KR20090064652A - Decoupled plasma system for uniform deposition of polymer - Google Patents

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Abstract

A DPS device for the evaporation of uniform polymer is provided to prevent the polymer falling down on a wafer by evaporating the polymer on the whole inner wall of a dome uniformly. A DPS(Decoupled Plasma System) device for the evaporation of uniform polymer comprises: a processing chamber(10) in which the plasma etch process is performed; a dome(20) installed at a top opening of the processing chamber, in which a coil(15) generating the electric field is equipped at the exterior; a CDA inlet port(30) equipped on the top of the dome, emitting the CDA(Cooling Dry Air) to lower the temperature of the dome of a coil peripheral unit; and a CDA dispersion unit installed on the CDA inlet port, dispersing the CDA to the vertical and width direction.

Description

균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치{Decoupled plasma system for uniform deposition of polymer}Decoupled plasma system for uniform deposition of polymer

본 발명은 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정 중 디피에스 장치에 구비된 돔의 온도를 낮추기 위해 분사되는 CDA(cooling dry air)를 돔 전체에 고르게 분산되도록 하여 폴리머가 돔의 내벽에 균일하게 증착되도록 함으로써 폴리머에 의한 웨이퍼의 손상을 예방할 수 있도록 하는 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DPS device for depositing a uniform polymer, and more particularly, to evenly cool CDA (cooling dry air) sprayed to lower the temperature of a dome provided in a DPS device during a semiconductor manufacturing process. The present invention relates to a DPS device for the deposition of a uniform polymer that can be dispersed so that the polymer is uniformly deposited on the inner wall of the dome, thereby preventing damage to the wafer by the polymer.

통상적으로 반도체 제조 공정 중 건식 식각 공정(dry etching process)은 소정의 전극에 고주파수를 인가시키고, 공정 가스를 주입시켜 플라즈마를 발생시킴으로써 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하는 공정이다.In general, a dry etching process in a semiconductor manufacturing process is a process of forming a fine pattern on a wafer by applying a high frequency to a predetermined electrode, injecting a process gas to generate a plasma.

건식 식각 공정을 수행하는 건식 식각 장치로는 이온 농도와 이온 에너지의 독립적인 제어가 가능할 뿐만 아니라 공정의 마진을 증가시키고 웨이퍼의 손상을 크게 줄일 수 있는 디피에스(DPS ; Decoupled Plasma Source) 장치를 주로 사용하고 있다.The dry etching apparatus performing the dry etching process mainly uses a Decoupled Plasma Source (DPS) apparatus that can independently control ion concentration and ion energy, increase process margin and greatly reduce wafer damage. I use it.

상기 디피에스 장치에서 웨이퍼의 최상층을 선택적으로 제거하거나 패턴을 형성하는 식각이나 웨이퍼에 최종적으로 잔류하는 포토레지스트층을 제거하도록 스트리핑을 수행할 때 다수의 폴리머(polymer)들이 상승기류를 타고 유동하게 되는데, 이러한 폴리머들이 웨이퍼상에 안착되는 것을 방지하기 위하여 공정챔버의 상부에 폴리머 흡착용 세라믹 돔(ceramic dome)을 설치하게 된다.In the DPS device, a plurality of polymers are flowed in an upward airflow when stripping is performed to selectively remove the top layer of the wafer or to remove the etching pattern forming or the last photoresist layer remaining on the wafer. In order to prevent these polymers from being deposited on the wafer, a ceramic dome for adsorption of polymers is installed on the upper portion of the process chamber.

도 1은 종래 디피에스 장치를 나타내는 도면으로서, (a)는 디피에스 장치의 측면도, (b)는 CDA 유입구 부분의 저면 사시도이고, 도 2는 종래 디피에스 장치의 돔 내벽의 중앙부에 폴리머가 집중적으로 증착된 상태를 나타내는 사시도이다.1 is a view showing a conventional DPS device, (a) is a side view of the DPS device, (b) is a bottom perspective view of the CDA inlet portion, Figure 2 is a polymer concentrated in the center of the inner wall of the dome of the conventional DPS device It is a perspective view which shows the state deposited.

