KR20090024559A - Method for manufacture probe card - Google Patents

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Abstract

A method for manufacturing the probe card is provided to detect easily the defective by bonding two substrates and space transformer after forming the respective probe beam, the probe tip and conduction bump. The probe beam(140) and probe tip(150) are formed in the first sacrificial substrate(100). The through-hole is formed by etching the conduction bump reserved area defined in the second sacrificial substrate. The first sacrificial substrate is bonded with the second sacrificial substrate. The conduction bump connected to the probe beam is formed to bury the conduction bump reserved area. The conduction bump is bonded with the space transformer.

Description

프로브 카드 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURE PROBE CARD}Probe card manufacturing method {METHOD FOR MANUFACTURE PROBE CARD}

본 발명은 프로브 카드 제조 방법에 관한 것으로, 특히 프로브 빔과 프로브 팁 및 도전 범프를 두 개의 희생 기판에 각각 형성한 후, 상기 두 개의 희생 기판과 스페이스 트랜스포머를 접합함으로써 불량품 검출이 용이하고 불량이 발생한 희생 기판만을 교체하여 제조 비용을 절감할 수 있는 프로브 카드 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a probe card, and in particular, after forming a probe beam, a probe tip, and a conductive bump on each of two sacrificial substrates, the two sacrificial substrates and the space transformer are bonded to each other, so that defects are easily detected and defects are generated. The present invention relates to a method of manufacturing a probe card that can reduce manufacturing costs by replacing only a sacrificial substrate.

반도체 기술이 발전함에 따라 웨이퍼의 크기가 커지면서, 프로브 카드에 사용되는 캔틸레버 구조물의 개수도 증가하고 있다. 일반적으로 캔틸레버 구조물은 캔틸레버 빔과 도전 범프로 구성된다.As semiconductor technology advances, as the size of the wafer increases, the number of cantilever structures used in the probe card also increases. In general, the cantilever structure consists of a cantilever beam and a conductive bump.

캔틸레버 구조물은 희생 기판에 상기 캔틸레버 빔을 형성하고 상기 캔틸레버 빔의 단부에 상기 도전 범프를 형성함으로써 제조된다. The cantilever structure is fabricated by forming the cantilever beam on a sacrificial substrate and forming the conductive bumps at the ends of the cantilever beam.

도 1a 내지 도 1g는 종래 기술에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들이다.1A to 1G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe card according to the prior art.

도 1a를 참조하면, 희생 기판(10)을 식각하여 프로브 팁 영역(25)을 형성한다. Referring to FIG. 1A, the sacrificial substrate 10 is etched to form the probe tip region 25.

도 1b를 참조하면, 프로브 빔 영역(20)을 정의하는 제1 감광막 패턴(15)을 형성한다.Referring to FIG. 1B, the first photoresist layer pattern 15 defining the probe beam region 20 is formed.

도 1c를 참조하면, 상기 프로브 빔 영역(20) 및 상기 프로브 팁 영역(25)을 매립하여 프로브 빔(30) 및 프로브 팁(40)를 형성한다.Referring to FIG. 1C, the probe beam region 20 and the probe tip region 25 are embedded to form the probe beam 30 and the probe tip 40.

도 1d를 참조하면, 상기 프로브 빔(30) 상부에 도전 범프 예정 영역(55)을 정의하는 제2 감광막 패턴(50)을 형성한다.Referring to FIG. 1D, a second photosensitive film pattern 50 defining a conductive bump planning region 55 is formed on the probe beam 30.

도 1e를 참조하면, 상기 도전 범프 예정 영역(55)을 매립하여 도전 범프(60)을 형성한 후, 제2 감광막 패턴(50) 및 제1 감광막 패턴(15)을 제거한다.Referring to FIG. 1E, after the conductive bump predetermined region 55 is filled to form the conductive bumps 60, the second photoresist layer pattern 50 and the first photoresist layer pattern 15 are removed.

도 1f를 참조하면, 도전 범프(60)와 스페이스 트랜스포머(70)를 접합한다.Referring to FIG. 1F, the conductive bumps 60 and the space transformer 70 are bonded to each other.

도 1g를 참조하면, 희생 기판(10)을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성한다.Referring to FIG. 1G, the sacrificial substrate 10 is removed to form a cantilever structure.

