KR20090020534A - Polishing pad and method of manufacturing the same - Google Patents

Polishing pad and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20090020534A
KR20090020534A KR1020080082827A KR20080082827A KR20090020534A KR 20090020534 A KR20090020534 A KR 20090020534A KR 1020080082827 A KR1020080082827 A KR 1020080082827A KR 20080082827 A KR20080082827 A KR 20080082827A KR 20090020534 A KR20090020534 A KR 20090020534A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
polishing
resin
polishing pad
pad
Prior art date
Application number
KR1020080082827A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
양 수 박
원 준 김
Original Assignee
주식회사 코오롱
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코오롱 filed Critical 주식회사 코오롱
Publication of KR20090020534A publication Critical patent/KR20090020534A/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/001Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as supporting member
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/007Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent between different parts of an abrasive tool
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/16Bushings; Mountings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

A polishing pad and a method of manufacture thereof are provided to guarantee the excellent adhesion strength of the polishing pad and the surface plate and to prevent the scratch in polishing by the polishing pad is instead of adhered to adhesive to the surface plate with a bolt. A polishing pad(P) comprises the abrasive layer(1); the fastener mechanism support layer(2) formed in the rear side of abrasive layer, and the groove(4) for the fastener mechanism passing through to the rear side in the surface of the polishing pad. The polishing pad is connected by the fastener mechanism in the surface plate, and the fastener mechanism support layer is the first class selected between the hard resin layer and the metal sheet.

Description

연마패드 및 그의 제조방법{Polishing pad and method of manufacturing the same}Polishing pad and method of manufacturing the same

본 발명은 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : 이하 "CMP"라고 약칭한다), 특히 집적회로 칩이나 이와 유사한 물건의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼 또는 디스플레이용 판상유리 또는 다른 기판을 평탄화하는 CMP 방법에 유용한 연마패드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention is useful for chemical mechanical polishing (CMP), particularly for CMP methods of planarizing flat glass or other substrates for silicon wafers or displays used in the manufacture of integrated circuit chips or the like. A polishing pad and a method of manufacturing the same.

실리콘 웨이퍼 등을 CMP 연마 장치에 의해 매끄럽게 처리되며, CMP 연마장치는 연마패드가 장착되는 원형 회전판을 갖는 하부 보드, 실리콘 웨이퍼를 연마패드에 밀착시키는 상부보드 및 슬러리를 연마패드로 공급하는 장치를 포함한다.The silicon wafer and the like are smoothly processed by the CMP polishing apparatus, and the CMP polishing apparatus includes a lower board having a circular rotating plate on which the polishing pad is mounted, an upper board which adheres the silicon wafer to the polishing pad, and a device for supplying slurry to the polishing pad. do.

화학-기계적 연마인 CMP 작업은 표면에 집적회로가 제작될 반도체 웨이퍼를 구동하는 연마패드와 반대 방향으로 밀어 보내서 퇴적된 Si계열을 포함한 산화물을 제거하고, 웨이퍼상에 매우 평활하고 평탄한 면을 생성하는 작업으로서, CMP 작업 동안에 탈이온수 및/또는 화학적으로 활성인 시약을 연마액과 함께 웨이퍼와 연마패드의 계면에 도포한다.Chemical-mechanical polishing, a CMP operation, pushes the surface of the semiconductor wafer on which the integrated circuit will be fabricated in the opposite direction to remove oxides, including deposited Si-based oxides, and creates a very smooth and flat surface on the wafer. As an operation, deionized water and / or chemically active reagents are applied along with the polishing liquid to the interface between the wafer and the polishing pad during the CMP operation.

종래 CMP 방법에 사용되는 연마패드로써 일본공개특허 제2005-330621호에서는 도 6에 도시된 바와 같이 단섬유로 구성된 부직포내 고분자 탄성체인 폴리우레탄 수지가 함침된 패드(A) 표면을 상기 폴리우레탄 수지의 연화온도보다 고온으로 열처리하여 표면이 평탄화된 연마패드를 제조하는 방법을 게재하고 있다.As a polishing pad used in a conventional CMP method, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2005-330621 discloses a surface of a pad (A) impregnated with a polyurethane resin, which is a polymer elastomer in a nonwoven fabric composed of short fibers, as shown in FIG. 6. A method of manufacturing a polishing pad having a flat surface by heat treatment at a temperature higher than the softening temperature thereof is disclosed.

연마패드 고정용 보지재를 사용하여 정반에 정착되어 CMP 작업에 사용된다.It is fixed to the surface plate using polishing pad fixing material and used for CMP operation.

일본 공개특허 제2003-238916호에서는 도 7에 도시된 바와 같은 단면 구조를 갖는 연마패드 고정용 보지재를 게재하고 있다.Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2003-238916 discloses a polishing pad fixing holding material having a cross-sectional structure as shown in FIG.

상기 연마패드 고정용 보지재는 도 7과 같이 지지체 필름(B1)의 일측에는 연마패드(A)와 접착하게 되는 감열 접착제 층(B2)이 형성되어 있고, 다른 일측에는 정반과 접착하게 되는 감압 접착제 층(B3)이 형성되어 있다.In the polishing pad fixing holding material, a thermally sensitive adhesive layer B 2 is formed on one side of the support film B 1 to be bonded to the polishing pad A, and the other side is a pressure sensitive adhesive to the surface plate. The adhesive layer B 3 is formed.

상기 일본공개특허 제2005-330621호에 게재된 도 6의 연마패드(A)를 도 7에 도시된 연마패드 고정용 보지재를 사용하여 정반에 부착시키는 경우, 도 6의 연마패드(A)는 작업자의 숙련도에 따라 기포가 이면에 침투할 가능성이 높으며 연마패드의 부착상태가 고르게 되지 않을 가능성이 높다. 불균일하게 부착된 연마패드의 접착층으로 연마슬러리가 침투할 가능성이 매우 높으며 침투한 연마슬러리로 인하여 접착층인 지지체필름(B1)의 박리와 부차적으로 연마중 연마패드의 밀림현상이 발생할 수 있다. 결국 연마패드의 수명이 단축되며 또한 연마물에 스크래치가 증가하며 연마평탄도가 나빠지는 등의 품질이 나빠질 수 있다. 또한, 연마패드를 부착 하는 사람의 숙련도에 따른 정반과의 접착상태의 좋고 나쁨의 차이가 많이 발생하므로 숙련된 기술자가 부착하여야만 양질의 연마패드 부착상태를 유지할 수 있는 문제점이 발생하였다.When the polishing pad A of FIG. 6 disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2005-330621 is attached to a surface plate using the polishing pad fixing holding material shown in FIG. 7, the polishing pad A of FIG. According to the skill of the operator, bubbles are more likely to penetrate the back surface, and the adhesion state of the polishing pad is more likely to be uneven. The polishing slurry is highly likely to penetrate into the adhesive layer of the non-uniformly attached polishing pad, and the penetrating polishing slurry may cause peeling of the support film B1, which is an adhesive layer, and additionally, a polishing phenomenon of the polishing pad during polishing. As a result, the life of the polishing pad may be shortened, and the quality of the polishing pad may be deteriorated. In addition, since the difference between good and bad adhesion state with the surface plate according to the proficiency of the person attaching the polishing pad occurs a problem that can maintain a high quality polishing pad attachment state only by skilled workers.

또한 상기 종래방법은 하나의 정반에 하나의 연마패드를 접착시켜 사용하기 때문에 웨이퍼의 구경이 대형화되면 될수록 정반과 연마패드도 점차로 대형화되어야 한다.In addition, since the conventional method is used by adhering one polishing pad to one surface plate, as the diameter of the wafer increases, the surface plate and the polishing pad should gradually increase in size.

그로인해, 대형의 연마패드를 제조하는 공정이 더욱 어려워지는 문제가 있었다.As a result, there has been a problem that a process for producing a large polishing pad becomes more difficult.

상기와 같이 연마패드의 대형화로 인해 제조공정이 복잡해지는 문제점을 해소하기 위해서 대한민국 등록특허 제0485846호에서는 연마패드를 여러개의 조각형태로 분리한 형태와 같은 연마패드 타일들을 제조한 다음, 이들을 도 4에 도시된 것과 같은 연마패드 고정용 보지재를 사용하여, 다시말해 접착제를 사용하여 정반에 모자이크 방식으로 조립, 부착하여 모자이크 연마패드를 제안하고 있다.In order to solve the problem that the manufacturing process becomes complicated due to the enlargement of the polishing pad as described above, Korean Patent No. 0485846 manufactures a polishing pad tile such as a shape in which the polishing pad is separated into pieces, and then, these are shown in FIG. 4. A mosaic polishing pad is proposed by using a polishing pad-holding holding material such as shown in Fig. 1, in other words, assembled and attached to a surface plate using an adhesive in a mosaic manner.

그러나 상기의 종래기술은 연마패드를 대형으로 제조해야 하는 번거움은 해소할 수 있지만 연마패드 타일들이 정반에 접착제로 부착되기 때문에 이들간의 접착강도가 약한 문제점과 연마패드를 부착하는 사람의 숙련도에 따른 정반과의 접착상태의 좋고 나쁨의 차이가 많이 발생하므로 숙련된 기술자가 부착하여야만 양질의 연마패드 부착상태를 유지할 수 있는 문제점은 해결하지 못했다.However, the prior art can solve the trouble of having to manufacture a large size of the polishing pad, but since the polishing pad tiles are attached to the surface with adhesive, the adhesive strength between them is weak and according to the skill of the person attaching the polishing pad. Since there is a lot of difference between good and bad state of adhesion with the surface plate, the problem that can maintain the high quality polishing pad attachment state by skilled technicians has not been solved.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결할 수 있도록, 접착제 대신에 볼트 등과 같은 체결기구로 정반에 부착될 수 있어서 연마공정 중 연마패드와 정반과의 접착불량으로 인해 야기되는 연마성능 저하 및 불량 증가 등의 문제들을 효과적으로 방지하는 연마패드를 제공하고자 한다.In order to solve the above problems, the present invention can be attached to the surface plate with a fastening mechanism such as a bolt instead of an adhesive, thereby decreasing the polishing performance and increasing defects caused by poor adhesion between the polishing pad and the surface plate during the polishing process. To provide a polishing pad that effectively prevents such problems.

본 발명은 상기와 같은 과제를 달성할 수 있도록 연마층(1), 상기 연마층(1)의 이면에 형성된 체결기구 지지층(2) 및 연마패드의 표면에서 이면까지를 관통하는 체결기구용 홈(4)들로 구성되어 체결기구(F)에 의해 정반(J)에 체결되는 것을 특징으로 하는 연마패드를 제공한다.The present invention provides a fastening mechanism groove penetrating through the surface of the polishing layer (1), the fastener support layer (2) formed on the back surface of the polishing layer (1) and the polishing pad so as to achieve the above object ( 4) is provided with a polishing pad characterized in that is fastened to the surface plate (J) by a fastening mechanism (F).

본 발명은 접착제 대신에 볼트 등의 체결기구로 정반에 부착되기 때문에 정반과의 접착강도가 우수하며, 연마공정 중 연마패드와 정반과의 접착불량으로 인해 발생되는 연마성능 저하나 연마시 스크래치 발생 등의 문제들을 효과적으로 해결할 수 있다.The present invention has excellent adhesive strength with the surface plate because it is attached to the surface plate with fasteners such as bolts instead of adhesives, and the polishing performance decreases due to poor adhesion between the polishing pad and the surface plate during the polishing process or scratches during polishing. Can effectively solve problems.

또한, 본 발명의 연마패드는 이면에 형성된 평탄성이 좋은 경질층과 연마패드의 단단한 결합에 의해서 연마패드 자체의 평탄도가 매우 높으며 체결기구로 결 합이 되므로 숙련된 기술자가 아니라도 작업표준서에 의하여 정반에 연마패드를 탈부착할 경우 연마가공물의 가공결과가 우수하여 균일한 연마결과물을 얻을 수 있다.In addition, the polishing pad of the present invention has a very high flatness of the polishing pad itself by hard bonding of a hard layer having a good flatness formed on the back surface and the polishing pad, and is combined with a fastening mechanism, so that even a skilled technician does not have to follow a work standard. When the polishing pad is attached and detached on the surface plate, the result of the processing of the polishing product is excellent, so that a uniform polishing result can be obtained.

이하, 첨부된 도면 등을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명에 따른 연마패드는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 연마층(1), 상기 연마층(1)의 이면에 형성된 체결기구 지지층(2) 및 연마패드의 표면에서 이면까지를 관통하는 체결기구용 홈(4)들로 구성되어 체결기구(F)에 의해 정반(J)에 체결되는 것을 특징으로 한다.First, the polishing pad according to the present invention includes a polishing layer 1, a fastener support layer 2 formed on the back surface of the polishing layer 1, and the surface of the polishing pad as shown in FIGS. Consists of the fastening mechanism grooves (4) to be fastened to the surface plate (J) by the fastening mechanism (F).

