KR20090076636A - 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법으로서, 혐기성 암모늄 산화균을 배양조에서 배양하는 단계(S1); 상기 배양된 혐기성 암모늄 산화균을 혐기성소화슬러지와 혼합하고, 400-500 rpm의 고속교반조건에서 양이온 또는 음이온 고분자를 투입하여 슬러지를 입상화시키는 단계(S2); 및 상기 혼합액에 100-200 rpm의 저속교반조건에서 실리카졸을 투입하여 입상화된 슬러지를 안정화시키는 단계(S3)를 포함하는, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 의한 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법을 이용하면, 생물학적 입상화방법에 비하여 혐기성 암모늄 산화균의 입상화를 빠른 시간 안에 달성할 수 있고, 혐기성 암모늄 산화균을 이용한 고농도 질소함유 폐수처리에 있어서 공정 초기 안정화에 소요되는 시간을 현저하게 감소시킬 수 있으며, 안정화 이후 미생물 농도를 유지시킬 수 있으므로, 지속적인 고농도 질소 처리가 가능하다.
혐기성 암모늄 산화균, 화학적 입상화, 양이온 또는 음이온 고분자 응집제, 실리카졸, 초기 안정화, 혐기성소화슬러지

Description

혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법 {Method for chemical granulation of anaerobic ammonium oxidizing bacteria}
본 발명은 혐기성 암모늄 산화균을 이용한 하폐수내 질소 제거 공정 중 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법에 관한 것으로, 혐기성 암모늄 산화균의 입상화를 빠른 시간 안에 달성할 수 있고, 질소 제거 공정 초기 안정화에 소요되는 시간을 현저하게 감소시킬 수 있는 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법에 관한 것이다.
가장 많이 사용되는 대표적인 질소 제거 공정으로는 질산화-탈질 공정이 있으며, 호기성 조건에서의 질산화와 혐기성 조건에서의 탈질 공정의 대표적인 반응식은 아래와 같다(식 1, 식 2). 이는 수계에 존재하는 질소 성분(N)을 질소 가스(N2)로 변환시켜 방출함으로써 제거하는 것으로, 호기성 암모늄 산화균(Aerobic ammonium oxidizer)과 탈질균(Denitrifier)에 의한 것으로 알려져 있다.
질산화: NH4 + + 2O2 → NO3 - + 2H+ + H2O (식 1)
탈질: 6NO3 - + 5CH3OH + CO2 → 3N2 + 6HCO3 - + 7H2O (식 2)
그러나 질산화시의 폭기 비용, 탈질시의 외부 탄소원 주입 비용 등으로 적지 않은 비용이 질소 제거에 투입되는 바, 이를 획기적으로 개선할 수 있는 혐기성 암모늄 산화균을 이용한 질소 제거 기작(식 3)이 1995년 네덜란드의 탈질조에서 발견되었다.
1.0NH4 + + 1.32NO2 - + 0.066HCO3 - + 0.13H+ →
1.02N2 + 0.26NO3 - + 0.066CH2O0.5N0.15 + 2.03H2O (식 3)
혐기성 암모늄 산화균을 이용하여 하폐수 내 질소를 제거할 경우, 기존의 질소 제거 과정보다 단순화된 경로를 통해 빠른 시간 내에 질소 가스로의 변환이 가능하며, 중간에 소모되는 산소양이 기존 공정의 37%이고, 외부 탄소원이 필요없으므로 경제적인 손실을 최소화할 수 있다. 더욱이, 슬러지의 발생이 거의 없는 혐기성 공정 하에서 진행되므로 추가적인 슬러지 처리 비용 절감 효과도 거둘 수 있다.
또한, 혐기성 암모늄 산화균은 독립영양균(autotroph)의 일종으로 무기탄소를 탄소원으로 섭취하여 성장하므로 잠재적인 CO2 성분인 수계 내 알칼리도 성 분(HCO3 -)을 섭취하여 체내에 고정함으로써, 온실가스 저감에도 크게 기여할 수 있을 것으로 판단된다.
본 발명자들은 혐기성 암모늄 산화균의 느린 생장속도로 인해 질소 제거 공정 초기에 제거 효율을 높이기까지 장기간의 시간이 소요된다는 문제점을 인식하였다. 따라서, 충분한 양의 혐기성 암모늄 산화균을 확보하지 못한 상태에서도 상기 균을 안정적으로 배양하고 유지하여, 혐기성 암모늄 산화균을 이용한 질소 제거 시스템을 효율적이고 안정적으로 운영하기 위하여 부유성 혐기성 암모늄 산화균을 화학적으로 입상화하는 방법을 개시하고자 한다.
본 발명은 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법으로서, 혐기성 암모늄 산화균을 배양조에서 배양하는 단계(S1); 상기 배양된 혐기성 암모늄 산화균을 혐기성소화슬러지와 혼합하고, 400-500 rpm의 고속교반조건에서 양이온 또는 음이온 고분자를 투입하여 슬러지를 입상화시키는 단계(S2); 및 상기 혼합액에 100-200 rpm의 저속교반조건에서 실리카졸을 투입하여 입상화된 슬러지를 안정화시키는 단계(S3)를 포함하는, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법을 제공한다.
본 발명의 일실시예에 의한 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법을 이용하면, 생물학적 입상화방법에 비하여 혐기성 암모늄 산화균의 입상화를 빠른 시간 안에 달성할 수 있고, 혐기성 암모늄 산화균을 이용한 고농도 질소함유 폐수처리에 있어서 공정 초기 안정화에 소요되는 시간을 현저하게 감소시킬 수 있으며, 안정화 이후 미생물 농도를 유지시킬 수 있으므로, 지속적인 고농도 질소 처리가 가능하다.
본 발명의 일실시예에 따른 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법에 대하여 상술한다.
본 발명의 일실시예에 따른 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법은 혐기성 암모늄 산화균을 배양조에서 배양하는 단계(S1); 상기 배양된 혐기성 암모늄 산화균을 혐기성소화슬러지와 혼합하고, 400-500 rpm의 고속교반조건에서 양이온 또는 음이온 고분자를 투입하여 슬러지를 입상화시키는 단계(S2); 및 상기 혼합액에 100-200 rpm의 저속교반조건에서 실리카졸을 투입하여 입상화된 슬러지를 안정화시키는 단계(S3)를 포함한다.
본 발명의 일실시예에서, 혐기성소화슬러지와 혐기성 암모늄 산화균의 비를 달리하여, 혼합된 슬러지에 양이온기 또는 음이온기를 함유하고 있는 선형 및 비선형 수용성 고분자(c-PAM, c-310, CPA-D, 양이온 GG, P-DADMAC, a-PAM 등)를 넣어 고속교반의 조건에서 2분간 교반시키고 실리카졸을 넣어 저속교반의 조건에서 2분간 교반시켜 전기적 중화 및 가교결합을 유도하여 입자상 슬러지로 변환시킨다. 혼합슬러지의 전기적 특징에 따라 양이온 또는 음이온 고분자를 선택할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 혐기성소화슬러지에 대한 혐기성 암모늄 산화균의 적정 혼합비는 중량비로 60~90:10~40일 수 있다. 혐기성 암모늄 산화균의 비가 10중량%미만의 경우에는 슬러지의 입상화는 용이하나 혐기성 암모늄 산화균의 활성도가 저하되어 3개월이상의 장시간의 시운전기간이 요구되고, 40%를 초과하는 경우에는 슬러지의 입상화가 잘 이루어지지 않을 뿐만 아니라 입상슬러지를 제조하는데 많은 양의 혐기성 암모늄 산화균이 소요되어 경제적으로 타당하지 않기 때문이다.
본 발명의 일실시예에서, 양이온 또는 음이온 고분자 응집제의 주입하에서의 고속교반에 이은 실리카졸 주입하에서의 저속교반이 요구되는데, 최적의 고속 및 저속교반조건은 각각 400-500rpm과 100-200rpm일 수 있다. 혼합슬러지에 양이온 또는 음이온 고분자를 투입한 후 고속교반을 수행함에 있어서 500rpm을 초과할 경우 과도한 전력비가 소요되고, 400rpm미만의 경우 완전혼합조건이 형성되지 않아 혼합슬러지와 양이온 또는 음이온 고분자간의 혼합이 원활하게 일어나지 않는다. 저속교반의 경우, 200rpm을 초과할 경우 입상슬러지가 부서지는 부작용이 일어나기 쉽고 100rpm미만의 경우 슬러지의 입상화가 용이하지 않다.
혼합슬러지의 입상화를 위한 최적의 양이온 또는 음이온 고분자의 주입량은 혼합슬러지 건조중량의 0.5-1%의 양일 수 있다. 양이온 또는 음이온 고분자의 양이 혼합슬러지 건조중량의 0.5% 미만인 경우 반응 후 상징수의 탁도가 200이상으로 증가하면서 혼합슬러지의 입상화가 잘 이루어지지 않고, 1%를 초과할 경우 입상슬러지가 5 mm이상으로 과도하게 커지고 강도도 떨어진다.
실리카졸의 최적 주입량도 혼합슬러지의 건조중량대비 0.5-1%로 나타났는데 0.5%미만의 경우 입상슬러지의 강도가 저하되고, 1%이상인 경우 입상슬러지의 활성도를 저하시킨다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 혐기성 암모늄 산화균은 대한민국특허출원번호 제2005-0102671호(혐기성 암모늄 산화균의 연속 배양 방법 및 장치)에 개시된 장치에서 배양 및 활성화된다. 상기 연속 배양 시스템은 고형물 체류 시간이 50일 이상이어서, 성장속도가 극히 느린 혐기성 암모늄 산화균의 안정적인 성장이 가능한 생육 조건을 제공할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화를 통해 상기 미생물의 느린 생장 속도를 극복하고 질소 제거 시스템의 초기 안정화 단계에 도달하는 시간을 크게 단축시킬 수 있었다. 또한, 미생물 농도를 유지하여 초기에 나타난 활성도를 유지할 수 있었다. 현재 질소 제거가 나타나기까지는 최소 50일, 안정적인 처리까지는 6개월 가까이 시간이 소요되지만, 본 발명의 일실시예에 따른 화학적 입상화 시스템 및 방법을 이용하면 불과 1시간 내에 혐기성 암모늄 산화균의 입상화가 가능하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니며 첨부된 특허청구범위내에서 다양한 형태의 실시예들이 구현될 수 있고, 단지 하기 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 동시에 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 실시를 용이하게 하고자 하는 것이다.
[실시예]
주정폐수처리용 UASB(Upflow Anaerobic Sludge Blanket) 공정에서 채취한 혐기성소화슬러지의 비와 다공성 폴리에스터 부직포를 이용하여 배양한 부유성 혐기성 암모늄 산화균인 칸디다투스 브로카디아 아나목시단스(Candidatus Brocardia Anammoxidans) 슬러지의 비를 달리하여 혼합한 뒤, 혼합된 슬러지에 양이온기를 함유하고 있는 선형 및 비선형 수용성 고분자(c-PAM, c-310, CPA-D, 양이온 GG, P-DADMAC) 및 실리카졸을 넣어 400 및 200 rpm으로 각 2분간 교반시킴으로써 전기적 중화 및 가교결합을 유도하여 입자상 슬러지로 변환시켰다.
사용된 혐기성소화슬러지의 MLSS는 27 g/L였고, 고분자의 주입량은 혐기성 소화슬러지의 중량비의 0.1-1.1%까지 변화시키면서 주입하였다. 양이온 고분자의 주입량 결정을 위하여, 도 1의 양이온 고분자 주입량과 탁도의 관계를 나타내는 그래프를 이용하였다. 도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 양이온 고분자의 최적주입량은 혐기성 소화슬러지 중량대비 0.7%인 것으로 나타났다. 한편, 실리카졸의 주입량도 0.7중량%를 주입하였을 때 가장 안정적인 입상화특성을 나타내었다. 도 2는 혐기성소화슬러지와 혐기성 암모늄 산화균 슬러지의 비를 다양하게 한 경우 만들어지는 입상 슬러지의 크기를 나타내는 사진이다. 만들어진 입상 슬러지의 크기는 대부분 0.5-3 mm 정도로서 실규모 UASB 반응조의 입상 슬러지와 비슷한 크기를 나타내었다. 특히 혐기성 소화슬러지의 중량비가 클수록 안정적인 입상화가 이루어졌다. 도 3은 혼합 슬러지 내 혐기성 암모늄 산화균 슬러지의 중량비율을 왼쪽부터 0, 20, 40, 60, 80, 100%로 하였을 경우 각각의 침강속도를 나타내는 사진이다. 평균 침강속도는 2.16-3.12 m/시간의 범위로서 우수한 고액분리성능을 나타내었고, 특히 혐기성 소화슬러지의 중량비가 클수록 침강속도가 빠르게 나타났다.
[시험예] 입상슬러지의 적용성 평가
1.혐기성 암모늄 산화 반응기의 설계
혐기성 암모늄 산화균은 두 가지 주요한 생장특성을 나타낸다. 하나는 전술한 바와 같이 메디아(부직포 및 혐기성 입상슬러지 등)에 잘 붙는 것이고, 또다른 하나는 자기고정화현상(또는 집적화)을 가지고 있는 것이다. 특히 재순환 없이 UASB 형태의 반응기를 장기간 운전하였을 때에는 반응기내 혐기성 암모늄 산화균의 집적화현상이 현저하게 나타나므로, 미생물 덩어리의 크기가 5 cm를 초과함에 따라 기질의 이용속도가 떨어져 결국에는 반응기 상부로 부유하고, 이들 미생물 덩어리가 반응기 상부로 부유하면 반응기내의 활성미생물의 농도가 낮아져 처리성능이 급격히 악화되는 현상이 나타난다. 이러한 문제를 극복하기 위해서 혐기성 암모늄 산화 반응기하부에는 입상 슬러지를 충진하여 재순환율을 증가시켜 미생물 집적화를 방지하였고, 반응기 상부에는 부직포를 두어 성장한 혐기성 암모늄 산화균이 반응기외로 배출되는 것을 방지하였다.
2. 혐기성 암모늄 산화반응기의 가동
한 세트의 연속반응기를 제작하여 입상 혐기성 암모늄 산화균의 반류수에 대한 적용성을 시험하였다. 연속 반응기는 도 4와 같이 유효부피 3.35 L, 반응기의 하부는 UASB (Upflow Anaerobic Sludge Blanket) 형태, 상부는 부직포를 충진한 형 태의 복합형 반응기이다. 식종미생물로서는 본 발명의 일실시예에서 생산한 입상 혐기성 암모늄 산화균을 0.5L 충진하였다. 반응기의 온도를 조절하기 위하여 110cm (가로) x 70cm (세로) x 150cm (높이) 크기의 박스에 PID 제어 방식의 히터를 장착한 항온시스템을 제작하였고, 혐기성 암모늄 산화균의 성장에 영향을 미치는 pH, 온도, ORP 등을 상시적으로 모니터링하기위한 자동 장치 (Magic Link System, Isteck Inc.)와 컴퓨터를 설치 및 운전하였다. 발생되는 가스는 반응기 상부의 GSS (Gas Solid Separator)에 의해 분리된 후, 습식 가스 미터 (TG05 type, Ritter)로 미량의 발생가스도 정확하게 측정하였고, 미량펌프 (Model QSY with RH, Fluidmetering Inc.)를 이용하여 반류수를 유입하였다. 수리학적 체류시간은 1일로 운전되었으며, 내부 순환은 유입유량 대비 10Q 이상으로 순환시켰고 미량펌프를 이용하여 내부순환속도를 144 L/일 로 고정하여 처리수를 재순환시켰다. 각 반응기 내 상향 유속은 50 m/시간 이상으로 유지하였다.
초기 유입 질소 부하는 0.1 kg N/m3-day의 조건에서 운전하였으며, 단계적으로 유입수의 질소농도를 증가시켜 운전 23일부터 0.6 kgN/m3-day의 조건에서 운전하였다. pH는 인위적으로 조절하지 않았고, 항온시스템은 반응기내 온도가 중온조건인 35±1℃가 되도록 작동하였다. 연속 배양에 따른 식종미생물의 질소제거와 혐기성 암모늄 산화균 반응 변화를 관찰하기 위해 주기적으로 유출수와 미생물을 채취하였다. 또한 유출 가스내 질소가스 조성 변화를 일주일에 2-3회 모니터링하였다.
3. 유입수의 특성
본 발명의 상기 시험예에서 사용된 유입수의 조성은 표 1과 같이, 혐기성 암모늄 산화균의 연속배양을 위해서 유입수의 암모니아성 질소와 아질산성 질소를 각각 50-300 mg/L, 50-300 mg/L까지 변화시켰고, 혐기성 암모늄 산화균의 탄소원으로는 중탄산나트륨을 첨가하여 알칼리도들 300-500 mg/L로 유지하였다.
　 　 농도 　
　 수돗물(g/L) 목표농도(mg/L) 　
(NH4)2SO4 　 0.23-1.42 50-300　 　
NaNO2 　 0.25-1.48 50-300 　
NaHCO3 　 0.504　 72　 　
KH2PO4 　 0.027　 6　 　
MgSO4·7H2O 　 0.123　 12　 　
CaCl2·2H2O 　 0.176　 48　 　
미량무기물질용액 Ⅰ* 　 1ml/L 　 　
EDTA 　 5 　 　
FeSO4·7H2O 　 5 　 　
미량무기물질용액 Ⅱ* 　 1ml/L 　 　
ZnSO4·7H2O 　 0.430　 　 　
CoCl2·6H2O 　 0.240　 　 　
MnCl2·4H2O 　 0.990　 　 　
CuSO4·5H2O 　 0.250　 　 　
Na2MoO4·2H2O 　 0.220　 　 　
NiCl2·6H2O 　 0.190　 　 　
Na2SeO4·10H2O 　 0.210　 　 　
H3BO3 　 0.014　 　 　
4. 반응가스 측정 및 화학분석
연속 반응기에서 시료의 총 가스 및 질소의 생산량은, 가스미터를 이용하여 연속반응기로부터 생성되는 가스량을 측정하고 가스내 질소함량을 주기적으로 측정함으로써 구하였다. Porapak Q(80/100)를 충진한 1/8인치 구경, 6 피트 길이를 가진 스테인레스 칼럼과 TCD (Thermal Conductivity Detector)를 장착한 GC (HP 6890N)로 가스성분을 분석하였고, 캐리어 가스로는 아르곤 가스를 사용하였다. pH, 알칼리도, VSS, NH3-N의 시료 분석은 표준 방법(APHA, 1998)에 따라 분석하였고, NO2 -, NO3 - 분석은 이온크로마토그래프(DX-500, DIONEX)를 이용하였다.
측정 결과, 표 2에서와 같이, 운전 5일 후부터 우수한 혐기성 암모늄 산화 활성을 나타내기 시작하여, 30일이내에 0.6 kgN/m3-day의 조건에서 운전하였을 때 0.49 kg N/m3-day의 질소제거속도를 나타내는 우수한 반응특성을 나타내었다. 암모니아성 질소의 제거효율은 유입농도를 50에서 300 mg/L까지 단계적으로 증가시켰을 때, 82-88% 의 우수한 제거특성을 나타내었고, 아질산성 질소는 모든 운전조건에서 99%의 이상의 우수한 제거특성을 나타내었다. 또한, 유출수 내 VSS 농도는 10 mg/L이하로 유지되었다. 표 2에서 질소 가스 생성은 [측정된 질소 생성량/NH3-N 제거에 기초한 이론적인 질소 생성량]으로 표현된다.
운전 조건 pH 알칼리도 (mg/L) NH3-N (mg/L) NO2-N (mg/L) NO3-N (mg/L) N2 가스 생성 (mL/일)
단계 I (NH3-N/NO2-N =50/50) 1-5일 유입 7.6 430 47.9 48.4 - -
유출 7.9 418 6.0 0.3 8.7
제거 효율 (%) - - 87.5 99.3 -
단계 II (NH3-N/NO2-N =100/100) 5-12일 유입 7.7 413 97.9 101.5 - 457/ 341*
유출 8.2 390 14.8 0.5 15.8
제거 효율 (%) - - 84.9 99.5 -
단계 III (NH3-N/NO2-N =150/150) 12-21일 유입 7.6 430 149.5 150.0 - 850/ 845*
유출 8.5 383 12.4 0.4 22
제거 효율 (%) - - 91.7 99.7 　
단계 III (NH3-N/NO2-N =200/200) 21-23일 유입 7.6 - 192.7 199.0 - -
유출 8.3 - 18.6 0.3 -
제거 효율 (%) - - 87.5 99.3 -
단계 III (NH3-N/NO2-N =300/300) 23-28일 유입 7.6 467 290.2 308 - 1,332/ 1,463*
유출 8.3 449 52.7 2.5 58
제거 효율 (%) - - 81.8 99.1 -
5. 결론
생물학적으로 안정적인 혐기성 암모늄 산화균 입상슬러지를 생산하기 위해서는 혐기성 입상슬러지 식종 후 약 6개월이상이 소요되는 반면, 화학적 입상화는 1 시간이내에 입상 슬러지의 생산이 가능하였다. 생산된 슬러지를 대상으로 반응기하부는 입상슬러지를 충진하고, 상부에는 혐기성 암모늄 산화균의 부착이 용이한 부직포반응기를 충진하여 운전하였을 때 운전 30일이내에 0.6 kgN/m3-day의 조건에서 안정적으로 질소제거가 가능하여, 시운전기간을 크게 줄일 수 있었다.
도 1은 양이온 고분자 주입량과 탁도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2는 혐기성소화슬러지와 혐기성 암모늄 산화균 슬러지의 비를 다양하게 한 경우 만들어지는 입상 슬러지의 크기를 나타내는 사진이다.
도 3은 혼합 슬러지 내 혐기성 암모늄 산화균 슬러지의 중량비율을 왼쪽부터 0, 20, 40, 60, 80, 100%로 하였을 경우 각각의 침강속도를 나타내는 사진이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 입상 혐기성 암모늄 산화균의 반류수에 대한 적용성을 시험해보기 위한 혐기성 암모늄 산화 연속반응기의 모식도이다.

Claims (6)

  1. 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법으로서,
    혐기성 암모늄 산화균을 배양조에서 배양하는 단계(S1);
    상기 배양된 혐기성 암모늄 산화균을 혐기성소화슬러지와 혼합하고, 400-500 rpm의 고속교반조건에서 양이온 또는 음이온 고분자를 투입하여 슬러지를 입상화시키는 단계(S2); 및
    상기 혼합액에 100-200 rpm의 저속교반조건에서 실리카졸을 투입하여 입상화된 슬러지를 안정화시키는 단계(S3)를 포함하는, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 양이온 또는 음이온 고분자는 c-PAM, c-310, CPA-D, 양이온 GG, P-DADMAC 또는 a-PAM 인, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 양이온 또는 음이온 고분자는 혼합슬러지 건조중량의 0.5-1%의 양으로 투입되는, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법.
  4. 제1항에 있어서, S2단계에서 상기 혐기성소화슬러지에 대한 혐기성 암모늄 산화균의 혼합비는 중량비로 60~90:10~40인, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 실리카졸은 혼합슬러지의 건조중량대비 0.5-1%의 양으로 투입되는, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 1시간 이내에 혐기성 암모늄 산화균을 입상화시키는, 혐기성 암모늄 산화균의 화학적 입상화 방법.
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