KR20090040196A - Metal capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 금속 커패시터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전해질로 금속재질을 적용하여 전기 전도도를 크게 개선시킨 금속 커패시터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a metal capacitor and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a metal capacitor and a method for manufacturing the same by applying a metal material as an electrolyte to greatly improve the electrical conductivity.
전원회로에서 출력되는 전원을 일정한 값이 되도록 평활시키거나 저주파 바이패스로 사용되는 알루미늄 전해 커패시터(aluminum electrolytic capacitor)의 제조방법을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing an aluminum electrolytic capacitor, which smoothes the power output from the power supply circuit to a constant value or is used as a low frequency bypass, will be described below.
먼저, 알루미늄박의 표면적을 넓혀 정전용량을 크게 하기 위해 알루미늄박(aluminum foil)의 표면을 식각(etching)하는 과정을 실시한다. 식각과정이 완료되면 알루미늄박에 유전체를 형성시키는 화성(forming)과정을 실시한다. 식각과 화성과정을 통해 각각 음극과 양극 알루미늄박이 제조되면 알루미늄박과 전해지를 제품의 길이에 따라 필요치수의 폭 만큼 자르는 재단(slit)과정을 실시한다. 재단이 완료되면 알루미늄박에 인출단자인 알루미늄 리드봉을 접합시키는 스티치(stitch)과정을 실시한다. First, in order to increase the surface area of the aluminum foil and increase the capacitance, a process of etching the surface of the aluminum foil is performed. When the etching process is completed, a forming process of forming a dielectric on the aluminum foil is performed. When the cathode and anode aluminum foils are manufactured through etching and chemical conversion processes, a slit process is performed to cut the aluminum foil and the electrolytic cell to the required width according to the length of the product. When the cutting is completed, a stitch process of joining the lead wire aluminum lead rod to the aluminum foil is performed.
알루미늄박과 전해지의 재단이 완료되면 양극 알루미늄박과 음극 알루미늄박 사이에 전해지를 삽입한 후 원통형으로 감아서 풀어지지 않도록 테이프로 접착시키는 권취(winding)과정을 실시한다. 권취과정이 완료되면 권취된 소자를 알루미늄 케이스에 삽입한 후 전해액을 주입하는 함침(impregnation)을 실시한다. 전해액의 주입이 완료되면 알루미늄 케이스를 봉구재로 봉입하는 봉입(curling)과정을 실시한다. 봉입과정이 완료되면 유전체 손상을 복구하는 에이징(aging) 과정을 실시하여 알루미늄 전해 커패시터의 조립을 완료하게 된다. When the cutting of the aluminum foil and the electrolytic cell is completed, the electrolytic cell is inserted between the positive electrode aluminum foil and the negative electrode aluminum foil, and then a winding process is performed in which the tape is wound with a tape to prevent it from being unwound. After the winding process is completed, the wound element is inserted into an aluminum case, and then impregnation is performed to inject electrolyte. When the injection of the electrolyte is completed, a sealing process of enclosing the aluminum case with a sealing material is performed. After the encapsulation process is completed, an aging process for repairing dielectric damage is performed to complete the assembly of the aluminum electrolytic capacitor.
최근 전자기기의 디지털화 및 소형화의 진전으로 고주파수에서 낮은 임피던스를 갖는 커패시터를 요구하고 있어 상기와 같이 제조되는 종래 알루미늄 전해 커패시터를 개선하기 위해 기능성 적층형 알루미늄 고체 커패시터나 기능성 탄탈 커패시터가 적용되고 있으나 다음과 같은 문제점이 있다. Recently, due to the digitization and miniaturization of electronic devices, a capacitor having a low impedance at a high frequency is required, and a functional multilayer aluminum solid capacitor or a functional tantalum capacitor is applied to improve the conventional aluminum electrolytic capacitor manufactured as described above. There is a problem.
종래의 기능성 적층형 알루미늄 고체 커패시터 또는 기능성 탄탈 커패시터는 전해질로 폴리피롤(polypyrrole)이나 폴리싸이오펜(polythiophene)등의 도전성 고분자 화합물이 사용되므로 인해 내열성, 내전압(50V 이상)의 한계가 있다. 또한, 그라파이트(graphite)와 같은 페이스트를 차례로 도포하여 음극을 형성하므로서 커패시터의 두꺼워져 적층 수에 한계가 있으며, 층간 접촉저항이 발생하여 임피던스 특성을 악화시킨다. Conventional functional multilayer aluminum solid capacitors or functional tantalum capacitors have limitations of heat resistance and withstand voltage (50 V or more) because conductive polymer compounds such as polypyrrole or polythiophene are used as electrolytes. In addition, by applying a paste such as graphite (graphite) in order to form a cathode, the thickness of the capacitor is limited by the thickness of the stack, there is a limit on the number of stacked layers, the contact resistance occurs to deteriorate the impedance characteristics.
본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전해질로 금속재 질을 적용하여 전기 전도도를 종래에 전해질을 전해액이나 유기반도체를 사용하는 것에 비해 10,000 ∼ 1,000,000배 개선시킨 금속 커패시터와 및 그의 제조방법을 제공함에 있다. An object of the present invention is to solve the above problems, by applying a metal material as an electrolyte, a metal capacitor with a 10,000 to 1,000,000 times improved electrical conductivity compared to using an electrolyte or an organic semiconductor, and a method for manufacturing the same In providing.
본 발명의 다른 목적은 전해질로 금속재질을 사용함으로써 소형화, 저손실화, 리플발열 저감, 장수명화, 내열안정성, 비발연, 비발화 및 내환경성을 개선시킬 수 있는 금속 커패시터 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide a metal capacitor and a method for manufacturing the same, which can improve the size, low loss, ripple generation, long life, heat resistance, non-smoke, non-ignition and environmental resistance by using a metal material as an electrolyte. have.
본 발명의 금속 커패시터는 다수개의 홈이 배열되어 형성되는 홈형성부와, 홈형성부에 각각 형성되는 제1 및 제2전극인출부를 갖는 단자증가형 금속부재와; 단자증가형 금속부재에 형성되는 금속산화층과; 단자증가형 금속부재의 홈형성부의 양면에 형성된 금속산화층에 각각 형성되는 다수개의 시드전극층과; 단자증가형 금속부재의 홈형성부에 형성되는 다수개의 홈이 채워지도록 홈형성부에 형성된 다수개의 시드(seed)전극층에 각각 형성되는 다수개의 메인전극층과; 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부가 외부로 노출되도록 다수개의 메인(main)전극층과 단자증가형 금속부재에 형성되는 절연층과; 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부와 직교되도록 다수개의 메인전극층과 절연층에 형성되어 다수개의 메인전극층을 연결하는 다수개의 도전성 연결층과; 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부에 선택적으로 연결되는 제1리드(lead)단자와; 단자증가형 금속부재의 메인전극층에 연결되는 제2리드단자와; 제1 및 제2리드단자가 연결된 단자증가형 금속부재를 제1 및 제2리드단자가 외부로 노출되도록 밀봉시키는 밀봉부재로 구성됨을 특징으로 한다. The metal capacitor of the present invention includes: a terminal increase-type metal member having a groove forming portion formed by arranging a plurality of grooves, and first and second electrode drawing portions respectively formed in the groove forming portion; A metal oxide layer formed on the terminal increase-type metal member; A plurality of seed electrode layers respectively formed on metal oxide layers formed on both sides of the groove forming portion of the terminal increase-type metal member; A plurality of main electrode layers respectively formed on the plurality of seed electrode layers formed in the groove forming portion to fill the plurality of grooves formed in the groove forming portion of the terminal increase-type metal member; An insulating layer formed on the plurality of main electrode layers and the terminal increase-type metal member to expose the first and second electrode lead-out portions of the terminal increase-type metal member to the outside; A plurality of conductive connection layers formed on the plurality of main electrode layers and the insulating layer so as to be orthogonal to the first and second electrode lead-out portions of the terminal increase-type metal member to connect the plurality of main electrode layers; A first lead terminal selectively connected to the first and second electrode lead-out portions of the terminal increase-type metal member; A second lead terminal connected to the main electrode layer of the terminal increase-type metal member; And a sealing member sealing the terminal increase-type metal member to which the first and second lead terminals are connected to expose the first and second lead terminals to the outside.
본 발명의 금속 커패시터의 제조방법은 DC(Direct current) 식각 방법을 이용하여 부재의 양면에 각각 다수개의 홈이 배열되는 홈형성부를 형성하여 일측과 타측에 제1 및 제2전극인출부가 일체로 형성되는 단자증가형 금속부재를 형성하는 과정과; 단자증가형 금속부재에 홈형성부와 제1 및 제2전극인출부가 일체로 형성되면 양극산화방법을 이용하여 단자증가형 금속부재에 금속산화층을 형성하는 화성과정과; 금속산화층이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 금속산화층에 침투되도록 홈형성부에 다수개의 시드전극층을 형성하는 과정과; 다수개의 시드전극층이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 다수개의 시드전극층을 매개로 단자증가형 금속부재의 홈형성부에 형성된 다수개의 홈이 매몰되도록 다수개의 메인전극층을 형성하는 과정과; 다수개의 메인전극층이 형성되면 CVD(Chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부가 외부로 노출되도록 다수개의 메인전극층과 단자증가형 금속부재에 절연층을 형성하는 과정과; 절연층이 형성되면 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부와 직교되도록 다수개의 메인전극층과 절연층에 다수개의 메인전극층을 연결하는 도전성 연결층을 형성하는 과정과; 도전성 연결층이 형성되면 단자증가형 금속부재의 메인전극층에 제1리드단자를 연결시키고 제1 및 제2전극인출부에 각각 제2리드단자를 선택적으로 연결시키는 과정과; 제1 및 제2리드단자가 연결되면 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2리드단자가 외부로 노출되도록 단자증가형 금속부재를 밀봉부재로 밀봉시키는 과정으로 구성됨을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a metal capacitor of the present invention, a groove forming part in which a plurality of grooves are arranged on both sides of a member by using a direct current (DC) etching method is formed so that the first and second electrode drawing parts are integrally formed on one side and the other side. Forming a terminal increase-type metal member; Forming a metal oxide layer on the terminal increase-type metal member by using an anodizing method when the groove forming portion and the first and second electrode withdrawing portions are integrally formed on the terminal increase-type metal member; Forming a plurality of seed electrode layers in the groove forming portion so as to penetrate the metal oxide layer by using an electrolytic plating or an electroless plating method when the metal oxide layer is formed; When a plurality of seed electrode layers are formed, forming a plurality of main electrode layers so that a plurality of grooves formed in the groove forming portion of the terminal increase-type metal member are buried through the plurality of seed electrode layers by electrolytic plating or electroless plating; ; When a plurality of main electrode layers are formed, an insulating layer is formed on the plurality of main electrode layers and the terminal increase-type metal member to expose the first and second electrode lead portions of the terminal increase-type metal member to the outside by using a chemical vapor deposition (CVD) method. Process of doing; Forming a plurality of main electrode layers and a conductive connection layer connecting the plurality of main electrode layers to the insulating layer so as to be orthogonal to the first and second electrode drawing portions of the terminal increase-type metal member when the insulating layer is formed; Connecting the first lead terminal to the main electrode layer of the terminal increase-type metal member and selectively connecting the second lead terminal to the first and second electrode lead-out portions, respectively, when the conductive connection layer is formed; When the first and the second lead terminal is connected, it characterized in that it comprises a process of sealing the terminal increase-type metal member with a sealing member so that the first and second lead terminal of the terminal increase-type metal member is exposed to the outside.
본 발명의 금속 커패시터는 전해질로 금속재질을 적용함으로써 종래의 전해질로 전해액이나 유기반도체를 사용하는 것에 비해 전기 전도도를 10,000 ∼ 1,000,000배 개선시킬 수 있고, 직렬 적층하여 고전압화가 가능하며, 무극성으로 조립 시 방향성이 없어 안전성이 높으며, 소형화, 저손실화, 저ESR(Equivalent Series Resistance), 저임피이던스(impedance)화, 내열안정성, 비발연, 비발화 및 내환경성을 개선시킬 수 있는 이점을 제공한다. The metal capacitor of the present invention can improve the electrical conductivity by 10,000 to 1,000,000 times compared to using an electrolyte or an organic semiconductor as a conventional electrolyte by applying a metal material as an electrolyte, it is possible to increase the high voltage by stacking in series, non-polar It has high safety due to no directionality and offers the advantages of miniaturization, low loss, low ESR (Equivalent Series Resistance), low impedance, low thermal stability, non-smoke, non-ignition and environmental resistance.
(실시예1)Example 1
본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the configuration of the metal capacitor according to the first embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings as follows.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 금속 커패시터의 A1-A2선 전단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 금속 커패시터의 B1-B2선 전단면도이다. 도시된 바와 같이 본 발명의 금속 커패시터(10)는 단자증가형 금속부재(11), 금속산화층(12), 다수개의 시드전극층(13), 다수개의 메인전극층(14), 절연층(15), 다수개의 도전성 연결층(16), 제1리드단자(21), 제2리드단자(22) 및 밀봉부재(30)로 구성되며, 각각의 구성을 순차적으로 설명하면 다음과 같다.1 is a perspective view of a metal capacitor according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A1-A2 of the metal capacitor shown in FIG. 1, and FIG. 3 is B1- of the metal capacitor shown in FIG. B2 line shear cross-sectional view. As shown, the
단자증가형 금속부재(11)는 도 4b에 도시된 바와 같이 양면에 각각 다수개의 홈(11d)이 배열되어 형성되는 홈형성부(11a)와, 홈형성부(11a)의 일측과 타측에 각 각 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)를 갖도록 형성되어 단자수를 증가시켜 3단자의 전극을 연결할 수 있도록 하며, 홈형성부(11a)에 형성되는 다수개의 홈(11d)은 원형이나 다각형으로 형성된다. 다수개의 홈(11d)이 형성되는 단자증가형 금속부재(11)는 홈형성부(11a)와 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)가 일체로 형성되며, 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 티탄늄(Ti) 및 지르코늄(Zr)중 하나가 적용된다.As shown in FIG. 4B, the terminal increase-
금속산화층(12)은 단자증가형 금속부재(11)의 표면에 형성되며, 알루미나(Al2O3), 산화 니오븀(Nb2O5), 일산화 니오븀(NbO), 산화 탄탈(Ta2O5), 산화 티탄늄(TiO2) 및 산화 지르코늄(ZrO2)중 하나가 적용된다. 금속산화층(12)은 단자증가형 금속부재(11)의 상/하 양면과 측면(11e)에 형성된다. The
다수개의 시드전극층(13)은 단자증가형 금속부재(11)의 홈형성부(11a)의 양면에 형성된 금속산화층(12)에 각각 형성되며, 다수개의 메인전극층(14)은 단자증가형 금속부재(11)의 홈형성부(11a)에 형성되는 다수개의 홈(11d)이 채워지도록 홈형성부(11a)의 양면에 형성된 시드전극층(13)에 각각 형성된다. The plurality of
절연층(15)은 단자증가형 금속부재(11)의 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)가 외부로 노출되도록 단자증가형 금속부재(11)의 측면(11e)을 따라 다수개의 메인전극층(14)과 단자증가형 금속부재(11)에 형성된다. 즉, 절연층(15)은 단자증가형 금속부재(11)의 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)를 제외한 나머지 측면(11e)에 형성된다.The insulating
다수개의 도전성 연결층(16)은 단자증가형 금속부재(11)의 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)와 직교되도록 다수개의 메인전극층(14)과 절연층(15)에 형성되어 다수개의 메인전극층(14)을 연결한다. 다수개의 메인전극층(14)을 연결하기 위해 다수개의 도전성 연결층(16)은 서로 대향되도록 형성되는 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)와 직교되도록 다수개의 메인전극층(14)과 절연층(15)에 형성되어 다수개의 메인전극층(14)이 서로 전기적으로 연결되도록 한다. 도전성 연결층(16)에 의해 전기적으로 연결되는 다수개의 메인전극층(14), 시드전극층(13) 및 도전성 연결층(16)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 코발트(Co), 루테늄(Ru) 및 금(Au)중 하나가 적용된다.The plurality of
제1리드단자(21)는 단자증가형 금속부재(11)의 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)에 선택적으로 연결된다. 예를 들어 제1리드단자(21)는 단자증가형 금속부재(11)의 제1전극인출부(11b)에 연결하거나 단자증가형 금속부재(11)의 제2전극인출부(11c)에 연결할 수 있다. 제2리드단자(22)는 단자증가형 금속부재(11)의 메인전극층(14)에 연결하여 무극성을 갖는 금속 커패시터(10)를 구성하게 된다. The
다수개의 메인전극층(14)중 하나에 연결되는 제2리드단자(22)는 접착력을 개선시키기 위해 도전성 접착층(17)이 더 구비되며, 도전성 접착층(17)은 다수개의 메인전극층(14)중 제2리드단자(22)가 연결되는 메인전극층(14)에 설치된다. 밀봉부재(30)는 제1 및 제2리드단자(21,22)가 연결된 단자증가형 금속부재(11)를 제1 및 제2리드단자(21,22)가 외부로 노출되도록 밀봉시키기 위해 설치되며, 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재가 적용된다.The
상기 구성을 갖는 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터(10)의 제조방법을 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.The manufacturing method of the
본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터(10)의 제조방법은 먼저 도 4a에 도시된 금속재질의 막이나 포일(foil)과 같은 부재(1)가 준비되면 DC 식각 방법을 이용하여 부재(1)의 양면에 각각 다수개의 홈(11d)이 배열되는 홈형성부(11a)를 형성하여 일측과 타측에 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)가 일체로 형성되는 단자증가형 금속부재를 형성한다. 단자증가형 금속부재(11)에 형성되는 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)는 각각 제2리드단자(22)를 선택적으로 연결시켜 유극성을 갖는 금속 커패시터를 구성하는 경우에 3단자를 갖도록 구성하기 위함이나 무극성인 경우에도 2단자를 갖는 금속 커패시터로도 구성할 수 있도록 하기 위함이다. 이러한 단자증가형 금속부재(11)의 홈형성부(11a)에 형성되는 다수개의 홈(11d)은 원형이나 다각형으로 형성되고, 지름이 1㎚ 내지 100㎛가 되도록 형성되며, 깊이는 속부재(11)의 두께가 1이라고 하는 경우에 0.5 이하가 되도록 형성된다. 예를 들어 금속부재(11)의 두께가 300㎛라면 150㎛ 이하가 되도록 형성된다.In the manufacturing method of the
