KR20090056526A - Cleaner equipped heater and method for drying di water - Google Patents

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KR20090056526A KR1020070123718A KR20070123718A KR20090056526A KR 20090056526 A KR20090056526 A KR 20090056526A KR 1020070123718 A KR1020070123718 A KR 1020070123718A KR 20070123718 A KR20070123718 A KR 20070123718A KR 20090056526 A KR20090056526 A KR 20090056526A
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Abstract

A cleaner equipped heater and a method for drying deionized water are provided to remove deionized water reaming on a wafer with heat by including a heater and sweeping the wafer. A spin rinse dry apparatus(100) comprises a main body(110) of a bath shape which a motor(120) is installed under. A motor cover covering is installed inside the main body, a cover lift is installed at one side of the motor cover while moving the motor cover to vertical direction. A hood(160) installed at the upper part of the main boy and prevents scattering of chemical to the outside in wafer chuck rotation. The hood lift(170) reciprocates the hood to in vertical direction while supporting the hood. A heater(210) is installed at the upper of the main body, and a heater diver(220) turns and moves the heater within a certain angel while supporting the heater.

Description

히터를 구비한 스핀 린스 드라이 장치 및 탈이온수의 드라이 방법{Cleaner Equipped Heater and Method for Drying DI water}Spin rinse dry device with heater and dry method of deionized water {Cleaner Equipped Heater and Method for Drying DI water}

본 발명은 히터를 구비한 클리너 및 탈이온수의 드라이 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 히터를 구비하고 상기 히터가 웨이퍼를 스윕(sweep)하도록 함으로서 웨이퍼 상의 잔존하는 탈이온수(DI water)를 열에 의해 완전히 제거할 수 있는 히터를 구비한 스핀 린스 드라이 장치 및 탈이온수의 드라이 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaner with a heater and a method for drying deionized water. More particularly, the present invention relates to a method of drying DI water remaining on a wafer by providing a heater and allowing the heater to sweep the wafer. The spin rinse dry apparatus provided with the heater which can be removed completely by this, and the drying method of deionized water.

반도체 소자는 실리콘 기판에 산화막을 성장시키고 불순물을 침적시키며 상기 침적된 불순물을 반도체 웨이퍼 내로 원하는 깊이까지 침투시키는 확산공정과 식각이나 이온주입이 될 부위의 보호 부위를 선택적으로 한정하기 위해 마스크나 레티클(reticle)의 패턴을 웨이퍼 위에 만드는 사진공정, 감광액 현상이 끝난 후 감광액 밑에 성장되거나 침적 또는 증착된 박막들을 가스나 화학약품을 이용하여 선택적으로 제거하는 식각공정 및 화학기상증착이나 이온주입 또는 금속증착 방법을 이용하여 특정한 막을 형성시키는 박막공정 등의 단위 공정을 여러 차례 걸치면서 제조된다.The semiconductor device grows an oxide film on a silicon substrate, deposits impurities, and penetrates the deposited impurities into a semiconductor wafer to a desired depth, and a mask or reticle (eg, a mask or reticle) is used to selectively define a protection region of a portion to be etched or ion implanted. photolithography process to make patterns of reticle on wafer, etching process to selectively remove thin film grown, deposited or deposited under photoresist after gas sensitization by using gas or chemical and chemical vapor deposition, ion implantation or metal deposition method It is manufactured while taking several unit processes such as a thin film process to form a specific film using.

그리고, 각 단위 공정들의 수행과정에서 웨이퍼를 세정하는 세정공정이 수행된다. 세정공정은 집적회로의 집적도가 높아져 감에 따라 여러 종류의 반도체 박막이 다층으로 적층된 구조의 미세 패턴을 가공해야 할 필요성의 증가에 따른 반도체 소자 제조시 발생되는 공정불량을 줄이기 위하여 여러차례 진행된다.Then, a cleaning process for cleaning the wafer is performed in the course of performing each unit process. As the degree of integration of integrated circuits increases, the cleaning process is performed several times in order to reduce process defects generated in manufacturing a semiconductor device due to an increase in the necessity of processing a fine pattern of a structure in which several kinds of semiconductor thin films are stacked in multiple layers.

상기 세정 공정은 배스에 웨이퍼를 수용하여 소정의 화학 처리제로 세정하는 습식세정이 많이 사용된다.In the cleaning process, wet cleaning, in which a wafer is placed in a bath and cleaned with a predetermined chemical treatment agent, is frequently used.

습식세정을 수행하는 설비로서 소위 웨트 스테이션이라 불리는 습식 세정 설비가 잘 알려져 있다. 상기 습식 세정 설비는 소정의 화학처리제로 로딩(loading)되는 반도체 웨이퍼를 세정하는 케미컬 배스 유닛(chemical bath unit)과 세정에 사용된 화학처리제를 단시간 내에 반도체 웨이퍼에서 제거하는 HQDR(Hot Quick Dumped Rinse), 탈이온수(DI water)를 이용하여 반도체 웨이퍼를 최종적으로 수세하는 세정 배스 유닛 등 복수의 배스 유닛 및 스핀 드라이(spin dry)작업을 실시하 여 반도체 웨이퍼 상에 존재하는 물기를 제거하는 건조 유닛 등을 구비한다.As the equipment for performing wet cleaning, so-called wet cleaning equipment called wet stations is well known. The wet cleaning equipment includes a chemical bath unit for cleaning a semiconductor wafer loaded with a predetermined chemical treatment agent and a hot quick dumped rinse (HQDR) for removing the chemical treatment agent used for cleaning from the semiconductor wafer in a short time. And a plurality of bath units such as a cleaning bath unit which finally washes the semiconductor wafer using DI water and a spin dry operation to remove water on the semiconductor wafer. It is provided.

도 1은 종래 기술에 따른 스핀 린스 드라이(spin rinse dry)장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a spin rinse dry apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 스핀 린스 드라이 장치(10)는 본체(11)의 하측에 모터(12)가 설치되고, 본체(11)의 내측에 모터(12)를 감싸는 모터커버(13)가 커버리프트(14)에 의해 수직방향으로 왕복이동 가능하도록 설치되며, 모터 커버(13)의 상측에 모터(12)의 구동력에 의해 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 척(15)이 설치되고, 본체(11)의 상측에 후드(16)가 후드리프트(17)에 의해 수직방향으로 왕복이동 가능하게 설치된다.As shown in FIG. 1, in the spin rinse dry apparatus 10 according to the related art, a motor 12 is installed below the main body 11, and a motor cover surrounding the motor 12 inside the main body 11. 13 is installed to reciprocate in the vertical direction by the cover lift 14, and a wafer chuck 15 for rotating the wafer by the driving force of the motor 12 is provided above the motor cover 13, The hood 16 is installed on the upper side of the main body 11 so as to reciprocate in the vertical direction by the hood lift 17.

이와 같은 종래의 스핀 드라이 장치(10)는 상기 웨이퍼를 상기 모터(12)에 의해 약 3000 rpm으로 회전을 시켜서 상기 웨이퍼 상의 탈이온수를 제거한다.The conventional spin dry apparatus 10 rotates the wafer at about 3000 rpm by the motor 12 to remove deionized water on the wafer.

다만, 상기와 같은 방법에 의한다 하더라도 상기 웨이퍼 상의 탈이온수는 완전히 제거되지 않는다.However, even by the above method, the deionized water on the wafer is not completely removed.

따라서, 잔존하는 탈이온수는 파티클을 발생시키고 이는 수율(yield) 저하의 원인이 된다.Therefore, the remaining deionized water generates particles, which causes a decrease in yield.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 스핀 린스 드라이 작업 후 잔존하는 탈이온수를 완전히 제거하기 위하여 히터를 구비한 스핀 린스 드라이 장치 및 탈이온수의 드라이 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and a spin rinse dry apparatus and a method for drying deionized water having a heater to completely remove the deionized water remaining after the spin rinse dry operation. The purpose is to provide.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 스핀 린스 드라이 장치는, 배스의 형상의 본체; 상기 본체의 하측에 설치되는 모터; 본체의 내측에 모터를 감싸는 모터커버; 상기 모터커버의 일측에 형성되어 상기 모토커버를 수직방향으로 왕복이동시키는 커버리프트; 상기 모터 커버의 상측에 상기 모터의 구동력에 의해 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 척; 상기 본체의 상측에 설치되며 상기 웨이퍼 척의 회전시 케미컬이 외부로 비산되는 것을 방지하는 후드; 상기 후드를 지지하며 상기 후드를 수직방향으로 왕복이동시키는 후드리프트; 상기 본체의 상측에 설치되는 히터; 상기 히터를 지지하며 상기 히터를 소정의 각도의 범위에서 회전이동시키는 히터구동장비를 포함하는 것을 특징으로 한다.Spin rinse dry apparatus of the present invention for achieving the above object, the body of the shape of the bath; A motor installed under the main body; A motor cover surrounding the motor inside the main body; A cover lift formed on one side of the motor cover to reciprocate the moto cover in a vertical direction; A wafer chuck that rotates the wafer on the upper side of the motor cover by a driving force of the motor; A hood installed at an upper side of the main body to prevent the chemical from being scattered to the outside during the rotation of the wafer chuck; A hood lift supporting the hood and reciprocating the hood in a vertical direction; A heater installed above the main body; And a heater driving device for supporting the heater and rotating the heater in a range of a predetermined angle.

또한, 상기 스핀 린스 드라이 장치에 있어서, 상기 히터의 온도는 90 ~ 110 ℃인 것을 특징으로 한다.In the spin rinse dry apparatus, the heater is characterized in that the temperature of 90 ~ 110 ℃.

본 발명의 또 다른 측면으로서, 본 발명의 탈이온수의 드라이 방법은As another aspect of the present invention, the method for drying deionized water of the present invention

HQDR배스에서 세정을 마친 웨이퍼가 웨이퍼척에 로딩되는 단계;Loading the wafer which has been cleaned in the HQDR bath onto the wafer chuck;

모터에 의해 상기 웨이퍼척이 회전하는 단계;Rotating the wafer chuck by a motor;

상기 웨이퍼척의 회전에 의해 상기 웨이퍼상의 탈이온수가 제거되는 단계;Removing deionized water on the wafer by rotating the wafer chuck;

히터구동장비에 의해 히터가 대기위치에서 출발위치로 이동하는 단계;Moving the heater from the standby position to the starting position by the heater driving equipment;

상기 히터가 상기 출발위치에서 종착위치로 이동하는 단계;Moving the heater from the starting position to the end position;

상기 출발위치에서 종착위치로의 이동이 2회 내지 4회 반복되는 단계;Repeating the movement from the starting position to the destination position two to four times;

를 포함하는 것을 특징으로 한다.Characterized in that it comprises a.

또한, 탈이온수의 드라이 방법에 있어서, 상기 히터(210)의 온도는 90 ~ 110 ℃인 것을 특징으로 한다.In addition, in the dry method of deionized water, the temperature of the heater 210 is characterized in that 90 ~ 110 ℃.

본 발명에 따른 히터를 구비한 스핀 린스 드라이 장치 및 탈이온수의 드라이 방법에 의하면, 스핀 린스 드라이 장치에 히터를 구비하고 상기 히터가 웨이퍼를 스윕(sweep)하도록 함으로서 종래의 스핀 린스 드라이 작업 후에 웨이퍼 상에 잔존하는 탈이온수를 완전히 제거할 수 있다.According to the spin rinse dry apparatus having a heater according to the present invention and a method of drying the deionized water, the spin rinse dry apparatus includes a heater and allows the heater to sweep the wafer, thereby allowing the heater to sweep on the wafer after a conventional spin rinse dry operation. The deionized water remaining in the can be completely removed.

따라서, 종래 탈이온수에 의한 파티클을 발생을 제거하고 및 수율 증대의 효과를 얻을 수 있다.Therefore, it is possible to eliminate the generation of particles by deionized water and to increase the yield.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작 용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows.

도 2는 본 발명에 따른 스핀 린스 드라이 장치의 단면도, 도 3은 본 발명에 따른 히터에 의해 탈이온수가 제거되는 동작 상태도, 도 4는 본 발명에 따른 스핀 린스 드라이 장치의 동작 순서도이다.2 is a cross-sectional view of the spin rinse dry apparatus according to the present invention, FIG. 3 is an operation state diagram in which deionized water is removed by the heater according to the present invention, and FIG. 4 is an operation flowchart of the spin rinse dry apparatus according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 스핀 린스 드라이 장치는, 배스(bath)의 형상의 본체(110)를 구비하고 상기 본체(110)의 하측에 설치되는 모터(120)가 설치된다.As shown in FIG. 2, the spin rinse dry apparatus according to the present invention includes a main body 110 having a bath shape and a motor 120 installed under the main body 110.

그리고, 상기 본체(110)의 내측에 모터(120)를 감싸는 모터커버(130) 및 상기 모터커버(130)의 일측에 형성되어 상기 모토커버(130)를 수직방향으로 왕복이동시키는 커버리프트(140)가 구비된다.In addition, a cover cover 140 formed on one side of the motor cover 130 and the motor cover 130 surrounding the motor 120 inside the main body 110 to reciprocate the moto cover 130 in a vertical direction. ) Is provided.

또한, 상기 모터 커버(130)의 상측에 웨이퍼척(150)이 구비되어 웨이퍼(180)가 상기 웨이퍼척(150)에 로딩되고 상기 웨이퍼척(150)의 회전에 의해 상기 웨이퍼(180) 상의 탈이온수가 제거된다.In addition, a wafer chuck 150 is provided on the upper side of the motor cover 130 so that the wafer 180 is loaded on the wafer chuck 150 and the wafer chuck 150 is removed on the wafer 180 by the rotation of the wafer chuck 150. Ionized water is removed.

그리고, 상기 본체(110)의 상측에 설치되며 상기 웨이퍼 척(150)의 회전시 케미컬이 외부로 비산되는 것을 방지하는 후드(160) 및 상기 후드(160)를 지지하며 상기 후드(160)를 수직방향으로 왕복이동시키는 후드리프트(170)가 구비된다.In addition, the hood 160 is installed above the main body 110 and supports the hood 160 and the hood 160 to prevent chemicals from scattering to the outside during rotation of the wafer chuck 150. Hood lift 170 for reciprocating in the direction is provided.

이와 더불어, 상기 본체(110)의 상측에 설치되는 히터(210) 및 상기 히터(210)를 지지하며 상기 히터를 소정의 각도의 범위에서 회전이동시키는 히터구동 장비(220)가 구비된다.In addition, the heater 210 installed on the upper side of the main body 110 and the heater driving equipment 220 for supporting the heater 210 and for rotating the heater in a predetermined angle range is provided.

상기 웨이퍼척(150)의 회전에 의하더라고 상기 웨이퍼(180)의 탈이온수를 완전히 제거할 수는 없으므로 본 발명은 상기 히터(210)를 구비하고 상기 히터(210)가 소정의 온도로 상기 웨이퍼 상부를 스윕(sweep)하도록 함으로서 상기 웨이퍼(180) 상에 잔존하는 탈이온수를 완전히 제거할 수 있다.Since the deionized water of the wafer 180 cannot be completely removed even by the rotation of the wafer chuck 150, the present invention includes the heater 210 and the heater 210 has a predetermined temperature on the wafer. By sweeping the deionized water remaining on the wafer 180 can be completely removed.

이때 상기 웨이퍼(180) 상의 패턴의 손상을 주지 않고 탈이온수를 완전히 제거하기 위하여 상기 히터(210)의 온도는 90 ~ 110 ℃가 되는 것이 바람직하다.At this time, in order to completely remove the deionized water without damaging the pattern on the wafer 180, the temperature of the heater 210 is preferably 90 ~ 110 ℃.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 히터를 구비한 스핀 린스 드라이 장치의 동작 순서를 설명한다.Hereinafter, an operation sequence of a spin rinse dry apparatus having a heater according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4에 도시된 바와 같이, 가장 먼저, HQDR배스(미도시)에서 세정을 마친 웨이퍼(180)가 웨이퍼척(150)에 로딩된다.As shown in FIG. 4, first, a wafer 180 cleaned in an HQDR bath (not shown) is loaded onto the wafer chuck 150.

그 다음에는, 모터(120)에 의해 상기 웨이퍼척(150)이 회전을 하게 되고, 상기 웨이퍼척(150)의 회전에 의해 상기 웨이퍼(180)상의 탈이온수가 제거된다.Next, the wafer chuck 150 is rotated by the motor 120, and the deionized water on the wafer 180 is removed by the rotation of the wafer chuck 150.

상기 웨이퍼척(150)의 회전에 의해 탈이온수를 제거한 다음에는 상기 웨이퍼(180)상에 잔존하는 탈이온수를 제거하기 위해 히터(210)를 사용한다.After the deionized water is removed by the rotation of the wafer chuck 150, the heater 210 is used to remove the deionized water remaining on the wafer 180.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 히터(210)는 상기 웨이퍼척(150)이 회전하는 동안에는 대기위치에서 대기를 하며, 상기 웨이퍼척(150)의 회전을 마친 다음에는 사익 대기위치에서 출발위치로 이동을 함과 동시에 상기 출발위치에서 종착위치로의 이동을 2회 내지 4회 반복하여 상기 웨이퍼(180) 상에 잔존하는 탈이온수를 완 전히 제거한다.As shown in FIG. 3, the heater 210 waits at a standby position while the wafer chuck 150 rotates, and after completion of the rotation of the wafer chuck 150, the heater 210 returns to a starting position from a dead standby position. At the same time, the deionized water remaining on the wafer 180 is completely removed by repeating the movement from the starting position to the ending position two to four times.

이때, 상기 스핀 린스 드라이 장치(100)의 운영자는 필요에 따라 상기 웨이퍼척(150)의 회전에 의한 상기 웨이퍼(180) 상의 탈이온수 제거와 상기 히터(210)에 의한 탈이온수의 제거를 동시에 수행하여 상기 스핀 린스 드라이 작업시간을 단축할 수 있다.At this time, the operator of the spin rinse dry apparatus 100 simultaneously removes the deionized water on the wafer 180 and the deionized water by the heater 210 by rotating the wafer chuck 150 as necessary. By doing so, the spin rinse dry operation time can be shortened.

이때 상기 웨이퍼(180) 상의 패턴의 손상을 주지 않고 탈이온수를 완전히 제거하기 위하여 상기 히터(210)의 온도는 90 ~ 110 ℃가 되는 것이 바람직하다.At this time, in order to completely remove the deionized water without damaging the pattern on the wafer 180, the temperature of the heater 210 is preferably 90 ~ 110 ℃.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변경되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention. will be.

도 1은 종래 기술에 따른 스핀 린스 드라이(spin rinse dry) 장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of a spin rinse dry apparatus according to the prior art,

도 2는 본 발명에 따른 스핀 린스 드라이 장치의 단면도,2 is a cross-sectional view of the spin rinse dry apparatus according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 히터에 의해 탈이온수가 제거되는 동작 상태도,Figure 3 is an operating state in which deionized water is removed by a heater according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 스핀 린스 드라이 장치의 동작 순서도.Figure 4 is a flow chart of the operation of the spin rinse dry apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 스핀 린스 드라이(spin rinse dry) 장치100: spin rinse dry device

110 : 본체 120 : 모터110: main body 120: motor

130 : 모터커버 140 : 커버리프트130: motor cover 140: cover lift

150 : 웨이퍼척 160 : 후드150: wafer chuck 160: hood

170 : 후드리프트 180 : 웨이퍼170: hood lift 180: wafer

210 : 히터 220 : 히터구동장치210: heater 220: heater driving device

Claims (4)

배스의 형상의 본체; 상기 본체의 하측에 설치되는 모터; 본체의 내측에 모터를 감싸는 모터커버; 상기 모터커버의 일측에 형성되어 상기 모토커버를 수직방향으로 왕복이동시키는 커버리프트; 상기 모터 커버의 상측에 상기 모터의 구동력에 의해 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼척; 상기 본체의 상측에 설치되며 상기 웨이퍼척의 회전시 케미컬이 외부로 비산되는 것을 방지하는 후드; 상기 후드를 지지하며 상기 후드를 수직방향으로 왕복이동시키는 후드리프; 상기 본체의 상측에 설치되는 히터; 상기 히터를 지지하며 상기 히터를 소정의 각도의 범위에서 회전이동시키는 히터구동장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 린스 드라이 장치.A body in the shape of a bath; A motor installed under the main body; A motor cover surrounding the motor inside the main body; A cover lift formed on one side of the motor cover to reciprocate the moto cover in a vertical direction; A wafer chuck which rotates the wafer on the upper side of the motor cover by a driving force of the motor; A hood installed at an upper side of the main body to prevent chemicals from scattering to the outside during rotation of the wafer chuck; A hood leaf supporting the hood and reciprocating the hood in a vertical direction; A heater installed above the main body; And a heater driving device supporting the heater and rotating the heater in a range of a predetermined angle. 제 1항에 있어서, 상기 히터의 온도는 90 ~ 110 ℃인 것을 특징으로 하는 스핀 린스 드라이 장치.The spin rinse dry apparatus according to claim 1, wherein the temperature of the heater is 90 to 110 ° C. HQDR배스에서 세정을 마친 웨이퍼가 웨이퍼척에 로딩되는 단계;Loading the wafer which has been cleaned in the HQDR bath onto the wafer chuck; 모터에 의해 상기 웨이퍼척이 회전하는 단계;Rotating the wafer chuck by a motor; 상기 웨이퍼척의 회전에 의해 상기 웨이퍼 상의 탈이온수가 제거되는 단계;Removing deionized water on the wafer by rotating the wafer chuck; 히터구동장치에 의해 히터가 대기위치에서 출발위치로 이동하는 단계;Moving the heater from the standby position to the starting position by the heater driving device; 상기 히터가 상기 출발위치에서 종착위치로 이동하는 단계;Moving the heater from the starting position to the end position; 상기 출발위치에서 종착위치로의 이동이 2회 내지 4회 반복되는 단계;Repeating the movement from the starting position to the destination position two to four times; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 탈이온수의 드라이 방법.Drying method of the deionized water, characterized in that it comprises a. 제 3항에 있어서, 상기 히터의 온도는 90 ~ 110 ℃인 것을 특징으로 하는 탈이온수의 드라이 방법.The method of claim 3, wherein the temperature of the heater is 90 ~ 110 ℃.
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