KR20080102825A - Electronical contact element production method for probe card - Google Patents

Electronical contact element production method for probe card Download PDF

Info

Publication number
KR20080102825A
KR20080102825A KR1020070049787A KR20070049787A KR20080102825A KR 20080102825 A KR20080102825 A KR 20080102825A KR 1020070049787 A KR1020070049787 A KR 1020070049787A KR 20070049787 A KR20070049787 A KR 20070049787A KR 20080102825 A KR20080102825 A KR 20080102825A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contact element
probe card
substrate
sacrificial
sacrificial layer
Prior art date
Application number
KR1020070049787A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101322264B1 (en
Inventor
장철호
Original Assignee
세크론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세크론 주식회사 filed Critical 세크론 주식회사
Priority to KR1020070049787A priority Critical patent/KR101322264B1/en
Publication of KR20080102825A publication Critical patent/KR20080102825A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101322264B1 publication Critical patent/KR101322264B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

A manufacturing method of electric contact element for the probe card is provided to remove the sacrificial layer without distending the sacrificial layer by using the sacrificial layer for forming the pillar section of the contact element. A manufacturing method of electric contact element for the probe card includes the step for forming the sacrificial layer by coating the insulating material on the substrate(100); the step for forming the photoresist layer on the sacrificial layer; the step for removing selectively by etching the site corresponding to the photoresist layer with the wire portion(110) of substrate; the step for forming the molding for the pillar section of the contact element by removing selectively the site on the sacrificial layer corresponding to the wire portion.

Description

프로브 카드용 전기접촉소자 제조 방법{Electronical contact element production method for probe card}Electronic contact element production method for probe card

도 1 내지 도 3은 종래의 프로브 카드용 접촉소자의 제조 방법을 개략적으로 보여준다. 1 to 3 schematically show a method of manufacturing a contact element for a conventional probe card.

도 4는 종래의 프로브 카드용 접촉소자의 제조 방법에 따라 제작된 프로브 카드용 접촉소자의 접합 불량 상태를 보여준다. 4 shows a state of failure in bonding of a contact element for a probe card manufactured according to a conventional method for manufacturing a contact element for a probe card.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉소자의 제조 방법을 개략적으로 보여준다. 5 to 7 schematically show a method of manufacturing a contact element for a probe card according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉소자의 제조 방법에 따라 제조된 프로브 카드용 접촉소자를 보여준다. 8 shows a contact element for a probe card manufactured according to a method of manufacturing a contact element for a probe card according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 프로브 카드용 전기접촉소자 제조 방법, 특히 접촉소자의 기둥부와 몸체부 사이의 접촉 상태를 양호하게 유지하도록 제작할 수 있는 프로브 카드용 전기접촉소자 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing an electrical contact element for a probe card, and more particularly, to a method for manufacturing an electrical contact element for a probe card, which can be manufactured to maintain a good contact state between a pillar portion and a body portion of a contact element.

웨이퍼 프로빙 장치는 웨이퍼 상에 형성되어 있는 각 개별 반도체 칩들을 프 로브 카드를 이용하여 전기적으로 테스트하는 장치이며, 프로브 카드용 접촉소자는 각 개별 반도체 칩들의 금속 패드에 접촉하여 테스트가 수행될 수 있게 한다. A wafer probing apparatus is an apparatus for electrically testing each individual semiconductor chip formed on a wafer using a probe card, and the contact element for the probe card contacts the metal pad of each individual semiconductor chip so that the test can be performed. do.

이렇게 웨이퍼 상의 각 개별 반도체 칩의 전기 테스트를 수행하기 위한 프로브 카드의 접촉소자는 일반적으로 침 형태로 사용되며('프로브 침' 이라고도 한다), 이러한 접촉소자는 프로브 카드에 각각 실장되어 사용된다. 그러나 침 형태의 접촉소자를 프로브 카드에 일일이 실장하는 것은 그 제조 시간, 및 경비 측면에서 바람직하지 않다. Thus, the contact element of the probe card for performing the electrical test of each individual semiconductor chip on the wafer is generally used in the form of a needle (also referred to as a 'probe needle'), and these contact elements are respectively mounted on the probe card and used. However, it is not preferable to mount the needle-shaped contact element on the probe card in terms of its manufacturing time and cost.

