 있다. Here, each horizontal axis is a variable for each time zone or a corresponding wafer, and the vertical axis is different from each other. The vertical axis of the control chart according to the generalized QB statistics is symmetrical with ±. Although not shown, the vertical axis of the control chart according to the non-generalized QB statistic may be represented by a depth, area, volume, voltage, current, etc. of the measurement sample as a changing value of the unit of the measurement data.
일반화된 QB 통계량에 따른 관리도는 ±3으로 직선 방향의 일정 관리 한계선을 갖고, 비일반화된 QB 통계량에 따른 관리도는 실제 계측 데이터의 값에 따라 가변되는 가변 관리 한계선을 갖는다. 각각의 관리 한계선을 벗어나는 값들은 붉은 색의 타원으로 표시되어 있다. 일반화된 QB 통계량의 관리도와 비일반화된 QB 통계량의 관리도는 표현 방법상의 차이가 있을 뿐 실제 동일한 내용을 표시하고 있다. The control chart according to the generalized QB statistic is ± 3, and has a constant control limit line in the linear direction, and the control chart according to the non-generalized QB statistic has a variable control limit line which varies according to the value of actual measurement data. Values beyond each control limit are indicated by red ellipses. The control chart of generalized QB statistic and the control chart of non-generalized QB statistic show the same contents with the difference of expression method.
반면, 비일반화된 QB 통계량의 관리도는 해당 공정의 특성 및 오차와 같은 공정 모수를 한눈에 쉽게 엔지니어에게 이해시킬 수 있도록 표시된다. 반면, 일반화된 QB 통계량의 관리도는 해당 공정을 모르는 일반인에게 이해를 도울 수 있도록 표시된다. 일반화된 QB 통계량 및 비일반화된 QB 통계량 각각의 관리도를 함께 모니터와 같은 표시장치에 표시토록 함으로서 비전문가인 일반인과, 전문가인 엔지니어의 이해를 도울 수 있다. On the other hand, control charts for non-generalized QB statistics are displayed to make it easier for engineers to understand process parameters, such as the characteristics and errors of the process. On the other hand, the control chart of the generalized QB statistic is displayed to help the public understand the process. Control charts for both generalized and non-generalized QB statistics can be displayed on a display, such as a monitor, to help non-experts and engineers.
예컨대, 일반화된 QB 통계량의 관리도를 보면 정규분포의 통계적 거리인 ±3을 벗어날 확률은 0.0027이다. 따라서, 이정도의 관리 한계를 벗어나면 공정을 정지시키거나 알람(alarm)을 발생시켜 공정의 변동이 감지되었음을 엔지니어에게 알린다. 이때, QB 통계량 값이 관리 한계 내에 존재하면 호스트 컴퓨터(30)는 공정 변동이 없다고 판단하고 순서 S10으로 리턴된 후 다음 계측 데이터를 수집한다.For example, in the control chart of the generalized QB statistics, the probability of deviating from the statistical distance of the normal distribution, ± 3, is 0.0027. Therefore, if the control is out of this limit, the engineer can be stopped or alarmed to inform the engineer that a change in the process has been detected. At this time, if the QB statistic value is within the control limit, the
덧붙여, 비일반화된 QB 통계량의 관리도는 다음과 같은 잇점이 있다. 도 6에서 비일반화된 QB 통계량의 관리도의 그래프는 적색의 가변 한계선을 1 데이터 포인트 먼저 넘어선 후에 푸른색 실선으로 나타나는 규격(specification) 한계선 넘어서는 것으로 나타난다. 이때, 규격 한계선은 연구소 제조 라인에서 설정된 스팩(SPEC)의 관리 한계선이다. 즉, 적색의 가변 한계선을 이탈하는 순간이 청색의 규격 한계선을 이탈하는 순간보다 1 포인트 빠르다는 것을 나타낸다. 예컨대, 연구소 제조라인의 경우, 1 데이터 포인트 차이가 상당히 긴 시간에 대응될 수 있어 1 데이터 포인트 먼저 감지하는 것은 빠른 공정 이상 감지 측면에서 매우 큰 의미를 갖는다. 실제, 도 5의 1 데이터 포인트 차이는 1주일에 대응된다. 