KR20090035108A - Chuck cleanning apparatus and method, and substrate treatment apparatus and method including the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 반도체 기판을 이송하는 이송 장치의 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 척 세정 장치 및 방법, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 척 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly to a chuck cleaning device and method for removing a cleaning liquid remaining on a surface of a chuck of a transfer device for transferring a semiconductor substrate, and a substrate processing device having the same and a chuck cleaning method thereof. It is about.
일반적으로 반도체 제조 공정을 처리하는 기판 처리 장치는 각 단위 공정의 전후에 약액(chemical) 또는 순수(DIW) 등을 이용하여 반도체 기판(예를 들어, 웨이퍼)의 표면에 대한 세정 공정을 실시한다.Generally, the substrate processing apparatus which processes a semiconductor manufacturing process performs the cleaning process with respect to the surface of a semiconductor substrate (for example, wafer) using chemical or pure water (DIW) etc. before and after each unit process.
이러한 기판 처리 장치는 세정 및 식각 공정을 처리하기 위하여 복수 개의 처리조들을 구비하고, 각각의 처리조에서 세정 또는 식각 공정을 처리한다. 예를 들어, 처리조는 약액이 저장되어 투입된 웨이퍼를 식각하는 약액조와, 식각된 웨이퍼를 세척하도록 세정액이 담겨진 세정조와, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 세정액을 제거하는 건조조 등을 포함하며, 이러한 처리조들 사이를 순차적으로 이동하여 웨 이퍼를 이송시키는 이송 장치가 구비된다. 이러한 이송 장치는 웨이퍼를 홀딩(holding)하는 슬롯(slot)이 형성된 척(chuck)이 각 공정이 진행되는 동안 각각의 처리조에 웨이퍼와 함께 담그어지는데, 이 때 척과 슬롯에 불순물이 묻게되어 척을 주기적으로 세정한다.Such a substrate processing apparatus includes a plurality of processing tanks for processing a cleaning and etching process, and processes the cleaning or etching process in each processing tank. For example, the treatment tank includes a chemical liquid tank for etching a wafer into which the chemical liquid is stored, a cleaning tank containing a cleaning liquid to clean the etched wafer, a drying tank for removing the cleaning liquid remaining on the surface of the wafer, and the like. There is provided a conveying device for conveying the wafer by sequentially moving between them. Such a transfer device has a chuck formed with a slot for holding a wafer soaked together with the wafer in a respective treatment tank during each process, where impurities are deposited in the chuck and the slot to periodically chuck the chuck. Wash with.
이러한 척을 세정하는 장치로 본 발명의 동일 출원인에 의해 특허 출원 등록된 기술들 예컨대, 특허 등록번호 제10-0321546호(공고일 : 2002년 1월 23일)의 '이송 로봇의 척 세정 방법 및 장치'와, 동 등록번호 제10-0543506호(공고일 : 2006년 1월 20일)의 '척 세정 장치 및 세정 방법" 등이 이미 공개되어 있다.As a device for cleaning such a chuck, a technology and a patent application registered by the same applicant of the present invention, for example, Patent Registration No. 10-0321546 (notice date: January 23, 2002) 'the method and apparatus for cleaning the chuck of the transfer robot And the chuck cleaning device and the cleaning method of the registration number 10-0543506 (announced: January 20, 2006) are already disclosed.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(2)는 이송 장치(10)의 척(12)에 잔존하는 세정액을 제거하기 위해 척 세정 장치(20)가 구비된다. 척 세정 장치(20)는 가스 분사 장치로, 복수 개의 가스 노즐(22)들이 척(12)의 양측에 배치되어 척의 표면으로 가스를 분사한다.Referring to FIG. 1, the
즉, 기판 처리 장치(2)는 이송 장치(10)를 처리조(4) 내부로 하강하는 것에 의해 척(12)을 세정액(6)이 담겨진 처리조(4) 내부로 투입하고, 척(12)의 표면에 묻어있는 불순물을 제거한다. 이어서 기판 처리 장치(2)는 이송 장치(10)에 의해 세정된 척(12)을 처리조(4) 상부로 이동시킨다. 이 때, 척(12)이 처리조(4) 상부로 이동하는 도중에, 척(12)의 양측에서 복수 개의 가스 노즐(22)들로부터 척(12)의 표면으로 가스를 분사하여 척(12)에 잔존하는 세정액을 제거한다.That is, the
이러한 척 세정 장치(20)는 연속적으로 일정하게 가스를 분사하기 위하여 가스 노즐(22)들로 가스를 공급하는 초기 압력을 높게 설정한다. 그러나 가스 노즐(22)들의 출구가 항상 열려있기 때문에, 분사 압력이 저하되어 척(12)의 표면에 묻어 있는 세정액을 완벽하게 제거하지 못한다. 예를 들어, 초기 압력을 약 7 ㎏/f 정도로 설정하면, 가스 노즐(22)의 출구가 항상 개방되어 있으므로, 일정 시간이 경가되면, 가스의 압력은 약 5 ㎏/f 정도로 초기 압력에 비해 현저하게 떨어진다.The
따라서, 세정액을 제거하는 효율이 저하되며, 그 결과, 척(12)의 표면에 세정액이 남아 있는 상태에서, 이송 장치(10)의 척(12)이 웨이퍼를 척킹하여 다른 처리조(미도시됨)로 웨이퍼를 반송하게 되면, 척(12)에 남아 있는 세정액이 웨이퍼와 그 주변을 오염시켜서 후속 공정에서의 웨이퍼 및 설비를 오염시키는 원인이 된다.Therefore, the efficiency of removing the cleaning liquid is lowered, and as a result, the
본 발명의 목적은 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하기 위한 척 세정 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a chuck cleaning device and method for removing the cleaning liquid remaining on the surface of a chuck.
본 발명의 다른 목적은 척의 세정 효율을 향상시키기 위한 척 세정 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a chuck cleaning device and a method for improving the cleaning efficiency of the chuck.
본 발명의 또 다른 목적은 척의 세정 효율을 향상시키기 위한 척 세정 장치를 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 척 세정 방법을 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a chuck cleaning device for improving the cleaning efficiency of the chuck and a chuck cleaning method thereof.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 척 세정 장치는 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 척 세정 장치는 가스의 공급 압력을 불연속적으로 조절하여 높은 초기 압력으로 유지하므로 척의 표면에 잔존하는 세정액을 효율적으로 제거 가능하다.In order to achieve the above objects, the chuck cleaning apparatus of the present invention is characterized by discontinuously regulating the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles. As such, the chuck cleaning device discontinuously adjusts the supply pressure of the gas to maintain the initial pressure at a high initial pressure, thereby efficiently removing the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck.
이 특징에 따른 본 발명의 척 세정 장치는, 세정액이 저장되는 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동하고, 반도체 기판을 척킹하는 척과; 상기 척의 상하로 이동되는 경로의 양측에 배치되어 상기 척으로 가스를 분사하여 상기 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 복수 개의 가스 노즐들과; 상기 가스 노즐으로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부 및; 상기 압력 조절부를 제어하여 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어 상기 조절된 가스의 압력이 상기 초기 압력으로 유지되도록 불연속되게 하는 제어부를 포함 한다.A chuck cleaning apparatus of the present invention according to this aspect includes a chuck that moves up and down between an upper portion of a treatment tank in which a cleaning liquid is stored and an inside of the treatment tank, and chucks the semiconductor substrate; A plurality of gas nozzles disposed on both sides of a path moving up and down of the chuck to inject gas into the chuck to remove the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck; A pressure regulator which controls a pressure of a gas supplied to the gas nozzle; And controlling the pressure adjusting unit to adjust the pressure of the gas to an initial pressure and discontinuously to maintain the initial pressure at a predetermined time after the predetermined time elapses.
한 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 가스 노즐들이 가스를 순간적으로 분사 및 정지되는 동작을 반복하도록 상기 압력 조절부를 제어한다.In one embodiment, the control unit; The pressure control unit controls the gas nozzles to repeat the operation of momentarily injecting and stopping the gas.
다른 실시예에 있어서, 척 세정 장치는 상기 척을 상하로 이동시키는 구동부를 더 포함하되; 상기 제어부는 상기 척의 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절하도록 상기 구동부 및 상기 압력 조절부를 동시에 제어한다.In another embodiment, the chuck cleaning device further comprises a drive for moving the chuck up and down; The control unit simultaneously controls the drive unit and the pressure control unit to adjust the pressure of the gas in response to the moving speed of the chuck.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하여 척의 세정액을 제거하는 척 세정 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 척으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속되게 조절하여 가스를 공급한다.According to another feature of the invention, there is provided a chuck cleaning method for removing the cleaning liquid of the chuck by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles. According to this method, the gas is supplied by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles injecting the gas into the chuck.