따라서 복수개의 프로브 카드 용 접촉소자를 반도체 식각 기술을 이용하여 동시에 제조하는 방법이 연구되고 있다. Therefore, a method of simultaneously manufacturing a plurality of probe elements for contact cards using semiconductor etching technology has been studied.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 반도체 식각 기술을 이용한 종래의 프로브 카드용 접촉소자의 제조 방법을 구체적으로 살펴본다. Hereinafter, a method of manufacturing a conventional probe card contact device using a semiconductor etching technique will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

먼저, 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 기판(10)에 포토레지스트 물질로 포토레지스트 층(20)을 형성한 후, 프로브 카드용 접촉소자에 전기 신호를 전달하는 배선부(11) 주위의 포토레지스트 층(20)을 제거한다. First, as shown in FIG. 1, a photoresist layer 20 is formed of a photoresist material on a substrate 10, and then a photo around the wiring portion 11 for transmitting an electrical signal to a contact element for a probe card. The resist layer 20 is removed.

그후, 이렇게 식각 제거된 부위에 금속을 도금하여 접촉소자의 기둥부(bump)(30)를 형성한다.Thereafter, the metal is plated on the etched-off portion to form a bump 30 of the contact element.

그리고, 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 희생 기판(40)상에 반도체 식각 공정을 통해 접촉소자의 팁부(50)에 대응하는 부위를 식각 제거하고, 위에서 설명한 공정과 유사한 방법을 사용하여, 포토레지스트 층(60)을 형성하고, 포토레지스트 층(60) 내에서 접촉소자의 몸체부(70)에 대응하는 부위를 식각 제거한 후, 식각 제 거된 부위에 금속을 도금하여 접촉소자의 팁부(50) 및 몸체부(70)를 형성한다. As shown in FIG. 2, the portion corresponding to the tip portion 50 of the contact element is etched away through the semiconductor etching process on the sacrificial substrate 40, and the photo is removed using a method similar to the above-described process. After forming the resist layer 60 and etching away the portion corresponding to the body portion 70 of the contact element in the photoresist layer 60, the metal portion is plated on the etched portion to form the tip portion 50 of the contact element. And a body portion 70.

다음으로, 도 3 에서 볼 수 있는 바와 같이, 접촉소자의 팁부(50) 및 몸체부(70)가 형성된 희생 기판(40)을 접촉소자의 기둥부(30)가 형성된 기판(10) 상에 정렬하고, 접촉소자의 몸체부(70)와 접촉소자의 기둥부(30)를 접합층(80)을 사용하여 접착시켜, 접촉소자의 모양을 완성하게 된다. Next, as shown in FIG. 3, the sacrificial substrate 40 on which the tip portion 50 and the body portion 70 of the contact element are formed is aligned on the substrate 10 on which the pillar portion 30 of the contact element is formed. Then, the body portion 70 of the contact element and the pillar portion 30 of the contact element are bonded using the bonding layer 80 to complete the shape of the contact element.

그리고, 제조 공정중에 잔존하고 있는 포토레지스트 층(20), 포토레지스트층(60), 및 희생기판(40)을 식각 제거하여 프로브 카드용 접촉소자를 제조하게 된다. Then, the photoresist layer 20, the photoresist layer 60, and the sacrificial substrate 40 remaining in the manufacturing process are etched away to manufacture the contact element for the probe card.

그런데, 이러한 포토레지스트 층(20)을 형성하는데 사용되는 포토레지스트 물질은 종류에 따라 이를 제거하는 식각 용액(stripper)에 의해 쉽게 용해되지 않아, 포토레지스트 층(20) 제거 공정에서 포토레지스트 층(20)이 팽창(swell)하는 현상을 유발 시킬 수 있다. However, the photoresist material used to form the photoresist layer 20 is not easily dissolved by an etching solution that removes the photoresist layer 20 according to the type thereof, and thus the photoresist layer 20 is removed in the photoresist layer 20 removal process. ) May cause swelling.

이와 같이, 포토레지스트 층(20)이 팽창하게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 접촉소자의 기둥부(30)와 몸체부(70) 사이의 접합이 벌어져, 접합 불량을 일으킬 수 있게 된다. As such, when the photoresist layer 20 expands, as shown in FIG. 4, bonding between the pillar portion 30 and the body portion 70 of the contact element may be performed, resulting in a poor bonding.

상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 접촉소자의 기둥부 생성을 위해 희생층을 이용하고, 이러한 희생층을 팽창시킴 없이 식각 제거하여 접촉소자의 기둥부와 몸체부의 접합 불량을 방지할 수 있는 프로브 카드용 전기접촉소자 제조 방법을 제공하고자 한다. In order to solve the problems of the prior art as described above, the present invention uses a sacrificial layer for generating the pillar portion of the contact element, and by removing the etching without expanding the sacrificial layer to eliminate the poor connection of the pillar portion and the body portion of the contact element An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electrical contact element for a probe card.

본 발명의 한 특징에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법은 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법은 a)기판 상에 절연 물질을 도포하여 희생층을 형성하는 단계; b) 상기 희생층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계; c) 상기 포토레지스트 층에서 상기 기판의 배선부에 대응하는 부위를 선택적으로 식각 제거하는 단계; d) 상기 포토레지스트 층을 마스크로 이용하여 상기 희생층에서 상기 기판의 배선부에 대응하는 부위를 선택적으로 식각 제거하여 접촉 소자의 기둥부에 대한 금형을 형성하는 단계; 및 e) 상기 금형에 전도성 금속을 충전하여 상기 접촉 소자의 기둥부를 형성하는 단계;를 포함한다. A method of manufacturing a contact element for a probe card according to an aspect of the present invention may include: a) forming a sacrificial layer by applying an insulating material on a substrate; b) forming a photoresist layer on the sacrificial layer; c) selectively etching away a portion of the photoresist layer corresponding to the wiring portion of the substrate; d) selectively etching away a portion of the sacrificial layer corresponding to the wiring portion of the substrate using the photoresist layer as a mask to form a mold for the pillar portion of the contact element; And e) filling the mold with a conductive metal to form the pillar portion of the contact element.

상기 절연 물질로서 HF 또는 BOE에 대하여 높은 용융성을 가지는 것을 이용할 수 있다. As the insulating material, those having high meltability with respect to HF or BOE can be used.

상기 절연 물질은 스핀 온 글래스(spin on glass: 이하, 'SOG'라고 한다) 물질 또는 산화 물질(oxide material)일 수 있다. The insulating material may be a spin on glass (hereinafter referred to as SOG) material or an oxide material.

상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법은 f) 희생 기판 상에 상기 접촉 소자의 몸체부 및 팁부를 형성하는 단계; g) 상기 접촉 소자의 몸체부가 상기 접촉 소자의 기둥부의 상부에 위치하도록 상기 희생 기판을 상기 기판 상에 정렬하는 단계; h) 상기 접촉 소자의 몸체부와 상기 접촉 소자의 기둥부를 접합시키는 단계; 및 i)상기 희생층을 식각 용액으로 식각 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing a contact element for a probe card may include f) forming a body portion and a tip portion of the contact element on a sacrificial substrate; g) aligning the sacrificial substrate on the substrate such that the body portion of the contact element is located above the pillar portion of the contact element; h) bonding the body portion of the contact element and the pillar portion of the contact element; And i) etching away the sacrificial layer with an etching solution.

상기 식각 용액이 HF 또는 BOE 일 수 있다. The etching solution may be HF or BOE.

상기 희생층의 형성을 수회 반복하여 복수개의 상기 희생 층의 높이가 상기 기둥부의 높이에 대응하게 할 수 있다. The formation of the sacrificial layer may be repeated several times so that the heights of the plurality of sacrificial layers correspond to the heights of the pillars.

상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법은 상기 접촉 소자의 기둥부의 상부에 접합 재료를 도포하여 접합 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing a contact element for a probe card may further include forming a bonding layer by applying a bonding material to an upper portion of a pillar of the contact element.

상기와 같은 기술적 과제의 달성을 위해, 본 발명은 식각 용액에 의해 용이하게 제거될 수 있는 절연 물질로 이용하여 희생 층을 형성하고, 포토레지스트 층을 이용하여 희생 층을 선택적으로 식각함으로써, 접촉소자의 기둥부 형성을 위한 금형을 제작하여 이용하였다. 그에 따라, 본 발명에 의한 프로브 카드용 접촉소자 제조 방법은 희생 층의 식각 제거시 식각 용액에 의한 팽창을 방지할 수 있으며, 그에 따라 접촉소자의 기둥부와 몸체부의 접합 상태를 양호하게 유지할 수 있게 되었다. In order to achieve the above technical problem, the present invention forms a sacrificial layer using an insulating material that can be easily removed by an etching solution, and selectively etching the sacrificial layer using a photoresist layer, thereby The mold for forming the pillar portion of was prepared and used. Accordingly, the method for manufacturing a contact element for a probe card according to the present invention can prevent expansion due to the etching solution when the sacrificial layer is etched away, thereby maintaining a good bonding state between the pillar and the body of the contact element. It became.

이하, 본 발명을 바람직한 실시예와 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(100)에 절연 물질을 도포하고 경화시켜 희생층(200)을 형성하였다. 이렇게 형성되는 희생층(200)은 수백 ㎛인 프로브 카드용 접촉소자의 기둥부의 높이에 대응하도록 복수의 층으로 형성될 수 있다. First, as shown in FIG. 5A, an insulating material is applied to the substrate 100 and cured to form a sacrificial layer 200. The sacrificial layer 200 formed as described above may be formed of a plurality of layers to correspond to the height of the pillar portion of the contact element for the probe card of several hundred μm.

본 발명에서 사용되는 절연 물질은 통상적으로 패턴 사이의 미세 갭을 매립하여 표면의 평탄화를 달성하며, 노광시 빛의 반사를 방지하기 위해 이용되는 스핀 온 글래스(spin on glass: 이하, 'SOG'라고 한다) 물질, 플립 칩 패키징 범핑(Flip Chip Packaging Bumping) 공정에 사용되는 솔더 마스크 감광 재료, 반도체 팹 공정용 패시배이션 재료, 또는 산화 물질(oxide material)등이 바람직하게 사용된다. Insulation materials used in the present invention are typically filled with a fine gap between the patterns to achieve a planarization of the surface, the spin on glass (hereinafter referred to as 'SOG') used to prevent the reflection of light during exposure Materials, solder mask photosensitive materials used in Flip Chip Packaging Bumping processes, passivation materials for semiconductor fab processing, oxide materials and the like are preferably used.

이러한 SOG 물질은 통상적으로 유기(organic) SOG와 무기(inorganic) SOG로 분류되며, 각각 유기물과 무기물의 조성조건에 따라 실리케이트(Silicate)형 및 실록산 (Siloxane)형과 MSQ(Methyl Silsesquioxane)형 및 HSQ(Hydrogen Silsesquioxane)형으로 분류된다. 이 중 실리케이트형 SOG는 Si-O 구조의 Si 원자에 -OH가 결합된 구조를 가지고, 실록산형 SOG는 Si-O 구조의 Si 원자에 -OH와 메틸(-CH3)이 결합된 구조를 가지고, MSQ형은 다량의 메틸을 가지며 HSQ는 다량의 수소를 갖는다. 이러한 SOG막은 통상적으로 스핀코터(spin coater)에 의해 SOG 용액을 분사하여 이루어진다. Such SOG materials are generally classified into organic SOG and inorganic SOG, and are classified into silicate, siloxane, methyl silsesquioxane, and HSQ according to the organic and inorganic composition conditions, respectively. (Hydrogen Silsesquioxane) type. The silicate SOG has a structure in which -OH is bonded to a Si atom of a Si-O structure, and the siloxane SOG has a structure in which -OH and methyl (-CH 3 ) are bonded to a Si atom of a Si-O structure. Form MSQ has a large amount of methyl and HSQ has a large amount of hydrogen. Such an SOG film is typically formed by spraying an SOG solution by a spin coater.

한편, 본 발명에서 기판(100)은 웨이퍼 프로빙 검사 장치로부터 테스트 신호를 전달할 수 있는 것이면 특별한 제한 없이 사용되며, 본 실시예에서는 스페이스 트랜스포머를 이용하였다. Meanwhile, in the present invention, the substrate 100 may be used without particular limitation as long as it can transmit a test signal from the wafer probing inspection apparatus. In this embodiment, the space transformer is used.

이와 같이, 희생층(200)이 형성되면, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 희생층(200) 상부에 포토 레지스트 물질을 도포하여 제1 포토레지스트 층(300)을 형성한다. 제1 포토레지스트 층(200) 형성을 위해 사용되는 포토 레지스트 물질로는 특별한 제한이 없으며, 양성 포토레지스트 물질 또는 음성 포토레지스트 물질일 수 있다. As such, when the sacrificial layer 200 is formed, as shown in FIG. 5B, a photoresist material is coated on the sacrificial layer 200 to form the first photoresist layer 300. The photoresist material used for forming the first photoresist layer 200 is not particularly limited, and may be a positive photoresist material or a negative photoresist material.