때문에, 공정 이상에 대한 원인 규명 및 교정 작업을 1주일 빨리 진행시킬 수 있다는 것을 의미한 다.In addition, the control chart of non-generalized QB statistics has the following advantages: The graph of the control chart of the non-generalized QB statistic in FIG. 6 shows that the red variable limit line is crossed one specification point first and then beyond the specification limit line indicated by a solid blue line. At this time, the standard limit line is a management limit line of the SPEC set in the laboratory manufacturing line. That is, it indicates that the moment of departure from the red variable limit line is one point earlier than the moment of departure from the blue standard limit line. For example, in a laboratory manufacturing line, one data point difference can correspond to a considerably long time, so detecting one data point first is very significant in terms of fast process anomaly detection. In fact, one data point difference in FIG. 5 corresponds to one week. This means that the cause of the process anomaly and corrective action can be advanced one week earlier.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비의 관리 시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법은 군내 산포 및 군간 산포를 동시에 포함하는 QB 통계량을 이용하여 관리 한계선을 실시간으로 계산하면서 공정 관리를 할 수 있기 때문에 공정 관리의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.Therefore, the statistical process management method applied to the management system of the semiconductor manufacturing equipment according to the embodiment of the present invention can perform the process management while calculating the control limit line in real time by using the QB statistics including the intra-group dispersion and the inter-group dispersion at the same time. Therefore, the reliability of process control can be improved.
마지막으로, 관리 한계선을 벗어나는 데이터가 발견되면 엔지니어가 이상 감지 원인을 찾아 해결할 수 있다(S50).Finally, if the data is found out of the control limit line, the engineer can find and solve the cause of the abnormal detection (S50).
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.In addition, the description of the above embodiment is merely given by way of example with reference to the drawings in order to provide a more thorough understanding of the present invention, it should not be construed as limiting the present invention. In addition, for those skilled in the art, various changes and modifications may be made without departing from the basic principles of the present invention.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법을 나타내는 다이아 그램.1 is a diagram showing a statistical process control method applied to a management system of a semiconductor manufacturing facility according to the prior art.
도 2는 반도체 제조설비 관리시스템을 개략적으로 나타낸 다이아 그램2 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing equipment management system.
도 3은 본 발명의 실시에에 따른 반도체 제조설비의 관리시스템에 적용되는 통계적 공정 관리방법을 나타내는 다이아 그램.3 is a diagram illustrating a statistical process control method applied to a management system for semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.
도 4는 Q 통계량 및 QB 통계량 각각의 계산을 나타낸 도면.4 shows the calculation of each of the Q statistics and the QB statistics.
도 5는 부트스트랩 리샘플 방법을 도식화하여 나타낸 도면.5 is a diagram illustrating a bootstrap resample method.
도 6은 반도체 연구소 제조 라인에서 획득된 계측 데이터를 이용하여 산출되는 일반화된 QB 통계량에 따른 관리도.6 is a control chart according to generalized QB statistics calculated using measurement data obtained at a semiconductor lab manufacturing line.
도 7은 도 6의 비일반화된 QB 통계량에 따른 관리도.7 is a control diagram according to the non-generalized QB statistics of FIG. 6;
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10 : 제조 설비 20 : 계측 설비10: manufacturing equipment 20: measuring equipment
30 : 호스트 컴퓨터 30: host computer
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080020783A KR20090095694A (en) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | method for maintaining statistical process used semiconductor manufacture equipment control system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080020783A KR20090095694A (en) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | method for maintaining statistical process used semiconductor manufacture equipment control system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090095694A true KR20090095694A (en) | 2009-09-10 |
Family
ID=41295984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080020783A KR20090095694A (en) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | method for maintaining statistical process used semiconductor manufacture equipment control system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20090095694A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8949064B2 (en) | 2010-10-25 | 2015-02-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Measurement method and measurement system using the same |
KR20200143053A (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-23 | 코오롱베니트 주식회사 | Method and Apparatus for Setting of Optimizing Condition for Manufacturing of Manufacture |
WO2023225231A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Applied Materials, Inc. | Guardbands in substrate processing systems |
WO2023225229A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Applied Materials, Inc. | Guardbands in substrate processing systems |
WO2023225230A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Applied Materials, Inc. | Guardbands in substrate processing systems |
US12019507B2 (en) | 2022-05-19 | 2024-06-25 | Applied Materials, Inc. | Guardbands in substrate processing systems |
-
2008
- 2008-03-06 KR KR1020080020783A patent/KR20090095694A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8949064B2 (en) | 2010-10-25 | 2015-02-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Measurement method and measurement system using the same |
KR20200143053A (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-23 | 코오롱베니트 주식회사 | Method and Apparatus for Setting of Optimizing Condition for Manufacturing of Manufacture |
WO2023225231A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Applied Materials, Inc. | Guardbands in substrate processing systems |
WO2023225229A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Applied Materials, Inc. | Guardbands in substrate processing systems |
WO2023225230A1 (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Applied Materials, Inc. | Guardbands in substrate processing systems |
US12019507B2 (en) | 2022-05-19 | 2024-06-25 | Applied Materials, Inc. | Guardbands in substrate processing systems |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9727049B2 (en) | Qualitative fault detection and classification system for tool condition monitoring and associated methods | |
JP4693464B2 (en) | Quality control system, quality control method and lot-by-lot wafer processing method | |
JP4615222B2 (en) | Correlation between line end data mining and process tool data mining | |
US8682466B2 (en) | Automatic virtual metrology for semiconductor wafer result prediction | |
US5896294A (en) | Method and apparatus for inspecting manufactured products for defects in response to in-situ monitoring | |
TWI412906B (en) | Manufacturing execution system with virtual-metrology capabilities and manufacturing system including the same | |
US8452441B2 (en) | Process quality predicting system and method thereof | |
CN103137513B (en) | Integrated circuit manufacturing equipment condition monitoring system and method | |
US8396583B2 (en) | Method and system for implementing virtual metrology in semiconductor fabrication | |
KR20090002106A (en) | System for controling semiconductor manufacture equipment and statistical process control method at the same | |
KR20090095694A (en) | method for maintaining statistical process used semiconductor manufacture equipment control system | |
US20120016643A1 (en) | Virtual measuring system and method for predicting the quality of thin film transistor liquid crystal display processes | |
JP6063313B2 (en) | Electronic device manufacturing support system, manufacturing support method, and manufacturing support program | |
US6563300B1 (en) | Method and apparatus for fault detection using multiple tool error signals | |
US7957821B2 (en) | Systems and methods for statistical process control | |
JP2009532897A (en) | Time weighted moving average filter | |
US20140135968A1 (en) | Method of maintaining a semiconductor production line | |
JP2007538383A (en) | Defect detection and control method for ion implantation process and execution system thereof | |
CN113994453A (en) | Semiconductor device manufacturing system and semiconductor device manufacturing method | |
US6821792B1 (en) | Method and apparatus for determining a sampling plan based on process and equipment state information | |
US6376261B1 (en) | Method for varying nitride strip makeup process based on field oxide loss and defect count | |
JPH10275753A (en) | Manufacture of semiconductor substrate | |
TWI234056B (en) | Method for automatic configuration of a processing system | |
JP2009099960A (en) | Quality control method, manufacturing method of semiconductor device, and quality control system | |
CN116802579A (en) | Handling anomaly identification using measurement violation analysis |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |