KR20090040574A - Image sensor and method for manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve optical efficiency by solving an optical mismatch of a pixel edge and a pixel central part by forming an insulating lens with a high refractive index in an edge of the pixel. A photo diode(12) is formed on a substrate(10). An interlayer dielectric layer(20,30) is formed on the substrate. An insulating layer micro lens(62) is formed on the interlayer insulating layer. A first organic micro lens(72) is formed on the insulating layer micro lens. The insulating layer micro lens is formed in the edge of the image sensor chip. The insulating layer micro lens is composed of a nitride film micro lens.

Description

이미지센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method for Manufacturing thereof}Image sensor and method for manufacturing

실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. Embodiments relate to an image sensor and a manufacturing method thereof.

일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and is largely a charge coupled device (CCD) and a CMOS (Complementary Metal Oxide Silicon) image sensor. It is divided into (Image Sensor) (CIS).

씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.In the CMOS image sensor, a photo diode and a MOS transistor are formed in a unit pixel to sequentially detect an electrical signal of each unit pixel in a switching manner to implement an image.

이미지센서에서는 광 감도를 높이기 위해서 이미지센서의 전체 면적 중에서 포토다이오드의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하거나, 포토다이오드 이외의 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 포토 다이오드로 집속시켜 주는 기술이 사용된다.The image sensor focuses on the photodiode by increasing the fill factor of the photodiode in the total area of the image sensor or changing the path of light incident to an area other than the photodiode in order to increase the optical sensitivity. This is used.

한편, 도 1과 같이 이미지센서는 그 제작공정이 완료된 후, 패키지 공정 등 을 거치고 그 상부에 외부렌즈가 부착되게 된다.On the other hand, as shown in Figure 1, after the manufacturing process is completed, the image sensor is subjected to a package process, such that the external lens is attached to the upper portion.

그런데, 종래기술(Related Art)에 의하면 외부렌즈(3)로부터 입사된 빛은 이미지 센서의 칩 중앙부(center)에 상이 맺히는데 크게 문제가 없으나, 마이크로렌즈(1)를 통과하여 이미지센서의 칩 가장자리(edge)(A)로 갈수록 Photo Diode(2)로 들어오는 빛의 량은 감소하게 되어 있다.However, according to the related art, the light incident from the external lens 3 does not have a problem in forming an image in the chip center of the image sensor, but passes through the microlens 1 to the edge of the chip of the image sensor. The amount of light entering the photodiode (2) decreases toward the edge (A).

이에 따라, 단위 픽셀에 입사된 빛의 양이 달라지게 되면, 발생되는 전자의 개수도 달라지게 되며, 원래의 이미지는 같은 색상을 가진다 할 지라도, 이미지 센서의 중앙부에 입사되는 이미지와 가장자리에 입사되는 이미지의 색상은 다른 색상으로 디스플레이(Display)되게 된다.Accordingly, when the amount of light incident on the unit pixel is changed, the number of generated electrons is also changed. Even though the original image has the same color, the incident light is incident on the edge and the image incident on the center of the image sensor. The color of the image is displayed in another color.

이러한 현상은 인접 픽셀로의 Crosstalk 현상과 더불어 이미지센서의 신뢰성에 심각한 지장을 초래하여 광효율이 감소하는 문제가 발생한다.This phenomenon, together with the crosstalk phenomenon to adjacent pixels, seriously affects the reliability of the image sensor, resulting in a problem of decreasing light efficiency.

실시예는 외부렌즈로부터 입사되는 빛에 대해 이미지센서의 칩 중앙부분과 가장자리 부분의 초점차이를 극복할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can overcome a difference in focus between a chip center portion and an edge portion of an image sensor with respect to light incident from an external lens.

실시예에 따른 이미지센서는 기판 상에 형성된 포토다이오드; 상기 기판 상에 형성된 층간절연층; 상기 층간절연층 상에 형성된 절연막마이크로렌즈; 및 상기 절연막마이크로렌즈 상에 형성된 제1 유기마이크로렌즈;를 포함할 수 있다.An image sensor according to an embodiment includes a photodiode formed on a substrate; An interlayer insulating layer formed on the substrate; An insulating film microlens formed on the interlayer insulating layer; And a first organic micro lens formed on the insulating film micro lens.

또한, 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은 기판 상에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 기판 상에 층간절연층의 형성하는 단계; 상기 층간절연층 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 식각하여 절연막마이크로렌즈를 형성하는 단계; 및 상기 절연막마이크로렌즈 상에 제1 유기마이크로렌즈를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, the manufacturing method of the image sensor according to the embodiment comprises the steps of forming a photodiode on the substrate; Forming an interlayer insulating layer on the substrate; Forming an insulating film on the interlayer insulating layer; Etching the insulating film to form an insulating film microlens; And forming a first organic micro lens on the insulating film micro lens.

실시예에 의하면 픽셀의 가장자리 부분에 굴절률(Refractive Index)가 큰 절연막렌즈를 형성하여, 픽셀 가장자리와 픽셀 중앙부의 광 미스매치(Mismatch)를 해결하여 광효율을 향상시킬 수 있다.According to the exemplary embodiment, an insulating lens having a large refractive index is formed at the edge of the pixel, thereby improving optical efficiency by solving optical mismatches between the pixel edge and the center of the pixel.

또한, 실시예는 픽셀의 가장자리 부분에 굴절률(Refractive Index)가 큰 절연막렌즈를 형성하여, 인접 픽셀로의 크로스토크(Crosstalk) 현상을 방지할 수 있 다.In addition, the embodiment forms an insulating film having a large refractive index on the edge portion of the pixel, thereby preventing crosstalk to adjacent pixels.

이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an image sensor and a method of manufacturing the same according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the embodiments, where it is described as being formed "on / under" of each layer, it is understood that the phase is formed directly or indirectly through another layer. It includes everything.

(실시예)(Example)

도 2는 실시예에 따른 이미지센서 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an image sensor according to an embodiment.

실시예에 따른 이미지센서는 기판(10) 상에 형성된 포토다이오드(12); 상기 기판(10) 상에 형성된 층간절연층; 상기 층간절연층(20,30) 상에 형성된 절연막마이크로렌즈(62); 및 상기 절연막마이크로렌즈(62) 상에 형성된 제1 유기마이크로렌즈(72);를 포함할 수 있다.The image sensor according to the embodiment includes a photodiode 12 formed on the substrate 10; An interlayer insulating layer formed on the substrate 10; An insulating film microlens 62 formed on the interlayer insulating layers 20 and 30; And a first organic micro lens 72 formed on the insulating film micro lens 62.

실시예에 따른 이미지센서에 의하면 픽셀의 가장자리 부분에 굴절률(Refractive Index)이 큰 절연막렌즈를 형성하여, 픽셀 가장자리와 픽셀 중앙부의 광 Mismatch를 해결하여 광효율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 인접 픽셀로의 Crosstalk현상을 방지할 수 있다.According to the image sensor according to the embodiment, by forming an insulating film having a large refractive index on the edge of the pixel, the light efficiency can be improved by solving the optical mismatch between the pixel edge and the center of the pixel, Crosstalk can be prevented.

예를 들어, 실시예의 상기 절연막마이크로렌즈(62)는 상기 이미지센서 칩의 가장자리에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 이미지센서 칩 상면의 전체면적 중 중심부분의 4%가 중앙부이며, 그 외의 영역은 가장자리일 수 있다.For example, the insulating film microlens 62 of the embodiment may be formed at the edge of the image sensor chip. For example, 4% of the central portion of the entire area of the upper surface of the image sensor chip may be a central portion, and other regions may be edges.

또한, 실시예에서 절연막마이크로렌즈(62)는 굴절률이 큰 절연막일 수 있다. 예를 들어, 상기 절연막마이크로렌즈(62)는 633nm 파장에서 RI(Refractive Index)가 1.4 이상인 물질인 절연막을 이용하여 형성될 수 있다.In addition, in the exemplary embodiment, the insulating film microlens 62 may be an insulating film having a large refractive index. For example, the insulating film microlens 62 may be formed using an insulating film made of a material having a RI (Refractive Index) of 1.4 or more at a wavelength of 633 nm.

또한, 상기 절연막마이크로렌즈(62)는 절연막마이크로렌즈 또는 산화막마이크로렌즈일 수 있다.In addition, the insulating film microlens 62 may be an insulating film microlens or an oxide film microlens.

또한, 실시예에서 상기 절연막마이크로렌즈(62)와 상기 제1 유기마이크로렌즈(72)가 모두 소수성으로서 상호간에 결합력이 우수하여 전체적으로 렌즈형상을 형성할 수 있다.In addition, in the embodiment, both of the insulating film microlens 62 and the first organic microlens 72 are hydrophobic and have excellent bonding force with each other, thereby forming a lens shape as a whole.

또한, 실시예어서 상기 이미지센서 칩의 중앙부에 형성된 제2 유기마이크로렌즈(72a)를 더 포함할 수 있다.In addition, according to the embodiment, a second organic micro lens 72a formed in the central portion of the image sensor chip may be further included.

이외에 미설명 도면부호는 아래 제조방법을 설명하면서 설명하기로 한다.In addition, reference numerals will be described while explaining the manufacturing method below.

다음으로, 도 3 내지 도 8을 참조하여 실시예에 따른 이미지센서 제조방법을 설명한다.Next, an image sensor manufacturing method according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 8.

우선, 도 2와 같이 기판(10) 상에 포토다이오드(12)를 형성한다. First, as shown in FIG. 2, a photodiode 12 is formed on the substrate 10.

또한, 실시예는 게이트 전극(11)과 층간절연층(20,30) 및 배선을 형성한다.In addition, the embodiment forms the gate electrode 11, the interlayer insulating layers 20 and 30, and the wiring.

예를 들어, 제1 금속배선(21)을 포함한 제1 층간절연층(20)을 형성한다. 이후, 제1 층간 절연층(20) 위에 제2 금속배선(31)을 포함한 제2 층간절연층(30)을 형성한다.For example, the first interlayer insulating layer 20 including the first metal wiring 21 is formed. Thereafter, the second interlayer insulating layer 30 including the second metal wiring 31 is formed on the first interlayer insulating layer 20.

다음으로, 도 3과 같이 상기 제2 층간절연층(30) 위에 패시베이션막(40)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 층간절연층(30) 위에 피이-테오스(PE-TEOS) 막(41)을 증착한 후, 상기 PE-TEOS막(41) 위에 PE-Nitride막(42)을 증착하여 패시베이션막(40)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 3, a passivation film 40 may be formed on the second interlayer insulating layer 30. For example, after the PE-TEOS film 41 is deposited on the second interlayer insulating layer 30, the PE-Nitride film 42 is deposited on the PE-TEOS film 41. The passivation film 40 can be formed.

다음으로, 상기 패시베이션막(40) 위에 칼라필터(51)를 형성한 후, 유기 물질의 평탄화막(50)을 1,000 내지 10,000Å 두께로 형성하고, 상기 평탄화막(50) 위에 절연막(60)을 형성한다. 상기 절연막(60)은 질화막 또는 산화막일 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.Next, after the color filter 51 is formed on the passivation film 40, the planarization film 50 of the organic material is formed to a thickness of 1,000 to 10,000 Å, and the insulating film 60 is formed on the planarization film 50. Form. The insulating film 60 may be a nitride film or an oxide film, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 평탄화막(50) 위에 200℃ 이하에서 저온 질화막(60)을 1,000 내지 10,000Å 두께로 형성할 수 있다.For example, the low temperature nitride film 60 may be formed to have a thickness of 1,000 to 10,000 ℃ on the planarization film 50 at 200 ° C. or less.

또한, 실시예는 픽셀의 가장자리 부분에 굴절률(Refractive Index)가 큰 절연막렌즈를 형성하여, 픽셀 가장자리와 픽셀 중앙부의 광 미스매치(Mismatch)를 해결하여 광효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 절연막마이크로렌즈(62)는 633nm 파장에서 RI(Refractive Index)가 1.4 이상인 물질인 절연막을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the embodiment may form an insulating film having a large refractive index at the edge of the pixel, thereby solving optical mismatches at the pixel edge and the center of the pixel, thereby improving light efficiency. For example, the insulating film microlens 62 may be formed using an insulating film made of a material having a RI (Refractive Index) of 1.4 or more at a wavelength of 633 nm.

다음으로, 도 5와 같이 상기 절연막(60) 상에 제1 감광막 패턴(미도시)을 형성한다. 이후, 상기 제1 감광막 패턴을 리플로우하여 렌즈형태의 제2 감광막 패턴(70)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5, a first photoresist layer pattern (not shown) is formed on the insulation layer 60. Thereafter, the first photoresist pattern is reflowed to form a second photoresist pattern 70 having a lens shape.

다음으로, 도 6과 같이 상기 제2 감광막 패턴(70)을 마스크로 상기 절연막(60)을 식각하여 절연막마이크로렌즈(62)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 6, the insulating film 60 is etched using the second photoresist pattern 70 as a mask to form an insulating film microlens 62.

예를 들어, 상기 절연막(60)을 건식 식각하여 절연막마이크로렌즈(62)를 형성할 수 있다. 이때, CxHyFz(x,y,z는 0과 자연수) 계열의 식각 가스와 아르곤(Ar), 헬륨(He), 산소(O2), 질소(N2) 등의 불활성 기체 중 적어도 어느 하나의 기체를 사용하여 상기 절연막(60)을 식각할 수 있다.For example, the insulating film 60 may be dry etched to form the insulating film microlens 62. In this case, at least one of an inert gas such as argon (Ar), helium (He), oxygen (O 2 ), and nitrogen (N 2 ) May be used to etch the insulating layer 60.

또한, 상기 절연막마이크로렌즈(62)는 이미지센서 칩의 가장자리에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 이미지센서 칩 상면의 전체면적 중 중심부분의 4%가 중앙부이며, 그 외의 영역의 가장자리에 절연막마이크로렌즈(62)가 형성될 수 있다.In addition, the insulating film microlens 62 may be formed at an edge of the image sensor chip. For example, 4% of the central portion of the entire area of the upper surface of the image sensor chip is the central portion, and the insulating film microlens 62 may be formed at the edge of the other region.

한편, 상기 절연막마이크로렌즈(62)는 이미지센서 칩의 가장자리에 형성될 수 있다. 실시예는 이미지센서 칩의 가장자리에 절연막마이크로렌즈(62)를 형성하는 예이나 이에 한정되지 않고 이미지센서 칩의 전체 영역에 형성될 수도 있다.Meanwhile, the insulating film microlens 62 may be formed at the edge of the image sensor chip. The embodiment is an example in which the insulating film microlens 62 is formed at the edge of the image sensor chip, but is not limited thereto, and may be formed in the entire area of the image sensor chip.

다음으로, 도 7과 같이 상기 절연막마이크로렌즈(62) 상에 제3 감광막 패턴(71)을 형성한다. Next, a third photosensitive film pattern 71 is formed on the insulating film microlens 62 as shown in FIG. 7.

이때, 실시예는 상기 절연막마이크로렌즈(62) 상에 제3 감광막 패턴(71)을 형성하는 단계와 동시에 상기 이미지센서의 칩의 중앙부의 상에 제3 감광막 패턴(71a)을 더 형성할 수 있다.In this case, in the embodiment, the third photoresist layer pattern 71a may be further formed on the central portion of the chip of the image sensor at the same time as the third photoresist layer pattern 71 is formed on the insulating film microlens 62. .

다음으로, 도 8과 같이 상기 제3 감광막 패턴(71)을 리플로우하여 상기 절연막마이크로렌즈(62) 상에 제1 유기마이크로렌즈(72)를 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 8, the first organic microlens 72 may be formed on the insulating film microlens 62 by reflowing the third photoresist layer pattern 71.

또한, 실시예는 상기 절연막마이크로렌즈(62) 상에 제1 유기마이크로렌즈(72)를 형성하는 단계와 동시에 상기 중앙부의 제3 감광막 패턴(71a)을 리플로우하여 제2 유기마이크로렌즈(72a)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, in the embodiment, the first organic microlens 72 is formed on the insulating film microlens 62, and at the same time, the third photoresist layer pattern 71a of the central portion is reflowed to form the second organic microlens 72a. It may further comprise forming a.

이때, 실시예에서 상기 절연막마이크로렌즈(62)와 상기 제1 유기마이크로렌즈(72)가 모두 소수성으로서 상호간에 결합력이 우수하여 전체적으로 렌즈형상을 형성할 수 있다.At this time, in the embodiment, both the insulating film microlens 62 and the first organic microlens 72 are hydrophobic and have excellent bonding force with each other, thereby forming a lens shape as a whole.

실시예에 의하면 픽셀의 가장자리 부분에 굴절률(Refractive Index)가 큰 절연막렌즈를 형성하여, 픽셀 가장자리와 픽셀 중앙부의 광 Mismatch를 해결하여 광효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, an insulating film having a large refractive index (refractive index) may be formed at the edge of the pixel, thereby improving light efficiency by solving the optical mismatch between the pixel edge and the pixel center.

또한, 실시예는 픽셀의 가장자리 부분에 굴절률(Refractive Index)가 큰 절연막렌즈를 형성하여, 인접 픽셀로의 크로스토크(Crosstalk)현상을 방지할 수 있다.In addition, the embodiment forms an insulating film having a large refractive index at the edge of the pixel, thereby preventing crosstalk to adjacent pixels.

본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.The present invention is not limited to the described embodiments and drawings, and various other embodiments are possible within the scope of the claims.

도 1은 외부렌즈에서 이미지센서 칩으로 광이 입사하는 경로의 개략도.1 is a schematic diagram of a path of light incident from an external lens into an image sensor chip;

도 2는 실시예에 따른 이미지센서 단면도.2 is a cross-sectional view of an image sensor according to an embodiment.

도 3 내지 도 8은 실시예에 따른 이미지센서 제조방법의 공정단면도.3 to 8 are process cross-sectional views of the image sensor manufacturing method according to the embodiment.

Claims (20)

기판상에 형성된 포토다이오드;A photodiode formed on the substrate; 상기 기판상에 형성된 층간절연층;An interlayer insulating layer formed on the substrate; 상기 층간절연층 상에 형성된 절연막마이크로렌즈; 및An insulating film microlens formed on the interlayer insulating layer; And 상기 절연막마이크로렌즈 상에 형성된 제1 유기마이크로렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.And a first organic micro lens formed on the insulating film micro lens. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 절연막마이크로렌즈는,The insulating film micro lens, 상기 이미지센서 칩의 가장자리에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.Image sensor, characterized in that formed on the edge of the image sensor chip. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 절연막마이크로렌즈는,The insulating film micro lens, 633nm 파장에서 RI(Refractive Index)가 1.4 이상인 물질인 절연막을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.An image sensor formed using an insulating film of a material having a RI (Refractive Index) of 1.4 or more at a wavelength of 633 nm. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 절연막마이크로렌즈는 질화막마이크로렌즈인 것을 특징으로 하는 이미지센서. The insulating film microlens is an image sensor, characterized in that the nitride film microlens. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 질화막마이크로렌즈와 상기 제1 유기마이크로렌즈가 모두 소수성인 것을 특징으로 하는 이미지센서.And the first nitride microlens and the first organic microlens are both hydrophobic. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 이미지센서 칩 상면의 전체면적 중 중심부분의 4%가 중앙부이며, 그 외의 영역은 가장자리인 것을 특징으로 하는 이미지센서.4% of the central portion of the total area of the upper surface of the image sensor chip is a central portion, and the other area is an edge. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 이미지센서 칩의 중앙부에 형성된 제2 유기마이크로렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.And a second organic micro lens formed at a central portion of the image sensor chip. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 이미지센서 칩 상면의 전체면적 중 중심부분의 4%가 중앙부이며, 그 외의 영역은 가장자리인 것을 특징으로 하는 이미지센서.4% of the central portion of the total area of the upper surface of the image sensor chip is a central portion, and the other area is an edge. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 층간절연층과 상기 절연막마이크로렌즈 사이에 형성된 컬러필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.And a color filter formed between the interlayer insulating layer and the insulating film microlens. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 절연막마이크로렌즈은 1,000 내지 10,000Å의 반지름을 가지는 것을 특징으로 하는 이미지센서.The insulating film microlens has an radius of 1,000 to 10,000 을. 기판상에 포토다이오드를 형성하는 단계;Forming a photodiode on the substrate; 상기 기판상에 층간절연층의 형성하는 단계;Forming an interlayer dielectric layer on the substrate; 상기 층간절연층 상에 절연막을 형성하는 단계;Forming an insulating film on the interlayer insulating layer; 상기 절연막을 식각하여 절연막마이크로렌즈를 형성하는 단계; 및Etching the insulating film to form an insulating film microlens; And 상기 절연막마이크로렌즈 상에 제1 유기마이크로렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a first organic micro lens on the insulating film micro lens. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 절연막마이크로렌즈를 형성하는 단계는,Forming the insulating film microlens, 상기 이미지센서 칩의 가장자리에 절연막마이크로렌즈를 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And an insulating film microlens is formed at an edge of the image sensor chip. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 절연막마이크로렌즈를 형성하는 단계는,Forming the insulating film microlens, 상기 절연막 상에 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계;Forming a first photoresist pattern on the insulating layer; 상기 제1 감광막 패턴은 리플로우하여 렌즈형태의 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및Reflowing the first photoresist pattern to form a second photoresist pattern having a lens shape; And 상기 제2 감광막 패턴을 마스크로 상기 절연막을 식각하여 절연막마이크로렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And etching the insulating film using the second photoresist pattern as a mask to form an insulating film microlens. 제11 항에 있어서, The method of claim 11, wherein 상기 절연막마이크로렌즈는,The insulating film micro lens, 633nm 파장에서 RI(Refractive Index)가 1.4 이상인 물질인 절연막을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.A method of manufacturing an image sensor using an insulating film made of a material having a RI (Refractive Index) of 1.4 or more at a wavelength of 633 nm. 제11 항에 있어서, The method of claim 11, wherein 상기 절연막마이크로렌즈는 질화막마이크로렌즈인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And the insulating film microlens is a nitride film microlens. 제11 항에 있어서, The method of claim 11, wherein 상기 제1 유기마이크로렌즈를 형성하는 단계는,Forming the first organic micro lens, 상기 절연막마이크로렌즈 상에 제3 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a third photoresist pattern on the insulating film microlens; And 상기 제3 감광막 패턴을 리플로우하여 상기 절연막마이크로렌즈 상에 제1 유기마이크로렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And reflowing the third photoresist pattern to form a first organic microlens on the insulating film microlens. 제16 항에 있어서, The method of claim 16, 상기 절연막마이크로렌즈 상에 제1 유기마이크로렌즈를 형성하는 단계와 동시에 상기 이미지센서 칩 중앙부에 제2 유기마이크로렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a second organic microlens at the center of the image sensor chip at the same time as forming the first organic microlens on the insulating film microlens. 제16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 절연막마이크로렌즈 상에 제3 감광막 패턴을 형성하는 단계와 동시에 상기 이미지센서의 칩의 중앙부의 층간절연막 상에 제3 감광막 패턴을 더 형성하는 단계를 더 포함하고,And forming a third photoresist pattern on the interlayer insulating layer of a central portion of the chip of the image sensor at the same time as forming the third photoresist pattern on the insulating film microlens. 상기 절연막마이크로렌즈 상에 제1 유기마이크로렌즈를 형성하는 단계와 동시에 상기 중앙부의 제3 감광막 패턴을 리플로우하여 제2 유기마이크로렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a second organic micro lens by reflowing a third photoresist pattern on the center part at the same time as forming a first organic micro lens on the insulating film microlens. . 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 절연막을 식각하여 절연막마이크로렌즈를 형성하는 단계는, CxHyFz(x,y,z는 0과 자연수) 계열의 식각 가스와 아르곤(Ar), 헬륨(He), 산소(O2), 질소(N2) 등의 불활성 기체 중 적어도 어느 하나의 기체를 사용하여 상기 절연막(60)을 식각하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.The etching of the insulating film to form an insulating film microlens may include a CxHyFz (x, y, z is 0 and a natural number) etching gas, argon (Ar), helium (He), oxygen (O 2 ), nitrogen (N). 2 ) etching the insulating film (60) using at least one of an inert gas, such as the manufacturing method of the image sensor. 제12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 이미지센서 칩 상면의 전체면적 중 중심부분의 4%가 중앙부이며, 그 외의 영역은 가장자리인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.4% of the central part of the total area of the upper surface of the image sensor chip is a central portion, and the other areas are edges.
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