KR20090051978A - Apparatus and method for analyzing log data of semiconductor equipment - Google Patents

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Abstract

반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치 및 방법이 개시되어 있다. 반도체 장비의 로그 데이터 분석 장치는 각 반도체 장비에서 발생 된 로그 데이터(log data)를 다운로드 받는 로그 데이터 수집 유닛과, 상기 로그 데이터 수집 유닛에서 수집된 상기 각 반도체 장비의 상기 로그 데이터들을 시간 및 인자(factor)에 따라서 분류 및 비교하는 로그 데이터 비교 유닛 및 상기 로그 데이터 비교 유닛으로부터 분류 및 비교된 결과 데이터를 저장하는 데이터 베이스를 포함한다.An apparatus and method for analyzing log data of a semiconductor device is disclosed. The log data analyzing apparatus of the semiconductor device may include a log data collection unit that downloads log data generated by each semiconductor device, and the log data of each of the semiconductor devices collected by the log data collection unit. and a log data comparison unit for classifying and comparing according to a factor) and a database for storing result data classified and compared from the log data comparing unit.

본 발명에 의하면, 각 반도체 장비에서 발생된 방대한 로그 데이터를 네트워크를 통해 수집하고, 수집된 로그 데이터를 연산 시스템에 의하여 연산 처리 후 비교 및 분류하여 데이터 베이스화 하여 작업자들이 쉽게 로그 데이터를 이용하여 반도체 장비의 로그 및 이력을 쉽게 파악할 수 있도록 한다.According to the present invention, a vast amount of log data generated from each semiconductor device is collected through a network, and the collected log data is compared and sorted after calculation processing by a calculation system to make a database so that workers can easily use the log data. Make it easy to see the log and history of

Description

반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR ANALYZING LOG DATA OF SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}Apparatus and method for analyzing log data of semiconductor device {APPARATUS AND METHOD FOR ANALYZING LOG DATA OF SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 복수개의 반도체 장치들에서 발생된 로그 데이터를 수집, 비교 및 분석하여 공정 인자를 시간별 및 요인별로 구분 및 분석하여 생산성의 향상 및 품질을 안정시키기 위한 반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for analyzing log data of a semiconductor device. More specifically, the present invention collects, compares and analyzes log data generated in a plurality of semiconductor devices to classify and analyze process factors by time and factors, thereby analyzing log data of semiconductor devices for improving productivity and stabilizing quality. An apparatus and method are provided.

일반적으로, 반도체 소자는 다양한 반도체 장치들에 의하여 제조된다. 예를 들어, 반도체 소자는 웨이퍼에 불순물을 주입하는 이온 주입 장치, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 장치, 웨이퍼에 형성된 박막을 패터닝하기 위해 박막 상에 포토레지스트 필름을 형성하는 스핀 코팅 장치, 포토레지스트 필름을 노광하는 노광 장치, 노광 장치에서 노광된 포토레지스트 필름을 현상하여 포토레지스트 패턴을 제조하는 현상 장치, 웨이퍼 상에 형성된 박막을 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 패터닝하는 식각 장치 등 반도체 소자는 다양한 반도체 장치들에 의하여 제조된다.In general, semiconductor devices are manufactured by various semiconductor devices. For example, a semiconductor device includes an ion implantation apparatus for injecting impurities into a wafer, a deposition apparatus for forming a thin film on a wafer, a spin coating apparatus for forming a photoresist film on a thin film for patterning a thin film formed on a wafer, and a photoresist Semiconductor devices such as an exposure apparatus for exposing a film, a developing apparatus for developing a photoresist film exposed by the exposure apparatus, and manufacturing a photoresist pattern, an etching apparatus for patterning a thin film formed on a wafer using the photoresist pattern as an etching mask It is manufactured by various semiconductor devices.

이들 반도체 장치들은 공정 조건 데이터, 공정 환경 데이터, 공정 불량 데이터, 공정 시간 데이터 등 매우 다양한 데이터를 포함하는 로그 데이터(log data)를 발생한다.These semiconductor devices generate log data including a wide variety of data such as process condition data, process environment data, process failure data, and process time data.

각 반도체 장치에서 발생 되는 로그 데이터는 생산성을 저해하는 불량 요인을 발견 및 불량 요인을 제거하는데 필수적이며 생산성을 향상시키는데 있어 매우 중요한 데이터이다.Log data generated in each semiconductor device is essential for finding and removing defects that impede productivity, and is important for improving productivity.

그러나, 각 반도체 장치에서 발생 되는 로그 데이터는 매우 방대한 데이터를 포함하고 있기 때문에 각 반도체 장치에서 발생 되는 로그 데이터를 세밀하게 분석하기 어려울 뿐만 아니라 로그 데이터를 분석하는데 매우 많은 시간이 소요되는 문제점을 갖는다.However, since log data generated in each semiconductor device includes a very large amount of data, it is difficult to analyze log data generated in each semiconductor device in detail and it takes a long time to analyze log data.

또한, 종래에는 각 반도체 장치에서 발생된 각 로그 데이터를 종합적으로 비교 및 분석하기 어려워 각 반도체 장치들의 상관 관계를 정확하게 분석하기 어려운 문제점을 갖는다.In addition, in the related art, it is difficult to comprehensively compare and analyze each log data generated in each semiconductor device, which makes it difficult to accurately analyze the correlation between the semiconductor devices.

본 발명의 하나의 목적은 적어도 하나의 반도체 장치에서 발생된 방대한 양의 로그 데이터를 다운로드 받아 비교 및 분석 및 데이터 베이스화하여 생산성 및 제품 품질을 향상시킬 뿐만 아니라 복수개의 반도체 장치에서 발생된 로그 데이터들을 비교 및 분석하여 복수개의 반도체 장치들간 상관 관계를 분석하여 반도체 장치의 운영 효율을 향상시키기에 적합한 반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치 및 방법을 제공함에 있다.One object of the present invention is to download a large amount of log data generated in at least one semiconductor device, compare, analyze and database to improve productivity and product quality as well as to compare log data generated in a plurality of semiconductor devices And a log data analyzing apparatus and method for a semiconductor device suitable for improving the operational efficiency of the semiconductor device by analyzing correlation between the plurality of semiconductor devices.

본 발명에 따른 반도체 장비의 로그 데이터 분석 장치는 각 반도체 장비에서 발생 된 로그 데이터(log data)를 다운로드 받는 로그 데이터 수집 유닛과, 상기 로그 데이터 수집 유닛에서 수집된 상기 각 반도체 장비의 상기 로그 데이터들을 시간 및 인자(factor)에 따라서 분류 및 비교하는 로그 데이터 비교 유닛 및 상기 로그 데이터 비교 유닛으로부터 분류 및 비교된 결과 데이터를 저장하는 데이터 베이스를 포함한다.An apparatus for analyzing log data of semiconductor devices according to the present invention includes a log data collection unit for downloading log data generated by each semiconductor device, and the log data of each semiconductor device collected by the log data collection unit. And a log data comparison unit for classifying and comparing according to time and a factor, and a database for storing result data classified and compared from the log data comparing unit.

본 발명에 따른 반도체 장비의 로그 데이터 분석 방법은 반도체 소자 제조 공정을 수행하는 반도체 장비들로부터 발생 된 로그 데이터(log data)를 네트워크를 통해 다운로드 받는 단계와, 다운로드 된 상기 각 반도체 장비의 상기 로그 데이터들을 시간 및 인자(factor)에 따라서 분류 및 비교하여 결과 데이터를 발생하는 단계 및 상기 결과 데이터를 데이터 베이스화하여 저장하는 단계를 포함한다.The log data analysis method of a semiconductor device according to the present invention includes downloading log data generated from semiconductor devices performing a semiconductor device manufacturing process through a network, and the log data of each downloaded semiconductor device. And classifying and comparing the result data according to time and factor, and generating the result data and storing the result data in a database.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치 및 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. Hereinafter, an apparatus and method for analyzing log data of a semiconductor device according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, Those skilled in the art will be able to implement the present invention in various other forms without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an apparatus for analyzing log data of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치(100)는 노광 장비와 같은 반도체 장비(10,20,30; 80)들, 로그 데이터 수집 유닛(40), 로그 데이터 비교 유닛(50), 데이터 베이스(60) 및 단말기(70)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the log data analyzing apparatus 100 of a semiconductor device may include semiconductor devices 10, 20, 30 and 80, such as exposure equipment, a log data collection unit 40, a log data comparison unit 50, Database 60 and terminal 70.

반도체 장비(80)의 하나인 노광 장비의 공정 순서를 먼저 설명하면 다음과 같다.First, the process sequence of the exposure equipment which is one of the semiconductor equipments 80 will be described.

노광 공정이 수행될 웨이퍼는 로봇 암에 의하여 플랫 존 정렬 유닛으로 제공되어 웨이퍼의 플랫 존이 정렬된다. 플랫 존이 정렬된 웨이퍼는 다시 로봇 암에 의하여 웨이퍼 스테이지로 로딩 후 다시 한번 웨이퍼의 위치가 정렬되고, 이어서 웨이퍼의 회전 및 시프트 성분을 산출하여 웨이퍼의 위치를 보정한다. 이어서, EGA(Enhanced Global Alignment)를 실시하여 해당 노광 샷에 대한 정보를 수집한 후 보정 가능한 인자(factor)에 대하여 보정을 수행한 후 노광 과정을 수행한다. 노광 공정에서는 기 설정된 맵(map)에 의하여 웨이퍼 스테이지가 제어되어 노광이 수행된다. 노광이 종료된 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지로부터 언로딩된 후 현상 공정을 수행하게 된다.The wafer to be subjected to the exposure process is provided to the flat zone alignment unit by the robot arm so that the flat zone of the wafer is aligned. The wafer in which the flat zone is aligned is again loaded into the wafer stage by the robot arm, and then the wafer is aligned again, and then the rotation and shift components of the wafer are calculated to correct the wafer position. Subsequently, EGA (Enhanced Global Alignment) is performed to collect information on the exposure shot, and then correction is performed on a correctable factor, and then an exposure process is performed. In the exposure process, the wafer stage is controlled by a preset map to perform exposure. After the exposure is completed, the wafer is unloaded from the wafer stage to perform a developing process.

이와 같은 복잡한 노광 공정을 수행하는 복수개의 노광 장비들로부터 한 장의 웨이퍼를 처리하는데 소요되는 시간은 각 노광 장비들의 특성 또는 복잡한 정렬 과정에서 사용되는 센서 등 다양한 요인에 의하여 서로 다르게 된다. 이로 인해 특정 노광 장비는 한 장의 웨이퍼를 처리하는데 상대적으로 긴 시간이 소요되고, 특정 노광 장비는 한 장의 웨이퍼를 처리하는데 상대적으로 짧은 시간이 소요된다. The time taken to process a single wafer from a plurality of exposure apparatuses performing such a complicated exposure process is different depending on various factors such as the characteristics of each exposure apparatus or a sensor used in a complicated alignment process. As a result, certain exposure equipment takes a relatively long time to process a single wafer, and specific exposure equipment takes a relatively short time to process a single wafer.

상술한 바와 같은 노광 장비는 다수개의 정렬 공정, 복잡한 노광 공정으로 인해 방대한 양의 로그 데이터를 발생한다.Exposure equipment as described above generates a large amount of log data due to a number of alignment processes and complex exposure processes.

노광 장비와 같은 반도체 장비(80)로부터 발생 되는 로그 데이터의 예로서는 레티클 로딩 시간 데이터, 레티클 교환 시간 데이터, 웨이퍼 교환 시간 데이터, 웨이퍼 탐색 시간 데이터, 웨이퍼 EGA(Enhanced Global Alignment) 시간 데이터, 웨이퍼 노광 시간 데이터 및 각 노광 장비의 가동 시간 데이터 등을 들 수 있다.Examples of log data generated from semiconductor equipment 80 such as exposure equipment include reticle loading time data, reticle exchange time data, wafer exchange time data, wafer search time data, wafer EGA (Enhanced Global Alignment) time data, and wafer exposure time data. And operation time data of each exposure apparatus.

이에 더하여, 노광 장비와 같은 반도체 장비(80)로부터 발생되는 로그 데이터는 복수개의 상기 노광 장치들로부터 각각 발생 된 레티클 정렬 데이터, 웨이퍼 정렬 데이터, 노광 데이터 및 챔버 환경 데이터 등을 들 수 있다.In addition, the log data generated from the semiconductor device 80 such as the exposure equipment may include reticle alignment data, wafer alignment data, exposure data, and chamber environment data generated from the plurality of exposure apparatuses, respectively.

즉, 노광 장비와 같은 반도체 장비(80)는 다양한 공정 시간과 관련된 로그 데이터 및 노광 품질과 관련된 로그 데이터를 발생한다.That is, the semiconductor device 80 such as the exposure equipment generates log data related to various process times and log data related to exposure quality.

도 1을 다시 참조하면, 반도체 장비1(10), 반도체 장비2(20) 및 반도체 장비3(30)들은 반도체 장비1(10), 반도체 장비2(20) 및 반도체 장비3(30)들로부터 각각 발생된 다수의 로그 데이터를 네트워크를 이용하여 로그 데이터 수집 유닛(40)으로 다운로드 한다.Referring back to FIG. 1, semiconductor device 1 (10), semiconductor device 2 (20), and semiconductor device 3 (30) are separated from semiconductor device 1 (10), semiconductor device 2 (20), and semiconductor device 3 (30). Each generated log data is downloaded to the log data collection unit 40 using a network.

로그 데이터 수집 유닛(40)에서 수집된 반도체 장비 1,2,3(10,20,30)들의 각 로그 데이터는 로그 데이터 비교 유닛(50)으로 제공된다.Each log data of the semiconductor devices 1, 2, 3 (10, 20, 30) collected by the log data collection unit 40 is provided to the log data comparison unit 50.

로그 데이터 비교 유닛(50)은 로그 데이터 수집 유닛(40)으로부터 제공된 로그 데이터를 비교 및 분석한다.The log data comparison unit 50 compares and analyzes log data provided from the log data collection unit 40.

예를 들어, 로그 데이터 비교 유닛(50)은 각 반도체 장비 1,2,3(10,20,30)들에서 수행한 레티클 로딩 시간, 레티클 교환 시간, 웨이퍼 교환 시간, 웨이퍼 탐색 시간, 웨이퍼 EGA 시간, 웨이퍼 노광 시간 등을 초 단위, 분 단위, 시간 단위로 분류한다.For example, the log data comparison unit 50 may include a reticle loading time, a reticle exchange time, a wafer exchange time, a wafer search time, and a wafer EGA time performed in each of the semiconductor devices 1,2,3 (10,20,30). The wafer exposure time is classified into seconds, minutes, and hours.

분류된 데이터는 다시 로그 데이터 비교 유닛(50)으로부터 비교되는데, 비교는 각 반도체 장비1,2,3(10,20,30)에서 각각 발생된 레티클 로딩 시간, 레티클 교환 시간, 웨이퍼 교환 시간, 웨이퍼 탐색 시간, 웨이퍼 EGA 시간, 웨이퍼 노광 시간을 산술적으로 비교한다. 이로써, 반도체 장비1,2,3(10,20,30)에서 어느 반도체 장비에서 프로세스 시간 손실이 크게 발생 되는지 정확하게 분석할 수 있다.The sorted data is again compared from the log data comparison unit 50, and the comparison is performed by reticle loading time, reticle exchange time, wafer exchange time, wafer generated in each of the semiconductor equipment 1, 2, 3 (10, 20, 30), respectively. Search time, wafer EGA time, and wafer exposure time are arithmetically compared. As a result, the semiconductor device 1, 2, 3 (10, 20, 30) can accurately analyze which semiconductor device has a large process time loss.

예를 들면, 로그 데이터 비교 유닛(50)은 로그 데이터를 비교 분석하여 반도체 장비1(10)의 웨이퍼 교환 시간이 다른 반도체 장비2,3(20, 30)에서 웨이퍼 교환 시간에 비하여 훨씬 많이 소요되는 것을 산출할 수 있다. 즉, 로그 데이터 비교 유닛은 각 반도체 장비1,2,3(10,20,30)에서 발생 된 로그 데이터를 이용하여 반도체 장비1,2,3(10,20,30)들의 단위 공정들간 시간 편차를 산출한다.For example, the log data comparison unit 50 compares and analyzes log data so that the wafer exchange time of the semiconductor device 1 (10) is much higher than that of other semiconductor devices 2, 3 (20, 30). Can be calculated. That is, the log data comparison unit uses the log data generated from each of the semiconductor devices 1, 2, and 3 (10, 20, and 30) to time deviation between unit processes of the semiconductor devices 1, 2, and 3 (10, 20, and 30). Calculate

로그 데이터 비교 유닛(50)은 로그 데이터를 산술적으로 비교 분석하여 결과 데이터를 발생하고, 결과 데이터를 데이터 베이스(60)로 제공한다. 데이터 베이스(60)에 제공된 결과 데이터는 단말기(70)를 통해 데이터 베이스(60)에 접속된 작업자에게 제공된다. 작업자는 데이터 베이스(60)에 저장된 결과 데이터를 분석 프로그램을 이용하여 분석하여 반도체 장비1,2,3(10,20,30)에서 발생된 방대한 로그 데이터 중 작업자가 원하는 데이터 또는 종합적인 데이터를 얻을 수 있게 된다.The log data comparison unit 50 arithmetically compares and analyzes log data to generate result data, and provides the result data to the database 60. The resulting data provided to the database 60 is provided to the worker connected to the database 60 via the terminal 70. The operator analyzes the result data stored in the database 60 using an analysis program to obtain the desired data or comprehensive data among the vast log data generated in the semiconductor equipment 1, 2, 3 (10, 20, 30). It becomes possible.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 장비의 로그 데이터 분석 방법을 도시한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a log data analysis method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 반도체 장비의 로그 데이터를 분석하기 위해서, 먼저, 반도체 소자를 제조하기 위한 복수개의 반도체 장비들로부터 발생된 로그 데이터를 네트워크를 이용하여 각각 다운로드 받는다.(단계 S10)Referring to FIG. 2, in order to analyze log data of a semiconductor device, first, log data generated from a plurality of semiconductor devices for manufacturing a semiconductor device is downloaded using a network (step S10).

다운로드된 로그 데이터들은 복수개의 상기 노광 장치들로부터 각각 발생 된 레티클 로딩 시간 데이터, 레티클 교환 시간 데이터, 웨이퍼 교환 시간 데이터, 웨이퍼 탐색 시간 데이터, 웨이퍼 EGA(Enhanced Global Alignment) 시간 데이터, 웨이퍼 노광 시간 데이터 및 각 노광 장비의 가동 시간 데이터를 포함할 수 있다. 이에 더하여, 다운로드된 로그 데이터들은 레티클 정렬 데이터, 웨이퍼 정렬 데이터, 노광 데이터 및 챔버 환경 데이터를 포함할 수 있다.The downloaded log data includes reticle loading time data, reticle exchange time data, wafer exchange time data, wafer search time data, wafer enhanced global alignment (EGA) time data, wafer exposure time data, respectively generated from the plurality of exposure apparatuses. The operating time data of each exposure apparatus may be included. In addition, the downloaded log data may include reticle alignment data, wafer alignment data, exposure data and chamber environmental data.

다운로드된 로그 데이터들은 시간 및 인자에 따라서 분류 및 비교되고, 이로 인해 결과 데이터가 발생 된다.(단계 S20)The downloaded log data is sorted and compared according to time and factor, resulting in the result data (step S20).

결과 데이터는 데이터 베이스화 되어 저장되고(단계 S30), 데이터 베이스화 된 결과 데이터는 다양하게 분류 및 활용될 수 있다.The result data is stored in a database (step S30), and the resultant data can be classified and utilized in various ways.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 각 반도체 장비에서 발생된 방대한 로그 데이터를 네트워크를 통해 수집하고, 수집된 로그 데이터를 연산 시스템에 의하여 연산 처리 후 비교 및 분류하여 데이터 베이스화 하여 작업자들이 쉽게 로그 데이터를 이용하여 반도체 장비의 로그 및 이력을 쉽게 파악할 수 있도록 한다.As described in detail above, a vast amount of log data generated in each semiconductor device is collected through a network, and the collected log data are compared and sorted after arithmetic processing by a calculation system to make a database for workers to easily use the log data. This makes it easy to understand the log and history of semiconductor equipment.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술 될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the scope of the present invention described in the claims and It will be appreciated that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the art.

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 장치의 로그 데이터 분석 장치를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an apparatus for analyzing log data of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 장비의 로그 데이터 분석 방법을 도시한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a log data analysis method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10,20,30 : 반도체 장비 40 : 로드 데이터 수집 유닛10,20,30: semiconductor equipment 40: load data acquisition unit

50 : 로드 데이터 비교 유닛 60 : 데이터 베이스50: load data comparison unit 60: database

70 : 단말기70: terminal

Claims (8)

반도체 장비의 로드 데이터 분석 장치에 있어서,In the load data analysis device of the semiconductor equipment, 각 반도체 장비에서 발생 된 로그 데이터(log data)를 다운로드 받는 로그 데이터 수집 유닛;A log data collection unit for downloading log data generated from each semiconductor device; 상기 로그 데이터 수집 유닛에서 수집된 상기 각 반도체 장비의 상기 로그 데이터들을 시간 및 인자(factor)에 따라서 분류 및 비교하는 로그 데이터 비교 유닛; 및A log data comparison unit that classifies and compares the log data of each semiconductor device collected by the log data collection unit according to time and a factor; And 상기 로그 데이터 비교 유닛으로부터 분류 및 비교된 결과 데이터를 저장하는 데이터 베이스Database for storing result data classified and compared from the log data comparison unit 를 포함하는 반도체 장비의 로그 데이터 분석 장치.Log data analysis device of a semiconductor device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 장비는 노광 공정을 수행하는 노광 장비인 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 로그 데이터 분석 장치.The semiconductor device is a log data analysis device of the semiconductor device, characterized in that for performing the exposure process. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 로그 데이터는 복수개의 상기 노광 장치들로부터 각각 발생 된 레티클 로딩 시간 데이터, 레티클 교환 시간 데이터, 웨이퍼 교환 시간 데이터, 웨이퍼 탐색 시간 데이터, 웨이퍼 EGA(Enhanced Global Alignment) 시간 데이터, 웨이퍼 노 광 시간 데이터 및 각 노광 장비의 가동 시간 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 로그 데이터 분석 장치.The log data may include reticle loading time data, reticle exchange time data, wafer exchange time data, wafer search time data, wafer enhanced global alignment (EGA) time data, wafer exposure time data, respectively generated from a plurality of the exposure apparatuses. Log data analysis device for semiconductor equipment, characterized in that it comprises the operating time data of each exposure equipment. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 로그 데이터는 복수개의 상기 노광 장치들로부터 각각 발생 된 레티클 정렬 데이터, 웨이퍼 정렬 데이터, 노광 데이터 및 챔버 환경 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 로그 데이터 분석 장치.And the log data includes reticle alignment data, wafer alignment data, exposure data, and chamber environment data generated from a plurality of the exposure apparatuses, respectively. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 로그 데이터 비교 유닛은 상기 각 노광 장비에서 발생 된 상기 로그 데이터를 이용하여 상기 각 노광 장비의 단위 공정들간 시간 편차를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 로그 데이터 분석 장치.And the log data comparison unit calculates a time deviation between unit processes of the respective exposure apparatuses using the log data generated by the respective exposure apparatuses. 반도체 소자 제조 공정을 수행하는 반도체 장비들로부터 발생 된 로그 데이터(log data)를 네트워크를 통해 다운로드 받는 단계;Downloading log data generated from semiconductor devices performing a semiconductor device manufacturing process through a network; 다운로드 된 상기 각 반도체 장비의 상기 로그 데이터들을 시간 및 인자(factor)에 따라서 분류 및 비교하여 결과 데이터를 발생하는 단계;Classifying and comparing the downloaded log data of each semiconductor device according to time and factor to generate result data; 상기 결과 데이터를 데이터 베이스화하여 저장하는 단계를 포함하는 반도체 장비의 로그 데이터 분석 방법.Log data analysis method of a semiconductor device comprising the step of storing the result data in the database. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반도체 장비는 노광 장치이고, 상기 로그 데이터는 복수개의 상기 노광 장치들로부터 각각 발생된 레티클 로딩 시간 데이터, 레티클 교환 시간 데이터, 웨이퍼 교환 시간 데이터, 웨이퍼 탐색 시간 데이터, 웨이퍼 EGA(Enhanced Global Alignment) 시간 데이터, 웨이퍼 노광 시간 데이터 및 각 노광 장비의 가동 시간 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 로그 데이터 분석 방법.The semiconductor equipment is an exposure apparatus, and the log data includes reticle loading time data, reticle exchange time data, wafer exchange time data, wafer search time data, and wafer enhanced global alignment (EGA) time, respectively, generated from the plurality of exposure apparatuses. And data, wafer exposure time data, and operation time data of each exposure equipment. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 로그 데이터는 복수개의 상기 노광 장치들로부터 각각 발생된 레티클 정렬 데이터, 웨이퍼 정렬 데이터, 노광 데이터 및 챔버 환경 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 로그 데이터 분석 방법.And the log data includes reticle alignment data, wafer alignment data, exposure data, and chamber environment data generated from the plurality of exposure apparatuses, respectively.
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