한 실시예에 있어서, 상기 가스의 압력을 불연속되게 조절하는 것은; 상기 가스 노즐들이 가스를 순간적으로 분사 및 정지되는 동작을 반복한다.In one embodiment, adjusting the pressure of the gas discontinuously; The gas nozzles repeat the operation of momentarily injecting and stopping the gas.
다른 실시예에 있어서, 상기 척 세정 방법은; 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 초기 압력을 조절하고, 일정 시간이 경과되면, 상기 초기 압력을 유지하도록 가스를 순간적으로 공급 및 차단시켜서 상기 가스 노즐들로부터 상기 척으로 가스를 분사 및 정지시키는 동작을 반복한다.In another embodiment, the chuck cleaning method; Adjusting the initial pressure of the gas supplied to the gas nozzles, and when a predetermined time elapses, supplying and shutting off the gas to maintain the initial pressure to inject and stop the gas from the gas nozzles to the chuck Repeat.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 척 세정 장치를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 기판 처리 장치는 처리조 상부와 처리조 내부 사이를 상하로 이동하는 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 효율이 향상될 수 있다.According to still another feature of the present invention, a substrate processing apparatus having a chuck cleaning device is provided. Such a substrate processing apparatus of the present invention can improve the efficiency of removing the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck to move up and down between the upper portion of the treatment tank and the inside of the treatment tank.
이 특징에 따른 본 발명의 기판 처리 장치는, 세정액이 저장되는 처리조와; 상기 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동하고, 반도체 기판을 척킹하는 척이 구비되는 이송 장치와; 상기 척의 상하로 이동되는 경로의 양측에 배치되어 상기 척으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐들을 구비하고, 상기 가스 노즐들로부터 상기 척으로 가스를 분사하여 상기 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 척 세정 장치 및; 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력이 불연속적으로 조절되도록 상기 척 세정 장치를 제어하는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus of the present invention according to this aspect includes a processing tank in which a cleaning liquid is stored; A transfer device which moves up and down between the upper portion of the processing tank and the inside of the processing tank and is provided with a chuck for chucking a semiconductor substrate; A chuck having a plurality of gas nozzles disposed on both sides of a path moving up and down of the chuck, for injecting gas into the chuck, and injecting gas from the gas nozzles to the chuck to remove the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck Cleaning apparatus; And a control unit for controlling the chuck cleaning device to adjust the pressure of the gas supplied to the gas nozzles discontinuously.
한 실시예에 있어서, 상기 척 세정 장치는; 상기 가스 노즐들과, 상기 이송 장치를 상기 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동시키는 구동부 및, 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부를 포함하되, 상기 제어부는 상기 구동부와 상기 압력 조절부를 제어하여 상기 척의 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 상기 조절된 가스의 압력이 상기 초기 압력으로 유지되도록 불연속되게 한다.In one embodiment, the chuck cleaning device; The gas nozzles, a driving unit for moving the transfer device between the upper portion of the processing tank and the inside of the processing tank up and down, and a pressure adjusting unit for adjusting the pressure of the gas supplied to the gas nozzles, The driving unit and the pressure adjusting unit are controlled to adjust the pressure of the gas to the initial pressure in response to the moving speed of the chuck, and to discontinuously maintain the pressure of the regulated gas at the initial pressure.
다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 가스 노즐들이 가스를 순간적으로 분사 및 정지되는 동작을 반복하도록 상기 압력 조절부를 제어한다.In another embodiment, the control unit; The pressure control unit controls the gas nozzles to repeat the operation of momentarily injecting and stopping the gas.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 기판 처리 장치의 척 세정 방법이 제공된다. 이 방법에 따르면, 척을 구비하는 이송 장치를 처리조 상부로부터 세정액이 저장된 상기 처리조 내부로 이동한다. 상기 척을 상기 세정액을 이용하여 세정한다. 상기 척이 상기 처리조 내부로부터 상기 처리조 상부로 이동되도록 일정 이동 속도로 상기 이송 장치를 상기 처리조 상부로 이동한다. 이어서 상기 이송 장치가 상부 로 이동될 때, 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하여 상기 척으로 가스를 분사한다.According to still another feature of the present invention, a chuck cleaning method of a substrate processing apparatus is provided. According to this method, the conveying apparatus provided with the chuck is moved from the upper part of a processing tank into the said processing tank in which the washing | cleaning liquid was stored. The chuck is cleaned using the cleaning liquid. The transfer device is moved to the upper portion of the treatment tank at a constant moving speed so that the chuck is moved from the inside of the treatment tank to the upper portion of the treatment tank. Subsequently, when the transfer device is moved upward, the gas is injected into the chuck by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles.
한 실시예에 있어서, 상기 가스의 압력을 불연속적으로 조절하는 것은; 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어 상기 초기 압력을 유지하도록 가스의 압력을 불연속되게 한다.In one embodiment, discontinuously adjusting the pressure of the gas; The pressure of the gas is adjusted to the initial pressure and the pressure of the gas is discontinuous to maintain the initial pressure after a certain time.
다른 실시예에 있어서, 상기 척으로 가스를 분사하는 것은; 상기 이송 장치가 상기 처리조 상부로 이동되는 상기 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절한다.In another embodiment, injecting gas into the chuck; The conveying device adjusts the pressure of the gas in response to the moving speed of moving to the upper portion of the treatment tank.
상술한 바와 같이, 본 발명의 척 세정 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절함으로써, 척의 표면에 잔존하는 세정액을 완전하게 제거할 수 있다.As described above, the chuck cleaning apparatus and the substrate processing apparatus including the same of the present invention can completely remove the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles. .
그 결과, 기판 처리 장치는 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 효율을 향상시킴으로써, 후속 공정에서의 공정 사고를 예방한다.As a result, the substrate processing apparatus improves the efficiency of removing the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck, thereby preventing process accidents in subsequent steps.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.
이하 첨부된 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 세정 공정, 식각 공정을 처리하는 반도체 제조 설비로, 도면에는 도시되지 않았지만, 예컨대, 식각 공정을 처리하는 약액조, 기판 또는 척을 세정하는 세정조, 세정된 기판을 건조시키는 건조조 등을 포함하는 복수 개의 처리조들을 구비한다. 또 기판 처리 장치(100)는 척(112)의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하기 위하여 본 발명에 따른 척 세정 장치(102, 114, 120, 124)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the
구체적으로 기판 처리 장치(100)는 세정액(106)이 저장되는 처리조(104)와, 처리조(104)의 상부와 내부 사이를 상하로 이동하고, 반도체 기판을 척킹하는 척(112)을 구비하는 이송 장치(110)와, 이송 장치(110)를 상하로 이동시키는 구동부(114)와, 이송 장치(110)가 상하로 이동 시, 척(112)이 이동되는 경로의 양측에 배치되어 척(112)으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐(122)들을 구비하는 가스 분사 장치(120)와, 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부(124) 및, 압력 조절부(124)를 제어하여 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어 조절된 가스의 압력이 초기 압력으로 유지되도록 불연속되게 하는 제어부(102)를 포함한다.Specifically, the
처리조(104)는 예컨대, 척(112)을 세정하는 세정조로 세정액(106)이 저장된다. 또 처리조(104)는 척(112 : 112a, 112b)의 위치에 대응하여 중앙에 격벽(108)이 설치된다.The
이송 장치(110)는 반도체 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 홀딩하기 위하여 제 1 및 제 2의 척(112a, 112b)이 구비되고, 구동부(114)에 의해 처리조(104) 상부와 처리조(104) 내부 사이를 상하로 이동한다.The
구동부(114)는 제어부(102)의 제어를 받아서 일정 이동 속도를 유지하여 이송 장치(110)를 구동한다.The
압력 조절부(124)는 가스 예를 들어, 질소 가스(N2)를 공급받아서 가스 노즐들로 공급하는 솔레노이드 밸브 등으로 구비되고, 제어부(102)의 제어를 받아서 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 조절한다. 즉, 압력 조절부(124)는 가스 노즐들로부터 분사되는 가스가 일정한 압력(예를 들어, 약 7 ㎏/f 정도)을 유지하도록 일정 압력보다 높게 초기 압력을 설정한다. 따라서 압력 조절부(124)는 일정 시간이 경과되면, 일정 압력을 유지하여 가스 노즐(122)들로 가스를 공급한다.The
그리고 제어부(102)는 예컨대, 기판 처리 장치의 제반 동작을 제어하는 컨트롤러, 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC) 및 컴퓨터 등으로 구비되고, 이송 장치(110)를 상하로 이동되도록 구동부(114)를 제어하고, 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 불연속되도록 압력 조절부(124)를 제어한다. 이를 위해, 제어부(102)는 가스 노즐(122)들이 척(112)으로 가스를 순간적으로 분사하고, 정지하는 동작들을 반복하도록 압력 조절부(124)를 제어한다. 따라서 압력 조절부(124)는 가스 공급이 불연속적이 되도록 가스 노즐(122)들로 일정 시간 동안 가스를 공급하고, 다시 일정 시간 동안에 가스 공급을 중지하고, 이러한 동작을 연속적으로 반복한다. 예를 들어, 압력 조절부(124)는 약 1 초 동안은 가스를 분사시키고, 약 0.5 초 동안은 가스 분사를 정지시키며, 이러한 동작을 반복하여 불연속적으로 가스가 분사되게 조절한다.In addition, the
또 제어부(102)는 척(112)의 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절하도록 구동부(114) 및 압력 조절부(124)를 동시에 제어한다.In addition, the
따라서 척 세정 장치(102, 114, 120, 124)는 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 초기 압력을 조절하고, 일정 시간이 경과되면, 초기 압력을 유지하도록 가스를 순간적으로 공급 및 차단시켜서 가스 노즐(122)들로부터 척(112)으로 가스를 분사 및 정지시키는 동작을 반복한다. 그러므로 척 세정 장치(102, 114, 120, 124)는 척(112)으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 불연속되게 조절하여 가스를 공급함으로써, 척(112)의 표면에 잔존하는 세정액을 완전하게 제거할 수 있다.Therefore, the
따라서 발명의 기판 처리 장치(100)는 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거함으로써, 후속 공정에서의 반도체 기판 및 주변 설비의 오염을 방지하여 공정 사고를 예방할 수 있다.Therefore, the
그리고 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 척 세정 수순을 나타내는 흐름도이다.3 is a flowchart showing the chuck cleaning procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 단계 S150에서 이송 장치(110)를 하강하여 척(112)을 처리조(104) 상부로부터 세정액(106)이 저장된 처리조(104) 내부로 이동한다. 단계 S152에서 척(112)을 세정액(106)을 이용하여 세정한다.Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus descends the
단계 S154에서 척(112)이 처리조(104) 내부로부터 처리조(104) 상부로 이동 되도록 구동부(114)를 제어하여 일정 이동 속도로 이송 장치(110)를 처리조(104) 상부로 이동시킨다. 이어서 단계 S156에서 이송 장치(110)가 처리조(104) 상부로 이동될 때, 복수 개의 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하여 척(112)으로 가스를 분사한다. 이 때, 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어도 초기 압력을 유지하도록 일정 시간 동안에 가스 공급 및 차단을 반복 처리하여, 가스 노즐(122)들이 척(112)으로 가스를 순간적으로 분사하고, 정지하는 동작들을 반복하게 한다. 또 척의 이동 속도와 가스의 분사 속도를 최적화하기 위해, 이송 장치(110)가 처리조(104)로 이동되는 일정 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절한다.In step S154, the
이상에서, 본 발명에 따른 척 세정 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, although the configuration and operation of the chuck cleaning apparatus and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention have been shown in accordance with the detailed description and the drawings, these are merely described by way of example and do not depart from the spirit of the present invention. Various changes and modifications are possible within the scope.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리 장치의 척 세정을 위한 구성을 도시한 도면;1 illustrates a configuration for chuck cleaning of a substrate processing apparatus according to the prior art;
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면;2 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 척 세정 수순을 나타내는 흐름도이다.3 is a flowchart showing the chuck cleaning procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 기판 처리 장치 102 : 제어부100: substrate processing apparatus 102: control unit
104 : 처리조 106 : 세정액104: treatment tank 106: washing liquid
108 : 격벽 110 : 이송 장치108: partition 110: transfer device
112 : 척 114 : 구동부112: chuck 114: drive unit
120 : 가스 분사 장치 122 : 가스 노즐120: gas injection device 122: gas nozzle
124 : 압력 조절부124: pressure regulator
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