그후, 도 5c에 도시된 바와 같이 마스크(도시 하지 않음)을 통해 제1 포토레지스트 층(300)에서 기판의 배선부(110)에 대응하는 부위 만을 선택적으로 노광시켜, 제1 포토레지스트 층(300)의 포토레지스트 물질을 변질시켰다. 이때, 본 발명의 희생층(200)을 구성하는 SOG 물질은 노광시 제1 포토레지스트 층(300)을 통과하는 광을 흡광하여, 상기 마스크로 가려지지 않은 부위의 포토레지스트 층(300)이 변질되지 않게 하여, 상기 선택적 노광의 정확도를 향상시키게 한다. Thereafter, as illustrated in FIG. 5C, only a portion of the first photoresist layer 300 corresponding to the wiring part 110 of the substrate is selectively exposed through a mask (not shown), thereby forming the first photoresist layer 300. Photoresist material). At this time, the SOG material constituting the sacrificial layer 200 of the present invention absorbs light passing through the first photoresist layer 300 during exposure, thereby deteriorating the photoresist layer 300 in a portion not covered by the mask. In order to improve the accuracy of the selective exposure.

그리고, 이러한 선택적 노광으로 인해 변질된 포토레지스트 층만을 선택적으로 식각 제거할 수 있는 식각 용액을 이용하여 제1 포토레지스트 층(300)에서 배선부(110)에 대응하는 부위 만을 식각 제거하였다. In addition, only a portion of the first photoresist layer 300 corresponding to the wiring unit 110 is etched away using an etching solution capable of selectively etching away the photoresist layer deteriorated by the selective exposure.

다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 층(300)을 마스크로 이용하여 희생층(200) 상에서 배선부(110)에 대응하는 부위 만을 선택적으로 식각 제거하여, 기판(100)의 배선부(110)를 노출시켰다. 이와 같이 희생층(200)의 선택적 식각은 바람직하게는 포토레지스트 물질에 대하여 높은 선택성을 가지는 플루오르 카본 에칭 방법 등으로 이루어 진다. 그러나 발명의 목적에 따라 산소 플라즈마 에칭 방법이 이용될 수도 있다. Next, as illustrated in FIG. 5D, only a portion of the substrate 100 corresponding to the interconnection part 110 is selectively etched away using the first photoresist layer 300 as a mask, thereby removing the substrate 100. The wiring part 110 was exposed. As such, the selective etching of the sacrificial layer 200 is preferably performed by a fluorocarbon etching method having a high selectivity with respect to the photoresist material. However, an oxygen plasma etching method may be used according to the object of the invention.

이와 동시 또는 후에, 제1 포토레지스트 층(300) 역시 식각 제거하여, 프로브 카드용 접촉소자의 기둥부에 대한 금형을 형성한다. At the same time or after this, the first photoresist layer 300 is also etched away to form a mold for the pillar portion of the contact element for the probe card.

그 후, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 금형에 도금 방법에 따라 전도성 금속으로 충전하여 접촉소자의 기둥부(400)를 형성한다. 기둥부(400) 형성 후, 돌출된 부분을 화학 기계 연마(CMP) 등으로 갈아낸다. 이때, 기둥부(400)의 높이는 발 명의 목적에 따라 적절하게 조절할 수 있다. 이러한 기둥부(400)의 모양은 특별한 제한이 없다.Thereafter, as shown in FIG. 5E, the mold is filled with a conductive metal in accordance with the plating method to form the pillar part 400 of the contact element. After the pillar portion 400 is formed, the protruding portion is ground by chemical mechanical polishing (CMP) or the like. At this time, the height of the pillar portion 400 can be appropriately adjusted according to the purpose of the invention. The shape of the pillar 400 is not particularly limited.

그 후, 접촉소자의 몸체부(800)의 소정의 영역과의 접합을 위해, 접촉소자의 기둥부(400)의 상부에 접합 재료를 도포하여 접합 층(900)을 형성한다. 이러한 접합 재료는 바람직하게는 Au 페이스트를 이용하며, 접합 재료의 도포는 스크린 프린터를 이용하여 수행한다. Thereafter, a bonding material is applied on top of the pillar portion 400 of the contact element to form a bonding layer 900 for bonding to a predetermined region of the body portion 800 of the contact element. This bonding material preferably uses Au paste, and the application of the bonding material is carried out using a screen printer.

다음으로, 도 6에서 볼 수 있는 바와 같이, 희생 기판(500)을 준비하고, 준비된 희생 기판(500)의 상면에 제2 포토레지스트 층(700)을 통해 반도체 식각 공정을 이용하여 접촉소자의 팁부(600)와, 상기 팁부(600)로부터 일방향으로 일정 길이만큼 연장되어 있는 몸체부(800)를 형성하였다. 여기서, 희생 기판(500)으로는 실리콘 기판 또는 적층 세라믹 기판이 바람직하게 사용된다. Next, as shown in FIG. 6, the sacrificial substrate 500 may be prepared, and the tip portion of the contact element may be formed by using a semiconductor etching process on the upper surface of the prepared sacrificial substrate 500 through the second photoresist layer 700. 600 and a body portion 800 extending from the tip portion 600 by a predetermined length in one direction. Here, as the sacrificial substrate 500, a silicon substrate or a laminated ceramic substrate is preferably used.

여기서, 접촉소자의 팁부(600)와 몸체부(800)의 형성은 통상적인 리소그라피등의 통상적인 반도체 식각 공정이나 멤스(Micro electro mechanical system; MEMS) 공정을 이용하여 수행될 수 있는 것으로서, 본 발명의 명세서에서는 그 구체적인 설명은 생략하기로 한다. Here, the formation of the tip portion 600 and the body portion 800 of the contact element may be performed by using a conventional semiconductor etching process such as conventional lithography or a MEMS process. In the specification, detailed description thereof will be omitted.

그 후, 도 6에 의해 내부에 접촉소자의 팁부(600)와 몸체부(800)가 형성된 희생 기판(500)을 도 5a 내지 도 5e에 의해 접촉소자의 기둥부(400)가 형성된 기판(100) 상부에 정렬시킨다. 이때, 접촉소자의 몸체부(800)의 소정의 영역이 접촉소자의 기둥부(400)의 접합 층(900)에 위치하도록 희생 기판(500)과 기판(100)의 위치를 정렬한다. Subsequently, the sacrificial substrate 500 having the tip portion 600 and the body portion 800 of the contact element formed therein is shown in FIG. 6, and the substrate 100 in which the pillar portion 400 of the contact element is formed in FIGS. 5A through 5E. ) Align it to the top. At this time, the position of the sacrificial substrate 500 and the substrate 100 is aligned so that a predetermined region of the body portion 800 of the contact element is located at the bonding layer 900 of the pillar 400 of the contact element.

그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 접촉소자의 몸체부(800)의 소정의 영역이 접촉소자의 기둥부(400)의 접합 층(900)에 접촉하도록 희생 기판(500)과 기판(100)을 부착한 후, 접합 층(900)에 열과 압력을 가하여 접촉소자의 기둥부(400)의 상단과 접촉소자의 몸체부(800)의 상기 소정의 영역을 열접합하여 서로 부착시킨다. 이러한 열접합 방법으로는 FCB(flip chip bond) 또는 음이온 결합 방법을 이용할 수 있다. As shown in FIG. 7, the sacrificial substrate 500 and the substrate 100 are disposed such that a predetermined region of the body portion 800 of the contact element contacts the bonding layer 900 of the pillar 400 of the contact element. After attaching, by applying heat and pressure to the bonding layer 900, the upper end of the pillar portion 400 of the contact element and the predetermined region of the body portion 800 of the contact element are thermally bonded to each other. Such a thermal bonding method may use a flip chip bond (FCB) or anion bonding method.

이와 같이, 접촉소자의 기둥부(400)와 접촉소자의 몸체부(800)가 서로 부착되면, 희생 기판(500), 희생층(200), 및 제2포토레지스트층(700) 등을 식각 용액으로 모두 식각 제거하여 도 8에 도시된 바와 같은 프로브 카드 용 접촉소자를 형성한다. As such, when the pillar portion 400 of the contact element and the body portion 800 of the contact element are attached to each other, the sacrificial substrate 500, the sacrificial layer 200, and the second photoresist layer 700 may be etched. All of them are etched away to form a contact element for the probe card as shown in FIG.

이때, 프로브 카드의 접촉소자의 기둥부(400)의 주위를 감싸며, 접촉소자의 몸체부(800)를 지지하고 있는 희생층(200)을 구성하고 있는 SOG 물질은 HF 또는 BOE(Bottom Oxide Etching)와 같은 식각 용액으로 팽창(swell)됨 없이 용이하게 식각 제거된다. At this time, the SOG material surrounding the pillar portion 400 of the contact element of the probe card and constituting the sacrificial layer 200 supporting the body portion 800 of the contact element is HF or BOE (Bottom Oxide Etching). It is easily etched away without swelling into an etching solution such as

본 발명의 프로브 카드용 접촉소자의 형성 방법에 의하면 기판상에 한번에 복수개의 접촉소자를 동시에 형성할 수 있으며, 이렇게 복수개의 접촉소자가 동시에 형성된 기판은 후속 공정을 수행하여 프로브 카드로 제조된다. According to the method for forming a contact element for a probe card of the present invention, a plurality of contact elements can be simultaneously formed on a substrate, and the substrate on which the plurality of contact elements are simultaneously formed is manufactured as a probe card by performing a subsequent process.

이와 같은 본 발명의 프로브 카드용 접촉소자의 형성 방법을 이용하면, 접촉소자의 기둥부 형성에 이용되며, 상기 형성된 접촉소자의 기둥부와 별도의 희생 기 판상에 형성된 접촉소자의 몸체부의 접합을 도와주는 희생층이 후속 공정에서 팽창됨 없이 제거되어, 접촉소자의 기둥부와 접촉소자의 몸체부와의 접합 상태가 양호하게 유지될 수 있게 된다. Using the method of forming a contact element for a probe card according to the present invention, it is used to form a pillar portion of a contact element, and helps to join the body portion of the pillar portion of the contact element formed on a separate sacrificial substrate. The sacrificial layer is removed without expanding in a subsequent process, so that the bonding state between the pillar portion of the contact element and the body portion of the contact element can be maintained well.

따라서, 본 발명의 프로브 카드용 접촉소자의 형성 방법은 프로브 카드용 접촉소자의 품질을 개선시킬 수 있으며, 프로브 카드용 접촉소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.  Therefore, the method of forming the contact element for the probe card of the present invention can improve the quality of the contact element for the probe card and can improve the production yield of the contact element for the probe card.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 첨부된 특허 청구 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and it is obvious that the present invention belongs to the appended claims. Do.

Claims (7)

a) 기판 상에 절연 물질을 도포하여 희생층을 형성하는 단계;a) applying an insulating material on the substrate to form a sacrificial layer; b) 상기 희생층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;b) forming a photoresist layer on the sacrificial layer; c) 상기 포토레지스트 층에서 상기 기판의 배선부에 대응하는 부위를 선택적으로 식각 제거하는 단계;c) selectively etching away a portion of the photoresist layer corresponding to the wiring portion of the substrate; d) 상기 포토레지스트 층을 마스크로 이용하여 상기 희생층에서 상기 기판의 배선부에 대응하는 부위를 선택적으로 식각 제거하여 접촉 소자의 기둥부에 대한 금형을 형성하는 단계; 및 d) selectively etching away a portion of the sacrificial layer corresponding to the wiring portion of the substrate using the photoresist layer as a mask to form a mold for the pillar portion of the contact element; And e) 상기 금형에 전도성 금속을 충전하여 상기 접촉 소자의 기둥부를 형성하는 단계;e) filling the mold with a conductive metal to form pillar portions of the contact element; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.Method of manufacturing a contact element for a probe card, characterized in that it comprises a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 절연 물질이 HF 또는 BOE에 대하여 높은 용융성을 가지는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.A method of manufacturing a contact element for a probe card, characterized in that the insulating material has high meltability with respect to HF or BOE. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 절연 물질이 SOG 물질 또는 산화 물질인 것을 특징을 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.And the insulating material is an SOG material or an oxidizing material. 제1항에 있어서, The method of claim 1, f) 희생 기판 상에 상기 접촉 소자의 몸체부 및 팁부를 형성하는 단계;f) forming a body portion and a tip portion of the contact element on a sacrificial substrate; g) 상기 접촉 소자의 몸체부가 상기 접촉 소자의 기둥부의 상부에 위치하도록 상기 희생 기판을 상기 기판 상에 정렬하는 단계; g) aligning the sacrificial substrate on the substrate such that the body portion of the contact element is located above the pillar portion of the contact element; h) 상기 접촉 소자의 몸체부와 상기 접촉 소자의 기둥부를 접합시키는 단계; 및h) bonding the body portion of the contact element and the pillar portion of the contact element; And i) 상기 희생층을 식각 용액으로 식각 제거하는 단계;i) etching away the sacrificial layer with an etching solution; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.Method for producing a contact element for the probe card, characterized in that it further comprises. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 식각 용액이 HF 또는 BOE 인 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법.Method for producing a contact element for the probe card, characterized in that the etching solution is HF or BOE. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 희생층의 형성을 수회 반복하여 복수개의 상기 희생 층의 높이가 상기 기둥부의 높이에 대응하게 하는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법. And repeating the formation of the sacrificial layer several times so that the heights of the plurality of sacrificial layers correspond to the heights of the pillars. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 접촉 소자의 기둥부의 상부에 접합 재료를 도포하여 접합 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법. And forming a bonding layer by applying a bonding material to the upper portion of the pillar portion of the contact element.
KR1020070049787A 2007-05-22 2007-05-22 Electronical contact element production method for probe card KR101322264B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070049787A KR101322264B1 (en) 2007-05-22 2007-05-22 Electronical contact element production method for probe card

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070049787A KR101322264B1 (en) 2007-05-22 2007-05-22 Electronical contact element production method for probe card

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080102825A true KR20080102825A (en) 2008-11-26
KR101322264B1 KR101322264B1 (en) 2013-10-25

Family

ID=40288444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070049787A KR101322264B1 (en) 2007-05-22 2007-05-22 Electronical contact element production method for probe card

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101322264B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102068699B1 (en) * 2018-08-24 2020-01-21 주식회사 에스디에이 Manufacturing method of MEMS probe for inspecting semiconductor by using laser
KR20200029766A (en) * 2018-09-11 2020-03-19 삼성전자주식회사 Alignment key and probe card including the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100493203B1 (en) * 2003-06-10 2005-06-02 전자부품연구원 Method of manufacturing parallel probe for nano lithography
KR100580784B1 (en) * 2004-02-24 2006-05-16 주식회사 파이컴 Method for manufacturing electric contactor
KR100626570B1 (en) * 2004-12-24 2006-09-25 주식회사 파이컴 A probe card manufacturing method include sensing probe and the probe card, probe card inspection system

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102068699B1 (en) * 2018-08-24 2020-01-21 주식회사 에스디에이 Manufacturing method of MEMS probe for inspecting semiconductor by using laser
CN111137840A (en) * 2018-08-24 2020-05-12 Sda 有限公司 Method for preparing micro-electromechanical probe for semiconductor inspection by laser
CN111137840B (en) * 2018-08-24 2023-08-29 Sda 有限公司 Method for preparing micro electromechanical probe for semiconductor inspection by utilizing laser
KR20200029766A (en) * 2018-09-11 2020-03-19 삼성전자주식회사 Alignment key and probe card including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101322264B1 (en) 2013-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101293348B1 (en) Method to build a wirebond probe card in a many at a time fashion
US7393758B2 (en) Wafer level packaging process
CN103258770A (en) Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing electronic device
CN101842886A (en) Methods for fabricating sub-resolution alignment marks on semiconductor structures and semiconductor structures including same
CN104108679A (en) Method Of Manufacturing Through-glass Vias
CN108538801B (en) Semiconductor substrate, semiconductor package device, and method for forming semiconductor substrate
US12019111B2 (en) Manufacturing method of a multi-layer for a probe card
KR101665302B1 (en) Method for producing chip stacks, and a carrier for carrying out the method
KR100609121B1 (en) Wafer level chip scale package of image sensor and manufacturing method thereof
KR101043352B1 (en) method of manufacturing silicon contactor for testing semiconductor device
KR100745373B1 (en) Method for manufacture probe card
KR101322264B1 (en) Electronical contact element production method for probe card
KR100703043B1 (en) Probe substrate for test and manufacturing method thereof
KR100796204B1 (en) Method for forming cantilever structure of probe card
KR100823311B1 (en) Method for manufacturing probe card and probe card thereby
US20030030455A1 (en) Test probe having a sheet body
US7685704B2 (en) Method for manufacturing bump of probe card
KR101329811B1 (en) Electronical contact element production method for probe card
KR20080085345A (en) Method for manufacturing probe card and probe card thereby
KR100823312B1 (en) Method for manufacturing probe card and probe card manufactured thereby
KR101149808B1 (en) Manufacturing method for probe and probe card
JP2018163919A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100806383B1 (en) Method for producing probe card
KR100806380B1 (en) Method for producing probe card and probe card thereby
KR100653831B1 (en) Probe substrate for test and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant