KR20090040197A - Metal capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

A metal capacitor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a low equivalent series resistance and low impedance by using the metal material as electrolyte. A metal member(11) includes a through hole forming part, an electrode withdrawing part, and a sealing part. A plurality of through holes are formed in the through hole forming part. A metal oxide layer(12) is formed on the metal member. A main electrode layer(14) is formed in a metal oxide layer formed in the through hole forming part of the metal member. An insulating layer(15) is formed in the main electrode layer and the metal member. The electrode drawing part is exposed to the outside. A first lead terminal(21) is connected to the electrode drawing unit of the metal member. A second lead terminal(22) is connected to the main electrode layer.

Description

금속 커패시터 및 그의 제조방법{Metal capacitor and manufacturing method thereof}Metal capacitors and manufacturing method thereof

본 발명은 금속 커패시터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전해질로 금속재질을 적용하여 전기 전도도를 크게 개선시킨 금속 커패시터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a metal capacitor and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a metal capacitor and a method for manufacturing the same by applying a metal material as an electrolyte to greatly improve the electrical conductivity.

전원회로에서 출력되는 전원을 일정한 값이 되도록 평활시키거나 저주파 바이패스로 사용되는 알루미늄 전해 커패시터(aluminum electrolytic capacitor)의 제조방법을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing an aluminum electrolytic capacitor, which smoothes the power output from the power supply circuit to a constant value or is used as a low frequency bypass, will be described below.

먼저, 알루미늄박의 표면적을 넓혀 정전용량을 크게 하기 위해 알루미늄박(aluminum foil)의 표면을 식각(etching)하는 과정을 실시한다. 식각과정이 완료되면 알루미늄박에 유전체를 형성시키는 화성(forming)과정을 실시한다. 식각이나 화성과정을 각각 실시하여 음극과 양극 알루미늄박이 제조되면 알루미늄박과 전해지를 제품의 길이에 따라 필요치수의 폭 만큼 자르는 재단(slit)과정을 실시한다. 재단이 완료되면 알루미늄박에 인출단자인 알루미늄 리드봉을 접합시키는 스티치(stitch)과정을 실시한다. First, in order to increase the surface area of the aluminum foil and increase the capacitance, a process of etching the surface of the aluminum foil is performed. When the etching process is completed, a forming process of forming a dielectric on the aluminum foil is performed. When the cathode and anode aluminum foil are manufactured by etching or chemical conversion process, the cutting process is performed to cut the aluminum foil and the electrolytic cell by the width of the required size according to the length of the product. When the cutting is completed, a stitch process of joining the lead wire aluminum lead rod to the aluminum foil is performed.

알루미늄박과 전해지의 재단이 완료되면 양극 알루미늄박과 음극 알루미늄박 사이에 전해지를 삽입한 후 원통형으로 감아서 풀어지지 않도록 테이프로 접착시키는 권취(winding)과정을 실시한다. 권취과정이 완료되면 이를 알루미늄 케이스에 삽입한 후 전해액을 주입하는 함침(impregnation)을 실시한다. 전해액의 주입이 완료되면 알루미늄 케이스를 봉구재로 봉입하는 봉입(curling)과정을 실시한다. 봉입과정이 완료되면 유전체 손상을 복구하는 에이징(aging) 과정을 실시하여 알루미늄 전해 커패시터의 조립을 완료하게 된다.When the cutting of the aluminum foil and the electrolytic cell is completed, the electrolytic cell is inserted between the positive electrode aluminum foil and the negative electrode aluminum foil, and then a winding process is performed in which the tape is wound with a tape to prevent it from being unwound. When the winding process is completed, it is inserted into an aluminum case and then impregnation is performed to inject electrolyte. When the injection of the electrolyte is completed, a sealing process of enclosing the aluminum case with a sealing material is performed. After the encapsulation process is completed, an aging process for repairing dielectric damage is performed to complete the assembly of the aluminum electrolytic capacitor.

종래의 알루미늄 전해 커패시터를 적용하는 경우에 최근 전자기기의 디지털 및 소형화의 진전으로 다음과 같은 문제점이 발생된다. In the case of applying the conventional aluminum electrolytic capacitor, the following problems arise due to the recent progress in digitalization and miniaturization of electronic devices.

알루미늄 전해 커패시터는 전해질로 전해액이 사용되므로 전기 전도도가 낮아 고주파 영역에서의 수명이 짧아지는 한계가 있고, 신뢰성 개선, 고주파수특성, 저손실화, 저ESR(Equivalent Series Resistance), 저임피던스(impedance)화에 한계가 있으며, 리플발열이 높아 발연, 발화라는 안전성 및 내환경성에 한계가 있다. Aluminum electrolytic capacitors have a limit of shortening the lifespan in the high frequency region because of their low electrical conductivity because of the use of electrolytes as electrolytes. There is a high ripple fever, there is a limit to the safety and environmental resistance of smoke, fire.

본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전해질로 금속재질을 적용하여 전기 전도도를 종래에 전해질을 전해액이나 유기반도체를 사용하는 것에 비해 10,000 ∼ 1,000,000배 개선시킨 금속 커패시터 및 그의 제조방법을 제공함에 있다. An object of the present invention is to solve the above problems, by applying a metal material as an electrolyte to improve the electrical conductivity of the metal capacitor 10,000 and 1,000,000 times compared to the conventional electrolyte using an electrolyte or an organic semiconductor and a method for manufacturing the same In providing.

본 발명의 다른 목적은 전해질로 금속재질을 사용함으로써 소형화, 저손실 화, 리플발열 저감, 장수명화, 내열안정성, 비발연, 비발화 및 내환경성을 개선시킬 수 있는 금속 커패시터 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a metal capacitor and a method for manufacturing the same, which can improve miniaturization, low loss, ripple heat generation, long life, heat resistance, non-smoke, non-ignition and environmental resistance by using a metal material as an electrolyte. have.

본 발명의 금속 커패시터는 다수개의 관통홀(through hole)이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와, 관통홀 형성부에 각각 형성되는 전극인출부 및 매립부를 갖는 금속부재와; 금속부재에 형성되는 금속산화층과; 금속부재의 관통홀 형성부에 금속산화층에 형성되는 시드(seed)전극층과; 금속부재의 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀이 채워지도록 관통홀 형성부에 형성된 시드전극층에 형성되는 메인(main)전극층과; 금속부재의 전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 금속부재에 형성되는 절연층과; 금속부재의 전극인출부에 연결되는 제1리드단자와; 메인전극층에 연결되는 제2리드(lead)단자와; 제1 및 제2리드단자가 연결된 금속부재를 제1 및 제2리드단자가 외부로 노출되도록 밀봉시키는 밀봉부재로 구성됨을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a metal capacitor, comprising: a metal member having a through hole forming portion in which a plurality of through holes are arranged, and an electrode leading portion and a buried portion respectively formed in the through hole forming portion; A metal oxide layer formed on the metal member; A seed electrode layer formed on the metal oxide layer in the through hole forming portion of the metal member; A main electrode layer formed on the seed electrode layer formed in the through hole forming portion to fill the plurality of through holes formed in the through hole forming portion of the metal member; An insulating layer formed on the main electrode layer and the metal member to expose the electrode lead-out portion of the metal member to the outside; A first lead terminal connected to the electrode lead-out portion of the metal member; A second lead terminal connected to the main electrode layer; And a sealing member sealing the metal member to which the first and second lead terminals are connected to expose the first and second lead terminals to the outside.

본 발명의 금속 커패시터의 제조방법은 DC(Direct current) 식각 방법을 이용하여 부재에 다수개의 관통홀이 배열되는 관통홀 형성부를 형성하여 전극인출부와 매립부가 일체로 형성되는 금속부재를 형성하는 과정과; 금속부재에 관통홀 형성부와 전극인출부와 매립부가 일체로 형성되면 양극산화방법을 이용하여 금속부재에 금속산화층을 형성하는 화성과정과; 금속산화층이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 금속산화층에 침투되도록 관통홀 형성부에 형성된 금속산화층에 시드전극층을 형성하는 과정과; 시드전극층이 형성되면 전해 도금이나 무전 해 도금방법을 이용하여 시드전극층을 매개로 금속부재의 관통홀 형성부에 형성된 다수개의 관통홀이 매몰되도록 메인전극층을 형성하는 과정과; 메인전극층이 형성되면 CVD(Chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 금속부재의 전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 금속부재에 절연층을 형성하는 과정과; 절연층이 형성되면 금속부재의 전극인출부과 메인전극층에 각각 제1 및 제2리드단자를 연결시키는 과정과; 제1 및 제2리드단자가 연결되면 제1 및 제2리드단자가 외부로 노출되도록 금속부재를 밀봉부재로 밀봉시키는 과정으로 구성됨을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a metal capacitor of the present invention, a process of forming a metal member in which an electrode lead portion and a buried portion are integrally formed by forming a through hole forming portion in which a plurality of through holes are arranged in a member by using a direct current (DC) etching method. and; Forming a metal oxide layer on the metal member by using an anodization method when the through-hole forming portion, the electrode lead portion, and the buried portion are integrally formed on the metal member; Forming a seed electrode layer on the metal oxide layer formed in the through-hole forming portion to penetrate the metal oxide layer by electrolytic plating or electroless plating when the metal oxide layer is formed; When the seed electrode layer is formed, forming a main electrode layer such that a plurality of through holes formed in the through hole forming portion of the metal member are buried through the seed electrode layer by electrolytic plating or electroless plating; Forming an insulating layer on the main electrode layer and the metal member such that the electrode lead portions of the metal member are exposed to the outside by using a chemical vapor deposition (CVD) method when the main electrode layer is formed; Connecting the first and second lead terminals to the electrode lead-out portion and the main electrode layer of the metal member, respectively, when the insulating layer is formed; When the first and the second lead terminal is connected, the first and second lead terminal is characterized in that the process of sealing the metal member with a sealing member so as to be exposed to the outside.

본 발명의 금속 커패시터는 전해질로 금속재질을 적용함으로써 종래의 전해질로 전해액이나 유기반도체를 사용하는 것에 비해 전기 전도도를 10,000 ∼ 1,000,000배 개선시킬 수 있고, 직렬 적층하여 고전압화가 가능하며, 무극성으로 조립 시 방향성이 없어 안전성이 높으며, 소형화, 저손실화, 저ESR, 저임피던스화, 내열안정성, 비발연, 비발화 및 내환경성을 개선시킬 수 있는 이점을 제공한다.The metal capacitor of the present invention can improve the electrical conductivity by 10,000 to 1,000,000 times compared to using an electrolyte or an organic semiconductor as a conventional electrolyte by applying a metal material as an electrolyte, it is possible to increase the high voltage by stacking in series, non-polar It has high safety because it has no directionality and offers the advantages of miniaturization, low loss, low ESR, low impedance, heat stability, non-smoke, non-ignition and environmental resistance.

(실시예1)Example 1

본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a metal capacitor according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 금속 커패시터의 A1-A2선 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 금속 커패시터의 B1-B2선 단면도이다. 도시된 바와 같이 본 발명의 금속 커패시터(10)는 금 속부재(11), 금속산화층(12), 시드전극층(13), 메인전극층(14), 절연층(15), 제1리드단자(21), 제2리드단자(22), 및 밀봉부재(30)로 이루어져 무극성을 갖도록 구성되며, 각각의 구성을 순차적으로 설명하면 다음과 같다. 1 is a perspective view of a metal capacitor according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A1-A2 of the metal capacitor shown in FIG. 1, and FIG. 3 is B1-B2 of the metal capacitor shown in FIG. Line cross section. As shown in the drawing, the metal capacitor 10 includes the metal member 11, the metal oxide layer 12, the seed electrode layer 13, the main electrode layer 14, the insulating layer 15, and the first lead terminal 21. ), The second lead terminal 22, and the sealing member 30 is configured to have a non-polarity, each configuration will be described as follows.

금속부재(11)는 도 4b에 도시된 바와 같이 다수개의 관통홀(11d)이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부(11a)와, 관통홀 형성부(11a)의 일측과 타측에 각각 형성되는 전극인출부(11b) 및 매립부(11c)를 갖도록 형성되며, 관통홀 형성부(11a), 전극인출부(11b) 및 매립부(11c)는 서로 일체로 형성된다. 다수개의 관통홀(11d)이 형성되는 금속부재(11)는 다양한 금속재질이 적용되며 그 중에서도 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 티탄늄(Ti) 및 지르코늄(Zr)중 하나가 적용되며, 다수개의 관통홀 형성부(11a)에 형성되는 다수개의 관통홀(11d)은 원형이나 다각형으로 형성된다.As shown in FIG. 4B, the metal member 11 includes a through hole forming portion 11a in which a plurality of through holes 11d are arranged, and electrodes formed on one side and the other side of the through hole forming portion 11a, respectively. It is formed to have the lead portion 11b and the buried portion 11c, and the through hole forming portion 11a, the electrode lead portion 11b, and the embedded portion 11c are integrally formed with each other. The metal member 11 in which the plurality of through holes 11d are formed is applied with various metal materials, and among them, aluminum, niobium (Nb), tantalum (Ta), titanium (Ti), and zirconium (Zr). One is applied, and the plurality of through holes 11d formed in the plurality of through hole forming portions 11a are formed in a circle or a polygon.

금속산화층(12)은 금속부재(11)의 표면에 형성된다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이 금속산화층(12)은 금속부재(11)의 모든 표면에 형성되며, 금속부재(11)의 재질에 따라 알루미나(Al2O3), 산화 니오븀(Nb2O5), 일산화 니오븀(NbO), 산화 탄탈(Ta2O5), 산화 티탄늄(TiO2) 및 산화 지르코늄(ZrO2)중 하나가 적용된다.The metal oxide layer 12 is formed on the surface of the metal member 11. That is, as shown in FIG. 1, the metal oxide layer 12 is formed on all surfaces of the metal member 11, and according to the material of the metal member 11, alumina (Al 2 O 3 ) and niobium oxide (Nb 2 O). 5 ), niobium monoxide (NbO), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), titanium oxide (TiO 2 ) and zirconium oxide (ZrO 2 ) are applied.

시드전극층(13)은 금속부재(11)의 관통홀 형성부(11a)에 형성된 금속산화층(12)에 형성된다. 시드전극층(13)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 다수개의 관통홀(11d)의 표면을 포함하여 관통홀(11d)이 형성된 금속산화층(12)에 형성된다. The seed electrode layer 13 is formed on the metal oxide layer 12 formed in the through hole forming portion 11a of the metal member 11. As illustrated in FIGS. 1 to 3, the seed electrode layer 13 is formed in the metal oxide layer 12 including the surfaces of the plurality of through holes 11d and having the through holes 11d formed therein.

메인전극층(14)은 금속부재(11)의 관통홀 형성부(11a)에 형성되는 다수개의 관통홀(11d)이 채워지도록 관통홀 형성부(11a)에 형성된 시드전극층(13)에 형성된다. 메인전극층(14)은 다수개의 관통홀(11d)이 채워진 상태에서 관통홀 형성부(11a)의 양면 즉, 상/하측 표면에 형성된다. 시드전극층(13)에 형성되는 메인전극층(14)과 시드전극층(13)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 인듐(In), 팔라듐(Pd),백금(Pt), 코발트(Co), 루테늄(Ru) 및 금(Au)중 하나가 적용된다.The main electrode layer 14 is formed in the seed electrode layer 13 formed in the through hole forming portion 11a to fill the plurality of through holes 11d formed in the through hole forming portion 11a of the metal member 11. The main electrode layer 14 is formed on both surfaces, i.e., upper and lower surfaces of the through hole forming portion 11a in a state where the plurality of through holes 11d are filled. The main electrode layer 14 and the seed electrode layer 13 formed on the seed electrode layer 13 are aluminum (Al), copper (Cu), zinc (Zn), silver (Ag), nickel (Ni), and tin (Sn), respectively. , Indium (In), palladium (Pd), platinum (Pt), cobalt (Co), ruthenium (Ru) and gold (Au) are applied.

절연층(15)은 금속부재(11)의 전극인출부(11b)가 외부로 노출되도록 메인전극층(14)과 금속부재(11)에 형성된다. 절연층(15)은 도 1에 도시된 바와 같이 금속부재(11)의 전극인출부(11b)는 외부로 노출되도록 한 상태에서 전극인출부(11b)와 대향되는 매립부(11c)와 관통홀 형성부(11a)의 상/하측면과 메인전극층(14)에 각각 형성된다. 금속부재(11)와 메인전극층(14)에 형성되는 절연층(15)은 절연테이프(tape)나 수지계열의 재질이 적용된다. The insulating layer 15 is formed on the main electrode layer 14 and the metal member 11 so that the electrode lead portions 11b of the metal member 11 are exposed to the outside. As shown in FIG. 1, the insulating layer 15 includes a buried portion 11c and a through hole facing the electrode lead portion 11b while the electrode lead portion 11b of the metal member 11 is exposed to the outside. The upper and lower surfaces of the forming portion 11a and the main electrode layer 14 are formed, respectively. As the insulating layer 15 formed on the metal member 11 and the main electrode layer 14, an insulating tape or a resin-based material is applied.

제1리드단자(21)는 금속부재(11)의 전극인출부(11b)에 연결되며, 제2리드단자(22)는 메인전극층(14)에 연결된다. 메인전극층(14)에 연결되는 제2리드단자(22)의 접착력을 개선하기 위해 메인전극층(14)의 어느 한 면에 제2리드단자(22)가 연결되는 도전성 접착층(16)이 더 구비된다. 제1 및 제2리드단자(21,22)가 연결된 금속부재(11)를 밀봉부재(30)로 밀봉된다. 밀봉부재(30)는 제1 및 제2리드단자(21,22)가 외부로 노출되도록 금속부재(11)를 밀봉시키기 위해 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재가 적용된다. The first lead terminal 21 is connected to the electrode lead portion 11b of the metal member 11, and the second lead terminal 22 is connected to the main electrode layer 14. In order to improve the adhesive force of the second lead terminal 22 connected to the main electrode layer 14, a conductive adhesive layer 16 to which the second lead terminal 22 is connected is provided on either side of the main electrode layer 14. . The metal member 11 to which the first and second lead terminals 21 and 22 are connected is sealed with the sealing member 30. The sealing member 30 is formed of a molding material or a hollow cover member to seal the metal member 11 so that the first and second lead terminals 21 and 22 are exposed to the outside.

상기 구성을 갖는 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터(10)의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Referring to the accompanying drawings, a manufacturing method of the metal capacitor 10 according to the first embodiment of the present invention having the above configuration is as follows.

도 4a에 도시된 금속재질의 막이나 포일(foil)과 같은 부재(1)가 준비되면 도 4b에 도시된 바와 같이 DC 식각 방법을 이용하여 부재(1)에 다수개의 관통홀(11d)이 배열되는 관통홀 형성부(11a)를 형성하여 일측과 타측에 전극인출부(11b)와 매립부(11c)가 일체로 형성되는 금속부재(11)를 형성한다. 관통홀 형성부(11a)에 다수개의 관통홀(11d)의 형성 시 각각의 관통홀(11d)은 원통형을 관통되도록 형성되며, 각각의 지름이 1㎚ 내지 100㎛가 되도록 형성하며, DC 식각 방법 이외에 습식이나 기계적인 드릴 또는 레이저 드릴을 이용하여 용이하게 형성할 수 있다.When a member 1 such as a metal film or foil shown in FIG. 4A is prepared, a plurality of through holes 11d are arranged in the member 1 using a DC etching method as shown in FIG. 4B. Through-hole forming portion (11a) is formed to form a metal member (11) formed integrally with the electrode lead-out portion (11b) and the buried portion (11c) on one side and the other side. When the plurality of through holes 11d are formed in the through hole forming portion 11a, each through hole 11d is formed to penetrate a cylindrical shape, and each diameter is formed to be 1 nm to 100 μm, and the DC etching method In addition, it can be easily formed using a wet or mechanical drill or a laser drill.

금속부재(11)에 관통홀 형성부(11a)와 전극인출부(11b)와 매립부(11c)가 일체로 형성되면 도 4c에 도시된 바와 같이 양극산화방법을 이용하여 금속부재(11)에 금속산화층(12)을 형성하는 화성과정을 실시한다. When the through-hole forming portion 11a, the electrode lead portion 11b and the buried portion 11c are integrally formed on the metal member 11, the metal member 11 may be formed using the anodization method as shown in FIG. 4C. A chemical conversion process for forming the metal oxide layer 12 is performed.

금속산화층(12)이 형성되면 도 4d에 도시된 바와 같이 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 금속산화층(12)에 침투되도록 관통홀 형성부(11a)에 형성된 금속산화층(12)에 시드전극층(13)을 형성한다. 시드전극층(13)이 형성되면 도 4e에 도시된 바와 같이 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 시드전극층(13)을 매개로 금속부재(11)의 관통홀 형성부(11a)에 형성된 다수개의 관통홀(11d)이 매몰되도록 메인전극층(14)을 형성한다. When the metal oxide layer 12 is formed, as shown in FIG. 4D, the seed electrode layer is formed on the metal oxide layer 12 formed in the through hole forming part 11a so as to penetrate the metal oxide layer 12 using an electrolytic plating or an electroless plating method. (13) is formed. When the seed electrode layer 13 is formed, as illustrated in FIG. 4E, the seed electrode layer 13 may be formed in the through hole forming portion 11a of the metal member 11 through the seed electrode layer 13 using an electrolytic plating or an electroless plating method. The main electrode layer 14 is formed to bury the through hole 11d.

메인전극층(14)이 형성되면 도 4f에 도시된 바와 같이 CVD 방법을 이용하여 금속부재(11)의 전극인출부부(11b)가 외부로 노출되도록 메인전극층(14)과 금속부재(11)에 절연층(15)을 형성하여 관통형 금속부재(10a)를 형성한다. 절연층(15)이 형성되면 도 4g에 도시된 바와 같이 금속부재(11)의 전극인출부(11b)와 메인전극층(14)에 각각 제1 및 제2리드단자(21,22)를 연결시킨다. 제1 및 제2리드단자(21,22)를 연결시키는 과정에서 제1 및 제2리드단자(21,22)의 접착력을 개선하기 위해 제2리드단자(22)가 연결되는 메인전극층(14)에 도전성 접착층(16)을 형성하는 과정이 더 구비되며, 도전성 접착층(16)은 금속 접착제이나 솔더 페이스트를 도포하는 방법, 전해 도금방법 및 무전해 도금방법중 하나가 적용된다.When the main electrode layer 14 is formed, as shown in FIG. 4F, the main electrode layer 14 and the metal member 11 are insulated so that the electrode lead portions 11b of the metal member 11 are exposed to the outside by using a CVD method. The layer 15 is formed to form the through metal member 10a. When the insulating layer 15 is formed, the first and second lead terminals 21 and 22 are connected to the electrode lead portion 11b and the main electrode layer 14 of the metal member 11, respectively, as shown in FIG. 4G. . The main electrode layer 14 to which the second lead terminals 22 are connected to improve the adhesion of the first and second lead terminals 21 and 22 in the process of connecting the first and second lead terminals 21 and 22. A process of forming the conductive adhesive layer 16 is further provided, and the conductive adhesive layer 16 is applied with a method of applying a metal adhesive or solder paste, an electrolytic plating method, or an electroless plating method.

제1 및 제2리드단자(21,22)가 연결되면 도 3에 도시된 바와 같이 제1 및 제2리드단자(21,22)가 외부로 노출되도록 금속부재(11)를 밀봉부재(30)로 밀봉시키며, 금속부재(11)를 밀봉 시 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재로 밀봉시켜 금속 커패시터(10)를 제조하게 된다.When the first and second lead terminals 21 and 22 are connected to each other, the sealing member 30 includes the metal member 11 so that the first and second lead terminals 21 and 22 are exposed to the outside. The metal capacitor 10 is manufactured by sealing the metal member 11 with a molding material or an empty cover member when the metal member 11 is sealed.

(실시예2)Example 2

본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터(10)를 구성하는 관통형 금속부재(10a)를 이용한 무극성을 갖는 금속 커패시터(110)를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a non-polar metal capacitor 110 using the through-type metal member 10a constituting the metal capacitor 10 according to the first embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 제2실시예에 따른 금속 커패시터(110)는 도 5에 도시된 바와 같이 다수개의 관통형 금속부재(10a), 도전성 접착층(16), 제3리드단자(23), 제4리드단자(24) 및 밀봉부재(30)로 이루어져 무극성을 갖도록 구성되며, 각각의 구성을 순차적으로 설명하면 다음과 같다.As shown in FIG. 5, the metal capacitor 110 according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of through metal members 10a, a conductive adhesive layer 16, a third lead terminal 23, and a fourth lead terminal. Comprised of 24 and the sealing member 30 is configured to have a non-polarity, each configuration will be described sequentially as follows.

다수개의 관통형 금속부재(10a)는 각각 금속부재(11), 금속산화층(12), 시드전극층(13) 메인전극층(14) 및 절연층(15)으로 이루어지며, 각각의 구성은 도 4f에 도시된 관통형 금속부재(10a)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다. 상기 구성을 갖는 다수개의 관통형 금속부재(10a)는 전극인출부(11b)가 일측과 타측방향을 향하도록 교대로 적층된다. Each of the plurality of through metal members 10a includes a metal member 11, a metal oxide layer 12, a seed electrode layer 13, a main electrode layer 14, and an insulating layer 15. Since the same as the through-type metal member (10a) shown in the detailed description thereof will be omitted. The plurality of through metal members 10a having the above configuration are alternately stacked such that the electrode lead portions 11b face one side and the other side.

도전성 접착층(16)은 다수개의 관통형 금속부재(10a)의 메인전극층(14) 사이에 각각 설치되어 다수개의 관통형 금속부재(10a)를 교대로 접착시킨다. 제3리드단자(23)는 다수개의 관통형 금속부재(10a)의 전극인출부(11b)가 일측으로 향하는 관통형 금속부재(11)의 전극인출부(11b)에 연결되며, 제4리드단자(24)는 다수개의 관통형 금속부재(10a)의 전극인출부(11b)가 타측으로 향하는 관통형 금속부재(11)의 전극인출부(11b)에 연결되어 무극성을 갖는 금속 커패시터(110)를 구성한다. 즉, 동일한 극성을 갖는 금속산화층(12)이 형성되는 관통형 금속부재(11)의 전극인출부(11b)에 제3리드단자(23) 및 제4리드단자(24)가 각각 연결되므로 인해 금속 커패시터(110)는 무극성을 갖도록 구성된다.The conductive adhesive layers 16 are respectively provided between the main electrode layers 14 of the plurality of through metal members 10a to alternately bond the plurality of through metal members 10a. The third lead terminal 23 is connected to the electrode lead portion 11b of the through type metal member 11 with the electrode lead portions 11b of the plurality of through type metal members 10a directed to one side, and the fourth lead terminal 23. 24 is connected to the electrode lead-out portion (11b) of the through-type metal member 11, the electrode lead portion (11b) of the plurality of through-type metal member (10a) to the other side to have a non-polar metal capacitor 110 Configure. That is, since the third lead terminal 23 and the fourth lead terminal 24 are connected to the electrode lead-out portion 11b of the through metal member 11 having the same metal oxide layer 12 having the same polarity, The capacitor 110 is configured to be nonpolar.

밀봉부재(30)는 제3 및 제4리드단자(23,24)가 연결된 다수개의 관통형 금속부재(10a)를 제3 및 제4리드단자(23,24)가 외부로 노출되도록 밀봉시켜 외부로부터 적층된 다수개의 관통형 금속부재(10a)를 보호하게 된다.The sealing member 30 seals the plurality of through metal members 10a to which the third and fourth lead terminals 23 and 24 are connected so that the third and fourth lead terminals 23 and 24 are exposed to the outside. It is to protect the plurality of through-type metal member (10a) laminated from the.

(실시예3)Example 3

본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터(10)를 구성하는 관통형 금속부재(10a)를 이용한 유극성을 갖는 금속 커패시터(120)를 첨부된 도면을 참조하여 설 명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a metal capacitor 120 having a polarity using the through-type metal member 10a constituting the metal capacitor 10 according to the first embodiment of the present invention is as follows.

본 발명의 제3실시예에 따른 유극성을 갖는 금속 커패시터(120)는 도 6에 도시된 바와 같이 다수개의 관통형 금속부재(10a), 도전성 접착층(16), 제1극성 리드단자(25), 제2극성 리드단자(26) 및 밀봉부재(30)로 이루어져 유극성을 갖도록 구성되며, 각각의 구성을 순차적으로 설명하면 다음과 같다.As shown in FIG. 6, the metal capacitor 120 having the polarity according to the third embodiment of the present invention includes a plurality of through-type metal members 10a, a conductive adhesive layer 16, and a first polar lead terminal 25. , The second polar lead terminal 26 and the sealing member 30 are configured to have polarity, and the respective configurations will be described sequentially.

다수개의 관통형 금속부재(10a)는 도 5에 도시된 금속 커패시터(110)와 같이 각각 금속부재(11), 금속산화층(12), 시드전극층(13) 메인전극층(14) 및 절연층(15)으로 이루어지며, 각각의 구성은 도 4f에 도시된 관통형 금속부재(10a)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다. 이러한 구성을 갖는 다수개의 관통형 금속부재(10a)는 전극인출부(11b)가 같은 방향을 향하도록 교대로 적층된다.The plurality of through metal members 10a may be formed of the metal member 11, the metal oxide layer 12, the seed electrode layer 13, the main electrode layer 14, and the insulating layer 15, respectively, as the metal capacitor 110 shown in FIG. 5. ), And each configuration is the same as that of the through metal member 10a shown in FIG. The plurality of through metal members 10a having such a configuration are alternately stacked such that the electrode lead portions 11b face the same direction.

도전성 접착층(16)은 다수개의 관통형 금속부재(10a)의 메인전극층(14) 사이에 각각 설치되어 다수개의 관통형 금속부재(10a)를 접착시키고, 제1극성 리드단자(25)는 다수개의 관통형 금속부재(10a)의 전극인출부(11b)가 일측으로 향하는 관통형 금속부재(11)의 전극인출부(11b)에 연결되며, 제1극성 리드단자(25)는 양극박으로 작용하도록 금속산화층(12)이 형성된 금속부재(11)의 전극인출부(11b)에 연결되므로 인해 애노드(anode) 전극으로 사용된다. 제2극성 리드단자(26)는 다수개의 관통형 금속부재(10a)중 하나의 메인전극층(14)에 연결되며, 제2극성 리드단자(26)는 음극박으로 작용하도록 금속산화층(12)을 형성하지 않은 메인전극층(14)에 연결되므로 인해 캐소드(cathode) 전극으로 사용되어, 금속 커패시터(110)가 유극성을 갖도록 구성된다. The conductive adhesive layer 16 is provided between the main electrode layers 14 of the plurality of through metal members 10a to adhere the plurality of through metal members 10a, and the first polar lead terminal 25 includes The electrode lead portion 11b of the through metal member 10a is connected to the electrode lead portion 11b of the through metal member 11 facing to one side, and the first polar lead terminal 25 acts as an anode foil. Since the metal oxide layer 12 is connected to the electrode lead portion 11b of the formed metal member 11, the metal oxide layer 12 is used as an anode electrode. The second polar lead terminal 26 is connected to the main electrode layer 14 of one of the plurality of through metal members 10a, and the second polar lead terminal 26 serves as the metal oxide layer 12 to act as a cathode foil. Since it is connected to the main electrode layer 14 that is not formed, it is used as a cathode, and the metal capacitor 110 is configured to have polarity.

제1극성 리드단자(25)가 연결되는 전극인출부(11b)가 구비되는 금속부재(11)는 음극박으로 작용하도록 적용할 수 있다. 금속부재(11)가 음극박으로 작용하는 경우에 메인전극층(14)은 양극박으로 작용한다. 따라서, 제1극성 리드단자(25)는 제2극성 리드단자(26)가 캐소드 전극으로 적용되는 경우에 애노드 전극으로 적용되며, 제2극성 리드단자(26)가 애노드 전극으로 적용되는 경우에 캐소드전극으로 적용된다. 또한, 제2극성 리드단자(26)는 제1극성 리드단자(25)가 캐소드 전극으로 적용되는 경우에 애노드 전극으로 적용되며, 제1극성 리드단자(25)가 애노드 전극으로 적용되는 경우에 캐소드전극으로 적용된다.The metal member 11 having the electrode lead-out portion 11b to which the first polar lead terminal 25 is connected may be applied to act as a cathode foil. When the metal member 11 acts as the cathode foil, the main electrode layer 14 acts as the anode foil. Accordingly, the first polar lead terminal 25 is applied as an anode electrode when the second polar lead terminal 26 is applied as the cathode electrode, and the cathode when the second polar lead terminal 26 is applied as the anode electrode. Applied as an electrode. In addition, the second polar lead terminal 26 is applied as an anode electrode when the first polar lead terminal 25 is applied as a cathode electrode, and the cathode when the first polar lead terminal 25 is applied as an anode electrode. Applied as an electrode.

애노드나 캐소드 전극으로 적용되는 제2극성 리드단자(26)는 또한 다수개의 관통형 금속부재(10a)중 하나의 메인전극층(14)에 연결 시 연결되는 접착력을 개선시키기 위해 메인전극층(14)에 도전성 접착층(16)이 형성되며, 이 도전성 접착층(16)에 제2극성 리드단자(26)가 연결된다.The second polar lead terminal 26 applied as an anode or cathode electrode is also connected to the main electrode layer 14 to improve the adhesive force connected when connected to the main electrode layer 14 of one of the plurality of through metal members 10a. The conductive adhesive layer 16 is formed, and the second polar lead terminal 26 is connected to the conductive adhesive layer 16.

이와 같이 금속 커패시터(10)를 적층하여 금속 커패시터(110,120)를 구성하는 경우에 고전압, 고용량의 금속커패시터를 얻을 수 있게 된다. 또한, 금속 커패시터(10)를 구성하는 금속부재(11)에 양면 즉, 상/하면이 관통하는 관통홀(11d)을 형성하므로써 금속부재(11)의 상/하면에 형성되는 메인전극층(14)을 자동으로 연결할 수 있고, DC 식각방법 이외에 습식 식각, 기계적인 드릴이나 레이저 드릴등을 이용하여 관통홀(11e)을 일정하게 형성하고 유지할 수 있어 누설전류 및 내전압을 개선시킬 수 있다.As such, when the metal capacitors 110 and 120 are stacked by stacking the metal capacitors 10, a high voltage and high capacity metal capacitor can be obtained. In addition, the main electrode layer 14 formed on the upper and lower surfaces of the metal member 11 is formed by forming through holes 11d on both sides, ie, upper and lower surfaces, of the metal member 11 constituting the metal capacitor 10. It can be connected automatically, and in addition to the DC etching method using a wet etching, a mechanical drill or a laser drill and the like to form and maintain a constant through-hole (11e) can improve the leakage current and withstand voltage.

본 발명의 금속 커패시터는 전원회로의 평활회로, 노이즈 필터 나 바이패스 커패시터등에 적용할 수 있다.The metal capacitor of the present invention can be applied to a smoothing circuit, a noise filter or a bypass capacitor of a power supply circuit.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터의 사시도,1 is a perspective view of a metal capacitor according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 금속 커패시터의 A1-A2선 단면도,2 is a cross-sectional view taken along line A1-A2 of the metal capacitor shown in FIG. 1;

도 3은 도 1에 도시된 금속 커패시터의 B1-B2선 단면도,3 is a cross-sectional view taken along line B1-B2 of the metal capacitor shown in FIG. 1;

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터의 제조과정을 나타낸 도,4A to 4G illustrate a manufacturing process of a metal capacitor according to a first embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 금속 커패시터의 단면도,5 is a cross-sectional view of a metal capacitor according to a second embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 금속 커패시터의 단면도.6 is a cross-sectional view of a metal capacitor according to a third embodiment of the present invention.

10,110,120: 금속 커패시터 10a: 관통형 금속부재10,110,120: metal capacitor 10a: through metal member

11: 금속부재 11a: 관통홀 형성부11: metal member 11a: through-hole forming portion

11b: 전극인출부 11c: 매립부11b: electrode lead portion 11c: buried portion

11d: 관통홀 12: 금속산화층 11d: through hole 12: metal oxide layer

13: 시드전극층 14: 메인전극층13: seed electrode layer 14: main electrode layer

15: 절연층 16: 도전성 접착층15: insulating layer 16: conductive adhesive layer

Claims (20)

다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와, 상기 관통홀 형성부에 각각 형성되는 전극인출부 및 매립부를 갖는 금속부재와;A metal member having a through-hole forming portion formed by arranging a plurality of through-holes, and an electrode leading portion and a buried portion respectively formed in the through-hole forming portion; 상기 금속부재에 형성되는 금속산화층과;A metal oxide layer formed on the metal member; 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 금속산화층에 다수개의 관통홀이 채워지도록 형성되는 메인전극층과;A main electrode layer formed to fill a plurality of through holes in the metal oxide layer in the through hole forming portion of the metal member; 상기 금속부재의 전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 금속부재에 형성되는 절연층으로 구성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.And an insulating layer formed on the main electrode layer and the metal member to expose the electrode lead-out portion of the metal member to the outside. 제1항에 있어서, 상기 금속부재의 전극인출부와 상기 상기 메인전극층에는 각각 리드단자가 연결됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The metal capacitor of claim 1, wherein lead terminals are respectively connected to the electrode lead-out portion of the metal member and the main electrode layer. 다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와, 상기 관통홀 형성부에 각각 형성되는 전극인출부 및 매립부를 갖는 금속부재와;A metal member having a through-hole forming portion formed by arranging a plurality of through-holes, and an electrode leading portion and a buried portion respectively formed in the through-hole forming portion; 상기 금속부재에 형성되는 금속산화층과;A metal oxide layer formed on the metal member; 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 금속산화층에 형성되는 시드전극층과; A seed electrode layer formed on the metal oxide layer in the through hole forming portion of the metal member; 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀이 채워지도록 관통홀 형성부에 형성된 시드전극층에 형성되는 메인전극층과;A main electrode layer formed on the seed electrode layer formed in the through hole forming portion to fill the plurality of through holes formed in the through hole forming portion of the metal member; 상기 금속부재의 전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 금속부재에 형성되는 절연층과; An insulating layer formed on the main electrode layer and the metal member to expose the electrode lead-out portion of the metal member to the outside; 상기 금속부재의 전극인출부에 연결되는 제1리드단자와;A first lead terminal connected to the electrode lead-out portion of the metal member; 상기 메인전극층에 연결되는 제2리드단자와;A second lead terminal connected to the main electrode layer; 상기 제1 및 제2리드단자가 연결된 금속부재를 제1 및 제2리드단자가 외부로 노출되도록 밀봉시키는 밀봉부재로 구성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.And a sealing member sealing the metal member to which the first and second lead terminals are connected to expose the first and second lead terminals to the outside. 제3항에 있어서, 상기 금속부재는 다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와 상기 관통홀 형성부의 일측과 타측에 각각 형성되는 전극인출부 및 매립부가 일체로 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The metal member of claim 3, wherein the metal member includes a through hole forming portion formed by arranging a plurality of through holes, and an electrode leading portion and a buried portion formed on one side and the other side of the through hole forming portion, respectively. Capacitors. 제3항에 있어서, 상기 금속부재는 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 티탄늄(Ti) 및 지르코늄(Zr)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The metal capacitor of claim 3, wherein one of aluminum (Al), niobium (Nb), tantalum (Ta), titanium (Ti), and zirconium (Zr) is applied. 제3항에 있어서, 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀은 원형이나 다각형으로 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The metal capacitor of claim 3, wherein the plurality of through holes formed in the through hole forming portion of the metal member are formed in a circle or a polygon. 제3항에 있어서, 상기 금속산화층은 알루미나(Al2O3), 산화 니오븀(Nb2O5), 일산화 니오븀(NbO), 산화 탄탈(Ta2O5), 산화 티탄늄(TiO2) 및 산화 지르코늄(ZrO2)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The method of claim 3, wherein the metal oxide layer is alumina (Al 2 O 3 ), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), niobium monoxide (NbO), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), titanium oxide (TiO 2 ) and A metal capacitor, characterized in that one of zirconium oxide (ZrO 2 ) is applied. 제3항에 있어서, 상기 시드전극층과 상기 메인전극층은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 코발트(Co), 루테늄(Ru) 및 금(Au)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The method of claim 3, wherein the seed electrode layer and the main electrode layer are aluminum (Al), copper (Cu), zinc (Zn), silver (Ag), nickel (Ni), tin (Sn), indium (In), A metal capacitor, characterized in that one of palladium (Pd), platinum (Pt), cobalt (Co), ruthenium (Ru) and gold (Au) is applied. 제3항에 있어서, 상기 메인전극층은 상기 제2리드단자를 연결하기 위한 도전성 접착층이 더 구비됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The metal capacitor of claim 3, wherein the main electrode layer further comprises a conductive adhesive layer for connecting the second lead terminal. 제3항에 있어서, 상기 밀봉부재는 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재로 밀봉되며, 상기 밀봉부재는 금속부재를 판형 또는 원통형중 하나의 형상으로 밀봉시키고, 상기 원통형으로 밀봉 시 금속부재를 권취한 후 밀봉시킴을 특징으로 하는 금속 커패시터.The method of claim 3, wherein the sealing member is sealed with a molding material or a hollow cover member, and the sealing member seals the metal member in the shape of one of a plate shape or a cylindrical shape, and the metal member is wound when the cylindrical member is sealed. A metal capacitor, characterized in that after the sealing. 다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와, 상기 관통홀 형성부에 각각 형성되는 전극인출부 및 매립부를 갖는 금속부재와, 상기 금속부재에 형성되는 금속산화층과, 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 금속산화층에 형성되는 시드전극층과, 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀이 채워지도록 관통홀 형성부에 형성된 시드전극층에 형성되는 메인전극층과, 상기 금속부재의 전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 금속부재에 형성되는 절연층으로 이 루어지며, 각각의 전극인출부가 일측과 타측방향을 향하도록 교대로 적층되는 다수개의 관통형 금속부재와; A through-hole forming portion formed by arranging a plurality of through holes, a metal member having an electrode lead portion and a buried portion respectively formed in the through-hole forming portion, a metal oxide layer formed on the metal member, and a penetration of the metal member. A seed electrode layer formed in the metal oxide layer in the hole forming portion, a main electrode layer formed in the seed electrode layer formed in the through hole forming portion so as to fill a plurality of through holes formed in the through hole forming portion of the metal member, and A plurality of through-type metal members formed of an insulating layer formed on the main electrode layer and the metal member so that the electrode lead-out portions are exposed to the outside, and each electrode lead-out portion is alternately stacked to face one side and the other side; 상기 다수개의 관통형 금속부재의 메인전극층 사이에 각각 설치되어 다수개의 관통형 금속부재를 교대로 접착시키는 도전성 접착층과; A conductive adhesive layer provided between the main electrode layers of the plurality of through metal members, respectively to alternately bond the plurality of through metal members; 상기 다수개의 관통형 금속부재의 전극인출부가 일측으로 향하는 관통형 금속부재의 전극인출부에 연결되는 제3리드단자와, 상기 다수개의 관통형 금속부재의 전극인출부가 타측으로 향하는 관통형 금속부재의 전극인출부에 연결되는 제4리드단자와;A third lead terminal connected to the electrode lead-out portion of the through-type metal member facing the one side of the plurality of through metal members; and a through-type metal member facing the electrode lead-out portion of the plurality of through metal members facing the other side; A fourth lead terminal connected to the electrode lead-out unit; 상기 제3 및 제4리드단자가 연결된 다수개의 관통형 금속부재를 상기 제3 및 제4리드단자가 외부로 노출되도록 밀봉시키는 밀봉부재로 구성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.And a sealing member sealing a plurality of through metal members connected to the third and fourth lead terminals to expose the third and fourth lead terminals to the outside. 다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와, 상기 관통홀 형성부에 각각 형성되는 전극인출부 및 매립부를 갖는 금속부재와, 상기 금속부재에 형성되는 금속산화층과, 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 금속산화층에 형성되는 시드전극층과, 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀이 채워지도록 관통홀 형성부에 형성된 시드전극층에 형성되는 메인전극층과, 상기 금속부재의 전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 금속부재에 형성되는 절연층으로 이루어지며, 각각의 전극인출부가 일측과 타측방향을 향하도록 교대로 적층되는 다수개의 관통형 금속부재와; A through-hole forming portion formed by arranging a plurality of through holes, a metal member having an electrode lead portion and a buried portion respectively formed in the through-hole forming portion, a metal oxide layer formed on the metal member, and a penetration of the metal member. A seed electrode layer formed in the metal oxide layer in the hole forming portion, a main electrode layer formed in the seed electrode layer formed in the through hole forming portion so as to fill a plurality of through holes formed in the through hole forming portion of the metal member, and A plurality of through-type metal members formed of an insulating layer formed on the main electrode layer and the metal member so that the electrode lead-out portions are exposed to the outside, and each electrode lead-out portion is alternately stacked to face one side and the other side; 상기 다수개의 관통형 금속부재의 메인전극층 사이에 각각 설치되어 다수개의 관통형 금속부재를 접착시키는 도전성 접착층과;A conductive adhesive layer provided between the main electrode layers of the plurality of through metal members to adhere the plurality of through metal members; 상기 다수개의 관통형 금속부재의 전극인출부가 일측으로 향하는 관통형 금속부재의 전극인출부에 연결되는 제1극성 리드단자와;A first polar lead terminal connected to the electrode lead-out portion of the through-type metal member facing one side; 상기 다수개의 관통형 금속부재중 하나의 메인전극층에 연결되는 제2극성 리드단자와;A second polarity lead terminal connected to one main electrode layer of the plurality of through metal members; 상기 제1 및 제2극성 리드단자가 연결된 다수개의 관통형 금속부재를 제1 및 제2극성 리드단자가 외부로 노출되도록 밀봉시키는 밀봉부재로 구성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.And a sealing member sealing the plurality of through metal members connected to the first and second polar lead terminals to expose the first and second polar lead terminals to the outside. 제12항에 있어서, 상기 제1극성 리드단자는 상기 제2극성 리드단자가 캐소드 전극으로 적용되는 경우에 애노드 전극으로 적용되며, 제2극성 리드단자가 애노드 전극으로 적용되는 경우에 캐소드전극으로 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The method of claim 12, wherein the first polar lead terminal is applied as an anode electrode when the second polar lead terminal is applied as a cathode electrode, and is applied as a cathode electrode when the second polar lead terminal is applied as an anode electrode. Metal capacitors characterized in that. 제12항에 있어서, 상기 제2극성 리드단자는 상기 제1극성 리드단자가 캐소드 전극으로 적용되는 경우에 애노드 전극으로 적용되며, 제1극성 리드단자가 애노드 전극으로 적용되는 경우에 캐소드전극으로 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The method of claim 12, wherein the second polar lead terminal is applied as an anode electrode when the first polar lead terminal is applied as a cathode electrode, and is applied as a cathode electrode when the first polar lead terminal is applied as an anode electrode. Metal capacitors characterized in that. 제12항에 있어서, 상기 제2극성 리드단자가 연결되는 다수개의 관통형 금속부재중 하나의 메인전극층에는 도전성 접착층이 더 구비됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.The metal capacitor of claim 12, wherein one main electrode layer of the plurality of through metal members to which the second polar lead terminal is connected is further provided with a conductive adhesive layer. DC 식각 방법을 이용하여 부재에 다수개의 관통홀이 배열되는 관통홀 형성부를 형성하여 전극인출부와 매립부가 일체로 형성되는 금속부재를 형성하는 과정과;Forming a through-hole forming portion in which a plurality of through holes are arranged in the member by using a DC etching method to form a metal member in which an electrode lead portion and a buried portion are integrally formed; 상기 금속부재에 관통홀 형성부와 전극인출부와 매립부가 일체로 형성되면 양극산화방법을 이용하여 금속부재에 금속산화층을 형성하는 화성과정과;Forming a metal oxide layer on the metal member by using an anodization method when the through-hole forming portion, the electrode lead portion, and the buried portion are integrally formed on the metal member; 상기 금속산화층이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 금속산화층에 침투되도록 상기 관통홀 형성부에 형성된 금속산화층에 다수개의 관통홀이 매몰되도록 메인전극층을 형성하는 과정과;Forming a main electrode layer such that a plurality of through holes are buried in the metal oxide layer formed in the through hole forming unit so as to penetrate the metal oxide layer using the electrolytic plating or the electroless plating method when the metal oxide layer is formed; 상기 메인전극층이 형성되면 CVD 방법을 이용하여 상기 금속부재의 전극인출부가 외부로 노출되도록 상기 메인전극층과 금속부재에 절연층을 형성하는 과정으로 구성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.And forming an insulating layer on the main electrode layer and the metal member so that the electrode withdrawing portion of the metal member is exposed to the outside by using a CVD method when the main electrode layer is formed. DC 식각 방법을 이용하여 부재에 다수개의 관통홀이 배열되는 관통홀 형성부를 형성하여 전극인출부와 매립부가 일체로 형성되는 금속부재를 형성하는 과정과;Forming a through-hole forming portion in which a plurality of through holes are arranged in the member by using a DC etching method to form a metal member in which an electrode lead portion and a buried portion are integrally formed; 상기 금속부재에 관통홀 형성부와 전극인출부와 매립부가 일체로 형성되면 양극산화방법을 이용하여 금속부재에 금속산화층을 형성하는 화성과정과;Forming a metal oxide layer on the metal member by using an anodization method when the through-hole forming portion, the electrode lead portion, and the buried portion are integrally formed on the metal member; 상기 금속산화층이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 금속산화층에 침투되도록 상기 관통홀 형성부에 형성된 금속산화층에 시드전극층을 형성하는 과정과;Forming a seed electrode layer on the metal oxide layer formed on the through-hole forming portion to penetrate the metal oxide layer by electrolytic plating or electroless plating when the metal oxide layer is formed; 상기 시드전극층이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 시드전극층을 매개로 상기 금속부재의 관통홀 형성부에 형성된 다수개의 관통홀이 매몰되도록 메인전극층을 형성하는 과정과;When the seed electrode layer is formed, forming a main electrode layer such that a plurality of through holes formed in the through hole forming portion of the metal member are buried through the seed electrode layer by electrolytic plating or electroless plating; 상기 메인전극층이 형성되면 CVD 방법을 이용하여 상기 금속부재의 전극인출부가 외부로 노출되도록 상기 메인전극층과 금속부재에 절연층을 형성하는 과정과; Forming an insulating layer on the main electrode layer and the metal member to expose the electrode leading portion of the metal member to the outside by using a CVD method when the main electrode layer is formed; 상기 절연층이 형성되면 상기 금속부재의 전극인출부과 상기 메인전극층에 각각 제1 및 제2리드단자를 연결시키는 과정과;Connecting the first and second lead terminals to the electrode lead-out portion and the main electrode layer of the metal member when the insulating layer is formed; 상기 제1 및 제2리드단자가 연결되면 제1 및 제2리드단자가 외부로 노출되도록 상기 금속부재를 밀봉부재로 밀봉시키는 과정으로 구성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.And when the first and second lead terminals are connected, sealing the metal member with a sealing member so that the first and second lead terminals are exposed to the outside. 제17항에 있어서, 상기 금속부재에 관통홀 형성부와 관통홀 형성부의 일측과 타측에 전극인출부와 매립부를 일체로 형성하는 과정에서 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀은 각각 지름이 1㎚ 내지 100㎛가 되도록 습식 식각, 기계적인 드릴 및 레이저 드릴중 하나를 이용하여 형성할 수 있음을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.18. The method of claim 17, wherein the through-holes formed in the through-hole forming portion and the through-hole forming portion in the process of forming the electrode withdrawal portion and the buried portion integrally formed on one side and the other side of the through-hole forming portion each of the diameter is Method for producing a metal capacitor, characterized in that it can be formed by using one of wet etching, mechanical drill and laser drill to 1nm to 100㎛. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2리드단자를 연결시키는 과정에서 제1 및 제2리드단자의 접착력을 개선하기 위해 제2리드단자가 연결되는 메인전극층에 도전성 접착층을 형성하는 과정이 더 구비되며, 상기 도전성 접착층의 형성은 금속 접 착제이나 솔더 페이스트를 도포하는 방법, 전해 도금방법 및 무전해 도금방법중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.18. The method of claim 17, wherein in the process of connecting the first and second lead terminals, a process of forming a conductive adhesive layer on the main electrode layer to which the second lead terminals are connected to improve the adhesive force of the first and second lead terminals is further performed. The method of claim 1, wherein the conductive adhesive layer is formed by applying a metal adhesive or a solder paste, an electrolytic plating method, or an electroless plating method. 제17항에 있어서, 상기 금속부재를 밀봉부재로 밀봉시키는 과정은 금속부재를 밀봉 시 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재로 밀봉됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.18. The method of claim 17, wherein the sealing of the metal member with the sealing member is performed by sealing the metal member with a molding material or with an empty cover member.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150130906A (en) * 2014-05-14 2015-11-24 한국제이씨씨(주) High voltage electrode for electric double layer capacitor and manufacturing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5469325A (en) * 1993-03-22 1995-11-21 Evans Findings Co. Capacitor
EP1028441A4 (en) * 1998-06-09 2006-12-13 Showa Denko Kk Solid electrolytic capacitor electrode foil, method of producing it and solid electrolytic capacitor
JP4505774B2 (en) * 1999-02-18 2010-07-21 株式会社村田製作所 Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
KR100451406B1 (en) * 1999-02-18 2004-10-06 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Solid electrolytic capacitor and its production method
JP4604403B2 (en) * 2001-06-25 2011-01-05 パナソニック株式会社 Manufacturing method of solid electrolytic capacitor
US6934143B2 (en) * 2003-10-03 2005-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Metal-insulator-metal capacitor structure
JP4660222B2 (en) 2005-02-14 2011-03-30 三洋電機株式会社 Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
JP2006261455A (en) * 2005-03-17 2006-09-28 Fujitsu Ltd Semiconductor device and mim caspacitor
KR100779263B1 (en) * 2007-02-06 2007-11-27 오영주 Metal electrolytic capacitor and method manufacturing thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150130906A (en) * 2014-05-14 2015-11-24 한국제이씨씨(주) High voltage electrode for electric double layer capacitor and manufacturing method thereof

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