KR20090052426A - Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repairing thereof - Google Patents

Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repairing thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20090052426A
KR20090052426A KR1020070118919A KR20070118919A KR20090052426A KR 20090052426 A KR20090052426 A KR 20090052426A KR 1020070118919 A KR1020070118919 A KR 1020070118919A KR 20070118919 A KR20070118919 A KR 20070118919A KR 20090052426 A KR20090052426 A KR 20090052426A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
probe
metal layer
melting point
low melting
point metal
Prior art date
Application number
KR1020070118919A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
추교철
이정영
맹보라
Original Assignee
(주)티에스이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)티에스이 filed Critical (주)티에스이
Priority to KR1020070118919A priority Critical patent/KR20090052426A/en
Publication of KR20090052426A publication Critical patent/KR20090052426A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716—Elastic
    • G01R1/06727—Cantilever beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor

Abstract

본 발명은 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드(cantilever probe card)와, 그의 제조 및 수리 방법에 관한 것으로, 캔틸레버 프로브 카드에서 손상된 캔틸레버 프로브를 쉽게 수리하기 위한 것이다. 본 발명은 프로브 기판과, 상기 프로브 기판에 형성된 복수의 캔틸레버 프로브를 포함하는 캔틸레버 프로브 카드를 제공한다. 특히 상기 캔틸레버 프로브는 상기 프로브 기판에서 일정 높이로 형성되는 고정부와, 상기 고정부와 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부와, 상기 빔부의 끝단에 형성되어 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부와, 상기 고정부를 중심으로 상기 프로브 기판과 상기 빔부 사이에 형성된 저융점 금속층을 포함한다. 본 발명에 따른 캔틸레버 프로브는 고정부가 형성된 부분에 저융점 금속층이 형성되기 때문에, 손상된 캔틸레버 프로브를 수리할 때 저융점 금속층을 용융시켜 손상된 캔틸레버 프로브 부분을 쉽게 제거할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cantilever probe card that is easy to repair, and to a method for manufacturing and repairing the same, for easily repairing a damaged cantilever probe in a cantilever probe card. The present invention provides a cantilever probe card including a probe substrate and a plurality of cantilever probes formed on the probe substrate. In particular, the cantilever probe may include a fixed part formed at a predetermined height on the probe substrate, a beam part connected to the fixed part and extending to one side, a contact part formed at an end of the beam part to contact an electrode pad of an integrated circuit chip, And a low melting point metal layer formed between the probe substrate and the beam part about the fixing part. Since the cantilever probe according to the present invention has a low melting point metal layer formed at a portion where the fixing portion is formed, the damaged cantilever probe portion can be easily removed by melting the low melting point metal layer when repairing the damaged cantilever probe.

캔틸레버, 프로브, 탐침, 프로브 카드, 수리 Cantilever, probe, probe, probe card, repair

Description

수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드와, 그의 제조 및 수리 방법{Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repairing thereof}Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repair thereof

본 발명은 캔틸레버 프로브 카드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 캔틸레버 프로브 카드에서 손상된 캔틸레버 프로브를 쉽게 수리할 수 있는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드와, 그의 제조 및 수리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cantilever probe card and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an easy-to-repair cantilever probe card that can easily repair a damaged cantilever probe in the cantilever probe card, and a method of manufacturing and repairing the same.

웨이퍼 조립 공정(wafer fabrication process)에 의해 웨이퍼에는 복수의 집적회로 칩들이 형성된다. 각각의 집적회로 칩은 웨이퍼 상태에서 진행되는 전기적 특성 검사(EDS; Electrical Die Sorting)에 의해 양품과 불량품으로 분류될 수 있다.A plurality of integrated circuit chips are formed on the wafer by a wafer fabrication process. Each integrated circuit chip can be classified as good or bad by Electrical Die Sorting (EDS), which is conducted in a wafer state.

전기적 특성 검사에는 통상적으로 테스터(tester)와 프로브 스테이션(probe station) 및 프로브 카드(probe card)로 구성된 검사 장치가 주로 사용된다. 테스터는 검사 신호를 발생시키고 검사 결과 데이터를 판독한다. 프로브 스테이션은 웨이퍼의 로딩(loading)과 언로딩(unloading) 기능을 담당하여 테스터가 기능을 수행할 수 있게 한다. 그리고 프로브 카드(probe card)는 웨이퍼와 테스터를 전기적으로 연결하는 기능을 수행한다.In the electrical property inspection, a test apparatus mainly composed of a tester, a probe station, and a probe card is mainly used. The tester generates a test signal and reads the test result data. The probe station is responsible for loading and unloading wafers so that the tester can perform the functions. The probe card serves to electrically connect the wafer and the tester.

전술한 바와 같은 검사 장치에 있어서 프로브 카드는 프로브 카드 주기판(probe card main board) 상에 세라믹 재질의 프로브 블록(probe block)이 고정되고, 그 프로브 블록에 에폭시 수지(epoxy resin)로 프로브 니들(needle)이 고정된 구조이었다. 그러나 이와 같은 프로브 카드는 숙련공의 수작업에 의해 프로브 니들을 고정시키기 때문에 전극 패드의 미세 피치(fine pitch) 추세에 대응하는 데에 한계가 있었다.In the inspection apparatus as described above, a probe block of a ceramic material is fixed on a probe card main board, and a probe needle is made of epoxy resin to the probe block. ) Was a fixed structure. However, such a probe card has a limitation in responding to the trend of fine pitch of electrode pads because the probe needle is fixed by a skilled worker.

전술한 문제를 개선하기 위하여 초소형 정밀기계 기술(MEMS; Micro Electro Mechanical Systems)을 이용하여 캔틸레버 프로브를 제조하고, 그 캔틸레버 프로브를 회로패턴이 형성된 프로브 기판에 설치한 구조의 캔틸레버 프로브 카드가 소개되어 있다. 이와 같은 캔틸레버 프로브는 니켈, 코발트 또는 니켈코발트 합금 등의 금속을 적층하여 일체로 형성한다.In order to solve the above-mentioned problem, a cantilever probe card having a structure in which a cantilever probe is manufactured by using micro electro mechanical systems (MEMS) and the cantilever probe is installed on a probe substrate having a circuit pattern is introduced. . Such a cantilever probe is integrally formed by stacking a metal such as nickel, cobalt, or a nickel cobalt alloy.

한편 캔틸레버 프로브 카드는 제조 상의 불량이나 반복적인 사용에 의해 캔틸레버 프로브가 손상되기 때문에, 캔틸레버 프로브의 수리 작업이 필요하다.On the other hand, since the cantilever probe is damaged by manufacturing defects or repeated use, the cantilever probe card needs to be repaired.

그런데 캔틸레버 프로브는 일체로 형성되기 때문에, 캔틸레버 프로브의 수리 작업을 수행하기 위해서 손상된 캔틸레버 프로브를 프로브 기판에서 제거할 때, 캔틸레버 프로브가 완전히 제거되지 않거나 캔틸레버 프로브를 포함하여 캔틸레버 프로브가 접합된 프로브 기판의 회로패턴 부분까지 함께 제거되는 문제가 발생된다. 즉 전자의 경우 손상된 캔틸레버 프로브 제거시, 캔틸레버 프로브의 빔부만 잘려지거나 빔부를 포함한 고정부의 일부만 잘려져 프로브 기판에 손상된 캔틸레버 프로브가 잔존하는 문제가 발생될 수 있다. 후자의 경우 프로브 기판의 회로패턴 부분 까지 손상되기 때문에, 프로브 기판 자체를 교체해야 하는 문제가 발생될 수 있다.However, since the cantilever probe is integrally formed, when the damaged cantilever probe is removed from the probe substrate in order to repair the cantilever probe, the cantilever probe may not be completely removed or the cantilever probe including the cantilever probe may be A problem arises in that circuit parts are removed together. That is, in the case of the former, when the damaged cantilever probe is removed, only the beam part of the cantilever probe may be cut or only a part of the fixing part including the beam part may be cut, thereby causing a problem that the damaged cantilever probe remains on the probe substrate. In the latter case, since the circuit pattern portion of the probe board is damaged, a problem may arise in that the probe board itself needs to be replaced.

따라서, 본 발명의 제 1 목적은 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브를 갖는 캔틸레버 프로브 카드 및 그의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide a cantilever probe card having a cantilever probe which is easy to repair, and a manufacturing method thereof.

본 발명의 제 2 목적은 캔틸레버 프로브 카드의 수리 방법을 제공하기 위한 것이다.A second object of the present invention is to provide a repair method of a cantilever probe card.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 프로브 기판과, 상기 프로브 기판에 형성된 복수의 캔틸레버 프로브를 포함하는 캔틸레버 프로브 카드를 제공한다. 특히 상기 캔틸레버 프로브는 상기 프로브 기판에서 일정 높이로 형성되는 고정부와, 상기 고정부와 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부와, 상기 빔부의 끝단에 형성되어 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부와, 상기 고정부를 중심으로 상기 프로브 기판과 상기 빔부 사이에 형성된 저융점 금속층을 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a cantilever probe card comprising a probe substrate and a plurality of cantilever probes formed on the probe substrate. In particular, the cantilever probe may include a fixed part formed at a predetermined height on the probe substrate, a beam part connected to the fixed part and extending to one side, a contact part formed at an end of the beam part to contact an electrode pad of an integrated circuit chip, And a low melting point metal layer formed between the probe substrate and the beam part about the fixing part.

한편 본 발명은 프로브 기판을 준비하는 단계와, 상기 프로브 기판에 복수의 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계를 포함하는 캔틸레버 프로브 카드 제조 방법을 제공한다.On the other hand, the present invention provides a method for manufacturing a cantilever probe card comprising preparing a probe substrate and forming a plurality of cantilever probes on the probe substrate.

이때 상기 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계는 상기 프로브 기판 위에 저융점 금속층을 형성하는 단계와, 상기 저융점 금속층 위에 일정 높이로 고정부를 형성하는 단계와, 상기 고정부와 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부를 형성하는 단계 와, 상기 빔부의 끝단에 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부를 형성하는 단계를 포함한다.The forming of the cantilever probe may include forming a low melting point metal layer on the probe substrate, forming a fixing part at a predetermined height on the low melting point metal layer, and a beam part connected to the fixing part and extending to one side. Forming a contact portion in contact with an electrode pad of an integrated circuit chip at an end of the beam portion.

또는 상기 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계는 상기 프로브 기판에 일정 높이로 고정부를 형성하는 단계와, 상기 고정부 위에 저융점 금속층을 형성하는 단계와, 상기 저융점 금속층과 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부를 형성하는 단계와, 상기 빔부의 끝단에 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부를 형성하는 단계를 포함한다.Alternatively, the forming of the cantilever probe may include forming a fixing part at a predetermined height on the probe substrate, forming a low melting point metal layer on the fixing part, and connecting the low melting point metal layer to one side of the beam part. Forming a contact portion in contact with an electrode pad of an integrated circuit chip at an end of the beam portion.

또는 상기 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계는 상기 프로브 기판에 제 1 고정부를 형성하는 단계와, 상기 제 1 고정부 위에 저융점 금속층을 형성하는 단계와, 상기 저융점 금속층 위에 제 2 고정부를 형성하는 단계와, 상기 제 2 고정부와 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부를 형성하는 단계와, 상기 빔부의 끝단에 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부를 형성하는 단계를 포함한다.Alternatively, the forming of the cantilever probe may include forming a first fixing part on the probe substrate, forming a low melting point metal layer on the first fixing part, and forming a second fixing part on the low melting point metal layer. And forming a beam part connected to the second fixing part and extending to one side, and forming a contact part contacting an electrode pad of an integrated circuit chip at an end of the beam part.

한편 본 발명은 전술된 캔틸레버 프로브 카드의 수리 방법을 제공한다. 즉 본 발명에 따른 수리 방법은 손상된 캔틸레버 프로브의 저융점 금속층을 용융시키는 용융 과정과, 상기 용융된 저융점 금속층 위의 상기 캔틸레버 프로브 부분을 제거하는 제거 과정을 포함한다.Meanwhile, the present invention provides a method for repairing the above-described cantilever probe card. That is, the repair method according to the present invention includes a melting process of melting the low melting point metal layer of the damaged cantilever probe and a removing process of removing the cantilever probe portion on the molten low melting point metal layer.

본 발명에 따른 수리 방법은 상기 제거된 캔틸레버 프로브 부분에 대응되는 캔틸레버 프로브 부분을 저융점 금속층을 개재하여 상기 캔틸레버 프로브 부분이 제거된 부분에 접합시키는 접합 과정을 더 포함한다.The repair method according to the present invention further includes a bonding process of joining the cantilever probe portion corresponding to the removed cantilever probe portion to a portion from which the cantilever probe portion is removed through a low melting point metal layer.

본 발명에 따른 캔틸레버 프로브는 고정부가 형성된 부분에 저융점 금속층이 형성되기 때문에, 손상된 캔틸레버 프로브를 수리할 때 저융점 금속층을 용융시켜 손상된 캔틸레버 프로브 부분을 쉽게 제거할 수 있다. 이때 저융점 금속층을 용융시켜 저융점 금속층 위쪽의 캔틸레버 프로브 부분만이 제거하기 때문에, 손상된 캔틸레버 프로브를 제거할 때마다 항상 동일한 부분이 제거된다.Since the cantilever probe according to the present invention has a low melting point metal layer formed at a portion where the fixing portion is formed, the damaged cantilever probe portion can be easily removed by melting the low melting point metal layer when repairing the damaged cantilever probe. At this time, since only the cantilever probe portion above the low melting metal layer is removed by melting the low melting metal layer, the same portion is always removed every time the damaged cantilever probe is removed.

또한 제거된 캔틸레버 프로브 부분에 대응되는 양호한 캔틸레버 프로브 부분을 저융점 금속층을 개재하여 캔틸레버 프로브 부분이 제거된 부분에 접합시킴으로써, 캔틸레버 프로브를 쉽게 수리할 수 있다. 이때 본 발명에 따른 캔틸레버 프로브에 이어서, 저융점 금속층의 용융에 의해 제거되는 부분은 항상 동일하기 때문에, 수리용 캔틸레버 프로브 부분을 구비하기가 용이한 장점도 있다.In addition, the cantilever probe can be easily repaired by joining a good cantilever probe portion corresponding to the removed cantilever probe portion to the portion from which the cantilever probe portion is removed through the low melting point metal layer. At this time, since the cantilever probe according to the present invention, the portion removed by melting of the low melting point metal layer is always the same, there is also an advantage that it is easy to provide a repair cantilever probe portion.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로브 기판(10)과, 프로브 기판(10)에 형성되는 복수의 캔틸레버 프로브(20)를 포함하여 구성된다.Easy-to-repair cantilever probe card 100 according to the first embodiment of the present invention, as shown in Figure 1, the probe substrate 10 and the plurality of cantilever probes 20 formed on the probe substrate 10 It is configured to include.

프로브 기판(10)은 잘 알려진 바와 같이, 소정의 두께를 갖는 인쇄회로기판이다. 프로브 기판(10)의 재질로 일반적으로 인쇄회로기판을 구성하는 재질, 예컨대 내열성 에폭시 수지인 FR-4, BT(BT resin), 폴리이미드, 넬코, 아론 중에서 하나가 사용될 수 있다. 한편 프로브 기판(10)에 형성되는 회로패턴은 본 발명을 이 해하는 데 반드시 필요한 것은 아니기 때문에, 회로패턴은 본 명세서 및 도면에 개시하지 않았다.The probe substrate 10 is, as is well known, a printed circuit board having a predetermined thickness. As a material of the probe substrate 10, one of a material constituting a printed circuit board, for example, FR-4, BT (BT resin), polyimide, Nelco, or Aaron, which is a heat resistant epoxy resin, may be used. On the other hand, since the circuit pattern formed on the probe substrate 10 is not necessary to understand the present invention, the circuit pattern is not disclosed in the specification and the drawings.

캔틸레버 프로브(20)는 MEMS를 이용하여 수십㎛ 크기로 작게 형성되며, 프로브 기판(10)에 조밀하게 형성된 회로패턴 상에 연결된다. 이로 인해 캔틸레버 프로브 카드(100)는 집적회로 칩의 전극 패드의 미세피치의 추세에 대응할 수 있다.The cantilever probe 20 is formed to have a small size of several tens of micrometers by using a MEMS, and is connected to a circuit pattern densely formed on the probe substrate 10. As a result, the cantilever probe card 100 may correspond to the trend of the fine pitch of the electrode pad of the integrated circuit chip.

캔틸레버 프로브(20)는 고정부(21), 빔부(23) 및 접촉부(25)를 포함하며, 손상시 수리를 용이하게 진행할 수 있도록 하는 저융점 금속층(27)을 더 포함한다. 고정부(21)는 프로브 기판(10) 상에 일정 높이로 형성되며 프로브 기판(10)의 회로 패턴에 접합된다. 빔부(23)는 고정부(21)와 연결되어 일측으로 뻗어 있으며, 웨이퍼 검사시 캔틸레버 프로브(20)에 탄성력을 제공한다. 캔틸레버 프로부(20)가 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉될 때, 빔부(23)의 탄성력에 의해 전극 패드에 물리적 손상을 방지하면서 접촉 상태를 유지시킨다. 접촉부(25)는 빔부(23)의 끝단에 형성되어 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 부분이다. 접촉부(25)의 끝 부분은 테스트할 집적회로 칩의 전극 패드의 크기보다는 작게 형성된다.The cantilever probe 20 further includes a fixing part 21, a beam part 23, and a contact part 25, and further includes a low melting point metal layer 27 to facilitate repair in case of damage. The fixing part 21 is formed at a predetermined height on the probe substrate 10 and bonded to the circuit pattern of the probe substrate 10. The beam part 23 is connected to the fixing part 21 and extends to one side, and provides an elastic force to the cantilever probe 20 during wafer inspection. When the cantilever pro part 20 contacts the electrode pad of the integrated circuit chip, the elastic force of the beam part 23 maintains the contact state while preventing physical damage to the electrode pad. The contact portion 25 is formed at the end of the beam portion 23 to be in contact with the electrode pad of the integrated circuit chip. The end portion of the contact portion 25 is formed smaller than the size of the electrode pad of the integrated circuit chip to be tested.

그리고 저융점 금속층(27)은 고정부(21)를 중심으로 프로브 기판(10)과 빔부(23) 사이에 형성되며, 제 1 실시예에서는 고정부(21)와 빔부(23) 사이에 형성된 예를 개시하였다. 저융점 금속층(27)은 손상된 캔틸레버 프로브(20)의 수리시 용융되어 저융점 금속층(27) 위쪽의 캔틸레버 프로브 부분, 즉 빔부(23)와 접촉부(25)를 쉽게 제거될 수 있도록 한다.The low melting point metal layer 27 is formed between the probe substrate 10 and the beam part 23 around the fixing part 21, and is formed between the fixing part 21 and the beam part 23 in the first embodiment. Started. The low melting point metal layer 27 is melted upon repair of the damaged cantilever probe 20 so that the cantilever probe portion above the low melting point metal layer 27, that is, the beam 23 and the contact 25, can be easily removed.

이와 같은 저융점 금속층(27)은 사진, 도금, 이온주입, 스크린 프린트 또는 분사 등의 방법으로 형성될 수 있다. 저융점 금속층(27)은 100㎛ 내지 5㎛의 두께로 형성될 수 있다. 저융점 금속층(27)의 소재로는 주석(Sn), 납(Pb) 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. 예컨대 합금은 주석과 납을 성분하는 솔더와, 솔더에 은(Ag) 또는 비스무트(Bi)가 첨가된 합금과, AuSn, AgSn을 포함한다. 저융점 금속층(27)의 용융온도는, 성분 조합에 따라 차이는 있지만, 135도 내지 280도 내외이다.The low melting point metal layer 27 may be formed by a method such as photographing, plating, ion implantation, screen printing, or spraying. The low melting point metal layer 27 may be formed to a thickness of 100 μm to 5 μm. Tin (Sn), lead (Pb) or an alloy thereof may be used as the material of the low melting point metal layer 27. For example, the alloy includes a solder containing tin and lead, an alloy in which silver (Ag) or bismuth (Bi) is added to the solder, and AuSn and AgSn. The melting temperature of the low melting point metal layer 27 is about 135 degrees to about 280 degrees although there are differences depending on the component combinations.

이와 같이 제 1 실시예에 따른 캔틸레버 프로브(20)는 고정부(21)가 형성된 부분에 저융점 금속층(27)이 형성되기 때문에, 손상된 캔틸레버 프로브를 수리할 때 저융점 금속층(27)을 용융시켜 손상된 캔틸레버 프로브 부분을 쉽게 제거할 수 있다. 이때 저융점 금속층(27)을 용융시켜 저융점 금속층(27) 위쪽의 캔틸레버 프로브 부분만이 제거하기 때문에, 손상된 캔틸레버 프로브를 제거할 때마다 항상 동일한 부분이 제거된다. 또한 제거된 캔틸레버 프로브 부분에 대응되는 양호한 캔틸레버 프로브 부분을 저융점 금속층(27)을 개재하여 캔틸레버 프로브 부분이 제거된 부분에 접합시킴으로써, 캔틸레버 프로브(20)를 쉽게 수리할 수 있다. 제 1 실시예에 따른 캔틸레버 프로브(20)에 이어서, 저융점 금속층(27)의 용융에 의해 제거되는 부분은 항상 동일하기 때문에, 수리용 캔틸레버 프로브 부분을 구비하기가 용이한 장점도 있다.As described above, the cantilever probe 20 according to the first embodiment has a low melting point metal layer 27 formed at a portion where the fixing portion 21 is formed, thereby melting the low melting point metal layer 27 when repairing a damaged cantilever probe. Damaged cantilever probe portions can be easily removed. At this time, since only the cantilever probe portion above the low melting metal layer 27 is removed by melting the low melting metal layer 27, the same portion is always removed every time the damaged cantilever probe is removed. In addition, the cantilever probe 20 can be easily repaired by joining a good cantilever probe part corresponding to the removed cantilever probe part to the part where the cantilever probe part is removed via the low melting point metal layer 27. Following the cantilever probe 20 according to the first embodiment, since the portion removed by melting of the low melting point metal layer 27 is always the same, there is also an advantage that it is easy to have a repair cantilever probe portion.

제 1 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드(100)의 제조 방법(30)을 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method 30 of manufacturing the cantilever probe card 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2 as follows.

먼저 프로브 기판(30)을 준비한 상태에서(S31), 프로브 기판(10) 상에 고정 부(21)를 형성한다(S33). 다음으로 고정부(21)의 상부에 저융점 금속층(27)을 형성한다(S35). 다음으로 저융점 금속층(27) 상에 빔부(23)를 형성한다(S37). 마지막으로 빔부(23)의 끝단에 접촉부(25)를 형성함으로써 캔틸레버 프로브 카드(100)의 제조 공정은 완료된다(S39). 이때 캔틸레버 프로브(20)의 고정부(21), 빔부(23) 및 접촉부(25)는 비교적 융점이 높으며, 기계적 전기적 특성이 우수한 금속 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 예컨대, 캔틸레버 프로브(20)의 고정부(21), 빔부(23) 및 접촉부(25)의 소재로 니켈, 코발트, 망간, 은, 금, 로듐 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다.First, in a state in which the probe substrate 30 is prepared (S31), the fixing part 21 is formed on the probe substrate 10 (S33). Next, a low melting point metal layer 27 is formed on the fixing part 21 (S35). Next, the beam part 23 is formed on the low melting point metal layer 27 (S37). Finally, the manufacturing process of the cantilever probe card 100 is completed by forming the contact portion 25 at the end of the beam portion 23 (S39). In this case, the fixing part 21, the beam part 23, and the contact part 25 of the cantilever probe 20 may be formed by stacking a metal material having a relatively high melting point and excellent mechanical and electrical properties. For example, nickel, cobalt, manganese, silver, gold, rhodium, or an alloy thereof may be used as the material of the fixing part 21, the beam part 23, and the contact part 25 of the cantilever probe 20.

제 1 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드(100)의 수리 방법을 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 이때 손상된 캔틸레버 프로브(20a)를 갖는 캔틸레버 프로브 카드(100)를 살펴보면, 도 3에 도시된 바와 같이, 반복적인 사용에 의해 주로 접촉부(25)가 마모되거나 손상된다.The repairing method of the cantilever probe card 100 according to the first embodiment will now be described with reference to FIGS. 3 to 6. At this time, looking at the cantilever probe card 100 having a damaged cantilever probe 20a, as shown in Figure 3, the contact portion 25 is worn or damaged by repeated use.

이와 같은 손상된 캔틸레버 프로브(20a)를 수리하기 위해서, 먼저 도 3에 도시된 바와 같이, 손상된 캔틸레버 프로브(20a)에만 국소적으로 열을 작용하여 저융점 금속층(27)을 용융시킨다. 이때 저융점 금속층(27) 위의 빔부(23)에 열을 작용하여 저융점 금속층(27)을 용융시킨다. 이때 열원으로는 열풍이나 레이저빔이 사용될 수 있다.In order to repair such a damaged cantilever probe 20a, as shown in FIG. 3, the low melting point metal layer 27 is melted by locally applying heat only to the damaged cantilever probe 20a. At this time, the low melting point metal layer 27 is melted by applying heat to the beam unit 23 on the low melting point metal layer 27. In this case, a hot air or a laser beam may be used as the heat source.

다음으로 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 손상된 캔틸레버 프로브 부분을 제거한다. 즉 용융된 저융점 금속층(27) 상의 캔틸레버 프로브 부분, 즉 빔부(23) 및 접촉부(25)를 제거한다. 이때 저융점 금속층(27)을 함께 제거한다.Next, as shown in Figs. 3 and 4, the damaged cantilever probe portion is removed. That is, the cantilever probe portion on the molten low melting point metal layer 27, that is, the beam portion 23 and the contact portion 25 is removed. At this time, the low melting point metal layer 27 is removed together.

다음으로 도 5에 도시된 바와 같이, 제거된 캔틸레버 프로브 부분에 대응되는 교체용 캔틸레버 프로브 부분을 고정부(21) 위에 정렬한다. 이때 교체용 캔틸레버 프로브 부분은 접촉부(25), 빔부(23) 및 저융점 금속층(27)을 포함한다.Next, as shown in FIG. 5, the replacement cantilever probe part corresponding to the removed cantilever probe part is aligned on the fixing part 21. In this case, the replacement cantilever probe portion includes a contact portion 25, a beam portion 23, and a low melting point metal layer 27.

그리고 도 6에 도시된 바와 같이, 저융점 금속층(27)을 매개로 고정부(21)에 교체용 캔틸레버 프로브 부분을 접합시킴으로써, 캔틸레버 프로브(20b)의 수리 공정은 완료된다. 즉 교체용 캔틸레버 프로브 부분의 저융점 금속층(27)을 고정부(21) 상에 위치시킨 상태에서 저융점 금속층(27)을 용융시켜 고정부(21)에 접합시킨다.And, as shown in Figure 6, by bonding the replacement cantilever probe portion to the fixing portion 21 via the low melting point metal layer 27, the repair process of the cantilever probe 20b is completed. In other words, the low melting point metal layer 27 of the replacement cantilever probe portion is positioned on the fixing part 21 and the low melting point metal layer 27 is melted and bonded to the fixing part 21.

한편 제 1 실시예에 따른 수리 방법으로 저융점 금속층(27)을 갖는 교체용 캔틸레버 프로브 부분을 고정부(21)에 접합하는 예를 개시하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 고정부에 직접 저융점 금속층을 형성한 이후에 접촉부를 갖는 빔부를 저융점 금속층에 접합시킬 수도 있다.Meanwhile, an example in which the replacement cantilever probe portion having the low melting point metal layer 27 is bonded to the fixing portion 21 by the repairing method according to the first embodiment is not limited thereto. For example, after forming the low melting point metal layer directly on the fixed portion, the beam portion having the contact portion may be joined to the low melting point metal layer.

제 1 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 기판(100)은 저융점 금속층(27)이 고정부(21)와 빔부(23) 사이에 형성된 예를 개시하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 7 에 도시된 바와 같이, 저융점 금속층(127)은 프로브 기판(110)과 고정부(121) 사이에 형성될 수 있다. 또는 도 8에 도시된 바와 같이, 저융점 금속층(227)은 고정부(221) 내에 형성될 수 있다. 즉 고정부(221)는 프로브 기판(210)에 접합되는 제 1 고정부(221a)와, 제 1 고정부(221a) 위에 형성되며 빔부(223)가 연결되는 제 2 고정부(221b)를 포함한다. 저융점 금속층(227)은 제 1 고정부(221a)와 제 2 고정부(221b) 사이에 형성된다.In the cantilever probe substrate 100 according to the first embodiment, an example in which the low melting point metal layer 27 is formed between the fixing part 21 and the beam part 23 is disclosed, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 7, the low melting point metal layer 127 may be formed between the probe substrate 110 and the fixing part 121. Alternatively, as shown in FIG. 8, the low melting point metal layer 227 may be formed in the fixing part 221. That is, the fixing part 221 includes a first fixing part 221a bonded to the probe substrate 210 and a second fixing part 221b formed on the first fixing part 221a and connected to the beam part 223. do. The low melting metal layer 227 is formed between the first fixing part 221a and the second fixing part 221b.

도 7을 참조하면, 제 2 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드(200)는 저융점 금속층(127)이 프로브 기판(110)과 고정부(121) 사이에 형성된 구조를 갖는다.Referring to FIG. 7, the cantilever probe card 200 according to the second exemplary embodiment has a structure in which a low melting point metal layer 127 is formed between the probe substrate 110 and the fixing part 121.

이와 같은 제 2 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드(200)의 제조 방법은 프로브 기판(110)에 저융점 금속층(127)을 형성한 이후에 고정부(121), 빔부(123) 및 접촉부(125)를 차례로 형성하는 과정을 포함한다.In the method of manufacturing the cantilever probe card 200 according to the second embodiment, the fixing part 121, the beam part 123, and the contact part 125 are formed after the low melting point metal layer 127 is formed on the probe substrate 110. It includes forming a sequence.

그리고 제 2 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드(200)의 수리 방법은 제 1 실시예에 개시된 수리 방법과 동일하게 진행된다. 즉 손상된 캔틸레버 프로브의 저융점 금속층을 용융시켜 손상된 캔틸레버 프로브 부분을 제거하고, 교체되는 캔틸레버 프로브 부분의 저융점 금속층을 프로브 기판 상에 위치시킨 상태에서 저융점 금속층을 리플로우(reflow)시켜 프로브 기판에 접합시킴으로써, 캔틸레버 프로브의 수리 공정은 완료된다.The repair method of the cantilever probe card 200 according to the second embodiment proceeds in the same manner as the repair method disclosed in the first embodiment. That is, the low melting point metal layer of the damaged cantilever probe is melted to remove the damaged cantilever probe portion, and the low melting point metal layer of the replaced cantilever probe portion is placed on the probe substrate to reflow the low melting point metal layer to the probe substrate. By bonding, the repair process of the cantilever probe is completed.

도 8을 참조하면, 제 3 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드(300)는 저융점 금속층(227)이 제 1 및 제 2 고정부(221a, 221b) 사이에 형성된 구조를 갖는다.Referring to FIG. 8, the cantilever probe card 300 according to the third embodiment has a structure in which a low melting point metal layer 227 is formed between the first and second fixing parts 221a and 221b.

이와 같은 제 3 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드(300)의 제조 방법은 다음과 같다. 프로브 기판(210)에 제 1 고정부(221a)를 형성한 이후에 제 1 고정부(221a) 위에 저융점 금속층(227)을 형성한다. 그리고 저융점 금속층(227) 위에 제 2 고정부(221b)를 형성한 다음, 제 2 고정부(221b) 위에 빔부(223) 및 접촉부(225)를 차례로 형성함으로써 캔틸레버 프로브 카드(300)의 제조 공정이 완료된다.The manufacturing method of the cantilever probe card 300 according to the third embodiment is as follows. After forming the first fixing part 221a on the probe substrate 210, the low melting point metal layer 227 is formed on the first fixing part 221a. The second fixing part 221b is formed on the low melting point metal layer 227, and then the beam part 223 and the contact part 225 are sequentially formed on the second fixing part 221b to manufacture the cantilever probe card 300. Is complete.

그리고 제 3 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드(300)의 수리 방법은 제 1 실시예에 개시된 수리 방법과 동일하게 진행된다. 즉 손상된 캔틸레버 프로브의 저융점 금속층을 용융시켜 손상된 캔틸레버 프로브 부분을 제 1 고정부에서 제거하고, 교체되는 캔틸레버 프로브 부분의 저융점 금속층을 제 1 고정부 상에 위치시킨 상태에서 저융점 금속층을 리플로우(reflow)시켜 제 1 고정부에 접합시킨다.And the repair method of the cantilever probe card 300 according to the third embodiment is the same as the repair method disclosed in the first embodiment. That is, the low melting point metal layer of the damaged cantilever probe is melted to remove the damaged cantilever probe portion from the first fixing portion, and the low melting point metal layer of the cantilever probe portion to be replaced is placed on the first fixing portion, and the low melting point metal layer is reflowed. reflow to join the first fixing part.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition to the embodiments disclosed herein, it is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention may be implemented.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cantilever probe card according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 캔틸레버 프로브 카드의 제조 방법에 따른 흐름도이다.FIG. 2 is a flowchart of a method of manufacturing a cantilever probe card of FIG. 1.

도 3 내지 도 6은 도 1의 캔틸레버 프로브 카드의 수리 방법에 따른 각 과정을 보여주는 도면들이다.3 to 6 are views showing each process according to the repair method of the cantilever probe card of FIG.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드를 보여주는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a cantilever probe card according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 캔틸레버 프로브 카드를 보여주는 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a cantilever probe card according to a third embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *Description of the main parts of the drawing

10, 110, 210 : 프로브 기판10, 110, 210: probe substrate

20, 120, 220 : 캔틸레버 프로브20, 120, 220: cantilever probe

21, 121, 221 : 고정부21, 121, 221: fixing part

23, 123, 223 : 빔부23, 123, 223: beam portion

25, 125, 225 : 접촉부25, 125, 225: contact

27, 127, 227 : 저융점 금속층27, 127, 227: low melting point metal layer

100, 200, 300 : 캔틸레버 프로브 카드100, 200, 300: cantilever probe card

Claims (15)

프로브 기판과;A probe substrate; 상기 프로브 기판에 형성된 복수의 캔틸레버 프로브;를 포함하며,And a plurality of cantilever probes formed on the probe substrate. 상기 캔틸레버 프로브는,The cantilever probe, 상기 프로브 기판에서 일정 높이로 형성되는 고정부와;A fixing part formed at a predetermined height on the probe substrate; 상기 고정부와 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부와;A beam part connected to the fixing part and extending to one side; 상기 빔부의 끝단에 형성되어 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부와;A contact portion formed at an end of the beam portion to contact an electrode pad of an integrated circuit chip; 상기 고정부를 중심으로 상기 프로브 기판과 상기 빔부 사이에 형성된 저융점 금속층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드.And a low melting point metal layer formed between the probe substrate and the beam part around the fixing part. 제 1항에 있어서, 상기 저융점 금속층은,The method of claim 1, wherein the low melting point metal layer, 상기 프로브 기판과 상기 고정부의 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드.The cantilever probe card for easy repair, characterized in that formed between the probe substrate and the fixing portion. 제 1항에 있어서, 상기 저융점 금속층은,The method of claim 1, wherein the low melting point metal layer, 상기 고정부와 상기 빔부 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드.The cantilever probe card is easy to repair, characterized in that formed between the fixing portion and the beam portion. 제 1항에 있어서, 상기 고정부는The method of claim 1, wherein the fixing portion 상기 프로브 기판에 접합되는 제 1 고정부와;A first fixing part bonded to the probe substrate; 상기 제 1 고정부 위에 형성되며, 상기 빔부가 연결되는 제 2 고정부;를 포함하며,A second fixing part formed on the first fixing part and connected to the beam part; 상기 제 1 고정부와 제 2 고정부 사이에 상기 저융점 금속층이 형성된 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드.The cantilever probe card of claim 1, wherein the low melting point metal layer is formed between the first fixing part and the second fixing part. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저융점 금속층의 재질은 Sn, Pb 또는 이들의 합금 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드.The cantilever probe card according to any one of claims 1 to 4, wherein the low melting point metal layer is made of Sn, Pb, or an alloy thereof. 제 5항에 있어서, 상기 저융점 금속층의 두께는 100㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드.The cantilever probe card of claim 5, wherein the low melting point metal layer has a thickness of 100 μm to 5 μm. 프로브 기판을 준비하는 단계와;Preparing a probe substrate; 상기 프로브 기판에 복수의 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계;를 포함하며,Forming a plurality of cantilever probes on the probe substrate; 상기 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계는,Forming the cantilever probe, 상기 프로브 기판 위에 저융점 금속층을 형성하는 단계와;Forming a low melting point metal layer on the probe substrate; 상기 저융점 금속층 위에 일정 높이로 고정부를 형성하는 단계와;Forming a fixing part at a predetermined height on the low melting point metal layer; 상기 고정부와 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부를 형성하는 단계와;Forming a beam part connected to the fixing part and extending to one side; 상기 빔부의 끝단에 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드의 제조 방법.And forming a contact portion in contact with the electrode pad of the integrated circuit chip at the end of the beam portion. 프로브 기판을 준비하는 단계와;Preparing a probe substrate; 상기 프로브 기판에 복수의 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계;를 포함하며,Forming a plurality of cantilever probes on the probe substrate; 상기 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계는,Forming the cantilever probe, 상기 프로브 기판에 일정 높이로 고정부를 형성하는 단계와;Forming a fixing part at a predetermined height on the probe substrate; 상기 고정부 위에 저융점 금속층을 형성하는 단계와;Forming a low melting point metal layer on the fixing part; 상기 저융점 금속층과 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부를 형성하는 단계와;Forming a beam part connected to the low melting point metal layer and extending to one side; 상기 빔부의 끝단에 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드의 제조 방법.And forming a contact portion in contact with the electrode pad of the integrated circuit chip at the end of the beam portion. 프로브 기판을 준비하는 단계와;Preparing a probe substrate; 상기 프로브 기판에 복수의 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계;를 포함하며,Forming a plurality of cantilever probes on the probe substrate; 상기 캔틸레버 프로브를 형성하는 단계는,Forming the cantilever probe, 상기 프로브 기판에 제 1 고정부를 형성하는 단계와;Forming a first fixing part on the probe substrate; 상기 제 1 고정부 위에 저융점 금속층을 형성하는 단계와;Forming a low melting point metal layer on the first fixing part; 상기 저융점 금속층 위에 제 2 고정부를 형성하는 단계와;Forming a second fixing part on the low melting point metal layer; 상기 제 2 고정부와 연결되어 일측으로 뻗어 있는 빔부를 형성하는 단계와;Forming a beam part connected to the second fixing part and extending to one side; 상기 빔부의 끝단에 집적회로 칩의 전극 패드에 접촉하는 접촉부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수리가 쉬운 캔틸레버 프로브 카드의 제조 방법.And forming a contact portion in contact with the electrode pad of the integrated circuit chip at the end of the beam portion. 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저융점 금속층의 재질은 Sn, Pb 또는 이들의 합금 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 캔틸레버 프로브 카드의 제조 방법.The method of manufacturing a cantilever probe card according to any one of claims 7 to 9, wherein the material of the low melting point metal layer is any one of Sn, Pb, or an alloy thereof. 제 5항에 있어서, 상기 저융점 금속층의 두께는 100㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 캔틸레버 프로브 카드의 제조 방법.The method of claim 5, wherein the low melting point metal layer has a thickness of 100 µm to 5 µm. 제 1항에 따른 캔틸레버 프로브 카드의 수리 방법으로,According to the repair method of the cantilever probe card according to claim 1, 손상된 캔틸레버 프로브의 저융점 금속층을 용융시키는 용융 과정과;A melting process of melting the low melting point metal layer of the damaged cantilever probe; 상기 용융된 저융점 금속층 위의 상기 캔틸레버 프로브 부분을 제거하는 제거 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 프로브 카드의 수리 방법.And removing the portion of the cantilever probe on the molten low melting point metal layer. 제 12항에 있어서, 상기 용융 과정은,The method of claim 12, wherein the melting process, 상기 저융점 금속층 위의 상기 빔부에 열원을 작용하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 프로브 카드의 수리 방법.And a heat source acting on the beam part on the low melting point metal layer. 제 13항에 있어서, 상기 열원은 열풍 또는 레이저빔 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 캔틸레버 프로브 카드의 수리 방법.The method of claim 13, wherein the heat source is any one of hot air or a laser beam. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제거된 캔틸레버 프로브 부분에 대응되는 캔틸레버 프로브 부분을 저융점 금속층을 개재하여 상기 캔틸레버 프로브 부분이 제거된 부분에 접합시키는 접합 과정;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 프로브 카드의 수리 방법.And bonding the cantilever probe portion corresponding to the removed cantilever probe portion to a portion from which the cantilever probe portion is removed via a low melting point metal layer.
KR1020070118919A 2007-11-21 2007-11-21 Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repairing thereof KR20090052426A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070118919A KR20090052426A (en) 2007-11-21 2007-11-21 Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repairing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070118919A KR20090052426A (en) 2007-11-21 2007-11-21 Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repairing thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090052426A true KR20090052426A (en) 2009-05-26

Family

ID=40860158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070118919A KR20090052426A (en) 2007-11-21 2007-11-21 Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repairing thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090052426A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10119994B2 (en) 2014-12-23 2018-11-06 Semcns Co., Ltd. Probe card having lead part for removing excessive solder

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10119994B2 (en) 2014-12-23 2018-11-06 Semcns Co., Ltd. Probe card having lead part for removing excessive solder

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6559666B2 (en) Method and device for semiconductor testing using electrically conductive adhesives
KR100278093B1 (en) Method of Mounting Resilient Contact Structures to Semiconductor Devices
KR100366746B1 (en) Assembly of two electronic devices
KR100838434B1 (en) Probe card
US5838160A (en) Integral rigid chip test probe
US6246249B1 (en) Semiconductor inspection apparatus and inspection method using the apparatus
JPH0563029A (en) Semiconductor device
WO2006043991A2 (en) Fine-pitch electronic socket for temporary or permanent attachments
JP2002005960A (en) Probe card and its manufacturing method
JP2002158264A (en) Probe card and its manufacturing method
US7886957B2 (en) Method of bonding probes and method of manufacturing a probe card using the same
JP2002031652A (en) Probe card, its restoration method and its manufacturing method
US6245582B1 (en) Process for manufacturing semiconductor device and semiconductor component
US20090058447A1 (en) Fault analyzer
JP5551396B2 (en) Inspection probe and method of manufacturing inspection probe
JP2004144742A (en) Probe sheet, probe card, semiconductor inspection apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US20020146920A1 (en) Method of soldering contact pins and the contact pins
KR20090052426A (en) Repairable cantilever probe card and method for manufacturing and repairing thereof
JP5859834B2 (en) Membrane sheet with bump for probe card, probe card, and method for manufacturing membrane sheet with bump for probe card
JPH11121648A (en) Electronic part package body and substrate constituting it
KR100911409B1 (en) Method for repairing cantilever probe of cantilever probe card
JP3741222B2 (en) Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
KR20000007516A (en) Flip chip burn-in test substrate and burn-in testing method using thereof
KR100823879B1 (en) Method of making probe card
JP2011202990A (en) Contact probe

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee