KR100921520B1 - Chuck cleanning apparatus and method, and substrate treatment apparatus and method including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 척 세정 장치, 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 척 세정 방법에 관한 것이다. 척 세정 장치는 척의 표면으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부와, 가스의 압력을 불연속적이 되도록 압력 조절부를 제어하는 제어부를 구비한다. 또 제어부는 이동 장치의 이동 속도와, 가스 노즐들의 분사 속도가 최적화되도록 구동부 및 압력 조절부를 동시에 제어한다. 따라서 본 발명에 의하면, 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절함으로써, 척의 표면에 잔존하는 세정액의 제거 효율을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a chuck cleaning apparatus, a method, a substrate processing apparatus having the same, and a chuck cleaning method thereof. The chuck cleaning apparatus includes a pressure regulating unit for adjusting a pressure of a gas supplied to a plurality of gas nozzles for injecting gas to the surface of the chuck, and a control unit for controlling the pressure regulating unit so that the pressure of gas is discontinuous. In addition, the control unit simultaneously controls the driving unit and the pressure adjusting unit so that the moving speed of the moving device and the injection speed of the gas nozzles are optimized. Therefore, according to the present invention, by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the gas nozzles, it is possible to improve the removal efficiency of the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck.

기판 처리 장치, 척 세정 장치, 척, 세정액, 가스 노즐, 압력 조절, 불연속 Substrate Processing Equipment, Chuck Cleaning Device, Chuck, Cleaning Liquid, Gas Nozzle, Pressure Control, Discontinuous

Description

척 세정 장치 및 방법 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 척 세정 방법{CHUCK CLEANNING APPARATUS AND METHOD, AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND METHOD INCLUDING THE SAME}CHUCK CLEANNING APPARATUS AND METHOD, AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND METHOD INCLUDING THE SAME

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 반도체 기판을 이송하는 이송 장치의 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 척 세정 장치 및 방법, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 척 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly to a chuck cleaning device and method for removing a cleaning liquid remaining on a surface of a chuck of a transfer device for transferring a semiconductor substrate, and a substrate processing device having the same and a chuck cleaning method thereof. It is about.

일반적으로 반도체 제조 공정을 처리하는 기판 처리 장치는 각 단위 공정의 전후에 약액(chemical) 또는 순수(DIW) 등을 이용하여 반도체 기판(예를 들어, 웨이퍼)의 표면에 대한 세정 공정을 실시한다.Generally, the substrate processing apparatus which processes a semiconductor manufacturing process performs the cleaning process with respect to the surface of a semiconductor substrate (for example, wafer) using chemical or pure water (DIW) etc. before and after each unit process.

이러한 기판 처리 장치는 세정 및 식각 공정을 처리하기 위하여 복수 개의 처리조들을 구비하고, 각각의 처리조에서 세정 또는 식각 공정을 처리한다. 예를 들어, 처리조는 약액이 저장되어 투입된 웨이퍼를 식각하는 약액조와, 식각된 웨이퍼를 세척하도록 세정액이 담겨진 세정조와, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 세정액을 제거하는 건조조 등을 포함하며, 이러한 처리조들 사이를 순차적으로 이동하여 웨 이퍼를 이송시키는 이송 장치가 구비된다. 이러한 이송 장치는 웨이퍼를 홀딩(holding)하는 슬롯(slot)이 형성된 척(chuck)이 각 공정이 진행되는 동안 각각의 처리조에 웨이퍼와 함께 담그어지는데, 이 때 척과 슬롯에 불순물이 묻게되어 척을 주기적으로 세정한다.Such a substrate processing apparatus includes a plurality of processing tanks for processing a cleaning and etching process, and processes the cleaning or etching process in each processing tank. For example, the treatment tank includes a chemical liquid tank for etching a wafer into which the chemical liquid is stored, a cleaning tank containing a cleaning liquid to clean the etched wafer, a drying tank for removing the cleaning liquid remaining on the surface of the wafer, and the like. There is provided a conveying device for conveying the wafer by sequentially moving between them. Such a transfer device has a chuck formed with a slot for holding a wafer soaked together with the wafer in a respective treatment tank during each process, where impurities are deposited in the chuck and the slot to periodically chuck the chuck. Wash with.

이러한 척을 세정하는 장치로 본 발명의 동일 출원인에 의해 특허 출원 등록된 기술들 예컨대, 특허 등록번호 제10-0321546호(공고일 : 2002년 1월 23일)의 '이송 로봇의 척 세정 방법 및 장치'와, 동 등록번호 제10-0543506호(공고일 : 2006년 1월 20일)의 '척 세정 장치 및 세정 방법" 등이 이미 공개되어 있다.As a device for cleaning such a chuck, a technology and a patent application registered by the same applicant of the present invention, for example, Patent Registration No. 10-0321546 (notice date: January 23, 2002) 'the method and apparatus for cleaning the chuck of the transfer robot And the chuck cleaning device and the cleaning method of the registration number 10-0543506 (announced: January 20, 2006) are already disclosed.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(2)는 이송 장치(10)의 척(12)에 잔존하는 세정액을 제거하기 위해 척 세정 장치(20)가 구비된다. 척 세정 장치(20)는 가스 분사 장치로, 복수 개의 가스 노즐(22)들이 척(12)의 양측에 배치되어 척의 표면으로 가스를 분사한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 2 is provided with a chuck cleaning apparatus 20 to remove the cleaning liquid remaining on the chuck 12 of the transfer apparatus 10. The chuck cleaning device 20 is a gas injection device, and a plurality of gas nozzles 22 are disposed on both sides of the chuck 12 to inject gas onto the surface of the chuck.

즉, 기판 처리 장치(2)는 이송 장치(10)를 처리조(4) 내부로 하강하는 것에 의해 척(12)을 세정액(6)이 담겨진 처리조(4) 내부로 투입하고, 척(12)의 표면에 묻어있는 불순물을 제거한다. 이어서 기판 처리 장치(2)는 이송 장치(10)에 의해 세정된 척(12)을 처리조(4) 상부로 이동시킨다. 이 때, 척(12)이 처리조(4) 상부로 이동하는 도중에, 척(12)의 양측에서 복수 개의 가스 노즐(22)들로부터 척(12)의 표면으로 가스를 분사하여 척(12)에 잔존하는 세정액을 제거한다.That is, the substrate processing apparatus 2 lowers the transfer apparatus 10 into the processing tank 4 to inject the chuck 12 into the processing tank 4 in which the cleaning liquid 6 is contained, and the chuck 12 Remove the impurities on the surface of the). Subsequently, the substrate processing apparatus 2 moves the chuck 12 cleaned by the transfer apparatus 10 to the upper portion of the processing tank 4. At this time, during the movement of the chuck 12 to the upper portion of the processing tank 4, the chuck 12 is sprayed with gas from the plurality of gas nozzles 22 to the surface of the chuck 12 on both sides of the chuck 12. Remove the washing solution remaining in the.

이러한 척 세정 장치(20)는 연속적으로 일정하게 가스를 분사하기 위하여 가스 노즐(22)들로 가스를 공급하는 초기 압력을 높게 설정한다. 그러나 가스 노즐(22)들의 출구가 항상 열려있기 때문에, 분사 압력이 저하되어 척(12)의 표면에 묻어 있는 세정액을 완벽하게 제거하지 못한다. 예를 들어, 초기 압력을 약 7 ㎏/f 정도로 설정하면, 가스 노즐(22)의 출구가 항상 개방되어 있으므로, 일정 시간이 경과되면, 가스의 압력은 약 5 ㎏/f 정도로 초기 압력에 비해 현저하게 떨어진다.The chuck cleaning apparatus 20 sets a high initial pressure for supplying gas to the gas nozzles 22 in order to continuously and continuously inject gas. However, since the outlets of the gas nozzles 22 are always open, the injection pressure is lowered to completely remove the cleaning liquid from the surface of the chuck 12. For example, when the initial pressure is set at about 7 kg / f, since the outlet of the gas nozzle 22 is always open, when a predetermined time elapses, the pressure of the gas is remarkable compared to the initial pressure at about 5 kg / f. Falls.

따라서, 세정액을 제거하는 효율이 저하되며, 그 결과, 척(12)의 표면에 세정액이 남아 있는 상태에서, 이송 장치(10)의 척(12)이 웨이퍼를 척킹하여 다른 처리조(미도시됨)로 웨이퍼를 반송하게 되면, 척(12)에 남아 있는 세정액이 웨이퍼와 그 주변을 오염시켜서 후속 공정에서의 웨이퍼 및 설비를 오염시키는 원인이 된다.Therefore, the efficiency of removing the cleaning liquid is lowered, and as a result, the chuck 12 of the transfer device 10 chucks the wafer while the cleaning liquid remains on the surface of the chuck 12, thereby causing another processing tank (not shown). When the wafer is transported to the wafer), the cleaning liquid remaining in the chuck 12 contaminates the wafer and its surroundings, causing contamination of the wafer and equipment in subsequent steps.

본 발명의 목적은 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하기 위한 척 세정 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a chuck cleaning device and method for removing the cleaning liquid remaining on the surface of a chuck.

본 발명의 다른 목적은 척의 세정 효율을 향상시키기 위한 척 세정 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a chuck cleaning device and a method for improving the cleaning efficiency of the chuck.

본 발명의 또 다른 목적은 척의 세정 효율을 향상시키기 위한 척 세정 장치를 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 척 세정 방법을 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a chuck cleaning device for improving the cleaning efficiency of the chuck and a chuck cleaning method thereof.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 척 세정 장치는 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 척 세정 장치는 가스의 공급 압력을 불연속적으로 조절하여 높은 초기 압력으로 유지하므로 척의 표면에 잔존하는 세정액을 효율적으로 제거 가능하다.In order to achieve the above objects, the chuck cleaning apparatus of the present invention is characterized by discontinuously regulating the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles. As such, the chuck cleaning device discontinuously adjusts the supply pressure of the gas to maintain the initial pressure at a high initial pressure, thereby efficiently removing the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck.

이 특징에 따른 본 발명의 척 세정 장치는, 세정액이 저장되는 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동하고, 반도체 기판을 척킹하는 척과; 상기 척의 상하로 이동되는 경로의 양측에 배치되어 상기 척으로 가스를 분사하여 상기 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 복수 개의 가스 노즐들과; 상기 가스 노즐으로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부 및; 상기 압력 조절부를 제어하여 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어 상기 조절된 가스의 압력이 상기 초기 압력으로 유지되도록 불연속되게 하는 제어부를 포함 한다.A chuck cleaning apparatus of the present invention according to this aspect includes a chuck that moves up and down between an upper portion of a treatment tank in which a cleaning liquid is stored and an inside of the treatment tank, and chucks the semiconductor substrate; A plurality of gas nozzles disposed on both sides of a path moving up and down of the chuck to inject gas into the chuck to remove the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck; A pressure regulator which controls a pressure of a gas supplied to the gas nozzle; And controlling the pressure adjusting unit to adjust the pressure of the gas to an initial pressure and discontinuously to maintain the initial pressure at a predetermined time after the predetermined time elapses.

한 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 가스 노즐들이 가스를 순간적으로 분사 및 정지되는 동작을 반복하도록 상기 압력 조절부를 제어한다.In one embodiment, the control unit; The pressure control unit controls the gas nozzles to repeat the operation of momentarily injecting and stopping the gas.

다른 실시예에 있어서, 척 세정 장치는 상기 척을 상하로 이동시키는 구동부를 더 포함하되; 상기 제어부는 상기 척의 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절하도록 상기 구동부 및 상기 압력 조절부를 동시에 제어한다.In another embodiment, the chuck cleaning device further comprises a drive for moving the chuck up and down; The control unit simultaneously controls the drive unit and the pressure control unit to adjust the pressure of the gas in response to the moving speed of the chuck.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하여 척의 세정액을 제거하는 척 세정 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 척으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속되게 조절하여 가스를 공급한다.According to another feature of the invention, there is provided a chuck cleaning method for removing the cleaning liquid of the chuck by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles. According to this method, the gas is supplied by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles injecting the gas into the chuck.

한 실시예에 있어서, 상기 가스의 압력을 불연속되게 조절하는 것은; 상기 가스 노즐들이 가스를 순간적으로 분사 및 정지되는 동작을 반복한다.In one embodiment, adjusting the pressure of the gas discontinuously; The gas nozzles repeat the operation of momentarily injecting and stopping the gas.

다른 실시예에 있어서, 상기 척 세정 방법은; 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 초기 압력을 조절하고, 일정 시간이 경과되면, 상기 초기 압력을 유지하도록 가스를 순간적으로 공급 및 차단시켜서 상기 가스 노즐들로부터 상기 척으로 가스를 분사 및 정지시키는 동작을 반복한다.In another embodiment, the chuck cleaning method; Adjusting the initial pressure of the gas supplied to the gas nozzles, and when a predetermined time elapses, supplying and shutting off the gas to maintain the initial pressure to inject and stop the gas from the gas nozzles to the chuck Repeat.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 척 세정 장치를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 기판 처리 장치는 처리조 상부와 처리조 내부 사이를 상하로 이동하는 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 효율이 향상될 수 있다.According to still another feature of the present invention, a substrate processing apparatus having a chuck cleaning device is provided. Such a substrate processing apparatus of the present invention can improve the efficiency of removing the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck to move up and down between the upper portion of the treatment tank and the inside of the treatment tank.

이 특징에 따른 본 발명의 기판 처리 장치는, 세정액이 저장되는 처리조와; 상기 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동하고, 반도체 기판을 척킹하는 척이 구비되는 이송 장치와; 상기 척의 상하로 이동되는 경로의 양측에 배치되어 상기 척으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐들을 구비하고, 상기 가스 노즐들로부터 상기 척으로 가스를 분사하여 상기 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 척 세정 장치 및; 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력이 불연속적으로 조절되도록 상기 척 세정 장치를 제어하는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus of the present invention according to this aspect includes a processing tank in which a cleaning liquid is stored; A transfer device which moves up and down between the upper portion of the processing tank and the inside of the processing tank and is provided with a chuck for chucking a semiconductor substrate; A chuck having a plurality of gas nozzles disposed on both sides of a path moving up and down of the chuck, for injecting gas into the chuck, and injecting gas from the gas nozzles to the chuck to remove the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck Cleaning apparatus; And a control unit for controlling the chuck cleaning device to adjust the pressure of the gas supplied to the gas nozzles discontinuously.

한 실시예에 있어서, 상기 척 세정 장치는; 상기 가스 노즐들과, 상기 이송 장치를 상기 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동시키는 구동부 및, 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부를 포함하되, 상기 제어부는 상기 구동부와 상기 압력 조절부를 제어하여 상기 척의 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 상기 조절된 가스의 압력이 상기 초기 압력으로 유지되도록 불연속되게 한다.In one embodiment, the chuck cleaning device; The gas nozzles, a driving unit for moving the transfer device between the upper portion of the processing tank and the inside of the processing tank up and down, and a pressure adjusting unit for adjusting the pressure of the gas supplied to the gas nozzles, The driving unit and the pressure adjusting unit are controlled to adjust the pressure of the gas to the initial pressure in response to the moving speed of the chuck, and to discontinuously maintain the pressure of the regulated gas at the initial pressure.

다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 가스 노즐들이 가스를 순간적으로 분사 및 정지되는 동작을 반복하도록 상기 압력 조절부를 제어한다.In another embodiment, the control unit; The pressure control unit controls the gas nozzles to repeat the operation of momentarily injecting and stopping the gas.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 기판 처리 장치의 척 세정 방법이 제공된다. 이 방법에 따르면, 척을 구비하는 이송 장치를 처리조 상부로부터 세정액이 저장된 상기 처리조 내부로 이동한다. 상기 척을 상기 세정액을 이용하여 세정한다. 상기 척이 상기 처리조 내부로부터 상기 처리조 상부로 이동되도록 일정 이동 속도로 상기 이송 장치를 상기 처리조 상부로 이동한다. 이어서 상기 이송 장치가 상부 로 이동될 때, 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하여 상기 척으로 가스를 분사한다.According to still another feature of the present invention, a chuck cleaning method of a substrate processing apparatus is provided. According to this method, the conveying apparatus provided with the chuck is moved from the upper part of a processing tank into the said processing tank in which the washing | cleaning liquid was stored. The chuck is cleaned using the cleaning liquid. The transfer device is moved to the upper portion of the treatment tank at a constant moving speed so that the chuck is moved from the inside of the treatment tank to the upper portion of the treatment tank. Subsequently, when the transfer device is moved upward, the gas is injected into the chuck by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles.

한 실시예에 있어서, 상기 가스의 압력을 불연속적으로 조절하는 것은; 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어 상기 초기 압력을 유지하도록 가스의 압력을 불연속되게 한다.In one embodiment, discontinuously adjusting the pressure of the gas; The pressure of the gas is adjusted to the initial pressure and the pressure of the gas is discontinuous to maintain the initial pressure after a certain time.

다른 실시예에 있어서, 상기 척으로 가스를 분사하는 것은; 상기 이송 장치가 상기 처리조 상부로 이동되는 상기 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절한다.In another embodiment, injecting gas into the chuck; The conveying device adjusts the pressure of the gas in response to the moving speed of moving to the upper portion of the treatment tank.

상술한 바와 같이, 본 발명의 척 세정 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절함으로써, 척의 표면에 잔존하는 세정액을 완전하게 제거할 수 있다.As described above, the chuck cleaning apparatus and the substrate processing apparatus including the same of the present invention can completely remove the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles. .

그 결과, 기판 처리 장치는 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 효율을 향상시킴으로써, 후속 공정에서의 공정 사고를 예방한다.As a result, the substrate processing apparatus improves the efficiency of removing the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck, thereby preventing process accidents in subsequent steps.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.

이하 첨부된 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 세정 공정, 식각 공정을 처리하는 반도체 제조 설비로, 도면에는 도시되지 않았지만, 예컨대, 식각 공정을 처리하는 약액조, 기판 또는 척을 세정하는 세정조, 세정된 기판을 건조시키는 건조조 등을 포함하는 복수 개의 처리조들을 구비한다. 또 기판 처리 장치(100)는 척(112)의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하기 위하여 본 발명에 따른 척 세정 장치(102, 114, 120, 124)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 is a semiconductor manufacturing facility that processes a cleaning process and an etching process. Although not illustrated, the substrate processing apparatus 100 may be, for example, a cleaning tank for cleaning an etching process, a substrate, or a chuck. And a plurality of treatment tanks including a drying bath for drying the cleaned substrate. The substrate processing apparatus 100 also includes the chuck cleaning apparatuses 102, 114, 120, and 124 according to the present invention for removing the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck 112.

구체적으로 기판 처리 장치(100)는 세정액(106)이 저장되는 처리조(104)와, 처리조(104)의 상부와 내부 사이를 상하로 이동하고, 반도체 기판을 척킹하는 척(112)을 구비하는 이송 장치(110)와, 이송 장치(110)를 상하로 이동시키는 구동부(114)와, 이송 장치(110)가 상하로 이동 시, 척(112)이 이동되는 경로의 양측에 배치되어 척(112)으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐(122)들을 구비하는 가스 분사 장치(120)와, 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부(124) 및, 압력 조절부(124)를 제어하여 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어 조절된 가스의 압력이 초기 압력으로 유지되도록 불연속되게 하는 제어부(102)를 포함한다.Specifically, the substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 104 in which the cleaning liquid 106 is stored, and a chuck 112 that moves up and down between the upper portion and the inside of the processing tank 104 and chucks the semiconductor substrate. The conveying device 110, the drive unit 114 for moving the conveying device 110 up and down, and the chuck 112 is disposed on both sides of the path where the chuck 112 is moved when the conveying device 110 moves up and down. Gas injection device 120 having a plurality of gas nozzles 122 for injecting gas to 112, a pressure adjusting unit 124 for adjusting the pressure of the gas supplied to the gas nozzle 122, and pressure control The control unit 102 controls the unit 124 to adjust the pressure of the gas to the initial pressure, and discontinuous so that the pressure of the adjusted gas is maintained at the initial pressure after a predetermined time.

처리조(104)는 예컨대, 척(112)을 세정하는 세정조로 세정액(106)이 저장된다. 또 처리조(104)는 척(112 : 112a, 112b)의 위치에 대응하여 중앙에 격벽(108)이 설치된다.The treatment tank 104 stores, for example, the washing liquid 106 in a washing tank for washing the chuck 112. The treatment tank 104 is provided with a partition 108 at the center corresponding to the positions of the chucks 112: 112a and 112b.

이송 장치(110)는 반도체 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 홀딩하기 위하여 제 1 및 제 2의 척(112a, 112b)이 구비되고, 구동부(114)에 의해 처리조(104) 상부와 처리조(104) 내부 사이를 상하로 이동한다.The transfer device 110 is provided with first and second chucks 112a and 112b for holding a semiconductor substrate (for example, a wafer), and the upper part of the processing tank 104 and the processing tank by the driving unit 114. 104 moves up and down between the interior.

구동부(114)는 제어부(102)의 제어를 받아서 일정 이동 속도를 유지하여 이송 장치(110)를 구동한다.The driver 114 drives the transfer apparatus 110 by maintaining a constant moving speed under the control of the controller 102.

압력 조절부(124)는 가스 예를 들어, 질소 가스(N2)를 공급받아서 가스 노즐들(122)로 공급하는 솔레노이드 밸브 등으로 구비되고, 제어부(102)의 제어를 받아서 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 조절한다. 즉, 압력 조절부(124)는 가스 노즐들로부터 분사되는 가스가 일정한 압력(예를 들어, 약 7 ㎏/f 정도)을 유지하도록 일정 압력보다 높게 초기 압력을 설정한다. 따라서 압력 조절부(124)는 일정 시간이 경과되면, 일정 압력을 유지하여 가스 노즐(122)들로 가스를 공급한다.The pressure controller 124 is provided with a solenoid valve for supplying gas, for example, nitrogen gas N2, to the gas nozzles 122, and under the control of the controller 102, the gas nozzles 122. To regulate the pressure of the gas being supplied. That is, the pressure adjusting unit 124 sets the initial pressure higher than the predetermined pressure so that the gas injected from the gas nozzles maintains a constant pressure (for example, about 7 kg / f). Therefore, when a predetermined time elapses, the pressure adjusting unit 124 maintains a constant pressure and supplies gas to the gas nozzles 122.

그리고 제어부(102)는 예컨대, 기판 처리 장치의 제반 동작을 제어하는 컨트롤러, 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC) 및 컴퓨터 등으로 구비되고, 이송 장치(110)를 상하로 이동되도록 구동부(114)를 제어하고, 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 불연속되도록 압력 조절부(124)를 제어한다. 이를 위해, 제어부(102)는 가스 노즐(122)들이 척(112)으로 가스를 순간적으로 분사하고, 정지하는 동작들을 반복하도록 압력 조절부(124)를 제어한다. 따라서 압력 조절부(124)는 가스 공급이 불연속적이 되도록 가스 노즐(122)들로 일정 시간 동안 가스를 공급하고, 다시 일정 시간 동안에 가스 공급을 중지하고, 이러한 동작을 연속적으로 반복한다. 예를 들어, 압력 조절부(124)는 약 1 초 동안은 가스를 분사시키고, 약 0.5 초 동안은 가스 분사를 정지시키며, 이러한 동작을 반복하여 불연속적으로 가스가 분사되게 조절한다.In addition, the controller 102 may include, for example, a controller, a programmable logic controller (PLC), a computer, and the like, which control various operations of the substrate processing apparatus, and control the driving unit 114 to move the transfer apparatus 110 up and down. The pressure regulating unit 124 is controlled to discontinuous the pressure of the gas supplied to the gas nozzles 122. To this end, the control unit 102 controls the pressure adjusting unit 124 so that the gas nozzles 122 spray the gas to the chuck 112 instantaneously and stop the operations. Therefore, the pressure regulator 124 supplies the gas to the gas nozzles 122 for a predetermined time so that the gas supply is discontinuous, stops the gas supply again for a predetermined time, and repeats this operation continuously. For example, the pressure regulator 124 injects gas for about 1 second, stops gas injection for about 0.5 seconds, and repeats this operation to adjust the gas to be discontinuously.

또 제어부(102)는 척(112)의 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절하도록 구동부(114) 및 압력 조절부(124)를 동시에 제어한다.In addition, the control unit 102 simultaneously controls the driving unit 114 and the pressure adjusting unit 124 to adjust the pressure of the gas in response to the moving speed of the chuck 112.

따라서 척 세정 장치(102, 114, 120, 124)는 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 초기 압력을 조절하고, 일정 시간이 경과되면, 초기 압력을 유지하도록 가스를 순간적으로 공급 및 차단시켜서 가스 노즐(122)들로부터 척(112)으로 가스를 분사 및 정지시키는 동작을 반복한다. 그러므로 척 세정 장치(102, 114, 120, 124)는 척(112)으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 불연속되게 조절하여 가스를 공급함으로써, 척(112)의 표면에 잔존하는 세정액을 완전하게 제거할 수 있다.Therefore, the chuck cleaners 102, 114, 120, and 124 adjust the initial pressure of the gas supplied to the gas nozzles 122, and after a predetermined time, the gas is instantaneously supplied and shut off to maintain the initial pressure. The operation of injecting and stopping gas from the gas nozzles 122 to the chuck 112 is repeated. Therefore, the chuck cleaners 102, 114, 120, and 124 supply the gas by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles 122 that inject the gas into the chuck 112, thereby supplying the gas. The cleaning liquid remaining on the surface of the wafer) can be completely removed.

따라서 발명의 기판 처리 장치(100)는 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거함으로써, 후속 공정에서의 반도체 기판 및 주변 설비의 오염을 방지하여 공정 사고를 예방할 수 있다.Therefore, the substrate processing apparatus 100 of the present invention can prevent the process accident by preventing the contamination of the semiconductor substrate and the peripheral equipment in the subsequent process by removing the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck.

그리고 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 척 세정 수순을 나타내는 흐름도이다.3 is a flowchart showing the chuck cleaning procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 단계 S150에서 이송 장치(110)를 하강하여 척(112)을 처리조(104) 상부로부터 세정액(106)이 저장된 처리조(104) 내부로 이동한다. 단계 S152에서 척(112)을 세정액(106)을 이용하여 세정한다.Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus descends the transfer apparatus 110 in step S150 to move the chuck 112 from the upper portion of the processing tank 104 into the processing tank 104 in which the cleaning liquid 106 is stored. In step S152, the chuck 112 is cleaned using the cleaning liquid 106.

단계 S154에서 척(112)이 처리조(104) 내부로부터 처리조(104) 상부로 이동 되도록 구동부(114)를 제어하여 일정 이동 속도로 이송 장치(110)를 처리조(104) 상부로 이동시킨다. 이어서 단계 S156에서 이송 장치(110)가 처리조(104) 상부로 이동될 때, 복수 개의 가스 노즐(122)들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하여 척(112)으로 가스를 분사한다. 이 때, 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어도 초기 압력을 유지하도록 일정 시간 동안에 가스 공급 및 차단을 반복 처리하여, 가스 노즐(122)들이 척(112)으로 가스를 순간적으로 분사하고, 정지하는 동작들을 반복하게 한다. 또 척의 이동 속도와 가스의 분사 속도를 최적화하기 위해, 이송 장치(110)가 처리조(104)로 이동되는 일정 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절한다.In step S154, the chuck 112 controls the driving unit 114 to move from the inside of the processing tank 104 to the upper portion of the processing tank 104 to move the transfer device 110 to the upper portion of the processing tank 104 at a constant moving speed. . Subsequently, when the transfer device 110 is moved to the upper portion of the processing tank 104 in step S156, the gas is injected into the chuck 112 by discontinuously adjusting the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles 122. . At this time, the pressure of the gas is adjusted to the initial pressure, and the gas supply and shutoff are repeatedly performed for a predetermined time so as to maintain the initial pressure even after a certain time has elapsed, so that the gas nozzles 122 instantaneously supply the gas to the chuck 112. Allows you to repeat the spraying and stopping operations. In addition, in order to optimize the movement speed of the chuck and the injection speed of the gas, the pressure of the gas is adjusted in response to the constant movement speed at which the transfer device 110 is moved to the treatment tank 104.

이상에서, 본 발명에 따른 척 세정 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, although the configuration and operation of the chuck cleaning apparatus and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention have been shown in accordance with the detailed description and the drawings, these are merely described by way of example and do not depart from the spirit of the present invention. Various changes and modifications are possible within the scope.

도 1은 종래기술에 따른 기판 처리 장치의 척 세정을 위한 구성을 도시한 도면;1 illustrates a configuration for chuck cleaning of a substrate processing apparatus according to the prior art;

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면;2 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 척 세정 수순을 나타내는 흐름도이다.3 is a flowchart showing the chuck cleaning procedure of the substrate processing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 처리 장치 102 : 제어부100: substrate processing apparatus 102: control unit

104 : 처리조 106 : 세정액104: treatment tank 106: washing liquid

108 : 격벽 110 : 이송 장치108: partition 110: transfer device

112 : 척 114 : 구동부112: chuck 114: drive unit

120 : 가스 분사 장치 122 : 가스 노즐120: gas injection device 122: gas nozzle

124 : 압력 조절부124: pressure regulator

Claims (12)

삭제delete 삭제delete 척 세정 장치에 있어서:In the chuck cleaning device: 세정액이 저장되는 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동하고, 반도체 기판을 척킹하는 척과;A chuck which moves up and down between the upper part of the processing tank in which the cleaning liquid is stored and the inside of the processing tank and chucks the semiconductor substrate; 상기 척의 상하로 이동되는 경로의 양측에 배치되어 상기 척으로 가스를 분사하여 상기 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 복수 개의 가스 노즐들과;A plurality of gas nozzles disposed on both sides of a path moving up and down of the chuck to inject gas into the chuck to remove the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck; 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부와;A pressure adjusting unit controlling a pressure of a gas supplied to the gas nozzles; 상기 척을 상하로 이동시키는 구동부와;A driving unit for moving the chuck up and down; 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력이 불연속적으로 조절되도록 상기 압력 조절부를 제어하여 상기 가스 노즐들이 가스를 순간적으로 분사 및 정지되는 동작을 반복하는 제어부를 포함하되;And a controller configured to control the pressure adjusting unit so that the pressure of the gas supplied to the gas nozzles is discontinuously controlled, thereby repeating the operation of the gas nozzles to momentarily inject and stop the gas; 상기 제어부는 상기 척의 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절하도록 상기 구동부 및 상기 압력 조절부를 동시에 제어하는 것을 특징으로 하는 척 세정 장치.The control unit is a chuck cleaning device, characterized in that for controlling the pressure of the drive unit and the pressure control unit at the same time to adjust the pressure of the gas corresponding to the moving speed of the chuck. 삭제delete 삭제delete 척 세정 장치의 척 세정 방법에 있어서:In the chuck cleaning method of the chuck cleaning device: 척으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스를 순간적으로 분사 및 정지하는 동작을 반복하여 가스의 압력을 불연속되게 조절하여 상기 척으로 가스를 공급하되;Repeating the operation of instantaneously injecting and stopping the gas supplied to the plurality of gas nozzles for injecting the gas into the chuck to adjust the pressure of the gas discontinuously to supply the gas to the chuck; 상기 척 세정 방법은;The chuck cleaning method; 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 초기 압력을 조절하고,Adjust the initial pressure of the gas supplied to the gas nozzles, 일정 시간이 경과되면, 상기 초기 압력을 유지하도록 가스를 순간적으로 공급 및 차단시켜서 상기 가스 노즐들로부터 상기 척으로 가스를 분사 및 정지시키는 동작을 반복하는 것을 특징으로 하는 척 세정 장치의 척 세정 방법.When a predetermined time elapses, the chuck cleaning method of the chuck cleaning device, characterized by repeating the operation of injecting and stopping the gas from the gas nozzles to the chuck by temporarily supplying and shutting off the gas so as to maintain the initial pressure. 삭제delete 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 세정액이 저장되는 처리조와;A treatment tank in which the cleaning liquid is stored; 상기 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동하고, 반도체 기판을 척킹하는 척이 구비되는 이송 장치와;A transfer device which moves up and down between the upper portion of the processing tank and the inside of the processing tank and is provided with a chuck for chucking a semiconductor substrate; 상기 척의 상하로 이동되는 경로의 양측에 배치되어 상기 척으로 가스를 분사하는 복수 개의 가스 노즐들과, 상기 이송 장치를 상기 처리조의 상부와 상기 처리조 내부 사이를 상하로 이동시키는 구동부 및, 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 조절하는 압력 조절부를 구비하고, 상기 가스 노즐들로부터 상기 척으로 가스를 분사하여 상기 척의 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 척 세정 장치 및;A plurality of gas nozzles disposed on both sides of a path moved up and down of the chuck, and a driving unit for moving the transfer device up and down between the upper part of the processing tank and the inside of the processing tank, and the gas; A chuck cleaning device having a pressure control unit for adjusting the pressure of the gas supplied to the nozzles, and injecting gas from the gas nozzles to the chuck to remove the cleaning liquid remaining on the surface of the chuck; 상기 구동부와 상기 압력 조절부를 제어하여 상기 척의 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 상기 조절된 가스의 압력이 상기 초기 압력으로 유지되도록 상기 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 불연속적으로 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The pressure of the gas supplied to the gas nozzles is controlled to adjust the pressure of the gas to the initial pressure in response to the moving speed of the chuck by controlling the driving unit and the pressure adjusting unit, and the pressure of the regulated gas is maintained at the initial pressure. A substrate processing apparatus comprising a control unit for discontinuously adjusting. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제어부는;The control unit; 상기 가스 노즐들이 가스를 순간적으로 분사 및 정지되는 동작을 반복하도록 상기 압력 조절부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And controlling the pressure regulating unit so that the gas nozzles repeat the operation of spraying and stopping the gas momentarily. 삭제delete 기판 처리 장치의 척 세정 방법에 있어서:In the chuck cleaning method of the substrate processing apparatus: 척을 구비하는 이송 장치를 처리조 상부로부터 세정액이 저장된 상기 처리조 내부로 이동하고;Moving a transfer device having a chuck from the upper portion of the treatment tank into the treatment tank in which the cleaning liquid is stored; 상기 척을 상기 세정액을 이용하여 세정하고;Cleaning the chuck with the cleaning liquid; 상기 척이 상기 처리조 내부로부터 상기 처리조 상부로 이동되도록 일정 이동 속도로 상기 이송 장치를 상기 처리조 상부로 이동하고; 이어서Moving the conveying apparatus to the upper portion of the processing tank at a constant moving speed such that the chuck is moved from the inside of the processing tank to the upper portion of the processing tank; next 상기 이송 장치가 상부로 이동될 때, 복수 개의 가스 노즐들로 공급되는 가스의 압력을 초기 압력으로 조절하고, 일정 시간이 경과되어 상기 초기 압력을 유지하도록 가스의 압력을 불연속적으로 조절하여 상기 척으로 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 척 세정 방법.When the conveying apparatus is moved upward, the pressure of the gas supplied to the plurality of gas nozzles is adjusted to an initial pressure, and the pressure of the gas is discontinuously adjusted so as to maintain the initial pressure after a predetermined time has elapsed. The chuck cleaning method of the substrate processing apparatus characterized by injecting gas into the furnace. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 척으로 가스를 분사하는 것은;Injecting gas into the chuck; 상기 이송 장치가 상기 처리조 상부로 이동되는 상기 이동 속도에 대응하여 가스의 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 척 세정 방법.The chuck cleaning method of the substrate processing apparatus characterized in that the pressure of the gas is adjusted in response to the movement speed of the transfer device is moved to the upper portion of the processing tank.
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