KR20090088527A - Plasma processing apparatus for control of baffle opening volume - Google Patents

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Abstract

A plasma processing apparatus is provided to differently control a flow of a process gas according to situations by arbitrarily controlling an opening rate of a baffle. A top electrode and a bottom electrode are prepared in a top region and a bottom region inside a chamber. A baffle(50) is prepared between the bottom electrode and a wall inside the chamber. The baffle is divided into a plurality of parts. A through hole(62) is formed in a fixing baffle(60). A lifting baffle(70) is lifted by a lifting unit, and controls an exhaust rate by controlling an aperture ratio of the through hole. The lifting unit(80) moves a piston by an electrical signal.

Description

배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치{Plasma processing apparatus for control of baffle opening volume}Plasma processing apparatus capable of adjusting the baffle opening amount {Plasma processing apparatus for control of baffle opening volume}

본 발명은 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하부전극과 공정챔버의 내벽 사이에 마련된 배플의 개구 면적을 조절할 수 있도록 한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus capable of adjusting the baffle opening amount, and more particularly, to a plasma processing apparatus capable of adjusting an opening area of a baffle provided between a lower electrode and an inner wall of a process chamber.

일반적으로, 반도체 장치, 액정표시 장치 등의 평판표시소자를 제조하는 과정에서는 플라즈마를 사용하여 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치가 사용된다.In general, in the process of manufacturing flat panel display devices such as semiconductor devices and liquid crystal display devices, a plasma processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate using plasma is used.

이러한 평판표시소자에 플라즈마 처리를 실시하는 과정을 설명하면 우선, 기판수납장치(이하, '카세트'라 함)에 다수 적재된 기판을 운송 로봇에 의해 반입 또는 반출시키되 진공과 대기압을 순환하는 로드락 챔버(Load lock chamber)내로 반입시키고 상기 로드락 챔버의 내부가 진공상태가 되도록 펌핑(Pumping)을 실시하여 진공을 만들고 난 다음, 이송수단을 작동시켜 기판을 반송챔버(Transfer chamber) 로 이동시킨다.Referring to the process of performing a plasma treatment on such a flat panel display device, first, a load lock in which a plurality of substrates loaded in a substrate storage device (hereinafter referred to as a "cassette") is brought in or taken out by a transport robot, and circulates vacuum and atmospheric pressure. It is carried into a load lock chamber and pumped to make a vacuum inside the load lock chamber to create a vacuum, and then the transfer means is operated to move the substrate to the transfer chamber.

기판이 이송된 반송챔버는 진공상태를 유지하는 다수의 공정챔버(Process chamber)와 연통되어 있고, 상기 반송챔버는 각각의 공정챔버로 이송수단을 통해 반입,반출을 실시하며, 여기서 각각의 공정챔버로 반입된 기판은 하부전극의 상부에 위치된 적재대 상에 놓이게 되고, 상부전극 하부에 설치된 샤워헤드의 미세 구멍을 통해 공정가스가 유입되며, 유입된 가스로 외부의 전원을 인가 받은 상,하부전극에 의해 전기 방전을 일으켜 기판의 표면에 플라즈마 공정을 진행하는 것이다.The transfer chamber to which the substrate is transferred is in communication with a plurality of process chambers that maintain a vacuum state, and the transfer chamber carries in and out of each process chamber through a transfer means, where each process chamber The substrate brought in is placed on the mounting table positioned on the upper portion of the lower electrode, the process gas is introduced through the fine hole of the shower head installed under the upper electrode, and the upper and lower parts are supplied with external power by the introduced gas. Electrical discharge is caused by the electrode to perform a plasma process on the surface of the substrate.

상기 공정챔버의 상,하부전극은 공정챔버의 내부 상,하측에 각각 설치되며, 플라즈마 공정처리의 수행 대상물인 기판이 적재되는 하부전극의 양측에 절연체가 설치된다.The upper and lower electrodes of the process chamber are respectively installed on the upper and lower sides of the process chamber, and insulators are provided on both sides of the lower electrodes on which the substrate, which is a target of plasma processing, is loaded.