공정챔버(10)의 내부에는 플라즈마에 의한 식각 공정이 수행될 웨이퍼(W)가 정전척(22)에 안착되고, 상기 공정챔버(10)의 상측 개방구를 덮고 있는 둥근 형상으로서 소정의 유전율을 갖는 단일층의 세라믹 재질의 돔(20)이 설치되며, 상기 돔(20)의 외측면에는 전원이 인가되어 전기장을 발생시키는 코일(15)이 설치되어 있다.In the process chamber 10, a wafer W to be etched by plasma is mounted on the electrostatic chuck 22, and has a predetermined dielectric constant in a round shape covering the upper opening of the process chamber 10. A single layer ceramic dome 20 is provided, and a coil 15 for generating an electric field by applying power to the outer surface of the dome 20 is provided.

상기 코일(15)에 의해 발생된 전기장은 소정의 유전율을 갖는 돔(20)의 내부로 유기되며, 이와 같이 유기된 전기장은 공정챔버(10) 내부의 공정가스에 방전을 일으켜 공정가스를 플라즈마화하고 이로부터 발생된 중성의 라디칼(radical) 입자들과 전하를 띤 이온간의 화학반응에 의해 웨이퍼 표면을 식각하게 된다.The electric field generated by the coil 15 is induced into the dome 20 having a predetermined dielectric constant, and the induced electric field causes discharge of the process gas inside the process chamber 10 to plasma the process gas. In addition, the wafer surface is etched by a chemical reaction between the neutral radical particles generated therein and the charged ions.

이 때, 플라즈마 식각 공정이 진행됨에 따라 발생되는 부산물 즉, 폴리머(polymer) 등은 공정챔버(10)나 돔(20)의 내벽에 증착된다.At this time, by-products generated by the plasma etching process, that is, the polymer, are deposited on the inner wall of the process chamber 10 or the dome 20.

한편, 상기 돔(20)의 상측으로는 공정챔버(10) 내부의 공정 온도를 80℃로 유지시키기 위한 램프(32)가 설치되며, 상기 램프(32)의 둘레에는 CDA(cooling dry air)가 상측으로 확산되어 소멸되는 것을 방지하기 위한 가이드(35)가 설치된다.On the other hand, a lamp 32 for maintaining a process temperature inside the process chamber 10 at 80 ° C. is installed above the dome 20, and a cooling dry air (CDA) is provided around the lamp 32. A guide 35 is installed to prevent the diffusion and disappearing upward.

상기 돔(20)의 상측에는 CDA 유입구(30)가 설치되고, CDA의 분사를 통하여 공정의 진행중에 램프(32)의 급격한 온도 상승을 방지하고, 가열된 돔(20)의 냉각 및 상기 돔(20)의 내벽에 폴리머가 증착되도록 한다.The CDA inlet 30 is installed above the dome 20 to prevent a rapid temperature rise of the lamp 32 during the process by the CDA injection, to cool the dome 20 and to cool the dome 20. Allow the polymer to be deposited on the inner wall of 20).

이 때, CDA 유입구(30)에서 분사되는 CDA의 온도는 약 19℃의 저온상태이고, 공정 진행중 상기 코일(15) 주변부의 돔(20)의 온도는 플라즈마에 의한 영향으로 인하여 200℃ 이상의 고온상태이다.At this time, the temperature of the CDA injected from the CDA inlet 30 is a low temperature of about 19 ℃, the temperature of the dome 20 around the coil 15 during the process is a high temperature of 200 ℃ or more due to the influence of the plasma to be.

