KR20090041041A - Silicon microphone package and fabricating method thereof - Google Patents

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Abstract

A silicon microphone package and a manufacturing method thereof are provided to reduce the size of the silicon microphone package by equipping the passive circuit part inside. A silicon microphone package comprises a substrate(100), a silicon microphone(110), an active circuit(120), a case, and a touch pad(170). The passive circuit part consisting of passive devices is built in the substrate. The negative pressure tube through-hole(180) in which the external sound pressure is induced is formed in the substrate. The silicon microphone is welded so that the vibration plate vibrated by the outside sound pressure faces with the substrate. The active circuit part is welded on the substrate and converts the vibratory signal of the silicon microphone into the electric signal. The case is formed along the outer ring of substrate. The passive circuit part is made of a resistance(161) and a capacitor(164).

Description

실리콘 마이크로폰 패키지 및 그 제조방법{ Silicon microphone package and Fabricating method thereof }Silicon microphone package and fabrication method thereof

본 발명은 실리콘 마이크로폰 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon microphone package and a method of manufacturing the same.

일반적으로 마이크로폰(Microphone)이란 음향 또는 초음파의 진동을 감지한 후, 매질의 진동에 상응하는 전기신호로 변환하여 출력하는 센서(Sensor)의 일종이다.In general, a microphone is a type of sensor that detects a vibration of sound or ultrasonic waves and converts the signal into an electrical signal corresponding to the vibration of a medium.

마이크로폰은 기계적인 진동을 전기적인 신호로 변환하는 방식에 따라 탄소 입자의 전기적 저항 특성을 이용한 카본형, 로쉘염(Rochelle Salt)의 압전기 효과를 이용한 결정형, 코일이 장착된 진동판을 자기장 속에 진동시켜 유도 전류를 발생시키는 가동 코일형, 자기장 내에 장치된 금속 막이 음파를 받아 진동하면 유도 전류가 발생하는 것을 이용하는 속도형, 음파에 의한 막의 진동으로 정전용량이 변하는 것을 이용한 콘덴서형 등으로 구분된다.The microphone is induced by vibrating a diaphragm equipped with a coil using a carbon-type electrical resistance characteristic of carbon particles, a crystalline form using a piezoelectric effect of Rochelle salt, and a coil mounted in a magnetic field according to a method of converting mechanical vibration into an electrical signal. It is divided into a movable coil type for generating an electric current, a speed type for generating an induced current when the metal film installed in the magnetic field vibrates by sound waves, and a condenser type for changing capacitance due to vibration of the film by sound waves.

이러한 마이크로폰은 음향 입력장치로 사용되어 녹음기, 전화기, 확성기, 보청기 등에 이용되는데, 종래에는 간단한 구조와 낮은 가격의 장점이 있는 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰(Electret Condenser Microphone : ECM)이 주류를 이루었다.Such a microphone is used as a sound input device, and is used in a recorder, a telephone, a loudspeaker, a hearing aid, and the like. In the related art, an electret condenser microphone (ECM) having a simple structure and low cost has become mainstream.

그러나, 일렉트렛은 불화탄소(Fluorocarbon) 유기 화합물인 테플론(Teflon)이나 FET 같은 폴리머(Polymer) 계열의 박막으로 되어 있어서 열과 습기에 취약한 특성이 있다.However, since the electret is made of a polymer-based thin film such as Teflon or FET, which is a fluorocarbon organic compound, it is vulnerable to heat and moisture.

따라서, 주위 환경에 따라 마이크로폰의 특성이 변화되고, 온도에 민감하여 표면 실장 기술(Surface Mount Technology : SMT)을 적용할 수 없다는 단점이 있다.Therefore, there is a disadvantage in that the characteristics of the microphone change according to the surrounding environment, and the surface mount technology (SMT) cannot be applied because it is sensitive to temperature.

이러한 문제점을 해결하기 위해 최근 미세 기계 가공기술(Micro-machining Technology)을 이용한 실리콘 마이크로폰(Silicon Microphone)이 개발되어 제품화되는 추세이다.In order to solve this problem, a silicon microphone using a micro-machining technology has recently been developed and commercialized.

실리콘 마이크로폰은 습기와 열에 덜 민감하다는 장점이 있고, 소형화 및 신호처리 회로와의 집적화(Integration)가 가능하여 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰을 대체할 것으로 예상된다.Silicon microphones have the advantage of being less sensitive to moisture and heat, and are expected to replace electret condenser microphones due to their miniaturization and integration with signal processing circuits.

도 1은 종래의 실리콘 마이크로폰 패키지 구조를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional silicon microphone package structure.

이에 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판(PCB)(10)상에 음향 신호에 의한 음압(Sound Pressure) 변화를 진동 신호로 변환하는 마이크로폰 구조물(20)과, 상기 진동 신호를 전기적 신호로 변환하는 능동 회로부(30)가 정렬되어 부착되고, 인쇄회로기판(10)의 외곽을 따라 마이크로폰 구조물(20) 및 능동 회로부(30)를 보호하기 위한 프레임(Frame)(40)이 형성되고, 상기 프레임(40) 상에 외부 음압이 통하도록 음압 관통 공(55)을 가지는 덮개(Lid)(50)가 덮여져 이루어진다.As shown in the drawing, a microphone structure 20 for converting a sound pressure change due to an acoustic signal into a vibration signal on a printed circuit board (PCB) 10 and an active signal for converting the vibration signal into an electrical signal The circuit part 30 is aligned and attached, and a frame 40 for protecting the microphone structure 20 and the active circuit part 30 is formed along the periphery of the printed circuit board 10, and the frame 40 is formed. Lid (50) having a negative pressure through-hole (55) is covered so that the external negative pressure flows through).

그리고, 상기 인쇄회로기판(10), 마이크로폰 구조물(20) 및 능동 회로부(30)는 각각 본딩 와이어(Bonding Wire)(60)에 의해 전기적으로 연결된다.The printed circuit board 10, the microphone structure 20, and the active circuit unit 30 are electrically connected to each other by a bonding wire 60.

또한, 마이크로폰에 유입되는 잡음을 제거하고, 바이어스 전압을 인가하며, 입출력 임피던스 정합을 위해 저항 및 커패시터 등의 수동 소자들로 이루어진 수동 회로부(미도시)를 더 형성할 수 있다.In addition, a passive circuit unit (not shown) including passive elements such as a resistor and a capacitor may be further formed to remove noise introduced into the microphone, apply a bias voltage, and match an input / output impedance.

상기 종래의 실리콘 마이크로폰 패키징 구조는 마이크로폰 구조물(20)의 크기는 작게 만들 수 있으나, 능동 회로부(30) 및 수동 회로부(미도시)의 크기가 커서 전체 크기를 줄이는데 한계가 있다.The conventional silicon microphone packaging structure can make the size of the microphone structure 20 small, but the size of the active circuit portion 30 and the passive circuit portion (not shown) is large, which limits the overall size.

또한, 인쇄회로기판(10), 마이크로폰 구조물(20), 능동 회로부(30) 및 수동 회로부(미도시)들 사이에 전기적 연결을 위하여 형성된 본딩 와이어(60) 역시 넓은 공간을 차지하고, 와이어 본딩(Wire Bonding) 공정으로 인해 제조 공정을 복잡하게 하는 문제점이 있다.In addition, the bonding wire 60 formed for electrical connection between the printed circuit board 10, the microphone structure 20, the active circuit unit 30 and the passive circuit unit (not shown) also occupies a large space, and wire bonding (Wire bonding) Due to the bonding process, there is a problem of complicated manufacturing process.

본 발명의 목적은 수동 소자로 이루어진 수동 회로부를 기판 내에 형성하여 실리콘 마이크로폰 패키지의 크기를 줄이는 데 있다.An object of the present invention is to reduce the size of a silicon microphone package by forming a passive circuit portion made of passive elements in a substrate.

본 발명의 다른 목적은 실리콘 마이크로폰 패키지의 제조공정에서 와이어 본딩(Wire Boning) 공정을 제거하여 제조공정을 단순화하고 자동화하는데 있다.Another object of the present invention is to simplify and automate the manufacturing process by eliminating the wire bonding process in the manufacturing process of the silicon microphone package.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 실리콘 마이크로폰 패키지의 바람직한 일 실시예는, 내부에 수동 소자들로 이루어진 수동 회로부(Passive Circuitry)가 내장되며, 외부의 음압(Sound Pressure)이 유기되도록 하는 음압 관통 공이 형성되어 있는 기판과, 상기 음압 관통 공이 형성된 위치의 기판상에 상기 외부 음압에 의해 진동하는 진동판이 기판을 마주하도록 접합된 실리콘 마이크로폰과, 상기 기판상에 접합되며, 상기 실리콘 마이크로폰의 진동 신호를 전기적 신호로 변환하는 능동 회로부(Active Circuitry)와, 상기 기판의 외곽을 따라 형성된 케이스와, 상기 기판의 하부면에 형성되며, 외부와의 전기적 연결을 위한 접촉 패드(Contact Pad)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.One preferred embodiment of the silicon microphone package for achieving the object of the present invention, there is a passive circuitry (Passive Circuitry) made of passive elements therein, a negative pressure through-hole to allow the external sound pressure (Sound Pressure) is induced A silicon microphone bonded to the substrate to be formed, a vibration plate vibrating by the external sound pressure on the substrate at the position where the negative pressure through-hole is formed, and bonded to the substrate, and electrically coupled with the vibration signal of the silicon microphone. Active circuitry for converting into a signal, a case formed along the outer periphery of the substrate, and formed on the lower surface of the substrate, and comprises a contact pad (Contact Pad) for electrical connection with the outside It is done.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 실리콘 마이크로폰 패키지의 바람직한 다른 실시예는, 내부에 수동 소자들로 이루어진 수동 회로부(Passive Circuitry)가 내장된 기판과, 상기 수동 회로부와 전기적으로 연결되도록 기판상에 접합된 실리 콘 마이크로폰과, 상기 기판상에 접합되며, 상기 실리콘 마이크로폰의 진동 신호를 전기적 신호로 변환하는 능동 회로부(Active Circuitry)와, 상기 기판의 외곽을 따라 형성되며, 상부에 상기 실리콘 마이크로폰의 진동판에 외부의 음압(Sound Pressure)을 유기시키는 음압 관통 공이 형성된 케이스와, 상기 기판의 하부면에 형성되며, 외부와의 전기적 연결을 위한 접촉 패드(Contact Pad)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Another preferred embodiment of the silicon microphone package for achieving the object of the present invention, the passive circuitry (Passive Circuitry) is built in the passive elements therein, and bonded to the substrate to be electrically connected to the passive circuitry; A silicon microphone, an active circuitry bonded to the substrate and converting the vibration signal of the silicon microphone into an electrical signal, and formed along the periphery of the substrate, A case in which a negative pressure through-hole is formed to induce an external sound pressure and a lower surface of the substrate is formed, and a contact pad for electrical connection with the outside is formed.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 실리콘 마이크로폰 패키지의 제조방법의 바람직한 실시예는, 수동 소자들로 이루어진 수동 회로부(Passive Circuitry)가 내장된 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판상에 상기 수동 회로부와 전기적으로 연결되도록 실리콘 마이크로폰과 능동 회로부(Active Circuitry)를 실장하는 단계와, 상기 실리콘 마이크로폰과 능동 회로부를 외부로부터 보호하기 위해 상기 기판의 외곽을 따라 케이스를 형성하는 단계와, 상기 실리콘 마이크로폰에 외부의 음압(Sound Pressure)이 유기되도록 하는 음압 관통 공을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a silicon microphone package, the method including preparing a substrate having passive circuitry formed of passive elements, and Mounting a silicon microphone and an active circuitry to be electrically connected, forming a case along the periphery of the substrate to protect the silicon microphone and the active circuitry from outside, and And forming a negative pressure through-hole through which the negative pressure is induced.

본 발명에 의하면, 기판 내부에 저항, 커패시터, 인덕터 등의 수동 소자로 이루어지는 수동 회로부를 내장함으로써, 실리콘 마이크로폰 패키지의 크기를 줄일 수 있다.According to the present invention, the size of the silicon microphone package can be reduced by incorporating a passive circuit part made of passive elements such as a resistor, a capacitor, and an inductor inside the substrate.

그리고, 본 발명은 실리콘 마이크로폰 패키징 과정에서 와이어 본딩(Wire Bonding) 과정을 제거하고, 단지 실리콘 마이크로폰과 능동 회로부를 기판에 정렬한 후, 솔더 등의 도전성 접합 물질을 리플로우하는 과정을 통해 접합함으로써, 제조공정을 단순화하고, 자동화하여 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있다.The present invention removes the wire bonding process from the silicon microphone packaging process, aligns the silicon microphone and the active circuit part on the substrate, and then bonds the conductive bonding material such as solder through reflowing. Simplify and automate manufacturing processes to improve yield and productivity.

이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실리콘 마이크로폰 패키지 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the silicon microphone package of the present invention and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 5.

도 2는 본 발명의 실리콘 마이크로폰 패키지의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a silicon microphone package of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 기판(100)상에 실리콘 마이크로폰(110)과 능동 회로부(120)가 솔더(Solder)(130)에 의해 접합되어 있고, 상기 기판(100)의 외곽을 따라 상기 실리콘 마이크로폰(110)과 능동 회로부(120)를 보호하는 프레임(Frame)(140)이 형성되어 있고, 상기 프레임(140) 상부에 덮개(Lid)(150)가 접착되어 이루어진다.As shown in FIG. 2, the silicon microphone 110 and the active circuit unit 120 are bonded to each other by a solder 130 on the substrate 100, and the silicon microphone 110 is formed along the periphery of the substrate 100. A frame 140 protecting the 110 and the active circuit unit 120 is formed, and a lid 150 is adhered to the upper portion of the frame 140.

그리고, 상기 기판(100) 내부에는 저항(161)과 커패시터(164)로 이루어지는 수동 회로부가 형성되어 있고, 상기 기판(100)의 하부 면에는 외부와의 전기적 연결을 위한 접촉 패드(Contact Pad)(170)가 형성되어 있다.In addition, a passive circuit part including a resistor 161 and a capacitor 164 is formed in the substrate 100, and a contact pad for electrical connection with the outside is formed on a lower surface of the substrate 100. 170 is formed.

또한, 상기 실리콘 마이크로폰(110)의 하부에 위치하는 기판(100)에는 외부 음압이 유기될 수 있는 음압 관통 공(Sound Port)(180)이 형성되어 있다.In addition, a negative pressure through hole 180 through which the external negative pressure may be induced is formed in the substrate 100 positioned below the silicon microphone 110.

상기 기판(100)은 그 내부에 저항(161) 및 커패시터(164)로 이루어지는 수동 회로부를 포함하는데, 이는 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic : LTCC) 기술을 이용하여 구현할 수 있다.The substrate 100 includes a passive circuit part including a resistor 161 and a capacitor 164 therein, which may be implemented using a low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology.

저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기술이란 테이프 캐스팅(Tape Casting)의 방법으로 제조된 후막(수십 ~ 수백㎛의 두께) 형태의 세라믹 유전체와 여러 가지 회로 요소를 구현하기 위한 전도성 페이스트를 이용하여 여러 층의 적층형 소자를 제조하는 기법을 말한다.Low-temperature co-fired ceramic (LTCC) technology uses a thick film (thickness from several tens to hundreds of micrometers) in the form of a tape casting method and uses a conductive paste to realize various circuit elements. Refers to a technique for manufacturing a stacked device.

이러한 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기술에서는 금(Au) 또는 은(Ag)과 같이 전도성이 우수하고 산화분위기에서도 소성이 가능한 전도성 금속을 사용할 수 있어, 저항, 커패시터, 인덕터 등의 수동 소자를 구현하는 것이 용이하다.In the low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology, a conductive metal such as gold (Au) or silver (Ag), which has excellent conductivity and can be fired even in an oxidizing atmosphere, can be used to implement passive elements such as resistors, capacitors, and inductors. It is easy.

본 발명에서는 이와 같이, 저온 동시 소성 세라믹 기술을 이용하여 기판 내부에 저항(161) 및 커패시터(164)로 이루어지는 수동 회로부를 형성함으로써, 기존의 수동 회로부가 차지하던 공간을 줄일 수 있게 된다.In the present invention, by using a low-temperature co-fired ceramic technology to form a passive circuit portion consisting of a resistor 161 and a capacitor 164 inside the substrate, it is possible to reduce the space occupied by the conventional passive circuit portion.

한편, 기판(100)으로 저온 동시 소성 세라믹 기판뿐만 아니라 다층 인쇄회로기판을 이용할 수도 있는데, 이 경우 다층 인쇄회로기판 내에 저항(161) 및 커패시터(164)로 이루어지는 수동 회로부를 포함시켜 형성한다.Meanwhile, the substrate 100 may be a multilayer printed circuit board as well as a low temperature co-fired ceramic substrate. In this case, the multilayer circuit printed circuit board includes a passive circuit unit including a resistor 161 and a capacitor 164.

그러나, 상기 기판(100)으로 저온 동시 소성 세라믹 기판을 이용하는 것이 바람직한데, 이는 세라믹은 열에 강하고, 실리콘 마이크로폰(110) 및 능동 회로부(120)를 구성하는 실리콘 및 금속 소재와 열팽창 계수가 비슷하므로, 이후 고열 공정에서도 변형 또는 접합 특성 약화 등의 문제가 발생하지 않는다는 장점이 있기 때문이다.However, it is preferable to use a low temperature co-fired ceramic substrate as the substrate 100. Since the ceramic is heat resistant, and the thermal expansion coefficient is similar to that of the silicon and metal materials constituting the silicon microphone 110 and the active circuit unit 120, This is because there is an advantage that problems such as deformation or weakening of bonding properties do not occur even in a high temperature process.

그리고, 상기 저온 동시 소성 세라믹 기판(100)의 하부면에는 외부 디바이스와 연결하기 위한 접촉 패드(170)가 형성되는데, 접촉 패드(170)는 상기 저온 동시 소성 세라믹 기판(100) 내에 형성된 비아홀(미도시)들을 통해 실리콘 마이크로폰(110) 및 능동 회로부(120)와 전기적으로 연결된다.In addition, a contact pad 170 for connecting to an external device is formed on a lower surface of the low temperature cofired ceramic substrate 100, and the contact pad 170 is a via hole formed in the low temperature cofired ceramic substrate 100. Are electrically connected to the silicon microphone 110 and the active circuitry 120.

또한, 상기 실리콘 마이크로폰(110)의 하부에 위치한 기판(100)에는 상기 기판(100)을 관통하는 음압 관통 공(180)이 적어도 하나 이상 형성된다.In addition, at least one negative pressure through hole 180 penetrating the substrate 100 is formed in the substrate 100 positioned below the silicon microphone 110.

본 실시예에서는 실리콘 마이크로폰(110)이 상기 기판(100)상에 플립칩 본딩(Flip-Chip Bonding) 방식으로 접합하기 때문에, 실리콘 마이크로폰(110) 중 진동판이 기판(100)과 마주하여 있게 된다.In the present embodiment, since the silicon microphone 110 is bonded to the substrate 100 by flip-chip bonding, the diaphragm of the silicon microphone 110 faces the substrate 100.

따라서, 외부 공기가 유입될 수 있도록 하는 음압 관통 공(180)이 실리콘 마이크로폰(110)의 하부에 위치하는 기판(100) 영역에 형성되는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable that a negative pressure through hole 180 through which external air is introduced is formed in the region of the substrate 100 positioned under the silicon microphone 110.

상기 실리콘 마이크로폰(110)은 외부에서 유입되는 음압(Sound Pressure) 변화를 진동 신호로 변환하기 위한 것으로, 상기 기판(100) 상에 플립 칩 본딩 방식으로 접합된다.The silicon microphone 110 converts a sound pressure change introduced from the outside into a vibration signal and is bonded to the substrate 100 by a flip chip bonding method.

즉, 실리콘 마이크로폰(110)을 뒤집어서 진동판이 기판(100)을 향하도록 하고, 실리콘 마이크로폰(110)을 기판(100)상에 형성된 솔더(130)에 맞추어 정렬한 후, 솔더(130)에 열을 가하여 리플로우(Reflow) 접합함으로써, 기판(100)과의 기계 적 접합 및 전기적 접속이 이루어지도록 한다.That is, the silicon microphone 110 is turned upside down so that the diaphragm faces the substrate 100, the silicon microphone 110 is aligned with the solder 130 formed on the substrate 100, and then heat is applied to the solder 130. In addition, by reflow bonding, mechanical bonding and electrical connection with the substrate 100 are achieved.

상기 실리콘 마이크로폰(110)은 도 3에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(111)에 멤스(MEMS : Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용하여 백 플레이트(113)를 형성한 후, 스페이서(115)를 사이에 두고 진동판(117)이 형성된 구조로 되어있다.As shown in FIG. 3, the silicon microphone 110 forms a back plate 113 on the silicon wafer 111 by using MEMS (MEMS) technology, and then closes the spacer 115. The diaphragm 117 is formed in the structure.

이때, 상기 스페이서(115)는 실리콘 웨이퍼(111)에 절연막을 적층 한 후, 패터닝하여 형성하며, 그 위에 도전성 물질로 이루어진 진동판(117)을 형성한다.In this case, the spacer 115 is formed by stacking an insulating film on the silicon wafer 111, and then patterning and forming a diaphragm 117 made of a conductive material thereon.

상기 진동판(117)은 외부에서 유입된 음압에 의해 변형 또는 변위가 발생하는 부분으로, 이러한 진동판(117)의 변형 또는 변위는 정전용량의 변화 또는 저항의 변화를 유발하거나 전류 또는 전압을 유발하게 된다.The diaphragm 117 is a portion in which deformation or displacement occurs due to negative pressure introduced from the outside, such deformation or displacement of the diaphragm 117 causes a change in capacitance or a change in resistance or a current or voltage. .

상기 능동 회로부(120)는 실리콘 마이크로폰(110)에서 발생한 진동 신호를 전기적 신호로 변환하기 위한 것으로, 상기 기판(100)상에 솔더(130)를 통하여 기계적으로 접합되고, 또한 전기적으로 접속된다.The active circuit unit 120 converts the vibration signal generated from the silicon microphone 110 into an electrical signal, and is mechanically bonded to the substrate 100 through the solder 130 and electrically connected to the substrate 100.

즉, 상기 능동 회로부(120)는 상기 실리콘 마이크로폰(110)로부터 발생된 정전 용량의 변화, 저항의 변화, 전류 또는 전압 신호를 입력으로 받아 전압 혹은 전류 신호로 변환한다.That is, the active circuit unit 120 receives a change in capacitance, a change in resistance, a current, or a voltage signal generated from the silicon microphone 110 and converts it into a voltage or a current signal.

또한, 상기 능동 회로부(120)는 상기 변환된 신호를 임피던스 매칭하여 외부로 제공하며, 이때 아날로그 전압 또는 전류 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력한다. 이를 위해 능동 회로부(120)는 아날로그 증폭기나 아날로그 디지털 변환 기(ADC) 등을 포함하여 구성된다.In addition, the active circuit unit 120 provides the converted signal to the outside by impedance matching, and converts an analog voltage or current signal into a digital signal and outputs the converted signal. To this end, the active circuit unit 120 is configured to include an analog amplifier or an analog-to-digital converter (ADC).

이와 같이, 본 발명은 실리콘 마이크로폰 패키징 과정에서 와이어 본딩(Wire Bonding) 과정을 제거하고, 단지 실리콘 마이크로폰(110)과 능동 회로부(120)를 기판(100)에 정렬한 후, 솔더(130) 등의 도전성 접합 물질을 리플로우하는 과정을 통해 접합함으로써, 제조공정을 단순화하고, 자동화할 수 있다.As described above, the present invention removes the wire bonding process from the silicon microphone packaging process, aligns the silicon microphone 110 and the active circuit unit 120 to the substrate 100, and then solders 130 and the like. By reflowing the conductive bonding material, the manufacturing process can be simplified and automated.

상기 프레임(140) 및 덮개(150)는 상기 실리콘 마이크로폰(110) 및 능동 회로부(120)를 외부의 물리적 충격으로부터 보호하기 위한 것으로, 상기 프레임(140)은 기판(100)의 외곽을 따라 형성된다.The frame 140 and the cover 150 are for protecting the silicon microphone 110 and the active circuit unit 120 from external physical shocks, and the frame 140 is formed along the periphery of the substrate 100. .

이때, 상기 프레임(140)은 기판(100)과 일체로 형성될 수도 있고, 상기 덮개(150)와 일체로 형성하여 케이스로 구현할 수도 있다. 또한 상기 프레임(140)은 기판(100) 및 덮개(150)와는 별개로 형성될 수도 있다.In this case, the frame 140 may be integrally formed with the substrate 100 or may be integrally formed with the cover 150 to be implemented as a case. In addition, the frame 140 may be formed separately from the substrate 100 and the cover 150.

도 4는 본 발명의 실리콘 마이크로폰 패키지의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the silicon microphone package of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 기판(200)상에 실리콘 마이크로폰(210)과 능동 회로부(220)가 솔더(Solder)(230)에 의해 접합되어 있고, 상기 기판(200)의 외곽을 따라 상기 실리콘 마이크로폰(210)과 능동 회로부(220)를 보호하는 프레임(Frame)(240)이 형성되어 있고, 상기 프레임(240) 상부에 덮개(Lid)(250)가 접착되어 이루어진다.As shown in FIG. 2, the silicon microphone 210 and the active circuit unit 220 are bonded to each other by a solder 230 on the substrate 200, and the silicon microphone 210 is formed along the periphery of the substrate 200. A frame 240 is formed to protect the 210 and the active circuit 220, and a lid 250 is adhered to the upper portion of the frame 240.

그리고, 상기 기판(200) 내부에는 저항(261)과 커패시터(264)로 이루어지는 수동 회로부가 형성되어 있고, 상기 기판(200)의 하부 면에는 외부와의 전기적 연결을 위한 접촉 패드(Contact Pad)(270)가 형성되어 있다.In addition, a passive circuit part including a resistor 261 and a capacitor 264 is formed inside the substrate 200, and a contact pad for electrical connection with the outside is formed on a lower surface of the substrate 200. 270 is formed.

또한, 상기 실리콘 마이크로폰(210)의 상부에 위치하는 덮개(250)에는 외부 음압이 유기될 수 있는 음압 관통 공(Sound Port)(280)이 형성되어 있다.In addition, a sound pressure through hole 280 through which the external sound pressure may be induced is formed in the cover 250 positioned on the silicon microphone 210.

본 실시예에서는, 상기 실리콘 마이크로폰(210)이 상기 기판(200)에 뒤집어서 접합되지 않기 때문에, 실리콘 마이크로폰(210)의 진동판이 덮개(250)를 향하게 되며, 따라서 기판(100)이 아닌 덮개(250)에 음압 관통 공(280)이 형성된다.In this embodiment, since the silicon microphone 210 is not inverted and bonded to the substrate 200, the diaphragm of the silicon microphone 210 faces the cover 250, and thus the cover 250 rather than the substrate 100. Negative pressure through hole 280 is formed.

그리고, 본 실시예에서는 상기 실리콘 마이크로폰(210)의 진동판과 기판(200)과의 전기적 접속을 위해, 상기 솔더(230) 상부에 위치하는 실리콘 마이크로폰(210)에 상기 실리콘 마이크로폰(210)을 관통하며, 도전성 물질이 충전된 비아홀(215)을 형성한다.In the present embodiment, the silicon microphone 210 penetrates the silicon microphone 210 positioned above the solder 230 for electrical connection between the diaphragm of the silicon microphone 210 and the substrate 200. The via hole 215 filled with the conductive material is formed.

도 5는 본 발명의 실리콘 마이크로폰 패키지의 제조방법의 실시예를 나타낸 순서도이다.5 is a flowchart showing an embodiment of a method of manufacturing a silicon microphone package of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 먼저 저항, 인덕터, 커패시터 등의 수동 소자로 이루어진 수동 회로부가 내장된 기판을 준비한다(S 100).As shown in the drawing, first, a substrate in which a passive circuit part made of passive elements such as a resistor, an inductor, and a capacitor is prepared is prepared (S 100).

여기서, 상기 기판으로는 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 다층인쇄회로기판을 사용할 수 있으나, 특히 저온 동시 소성 세라믹 기판을 사용하는 것이 바람직하다.The substrate may be a low temperature cofired ceramic (LTCC) substrate or a multilayer printed circuit board, but it is particularly preferable to use a low temperature cofired ceramic substrate.

상기 기판에는 후술할 실리콘 마이크로폰의 접합 형태에 따라 외부의 공기를 유입할 수 있는 음압 관통 공을 더 형성할 수 있다.The substrate may further be provided with a negative pressure through-hole through which external air may be introduced, depending on the form of bonding of the silicon microphone to be described later.

다음으로, 상기 기판상에 실리콘 마이크로폰과 능동 회로부를 실장한다(S 110).Next, the silicon microphone and the active circuit unit is mounted on the substrate (S 110).

즉, 상기 기판에 형성된 패드 상에 솔더를 형성하고, 실리콘 마이크로폰과 능동 회로부를 상기 솔더에 정렬시킨 후, 상기 솔더에 열을 가하여 리플로우 접합시킨다. 이때, 상기 기판에 형성된 패드는 기판 내부의 수동 소자들과 전기적으로 연결되는 위치에 형성한다.That is, a solder is formed on the pad formed on the substrate, the silicon microphone and the active circuit unit are aligned with the solder, and then heat is applied to the solder to reflow bond. In this case, the pad formed on the substrate is formed at a position electrically connected to the passive elements inside the substrate.

한편, 상기 실리콘 마이크로폰의 접합 형태에 따라 음압 관통 공이 형성되는 위치가 달라지게 된다.On the other hand, the position where the negative pressure through-hole is formed depends on the bonding form of the silicon microphone.

즉, 상기 실리콘 마이크로폰을 뒤집어서 플립칩 본딩 방식으로 접합하게 되면, 실리콘 마이크로폰의 진동판이 기판을 향하게 되기 때문에 기판에 음압 관통 공을 형성하여야 하고, 실리콘 마이크로폰을 뒤집지 않고 솔더링 방식으로 접합하게 되면, 실리콘 마이크로폰의 진동판이 후술할 덮개를 향하게 되므로 덮개에 음압 관통 공을 형성하여야 한다.That is, when the silicon microphone is turned upside down and bonded by flip chip bonding, since the diaphragm of the silicon microphone faces the substrate, a negative pressure through hole must be formed in the substrate, and when the silicon microphone is bonded by soldering without inverting the silicon microphone, the silicon microphone Since the diaphragm of the toward the cover to be described later to form a negative pressure through-hole in the cover.

이어서, 상기 기판의 외곽을 따라 프레임을 형성하고(S 120), 상기 프레임 상부에 덮개를 접착하여 상기 실리콘 마이크로폰 및 능동 회로부를 외부 충격으로부터 보호한다(S 130). 이때 상기 프레임과 덮개는 일체화하여 케이스로 구성할 수 있다.Subsequently, a frame is formed along the periphery of the substrate (S 120), and a cover is attached to the upper portion of the substrate to protect the silicon microphone and the active circuit part from external impact (S 130). At this time, the frame and the cover may be integrated into a case.

이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. Although the present invention has been described in detail with reference to exemplary embodiments above, those skilled in the art to which the present invention pertains can make various modifications to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention. I will understand.

그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims below and equivalents thereof.

도 1은 종래의 실리콘 마이크로폰 패키지 구조를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional silicon microphone package structure.

도 2는 본 발명의 실리콘 마이크로폰 패키지의 일 실시예를 나타낸 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing one embodiment of a silicon microphone package of the present invention.

도 3은 실리콘 마이크로폰의 구조를 나타낸 단면도.3 is a cross-sectional view showing the structure of a silicon microphone;

도 4는 본 발명의 실리콘 마이크로폰 패키지의 다른 실시예를 나타낸 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the silicon microphone package of the present invention.

도 5는 본 발명의 실리콘 마이크로폰 패키지의 제조방법의 실시예를 나타낸 순서도.Figure 5 is a flow chart showing an embodiment of a method of manufacturing a silicon microphone package of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 200 : 기판 110, 210 : 실리콘 마이크로폰100, 200: substrate 110, 210: silicon microphone

120, 220 : 능동 회로부 130, 230 : 솔더120, 220: active circuit 130, 230: solder

140, 240 : 프레임 150, 250 : 덮개140, 240: frame 150, 250: cover

161, 261 : 저항 164, 264 : 커패시터161, 261: resistors 164, 264: capacitors

170, 270 : 접촉 패드 180, 280 : 음압 관통 공170, 270: contact pads 180, 280: negative pressure through holes

Claims (9)

내부에 수동 소자들로 이루어진 수동 회로부(Passive Circuitry)가 내장되며, 외부의 음압(Sound Pressure)이 유기되도록 하는 음압 관통 공이 형성되어 있는 기판;A substrate having a passive circuitry made of passive elements therein and having a negative pressure through hole formed therein so as to induce an external sound pressure; 상기 음압 관통 공이 형성된 위치의 기판상에 상기 외부 음압에 의해 진동하는 진동판이 기판을 마주하도록 접합된 실리콘 마이크로폰;A silicon microphone bonded on the substrate at the position where the negative pressure through hole is formed such that a diaphragm vibrating by the external negative pressure faces the substrate; 상기 기판상에 접합되며, 상기 실리콘 마이크로폰의 진동 신호를 전기적 신호로 변환하는 능동 회로부(Active Circuitry);An active circuitry bonded to the substrate and converting a vibration signal of the silicon microphone into an electrical signal; 상기 기판의 외곽을 따라 형성된 케이스; 및A case formed along the periphery of the substrate; And 상기 기판의 하부면에 형성되며, 외부와의 전기적 연결을 위한 접촉 패드(Contact Pad)를 포함하여 이루어지는 실리콘 마이크로폰 패키지.The silicon microphone package is formed on the lower surface of the substrate, and comprises a contact pad for electrical connection with the outside. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실리콘 마이크로폰은 플립 칩 본딩(Flip-Chip Bonding) 방식으로 접합된 것을 특징으로 하는 실리콘 마이크로폰 패키지.The silicon microphone package is characterized in that the bonding by flip-chip bonding (Flip-Chip Bonding). 내부에 수동 소자들로 이루어진 수동 회로부(Passive Circuitry)가 내장된 기판;A substrate having a passive circuitry made of passive elements therein; 상기 수동 회로부와 전기적으로 연결되도록 기판상에 접합된 실리콘 마이크로폰;A silicon microphone bonded on the substrate to be electrically connected with the passive circuit portion; 상기 기판상에 접합되며, 상기 실리콘 마이크로폰의 진동 신호를 전기적 신호로 변환하는 능동 회로부(Active Circuitry);An active circuitry bonded to the substrate and converting a vibration signal of the silicon microphone into an electrical signal; 상기 기판의 외곽을 따라 형성되며, 상부에 상기 실리콘 마이크로폰의 진동판에 외부의 음압(Sound Pressure)을 유기시키는 음압 관통 공이 형성된 케이스; 및A case formed along an outer periphery of the substrate and having a negative pressure through hole formed thereon to induce an external sound pressure to a vibration plate of the silicon microphone; And 상기 기판의 하부면에 형성되며, 외부와의 전기적 연결을 위한 접촉 패드(Contact Pad)를 포함하여 이루어지는 실리콘 마이크로폰 패키지.The silicon microphone package is formed on the lower surface of the substrate, and comprises a contact pad for electrical connection with the outside. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 실리콘 마이크로폰은 상기 기판상에 형성된 솔더(Solder)에 의해 접합되는 것을 특징으로 하는 실리콘 마이크로폰 패키지.And the silicon microphone is bonded by a solder formed on the substrate. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 실리콘 마이크로폰은, The silicon microphone, 상기 진동판과 기판의 전기적 접속을 위해, 상기 솔더 상부에 실리콘 마이크 로폰을 관통하며 도전성 물질이 충전된 비아홀이 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 마이크로폰 패키지.And a via hole filled with a conductive material through a silicon microphone on the solder for electrical connection between the diaphragm and the substrate. 제1항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 기판은 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic : LTCC) 기판인 것을 특징으로 하는 실리콘 마이크로폰 패키지.The substrate is a silicon microphone package, characterized in that the low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate. 제1항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 케이스는,The case, 상기 기판의 외곽을 따라 형성된 프레임(Frame)과, 상기 프레임 상부에 접착되는 덮개(Lid)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 마이크로폰 패키지.The silicon microphone package, characterized in that consisting of a frame (Frame) formed along the outer periphery of the substrate, and a lid (Lid) bonded to the upper portion of the frame. 수동 소자들로 이루어진 수동 회로부(Passive Circuitry)가 내장된 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate having a passive circuitry including passive elements; 상기 기판상에 상기 수동 회로부와 전기적으로 연결되도록 실리콘 마이크로폰과 능동 회로부(Active Circuitry)를 실장하는 단계;Mounting a silicon microphone and an active circuitry on the substrate to be electrically connected to the passive circuitry; 상기 실리콘 마이크로폰과 능동 회로부를 외부로부터 보호하기 위해 상기 기 판의 외곽을 따라 케이스를 형성하는 단계; 및Forming a case along the periphery of the substrate to protect the silicon microphone and active circuitry from the outside; And 상기 실리콘 마이크로폰에 외부의 음압(Sound Pressure)이 유기되도록 하는 음압 관통 공을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 실리콘 마이크로폰 패키지의 제조방법.And forming a negative pressure through hole in the silicon microphone to induce external sound pressure. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 기판은 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic : LTCC) 기판인 것을 특징으로 하는 실리콘 마이크로폰 패키지의 제조방법.The substrate is a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate manufacturing method of a silicon microphone package, characterized in that.
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