KR20090056576A - Cmp fitting equipped with apparatus for sensing variation of pad backer and method for sensing variation of pad backer - Google Patents

Cmp fitting equipped with apparatus for sensing variation of pad backer and method for sensing variation of pad backer Download PDF

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KR20090056576A KR1020070123789A KR20070123789A KR20090056576A KR 20090056576 A KR20090056576 A KR 20090056576A KR 1020070123789 A KR1020070123789 A KR 1020070123789A KR 20070123789 A KR20070123789 A KR 20070123789A KR 20090056576 A KR20090056576 A KR 20090056576A
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Abstract

A CMP(Chemical Mechanical Polishing) fitting equipped with apparatus for sensing variation of a pad backer and a method for sensing variation of the pad backer are provided to prevent the efficiency of the CMP process and wafer loss. A pad assembly comprises a pressure rubber equipped in the bottom of a pad backer(40), and a current detector(50) is connected with multipoint of a groove and senses current. A current amplifier(60) amplifies the detected current, and a database(80) stores a current as an initial value at the time when the pad backer is exchanged. A central processing unit(70) determines bending degree of the pad backer by comparing the detected current with the initial value.

Description

패드베커의 변형 감지 장치가 구비된 ＣＭＰ 장비 및 패드베커의 변형 감지 방법{CMP Fitting Equipped with Apparatus for Sensing Variation of Pad Backer and Method for Sensing Variation of Pad Backer}CMP Fitting Equipped with Apparatus for Sensing Variation of Pad Backer and Method for Sensing Variation of Pad Backer}

본 발명은 패드베커(pad backer)의 변형을 감지할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 상기 패드베커 표면의 다수의 지점에서 검출되는 전류의 양을 측정하여 패드베커의 변형을 감지할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method capable of detecting deformation of a pad backer, and more particularly, to measuring deformation of a pad backer by measuring an amount of current detected at a plurality of points on the surface of the pad backer. An apparatus and method can be detected.

반도체 디바이스의 디자인 룰이 미세화되고 3차원화 구조가 이루어지면서 표면 형상이 복잡화되고 좁고 깊은 단차를 갖게 됨에 따라 미세 가공상의 문제점과 디바이스의 수율 저하 및 신뢰성 저해 요인이 많아지게 되었다.As the design rules of semiconductor devices are refined and the three-dimensional structure is made, the surface shape is complicated, and the narrow and deep steps have been increased, causing problems in micromachining, lowering yield of devices, and lowering reliability.

이러한 문제들은 해결할 수 있는 방안으로 막질의 평탄화 기술은 공정 기술의 개선과 아울러 이를 서포팅할 수 있는 설계 기술 및 디바이스 구조 개선이 함께 이루어져야 한다.In order to solve these problems, the film quality planarization technology should be improved along with the improvement of the process technology and the design technology and device structure that can support it.

반도체 디바이스의 평탄화 기술은 SOG(spin on glass) 또는 CMP(chemical mechanical polishing)공정에 의해 구현될 수 있다.The planarization technology of the semiconductor device may be implemented by a spin on glass (SOG) or chemical mechanical polishing (CMP) process.

도 1은 종래 기술에 따른 CMP 설비의 개략도로서, 표면 연마할 웨이퍼(WF)를 하방으로 향하게 한 상태로 소정의 압력을 가하면서 회전시켜 주는 캐리어헤드(20)와, 그 하방에 상기 웨이퍼(WF)의 평탄화를 위한 연마면을 제공하는 패드(PAD, 미도시)를 구비한 패드어셈블리(30)가 설치된 구조이다.1 is a schematic diagram of a CMP facility according to the prior art, in which a carrier head 20 is rotated while applying a predetermined pressure with a wafer WF to be surface polished downward, and the wafer WF beneath it. The pad assembly 30 is provided with a pad (PAD, not shown) providing a polishing surface for planarization of the < RTI ID = 0.0 >

상기 패드는 유연한 우레탄제의 연마포로서, 도 2에 도시된 바와 같이 패드 베커(40)의 상면에 부착된다.The pad is a flexible urethane polishing cloth, and is attached to the top surface of the pad beaker 40 as shown in FIG.