CDA 유입구(30)에서는 수직하방향으로 돔(20)의 상부 중앙부위에 집중적으로 CDA가 분사되는 구조로 되어 있어, 도 2에 도시된 바와 같이 상대적으로 차가운 곳에 증착되기 쉬운 성질을 갖는 폴리머는 CDA가 집중적으로 분사되는 돔(20)의 상부 중앙부 내벽에만 국부적으로 증착되고, 코일(15) 주변부의 돔(20) 내벽에는 폴리머가 증착되지 않게 되므로, 전반적인 폴리머의 증착력이 약화되어 공정 진행 중 돔(20)의 내벽에 증착되어 있던 폴리머가 쉽게 떨어져 나가 웨이퍼 상에 떨어져 웨이퍼를 손상시키게 되는 문제점이 있다.In the CDA inlet 30 has a structure in which the CDA is concentrated in the upper center portion of the dome 20 in the vertical down direction, as shown in Figure 2 polymer having a property that is easy to be deposited in a relatively cold place CDA Is locally deposited only on the inner wall of the upper central portion of the dome 20 in which the intensive injection is performed, and the polymer is not deposited on the inner wall of the dome 20 around the coil 15, so that the overall deposition power of the polymer is weakened and the dome is in progress. There is a problem in that the polymer deposited on the inner wall of (20) easily falls off and falls on the wafer to damage the wafer.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 디피에스 장치의 돔 전체에 CDA가 고르게 분산되어 돔을 전체적으로 냉각시켜 공정 중 발생되는 폴리머가 돔의 내벽에 균일하게 증착되도록 함으로써 불균일하게 증착된 폴리머에 의해 유발되는 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있도록 하는 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the CDA is evenly distributed throughout the dome of the DPS device to cool the dome as a whole so that the polymer generated during the process is uniformly deposited on the inner wall of the dome It is an object of the present invention to provide a DPS device for the deposition of a uniform polymer that can prevent damage to the wafer caused by the polymer.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치는, 플라즈마 식각 공정이 이루어지는 공정챔버; 상기 공정챔버의 상측 개방부에 설치되고, 외측면에는 전기장을 발생시키는 코일이 구비되어 있는 돔; 상기 돔의 상측에 구비되며, 상기 코일 주변부의 돔의 온도를 낮추기 위한 CDA(cooling dry air)가 분사되는 CDA 유입구;및 상기 CDA 유입구 상에 설치되어 CDA를 수직, 수평 방향으로 분산되도록 하는 CDA 분산장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.DPS device for the deposition of a uniform polymer of the present invention for achieving the above object, the process chamber is a plasma etching process is performed; A dome installed at an upper opening of the process chamber and having a coil configured to generate an electric field on an outer surface thereof; A CDA inlet provided on an upper side of the dome, in which cooling dry air (CDA) is injected to lower the temperature of the dome around the coil; and a CDA distribution installed on the CDA inlet to distribute the CDA in a vertical and horizontal direction. Apparatus; characterized in that it comprises a.

상기 CDA 분산장치는 다수의 회전날개가 방사형으로 배치되어 회전되는 프로펠러;인 것을 특징으로 한다.The CDA dispersion device is characterized in that; a plurality of rotary blades are radially disposed and rotated propeller.

상기 상기 프로펠러의 회전날개는 각도 조절이 가능한 것을 특징으로 한다.Rotating blades of the propeller is characterized in that the angle can be adjusted.

또는, 상기 CDA 분산장치는 상면 중앙에 분사홀이 형성되어 있는 상부체와, 상기 상부체의 하부 가장자리 둘레에서 하측방향으로 일체로 연결되는 경사면에 다 수의 분사홀이 원주방향을 따라 형성되어 있는 하부체로 이루어진 이층구조의 디플렉터;인 것을 특징으로 한다.Alternatively, the CDA dispersing apparatus has an upper body formed with injection holes in the center of the upper surface, and a plurality of injection holes are formed along the circumferential direction on an inclined surface integrally connected downwardly around the lower edge of the upper body. Characterized in that it is; a deflector of a two-layer structure consisting of a lower body.

상기 디플렉터의 하부체는 경사면의 경사 각도 조절에 의해 상기 CDA의 측방향 분사 각도가 조절되는 것을 특징으로 한다.The lower body of the deflector is characterized in that the lateral injection angle of the CDA is adjusted by adjusting the inclination angle of the inclined surface.

본 발명에 따른 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치에 의하면, 고온상태의 돔의 온도를 낮추기 위하여 분사되는 CDA를 돔 전체에 고르게 분산되도록 하여 돔의 내벽 전체에 폴리머를 균일하게 증착시켜 일부 특정 부분에만 집중적으로 증착된 폴리머가 웨이퍼로 떨어져 발생되는 웨이퍼의 손상을 방지함과 아울러 장비의 클린 사이클을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.According to the DPS device for depositing a uniform polymer according to the present invention, in order to lower the temperature of a dome in a high temperature state, the injected CDA is uniformly dispersed in the entire dome so that the polymer is uniformly deposited on the entire inner wall of the dome so that the specific Polymers deposited only in part can prevent wafer damage caused by dropping onto the wafer and can extend the clean cycle of the equipment.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 디피에스 장치를 나타내는 도면으로서, (a)는 디피에스 장치의 측면도, (b)는 CDA 유입구 부분의 저면 사시도이다.3 is a diagram showing a DPS device according to an embodiment of the present invention, (a) is a side view of the DPS device, (b) is a bottom perspective view of the CDA inlet portion.

본 발명에 따른 디피에스 장치에서, 플라즈마 식각 공정이 이루어지는 공정챔버(10)와, 상기 공정챔버(10)의 상측 개방부에 설치되고, 외측면에는 전기장을 발생시키는 코일(15)이 구비되어 있는 돔(20)과, 상기 돔(20)의 상측에 구비되며, 상기 코일(15) 주변부의 돔(20)의 온도를 낮추기 위한 CDA가 분사되는 CDA 유입구(30)를 포함하는 구성요소는 종래의 디피에스 장치와 동일하나, 상기 CDA 유입 구(30)에서 분사되는 CDA를 수직 및 수평 방향으로 분산되도록 하는 CDA 분산장치를 상기 CDA 유입구(30) 상에 추가로 설치한 것에 특징이 있다.In the DPS apparatus according to the present invention, a process chamber 10 in which a plasma etching process is performed and a coil 15 provided at an upper opening of the process chamber 10 and generating an electric field on an outer surface thereof are provided. A component including a dome 20 and a CDA inlet 30 provided on an upper side of the dome 20 to which a CDA is injected to lower the temperature of the dome 20 around the coil 15 is conventional. It is the same as the DPS apparatus, but the CDA dispersing apparatus for dispersing the CDA injected from the CDA inlet 30 in the vertical and horizontal directions is further installed on the CDA inlet 30.

도 3에 도시된 본 발명의 일실시예는, 상기 CDA 분산장치를 프로펠러(100)로 구성한 것이다.In one embodiment of the present invention shown in Figure 3, the CDA dispersion device is composed of a propeller (100).

상기 프로펠러(100)는 다수의 회전날개(110)가 방사형으로 배치되어 있으며, 도 3의 (b)에는 상기 회전날개(110)가 6개로 구성된 실시예를 예시하고 있으나 그 개수는 제한되지 않는다.The propeller 100 has a plurality of rotary blades 110 is arranged radially, Figure 3 (b) illustrates an embodiment consisting of six rotary blades 110, but the number is not limited.

공정의 진행 중에 코일(15) 주변부는 플라즈마에 의한 영향으로 인하여 200℃ 이상의 고온상태로 됨에 반하여, 상기 코일(15)이 설치되지 않은 돔(20)의 상측 중앙부위는 상대적으로 저온상태가 된다.The periphery of the coil 15 is in a high temperature state of 200 ° C. or more due to the plasma effect during the process, whereas the upper center portion of the dome 20 in which the coil 15 is not installed is in a relatively low temperature state.

이 때, 상기 가열된 돔(20)의 온도를 낮추기 위하여 CDA 유입구(30)에서는 수직하방향으로 CDA가 분사되는데, 상기 CDA 유입구(30) 상에 프로펠러(100)를 설치하여 회전시킴으로써 상기 CDA의 분사 방향을 수직방향 뿐만 아니라 수평의 좌,우측 방향으로도 분산되도록 한다.At this time, in order to lower the temperature of the heated dome 20, CDA is injected in the vertical downward direction in the CDA inlet 30, by installing the propeller 100 on the CDA inlet (30) by rotating the Distribute the spray direction not only in the vertical direction but also in the horizontal left and right directions.

상기 프로펠러(100)의 회전날개(110)는 각도 조절이 가능하도록 구성된다.Rotating blade 110 of the propeller 100 is configured to enable the angle adjustment.

따라서, 상기 회전날개(110)의 각도가 수직방향인 경우에는 CDA가 수직하방향으로만 분사되지만, 상기 회전날개(110)의 각도를 일정각도로 기울어지도록 변경할 경우에는 CDA의 분사 또한 기울어진 수평방향을 향하게 된다.Therefore, when the angle of the rotary blade 110 is in the vertical direction, the CDA is injected only in the vertical downward direction, but when the angle of the rotary blade 110 is changed to be inclined at a predetermined angle, the injection of the CDA is also inclined horizontally. Will be oriented.

상기 돔(20)의 냉각을 위해 CDA가 유입되는 경우, 상기 프로펠러(100)가 회전되도록 구동시켜 수직하방향으로 분사되는 CDA의 분사방향을 수평방향으로 분사 되도록 유도한다.When the CDA is introduced to cool the dome 20, the propeller 100 is driven to rotate to induce the horizontal direction to inject the CDA injected in the vertical direction.

상기 수평방향으로 유도되는 CDA는 돔(20)의 측면에 접촉되어 상기 돔(20)의 가열된 부분을 골고루 냉각시킴으로써, 상기 돔(20)의 내벽에 폴리머(105)의 증착이 균일하게 이루어지게 됨에 따라 부분적으로 증착되는 경우에 비하여 증착두께가 균일해져서 증착력이 강화된다.The horizontally guided CDA is in contact with the side of the dome 20 to cool the heated portion of the dome 20 evenly, so that the deposition of the polymer 105 on the inner wall of the dome 20 is uniform. As a result, the deposition thickness becomes uniform as compared with the partial deposition, thereby enhancing the deposition power.

따라서, 식각 공정의 진행 중에 돔(20)의 내벽에 증착된 폴리머(105)가 떨어져 나가서 웨이퍼(W)를 손상시키게 되는 문제점을 해결할 수 있다.Therefore, the problem that the polymer 105 deposited on the inner wall of the dome 20 falls off during the etching process may damage the wafer W.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디피에스 장치를 나타내는 도면으로서, (a)는 디피에스 장치의 측면도, (b)는 디플렉터의 평면도이다.FIG. 4 is a diagram illustrating a DPS device according to another embodiment of the present invention, (a) is a side view of the DPS device, and (b) is a plan view of the deflector.

본 발명의 다른 실시예에 따른 디피에스 장치는, 상기 도 3에 도시된 실시예의 구성요소 중 프로펠러(100) 역할을 하는 디플렉터(deflector, 200)를 설치한 것이다.DPS device according to another embodiment of the present invention is to install a deflector (deflector, 200) that serves as a propeller 100 of the components of the embodiment shown in FIG.

상기 디플렉터(200)는 상부체(210)와 하부체(220)의 이층구조로 구성되며, 상기 상부체(210)의 상면 중앙에는 분사홀(215)이 형성되어 있고, 상기 하부체(220)는 상기 상부체(210)의 하부 가장자리 둘레에서 하측방향으로 일체로 연결되는 경사면에 다수의 분사홀(225)이 원주방향을 따라 형성되어 있다.The deflector 200 is composed of a two-layer structure of the upper body 210 and the lower body 220, the injection hole 215 is formed in the center of the upper surface of the upper body 210, the lower body 220 A plurality of injection holes 225 are formed along the circumferential direction on an inclined surface which is integrally connected downwardly around the lower edge of the upper body 210.

상기 상부체(210)에 형성되어 있는 분사홀(215)은 CDA를 수직하방향으로 분사되도록 하는 역할을 하며, 상기 하부체(220)의 경사면에 형성되어 있는 분사홀(225)은 상기 경사면의 각도를 변경함으로써 수직으로 유입되는 CDA의 분사방향 을 수평방향으로 기울어지도록 변경할 수 있게 된다.The injection hole 215 formed in the upper body 210 serves to inject the CDA in the vertical downward direction, and the injection hole 225 formed in the inclined surface of the lower body 220 is formed of the inclined surface. By changing the angle, the injection direction of the CDA flowing vertically can be changed to be inclined in the horizontal direction.

도 5는 본 발명의 디피에스 장치의 돔 내벽에 폴리머가 균일하게 증착된 상태를 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing a state in which a polymer is uniformly deposited on an inner wall of a dome of the DPS device of the present invention.

상술한 본 발명의 실시예들을 적용하게 되면, CDA를 돔(20)의 측면으로도 고르게 분산되도록 유도하여 상기 돔(20)의 온도를 낮출 수 있게 되므로, 도 5에 되시된 바와 같이, 상기 돔(20)의 내벽에 폴리머(105,205)를 균일하게 증착시킬 수 있게 된다.Applying the embodiments of the present invention described above, it is possible to lower the temperature of the dome 20 by inducing CDA to be evenly distributed to the side of the dome 20, as shown in Figure 5, the dome The polymers 105 and 205 can be uniformly deposited on the inner wall of the material 20.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the technical spirit of the present invention. will be.

