KR20090033579A - Electron beam source - Google Patents

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Abstract

An electron beam emission apparatus is provided to emit electrons on an object in an exact penetration depth by adjusting the emission speed of electrons through a grid electrode. A hollow cathode micro jet array(20), an anode electrode(25) and a grid electrode(30) are sequentially installed inside a chamber(10). A wafer(50) is mounted on a lower-side wafer chuck(35). A plurality of gas holes(11) are formed at the upper part of the chamber in order to supply the process gas into the chamber. A ventilation hole(13) is formed at a lower part of the chamber in order to exhaust the gas outside the chamber. A vacuum pump(75) for controlling the inner pressure of the chamber is installed at one side of the ventilation hole. A valve(70) is installed between the vacuum pump and ventilation hole.

Description

전자빔 방출장치{Electron Beam Source}Electron beam emitter {Electron Beam Source}

본 발명은 전자빔 방출장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이를 사용함으로써 높은 플라즈마 밀도를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 상압에서 진공상태까지의 다양한 환경에서 공정이 가능한 전자빔 방출장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam emitting device, and more particularly, to an electron beam emitting device capable of obtaining a high plasma density by using a hollow cathode micro jet array as well as processing in a variety of environments from atmospheric pressure to vacuum.

일반적으로 반도체 소자는 도전막 및 절연막의 증착 공정과 포토리소그라피 공정에 의한 마스크 형성 공정 및 마스크를 이용한 식각 공정에 의해 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured by a deposition process of a conductive film and an insulating film, a mask formation process by a photolithography process, and an etching process using a mask.

포토리소그라피 공정은 식각 대상층 상에 레지스트를 도포, 노광 및 현상해서 임의의 레지스트 패턴을 형성해주는 공정이며 기판 상에 형성하고자 하는 실제 패턴은 포토리소그라피 공정에서 구현될 수 있는 패턴에 크게 영향을 받는다.The photolithography process is a process of forming an arbitrary resist pattern by applying, exposing, and developing a resist on an etching target layer, and the actual pattern to be formed on the substrate is greatly influenced by the pattern that can be implemented in the photolithography process.

현재까지의 반도체 기술은 고집적화에 따른 패턴의 미세화를 위해 노광시 DUV(Deep Ultra-violet) 및 ArF 등의 보다 짧은 파장의 광원을 사용하고 있다.To date, semiconductor technologies have used light sources with shorter wavelengths such as deep ultra-violet (DUV) and ArF during exposure to refine patterns due to high integration.

이로 인해 포토리소그라피 공정시 과도한 레지스트 플로우 및 선형 축소 현 상이 발생하여 식각 공정에서 라인 스트라이에이션(Striation) 현상이 발생되는 문제가 있었다.As a result, excessive resist flow and linear shrinkage occur in the photolithography process, causing a problem of line striation in the etching process.

종래에는 이러한 라인 스트라이에이션 현상을 방지하기 위해 레지스트의 노광 후에 전자빔 방출 장치를 이용하여 레지스트를 경화시키는 공정을 수행한다.Conventionally, in order to prevent such a line striation phenomenon, a process of curing the resist using an electron beam emitting device after exposure of the resist is performed.

하지만 종래의 전자빔 방출 장치는 일반적으로 저압 상태에서 발생하는 플라즈마를 이용하기 때문에 진공 챔버에 대한 의존도가 높고, 진공 상태를 형성하기 위해 많은 비용이 소모되는 문제가 있었다.However, the conventional electron beam emitting device has a problem of high dependence on the vacuum chamber and high cost to form the vacuum state because the plasma is generally generated in a low pressure state.

이러한 문제를 해소하고자 제안된 공개특허 제2005-59894호에 따른 전자빔 큐어링 장치가 도 1에 도시되어 있다.An electron beam curing apparatus according to Patent Publication No. 2005-59894 proposed to solve this problem is shown in FIG. 1.

도 1에 도시된 바와 같이, 전자빔 큐어링 장치는 진공 챔버(100)의 상부에 다수 개의 가스 홀(110)이 형성되고, 가스 홀(110)의 하측으로 MCA(Micro Hollow Cathode Array;200)가 설치된다. As shown in FIG. 1, in the electron beam curing apparatus, a plurality of gas holes 110 are formed in an upper portion of the vacuum chamber 100, and a MCA (Micro Hollow Cathode Array) 200 is formed below the gas holes 110. Is installed.

MCA(200)란 상부로부터 캐소드, 유전장벽물질 및 애노드가 적층식으로 형성된 것으로서, 다수 개의 홀이 형성되어 상부의 가스 홀(110)으로부터 공급된 가스가 MCA(200)의 홀을 통과하면서 캐소드와 애노드의 전압차에 의해 MCA(200)의 하부에 플라즈마가 형성된다.The MCA 200 is formed by stacking cathodes, dielectric barrier materials, and anodes from the top, and a plurality of holes are formed so that the gas supplied from the upper gas holes 110 passes through the holes of the MCA 200. Plasma is formed below the MCA 200 by the voltage difference of the anode.

이때 전자들이 그리드 전극(300)을 통해 웨이퍼 척(500)에 안착된 웨이퍼(400) 상에 방출되어 웨이퍼(400) 상의 레지스트를 경화시킨다.At this time, electrons are discharged onto the wafer 400 seated on the wafer chuck 500 through the grid electrode 300 to cure the resist on the wafer 400.

이와 같은 MCA(200)를 이용한 전자빔 큐어링 장치는 비교적 안정한 대면적 플라즈마를 발생시킬 수 있는 효과가 있지만 캐소드와 애노드 간의 유전장벽물질의 두께의 조절에 어려움이 따라 제조 공정이 복잡한 문제가 있다.The electron beam curing apparatus using the MCA 200 has an effect of generating a relatively stable large-area plasma, but there is a complicated manufacturing process due to difficulty in controlling the thickness of the dielectric barrier material between the cathode and the anode.

특히, 캐소드와 애노드 간의 유전장벽물질의 두께가 일정하지 않은 경우 플라즈마 밀도의 균일도가 저하되는 문제가 있어 이러한 문제점을 해결할 수 있는 방법에 대한 필요성이 심각하게 대두되고 있는 실정이다.In particular, when the thickness of the dielectric barrier material between the cathode and the anode is not constant, there is a problem that the uniformity of the plasma density is deteriorated, and a need for a method for solving such a problem is seriously emerging.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이를 사용함으로써 높은 플라즈마 밀도를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 상압에서 진공상태까지의 다양한 환경에서 공정이 가능한 전자빔 방출장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is not only to obtain a high plasma density by using a hollow cathode micro jet array, but also to be processed in a variety of environments from atmospheric pressure to vacuum state electron beam In providing a discharge device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 내부 공간이 형성되고, 상부에 반응 가스가 공급되는 다수 개의 가스 홀이 형성되며, 일측에 상기 가스가 배출되는 가스 배출구가 형성되는 챔버, 다수 개의 미세 홀이 형성되고, 상기 가스 홀의 하측에 설치되는 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이, 다수 개의 홀이 형성되고, 상기 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이의 하측으로 소정거리 이격되도록 설치되는 애노드 전극, 다수 개의 홀이 형성되고, 상기 애노드 전극의 하측으로 소정거리 이격되도록 설치되는 그리드 전극 및 상기 그리드 전극의 하측에 설치되고, 상부에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척이 제공된다.According to one aspect of the present invention for achieving the above object, the inner space is formed, a plurality of gas holes are formed on the upper side of the reaction gas is supplied, the chamber in which the gas discharge port is discharged is formed on one side A plurality of fine holes are formed, and a hollow cathode micro jet array is provided below the gas hole, a plurality of holes are formed, and an anode electrode is provided to be spaced a predetermined distance below the hollow cathode micro jet array, and a plurality of holes Is formed, a grid electrode is provided to be spaced apart by a predetermined distance below the anode electrode, and a wafer chuck is provided below the grid electrode and on which the wafer is seated.