대형 웨이퍼의 사용이 증가함에 따라 웨이퍼 한 장에 형성되는 소자의 수는 증가하고 있다. 웨이퍼 한장에 형성되는 소자의 수가 증가함에 따라 소자의 웨이퍼 레벨 테스트에 필요로 하는 시간은 더욱 증가한다. 따라서, 동시에 다수의 소자를 테스트할 수 있는 프로브 카드에 대한 요구가 증대되었다. 동시에 다수의 소자를 테스트하기 위해서는 스페이스 트랜스포머 상에 더욱 많은 개수의 캔틸레버 구조물을 형성하여야 하고, 이에 따라 스페이스 트랜스포머의 크기, 즉 면적을 증가시켜야 한다.As the use of large wafers increases, the number of devices formed on a single wafer increases. As the number of devices formed on a single wafer increases, the time required for wafer level testing of the devices further increases. Thus, there is an increasing demand for probe cards that can test multiple devices at the same time. To test multiple devices at the same time, a larger number of cantilever structures must be formed on the space transformer, thereby increasing the size, or area, of the space transformer.

스페이스 트랜스포머의 면적을 증가시킴과 동시에 더욱 많은 개수의 캔틸레버 구조물을 형성하는 경우, 캔틸레버 구조물에 불량이 발생할 가능성이 높아진다. 특히, 상술한 종래 기술에 따른 프로브 카드의 제조 방법의 경우, 넓은 면적의 스 페이스 트랜스포머에 대응하는 희생 기판에 다수의 캔틸레버 구조물을 동시에 형성하므로 캔틸레버 구조물의 불량품을 검출하기가 어려울 뿐만 아니라, 이 중 한 개의 캔틸레버 구조물에 불량이 발생하면 희생 기판 전체를 폐기하여야 한다.Increasing the area of the space transformer and forming a larger number of cantilever structures increases the likelihood of defects in the cantilever structures. Particularly, in the method of manufacturing a probe card according to the related art described above, since a plurality of cantilever structures are simultaneously formed on a sacrificial substrate corresponding to a large area of space transformer, it is difficult to detect defective parts of the cantilever structure, among which, If one cantilever structure fails, the entire sacrificial substrate must be discarded.

따라서, 희생 기판 전체를 폐기하면 캔틸레버 구조물을 제조하는 비용이 증가한다는 문제점이 있다.Therefore, there is a problem in that the cost of manufacturing the cantilever structure increases if the entire sacrificial substrate is discarded.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 두 개의 희생 기판에 각각 프로브 빔과 프로브 팁, 도전 범프를 형성한 후, 상기 두 개의 희생 기판과 스페이스 트랜스포머를 접합함으로써 불량품 검출이 용이하고 불량이 발생한 희생 기판만을 교체하여 제조 비용을 절감할 수 있는 프로브 카드 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention is to solve this problem, and after forming the probe beam, the probe tip, and the conductive bump on the two sacrificial substrates, the two sacrificial substrates and the space transformer is bonded to the sacrificial substrate is easy to detect defective products It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a probe card that can reduce manufacturing costs by only replacing the bay.

본 발명의 제1 면에 따른 프로브 카드 제조 방법은 (a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계; (b) 제2 희생 기판에 정의된 도전 범프 예정 영역을 제1 면에서 제2 면까지 식각하여 관통홀을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판을 접합하는 단계; (d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계; (e) 상기 제2 희생 기판을 제거하는 단계; (f) 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및 (g) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a probe card according to the first aspect of the present invention includes the steps of (a) forming a probe beam and a probe tip on a first sacrificial substrate; (b) forming a through hole by etching the conductive bump predetermined region defined in the second sacrificial substrate from the first surface to the second surface; (c) bonding the first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate; (d) filling the conductive bump predetermined area to form a conductive bump connected to the probe beam; (e) removing the second sacrificial substrate; (f) bonding the conductive bumps and the space transformer; And (g) removing the first sacrificial substrate to form a cantilever structure.

본 발명의 제2 면에 따른 프로브 카드 제조 방법은 (a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계; (b) 제2 희생 기판의 제1 면에서 제2 면까지 연장되는 도전 범프를 형성하는 단계; (c) 상기 제1 희생 기판, 제2 희생 기판 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및 (d) 상기 제1 희생 기판 및 제2 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a probe card according to the second aspect of the present invention includes the steps of (a) forming a probe beam and a probe tip on a first sacrificial substrate; (b) forming a conductive bump extending from the first side to the second side of the second sacrificial substrate; (c) bonding the first sacrificial substrate, the second sacrificial substrate and the space transformer; And (d) removing the first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate to form a cantilever structure.

본 발명의 제3 면에 따른 프로브 카드 제조 방법은 (a) 스페이스 트랜스포머를 하나 이상의 영역으로 분할하는 단계; (b) 상기 분할된 영역에 대응되는 면적을 가지는 하나 이상의 제1 희생 기판에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 관통홀을 형성하는 단계; (c) 상기 분할된 영역에 대응되는 면적을 가지는 하나 이상의 제1 희생 기판 및 제2 희생 기판을 접합하는 단계; (d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계; (e) 상기 제2 희생 기판을 제거한 후, 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및 (f) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a probe card, the method comprising: (a) dividing a space transformer into one or more regions; (b) forming a through hole defining a conductive bump predetermined region in at least one first sacrificial substrate having an area corresponding to the divided region; (c) bonding at least one first sacrificial substrate and a second sacrificial substrate having an area corresponding to the divided region; (d) filling the conductive bump predetermined area to form a conductive bump connected to the probe beam; (e) after removing the second sacrificial substrate, bonding the conductive bumps and the space transformer; And (f) removing the first sacrificial substrate to form a cantilever structure.

본 발명에 따른 프로브 카드 제조 방법은 두 개의 희생 기판에 각각 프로브 빔과 프로브 팁 및 도전 범프를 형성한 후, 상기 두 개의 기판과 스페이스 트랜스포머를 접합함으로써 불량품 검출이 용이하다는 장점이 있다. 게다가, 불량품이 발 생한 경우 상기 기판만을 교체할 수 있으므로 제조 비용을 절감할 수 있다는 장점이 있다.The method of manufacturing a probe card according to the present invention has an advantage in that defects are easily detected by forming a probe beam, a probe tip, and a conductive bump on two sacrificial substrates, and then bonding the two substrates to a space transformer. In addition, there is an advantage that the manufacturing cost can be reduced because only the substrate can be replaced when a defective product occurs.

본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2j는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들이다.2A to 2J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe card according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 제1 희생 기판(100)을 식각하여 프로브 빔 영역(140) 및 프로브 팁 영역(150)을 형성한다. 제1 희생 기판(100)은 실리콘 기판인 것이 바람직하다. 특히, 도 4a에 도시된 바와 같이 제1 희생 기판(100)은 스페이스 트랜스포머(300)(도 2j 참조)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가질 수 있다.Referring to FIG. 2A, the first sacrificial substrate 100 is etched to form the probe beam region 140 and the probe tip region 150. It is preferable that the first sacrificial substrate 100 is a silicon substrate. In particular, as shown in FIG. 4A, the first sacrificial substrate 100 may have an area corresponding to the region 500a obtained by dividing the space transformer 300 (see FIG. 2J).

도 2b를 참조하면, 상기 프로브 빔 영역(140) 및 상기 프로브 팁 영역(150)을 매립하여 프로브 빔(110) 및 프로브 팁(120)을 형성한다. 프로브 빔(110) 및 프로브 팁(120)은 도금 공정을 이용하여 Ni-Co 층으로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2B, the probe beam region 140 and the probe tip region 150 are embedded to form the probe beam 110 and the probe tip 120. The probe beam 110 and the probe tip 120 may be formed of a Ni-Co layer using a plating process.

도 2c를 참조하면, 제1 희생 기판(100)의 제2 면에 시드층(230)을 형성한다.Referring to FIG. 2C, the seed layer 230 is formed on the second surface of the first sacrificial substrate 100.

도 2d를 참조하면, 제2 희생 기판(200)의 제1 면에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 제1 감광막 패턴(210)을 형성한다. 이때, 제2 희생 기판(200)은 실리콘 기판일 수 있다. 특히, 도 4a에 도시된 바와 같이 제2 희생 기판(200)은 스페이스 트랜스포머(300)(도 2j 참조)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가질 수 있다.Referring to FIG. 2D, the first photoresist layer pattern 210 defining the conductive bump predetermined region is formed on the first surface of the second sacrificial substrate 200. In this case, the second sacrificial substrate 200 may be a silicon substrate. In particular, as illustrated in FIG. 4A, the second sacrificial substrate 200 may have an area corresponding to the region 500a obtained by dividing the space transformer 300 (see FIG. 2J).

도 2e를 참조하면, 제1 감광막 패턴(210)을 식각 마스크로 상기 도전 범프 예정 영역을 식각(deep etch)하여 제2 희생 기판(200) 내에 관통공을 형성한다. 이때, 상기 식각 공정은 제2 희생 기판(200)의 제1 면에서 제2 면까지 식각하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2E, through holes are formed in the second sacrificial substrate 200 by deep etching the conductive bump predetermined region using the first photoresist layer pattern 210 as an etch mask. In this case, the etching process may preferably etch from the first surface to the second surface of the second sacrificial substrate 200.

도 2f를 참조하면, 제1 감광막 패턴(210)을 제거한다. 제2 희생 기판(200)의 표면에 산화막(미도시) 또는 질화막(미도시)를 형성하여 제2 희생 기판(200)을 절연시키는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2F, the first photoresist layer pattern 210 is removed. It is preferable to form an oxide film (not shown) or a nitride film (not shown) on the surface of the second sacrificial substrate 200 to insulate the second sacrificial substrate 200.

도 2g를 참조하면, 제1 희생 기판(100)의 제2 면에 제1 도전 범프 접속 영역을 노출시키는 제2 감광막 패턴(250)을 형성한다. 제2 감광막 패턴(250)은 접착층으로 기능한다.Referring to FIG. 2G, a second photosensitive film pattern 250 exposing the first conductive bump connection region is formed on the second surface of the first sacrificial substrate 100. The second photosensitive film pattern 250 functions as an adhesive layer.

도 2h를 참조하면, 제1 희생 기판(100)의 제2 면에 제2 희생 기판(200)을 접합한다. 즉, 도 4b에 도시된 바와 같이, 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가지는 제1 희생 기판(100)에 형성된 프로브 빔(110)을 접합할 수 있다. 상기 접합 공정을 반복하여 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500b 내지 500d)에 대해서도 프로브 빔(110)을 접합할 수 있다.Referring to FIG. 2H, the second sacrificial substrate 200 is bonded to the second surface of the first sacrificial substrate 100. That is, as illustrated in FIG. 4B, the probe beam 110 formed on the first sacrificial substrate 100 having an area corresponding to the region 500a obtained by dividing the space transformer 300 may be bonded. The probe beam 110 may be bonded to the regions 500b to 500d where the space transformer 300 is divided by repeating the bonding process.

도 2i를 참조하면, 식각된 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 프로브 빔(110)에 접속되는 도전 범프(220)를 형성한다.Referring to FIG. 2I, a conductive bump 220 connected to the probe beam 110 is formed by filling the etched conductive bump predetermined region.

도 2j를 참조하면, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하여 제2 희생 기판(200)이 노출될 때까지 제2 면을 평탄화 식각한다.Referring to FIG. 2J, the second surface is planarized and etched until the second sacrificial substrate 200 is exposed by performing a chemical mechanical polishing (CMP) process.

도 2k를 참조하면, 제2 희생 기판(200)을 제거한 후, 노출된 제2 감광막 패 턴(250) 및 시드층(230)을 제거한다. 제2 희생 기판(200), 제2 감광막 패턴(250) 및 시드층(230)은 식각 공정으로 제거할 수 있다.Referring to FIG. 2K, after the second sacrificial substrate 200 is removed, the exposed second photoresist pattern 250 and the seed layer 230 are removed. The second sacrificial substrate 200, the second photoresist pattern 250, and the seed layer 230 may be removed by an etching process.

도 2l를 참조하면, 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)의 접합 특성을 향상시키기 위한 제1 접착층(330)이 형성된 스페이스 트랜스포머(300)를 준비한다. 제1 접착층(330)은 스페이스 트랜스포머(300)의 단부, 즉 제2 도전 범프 접속 영역에 형성되며, 제2 도전 범프 접속 영역은 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)가 전기적 및 기계적으로 접속되는 영역이다. 또한, 제1 접착층(330)은 프린팅 공정을 수행하여 AuSn층으로 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2L, a space transformer 300 in which a first adhesive layer 330 is formed to improve bonding characteristics between the conductive bump 220 and the space transformer 300 is prepared. The first adhesive layer 330 is formed at the end of the space transformer 300, that is, the second conductive bump connection region, and the second conductive bump connection region is electrically and mechanically connected to the conductive bump 220 and the space transformer 300. Area. In addition, the first adhesive layer 330 may be formed of an AuSn layer by performing a printing process.

도 2m를 참조하면, 도전 범프(220) 및 스페이스 트랜스포머(300)를 접합한다. 즉, 도 4b에 도시된 바와 같이, 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가지는 제2 희생 기판(200)에 형성된 도전 범프(220) 및 스페이스 트랜스포머(300)를 접합할 수 있다. 상기 접합 공정을 반복하여 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500b 내지 500d)에 대해서도 도전 범프(220)를 접합한다.Referring to FIG. 2M, the conductive bumps 220 and the space transformer 300 are bonded to each other. That is, as illustrated in FIG. 4B, the conductive bump 220 and the space transformer 300 formed on the second sacrificial substrate 200 having an area corresponding to the region 500a in which the space transformer 300 is divided are bonded. can do. The conductive bumps 220 are bonded to the regions 500b to 500d in which the space transformer 300 is divided by repeating the above bonding process.

도 2n를 참조하면, 제1 희생 기판(100)을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성한다. 제1 희생 기판(100)은 식각 공정으로 제거할 수 있다.Referring to FIG. 2N, the first sacrificial substrate 100 is removed to form a cantilever structure. The first sacrificial substrate 100 may be removed by an etching process.

도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들이다.3A to 3J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe card according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 제1 희생 기판(100)을 식각하여 프로브 빔 영역(140) 및 프로브 팁 영역(150)을 형성한다. 이때, 제1 희생 기판(100)은 실리콘 기판일 수 있다. 특히, 도 4a에 도시된 바와 같이 제1 희생 기판(100)은 스페이스 트랜스포머(300)(도 3h 참조)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가질 수 있다.Referring to FIG. 3A, the first sacrificial substrate 100 is etched to form the probe beam region 140 and the probe tip region 150. In this case, the first sacrificial substrate 100 may be a silicon substrate. In particular, as shown in FIG. 4A, the first sacrificial substrate 100 may have an area corresponding to the region 500a obtained by dividing the space transformer 300 (see FIG. 3H).

도 3b를 참조하면, 상기 프로브 빔 영역(140) 및 상기 프로브 팁 영역(150)을 매립하여 프로브 빔(110) 및 프로브 팁(120)을 형성한다. 프로브 빔(110) 및 프로브 팁(120)은 도금 공정을 이용하여 Ni-Co 층으로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3B, the probe beam region 140 and the probe tip region 150 are embedded to form the probe beam 110 and the probe tip 120. The probe beam 110 and the probe tip 120 may be formed of a Ni-Co layer using a plating process.

도 3c를 참조하면, 프로브 빔(110)의 단부, 즉 제1 도전 범프 접속 영역에 제2 접착층(130)을 형성한다. 제1 도전 범프 접속 영역은 프로브 빔(110)과 도전 범프(220)(도 3g 참조)가 전기적으로 접속되는 영역이다. 또한, 제2 접착층(130)은 프린팅 공정을 이용하여 AuSn층으로 형성할 수 있다. Referring to FIG. 3C, a second adhesive layer 130 is formed at an end of the probe beam 110, that is, the first conductive bump connection region. The first conductive bump connecting region is a region in which the probe beam 110 and the conductive bump 220 (see FIG. 3G) are electrically connected. In addition, the second adhesive layer 130 may be formed of an AuSn layer by using a printing process.

도 3d를 참조하면, 제2 희생 기판(200)의 제1 면에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 감광막 패턴(210)을 형성한다. 이때, 제2 희생 기판(200)은 실리콘 기판일 수 있다. 특히, 도 4a에 도시된 바와 같이 제2 희생 기판(200)은 스페이스 트랜스포머(300)(도 3h 참조)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가질 수 있다.Referring to FIG. 3D, a photosensitive film pattern 210 defining a conductive bump predetermined region is formed on the first surface of the second sacrificial substrate 200. In this case, the second sacrificial substrate 200 may be a silicon substrate. In particular, as shown in FIG. 4A, the second sacrificial substrate 200 may have an area corresponding to the region 500a obtained by dividing the space transformer 300 (see FIG. 3H).

도 3e를 참조하면, 감광막 패턴(210)을 식각 마스크로 상기 도전 범프 예정 영역을 식각(deep etch)하여 제2 희생 기판(200) 내에 관통공을 형성한다. 이때, 상기 식각 공정은 제2 희생 기판(200)의 제1 면에서 제2 면까지 식각하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 3E, the conductive bump predetermined region is etched using the photoresist pattern 210 as an etch mask to form through holes in the second sacrificial substrate 200. In this case, the etching process may preferably etch from the first surface to the second surface of the second sacrificial substrate 200.

도 3f를 참조하면, 감광막 패턴(210)을 제거한 후, 상기 관통공 측벽에 시드층(230)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(210)은 식각 공정으로 제거할 수 있다.Referring to FIG. 3F, after removing the photoresist pattern 210, the seed layer 230 is formed on the sidewall of the through hole. In this case, the photoresist pattern 210 may be removed by an etching process.

도 3g를 참조하면, 식각된 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 도전 범 프(220)를 형성한다. 이때, 도전 범프(220)는 도금 공정을 수행하여 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3G, a conductive bump 220 is formed by filling the etched conductive bump predetermined region. In this case, the conductive bumps 220 may be formed by performing a plating process.

도 3h를 참조하면, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하여 제2 희생 기판(200)이 노출될 때까지 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 평탄화 식각한다. Referring to FIG. 3H, the first surface and the second surface are planarized and etched until the second sacrificial substrate 200 is exposed by performing a chemical mechanical polishing (CMP) process.

도 3i를 참조하면, 제1 접착층(330)이 형성된 스페이스 트랜스포머(300)를 준비한다. 제1 접착층(330)은 스페이스 트랜스포머(300)의 단부, 즉 제2 도전 범프 접속 영역에 형성되며, 제2 도전 범프 접속 영역은 도전 범프(220)(도 3g 참조)와 스페이스 트랜스포머(300)가 전기적 및 기계적으로 접속되는 영역이다. Referring to FIG. 3I, a space transformer 300 having the first adhesive layer 330 is prepared. The first adhesive layer 330 is formed at an end portion of the space transformer 300, that is, the second conductive bump connection region, and the second conductive bump connection region includes the conductive bump 220 (see FIG. 3G) and the space transformer 300. It is an area that is electrically and mechanically connected.

도 3j를 참조하면, 프로브 빔(110), 도전 범프(220) 및 스페이스 트랜스포머(300)를 접합한다. 프로브 빔(110)과 도전 범프(220)의 접합 특성을 향상시키기 위하여 프로브 빔(110)과 도전 범프(220)의 계면에 제3 접착층(130)을 추가로 형성할 수 있다. 또한, 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)의 접합 특성을 향상시키기 위하여 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)의 계면에 제1 접착층(330)을 추가로 형성할 수 있다. 이때, 제3 접착층(130) 및 제1 접착층(330)은 용융점이 서로 다른 AgSnCu층 및 AuSn층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로브 빔(110)과 도전 범프(220)가 접합된 후 스페이스 트랜스포머(300)가 접합되는 경우, 제3 접착층(130)은 용융점이 높은 AuSn층으로 형성하고, 제1 접착층(330)은 용융점이 낮은 AgSnCu층으로 형성할 수 있다. 또한, 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)가 접합된 후 프로브 빔(110)이 접합되는 경우, 제3 접착층(130)은 AgSnCu층으로 형성하고, 제1 접착층(330)은 AuSn층으로 형성할 수 있다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가지는 제1 희생 기판(100)에 형성된 프로브 빔(110), 제2 희생 기판(200)에 형성된 도전 범프(220) 및 스페이스 트랜스포머(300)를 접합할 수 있다. 상기 접합 공정을 반복하여 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500b 내지 500d)에 대해서도 프로브 빔(110) 및 도전 범프(220)를 접합한다.Referring to FIG. 3J, the probe beam 110, the conductive bumps 220, and the space transformer 300 are bonded to each other. In order to improve bonding characteristics between the probe beam 110 and the conductive bumps 220, a third adhesive layer 130 may be further formed at an interface between the probe beam 110 and the conductive bumps 220. In addition, in order to improve bonding characteristics of the conductive bumps 220 and the space transformer 300, the first adhesive layer 330 may be further formed at an interface between the conductive bumps 220 and the space transformer 300. In this case, the third adhesive layer 130 and the first adhesive layer 330 may include an AgSnCu layer and an AuSn layer having different melting points. For example, when the space transformer 300 is bonded after the probe beam 110 and the conductive bump 220 are bonded, the third adhesive layer 130 is formed of an AuSn layer having a high melting point, and the first adhesive layer 330. ) May be formed of an AgSnCu layer having a low melting point. In addition, when the probe bump 110 is bonded after the conductive bumps 220 and the space transformer 300 are bonded, the third adhesive layer 130 is formed of an AgSnCu layer, and the first adhesive layer 330 is formed of an AuSn layer. Can be formed. As shown in FIG. 4B, the probe beam 110 and the second sacrificial substrate 200 formed on the first sacrificial substrate 100 having an area corresponding to the region 500a obtained by dividing the space transformer 300 are formed. The conductive bumps 220 and the space transformer 300 may be bonded to each other. The above-described bonding process is repeated to bond the probe beam 110 and the conductive bump 220 to the regions 500b to 500d where the space transformer 300 is divided.

도 3k를 참조하면, 제1 희생 기판(100) 및 제2 희생 기판(200)을 제거한다. 제1 희생 기판(100) 및 제2 희생 기판(200)은 식각 공정으로 제거할 수 있다.Referring to FIG. 3K, the first sacrificial substrate 100 and the second sacrificial substrate 200 are removed. The first sacrificial substrate 100 and the second sacrificial substrate 200 may be removed by an etching process.

이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 여타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 이하의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the preferred embodiment according to the present invention has been described above, this is merely exemplary and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the protection scope of the present invention should be defined by the following claims.

따라서 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, the embodiments disclosed herein are not intended to limit the present invention but to describe the present invention, and the spirit and scope of the present invention are not limited by these embodiments. It is intended that the scope of the invention be interpreted by the following claims, and that all descriptions within the scope equivalent thereto will be construed as being included in the scope of the present invention.

도 1a 내지 도 1g는 종래 기술에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들.1A to 1G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe card according to the prior art.

도 2a 내지 도 2j는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들.2A to 2J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe card according to a first embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들.3A to 3J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe card according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4a는 스페이스 트랜스포머를 분할한 예시도.4A is an exemplary diagram in which a space transformer is divided.

도 4b는 본 발명에 따른 프로브 카드의 접합 방법을 도시한 예시도.Figure 4b is an exemplary view showing a bonding method of the probe card according to the present invention.

Claims (21)

