KR20090022604A - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20090022604A
KR20090022604A KR1020070088117A KR20070088117A KR20090022604A KR 20090022604 A KR20090022604 A KR 20090022604A KR 1020070088117 A KR1020070088117 A KR 1020070088117A KR 20070088117 A KR20070088117 A KR 20070088117A KR 20090022604 A KR20090022604 A KR 20090022604A
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류상욱
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주식회사 동부하이텍
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Abstract

본 발명은 이미지 센서에 있어서, 특히 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 각 픽셀 단위에서 포토다이오드로 전달되는 빛의 전달 성공율을 높이면서도 픽셀 간 광 간섭을 제거할 수 있도록, 포토 액티브영역과 그의 인접영역이 정의되는 이미지 센서의 제조 방법으로써, 상기 인접영역에서 금속배선 패턴을 내포하면서 상기 기판 상에 적층되는 하부 절연층을 형성하는 단계와, 상기 하부 절연층 상에 상부 절연막을 형성하는 단계와, 상기 포토 액티브영역과 상기 인접영역의 경계 부분을 식각하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 사용한 식각을 실시하여 상기 경계 부분에 일정 깊이를 갖는 적어도 하나의 홈 부를 형성하는 단계와, 상기 홈 부에 적어도 하나의 수직 코팅막을 형성하는 단계와, 상기 상부 절연막 상에 형성되는 패시베이션막와, 상기 포토 액티브영역의 상기 패시베이션막 상에 집광부를 형성하는 단계로 이루어지며, 그 방법으로 제조되는 이미지 센서에 관한 발명이다.
이미지 센서

Description

이미지 센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method of Manufaturing Thereof}
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보, 예컨데 광학적 이미지를 전기적 신호로 변형시키는 소자이다.
이미지 센서는 크게 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서와 CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서로 분류될 수 있다.
CCD 이미지 센서는 CMOS 이미지 센서에 비하여 광감도(Photo sensitivity) 및 노이즈(noise)에 대한 특성이 우수하나, 고집적화에 어려움이 있고, 전력 소모가 높다.
이에 반하여, CMOS 이미지 센서는 CCD 이미지 센서에 비하여 공정들이 단순하고, 고집적화에 적합하며, 전력 소모가 낮다. 따라서, 최근에는 반도체 소자의 제조 기술이 고도로 발전함에 따라, CMOS 이미지 센서의 제조 기술 및 특성이 크게 향상되어 CMOS 이미지 센서에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이미지 센서는 일반적으로 마이크로렌즈는 입사되는 빛을 집광하여 포토다이오드에 전달하며, 그에 따라 포토다이오드가 빛에 실린 정보를 전기적 신호로 변환하여 타 소자에 전달한다. 단위 픽셀은 상기와 같이 하나의 마이크로렌즈와 그 마이크로렌즈에 대응되어 하부에 배치된 포토다이오드를 포함하여 구성된다.
이때, 상기한 CMOS 또는 CCD 이미지 센서에 있어서, 임의의 픽셀에 해당하는 마이크로렌즈에 의해 집광된 빛은 그 픽셀의 하부에 배치된 포토다이오드에게만 전달되어야 한다. 그러나 임의의 마이크로렌즈에 의해 집광된 빛이 그에 대응하여 배치된 포토다이오드에만 전달되는 것이 아니라 그에 대응하지 않은 인접한 타 포토다이오드에도 즉, 타 픽셀의 포토다이오드에도 일부 전달되어 간섭으로써 작용한다는 것이다. 이와 같이 인접한 픽셀 간에 간섭을 주는 현상을 크로스 토크(cross-talk) 현상이라 한다.
상기한 크로스 토크 현상은 높은 해상도를 구현하기 위하여 픽셀 면적이 감소하고 또한 픽셀 간의 간격이 줄어드는 현 추세에 따라 현격히 증가하고 있다는 점이 문제이다.
도 1은 일반적인 이미지 센서에서의 크로스 토크 현상을 나타낸 도면으로, A는 집광된 빛의 정상적인 전달경로이고 B는 인접 픽셀에 간섭으로 작용하는 전달경로는 나타낸 것이다.
도 1에서와 같이 임의의 픽셀에 해당하는 마이크로렌즈(10)에 의해 집광된 빛은 그 하부의 포토다이오드(2)에만 전달되어야 한다.
그러나, 그 픽셀에 의해 인접 픽셀의 포토다이오드(4)에 빛이 일부 전달되는 경로 B가 존재하여, 크로스 토크 현상을 일으킨다.
상기한 광 간섭에 의한 크로스 토크 현상은 고성능 이미지 센서를 구현하는데 있어서 노이즈(noise)로 작용하며, 광 신뢰성을 저하시켜 CMOS 또는 CCD 이미지 센서의 광 특성을 저하시킨다.
본 발명의 목적은 상기한 점들을 감안하여 안출한 것으로, 각 픽셀 단위에서 포토다이오드로 전달되는 빛의 전달 성공율을 높이도록 해주는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은, 픽셀 간 광 간섭을 제거할 수 있도록 해주는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서의 특징은, 포토 액티브영역(photosensitive active region)과 그의 인접영역이 정의된 이미지 센서로써, 기판과, 상기 기판 상에 금속배선 패턴을 내포하여 적층된 하부 절연층과, 상기 하부 절연층 상에 형성되는 상부 절연막과, 상기 금속배선 패턴 사이에서, 상기 상부 절연막으로부터 상기 하부 절연막 일부의 깊이까지 형성되는 적어도 하나의 수직 코팅막과, 상기 상부 절연막 상에 형성되는 패시베이션막과, 상기 포토 액티브영역의 상기 패시베이션막 상에 형성되는 집광부를 포함하여 구성되는 것이다.
바람직하게, 제 1 항에 있어서, 상기 하부 절연층은, 상기 기판 상에 형성되는 하부 절연막과, 상기 인접영역의 상기 하부 절연막 상에 형성되는 제1 금속배선 패턴과, 상기 제1 금속배선 패턴을 포함하여 상기 기판 상에 형성되는 제1 층간절연막과, 상기 인접영역의 상기 제1 층간절연막 상에 형성되는 제2 금속배선 패턴과, 상기 제2 금속배선 패턴을 포함하여 상기 기판 상에 형성되는 제2 층간절연막 으로 구성된다. 여기서, 상기 하부 절연막은 층간절연막(inter-layer dielectric) 또는 프리-메탈 절연막(pre-metal dielectric)일 수 있다. 특히, 상기 제1 층간절연막 일부의 깊이까지 상기 수직 코팅막이 형성될 수 있다.
바람직하게, 상기 수직 코팅막을 상기 하부 절연층 중에서 보다 하부의 금속배선 패턴을 내포하는 층간 절연막의 일부 깊이까지 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 수직 코팅막은 상기 포토 액티브영역(photosensitive active region)과 상기 인접영역의 경계에서 상기 상부 절연막의 표면에 대해 수직방향일 수 있다.
바람직하게, 상기 수직 코팅막은 500 내지 50,000Å 의 깊이를 갖질 수 있ㅇ으며, 상기 수직 코팅막은 빛에 대해 산란 특성을 갖는 물질을 경화시킨 것일 수 있으며, 상기 수직 코팅막은 투과성 로우-k 물질을 코팅한 것일 수 있다.
바람직하게, 상기 집광부는, 상기 포토 액티브영역의 상기 패시베이션막 상에 형성되는 컬러필터와, 상기 컬러필터 상에 형성되는 평탄화막과, 상기 평탄화막 상에 형성되는 마이크로렌즈를 포함하여 구성된다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서 제조 방법의 특징은, 포토 액티브영역(photosensitive active region)과 그의 인접영역이 정의되는 이미지 센서의 제조 방법으로써, 상기 인접영역에서 금속배선 패턴을 내포하면서 상기 기판 상에 적층되는 하부 절연층을 형성하는 단계와, 상기 하부 절연층 상에 상부 절연막을 형성하는 단계와, 상기 포토 액티브영역과 상기 인접영역의 경계 부분을 식각하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 사용한 식각을 실시하여 상기 경계 부분에 일정 깊이를 갖는 적어도 하나의 홈 부를 형성하는 단계와, 상기 홈 부에 적어도 하나의 수직 코팅막을 형성하는 단계와, 상기 상부 절연막 상에 형성되는 패시베이션막와, 상기 포토 액티브영역의 상기 패시베이션막 상에 집광부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것이다.
바람직하게, 상기 하부 절연층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 하부 절연막을 형성하는 단계와, 상기 인접영역의 상기 하부 절연막 상에 제1 금속배선 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 금속배선 패턴을 포함하여 상기 기판 상에 제1 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 인접영역의 상기 제1 층간절연막 상에 제2 금속배선 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 금속배선 패턴을 포함하여 상기 기판 상에 제2 층간절연막을 형성하는 단계로 이루어진다.
바람직하게, 상기 홈 부를 형성하기 위한 상기 식각에 CxHyFz (x,y,z 는 0과 자연수) 계열의 식각가스와 불활성 기체 원자 또는 분자를 이용할 수 있다.
바람직하게, 상기 홈 부를 형성하기 위해 건식 식각으로 500 내지 50,000Å 의 깊이까지 식각을 실시할 수 있다.
바람직하게, 상기 수직 코팅막을 형성하는 단계는, 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계와, 상기 홈 부에 빛에 대해 산란 특성을 갖는 물질을 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 물질을 경화시키는 단계로 이루어진다. 여기서, 상기 코팅된 물질을 섭씨 50 내지 500도의 온도로 경화시킬 수 있으며, 상기 코팅된 물질로써 투과성 로우-k 물질을 사용할 수 있다.
바람직하게, 상기 집광부를 형성하는 단계는, 상기 포토 액티브영역의 상기 패시베이션막 상에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 상에 상기 컬러필터를 감싸도록 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 평탄화막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계로 이루어진다.
본 발명의 의하면, 픽셀 간의 간섭으로 작용하는 빛을 산란시키는 수직 코팅막에 의해 크로스 토크 현상이 방지되기 때문에, 고성능 이미지 센서를 구현하는데 있어서 노이즈(noise)를 완전히 제거할 수 있으며, 그에 따라 광 신뢰성을 향상시켜 CMOS 또는 CCD 이미지 센서의 광 특성을 최적화한다.
또한 픽셀 단위에서 포토다이오드로 전달되는 빛의 전달 성공율을 더욱 높일 수 있도록 해준다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예의 구성과 그 작용을 설명하며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시 예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.
본 발명에 따른 이미지 센서는 수광소자들(포토다이오드, 마이크로렌즈, 컬러필터 등)이 형성되는 포토 액티브영역(photosensitive active region)이 정의될 수 있으며, 그 포토 액티브영역에 인접하여 금속배선 패턴들이 형성되는 영역 즉, 포토 액티브영역 양측의 인접영역이 정의될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 이미지 센서는 CMOS 또는 CCD 이미지 센서일 수 있다.
도 2 내지 도 5는 본 발명에 따른 이미지 센서 및 그의 제조 공정을 나타낸 도면들이다.
도 2는 본 발명에 따른 이미지 센서에서 다수 절연막과 금속배선 패턴이 적층되어 형성된 하부 절연층(30~70)과 그의 상부에 형성되는 상부 절연막(80)을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 하부 절연층(30~70)은 하부 절연막(30)과 제1 금속배선 패턴(40)과 제1 층간절연막(50)과 제2 금속배선 패턴(60)과 제2 층간절연막(70)으로 구성된다.
하부 절연막(30)은 기판 상에 형성되며, 층간절연막(inter-layer dielectric) 또는 프리-메탈 절연막(pre-metal dielectric)일 수 있다.
제1 금속배선 패턴(40)은 포토 액티브영역에 인접한 양측 인접영역에 형성되는 것으로, 그 제1 금속배선 패턴(40)에 속하는 금속배선들은 인접영역의 하부 절연막(30) 상에 형성된다.
제1 층간절연막(50)은 제1 금속배선 패턴(40)을 포함하여 기판 상에 형성된다. 상세하게, 상기 제1 금속배선 패턴(40)을 포함하는 상기 하부 절연막(30) 상에 형성된다.
제2 금속배선 패턴(60)은 포토 액티브영역에 인접한 양측 인접영역에 형성되 는 것으로, 그 제2 금속배선 패턴(60)에 속하는 금속배선들은 인접영역의 제1 층간절연막(50) 상에 형성된다.
한편, 상기 제1 금속배선 패턴(40)의 배선들과 상기 제2 금속배선 패턴(60)의 배선들은 수직방향으로 서로 대응되어 배치되는 것이 바람직하다.
제2 층간절연막(70)은 제2 금속배선 패턴(60)을 포함하여 기판 상에 형성된다. 상세하게, 상기 제2 금속배선 패턴(60)을 포함하는 제1 층간절연막(50) 상에 형성된다.
상기와 같이 본 발명에서는 하부 절연층에 2층 구조의 금속배선 패턴을 형성하는 것으로 예시한다. 그러나, 포토 액티브영역 등에 3층 또는 4층 그 이상의 금속배선 패턴을 더 구비하는 경우도 본 발명이 확대 적용될 수 있음은 당연하다. 즉, 본 발명에서는 메모리 소자나 이미지 센서 등의 셀 어레이 구조에 필요한 금속배선 패턴을 예로 설명한 것이다.
또한 본 발명에서는 소자 형성에 요구되는 콘텍 홀(contact hole)이나 비어 홀(via hole) 등을 형성하는 공정에 대해서는 그 상세를 생략한다.
또한 본 발명에서는 텅스텐 플러그나 알루미늄 금속배선을 형성하는 공정 등을 포함하여 일반적인 반도체 소자의 로직 영역을 형성하는 공정에 대해서도 그 상세를 생략하며, 그에 대해서는 일반적인 공정을 따른다.
상기와 같이 인접영역에서 다수 금속배선 패턴을 내포하면서 기판 상에 적층되는 하부 절연층(30~70)을 형성한 후에, 그 하부 절연층(30~70) 상에 상부 절연막(80)을 형성한다.
도 3과 도 4는 픽셀 간 간섭을 제거하기 위해 포토 액티브영역(20)과 그의 양측 인접영역들과의 경계 부분에 각각 형성되는 수직 코팅막(110)을 형성하는 절차를 설명하기 위한 도면이다. 특히, 상기 수직 코팅막(110)은 기판 표면이나 상부 절연막(80)의 표면에 대해 수직방향으로 형성된다.
도 3을 참조하면, 먼저 수직 코팅막(110)을 위한 홈을 형성하기 위해 상부 절연막(80) 상에 마스크 패턴(90)을 형성한다. 여기서, 상기 마스크 패턴(90)은 포토 액티브영역과 그의 양측 인접영역들과의 경계부분을 각각 식각하기 위한 패턴이다.
이어, 그 형성된 마스크 패턴(90)을 사용한 식각을 실시하여 해당 경계 부분에 각각 일정 깊이를 갖는 홈 부(100)를 형성한다. 다시 말하자면, 금속배선 패턴(40,60) 사이에 해당하는 영역이면서 포토 액티브영역에 속하지 않는 영역에 일정 깊이의 홈 부(100)가 형성된다.
한편, 상기 홈 부(100)를 형성하기 위해 건식 식각을 실시하며, 그 식각에는 CxHyFz (x,y,z 는 0과 자연수) 계열의 식각가스와 불활성 기체 원자 또는 분자를 이용한다. 여기서, 상기 불활성 기체 원소 또는 분자로 Ar, He, O2 및 H2 등이 사용될 수 있다.
특히, 상기 홈 부(100)를 500 내지 50,000Å 의 깊이까지 건식 식각하여 형성한다. 상기 깊이는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하부 절연층(30~70)의 제1 층간절연막(50) 일부의 깊이까지에 해당할 수 있다.
다음 도 4를 참조하면, 상기와 같이 형성된 홈 부(100)에 수직 코팅막(110)을 형성한다.
먼저, 상기 홈 부(100)를 형성하기 위해 식각에 이용된 마스크 패턴(90)을 제거한다.
상기 수직 코팅막(110)은, 마스크 패턴(90)의 제거 후에, 상기 형성된 홈 부(100)를 매립하는 식으로 형성되므로, 그 홈 부(100)의 형성 깊이에 상응하게 형성된다. 즉, 수직 코팅막(110)은 하부 절연층(30~70) 중 제1 층간절연막(50) 일부의 깊이까지 형성된다. 예로써, 수직 코팅막(110)은 500 내지 50,000Å 의 깊이를 갖는다.
또한 수직 코팅막(110)은 홈 부(100)의 형성 위치에 상응하게 즉, 포토 액티브영역과 그의 양측 인접영역들과의 경계부분에 형성된다. 이는 금속배선 패턴(40,60) 사이에 해당하는 영역이면서 포토 액티브영역에 속하지 않는 영역에 해당한다.
그리고, 상기 수직 코팅막(110)은 빛에 대해 산란 특성을 갖는 물질을 경화시켜 형성된 것이다. 그 빛에 대해 산란 특성을 갖는 물질의 예로써, 투과성 로우-k(porous low-k) 물질을 사용한다. 그에 따라, 투과성 로우-k 물질을 코팅하고 경화시켜 수직 코팅막(110)을 형성한다.
투과성 로우-k 물질을 사용하여 수직 코팅막(110)을 형성하는 과정을 예시하면, 마스크 패턴(90)의 제거 후에 투과성 로우-k 물질을 코팅하여 홈 부(100)를 채운다.
이어, 상기 코딩된 투과성 로우-k 물질을 경화시켜 수직 코팅막(110)을 형성한다. 이때, 투과성 로우-k 물질을 섭씨 50 내지 500도의 온도로 경화시킨다.
상기 형성된 수직 코팅막(110)으로서 빛의 산란을 유도하여 인접한 픽셀로의 광 간섭을 억제한다.
다음 도 5는 본 발명에 따른 이미지 센서 및 수직 코팅막(110)에 의한 빛의 산란 유도를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기와 같이 수직 코팅막(110)의 형성 후에 그 수직 코팅막(110)을 포함하는 상부 절연막(80) 상에 일종의 보호막인 패시베이션막(120)을 증착한다.
그리고, 그 패시베이션막(120)의 상부에 수광소자를 포함하여 입사되는 빛을 집광하기 위한 집광부(130~150)를 형성한다.
집광부(130~150)는 포토 액티브영역의 패시베이션막(120) 상에 형성되는 것으로, 포토다이오드(미도시) 이외의 수광소자들 즉, 컬러필터(130)와 평탄화막(140)과 마이크로렌즈(150)로 구성된다.
컬러필터(130)는 포토 액티브영역의 패시베이션막(120) 상에 형성된다.
이어, 컬러필터(130) 상에 그 컬러필터(130)를 감싸도록 평탄화막(140)을 형성한다. 예로써, 평탄화막(140)은 감광막 계열을 막일 수 있다.
마이크로렌즈(150)는 평탄화막(140) 상에 형성되는데, 예로써 돔 형태를 갖는다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니 하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시 예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구범위에 의해서 정해져야 한다.
도 1은 일반적인 이미지 센서에서의 크로스 토크 현상을 나타낸 도면.
도 2 내지 도 5는 본 발명에 따른 이미지 센서 및 그의 제조 공정을 나타낸 도면들.
*도면의 주요부분에 대한 설명*
20 : 포토 액티브영역 30 : 하부 절연막
40 : 제1 금속배선 50 : 제1 층간절연막
60 : 제2 금속배선 70 : 제2 층간절연막
80 : 상부 절연막 90 : 마스크 패턴
100 : 홈 부 110 : 수직 코팅막
120 : 패시베이션막 130 : 컬러필터
140 : 평탄화막 150 : 마이크로렌즈

Claims (9)

  1. 포토 액티브영역과 그의 인접영역이 정의된 이미지 센서에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 금속배선 패턴을 내포하여 적층된 하부 절연층;
    상기 하부 절연층 상에 형성되는 상부 절연막;
    상기 금속배선 패턴 사이에서, 상기 상부 절연막으로부터 상기 하부 절연막 일부의 깊이까지 형성되는 적어도 하나의 수직 코팅막;
    상기 상부 절연막 상에 형성되는 패시베이션막; 그리고
    상기 포토 액티브영역의 상기 패시베이션막 상에 형성되는 집광부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 수직 코팅막은 500 내지 50,000Å 의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 수직 코팅막은 빛에 대해 산란 특성을 갖는 물질을 경화시킨 것임을 특징으로 하는 이미지 센서.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 수직 코팅막은 투과성 로우-k 물질을 코팅한 것임을 특징으로 하는 이미지 센서.
  5. 포토 액티브영역과 그의 인접영역이 정의되는 이미지 센서의 제조 방법에 있어서,
    상기 인접영역에서 금속배선 패턴을 내포하면서 상기 기판 상에 적층되는 하부 절연층을 형성하는 단계;
    상기 하부 절연층 상에 상부 절연막을 형성하는 단계;
    상기 포토 액티브영역과 상기 인접영역의 경계 부분을 식각하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 마스크 패턴을 사용한 식각을 실시하여 상기 경계 부분에 일정 깊이를 갖는 적어도 하나의 홈 부를 형성하는 단계;
    상기 홈 부에 적어도 하나의 수직 코팅막을 형성하는 단계;
    상기 상부 절연막 상에 형성되는 패시베이션막; 그리고
    상기 포토 액티브영역의 상기 패시베이션막 상에 집광부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 홈 부를 형성하기 위한 상기 식각에 CxHyFz (x,y,z 는 0과 자연수) 계열의 식각가스와 불활성 기체 원자 또는 분자를 이용하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 홈 부를 형성하기 위해 건식 식각으로 500 내지 50,000Å 의 깊이까지 식각을 실시하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 수직 코팅막을 형성하는 단계는,
    상기 마스크 패턴을 제거하는 단계와,
    상기 홈 부에 빛에 대해 산란 특성을 갖는 물질을 코팅하는 단계와,
    상기 코팅된 물질을 경화시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 코팅된 물질을 섭씨 50 내지 500도의 온도로 경화시키는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
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