이때 상기 웨이퍼를 가열하기 위해 상기 웨이퍼 척의 하측에 설치되는 가열수단이 더 포함되는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the heating means is further provided below the wafer chuck to heat the wafer.

또한, 상기 챔버의 가스 배출구의 일측에 설치되는 진공펌프가 더 포함되는 것이 보다 바람직하다.In addition, it is more preferable that the vacuum pump is further provided on one side of the gas outlet of the chamber.

또한, 상기 애노드 전극 및 그리드 전극의 재질은 흑연(Graphite)인 것이 보다 바람직하다.In addition, the anode electrode and the grid electrode is more preferably made of graphite (Graphite).

상기와 같은 본 발명에 따르면, 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이를 사용함으로써 높은 플라즈마 밀도를 얻을 뿐만 아니라 상압에서 진공상태까지의 다양한 환경에서 공정이 가능한 효과가 있다.According to the present invention as described above, by using the hollow cathode micro-jet array, not only high plasma density is obtained, but also it is possible to process in various environments from atmospheric pressure to vacuum.

또한, 그리드 전극을 사용함으로써 전자의 방출속도가 조절 가능하여 대상물에 대한 정확한 침투깊이로 방출 가능하고 그리드 전극에 양부의 전극(Pulse 전원 등)을 사용함으로써 웨이퍼 등의 가공 대상물에 발생할 수 있는 부분 전자 충전 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.In addition, the emission rate of electrons can be controlled by using a grid electrode, which enables the emission to be precisely penetrated into the object. This can solve the charging problem.

또한, 애노드 전극 및 그리드 전극이 흑연으로 구성됨으로써 오염도가 낮아지는 효과가 있다.In addition, since the anode electrode and the grid electrode are composed of graphite, there is an effect that the pollution degree is lowered.

또한 기타의 박막 공정의 절연막으로 사용되는 각종 폴리이미드(Polyimide) 등의 경화공정에 사용하면 타 경화 방법에 비해 상당히 빠른 경화를 할 수 있다.In addition, when used in a curing process such as various polyimide (Polyimide) used as an insulating film of other thin film process, it is possible to cure significantly faster than other curing methods.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 전자빔 방출장치를 도시한 도면이다.2 is a view showing an electron beam emitting device according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전자빔 방출장치는 내부 공간이 형성된 챔버(10)가 제공되고, 챔버(10)의 내부 공간에 상부로부터 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(Hollow Cathode Micro jet Array;20), 애노드 전극(25), 그리드 전극(30)이 순차적으로 설치되어 하부의 웨이퍼 척(35)에 안착된 웨이퍼(50) 상에 전자빔을 방출하는 구조를 취한다.As shown in FIG. 2, the electron beam emitting device according to the present invention is provided with a chamber 10 in which an inner space is formed, and includes a hollow cathode micro jet array from an upper portion of the inner space of the chamber 10; 20), the anode electrode 25 and the grid electrode 30 are sequentially installed to take the structure of emitting an electron beam on the wafer 50 seated on the lower wafer chuck 35.

이러한 전자빔 방출장치는 챔버(10)의 내부에 공정가스를 공급하기 위하여 챔버(10)의 상부에 다수 개의 가스 홀(11)이 형성되고, 하부에는 가스를 챔버(10)의 외부로 배출하기 위한 배출구(13)가 형성된다. 이때 배출구(13)의 일측에는 챔버(10) 내부의 기압을 조절하기 위한 진공 펌프(75)가 설치되며, 진공 펌프(75)와 배출구(13) 간에는 밸브(70)가 설치된다.In the electron beam emitting device, a plurality of gas holes 11 are formed in an upper portion of the chamber 10 to supply a process gas into the chamber 10, and a lower portion of the electron beam emitting device discharges gas to the outside of the chamber 10. An outlet 13 is formed. At this time, one side of the outlet 13 is provided with a vacuum pump 75 for adjusting the air pressure in the chamber 10, a valve 70 is installed between the vacuum pump 75 and the outlet (13).

가스 홀(11)을 통해 공급되는 공정가스는 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)와 애노드 전극(25) 간에 플라즈마를 형성하기 위해 공급되는 것으로서, 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 질소(N₂) 등의 불활성 기체가 사용될 수 있다.The process gas supplied through the gas hole 11 is supplied to form a plasma between the hollow cathode micro jet array 20 and the anode electrode 25, and may include argon (Ar), helium (He), and nitrogen (N 2). Inert gases such as may be used.

가스 홀(11)의 하측으로는 소정거리 이격되도록 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)가 설치되고, 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)는 150㎛ ~ 500㎛ 정도의 직경을 갖는 미세 홀(20a)이 다수 개 형성되어 있다. The hollow cathode micro jet array 20 is installed below the gas hole 11 so as to be spaced apart by a predetermined distance, and the hollow cathode micro jet array 20 has a fine hole 20a having a diameter of about 150 μm to 500 μm. Many are formed.

이때 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)에는 전원 공급부(81)가 연결되며, 이러한 전원 공급부(81)는 DC전원 또는 RF전원인 것이 바람직하다.In this case, the power supply unit 81 is connected to the hollow cathode micro jet array 20, and the power supply unit 81 may be a DC power source or an RF power source.

이러한 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)는 미세 홀(20a)의 직경 및 두 께를 조절함으로써 진공 상태에서 상압까지 다양한 환경에서 플라즈마 형성이 가능할 뿐만 아니라 미세 홀(20a) 내의 전자 진동(Electron oscillation) 현상에 의해 플라즈마의 이온화 율이 현저히 높은 것으로 알려져 있다.The hollow cathode micro jet array 20 is capable of plasma formation in various environments from vacuum to atmospheric pressure by controlling the diameter and thickness of the micro holes 20a, as well as electron oscillation in the micro holes 20a. It is known that the ionization rate of plasma is remarkably high.

할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)의 하측으로는 소정거리 이격되도록 다수 개의 홀(25a)이 형성된 애노드 전극(25)이 설치되는데, 이때 챔버(10)의 내벽과 애노드 전극(25) 간에는 인슐레이터(60)가 설치된다.An anode electrode 25 having a plurality of holes 25a is formed below the hollow cathode micro jet array 20 so as to be spaced a predetermined distance apart. An insulator 60 is formed between the inner wall of the chamber 10 and the anode electrode 25. ) Is installed.

이러한 애노드 전극(25)에는 전원 공급부(83)이 연결되어 양전압을 인가하며, 이러한 전원 공급부(83)는 DC전원인 것이 바람직하다.A power supply 83 is connected to the anode electrode 25 to apply a positive voltage, and the power supply 83 is preferably a DC power source.

또한, 전술한 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)와 애노드 전극(25)은 공정조건에 따라 0.5㎜ ~ 4㎜의 간격으로 이격되도록 설치되는 것이 보다 바람직하다. In addition, it is more preferable that the above-mentioned hollow cathode micro jet array 20 and the anode electrode 25 are spaced apart at intervals of 0.5 mm to 4 mm according to the process conditions.

애노드 전극(25)의 하측으로는 다수 개의 홀(30a)이 형성된 그리드 전극(30)이 소정거리 이격되도록 설치되는데, 이때 챔버(10)의 내벽과 그리드 전극(30) 간에는 인슐레이터(60)가 설치되는 것이 바람직하다.Below the anode electrode 25, the grid electrode 30 having a plurality of holes 30a is installed to be spaced apart by a predetermined distance, and an insulator 60 is installed between the inner wall of the chamber 10 and the grid electrode 30. It is desirable to be.

