KR20090043208A - 나노선의 배향방법 및 이를 이용한 플렉시블 디스플레이용필름 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 나노선의 배향방법 및 이를 이용한 플렉시블 디스플레이용 필름 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 나노선이 혼합된 고분자의 압출과 동시에 냉각드럼을 통한 롤투롤 방식의 배향방법을 통해 제조된 필름에 나노선이 균일하게 배향되어 도전성이 상승되고, 이축 연신을 하더라도 균일한 편광성이 유지되는 나노선의 배향방법 및 이를 이용한 플렉시블 디스플레이용 필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
플렉시블 디스플레이, 필름, 나노선, 배향, 도전성
Description
본 발명은 나노선의 배향방법 및 이를 이용한 플렉시블 디스플레이 기판에 관한 것으로, 구체적으로는 전자기장을 이용한 나노선의 배향방법 및 이를 이용한 플렉시블 디스플레이 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
나노선(Nanowire)은 단면의 지름이 1나노미터(1나노는 10억분의 1미터) 정도의 극미세선으로 특정 방향에 따른 전자 이동 특성과 편광 현상 같은 광학 특성이 우수할 뿐만 아니라, 작은 크기로 인하여 미세 소자 응용에 적합하여 레이저나 트랜지스터, 메모리, 화학감지용 센서(감지기) 등 다양한 분야에 쓰인다. 또한, 디스플레이 기판과 같은 전자 장치 소재로 이용될 경우 기존 디스플레이 기판보다 뛰어난 전도성, 광학성을 가지게 된다. 이러한 나노선이 고분자에 혼합되어 디스플레이용 기판에 불규칙한 방향으로 분산이 되면 나노선끼리 뭉치는 현상으로 인해 광학 성 및 전도성이 저하되게 된다.
이에 대한민국 특허발명 제563253호에 있어서, 자화시킨 마이크로 구조물에서 탄소나노튜브를 미소간극 사이에 투여하여 자기장의 형성방향을 따라 자화 배향 시키는 방법이 제안되었다. 그러나, 상기의 자화 배향 방식으로 탄소나노튜브의 배향은 효율적으로 형성시켰으나, 나노물질과 고분자의 혼합 공정에 적용하기에는 바람직하지 못하며, 생산성이 저하되는 단점이 있다. 또한, 대한민국 특허발명 제740531호에 있어서, 실리콘을 식각하여 실리콘 나노선이 제조되어 별도의 나노선의 정렬 과정 없이도 나노선이 배열되는 나노선 소자 제조방법이 제안되었으나, 상기 실리콘 외의 금속물질 등은 식각하기가 어려워 금속 나노선에는 적용되기 어려운 문제점이 있다.
그 외에도 미합중국 특허공개 제2003-189202호에서는 나노선의 성장을 위한 다수의 촉매를 포함하는 전극을 지녀 패턴화 되는 나노선 장치 및 이의 제조방법이 제안된 바 있다. 그러나, 상기 나노선의 성장에 있어 전극에 촉매가 포함되어 이를 제거하는 번거로움이 있다. 또한, 일본 특허공개 제2007-152515호에 있어서, 용액의 표면으로 분산된 나노선을 배향시키는 공정과, 상기 나노선에 부착성을 가지는 패턴상 영역을 가진 전사 기재를 상기 용액 중으로부터 끌어올리는 것으로, 패턴상 영역에 상기 나노선을 부착시킨 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선의 전사 방법 및 전사 장치가 제안된 바 있다. 그러나, 상기 방법에 있어 용액의 표면으로 분산하기 때문에 용액으로부터 끌어올리는 과정 등의 번거로운 공정이 제공된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 목적은 나노선이 혼합된 고분자가 압출되는 공정 중에 전자기장을 발생시킴으로써 나노선의 배향성을 높이는 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 나노선의 배향 공정을 단순화하여 이를 이용하여 배향과 동시에 플렉시블 디스플레이 필름의 대량생산이 가능한 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 플렉시블 디스플레이용 필름에 있어서, 나노선이 혼합된 고분자의 압출과 동시에 냉각드럼을 통한 롤투롤 방식의 배향을 통해 제조된 필름에 나노선이 균일하게 배향되어 있는 플렉시블 디스플레이용 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 나노선이 다공성 실리케이트 구조의 템플레이트에 금속염이 담지되어 이루어짐을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속염이 다공성 물질 템플레이트 100을 기준으로 1 내지 10 중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속염의 금속이 인듐, 주석, 은, 니켈, 구리, 코발트 및 아연 으로 이루어진 군에서 1 이상 선택됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 나노선의 입도가 3 내지 10 nm 임을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 고분자가 사이클로 올레핀 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리카보네이트 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군에서 1 이상 선택되어 이루어짐을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 나노선이 고분자 100을 기준으로 0.01 내지 1 중량부로 첨가되어 혼합됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법에 있어서, 다공성 실리케이트 구조의 템플레이트에 초기함침으로 금속염이 담지되어 이루어지는 나노선제조단계; 상기 제조된 나노선이 고분자에 분산되어 필름 형성의 원료가 되는 고분자혼합단계; 상기 혼합된 고분자의 필름이 형성되는 압출 및 배향단계; 상기 압출 및 배향을 거쳐 연신 가공과 요구되는 크기로 절단되는 필름의 성형단계; 및 상기 성형된 필름 상에 코팅 처리 후 임프린팅 공정으로 나노 패턴을 형성시키는 증착단계가 포함되어 이루어짐을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 나노선제조 단계에서, 상기 나노선의 입도가 3 내지 10 nm 임을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 나노선제조단계에서, 상기 금속염의 금속이 인듐, 주석, 은, 니켈, 구리, 코발트 및 아연 으로 이루어진 군에서 1 이상 선택됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 나노선제조단계에서, 상기 금속염이 다공성 물질 템플레이트 100을 기준으로 1 내지 10 중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 고분자혼합단계에서, 상기 고분자가 사이클로 올레핀 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리카보네이트 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군에서 1 이상 선택되어 이루어짐을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 고분자혼합단계에서, 상기 나노선이 고분자 100을 기준으로 0.01 내지 1 중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 압출 및 배향단계에서, 균일한 배향이 유도된 필름의 제조를 위해 압출되는 고분자에 전자기장을 발생시키는 냉각드럼을 포함하는 롤투롤 방식이 적용됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 나노선의 배향방법에 있어서, 나노선이 균일하게 배향이 배향되도록, 나노선이 포함된 고분자의 압출과 동시에 전자기장을 발생시키는 냉각드 럼을 포함하는 롤투롤 방식이 적용된 배향롤을 이용하여 배향됨을 특징으로 하는 나노선의 배향방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 배향롤은 압출되는 고분자를 냉각시키는 냉각드럼;상기 냉각드럼 내의 냉각롤이 회전하도록 기준이 되는 축; 및 상기 축이 회전하며 냉각드럼 및 축 사이에 위치하여 전자기장을 발생시키는 마그네틱 롤로 구성됨을 특징으로 하는 나노선의 배향방법을 제공한다.
이하 본 발명에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하기로 한다. 우선, 도면들 중, 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의하여야 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 “약”, “실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본 발명의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조공정도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 플렉시블 디스플레이용 필름은 나노선제조단계 S100, 고분자혼합단계 S200, 압출 및 배향단계 S300, 성형단계 S400 및 증착단계 S500 으로 진행될 수 있다.
우선, 나노선제조단계 S100 에 있어서, 상기 나노선은 다공성 물질의 합성 후에 최적 농도의 금속염을 담지하여 나노선을 제조한다. 상기 다공성 물질은 순수한 실리카 물질임이 바람직하며, 강한 산성 분위기에서 TEOS(Tetraethyl orthosilicate)를 플루로닉 공중합체(Pluronic copolymer) 계면활성제 용액 속에서 교반시킨 후 수열 합성(Hydrothermal synthesis)하여 여과 후, 소성 가공하여 3 내지 10 nm의 기공을 지니는 다공성 실리케이트 구조의 템플레이트(Mesoporous silicate Template) 형태로 제조된다. 상기 다공성 실리케이트 물질의 수열 합성 시에 온도를 조절하여 기공의 크기를 조절하고, 소성 가공 중에 실리카 이외의 불순물들이 모두 소멸된다. 따라서, 상기 방법으로 제조된 나노선의 입도는 3 내지 10 nm임이 바람직하다. 왜냐하면, 나노선의 입도가 3 nm 미만인 경우, 전도성의 부여가 미약할 수 있으며, 10 nm를 초과하면 나노선이 두꺼워져 투명성이 저하될 우려가 있기 때문이다.
이후, 상기 제조된 다공성 물질 템플레이트에 금속염을 담지 시켜 나노선이 제조되는데, 상기 금속염 용액을 상기 다공성 물질 템플레이트에 초기함침(Incipient wetness) 방법으로 담지 시킨 다음 100 ℃ 에서 건조 후 소성 가공하여 나노선이 제조된다. 상기 금속염의 금속은 적용 분야에 따라 인듐, 주석, 은, 니켈, 구리, 코발트, 아연 1 이상 선택되어 사용될 수 있으며, 산화 인듐-주석 (Indium-Tin Oxide; ITO)이 사용됨이 바람직하다. 또한, 상기 금속염은 다공성 물질 템플레이트 100을 기준으로 1 내지 10 중량부로 첨가됨이 바람직하다. 왜냐하면, 상기 금속염이 1 중량부 미만인 경우, 기판에 적용 시 도전성이 낮아지게 되 며, 10 중량부를 초과하면 필름의 투명성이 저하될 우려가 있기 때문이다.
상기 제조된 나노선이 함유된 기판의 제조를 위해 고분자 혼합단계 S200 이 진행될 수 있다. 상기 고분자는 사이클로 올레핀 공중합체(Cyclic Olefin Copolymer;COC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate;PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphthalate;PEN), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone;PES), 폴리이미드(Polyimide;PI), 폴리아릴레이트(Polyarylate;PAR), 폴리카보네이트(Polycarbonate;PC) 및 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol;PVA)로 이루어진 군에서 1 이상 선택되어 사용될 수 있다. 상기 나노선은 고분자 100을 기준으로 0.01 내지 1 중량부로 첨가시킴이 바람직하다. 왜냐하면, 상기 나노선이 0.01 중량부 미만으로 첨가되는 경우, 필름 제조 후에 전도성 및 광학적 성능이 저하되며, 1 중량부를 초과하면, 고분자의 점성이 저하되어 압출 후 연신성이 부족하여 필름 형성이 어렵게 될 우려가 있기 때문이다. 따라서, 상기 방법으로 제조된 필름은 고분자의 성능이 향상되고, 기판용 필름의 대량생산이 가능하게 된다.
상기 나노선이 혼합된 고분자를 가지고 필름 형태가 되도록 용융을 거쳐 압출되는 고분자에 전자기장을 발생시켜 배향을 유도하는 압출 및 배향단계 S300 이 진행될 수 있다. 상기 배향이 유도된 필름의 제조를 위해, 압출되는 고분자에 전자기장을 발생시키는 냉각드럼(Quench Drum)을 포함하는 롤투롤(Roll to Roll) 방식이 이용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 배향롤의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 상기 배향롤 200 은 냉각드럼 210, 축 230, 마그네틱 롤 250 으로 구성되어 있다. 상기 배향롤의 냉각드럼 210 이 상기 압출되는 고분자를 냉각시키며, 축 230 을 기준으로 회전을 한다. 여기에 전자기장을 발생시키는 마그네틱 롤 250 이 냉각드럼과 축 사이에 위치하며, 전자기장의 방향에 따라 고분자에 혼합된 나노선이 완전히 냉각되기 전에 일정한 배향이 형성되게 된다. 따라서, 상기와 같이 고분자내에 일정한 배향성을 지니는 나노선은 고분자의 도전성을 상승시켜 이축 연신을 하더라도 균일한 편광성을 유지시키게 된다.
상기 압출 및 배향단계를 거쳐 제조된 필름은 성형단계 S400 이 진행될 수 있다. 상기 배향된 필름은 성형롤 및 압박롤 사이로 통과시켜 이축 연신 가공하여 필름이 형성된다. 이어서, 박리롤을 통해 요구되는 크기로 절단하여 필름을 완성시킨다.
상기 성형단계를 거친 필름의 상부에 증착단계 S500 이 진행될 수 있다. 상기 필름의 표면을 플라즈마 처리하여 요철이 형성되더라도 나노선의 방향성은 유지되며, 상기 필름 상에 코팅 처리 후 임프린팅(Imprinting) 공정을 수행하여 점착제 패턴을 형성시켜 상기 제조된 나노선의 강한 증착이 이루어진다. 상기 임프린팅 공정을 통해 나노 패턴을 빠른 속도로 제조 할 수 있을 뿐 아니라 선폭의 한계도 해결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 플렉시블 디스플레이용 필름의 평면도이다. 도 3을 참조하면, 상기 이축 연신을 통해 가공하여 완성된 플렉시블 디스플레이용 필름 300 은 필름 310 에 나노선 330 이 일정한 배향성을 나타낸다. 상기 가공을 거치더라도 필름의 광학적 성질은 변하지 않는다.
상술한 바와 같이 본 발명의 배향방법은 나노선이 혼합된 고분자가 압출되는 공정 중에 전자기장을 발생시켜 균일하게 나노선의 배향이 형성되는 효과가 있다.
또한, 본 발명으로 제조된 필름은 나노선의 균일한 배향에 의해 도전성이 상승되고, 이축 연신을 하더라도 균일한 편광성을 유지시키는 효과가 있다.
또한, 압출과 동시에 배향이 이루어져 나노선의 배향 공정을 단순화시켜 플렉시블 디스플레이 필름의 대량생산이 가능한 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
하기의 실시예를 통하여 좀 더 상세하게 설명하고자 한다.
실시예
1
1) 나노선 제조 단계
플루로닉 공중합체(Pluronic copolymer) P-123 계면활성제 용액에 2M HCl을 첨가시켜 산성 분위기로 만든 후, TEOS(Tetraethyl orthosilicate)를 넣어 교반시킨 후 수열 합성(Hydrothermal synthesis)하여 여과 하였다. 이후, 소성 가공하여 3 내지 10 nm의 기공을 지니는 다공성 실리케이트 구조의 템플레이트(Mesoporous silicate Template)를 제조하였다. 상기 제조된 템플레이트 100을 기준으로 ITO 용액 4.5 중량부를 초기함침(Incipient wetness) 방법으로 담지한 다음 100 ℃에서 건조 후 소성 가공하였다.
2) 고분자 혼합 단계
상기 제조된 나노선을 폴리에틸렌 테레프탈레이트 100 을 기준으로 0.05 중량부로 첨가하여 분산시켰다.
3) 압출 및 배향 단계
상기 나노선이 혼합된 고분자를 용융하여 압출과 동시에 냉각 드럼을 통과할 때 전자기장의 방향에 따라 고분자에 혼합된 나노선의 일정한 배향을 갖는 필름이 제조되었다.
4) 성형 단계
상기 제조된 필름의 연신가공을 거쳐 성형 롤(Roll) 및 압박 롤 사이를 통과시키고, 박리 롤로 분리하여 필름을 제조하였다.
5) 증착 단계
상기 제조된 필름상에 에폭시 수지로 언더코팅(Under Coating) 및 오버코팅(Over Coating) 처리를 하고, 임프린팅(Imprinting) 공정을 수행하여 상기 제조된 나노선을 강하게 증착시켜 투명전극을 형성시킴으로써 필름을 완성시켰다.
실시예
2
실시예 1과 동일하되, 고분자 혼합 단계에서, 상기 제조된 나노선을 폴리에틸렌 테레프탈레이트 100 을 기준으로 0.2 중량부로 첨가하여 분산시켰다.
실시예
3
실시예 1과 동일하되, 고분자 혼합 단계에서, 상기 제조된 나노선을 폴리에 틸렌 테레프탈레이트 100 을 기준으로 0.4 중량부로 첨가하여 분산시켰다.
실시예
4
실시에 1과 동일하되, 고분자 혼합 단계에서, 상기 제조된 나노선을 폴리에틸렌 테레프탈레이트 100 을 기준으로 0.8 중량부로 첨가하여 분산시켰다.
비교예
1
카본 도가니에 ITO 덩어리(산화 형태의 Sn 함량: 5 중량%)를 진공 챔버의 기 설정된 장소에 위치시켰다. 기판으로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름(폭: 20cm, 두께: 100㎛)을 준비하고, 세척하고, 기판 홀더에 장착하였다. 그 후, 플라즈마 빔은 ITO 소스에 집중되어 ITO소스를 가열하고 증발시켰다. 방전 후, 압력 및 ITO 소스 증발을 안정시키고, ITO 필름을 PET 필름 상에 배향시키지 않고 형성하였다. 그 결과, ITO 필름(두께: 200 nm)이 매우 높은 필름 형성 속도 2.5nm/s로 형성시켰다.
* 시험방법
상기와 같이 제조된 필름을 100 X 100 mm 로 제작하여 하기의 방법으로 시험하였다.
-저항:KSM3034(전기전도성을 가진 플라스틱의 체적저항률 측정방법)
-가시광선투과율(Visible Transmission):KSM ISO 13468-1(플라스틱 투명재료의 광 투과율의 측정 제1부:단일광 기기)- 550 nm에서 측정
-수증기투과도(Water Vapor Transmission Rate):KSM3088(플라스틱 필름 및 시트의 수증기 투과도 시험방법)
-산소투과도(Oxygen Transmission Rate):KSM ISO15105(플라스틱-필름 및 시트의 기체투과도 측정방법)
상기에서 제조된 필름의 언더코팅을 하기 전의 베이스 필름(Base Film)의 사양은 하기의 표 1과 같다.
| 구분 | Tg | 가시광선 투과율 (at 550 nm) | 수증기투과도 | 산소투과도 |
| 단위 | ℃ | % | g/㎡·d·atm | ㎥/㎡·d·atm |
| 실시예 1 | 80 | 89 | <0.0005 | <0.001 |
| 실시예 2 | 80 | 89 | ||
| 실시예 3 | 81 | 89 | ||
| 실시예 4 | 80 | 90 | ||
| 비교예 1 | 81 | 84 |
이후, 상기 베이스 필름에 언더코팅 처리하여 완성된 필름의 저항 측정 결과를 하기에 나타내었다.
| 구분 | 저항 (Ω·㎝) | 두께 (㎛) | |||
| 전체 | 베이스필름 | 언더 코트 | 투명전극층 | ||
| 실시예 1 | 1.21 × 10-4 | 190.5 | 120 | 2.5 | 68 |
| 실시예 2 | 1.01 × 10-4 | 200 | 130 | 2 | 68 |
| 실시예 3 | 1.02 × 10-4 | 162 | 110 | 2 | 50 |
| 실시예 4 | 1.01 × 10-4 | 182 | 119 | 3 | 60 |
| 비교예 1 | 1.50 × 10-4 | 200 | 200 | - | - |
상기 표 2의 결과로 실시예에서 제조된 필름의 저항이 비교예 1 에서의 필름의 저항보다 더 낮게 나타남으로 인해 전도성이 탁월함을 확인하였다. 또한, 나노선의 함량이 높아짐에 따른 실험의 경우, 실시예 2 에서 최적의 전도성을 나타냄을 확인하였다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조공정도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 배향롤의 단면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 플렉시블 디스플레이용 필름의 평면도.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
200: 배향롤, 210: 냉각드럼, 230: 축, 250: 마그네틱 롤
300: 플렉시블 디스플레이용 필름, 310: 필름, 330: 나노선
Claims (16)
- 플렉시블 디스플레이용 필름에 있어서,나노선이 혼합된 고분자의 압출과 동시에 냉각드럼을 통한 롤투롤 방식의 배향을 통해 제조된 필름에 나노선이 균일하게 배향되어 있는 플렉시블 디스플레이용 필름.
- 제1항에 있어서,상기 나노선은 다공성 실리케이트 구조의 템플레이트에 금속염이 담지되어 이루어짐을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름.
- 제2항에 있어서,상기 금속염은 다공성 물질 템플레이트 100을 기준으로 1 내지 10 중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름.
- 제2항에 있어서,상기 금속염의 금속이 인듐, 주석, 은, 니켈, 구리, 코발트 및 아연 으로 이루어진 군에서 1 이상 선택됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름.
- 제1항에 있어서,상기 나노선의 입도가 3 내지 10 nm 임을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름.
- 제1항에 있어서,상기 고분자는 사이클로 올레핀 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리카보네이트 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군에서 1 이상 선택되어 이루어짐을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름.
- 제1항에 있어서,상기 나노선은 고분자 100을 기준으로 0.01 내지 1 중량부로 첨가되어 혼합됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름.
- 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법에 있어서,다공성 실리케이트 구조의 템플레이트에 초기함침으로 금속염이 담지되어 이루어지는 나노선제조단계;상기 제조된 나노선이 고분자에 분산되어 필름 형성의 원료가 되는 고분자혼합단계;상기 혼합된 고분자의 필름이 형성되는 압출 및 배향단계;상기 압출 및 배향을 거쳐 연신 가공과 요구되는 크기로 절단되는 필름의 성 형단계; 및상기 성형된 필름 상에 코팅처리 후 임프린팅 공정으로 나노 패턴을 형성시키는 증착단계가 포함되어 이루어짐을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 나노선제조단계에서, 상기 나노선의 입도가 3 내지 10 nm 임을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 나노선제조단계에서, 상기 금속염의 금속이 인듐, 주석, 은, 니켈, 구리, 코발트 및 아연 으로 이루어진 군에서 1 이상 선택됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 나노선제조단계에서, 상기 금속염은 다공성 물질 템플레이트 100을 기준으로 1 내지 10 중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자혼합단계에서, 상기 고분자는 사이클로 올레핀 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리카보네이트 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군에서 1 이상 선택되어 이루어짐을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자혼합단계에서, 상기 나노선은 고분자 100을 기준으로 0.01 내지 1 중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 압출 및 배향단계에서, 균일한 배향이 유도된 필름의 제조를 위해 압출되는 고분자에 전자기장을 발생시키는 냉각드럼을 포함하는 롤투롤 방식이 적용됨을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이용 필름의 제조방법.
- 나노선의 배향방법에 있어서,나노선이 균일하게 배향되도록, 나노선이 포함된 고분자의 압출과 동시에 전자기장을 발생시키는 냉각드럼을 포함하는 롤투롤 방식이 적용된 배향롤을 이용하여 배향됨을 특징으로 하는 나노선의 배향방법.
- 제15항에 있어서,상기 배향롤은 압출되는 고분자를 냉각시키는 냉각드럼;상기 냉각드럼 내의 냉각롤이 회전하도록 기준이 되는 축; 및상기 축이 회전하며 냉각드럼 및 축 사이에 위치하여 전자기장을 발생시키는 마그네틱 롤로 구성됨을 특징으로 하는 나노선의 배향방법.
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| JP2005148417A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Seizo Miyata | 偏光光学素子及びその連続的製造方法、並びに該偏光光学素子を使用した反射光学素子 |
| KR100701093B1 (ko) * | 2004-12-01 | 2007-03-28 | 나노퍼시픽(주) | 탄소 나노튜브의 배향 장치, 탄소 나노튜브의 배향 방법 및전계방출 표시장치의 제조 방법 |
| JP2007152514A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Canon Inc | ナノワイヤ配向配列基板の製造方法及びこれを用いた電気素子の製造方法 |
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Cited By (2)
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