도 1은 종래 디피에스 장치를 나타내는 도면으로서, (a)는 디피에스 장치의 측면도, (b)는 CDA 유입구 부분의 저면 사시도,1 is a view showing a conventional DPS device, (a) is a side view of the DPS device, (b) is a bottom perspective view of the CDA inlet portion,

도 2는 종래 디피에스 장치의 돔 내벽의 중앙부에 폴리머가 집중적으로 증착된 상태를 나타내는 사시도,2 is a perspective view illustrating a state in which a polymer is concentrated on a central portion of a dome inner wall of a conventional DPS device;

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 디피에스 장치를 나타내는 도면으로서, (a)는 디피에스 장치의 측면도, (b)는 CDA 유입구 부분의 저면 사시도,3 is a view showing a DPS device according to an embodiment of the present invention, (a) is a side view of the DPS device, (b) is a bottom perspective view of the CDA inlet portion,

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디피에스 장치를 나타내는 도면으로서, (a)는 디피에스 장치의 측면도, (b)는 디플렉터의 평면도,FIG. 4 is a diagram showing a DPS device according to another embodiment of the present invention, (a) is a side view of the DPS device, (b) is a plan view of the deflector,

도 5는 본 발명의 디피에스 장치의 돔 내벽에 폴리머가 균일하게 증착된 상태를 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing a state in which a polymer is uniformly deposited on an inner wall of a dome of the DPS device of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

5,105,205 : 폴리머 10 : 공정챔버5,105,205: Polymer 10: Process Chamber

15 : 코일 20 : 돔15 coil 20 dome

30 : CDA 유입구 32 : 램프30: CDA inlet 32: lamp

35 : 가이드 100 : 프로펠러35: guide 100: propeller

110 : 회전날개 200 : 디플렉터110: rotor blade 200: deflector

210 : 상부체 215,225 : 분사홀210: upper body 215, 225: injection hole

220 : 하부체220: lower body

Claims (5)

플라즈마 식각 공정이 이루어지는 공정챔버;A process chamber in which a plasma etching process is performed; 상기 공정챔버의 상측 개방부에 설치되고, 외측면에는 전기장을 발생시키는 코일이 구비되어 있는 돔;A dome installed at an upper opening of the process chamber and having a coil configured to generate an electric field on an outer surface thereof; 상기 돔의 상측에 구비되며, 상기 코일 주변부의 돔의 온도를 낮추기 위한 CDA(cooling dry air)가 분사되는 CDA 유입구;및A CDA inlet provided on an upper side of the dome, into which cooling dry air (CDA) is injected to lower the temperature of the dome around the coil; and 상기 CDA 유입구 상에 설치되어 CDA를 수직, 수평 방향으로 분산되도록 하는 CDA 분산장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치.And a CDA dispersing apparatus installed on the CDA inlet to disperse the CDA in a vertical and horizontal direction. 제 1 항에 있어서, 상기 CDA 분산장치는, 다수의 회전날개가 방사형으로 배치되어 회전되는 프로펠러;인 것을 특징으로 하는 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치.The apparatus of claim 1, wherein the CDA dispersion device comprises: a propeller having a plurality of rotary blades radially disposed and rotated. 제 2 항에 있어서, 상기 프로펠러의 회전날개는 각도 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치.The DPS apparatus for depositing a uniform polymer according to claim 2, wherein the rotary blades of the propeller are angle-adjustable. 제 1 항에 있어서, 상기 CDA 분산장치는, 상면 중앙에 분사홀이 형성되어 있는 상부체와, 상기 상부체의 하부 가장자리 둘레에서 하측방향으로 일체로 연결되는 경사면에 다수의 분사홀이 원주방향을 따라 형성되어 있는 하부체로 이루어진 이층구조의 디플렉터;인 것을 특징으로 하는 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치.According to claim 1, wherein the CDA dispersion device, the injection hole is formed in the center of the upper surface and a plurality of injection holes in the circumferential direction on the inclined surface integrally connected downwardly around the lower edge of the upper body Diffuser device for the deposition of a uniform polymer, characterized in that ;; a deflector of a two-layer structure consisting of a lower body formed along. 제 4 항에 있어서, 상기 디플렉터의 하부체는 경사면의 경사 각도 조절에 의해 상기 CDA의 측방향 분사 각도가 조절되는 것을 특징으로 하는 균일한 폴리머의 증착을 위한 디피에스 장치.5. The DPS apparatus of claim 4, wherein the lower part of the deflector is adjusted by the lateral injection angle of the CDA by adjusting the inclination angle of the inclined surface.
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