상기 패드베커(40)는 0.25mm 가량의 스테인레스제의 원형판으로 형성되어, 매트릭스 상으로 형성된 그루브(42)와 슬러리공급홀(44)들이 형성된 상부 구조와, 고정장착을 위한 외주측 에지부를 제공하는 하부 구조를 갖는다.The pad beaker 40 is formed of a circular plate made of about 0.25 mm of stainless, providing an upper structure in which grooves 42 and slurry supply holes 44 formed in a matrix are formed, and an outer circumferential edge portion for fixed mounting. Has a substructure.

상기 패드베커(40)는 외주측 에지부가 도 3에 도시된 바와 같이, 패드어셈블리(30)를 구성하는 클램프(32)에 고정된 어퍼링(34)과 로워링(36)의 사이에 끼워 고정되는 구조여서, 하부로부터 압력러버(38)의 상승압력을 작용받으면 상기 패드를 상기 웨이퍼(WF)에 밀착하도록 구성되어 있다.As shown in FIG. 3, the pad bucketer 40 is fitted between the upper ring 34 and the lower ring 36 fixed to the clamp 32 constituting the pad assembly 30. The structure is such that the pad is brought into close contact with the wafer WF when the upward pressure of the pressure rubber 38 is applied from the bottom.

상기 압력러버(38)를 상승시키는 공기압은 폴리셔블레더(polisher bladder, 미도시)라는 부품에 의해 긴밀 유지되어 리크를 방지할 수 있도록 구성되어 있다.The air pressure that raises the pressure rubber 38 is closely held by a component called a polisher bladder (not shown) and is configured to prevent leakage.

상기와 같이 구성되는 CMP 설비는 패드 상면과 웨이퍼 표면 사이에 패드베커(40)의 슬러리공급홀(44)로부터 공급된 연마용제(슬러리)가 침투하여 피막을 이루는 동시에, 상기 패드베커(40)와 캐리지헤드(20) 상호간에 서로 압착되는 방향으로 적당한 압력이 가해짐에 따라 상기 웨이퍼(WF)는 면하강(face down)으로 보지되면서 회전되어 평탄화 공정이 진행된다.In the CMP facility configured as described above, the polishing solvent (slurry) supplied from the slurry supply hole 44 of the pad beaker 40 penetrates between the upper surface of the pad and the wafer surface to form a film, and at the same time, the pad beaker 40 and the like. As the appropriate pressure is applied in the direction in which the carriage heads 20 are pressed against each other, the wafer WF is rotated while being held face down and the planarization process is performed.

상기와 같이, CMP 설비는 적당한 압력과 회전력에 의하여 웨이퍼(WF)를 연마하게 되는데, 이러한 과정에서 상기 패드배커(40)는 하부에서 가해지는 상기 압력러버(38)의 상승압력에 의해 도 3에 도시된 바와 같이 대략 반구형의 모양으로 탄력적으로 휘어지게 된다.As described above, the CMP facility polishes the wafer WF by an appropriate pressure and rotational force. In this process, the pad backer 40 is shown in FIG. 3 by the rising pressure of the pressure rubber 38 applied from the bottom. As shown in the figure, it is elastically bent in an approximately hemispherical shape.

여기서, 상기 패드배커(40)는 상기 패드에 비하여 그 교채주기가 10 배 또는 그 이상으로 길다.Here, the pad backer 40 is 10 times or more longer than the pad period than the pad.