이러한 그리드 전극(30)은 전원 공급부(85)가 연결되어 고전압이 인가됨으로써 전자를 가속시킨다. 이때 그리드 전극(30)에 연결되는 전원 공급부(85)는 DC전원 또는 Pulse전원인 것이 바람직하며, 그리드 전극(30)에 인가되는 전압을 조절함으로써 방출되는 전자의 속도가 제어 가능하다. 전원 공급부(85)로서 Pulse 전원을 사용하는 경우 웨이퍼 등 가공 대상물에 부분 전자 충전 현상이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 장점이 있다.The grid electrode 30 is connected to the power supply unit 85 to accelerate the electrons by applying a high voltage. In this case, the power supply unit 85 connected to the grid electrode 30 is preferably a DC power source or a pulse power source, and the speed of electrons emitted by controlling the voltage applied to the grid electrode 30 can be controlled. When pulse power is used as the power supply unit 85, there is an advantage in that a partial electron charging phenomenon occurs in a processing target such as a wafer.

또한, 본 발명의 일 실시예에서는 그리드 전극(30)으로서 흑연(Graphite)이 사용되어 전자빔 방출장치의 공정시 파티클이 발생하지 않도록 하였으며, 대구경 장치의 경우에는 흑연이 아닌 금속재가 사용될 수도 있다. In addition, in an embodiment of the present invention, graphite is used as the grid electrode 30 to prevent particles from being generated during the process of the electron beam emitting device, and in the case of a large diameter device, a metal material other than graphite may be used.

그리드 전극(30)의 하측으로는 가공 대상물인 웨이퍼(50)가 안착되는 웨이퍼 척(35)이 설치되며, 웨이퍼 척(35)에는 전원 공급부(80)가 연결된다.Below the grid electrode 30, a wafer chuck 35 on which a wafer 50 as a processing target is mounted is installed, and a power supply unit 80 is connected to the wafer chuck 35.

또한, 웨이퍼 척(35)의 하부에는 가열 수단(40)이 설치되는데, 가열 수단(40)은 웨이퍼(50)를 가열하여 경화 효율을 높이기 위한 구성으로서, 적외선 램프(IR Lamp), 할로겐 램프(Halogen Lamp) 및 히터(Heater) 등이 사용될 수 있다.In addition, a heating means 40 is provided below the wafer chuck 35. The heating means 40 is a component for heating the wafer 50 to increase curing efficiency. An infrared lamp (IR lamp) or a halogen lamp ( Halogen Lamp) and Heater may be used.

이와 같은 전자빔 방출장치의 동작을 설명하면, 챔버(10)의 내부 공간이 상압인 상태 또는 진공 펌프(75)가 작동하여 챔버(10)의 내부 공간이 진공상태에서 가스 홀(11)을 통해 공정가스가 공급되고, 공급된 공정가스는 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)의 미세 홀(20a)을 통해 하부로 공급된다.Referring to the operation of the electron beam emitting device, the vacuum chamber 75 is operated at a normal pressure or the internal space of the chamber 10 is operated. The internal space of the chamber 10 is processed through the gas hole 11 in a vacuum state. The gas is supplied, and the supplied process gas is supplied downward through the fine holes 20a of the hollow cathode micro jet array 20.

공정가스는 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)와 애노드 전극(25)의 전압차에 의해 이온화되어 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)와 애노드 전극(25) 간에 플라즈마가 형성된다. 이때 형성되는 플라즈마는 전술한 바와 같이 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이(20)에 의해 높은 이온화 율, 즉 높은 플라즈마 밀도(Density)를 갖는다.The process gas is ionized by the voltage difference between the hollow cathode micro jet array 20 and the anode electrode 25 to form a plasma between the hollow cathode micro jet array 20 and the anode electrode 25. The plasma formed at this time has a high ionization rate, that is, high plasma density by the hollow cathode micro jet array 20 as described above.

이때 전자가 애노드 전극(25)의 홀(25a)을 통해 하부로 방출되고, 방출된 전자는 그리드 전극(30)의 홀(30a)을 통과하면서 그리드 전극(30)에 인가된 고전압에 의해 가속되어 웨이퍼 척(35)에 안착된 웨이퍼(50) 상에 방출됨으로써 웨이퍼(50) 상의 박막을 경화시킨다.At this time, electrons are emitted downward through the holes 25a of the anode electrode 25, and the emitted electrons are accelerated by the high voltage applied to the grid electrode 30 while passing through the holes 30a of the grid electrode 30. The thin film on the wafer 50 is cured by being discharged onto the wafer 50 seated on the wafer chuck 35.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 요지에서 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it is possible to make various modifications or variations without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the appended claims will cover such modifications and variations as fall within the spirit of the invention.

도 1은 공개특허 제2005-59894호에 따른 전자빔 큐어링 장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing an electron beam curing apparatus according to Patent Publication No. 2005-59894.

도 2는 본 발명에 따른 전자빔 방출장치를 도시한 도면이다.2 is a view showing an electron beam emitting device according to the present invention.

<주요도면부호에 관한 설명> <Description of main drawing code>

10 : 챔버 11 : 가스 홀10 chamber 11 gas hole

13 : 배출구 13: outlet

20 : 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이 20a: 미세 홀20: hollow cathode micro jet array 20a: fine holes

25 : 애노드 전극 25a, 30a: 홀25: anode electrodes 25a, 30a: holes

30 : 그리드 전극 35 : 웨이퍼 척30 grid electrode 35 wafer chuck

40 : 가열 수단 50 : 웨이퍼40: heating means 50: wafer

60 : 인슐레이터 70 : 밸브60: insulator 70: valve

75 : 진공펌프 81, 83, 85 : 전원 공급부75: vacuum pump 81, 83, 85: power supply

Claims (4)

내부 공간이 형성되고, 상부에 공정 가스가 공급되는 다수 개의 가스 홀이 형성되며, 일측에 상기 가스가 배출되는 가스 배출구가 형성되는 챔버;A chamber in which an inner space is formed, a plurality of gas holes through which a process gas is supplied is formed, and a gas outlet through which the gas is discharged is formed at one side; 다수 개의 미세 홀이 형성되고, 상기 가스 홀의 하측에 설치되는 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이;A hollow cathode micro jet array in which a plurality of fine holes are formed and installed below the gas hole; 다수 개의 홀이 형성되고, 상기 할로우 캐소드 마이크로 젯 어레이의 하측으로 소정거리 이격되도록 설치되는 애노드 전극;An anode electrode formed with a plurality of holes and spaced apart from the hollow cathode micro jet array by a predetermined distance; 다수 개의 홀이 형성되고, 상기 애노드 전극의 하측으로 소정거리 이격되도록 설치되는 그리드 전극; 및A grid electrode having a plurality of holes formed thereon and installed to be spaced a predetermined distance below the anode; And 상기 그리드 전극의 하측에 설치되고, 상부에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 방출장치.And a wafer chuck installed below the grid electrode and having a wafer seated thereon. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼를 가열하기 위해 상기 웨이퍼 척의 하측에 설치되는 가열수단이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 전자빔 방출장치.And a heating means provided below the wafer chuck to heat the wafer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버의 가스 배출구의 일측에 설치되는 진공펌프가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 전자빔 방출장치.Electron beam emission device further comprises a vacuum pump installed on one side of the gas outlet of the chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 애노드 전극 및 그리드 전극의 재질은 흑연(Graphite)인 것을 특징으로 하는 전자빔 방출장치.The anode electrode and the grid electrode material is an electron beam emission device, characterized in that the graphite (Graphite).
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