(a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계;(a) forming a probe beam and a probe tip on the first sacrificial substrate; (b) 제2 희생 기판에 정의된 도전 범프 예정 영역을 제1 면에서 제2 면까지 식각하여 관통홀을 형성하는 단계;(b) forming a through hole by etching the conductive bump predetermined region defined in the second sacrificial substrate from the first surface to the second surface; (c) 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판을 접합하는 단계;(c) bonding the first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate; (d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계;(d) filling the conductive bump predetermined area to form a conductive bump connected to the probe beam; (e) 상기 제2 희생 기판을 제거하는 단계;(e) removing the second sacrificial substrate; (f) 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및(f) bonding the conductive bumps and the space transformer; And (g) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계(g) removing the first sacrificial substrate to form a cantilever structure 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.Probe card manufacturing method comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판의 계면에 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.And forming a seed layer at an interface between the first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 시드층 표면에 상기 도전 범프 접속 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.And forming a photosensitive film pattern exposing the conductive bump connection region on a surface of the seed layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전 범프 및 상기 스페이스 트랜스포머의 계면에 제1 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.And forming a first adhesive layer at an interface between the conductive bumps and the space transformer. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 접착층을 형성하는 단계는 프린팅 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.Forming the first adhesive layer is a method of manufacturing a probe card, characterized in that it comprises a printing process. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 접착층은 AuSn층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.The first adhesive layer is a method of manufacturing a probe card, characterized in that it comprises an AuSn layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판은 각각 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.And the first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate each comprise a silicon substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (b) 단계는, In step (b), (b-1) 상기 제2 희생 기판의 제1 면에 상기 도전 범프 예정 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및(b-1) forming a photoresist pattern on the first surface of the second sacrificial substrate defining the conductive bump predetermined region; And (b-2) 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 상기 도전 범프 예정 영역을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.(b-2) etching the conductive bump predetermined region using the photoresist pattern as an etching mask. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (f) 단계는, 상기 도전 범프 및 상기 스페이스 트랜스포머 상에 구비된 제2 도전 범프 접속 영역을 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.The step (f) includes the step of joining the conductive bumps and the second conductive bump connection region provided on the space transformer, characterized in that the manufacturing method of the probe card. (a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계;(a) forming a probe beam and a probe tip on the first sacrificial substrate; (b) 제2 희생 기판의 제1 면에서 제2 면까지 연장되는 도전 범프를 형성하는 단계;(b) forming a conductive bump extending from the first side to the second side of the second sacrificial substrate; (c) 상기 제1 희생 기판, 제2 희생 기판 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및(c) bonding the first sacrificial substrate, the second sacrificial substrate and the space transformer; And (d) 상기 제1 희생 기판 및 제2 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계(d) removing the first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate to form a cantilever structure 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.Probe card manufacturing method comprising a. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 (c) 단계는Step (c) is (c-1) 상기 제1 희생 기판과 제2 희생 기판을 접합하는 단계; 및(c-1) bonding the first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate; And (c-2) 상기 제1 희생 기판에 접합된 제2 희생 기판에 상기 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계(c-2) bonding the space transformer to a second sacrificial substrate bonded to the first sacrificial substrate; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.Probe card manufacturing method comprising a. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 (c-1) 단계는 상기 프로브 빔 및 상기 도전 범프의 계면에 제2 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 (c-2) 단계는 상기 도전 범프 및 상기 스페이스 트랜스포머의 계면에 제1 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.The step (c-1) further includes the step of forming a second adhesive layer at the interface between the probe beam and the conductive bump, and the step (c-2) includes a first at the interface of the conductive bump and the space transformer. Probe card manufacturing method further comprising the step of forming an adhesive layer. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1 접착층 및 제2 접착층을 형성하는 단계는 각각 프린팅 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.Forming the first adhesive layer and the second adhesive layer, each manufacturing method of the probe card, characterized in that it comprises a printing process. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제2 접착층은 AuSn층을 포함하며, 제1 접착층은 AgSnCu층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.The second adhesive layer comprises an AuSn layer, the first adhesive layer comprises a AgSnCu layer manufacturing method of a probe card. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 (c) 단계는Step (c) is (c-1) 제2 희생 기판에 상기 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및(c-1) bonding the space transformer to a second sacrificial substrate; And (c-2) 상기 스페이스 트랜스포머에 접합된 제2 희생 기판에 상기 제1 희생 기판을 접합하는 단계; 및(c-2) bonding the first sacrificial substrate to a second sacrificial substrate bonded to the space transformer; And 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.Probe card manufacturing method comprising a. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 (c-1) 단계는 상기 도전 범프 및 상기 스페이스 트랜스포머의 계면에 제1 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 (c-2) 단계는 상기 프로브 빔 및 상기 도전 범프의 계면에 제2 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.The step (c-1) further includes the step of forming a first adhesive layer at an interface between the conductive bump and the space transformer, and the step (c-2) includes a second at an interface between the probe beam and the conductive bump. Probe card manufacturing method further comprising the step of forming an adhesive layer. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 제1 접착층 및 제2 접착층을 형성하는 단계는 각각 프린팅 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.Forming the first adhesive layer and the second adhesive layer, each manufacturing method of the probe card, characterized in that it comprises a printing process. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제2 접착층은 AuSnCu층을 포함하며, 제1 접착층은 AgSn층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.The second adhesive layer comprises an AuSnCu layer, the first adhesive layer comprises a AgSn layer manufacturing method of the probe card. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 (b) 단계는, In step (b), (b-1) 상기 제2 희생 기판의 제1 면에 상기 도전 범프 예정 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; (b-1) forming a photoresist pattern on the first surface of the second sacrificial substrate defining the conductive bump predetermined region; (b-2) 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 상기 도전 범프 예정 영역을 식각하는 단계;(b-2) etching the conductive bump predetermined region using the photoresist pattern as an etching mask; (b-3) 상기 도전 범프 예정 영역의 측벽에 시드층을 형성하는 단계(b-3) forming a seed layer on sidewalls of the conductive bump predetermined region (b-4) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 도전 범프를 형성하는 단계;(b-4) filling the conductive bump predetermined region to form the conductive bumps; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.Method of manufacturing a probe card comprising a. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판은 각각 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.And the first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate each comprise a silicon substrate. (a) 스페이스 트랜스포머를 하나 이상의 영역으로 분할하는 단계;(a) dividing the space transformer into one or more regions; (b) 상기 분할된 영역에 대응되는 면적을 가지는 하나 이상의 제1 희생 기판에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 관통홀을 형성하는 단계;(b) forming a through hole defining a conductive bump predetermined region in at least one first sacrificial substrate having an area corresponding to the divided region; (c) 상기 분할된 영역에 대응되는 면적을 가지는 하나 이상의 제1 희생 기판 및 제2 희생 기판을 접합하는 단계;(c) bonding at least one first sacrificial substrate and a second sacrificial substrate having an area corresponding to the divided region; (d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계;(d) filling the conductive bump predetermined area to form a conductive bump connected to the probe beam; (e) 상기 제2 희생 기판을 제거한 후, 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및 (e) after removing the second sacrificial substrate, bonding the conductive bumps and the space transformer; And (f) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계(f) removing the first sacrificial substrate to form a cantilever structure 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.Method of manufacturing a probe card comprising a.
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