따라서, 상기 패드배커(40)는 일정시간이 지나게되면 그 탄력성이 떨어져 상기 CMP 공정시 상기 웨이퍼(WF)에 일정한 압력을 가할 수 없어 연마량이 부족하게 되는 등 CMP 공정의 효율성 저하 및 웨이퍼 손실의 요인으로 작용하게 된다.Therefore, when the pad backer 40 has a predetermined time elapses, its elasticity is lowered, and thus, the polishing amount is insufficient because the pad backer 40 cannot apply a constant pressure to the wafer WF during the CMP process. Will act as.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 그루브의 휘어짐에 따른 전류의 차이를 사용하여 패드베커의 휘어짐의 정도를 알아냄으로서 그 교체의 적정한 시기를 판단할 수 있는 패드베커의 변형 감지 장치가 구비된 CMP 장비 및 패드베커의 변형 감지 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, by determining the degree of deflection of the pad Becker using the difference in the current according to the deflection of the groove to determine the appropriate time of replacement. An object of the present invention is to provide a deformation method of the pad Becker and CMP equipment equipped with a deformation detection device of the pad Becker.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 패드베커의 변형 감지 장치가 구비된 CMP 장비는 표면 연마할 웨이퍼를 하방으로 향하게 한 상태로 소정의 압력을 가하면서 회전시켜 주는 캐리어헤드; 상기 캐리어헤드의 하방에 상기 웨이퍼의 평탄화를 위한 연마면을 제공하는 패드, 상기 패드의 하면에 매트릭스 상으로 형성된 그루브와 슬러리공급홀들이 형성된 상부 구조를 가지고 고정장착을 위한 외주측 에지부를 제공하는 하부 구조를 가지며 상기 외주측 에지부가 패드어셈블리를 구성하는 클램프에 고정된 어퍼링과 로워링의 사이에 끼워 고정되는 패드배커 및 상기 패드배커의 하단에 구비되는 압력러버를 구비한 패드어셈블리; 상기 그루브의 다수의 지점에 전기적으로 연결되어 전류를 검출하는 전류검출기; 상기 검출된 전류를 증폭하는 전류증폭기; 상기 패드베커가 교체된 시점의 전류의 값이 초기값으로 저장되는 데이터베이스; CMP 공정시 웨이퍼의 교체시마다 검출되는 전류의 값을 상기 초기값과 비교하여 상기 패드베커의 휘어짐의 정도를 판단하는 중앙처리장치; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.CMP equipment equipped with a deformation detection device of the pad Becker of the present invention for realizing the object as described above is a carrier head for rotating while applying a predetermined pressure in a state that the wafer to be surface polished downward; A pad providing a polishing surface for planarization of the wafer under the carrier head, an upper structure having grooves and slurry supply holes formed in a matrix on a lower surface of the pad and having an outer peripheral side edge for fixed mounting; A pad assembly having a structure and having a pad backer fitted between an upper ring and a lower ring fixed to a clamp constituting the pad assembly, and a pressure rubber provided at a lower end of the pad backer; A current detector electrically connected to a plurality of points of the groove to detect a current; A current amplifier for amplifying the detected current; A database in which a value of a current at the time when the pad backer is replaced is stored as an initial value; A central processing unit for determining the degree of warpage of the pad bucketer by comparing the current value detected every time the wafer is replaced during the CMP process with the initial value; Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 패드베커의 변형 감지 장치가 구비된 CMP 장비에 있어서, 휘어짐의 정도를 영상으로 출력하는 모니터부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the CMP equipment equipped with the deformation detection device of the pad Becker, it characterized in that it further comprises a monitor for outputting the degree of bending as an image.

본 발명의 또 다른 측면으로서, 패드베커의 변형 감지 방법은, 패드베커가 교체되는 단계; 상기 패드베커에 형성된 그루브의 다수의 지점에서 전류검출기에 의해 전류가 검출되는 단계; 상기 검출된 전류가 전류증폭기에 의해 증폭되는 단계; 상기 증폭된 전류의 값이 초기값으로 데이터베이스에 저장되는 단계; CMP 공정이 수행되는 단계; 웨이퍼의 교체시마다 상기 CMP 공정 전에 상기 그루브의 다수의 지점에서 전류검출기에 의해 전류가 검출되는 단계; 상기 검출된 전류가 상기 전류증폭기에 의해 증폭되는 단계; 중앙처리장치에 의해 상기 증폭된 전류와 상기 데이터베이스에 저장된 초기값을 비교하여 상기 패드베커의 휘어짐의 정도를 판단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.As another aspect of the invention, the deformation method of the pad Becker, the pad Becker is replaced; Detecting current by a current detector at a plurality of points of the groove formed in the pad backer; The detected current is amplified by a current amplifier; Storing the value of the amplified current as an initial value in a database; Performing a CMP process; Detecting current by a current detector at a plurality of points in the groove before the CMP process at every wafer change; The detected current is amplified by the current amplifier; And comparing the amplified current by the central processing unit with an initial value stored in the database to determine the degree of deflection of the pad bucketer.

또한, 상기 중앙처리장치에 의해 상기 증폭된 전류와 상기 데이터베이스에 저장된 초기값을 비교하여 상기 패드베커의 휘어짐의 정도를 판단하는 단계 다음에는 모니터부에 의해 상기 휘어짐의 정도를 영상으로 출력하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the step of comparing the amplified current and the initial value stored in the database by the central processing unit to determine the degree of bending of the pad Becker Next, the step of outputting the degree of bending by the monitor unit as an image It further comprises.

본 발명에 따른 패드베커의 변형 감지 장치가 구비된 CMP 장비 및 패드베커의 변형 감지 방법에 의하면, 그루브의 휘어짐에 따른 전류의 차이를 사용하여 패드베커의 휘어짐의 정도를 알아냄으로서 상기 패드베커의 적정한 교체 시기를 판단할 수 있어 상기 패드배커(40)의 탄력성이 떨어져 상기 CMP 공정시 상기 웨이퍼(WF)에 일정한 압력을 가할 수 없어 연마량이 부족하게 되는 등 CMP 공정의 효율성 저하 및 웨이퍼 손실이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있다.According to the CMP apparatus and the deformation detection method of the pad Becker equipped with the deformation device of the pad Becker according to the present invention, by using the current difference according to the bending of the groove to find the degree of the bending of the pad Becker It is possible to determine an appropriate replacement time, such that the pad backer 40 is not elastic and the CMP process can not apply a constant pressure to the wafer (WF). Can be prevented.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 CMP 장비는 종래기술과 동일하게 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 표면 연마할 웨이퍼(WF)를 하방으로 향하게 한 상태로 소정의 압력을 가하면서 회전시켜 주는 캐리어헤드(20); 상기 캐리어헤드(20)의 하방에 상기 웨이퍼(WF)의 평탄화를 위한 연마면을 제공하는 패드(PAD, 미도시), 상기 패드의 하면 에 매트릭스 상으로 형성된 그루브(42)와 슬러리공급홀(44)들이 형성된 상부 구조를 가지고 고정장착을 위한 외주측 에지부를 제공하는 하부 구조를 가지며 상기 외주측 에지부가 패드어셈블리(30)를 구성하는 클램프(32)에 고정된 어퍼링(34)과 로워링(36)의 사이에 끼워 고정되는 패드배커(40) 및 상기 패드배커(40)의 하단에 구비되는 압력러버(38)를 구비한 패드어셈블리(30);를 포함한다.1 and 2, the CMP apparatus according to the present invention, as shown in Figs. 1 and 2, the carrier head 20 for rotating while applying a predetermined pressure in a state in which the wafer WF to be polished downward facing downward ); A pad (PAD, not shown) providing a polishing surface for planarization of the wafer WF below the carrier head 20, a groove 42 and a slurry supply hole 44 formed in a matrix on a lower surface of the pad. ) Has an upper structure formed therein and has a lower structure for providing an outer circumferential edge portion for fixed mounting, and an upper ring 34 and a lower ring fixed to the clamp 32 constituting the pad assembly 30. And a pad assembly (30) having a pad backer (40) to be inserted and fixed between the pads (36) and a pressure rubber (38) provided at a lower end of the pad backer (40).

이와 더불어 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 그루브(42)의 다수의 지점에 전기적으로 연결되어 전류를 검출하는 전류검출기(50); 상기 검출된 전류를 증폭하는 전류증폭기(60); 상기 패드베커(40)가 교체된 시점의 전류의 값이 초기값으로 저장되는 데이터베이스(80); CMP 공정시 웨이퍼의 교체시마다 검출되는 전류의 값을 상기 초기값과 비교하여 상기 패드베커(40)의 휘어짐의 정도를 판단하는 중앙처리장치(70); 를 포함한다.In addition, as shown in Figure 4, the current detector 50 is electrically connected to a plurality of points of the groove 42 to detect the current; A current amplifier 60 for amplifying the detected current; A database 80 in which a value of a current at the time when the pad beaker 40 is replaced is stored as an initial value; A central processing unit (70) for determining the degree of warpage of the pad beaker (40) by comparing the current value detected every time the wafer is replaced during the CMP process with the initial value; It includes.

또한, 상기 휘어짐의 정도를 영상으로 출력하는 모니터부(90)를 더 포함한다.The apparatus may further include a monitor unit 90 outputting the degree of warpage as an image.

이하 도 5를 참조하여 상기와 같은 본 발명에 따른 CMP 장비의 동작 순서를 설명한다.Hereinafter, an operation sequence of the CMP apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 5.

본 발명에 따른 CMP 장비는 가장 먼저 패드베커(40)가 새것으로 교체되면 상기 패드베커(40)에 형성된 그루브(42)의 다수의 지점에서 전류검출기(50)에 의해 전류를 검출한다.The CMP apparatus according to the present invention first detects the current by the current detector 50 at a plurality of points of the grooves 42 formed in the pad Becker 40 when the pad Becker 40 is replaced with a new one.

그리고 상기 검출된 전류가 전류증폭기(60)에 의해 증폭된다.The detected current is then amplified by the current amplifier 60.

이때, 상기 증폭된 전류(Ib)의 값이 초기값으로 데이터베이스(80)에 저장된다.At this time, the value of the amplified current Ib is stored in the database 80 as an initial value.

그리고 웨이퍼가 상기 캐리어헤드(20)에 로딩되면 CMP 공정이 수행된다.When the wafer is loaded on the carrier head 20, the CMP process is performed.

그 후에는 웨이퍼의 교체시마다 상기 CMP 공정 전에 상기 그루브(42)의 다수의 지점에서 전류검출기(50)에 의해 전류를 검출하고 상기 검출된 전류는 앞서 본 바와 같이 상기 전류증폭기(60)에 의해 증폭이 된다.Thereafter, each time the wafer is replaced, current is detected by the current detector 50 at a plurality of points of the groove 42 before the CMP process, and the detected current is amplified by the current amplifier 60 as previously described. Becomes

그리고, 중앙처리장치(70)에 의해 상기 증폭된 전류(Ix)와 상기 데이터베이스(80)에 저장된 초기값을 비교하여 상기 패드베커(40)의 휘어짐의 정도를 판단하게 된다.The central processing unit 70 compares the amplified current Ix with the initial value stored in the database 80 to determine the degree of deflection of the pad bucketer 40.

이때 상기 중앙처리장치(70)에 의해 상기 증폭된 전류(Ix)와 상기 데이터베이스(80)에 저장된 초기값을 비교하여 상기 패드베커(40)의 휘어짐의 정도를 판단하는 단계 다음에는 바람직하게는 모니터부(90)에 의해 상기 휘어짐의 정도를 영상으로 출력한다.At this time, the step of comparing the amplified current (Ix) by the central processing unit 70 and the initial value stored in the database 80 to determine the degree of bending of the pad Becker 40 is preferably a monitor The unit 90 outputs the degree of warpage as an image.

상기와 같은 방법에 의하면 웨이퍼의 교체시마다 상기 패드베커(40)의 휘어짐의 정도를 판단하고 상기 패드베커(40)의 적정한 교체 시기를 판단할 수 있다.According to the method described above, the degree of warpage of the pad beaker 40 may be determined every time the wafer is replaced, and the appropriate replacement time of the pad beaker 40 may be determined.

이때 초기값으로 저장된 전류의 값의 80 %의 전류의 값이 검출되었을때 상기 패드베커(40)를 교채하는 것이 바람직하다.At this time, when the value of the current of 80% of the value of the current stored as the initial value it is preferable to replace the pad Becker 40.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변경되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention. will be.

도 1은 종래 기술에 따른 CMP 설비의 개략도,1 is a schematic diagram of a CMP plant according to the prior art,

도 2는 종래 기술에 따른 패드어셈블리의 분해 사시도,2 is an exploded perspective view of a pad assembly according to the prior art;

도 3은 종래 기술에 따른 패드베커에 상승압력이 가해진 상태를 나타내는 단면도,3 is a cross-sectional view showing a state in which a rising pressure is applied to the pad bucket according to the prior art,

도 4는 본 발명에 따른 패드베커의 변형 감지 장치,4 is a deformation detection apparatus of the pad bucket according to the present invention,

도 5는 본 발명에 따른 패드베커의 변형 감지 방법을 나타내는 순서도.5 is a flow chart showing a deformation detection method of the pad Becker according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

WF : 웨이퍼 20 : 캐리지 헤드WF: Wafer 20: Carriage Head

30 : 패드어셈블리 32 : 클램프30: pad assembly 32: clamp

34 : 어퍼링 36 : 로워링34: upper ring 36: lower ring

38 : 압력러버 40 : 패드베커38: pressure rubber 40: pad Becker

42 : 그루브 44 : 슬러리공급홀42: groove 44: slurry supply hole

50 : 전류검출기 60 : 전류증폭기50: current detector 60: current amplifier

70 : 중앙처리장치 80 : 데이터베이스70: central processing unit 80: database

90 : 모니터부90: monitor

Claims (4)

표면 연마할 웨이퍼를 하방으로 향하게 한 상태로 소정의 압력을 가하면서 회전시켜 주는 캐리어헤드; 상기 캐리어헤드의 하방에 상기 웨이퍼의 평탄화를 위한 연마면을 제공하는 패드, 상기 패드의 하면에 매트릭스 상으로 형성된 그루브와 슬러리공급홀들이 형성된 상부 구조를 가지고 고정장착을 위한 외주측 에지부를 제공하는 하부 구조를 가지며 상기 외주측 에지부가 패드어셈블리를 구성하는 클램프에 고정된 어퍼링과 로워링의 사이에 끼워 고정되는 패드배커 및 상기 패드배커의 하단에 구비되는 압력러버를 구비한 패드어셈블리; 상기 그루브의 다수의 지점에 전기적으로 연결되어 전류를 검출하는 전류검출기; 상기 검출된 전류를 증폭하는 전류증폭기; 상기 패드베커가 교체된 시점의 전류의 값이 초기값으로 저장되는 데이터베이스; CMP 공정시 웨이퍼의 교체시마다 검출되는 전류의 값을 상기 초기값과 비교하여 상기 패드베커의 휘어짐의 정도를 판단하는 중앙처리장치; 를 포함하는CMP 장비.A carrier head which rotates while applying a predetermined pressure to the wafer to be surface polished downward; A pad providing a polishing surface for planarization of the wafer under the carrier head, an upper structure having grooves and slurry supply holes formed in a matrix on a lower surface of the pad and having an outer peripheral side edge for fixed mounting; A pad assembly having a structure and having a pad backer fitted between an upper ring and a lower ring fixed to a clamp constituting the pad assembly, and a pressure rubber provided at a lower end of the pad backer; A current detector electrically connected to a plurality of points of the groove to detect a current; A current amplifier for amplifying the detected current; A database in which a value of a current at the time when the pad backer is replaced is stored as an initial value; A central processing unit for determining the degree of warpage of the pad bucketer by comparing the current value detected every time the wafer is replaced during the CMP process with the initial value; CMP equipment comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 휘어짐의 정도를 영상으로 출력하는 모니터부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 장비.The CMP apparatus of claim 1, further comprising a monitor configured to output the degree of warp as an image. 패드베커가 교체되는 1 단계;Step 1, the pad backer is replaced; 상기 패드베커에 형성된 그루브의 다수의 지점에서 전류검출기에 의해 전류가 검출되는 2 단계;A second step of detecting a current by a current detector at a plurality of points of the groove formed in the pad backer; 상기 2 단계에서 검출된 전류가 전류증폭기에 의해 증폭되는 3 단계;Three steps of amplifying the current detected in the second step by a current amplifier; 상기 3단계에서 증폭된 전류의 값이 초기값으로 데이터베이스에 저장되는 4 단계;Step 4 in which the value of the current amplified in step 3 is initially stored in the database; CMP 공정이 수행되는 5 단계;5 steps in which the CMP process is performed; 웨이퍼의 교체시마다 상기 CMP 공정 전에 상기 그루브의 다수의 지점에서 전류검출기에 의해 전류가 검출되는 6 단계;6 steps in which a current is detected by a current detector at a plurality of points of the groove before the CMP process at every wafer change; 상기 6 단계에서 검출된 전류가 상기 전류증폭기에 의해 증폭되는 7 단계;Step 7 in which the current detected in step 6 is amplified by the current amplifier; 중앙처리장치에 의해 상기 7 단계에서 증폭된 전류와 상기 데이터베이스에 저장된 초기값을 비교하여 상기 패드베커의 휘어짐의 정도를 판단하는 8 단계;An eighth step of comparing the current amplified in the seventh step by the central processing unit with the initial value stored in the database to determine the degree of deflection of the pad bucketer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 패드베커의 변형 감지 방법.Deformation detection method of the pad Becker comprising a. 제 3항에 있어서, 상기 중앙처리장치에 의해 상기 증폭된 전류와 상기 데이터베이스에 저장된 초기값을 비교하여 상기 패드베커의 휘어짐의 정도를 판단하는 8 단계 다음에는 모니터부에 의해 상기 휘어짐의 정도를 영상으로 출력하는 9 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패드베커의 변형 감지 방법.According to claim 3, wherein the step of comparing the amplified current by the central processing unit and the initial value stored in the database to determine the degree of bending of the pad Becker Next to the degree of the bending image by the monitor unit The strain detection method of the pad Becker, characterized in that it further comprises a nine step output.
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