단자증가형 금속부재(11)에 홈형성부(11a)와 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)가 일체로 형성되면 도 4c에 도시된 바와 같이 양극산화방법을 이용하여 단자증가형 금속부재(11)에 금속산화층(12)을 형성하는 화성과정을 실시한다. 금속산화층(12)이 형성되면 도 4d에 도시된 것과 같이 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 금속산화층(12)에 침투되도록 홈형성부(11a)에 다수개의 시드전극층(13)을 형성한다. 다수개의 시드전극층(13)이 형성되면 도 4e에 도시된 것과 같이 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 다수개의 시드전극층(13)을 매개로 단자증가형 금속부재(11)의 홈형성부(11a)에 형성된 다수개의 홈(11d)이 매몰되도록 다수개의 메인전극층(14)을 형성한다. When the
다수개의 메인전극층(14)이 형성되면 도 4f에 도시된 바와 같이 CVD 방법을 이용하여 단자증가형 금속부재(11)의 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)가 외부로 노출되도록 단자증가형 금속부재(11)의 측면(11e: 도 1에 도시됨)을 따라 다수개의 메인전극층(14)과 단자증가형 금속부재(11)의 측면(11e)에 절연층(15)을 형성하여 비관통형 금속부재(10a)를 형성한다. 절연층(15)이 형성되면 도 4g에 도시된 바와 같이 단자증가형 금속부재(11)의 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)와 직교되는 방향의 단자증가형 금속부재(11)의 측면(11e)에 다수개의 메인전극층(14)을 연결하는 도전성 연결층(16)을 형성한다. When the plurality of main electrode layers 14 are formed, the terminals are exposed so that the first and second
도전성 연결층(16)이 형성되면 도 3에 도시된 바와 같이 단자증가형 금속부재(11)의 메인전극층(14)에 제1리드단자(21)를 연결시키고 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)에 각각 제2리드단자(22)를 선택적으로 연결시킨다. 예를 들어, 1 및 제2전극인출부(11b,11c)에 각각 제2리드단자(22)를 선택적으로 연결시켜 유극성을 갖는 금속 커패시터를 구성하는 경우에 3단자를 갖도록 구성할 수 있으나, 무극성인 경우에도 2단자를 갖는 금속 커패시터로도 구성할 수 있다. When the
도전성 연결층(16)을 형성하는 과정과 제1 및 제2리드단자(21,22)를 연결시키는 과정 사이에는 제1 및 제2리드단자(21,22)의 접착력을 개선하기 위해 제2리드 단자(22)가 연결되는 메인전극층(14)에 도전성 접착층(17)을 형성하며, 도전성 접착층(17)은 금속 접착제이나 솔더 페이스트를 도포하는 방법, 전해 도금방법 및 무전해 도금방법중 하나가 적용된다.Between the process of forming the
제1 및 제2리드단자(21,22)가 연결되면 도 3에 도시된 바와 같이 단자증가형 금속부재(11)의 제1 및 제2리드단자(21,22)가 외부로 노출되도록 단자증가형 금속부재(11)를 밀봉부재(30)로 밀봉시키며, 단자증가형 금속부재(11)를 밀봉부재(30)로 밀봉시키는 과정은 단자증가형 금속부재(11)를 밀봉 시 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재로 밀봉한다.When the first and
(실시예2)Example 2
본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터(10)를 구성하는 비관통형 금속부재(10a)를 이용한 무극성을 갖는 금속 커패시터(110)를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.The
본 발명의 제2실시예에 따른 금속 커패시터(110)는 도 5에 도시된 바와 같이 다수개의 비관통형 금속부재(10a), 도전성 접착층(17), 제3리드단자(23), 제4리드단자(24) 및 밀봉부재(30)로 구성되며, 각각의 구성을 순차적으로 설명하면 다음과 같다.As shown in FIG. 5, the
다수개의 비관통형 금속부재(10a)는 각각 단자증가형 금속부재(11), 금속산화층(12), 다수개의 시드전극층(13), 다수개의 메인전극층(14), 절연층(15) 및 다수개의 도전성 연결층(16)으로 이루어지며, 각각의 구성은 금속 커패시터(10)와 동일하므로 상세한 설명을 생략하였다. 이러한 구성을 갖는 다수개의 비관통형 금속 부재(10a)는 각각 순차적으로 적층된다. 도전성 접착층(17)은 다수개의 비관통형 금속부재(10a)의 메인전극층(14) 사이에 각각 설치되어 다수개의 비관통형 금속부재(10a)를 접착시킨다. The plurality of
제3리드단자(23)는 적층된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)중 홀수번째 위치한 다수개의 비관통형 전해부재(10a)의 제1전극인출부(11b)에 각각 연결된다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 적층된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)중 가장 상측에 위치한 비관통형 금속부재(10a)가 첫 번째 비관통형 금속부재(10a)라 하고, 그 하측에 위치한 비관통형 금속부재(10a)를 두 번째 위치한다고 가정하면 제3리드단자(23)는 첫 번째나 세 번째와 같은 홀수번째 위치한 비관통형 금속부재(10a)의 제1전극인출부(11b)에 각각 연결된다. 반대로, 제4리드단자(24)는 적층된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)중 짝수번째 위치한 비관통형 금속부재(10a)의 제2전극인출부(11c)에 각각 연결시켜 무극성을 갖는 금속 커패시터(110)를 구성한다. 즉, 동일한 극성을 갖는 금속산화층(12)이 형성되는 단자증가형 금속부재(11)의 제1전극인출부(11b) 및 제2전극인출부(11c)에 각각 제3리드단자(23) 및 제4리드단자(24)가 연결되므로 인해 금속 커패시터(110)는 무극성을 갖도록 구성된다. The
밀봉부재(30)는 제3 및 제4리드단자(23,24)가 연결된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)를 제3 및 제4리드단자(23,24)가 외부로 노출되도록 밀봉시켜 무극성을 갖는 금속 커패시터(110)를 구성하여 내부에 적층된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)를 보호하게 된다. The sealing
(실시예3)Example 3
본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터(10)를 구성하는 비관통형 금속부재(10a)를 이용한 본 발명의 제3실시예에 따른 금속 커패시터(120)를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the
도 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 제3실시예에 따른 금속 커패시터(120)는 3단자를 갖는 금속 커패시터(120)로 다수개의 비관통형 금속부재(10a), 도전성 접착층(17), 제1극성 리드단자(25), 제2극성 리드단자(26) 및 제3극성 리드단자(27)로 구성되며, 각각의 구성을 순차적으로 설명하면 다음과 같다.As shown in FIG. 6, the
다수개의 비관통형 금속부재(10a)는 단자증가형 금속부재(11), 금속산화층(12), 다수개의 시드전극층(13), 다수개의 메인전극층(14), 절연층(15) 및 다수개의 도전성 연결층(16)으로 이루어지며, 각각의 구성은 금속 커패시터(10)와 동일하므로 상세한 설명을 생략하였다. 이러한 구성을 갖는 다수개의 비관통형 금속부재(10a)는 각각 순차적으로 적층되며, 도전성 접착층(17)은 다수개의 비관통형 금속부재(10a)의 메인전극층(14) 사이에 각각 설치되어 다수개의 비관통형 금속부재(10a)를 접착시킨다. The plurality of
제1극성 리드단자(25)는 적층된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)의 제1전극인출부(11b)에 각각 연결되며, 제2극성 리드단자(26)는 비관통형 금속부재(10a)중 하나의 메인전극층(14)에 연결된다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이 제2극성 리드단자(26)는 적층된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)중 가장 하측에 위치한 다수개의 메인전극층(14)중 하측에 위치한 메인전극층(14)에 연결된다. 메인전극층(14)에 연결되는 제2극성 리드단자(26)의 접착력을 개선하기 위해 다수개의 비관통형 금속부 재(10a)중 하나의 메인전극층(14)에 도전성 접착층(17)이 형성된다.The first
제3극성 리드단자(27)는 적층된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)의 제2전극인출부(11c)에 각각 연결되어 금속 커패시터(120)를 3단자로 구성할 수 있다. 3단자로 이루어지는 제1 내지 제3유극성 단자(25,26,27)중 제1극성 리드단자(25)와 제3극성 리드단자(27)는 각각 양극박으로 작용하도록 금속산화층(12)이 형성된 단자증가형 금속부재(11)의 제1전극인출부(11b) 및 제1전극인출부(11c)에 각각 연결되므로 인해 애노드(anode) 전극으로 사용되며, 제2극성 리드단자(26)는 음극박으로 작용하도록 금속산화층(12)을 형성하지 않은 메인전극층(14)에 연결되므로 인해 캐소드(cathode) 전극으로 사용되어 금속 커패시터(120)가 유극성을 갖도록 구성된다. The third
제1전극인출부(11b) 및 제1전극인출부(11c)가 구비되는 단자증가형 금속부재(11)는 음극박으로 작용하도록 적용할 수 있다. 금속부재(11)가 음극박으로 작용하는 경우에 메인전극층(14)은 양극박으로 작용한다. 따라서, 제1극성 리드단자(25)와 제3극성 리드단자(27)는 제2유극성단자(26)가 캐소드 전극으로 적용되는 경우에 각각 애노드 전극으로 적용되며, 제2극성 리드단자(26)가 애노드 전극으로 적용되는 경우에 각각 캐소드전극으로 적용된다. 또한, 제2극성 리드단자(26)는 제1극성 리드단자(25)와 제3극성 리드단자(27)가 각각 캐소드 전극으로 적용되는 경우에 애노드 전극으로 적용되며, 제1극성 리드단자(25)와 제3극성 리드단자(27)가 각각 애노드 전극으로 적용되는 경우에 캐소드전극으로 적용된다.The terminal increase-
밀봉부재(30)는 제1 내지 제3극성 리드단자(25,26,27)가 연결된 다수개의 비 관통형 금속부재(10a)를 제1 내지 제3극성 리드단자(25,26,27)가 외부로 노출되도록 밀봉시켜 적층된 다수개의 비관통형 금속부재(10a)보호할 수 있도록 한다. 이와 같이 본 발명의 비관통형 금속커패시터는 금속재질을 사용하므로써 고전압이 가능해지고, 내열안전성, 내환경성을 개선시킬 수 있으므로 음극 형성이 필요 없어 커패시터의 얇게 제조할 수 있으며, 층간 접촉저항이 발생되지 않아 임피던스 특성을 개선시킬 수 있게 된다. The sealing
본 발명의 금속 커패시터는 전원회로의 평활회로, 노이즈 필터나 바이패스 커패시터등에 적용할 수 있다.The metal capacitor of the present invention can be applied to a smoothing circuit of a power supply circuit, a noise filter, a bypass capacitor, and the like.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터의 사시도,1 is a perspective view of a metal capacitor according to a first embodiment of the present invention;
도 2는 도 1에 도시된 금속 커패시터의 A1-A2선 전단면도,2 is a cross-sectional view taken along line A1-A2 of the metal capacitor shown in FIG. 1;
도 3은 도 1에 도시된 금속 커패시터의 B1-B2선 전단면도,3 is a cross-sectional view taken along line B1-B2 of the metal capacitor shown in FIG. 1;
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 커패시터의 제조과정을 나타낸 도,4A to 4H are views illustrating a manufacturing process of a metal capacitor according to a first embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 금속 커패시터의 단면도,5 is a cross-sectional view of a metal capacitor according to a second embodiment of the present invention;
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 금속 커패시터의 단면도.6 is a cross-sectional view of a metal capacitor according to a third embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10,110,120: 금속 커패시터 10a: 비관통형 금속부재10,110,120:
11: 단자증가형 금속부재 11a: 홈형성부11: terminal increase-
11b: 제1전극인출부 11c: 제2전극인출부11b: first
12: 금속산화층 13: 시드전극층12: metal oxide layer 13: seed electrode layer
14: 메인전극층 15: 절연층 14: main electrode layer 15: insulating layer
16: 도전성 연결층 17: 도전성 접착층 16: conductive connection layer 17: conductive adhesive layer
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