이러한 플라즈마 처리장치는 상부전극과 하부전극 사이에 기판을 위치시키고, 양 전극 사이의 공간에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 소정의 처리를 실시하는 것이다. 이때 양 전극 중 어느 한 전극에는 고주파 전원이 인가되고, 다른 한 전극은 접지된다.In such a plasma processing apparatus, a substrate is placed between an upper electrode and a lower electrode, and plasma is generated in a space between both electrodes to perform a predetermined treatment on the substrate. At this time, a high frequency power is applied to one of the two electrodes, and the other electrode is grounded.

종래의 플라즈마 처리장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)내 상부 영역에 상부전극(12)이 구비된다.As shown in FIG. 1, the conventional plasma processing apparatus 1 includes an upper electrode 12 in an upper region of the process chamber 10.

그리고, 상기 상부전극(12)과 대향되는 하부 영역에 설치되되 상기한 공정챔버(10) 바닥과 일정거리만큼 이격된 상태로 구비되는 베이스부(14)와, 이 베이스부의 상부 영역에 적재되는 절연부재(16)와, 이 절연부재의 상부 영역에 적재되는 냉각판(18)과, 이 냉각판의 상부 영역에 적재되는 하부전극(20)으로 구성된 전극부가 구비된다. 상술한 상부전극(12)과 하부전극(20)이 포함된 전극부는 공정 진행시 플라즈마로부터 보호하기 위하여 전극면을 제외한 나머지 부분 즉, 상부 영역 가장자리부와 각 측면을 절연판(22)으로 부착한 다음 그 외측에 세라믹판(24)을 부착하였다.In addition, the base portion 14 is installed in a lower region facing the upper electrode 12 and spaced apart from the bottom of the process chamber 10 by a predetermined distance, and the insulation is loaded on the upper region of the base portion. An electrode portion including a member 16, a cooling plate 18 stacked on the upper region of the insulating member, and a lower electrode 20 stacked on the upper region of the cooling plate is provided. The electrode part including the upper electrode 12 and the lower electrode 20 described above is attached to the remaining portion except the electrode surface, that is, the edge of the upper region and each side by the insulating plate 22 to protect from the plasma during the process. The ceramic plate 24 was attached to the outside.

그리고, 상기 하부전극(20)의 저면에 공정챔버(10)의 외부에서 고주파 전원(RF)이 인가되는 고주파 전원 공급봉(26)이 설치되며, 상기 고주파 전원 공급봉(26)을 외부에서 보호하는 전원공급봉 벨로우즈가 상기 베이스(14)의 저면과 공정챔버(10) 바닥면에 고정된다.In addition, a high frequency power supply rod 26 to which high frequency power (RF) is applied from the outside of the process chamber 10 is installed on the bottom surface of the lower electrode 20, and the high frequency power supply rod 26 is protected from the outside. The power supply rod bellows is fixed to the bottom surface of the base 14 and the bottom surface of the process chamber 10.

또, 상기 냉각판(18)과, 이 냉각판의 저면에 설치되는 절연부재(16)의 상면 양단에 수직방향으로 구비되는 한 쌍의 지지부(28)가 설치될 수 있게 구멍이 형성되고, 상기 지지부(28)는 전극부의 내부에서 공정챔버(10)의 하방 외측까지 연장되게 형성되어 그 연장된 지지부의 하단과 공정챔버(10)의 저면에 지지부의 노출된 부분을 보호하는 지지부 벨로우즈가 상기 지지부의 둘레 영역에 마련된다.Further, a hole is formed so that the cooling plate 18 and a pair of support portions 28 provided in the vertical direction at both ends of the upper surface of the insulating member 16 provided on the bottom surface of the cooling plate can be installed. The support part 28 is formed to extend from the inside of the electrode part to the outer side of the process chamber 10, and the support part bellows protecting the exposed part of the support part on the bottom of the extended support part and the bottom of the process chamber 10 is supported by the support part. Is provided in the peripheral area of the.

한편, 상기 베이스(14)의 저면과 공정챔버(10) 바닥의 양단에 볼트로 각각 체결되는 연결부재가 마련되고, 이 연결부재는 전극부의 하부전극과 공정챔버 바닥을 전기적으로 연결하여 접지시키는 역할을 한다. 여기서, 상기 연결부재는 도면에 도시되지 않았지만 상기 공정챔버내 천정과 상부전극에도 연결된다. 그리고, 상기 연결부재는 전극부가 대략 10mm 정도 승강하므로 최고점에 도달했을 때 파손되는 것을 방지하기 위해 신장되는 길이를 고려한 곡선 형상을 갖도록 고정된다.On the other hand, connecting members are fastened to the bottom of the base 14 and both ends of the bottom of the process chamber 10 by bolts, and the connecting member electrically connects the lower electrode of the electrode part and the bottom of the process chamber to ground. Do it. Although not shown in the drawing, the connecting member is also connected to the ceiling and the upper electrode in the process chamber. In addition, the connecting member is fixed to have a curved shape in consideration of the elongated length in order to prevent breakage when the electrode reaches the highest point because the electrode portion is elevated by approximately 10mm.

그리고, 상기 공정챔버(10)의 내측벽과 측판과의 이격 공간에 구비되어 공정 수행 중, 또는 공정이 수행된 후 공정챔버(10) 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 공정챔버 외부로 배기시키도록 상기 공정챔버(10)의 배기구에 마련된 배기유닛과의 통로 역할을 하며, 1차적으로 블록킹(Blocking)된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출되는 배플(32)이 마련된다. 여기서, 상기 배플(32)은 적정 간격으로 배열되는 슬릿(34)이 다수개 형성된다.In addition, the inner wall of the process chamber 10 and the space between the side plate is provided in the space during the process or after the process is performed, the unreacted gas in the process chamber 10 and the polymer generated during the process to the outside of the process chamber A baffle 32 serving as a passage with an exhaust unit provided in the exhaust port of the process chamber 10 to exhaust the gas is primarily blocked and provided with a baffle 32 which is discharged through the exhaust ports respectively formed at the corners of the lower surface of the process chamber. do. Here, the baffle 32 is formed with a plurality of slits 34 arranged at appropriate intervals.

그러나, 상기 배플(32)은 등간격으로 다수개 형성된 슬릿(34)이 일정한 개구 면적을 갖도록 마련됨으로써, 공정가스의 흐름을 조절하기 위해서는 개구 면적이 다른 별도의 배플을 제작하여 교체해야 하며, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생되면 그때마다 상황에 맞는 배플을 다수개 제작하여 교체해야 하므로 소요비용의 증가와 교체작업이 번거로운 문제점이 있었다.However, the baffles 32 are provided so that a plurality of slits 34 formed at equal intervals have a constant opening area, and in order to control the flow of the process gas, a separate baffle having a different opening area must be manufactured and replaced. If there is a case to control the flow of the process gas differently according to the situation to produce a plurality of baffles in accordance with the situation every time there is an increase in the required cost and the replacement work was troublesome.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 배플의 개구량을 임의로 조절가능하게 함으로써, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 수 있도록 한 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in order to solve the above problems, by making the opening amount of the baffle can be arbitrarily adjusted, the plasma processing apparatus capable of adjusting the baffle opening amount to control the flow of the process gas differently depending on the situation The purpose is to provide.

즉, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생되면, 그때마다 상황에 맞는 배플을 다수개 제작하여 교체해지 않아도 됨으로써, 비용발생의 우려가 불식되고, 또한 그때마다 배플의 교체작업을 하지 않아도 되어 작업성이 향상되도록 한 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있는 것이다.That is, when the flow rate of the process gas is controlled differently according to the situation, it is not necessary to manufacture and replace a plurality of baffles according to the situation at each time. It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of adjusting the baffle opening amount to improve workability without having to do this.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치는, 챔버내 상부 영역과 하부 영역에 각각 마련되는 상부전극과 하부전극; 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 마련되는 배플을 포함하여 이루어지되, 상기 배플은, 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 다수개로 분할되어 마련되고, 관통공들이 형성된 고정 배플과, 상기 고정 배플의 관통공들과 엇갈리게 관통공들이 형성되고, 승강수단에 의해 승강되면서 각 관통공들의 개구율이 확대 또는 축소되면서 배기량이 조절되도록 하는 승강 배플을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.Plasma processing apparatus capable of adjusting the baffle opening amount according to the present invention for achieving the above object, the upper electrode and the lower electrode provided in the upper region and the lower region in the chamber, respectively; And a baffle provided between the lower electrode and the wall in the chamber, wherein the baffle is divided into a plurality of portions between the lower electrode and the wall in the chamber, the fixed baffle having through holes formed therein; Through-holes are formed to be crossed with the through-holes of the fixed baffle, characterized in that it comprises an elevating baffle to adjust the displacement while the opening ratio of each of the through-holes is enlarged or reduced by the elevating means.

또한, 상기 승강수단은, 전기적 신호에 의해 피스톤을 전후진시키게 되는 엑츄에이터를 적용하는 것이 바람직하다.In addition, the lifting means, it is preferable to apply an actuator to advance the piston back and forth by the electrical signal.

한편, 상기 다수개의 승강 배플들에는 쌍을 이루는 고정 배플들과 해당 관통공들의 개구율을 조절하기 위한 승강수단이 각각 설치되는 것이 바람직하다.On the other hand, the plurality of lifting baffles are preferably provided with a pair of fixed baffles and lifting means for adjusting the opening ratio of the through holes.

또 한편으로, 상기 고정 배플을 승강시키기 위한 승강수단이 더 구비될 수도 있다.On the other hand, elevating means for elevating the fixed baffle may be further provided.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치에 의하면, 배플의 개구량을 임의로 조절가능하게 됨으로써, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 수 있게 되는 효과가 있다.As described above, according to the plasma processing apparatus capable of adjusting the baffle opening amount according to the present invention, the opening amount of the baffle can be arbitrarily adjusted, so that the flow rate of the process gas can be controlled differently according to the situation. have.

즉, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생될 경우에, 그때마다 상황에 맞는 배플을 다수개 제작하여 교체해지 않아도 됨으로써, 비용발생의 우려가 불식되고, 또한 그때마다 배플의 교체작업을 하지 않아도 되어 작업성이 향상되는 효과가 있다.In other words, when the flow rate of the process gas is controlled differently according to the situation, it is not necessary to manufacture and replace a plurality of baffles according to the situation at each time, thereby eliminating the fear of cost generation and at the same time. There is no need for replacement work, which improves workability.

또한, 사각으로 분할된 배플 플레이트의 각 영역 중, 미반응 공정가스나 폴리머의 압력 및 밀도가 높은 영역의 해당 배플 플레이트는 그 관통공의 개구율을 높이고, 상대적으로 미반응 공정가스나 폴리머의 압력 및 밀도가 낮은 배플 플레이트는 그 관통공의 개구율을 낮춤으로써, 챔버내에서 균일한 공정처리의 수행이 가 능하게 되는 매우 유용한 효과가 있게 된다.In addition, among the areas of the baffle plate divided into squares, the corresponding baffle plate of the unreacted process gas or polymer and the high density region increase the aperture ratio of the through-holes, and the pressure of the unreacted process gas or polymer is relatively high. A low density baffle plate has a very useful effect of lowering the opening ratio of the through hole, thereby enabling uniform process processing in the chamber.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치에서의 배플 구성을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 A-A선 단면도로서, 도 4a는 승강 배플이 고정 배플과 이격된 상태의 단면도이고, 도 4b는 승강 배플이 고정 배플과 밀착된 상태의 단면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a baffle configuration in a plasma processing apparatus according to the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 3, and FIG. 4A is a cross-sectional view of a lifting baffle spaced apart from a fixed baffle. 4b is a sectional view of the lifting baffle being in close contact with the fixed baffle.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치는 도면에 따로 도시하지 않았지만, 카세트에 다수개가 적재된 기판을 운송 로봇에 의해 반입 또는 반출시키되 진공과 대기압을 순환하는 로드락 챔버내로 반입시키고 상기 로드락 챔버의 내부가 진공상태가 되도록 펌핑을 실시하여 진공으로 만들고 난 후, 이송수단을 작동시켜 기판을 반송챔버로 이동시킨다. 그리고, 상술한 공정챔버에는 상하로 대향된 상부전극과, 하부전극이 포함된 전극부가 마련되며, 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 반복되는 설명은 생략하기로 한다.Although the plasma processing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention is not shown in the drawings, a plurality of substrates loaded in a cassette are loaded or unloaded by a transport robot into a load lock chamber which circulates vacuum and atmospheric pressure and loads the rods. The inside of the lock chamber is pumped to be in a vacuum state, and then made into a vacuum, and then the transfer means is operated to move the substrate to the transfer chamber. In addition, the above-described process chamber is provided with an electrode part including an upper electrode and a lower electrode facing up and down, and since the same structure and function as those of the related art will be omitted.

도시된 바와 같이, 하부전극과 공정챔버의 내측 벽면과의 사이에는 배플(50)이 마련된다.As shown, a baffle 50 is provided between the lower electrode and the inner wall surface of the process chamber.

상기 배플(50)은 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 공정챔버 내의 미반응 가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 공정챔버 외부로 배출시키도록 공정챔버의 배기구에 마련되어 흡입력을 제공하는 배기유닛과의 통로 역할을 하며, 공정가스가 1차적으로 블록킹된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출되는 배플이 마련되는 것이다.The baffle 50 is a passage with an exhaust unit provided at an exhaust port of the process chamber so as to discharge unreacted gas in the process chamber and polymer generated during the process to the outside of the process chamber during or after the process is performed. After the process gas is primarily blocked, the baffles are discharged through the exhaust holes formed at the corners of the lower surface of the process chamber.

즉, 공정가스 및 플라즈마가 하부전극과 공정챔버의 벽면 사이의 공간으로 곧바로 내려가지 않고, 배플(50)에 의하여 지연된 후 그 배플(50)을 이루는 고정 배플과 승강 배플에 각각 형성되어 있는 관통공(62,72)들을 통하여 하부로 내려가는 것이다.That is, through-holes formed in the fixed baffle and the lifting baffle respectively forming the baffle 50 after being delayed by the baffle 50 do not directly fall into the space between the lower electrode and the wall of the process chamber. Going down through (62,72).

상기 배플(50)은 도 3에 도시된 바와 같이, 하부전극의 가로너비와 세로너비와 상응하는 길이를 갖는 고정 배플(60)이 다수개 구비되고, 이 고정 배플(60)에는 두께 방향으로 일정간격마다 관통공(62)이 형성되어 있으며, 이러한 고정 배플(60)들은 서로 결합시 직사각형의 테두리 형상으로 가지게 된다.As shown in FIG. 3, the baffle 50 is provided with a plurality of fixed baffles 60 having a length corresponding to the horizontal width and the vertical width of the lower electrode, and the fixed baffle 60 is fixed in the thickness direction. Through holes 62 are formed at intervals, and the fixed baffles 60 have a rectangular edge shape when they are coupled to each other.

또한, 상기 고정 배플(60)들의 아래쪽에는 고정 배플들과 동일 크기로 이루어진 다수개의 승강 배플(70)들이 구비되는데, 이 승강 배플(70)들에도 두께 방향으로 일정간격마다 관통공(72)이 형성되어 있다.In addition, a plurality of lifting baffles 70 having the same size as the fixed baffles are provided below the fixed baffles 60. The lifting baffles 70 also have through holes 72 at regular intervals in the thickness direction. Formed.

이때, 상기 고정 배플(60)들에 형성된 관통공(62)들과, 승강 배플(70)들에 형성된 관통공(72)들은 서로 엇갈리게 형성되어 있다.At this time, the through holes 62 formed in the fixed baffles 60 and the through holes 72 formed in the lifting baffles 70 are alternately formed.

즉, 고정 배플(60)에서의 관통공(62)은, 승강 배플(70)에서 관통공(72)과 관통공(72) 사이의 판체부(74)와 동일수직선상을 이루고, 반대로 승강 배플(70)에서의 관통공(72)은, 고정 배플(60)에서의 관통공(62)과 관통공(62) 사이의 판체 부(64)와 동일수직선상을 이루도록 형성되어 있다.That is, the through hole 62 in the fixed baffle 60 forms the same vertical line as the plate body 74 between the through hole 72 and the through hole 72 in the lifting baffle 70, and on the contrary, the lifting baffle 60. The through hole 72 in the 70 is formed to form the same vertical line as the plate body portion 64 between the through hole 62 and the through hole 62 in the fixed baffle 60.

따라서, 고정 배플(60)과 승강 배플(70)이 서로 밀착되게 되면, 고정 배플(60)의 관통공(62)과 승강 배플(70)의 관통공(72)은 서로 연통되지 않게 된다.Therefore, when the fixed baffle 60 and the lifting baffle 70 come into close contact with each other, the through hole 62 of the fixed baffle 60 and the through hole 72 of the lifting baffle 70 do not communicate with each other.

한편, 상기 승강 배플(60)을 승강시키기 위한 승강수단(80)이 구비되어 있는데, 본 실시 예에서 상기 승강수단(90)은 전기적 신호에 따라 피스톤(92)이 신장,압축되는 액츄에이터를 제공하는 것이 바람직하나, 전기적 신호에 따라 일정간격만큼 승강이 이루어지는 기능을 갖는 것이라면 어떠한 것이라도 적용이 가능함은 물론이다.Meanwhile, elevating means 80 is provided for elevating the elevating baffle 60. In the present embodiment, the elevating means 90 provides an actuator in which the piston 92 is extended and compressed according to an electrical signal. It is preferable, but any one may be applied as long as it has a function of raising and lowering by a predetermined interval according to the electrical signal.

도 4b에 도시된 바와 같이, 고정 배플(60)에 대해 승강 배플(70)이 상승하여 서로 밀착된 상태에서, 승강수단(80)인 액츄에이터에 하강 신호를 입력하게 되면, 승강수단의 피스톤(82)이 수축되면서, 승강 배플(70)이 도 4a에 도시된 바와 같이 하강하게 되는 바, 고정 배플(60)의 관통공(62)들과 승강 배플(70)의 관통공(72)들은 서로 연통되게 된다.As shown in FIG. 4B, when the lifting baffle 70 rises with respect to the fixed baffle 60 and is in close contact with each other, when the falling signal is input to the actuator that is the lifting means 80, the piston 82 of the lifting means. ), As the lifting baffle 70 is lowered as shown in FIG. 4A, the through holes 62 of the fixed baffle 60 and the through holes 72 of the lifting baffle 70 communicate with each other. Will be.

이때, 배플(50)을 통해 배출되는 미반응 공정가스나 공정과정 중에 발생되는 폴리머의 압력 및 밀도가 높을 경우에는, 승강 배플을 최대한 아래로 하강시켜서 고정 배플(60)의 관통공(70)들과 승강 배플(70)의 관통공(72)들 연통로가 보다 수직선상을 이루도록 함으로써, 개구율을 최대로 높여 많은 양의 미반응 공정가스나 폴리머가 배출되도록 하면 된다.At this time, when the pressure and density of the unreacted process gas discharged through the baffle 50 or the polymer generated during the process is high, the through-holes 70 of the fixed baffle 60 are lowered by lowering the lifting baffle as much as possible. By passing through the through-holes 72 of the elevating baffle 70 to form a more vertical line, the opening ratio can be maximized to discharge a large amount of unreacted process gas or polymer.

또한, 배플(50)을 통해 배출되는 미반응 공정가스나 공정과정 중에 발생되는 폴리머의 압력 및 밀도가 낮을 경우에는, 승강 배플(70)을 조금만 아래로 하강시켜서 고정 배플(60)의 관통공(62)들과 승강 배플(70)의 관통공(72)들 연통로가 수평에 가깝도록 함으로써, 개구율을 낮춰서 적은 양의 미반응 공정가스나 폴리머가 배출되도록 하면 된다.In addition, when the pressure and density of the unreacted process gas discharged through the baffle 50 or the polymer generated during the process are low, the lifting baffle 70 is lowered only a little to penetrate through the fixed baffle 60 ( 62 and the through-holes 72 of the elevating baffle 70 are close to horizontal, so that the opening ratio can be lowered to discharge a small amount of unreacted process gas or polymer.

따라서, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생될 경우, 그때마다 상황에 맞는 배플(50)을 다수개 제작하여 교체해지 않아도 됨으로써, 비용발생의 우려가 불식되고, 또한 그때마다 배플(50)의 교체작업을 하지 않아도 되어 작업성이 향상되게 된다.Therefore, when the flow rate of the process gas is controlled differently according to the situation, it is not necessary to manufacture and replace a plurality of baffles 50 in accordance with the situation at each time, thereby eliminating the fear of cost generation, and every time There is no need to replace the baffle 50, the workability is improved.

한편, 도 3 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 배플(50)을 이루는 고정 배플(60)과 승강 배플(70)은 모두 하부전극의 가로너비 및 세로너비에 맞는 길이만큼의 판상으로 이루어져서 결합에 따라 직사각형태로 이루어지는 것인 바, 모두 4쌍으로 구비된다.On the other hand, as shown in Figures 3 to 4b, the fixed baffle 60 and the lifting baffle 70 forming the baffle 50 are all made of a plate-like length corresponding to the width and length width of the lower electrode to the coupling According to the present invention, four pairs are provided.

따라서, 상기 4쌍 모두 각각의 승강수단(80)에 의하여 해당 관통공(62,72))들의 개구율이 조절가능하게 구성되어 있다.Therefore, the opening ratios of the through holes 62 and 72 are adjustable by the respective lifting means 80 in all four pairs.

이에, 각 영역 중, 어느 한 쌍의 고정 배플과 승강 배플 측에 미반응 공정가스나 폴리머의 압력 및 밀도가 높을 경우에는, 해당 고정 배플과 승강 배플의 관통공 개구율을 높이고, 상대적으로 미반응 공정가스나 폴리머의 압력 및 밀도가 낮은 고정 배플과 승강 배플은 그 관통공 개구율을 낮춤으로써, 챔버내에서 균일한 공정처리의 수행이 가능하게 된다. Therefore, when the pressure and density of the unreacted process gas or polymer are high on any one of the pair of fixed baffles and the lifting baffles, the opening ratio of the through-holes of the fixed baffles and the lifting baffles is increased, and the unreacted steps are relatively unreacted. The fixed baffle and the lifting baffle having a low pressure and density of gas or polymer can lower the through-hole opening ratio, thereby enabling uniform processing in the chamber.

참고로, 본 발명에서 상부에 위치하는 배플을 고정 배플로 하고, 하부에 위치하는 배플을 승강 배플로 하여서, 상기 승강 배플이 승강수단에 의해 승강되는 것으로 예를 들어 설명하였으나, 반대로 하부에 위치하는 배플을 고정 배플로 하고, 상부에 취이하는 배플을 승강 배플로 하여서, 상기 승강 배플이 승강수단에 의해 승강되는 것으로 구성될 수도 있음을 밝혀둔다.For reference, in the present invention, the baffle positioned at the top is fixed baffle, and the baffle positioned at the bottom is lifted to the lifting baffle, for example, the lifting baffle is described as being lifted by the lifting means. The baffle is fixed baffle, and the baffle that is picked up on the top is lifted baffle, so that the lifting baffle may be configured to be lifted by the lifting means.

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치 구성을 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional plasma processing apparatus configuration.

도 2는 도 1에서 배플 구조를 나타낸 평면도.2 is a plan view showing the baffle structure in FIG.

도 3은 본 발명에 따른 배플 구조를 나타낸 평면도.3 is a plan view showing a baffle structure according to the present invention.

도 4는 도 3의 A-A선 단면도로서, 도 4a는 고정 배플에 대하여 승강 배플이 하강하여 이격된 상태의 단면도이고, 도 4b는 고정 배플에 대하여 승강 배플이 승강하여 밀착된 상태의 단면도.4 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 3, and FIG. 4A is a cross-sectional view of the lifted baffle spaced apart from the fixed baffle, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the lifted baffle in close contact with the fixed baffle.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

1 : 플라즈마 처리장치 10 : 챔버1: plasma processing apparatus 10: chamber

50 : 배플 60 : 고정 배플50: baffle 60: fixed baffle

62 : 관통공 64 : 판체부62: through hole 64: plate part

70 : 승강 배플 72 : 관통공70: elevating baffle 72: through hole

74 : 판체부 80 : 승강수단74: plate portion 80: lifting means

Claims (4)

진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 공정처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,A plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state and subjecting the substrate to a process. 상기 챔버내 상부 영역과 하부 영역에 각각 마련되는 상부전극과 하부전극;An upper electrode and a lower electrode respectively provided in upper and lower regions of the chamber; 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 마련되는 배플을 포함하여 이루어지되,It comprises a baffle provided between the lower electrode and the wall in the chamber, 상기 배플은, 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 다수개로 분할되어 마련되고, 관통공들이 형성된 고정 배플과,The baffle is divided into a plurality between the lower electrode and the wall in the chamber is provided, a fixed baffle formed with through holes, 상기 고정 배플의 관통공들과 엇갈리게 관통공들이 형성되고, 승강수단에 의해 승강되면서 각 관통공들의 개구율이 확대 또는 축소되면서 배기량이 조절되도록 하는 승강 배플을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치.Through-holes are formed alternately with the through-holes of the fixed baffle, the baffle opening amount adjustment characterized in that it comprises an elevating baffle to adjust the displacement while the opening ratio of each of the through-holes is enlarged or reduced by the elevating means; Possible plasma processing apparatus. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 승강수단은, 전기적 신호에 의해 피스톤을 전후진시키게 되는 엑츄에이터인 것을 특징으로 하는 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치.And said elevating means is an actuator for advancing and retracting the piston by an electrical signal. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 다수개의 승강 배플들에는 쌍을 이루는 고정 배플들과 해당 관통공들의 개구율을 조절하기 위한 승강수단이 각각 설치된 것을 특징으로 하는 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치.And a plurality of elevating means for adjusting the opening ratio of paired fixed baffles and corresponding through holes in the plurality of elevating baffles, respectively. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 고정 배플을 승강시키기 위한 승강수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치.And an elevating means for elevating the fixed baffle.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120100815A (en) * 2011-03-03 2012-09-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing apparatus
KR20130070087A (en) * 2011-12-19 2013-06-27 세메스 주식회사 Plasma processing apparatus
KR20140144383A (en) * 2013-06-10 2014-12-19 세메스 주식회사 Baffle unit, apparatus and method for treating substrate using the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100977674B1 (en) * 2003-07-02 2010-08-24 주성엔지니어링(주) Device of baffle which make possible adjusting elevation
KR101218052B1 (en) * 2005-11-25 2013-01-18 주성엔지니어링(주) Baffle, Plasma apparatus, and Method for treating substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120100815A (en) * 2011-03-03 2012-09-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing apparatus
KR20130070087A (en) * 2011-12-19 2013-06-27 세메스 주식회사 Plasma processing apparatus
KR20140144383A (en) * 2013-06-10 2014-12-19 세메스 주식회사 Baffle unit, apparatus and method for treating substrate using the same

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