KR20090069558A - Organic electro luminescence display device and method for manufacturing thereof - Google Patents

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최희동
이재영
임현택
노병규
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Abstract

An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to perform a clear image by blocking a light leakage in an edge of an active region through a light leakage preventing pattern. An organic electroluminescent display device includes a substrate(100), an encapsulation substrate(220), a seal line(230), and a light leakage preventing pattern(240). The substrate is divided into a pixel region(I) and a non-pixel region(II). An array layer is formed on the pixel region of the substrate. The array layer includes an organic light emitting layer and a thin film transistor. The encapsulation substrate is bonded with the substrate. The encapsulation substrate includes a moisture absorbent(225). The seal line is formed on the non-pixel region in order to bond the substrate with the encapsulation substrate. The light leakage preventing pattern is arranged between the seal line and the array layer. The light leakage preventing pattern is made of metal having an optical reflection property.

Description

유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법{Organic Electro luminescence Display Device and Method for manufacturing thereof}Organic electroluminescent display device and method for manufacturing thereof

본 발명은 빛샘 불량을 개선한 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device having improved light leakage defects.

최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같은 종래의 표시소자의 단점을 해결하는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광장치(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display panel)등과 같은 평판형표시장치(flat panel display device)가 주목받고 있다.Recently, a flat panel type such as a liquid crystal display device, an organic electroluminescence device, or a plasma display panel that solves the shortcomings of conventional display devices such as cathode ray tubes. Flat panel display devices are attracting attention.

상기 액정표시장치는 자체발광소자가 아니라 수광소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, PDP는 자체발광소자이기는 하지만, 다른 평판형표시장치에 비해 무게가 무겁고, 소비전력이 높을 뿐만 아니라 제조방법이 복잡하다는 문제점이 있다.Since the liquid crystal display is not a light emitting device but a light receiving device, there is a limit in brightness, contrast, viewing angle, and large area, and although the PDP is a light emitting device, it is heavier in weight and consumes more power than other flat panel displays. In addition, there is a problem that the manufacturing method is complicated.

반면에, 유기 전계 발광 표시 장치는 자체발광소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량, 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아 니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점이 있다.On the other hand, since the organic light emitting display device is a self-luminous element, it is excellent in viewing angle, contrast, etc., and because it does not require a backlight, it is possible to be lightweight and thin, and is advantageous in terms of power consumption. In addition, since it is possible to drive a DC low voltage, fast response speed, and all solid, it is resistant to external shock, wide use temperature range, and simple and inexpensive manufacturing method.

하지만, 유기 전계 발광 표시 장치는 액정표시장치와 같이 별도의 컬러필터기판 상에 광차단을 위한 블랙매트릭스가 형성되지 않기 때문에 내부에서 발생되는 광이 원치않는 방향으로 진행하는 빛샘 불량에 취약하다.However, since the organic light emitting display device does not form a black matrix for blocking light on a separate color filter substrate like a liquid crystal display device, the organic light emitting display device is vulnerable to light leakage defects in which the light generated therein travels in an unwanted direction.

특히, 영상을 구현하는 유기 전계 발광 표시 장치의 액티브 영역에서는 게이트 신호라인, 데이터 신호라인 및 박막 트랜지스터가 각 서브 화소들을 구획하도록 형성되어 있기 때문에 어느 정도 빛 샘 불량을 차단할 수 있다.In particular, since the gate signal line, the data signal line, and the thin film transistor are formed to partition each of the sub-pixels in the active region of the organic light emitting display that implements the image, light leakage defects may be blocked to some extent.

하지만, 액티브 영역 가장자리 둘레에는 액정표시장치의 경우에는 블랙매트릭스로 표시영역과 비표시영역을 명확히 구획하지만, 유기 전계 발광 표시 장치의 경우에는 이와 같이 액티브 영역 외측 가장자리 영역에서 발생되는 빛 샘 불량을 차단할 어떠한 구조물도 형성되어 있지 않다. 이로 인하여 액티브 영역 외곽에서 빛 샘에 의한 번짐 불량 또는 색 빠진 불량이 발생되어 화면 품위를 저하시키는 원인이 된다.However, in the case of the liquid crystal display device, the display area and the non-display area are clearly divided around the edge of the active area, but in the case of the organic electroluminescent display device, light leakage defects generated at the outer edge area of the active area can be prevented. No structure is formed. As a result, bleeding defects or color defects caused by light leakage are generated outside the active area, which causes deterioration of screen quality.

본 발명은, 유기 전계 발광 표시 장치의 실라인 영역에 액티브 영역에서 발생되는 광을 액티브 영역을 가이드 할 수 있도록 하여 액티브 영역 가장자리 둘레를 따라 발생되는 빛샘 불량을 개선한 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention provides an organic electroluminescent display device having improved light leakage defects generated along the edges of an active area by guiding the active area with light generated in the active area to a seal line region of the organic light emitting display device, and a fabrication thereof. The purpose is to provide a method.

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 제조방법은, 화소영역과 비화소영역으로 구획된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 화소영역 상에 유기발광층과 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이층을 형성하는 단계; 상기 기판과 합착되고, 흡습제를 구비한 봉지기판을 제공하는 단계; 및 상기 비화소영역과 대응되는 기판 또는 봉지기판 상에 빛샘방지패턴과 실라인을 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, the method including: providing a substrate partitioned into a pixel region and a non-pixel region; Forming an array layer including an organic light emitting layer and a thin film transistor on a pixel area of the substrate; Providing an encapsulation substrate bonded to the substrate and having a moisture absorbent; And forming a light leakage preventing pattern and a seal line on a substrate or an encapsulation substrate corresponding to the non-pixel region.

또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 제조방법은, 화소영역과 비화소영역으로 구획된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 화소영역 상에 유기발광층과 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이층을 형성하는 단계; 상기 기판과 합착되고, 흡습제를 구비한 봉지기판을 제공하는 단계; 및 상기 비화소영역과 대응되는 봉지기판의 배면 상에 빛샘차단테이프 또는 블랙매트릭스패턴을 형성하는 단계를 포함한다.Also, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention may include providing a substrate partitioned into a pixel region and a non-pixel region; Forming an array layer including an organic light emitting layer and a thin film transistor on a pixel area of the substrate; Providing an encapsulation substrate bonded to the substrate and having a moisture absorbent; And forming a light blocking tape or a black matrix pattern on a rear surface of the encapsulation substrate corresponding to the non-pixel region.

또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는, 화소영역과 비화소영역 으로 구획되고, 상기 화소 영역에 유기발광층과 박막트랜지스터를 포함하는 어레이층이 형성된 기판; 상기 기판과 합착되고, 흡습제를 구비한 봉지기판; 상기 기판과 봉지기판이 합착되도록 비화소영역에 형성된 실라인; 및 상기 비화소영역의 실라인과 어레이층 사이에 배치된 빛샘차단패턴을 포함한다.In addition, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate partitioned into a pixel region and a non-pixel region, and an array layer including an organic light emitting layer and a thin film transistor in the pixel region; An encapsulation substrate bonded to the substrate and having a moisture absorbent; A seal line formed in the non-pixel region to bond the substrate and the encapsulation substrate together; And a light leakage blocking pattern disposed between the seal line of the non-pixel region and the array layer.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치의 실라인 영역에 액티브 영역에서 발생되는 광을 액티브 영역을 가이드 할 수 있도록 하여 액티브 영역 가장자리 둘레를 따라 발생되는 빛샘 불량을 개선한 효과가 있다.As described in detail above, the present invention allows the light generated in the active area to be guided to the active area in the seal line area of the organic light emitting display device, thereby improving light leakage defects generated around the edge of the active area. There is.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명한다. 우선, 도면들 중 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 한 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의해야 한다. 실 시예를 설명함에 있어서 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 실 시예의 요지를 모호하게 하지 않기 위해 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, it should be noted that the same components or parts in the drawings represent the same reference numerals as much as possible. In describing the embodiments, detailed descriptions of related well-known functions or configurations are omitted in order not to obscure the gist of the embodiments.

또한, 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상(on/above/over/upper)"에 또는 "아래(down/below/under/lower)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 그 의미는 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들에 접촉되어 형성되는 경우로 해석될 수도 있으며, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 패드, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 그 사이에 추가적으로 형성되는 경우로 해석될 수도 있다. 따라서, 그 의미는 발명의 기술적 사상에 의하여 판단되어야 한다.In addition, in the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structures may be on or below the "on / above / over / upper" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. (down / below / under / lower) ", the meaning is that each layer (film), region, pad, pattern or structure is a substrate, each layer (film), region, pad or It may be interpreted as being formed in contact with the patterns, or may be interpreted as another layer (film), another region, another pad, another pattern, or another structure formed in between. Therefore, the meaning should be determined by the technical spirit of the invention.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.1 to 4 illustrate a manufacturing process of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 화소영역(Ⅰ)과 비화소영역(Ⅱ)을 구비하는 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100)은 절연 유리, 플라스틱 또는 도전성 기판을 사용할 수 있다. 상기 화소영역(Ⅰ)은 적색, 녹색, 청색 유기발광층에 의해 광을 발생시키는 영역이고, 비화소영역(Ⅱ)은 전원공급라인 형성 영역 및 실라인 형성 영역을 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate 100 having a pixel region I and a non-pixel region II is provided. The substrate 100 may be an insulating glass, a plastic, or a conductive substrate. The pixel region I is a region for generating light by the red, green, and blue organic light emitting layers, and the non-pixel region II includes a power supply line formation region and a seal line formation region.

이어서, 상기 기판(100) 전면에 버퍼층(110)을 형성한다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 하부의 기판에서 불순물이 상부로 올라오지 못하도록 방지하는 보호막의 역할을 한다.Subsequently, a buffer layer 110 is formed on the entire surface of the substrate 100. The buffer layer 110 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof. In addition, the buffer layer 110 serves as a protective film to prevent impurities from rising upward from the lower substrate.

상기 화소영역(Ⅰ)의 버퍼층(110) 상에 박막 트랜지스터의 채널층 역할을 하는 반도체층(120)을 형성한다. 상기 반도체층(120)은 비정질 실리콘막 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘막일 수 있다. 상기 기판(100) 전면에 게이트 절연막(130)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.The semiconductor layer 120 serving as a channel layer of the thin film transistor is formed on the buffer layer 110 of the pixel region I. The semiconductor layer 120 may be an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film obtained by crystallizing the same. A gate insulating layer 130 is formed on the entire surface of the substrate 100. The gate insulating layer 130 may be a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or a multilayer thereof.

이후에, 상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 반도체층(120)의 일부 영역과 대응되게 게이트 전극(140a)을 형성한다. 상기 게이트 전극(140a)은 Al, Cu 또는 Cr을 사용할 수 있다. 이어서, 상기 기판(100) 전면에 층간 절연막(150)을 형성한다. 상기 층간 절연막(150)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 화소영역(Ⅰ)의 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(130)을 식각하여 상기 반도체층(120)을 노출시키는 콘택홀(151,152)을 형성한다.Thereafter, the gate electrode 140a is formed on the gate insulating layer 130 to correspond to a portion of the semiconductor layer 120. The gate electrode 140a may use Al, Cu, or Cr. Subsequently, an interlayer insulating layer 150 is formed on the entire surface of the substrate 100. The interlayer insulating layer 150 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof. The interlayer insulating layer 150 and the gate insulating layer 130 of the pixel region I are etched to form contact holes 151 and 152 exposing the semiconductor layer 120.

이어서, 상기 화소영역(Ⅰ)의 층간 절연막(150) 상에 소스/드레인 전극(160a,160b)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(160a,160b)은 Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd 또는 Ag로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다. 또한, 상기 소스/드레인 전극(160a,160b)은 상기 콘택홀(151,152)을 통해 상기 반도체층(120)과 연결된다.Subsequently, source / drain electrodes 160a and 160b are formed on the interlayer insulating layer 150 of the pixel region I. The source / drain electrodes 160a and 160b may use one selected from the group consisting of Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd, or Ag. In addition, the source / drain electrodes 160a and 160b are connected to the semiconductor layer 120 through the contact holes 151 and 152.

이때, 상기 게이트 전극(140a)을 형성할 때, 상기 비화소영역(Ⅱ) 상에 스캔 드라이버(140b)가 동시에 형성될 수 있다.In this case, when the gate electrode 140a is formed, the scan driver 140b may be simultaneously formed on the non-pixel region II.

또한, 도면에서는 탑(top) 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 형성하였지만, 이와는 달리, 게이트 전극이 반도체층 하부에 위치하는 바텀(bottom) 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 형성할 수도 있다. 또한, 본 발명에서는 소스/드레인 전극을 형성할 때, 동시에 메탈 배선(160d)을 형성할 수 있다. 상기 메탈 배선(160d)은 공 통전원공급라인으로 작용할 수 있고, 이때, 동시에 제 2 전극 전원공급라인(160c)도 형성될 수 있다. 이와는 달리, 상기 게이트전극 또는 제 1 전극을 형성할 때, 메탈 배선을 동시에 형성할 수도 있다.In addition, although a thin film transistor having a top gate structure is formed in the drawing, alternatively, a thin film transistor having a bottom gate structure in which a gate electrode is positioned below the semiconductor layer may be formed. In the present invention, when the source / drain electrodes are formed, the metal wiring 160d may be formed at the same time. The metal wire 160d may serve as a common power supply line, and at this time, a second electrode power supply line 160c may also be formed. Alternatively, when the gate electrode or the first electrode is formed, metal wires may be formed at the same time.

이어서, 도 2를 참조하면, 상기 기판(100) 전면에 무기평탄화막(170)을 형성한다. 상기 무기평탄화막(170)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 SOG(spin on glass)로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용한다. 이때, 상기 무기평탄화막(170)은 평탄화 특성을 좋게 하기 위해 1 내지 5㎛의 두께로 형성한다. 이는 상기 무기평탄화막(170)의 두께가 1㎛이내이면, 평탄화 특성이 좋지 않고, 5㎛이상이면, 소자의 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.Next, referring to FIG. 2, an inorganic planarization film 170 is formed on the entire surface of the substrate 100. The inorganic flattening film 170 uses one selected from the group consisting of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and spin on glass (SOG). At this time, the inorganic planarization film 170 is formed to a thickness of 1 to 5㎛ to improve the planarization characteristics. If the thickness of the inorganic flattening film 170 is within 1 μm, the planarization property is not good.

또한, 상기 화소영역(Ⅰ)의 무기평탄화막(170)을 식각하여 소스/드레인 전극(160a,160b)중 어느 하나를 노출시키는 비아홀(171a)을 형성하고, 상기 비화소영역(Ⅱ)의 무기평탄화막(170)을 식각하여 제 2 전극 전원공급라인(160c)의 일부를 노출시키는 비아홀(171b)을 형성한다.In addition, the inorganic planarization layer 170 of the pixel region I is etched to form a via hole 171a exposing any one of the source / drain electrodes 160a and 160b, and the inorganic region of the non-pixel region II. The planarization layer 170 is etched to form a via hole 171b exposing a portion of the second electrode power supply line 160c.

이후에, 도 3을 참조하면, 상기 화소영역(Ⅰ)의 무기평탄화막(170) 상에 제 1 전극(180)을 형성한다. 상기 제 1 전극(180)은 상기 비아홀(171a)의 바닥에 위치하여 상기 노출된 소스/드레인 전극(160a,160b)중 어느 하나에 접하고, 상기 무기평탄화막(170) 상으로 연장된다. 상기 제 1 전극(180)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용할 수 있다.Afterwards, referring to FIG. 3, a first electrode 180 is formed on the inorganic planarization layer 170 of the pixel region I. The first electrode 180 is positioned at the bottom of the via hole 171a to contact one of the exposed source / drain electrodes 160a and 160b and extends onto the inorganic planarization layer 170. The first electrode 180 may use indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

이어서, 상기 제 1 전극(180)을 포함한 기판(100) 전면에 격벽(190)을 형성하되, 상기 제 1 전극(180)이 위치한 비아홀(171a)을 충분히 채울 수 있을 정도의 두께로 형성한다. 상기 격벽(190)은 유기막 또는 무기막으로 형성할 수 있으나, 바람직하게는 유기막으로 형성한다. 더욱 바람직하게는 상기 격벽(190)은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 고분자 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택되는 하나이다. 상기 격벽(190)은 유동성(flow ability)이 뛰어나므로 상기 기판(100) 전체를 평탄하게 형성할 수 있다.Subsequently, the partition wall 190 is formed on the entire surface of the substrate 100 including the first electrode 180, and is formed to have a thickness sufficient to sufficiently fill the via hole 171a in which the first electrode 180 is located. The partition wall 190 may be formed of an organic film or an inorganic film, but preferably, an organic film. More preferably, the partition wall 190 is one selected from the group consisting of benzocyclobutene (BCB), an acrylic polymer, and polyimide. The partition wall 190 may have an excellent flow ability, so that the entire substrate 100 may be formed flat.

이어서, 상기 화소영역(Ⅰ)의 격벽(190)을 식각하여 상기 제 1 전극(180)을 노출시키는 개구부(195a)를 형성하고, 상기 비화소영역(Ⅱ)의 격벽(190)을 식각하여 상기 제 2 전극 전원공급라인(160c)을 노출한다.Subsequently, the partition 190 of the pixel region I is etched to form an opening 195a exposing the first electrode 180, and the partition 190 of the non-pixel region II is etched to form the opening 195a. The second electrode power supply line 160c is exposed.

또한, 추후 봉지되는 상기 비화소영역(Ⅱ)에 기판(100)의 외측부의 격벽(190)을 식각하여 추후 실라인이 상기 무기평탄화막(170)에 접착되어 보다 향상된 접착력을 가질 수 있도록 한다.In addition, the partition wall 190 of the outer portion of the substrate 100 is etched in the non-pixel region II, which is to be encapsulated later, so that the seal line is later adhered to the inorganic flattening layer 170 so as to have improved adhesion.

이어서, 상기 개구부(195a)를 통해 노출된 제 1 전극(180) 상에 유기발광층(200)을 형성한다. 상기 유기발광층(200)은 적어도 발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 또한, 적색, 녹색, 청색 유기발광층이거나 백색 유기발광층일 수 있다.Subsequently, the organic light emitting layer 200 is formed on the first electrode 180 exposed through the opening 195a. The organic light emitting layer 200 may include at least a light emitting layer, and may further include any one or more layers of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or an electron injection layer. In addition, it may be a red, green, blue organic light emitting layer or a white organic light emitting layer.

이어서, 상기 기판(100) 전면에 제 2 전극(210)을 형성한다. 상기 제 2 전극(210)은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금 중 어느 하나를 사용할 수 있다.Subsequently, a second electrode 210 is formed on the entire surface of the substrate 100. The second electrode 210 may use any one of Mg, Ag, Al, Ca, and alloys thereof.

이때, 추후 봉지되는 상기 비화소영역(Ⅱ)에 기판(100) 외측부의 제 2 전극(210)을 식각하여 추후 실라인이 상기 무기평탄화막(170)에 접착되어 보다 향상 된 접착력을 가질 수 있도록 한다. 이때, 상기 제 2 전극(210)을 모두 덮도록 보호막(215)을 더 형성할 수 있다. 상기 보호막(215)은 전면발광 구조에 있어서, 상기 제 2 전극(210)을 투과전극으로 사용할 때, 빛이 투과할 수 있을 정도로 얇게 형성되기 때문에, 쉽게 열화 될 수 있어 이를 보호하기 위함이다.At this time, the second electrode 210 of the outer portion of the substrate 100 is etched into the non-pixel region II, which is encapsulated later, so that the seal line is later adhered to the inorganic flattening layer 170 to have improved adhesion. do. In this case, the passivation layer 215 may be further formed to cover all of the second electrodes 210. The passivation layer 215 may be easily deteriorated since the passivation structure of the protective layer 215 is formed to be thin enough to transmit light when the second electrode 210 is used as a transmissive electrode.

다음에, 도 4를 참조하면, 상기와 같이 기판(100)의 화소 영역에 유기발광층과 박막트랜지스터를 포함하는 어레이층이 형성되면, 이와 대향하는 봉지기판(220)을 제공한다. 상기 봉지기판(220)은 에칭된 절연유리 또는 에칭되지 않은 절연유리를 사용할 수 있다. 이어서, 상기 봉지기판(220)에 흡습제(225)를 형성한다. 상기 흡습제(225)는 투명 흡습제를 사용할 수 있고, 또한 불투명 흡습제인 게터(getter)를 사용할 수 있다.Next, referring to FIG. 4, when the array layer including the organic light emitting layer and the thin film transistor is formed in the pixel area of the substrate 100 as described above, an encapsulation substrate 220 is provided. The encapsulation substrate 220 may use etched insulating glass or non-etched insulating glass. Subsequently, a moisture absorbent 225 is formed on the encapsulation substrate 220. The moisture absorbent 225 may use a transparent moisture absorbent, and may also use a getter that is an opaque moisture absorbent.

이때, 투명 흡습제를 사용하는 경우에는 봉지기판의 전면에 형성할 수 있고, 상기 투명 흡습제로는 평균 입경이 100nm 이하, 특히 20 내지 100nm인 알칼리 금속 산화물, 알칼리토류 금속 산화물, 금속 할로겐화물, 금속 황산염 및 금속 과염소산염, 오산화인(P2O5)중에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다.In this case, when a transparent moisture absorbent is used, the transparent moisture absorbent may be formed on the entire surface of the encapsulating substrate. The transparent moisture absorbent may be an alkali metal oxide, an alkaline earth metal oxide, a metal halide or a metal sulfate having an average particle diameter of 100 nm or less, particularly 20 to 100 nm. And metal perchlorate, phosphorus pentoxide (P 2 O 5) may be used.

이어서, 상기 봉지기판(220)의 외측에 실라인(230)을 형성한다. 즉 기판(100)에 대향하는 봉지기판(220)에 있어서, 봉지기판(220)의 외측에 실라인(230)을 도포한다. 또한, 실라인(230) 내측, 실라인(230)과 기판(100)의 어레이층 사이에는 스크린 프린트 방식 또는 전기분해 방식을 적용하여 빛샘방지패턴(240)을 형성한다. 빛샘방지패턴(240)은 빛샘이 액티브 영역 외측으로 발생되지 않도록 하기 위해 광반사 특성이 좋은 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 스크린 프린트 방식에 의해 금속을 패터닝하고 열처리 공정을 진행하여 빛샘방지패턴(240)의 두께를 조절하거나, 프릿(frit) 재료에 금속을 혼합시켜 빛샘방지패턴(240)을 형성할 수 있다. 전기분해 방식을 사용할 경우에는 금속을 성장시켜 빛샘방지패턴(240)을 형성한다.Subsequently, the seal line 230 is formed outside the encapsulation substrate 220. That is, in the encapsulation substrate 220 facing the substrate 100, the seal line 230 is applied to the outer side of the encapsulation substrate 220. In addition, the light leakage prevention pattern 240 is formed by applying a screen printing method or an electrolysis method between the seal line 230, the seal line 230, and the array layer of the substrate 100. The light leakage prevention pattern 240 preferably uses a metal having good light reflection characteristics in order to prevent light leakage from occurring outside the active region. The metal may be patterned by a screen printing method and a heat treatment process may be performed to adjust the thickness of the light leakage prevention pattern 240 or to mix the metal with a frit material to form the light leakage prevention pattern 240. In the case of using the electrolysis method, the metal is grown to form the light leakage preventing pattern 240.

또한, 상기 빛샘방지패턴(240)은 기판(100)의 비화소영역에 형성하거나, 이와 대응되는 봉지기판(220) 상에 형성할 수 있다.In addition, the light leakage preventing pattern 240 may be formed in the non-pixel region of the substrate 100 or on the encapsulation substrate 220 corresponding thereto.

이때, 상기 실라인(230)은 산화납(PbO), 삼산화이붕소(B2O8) 및 이산화규소(SiO2)로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있으며, 디스펜싱(dispensing)법 또는 스크린 인쇄법을 사용하여 도포할 수 있다.In this case, the seal line 230 may use one selected from the group consisting of lead oxide (PbO), diboron trioxide (B 2 O 8), and silicon dioxide (SiO 2), and using a dispensing method or a screen printing method. It can be applied.

이어서, 상기 기판(100)과 봉지기판(220)을 얼라인한 후, 합착한다. 이때, 상기 실라인(230)과 빛샘방지패턴(240)은 상기 비화소영역(Ⅱ) 에서 기판(100)과 봉지기판(220)에 접촉된다.Subsequently, the substrate 100 and the encapsulation substrate 220 are aligned, and then bonded together. In this case, the seal line 230 and the light leakage preventing pattern 240 contact the substrate 100 and the encapsulation substrate 220 in the non-pixel region II.

다음에, 상기 실라인(230)에 레이저를 조사하여 상기 실라인(230)을 용융하고, 고상화하여 상기 기판(100) 및 봉지기판(220)에 접착되도록 하여 본 발명의 유기전계발광표시장치를 완성한다.Next, the seal line 230 is irradiated with a laser to melt the seal line 230 and to solidify the seal line 230 so that the seal line 230 is bonded to the substrate 100 and the encapsulation substrate 220. To complete.

이와 같이 본 발명에서는 실라인(230)과 인접한 비화소영역에 빛샘 불량을 개선하기 위해 빛샘방지패턴(240)을 형성함으로써, 액티브 영역에서 발생되는 광이 액티브 영역 외곽 둘레를 따라 빛 퍼짐, 색 빠짐과 같은 불량이 발생되지 않도록 하였다.As described above, in the present invention, the light leakage prevention pattern 240 is formed in the non-pixel area adjacent to the seal line 230 to prevent light leakage defects, so that light generated in the active area spreads around the periphery of the active area and loses color. Such defects were not generated.

도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 다른 실시 예에 의한 유기 전계 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.5 and 6 are cross-sectional views illustrating an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4의 도면부호와 동일한 부호는 동일한 구성부를 나타내므로 상세한 설명은 생략한다.The same reference numerals as those in FIGS. 1 to 4 denote the same components, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.

도 5 및 도 6을 참조하면, 도 5에서는 비화소영역과 대응되는 영역의 봉지기판(220) 상에 빛샘차단테이프(340)를 부착하였고, 도 6에서는 봉지기판(220) 상에 블랙매트릭스패턴(440)을 각각 형성하였다.5 and 6, in FIG. 5, a light blocking tape 340 is attached to the encapsulation substrate 220 in a region corresponding to the non-pixel region, and in FIG. 6, a black matrix pattern is formed on the encapsulation substrate 220. 440 was formed, respectively.

상기 빛샘차단테이프(340)는 유기 전계 발광 표시 장치가 완성된 후, 봉지기판(220) 상에 직접 빛샘차단테이프(340)를 부착함으로써 형성한다. 따라서, 액티브 영역에서 발생되는 광이 상기 빛샘차단테이프(340)에 의해 차단되어 액티브 영역 외곽 가장자리 둘레를 따라 발생하던 빛샘 불량이 나타나지 않도록 하였다.The light blocking tape 340 is formed by attaching the light blocking tape 340 directly on the encapsulation substrate 220 after the organic light emitting display device is completed. Accordingly, light generated in the active area is blocked by the light blocking tape 340 to prevent light leakage defects generated along the outer edge of the active area.

도 6에서는 봉지기판(220) 상에 액정표시장치의 블랙매트릭스 형성 방법으로 비화소영역에 직접 광차단 금속 또는 광차단 수지를 형성하여 블랙매트릭스패턴(440)을 형성하였다. 상기 블랙매트릭스패턴(440)은 실라인(230)이 형성되는 상기 봉지기판(220)의 내측면 또는 외측면에 형성될 수 있다.In FIG. 6, a black matrix pattern 440 is formed by directly forming a light blocking metal or a light blocking resin in a non-pixel region on the encapsulation substrate 220 by a method of forming a black matrix of a liquid crystal display. The black matrix pattern 440 may be formed on an inner surface or an outer surface of the encapsulation substrate 220 on which the seal line 230 is formed.

따라서, 본 발명에서는 유기 전계 발광 표시 장치의 액티브 영역 가장자리 둘레를 따라 발생하던 빛 샘을 차단하여, 선명한 화상을 구현할 수 있도록 하였다.Therefore, in the present invention, light leakage generated along the edges of the active area of the organic light emitting display device is blocked, so that a clear image can be realized.

도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.1 to 4 illustrate a manufacturing process of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 다른 실시 예에 의한 유기 전계 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.5 and 6 are cross-sectional views illustrating an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100: 기판 220: 봉지기판100: substrate 220: sealing substrate

225: 흡습제 230: 실라인225: hygroscopic 230: seal line

240: 빛샘방지패턴 340: 빛샘차단테이프240: light leakage prevention pattern 340: light leakage blocking tape

440: 블랙매트릭스패턴440: black matrix pattern

Claims (7)

화소영역과 비화소영역으로 구획된 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate partitioned into a pixel region and a non-pixel region; 상기 기판의 화소영역 상에 유기발광층과 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이층을 형성하는 단계;Forming an array layer including an organic light emitting layer and a thin film transistor on a pixel area of the substrate; 상기 기판과 합착되고, 흡습제를 구비한 봉지기판을 제공하는 단계; 및Providing an encapsulation substrate bonded to the substrate and having a moisture absorbent; And 상기 비화소영역과 대응되는 기판 또는 봉지기판 상에 빛샘방지패턴과 실라인을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치 제조방법.Forming a light leakage prevention pattern and a seal line on a substrate or an encapsulation substrate corresponding to the non-pixel region. 제 1 항에 있어서, 상기 빛샘방지패턴은 스크린 프린트 방식 또는 전기분해 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치 제조방법.The method of claim 1, wherein the light leakage preventing pattern is formed by a screen printing method or an electrolysis method. 제 1 항에 있어서, 상기 빛샘방지패턴은 광 반사 특성을 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치 제조방법.The method of claim 1, wherein the light leakage preventing pattern is a metal having light reflection characteristics. 화소영역과 비화소영역으로 구획된 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate partitioned into a pixel region and a non-pixel region; 상기 기판의 화소영역 상에 유기발광층과 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이층을 형성하는 단계;Forming an array layer including an organic light emitting layer and a thin film transistor on a pixel area of the substrate; 상기 기판과 합착되고, 흡습제를 구비한 봉지기판을 제공하는 단계; 및Providing an encapsulation substrate bonded to the substrate and having a moisture absorbent; And 상기 비화소영역과 대응되는 봉지기판의 배면 상에 빛샘차단테이프 또는 블 랙매트릭스패턴을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치 제조방법.And forming a light blocking tape or a black matrix pattern on a rear surface of an encapsulation substrate corresponding to the non-pixel region. 화소영역과 비화소영역으로 구획되고, 상기 화소 영역에 유기발광층과 박막트랜지스터를 포함하는 어레이층이 형성된 기판;A substrate partitioned into a pixel region and a non-pixel region, and an array layer including an organic light emitting layer and a thin film transistor in the pixel region; 상기 기판과 합착되고, 흡습제를 구비한 봉지기판;An encapsulation substrate bonded to the substrate and having a moisture absorbent; 상기 기판과 봉지기판이 합착되도록 비화소영역에 형성된 실라인; 및A seal line formed in the non-pixel region to bond the substrate and the encapsulation substrate together; And 상기 비화소영역의 실라인과 어레이층 사이에 배치된 빛샘차단패턴을 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치.And a light blocking pattern disposed between the seal line of the non-pixel region and the array layer. 제 5 항에 있어서, 상기 빛샘차단패턴은 광반사 특성을 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 5, wherein the light leakage blocking pattern is a metal having light reflection characteristics. 제 6 항에 있어서, 상기 빛샘차단패턴은 상기 실라이인이 형성되는 상기 봉지기판의 내측면 또는 외측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 6, wherein the light leakage blocking pattern is formed on an inner surface or an outer surface of the encapsulation substrate on which the silane is formed.
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