도 1은 본 발명에 따른 연마패드의 평면도이고, 도 2 내지 도 3은 도 1에 도시된 연마패드 중 체결기구용 홈(4)이 천공된 부분을 연마패드의 길이 방향과 수직으로 절단한 상태를 나타내는 단면도이다.1 is a plan view of a polishing pad according to the present invention, Figures 2 to 3 is a state in which the groove 4 for the fastening mechanism of the polishing pad shown in Figure 1 is cut perpendicularly to the longitudinal direction of the polishing pad It is sectional drawing which shows.

상기의 연마층(1)은 부직포 내에 고분자 탄성체가 함침된 패드, 고분자 탄성체 만으로 구성된 패드 및 부직포 내에 고분자 탄성체가 함침된 패드 위에 고분자 탄성체 층이 적층된 패드 중에서 선택된 1종의 패드 등이다.The polishing layer 1 is a pad selected from a pad in which a polymer elastomer is impregnated in a nonwoven fabric, a pad composed of only a polymer elastomer, and a pad in which a polymer elastomer layer is laminated on a pad in which a polymer elastomer is impregnated in a nonwoven fabric.

본 발명에서는 연마층(1)의 구성 및 종류를 특별하게 한정하는 것은 아니다.In the present invention, the structure and type of the polishing layer 1 are not particularly limited.

상기 체결기구 지지층(2)은 경질 수지층 또는 금속성 판재이다.The fastener support layer 2 is a hard resin layer or a metallic plate.

체결기구 지지층(2)을 이루는 경질 수지층은 듀로미터 경도계 D-타입(Type)으로 측정한 경도가 40~100인 것이 바람직하다.It is preferable that the hard resin layer which comprises the fastener mechanism support layer 2 is 40-100 hardness measured by the durometer hardness meter D-type (Type).

상기 듀로미터 경도계 D-타입은 테크록(Teclock) 회사의 GS-702 G 모델 경도계이며, 상기 경도는 ASTM D 2240 A 방법으로 측정한 값이다.The durometer durometer D-type is a GS-702 G model durometer from Teclock company, the hardness is measured by the ASTM D 2240 A method.

상기 체결기구 지지층(2)을 이루는 경질 수지층은 폴리우레탄 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지 등이다.The hard resin layer constituting the fastener support layer 2 is a polyurethane resin, a polypropylene resin, a polyester resin, a polyamide resin, a melamine resin, an epoxy resin, or the like.

상기 체결기구 지지층을 이루는 금속성 판재는 스테인리스 스틸, 티타늄 등의 내부식성 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.The metallic plate forming the fastener support layer is preferably made of a corrosion resistant material such as stainless steel and titanium.

상기 체결기구 지지층(2)을 이루는 경질 수지층의 경도가 40보다 낮으면 봉트 등의 체결기구(F)을 확실하게 지지하지 못하는 문제가 발생된다.If the hardness of the hard resin layer constituting the fastening mechanism support layer 2 is lower than 40, a problem arises in that the fastening mechanism F such as a seal cannot be reliably supported.

본 발명에서는 체결기구 지지층(3)을 앞에서 설명한 바와 같이 높은 경도를 갖는 경질 수지층 또는 금속성 판재로 구성하기 때문에 연마패드의 탈부착이 용이하고, 연마장비의 종류에 무관하게 연마물의 연마정도가 균일하게 재현되는 효과를 발현하게 된다.In the present invention, since the fastening mechanism support layer 3 is composed of a hard resin layer or a metal plate having a high hardness as described above, the attachment and detachment of the polishing pad is easy and the degree of polishing of the abrasive is uniform regardless of the type of the polishing equipment. The effect to be reproduced is expressed.

상기 체결기구 지지층(2)의 두께는 2~10㎜인 것이 바람직하다.The thickness of the fastener support layer 2 is preferably 2 to 10 mm.

상기 두께가 2㎜ 미만이면 체결기구(F)를 이용하여 연마패드를 정반에 부착할때 연마패드에 미세한 변형이 발생될 수 있고, 10㎜를 초과하면 무게가 너무 무거워 취급이 어려운 문제가 발생될 수 있다.When the thickness is less than 2 mm, when the polishing pad is attached to the surface plate by using the fastening mechanism F, fine deformation may occur in the polishing pad. When the thickness exceeds 10 mm, the weight may be too heavy to be difficult to handle. Can be.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이 연마층(1)과 체결기구 지지층(2) 사이에 별도의 보조 경질 수지층(3)이 더 삽입, 형성될 수도 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 3, an additional auxiliary hard resin layer 3 may be further inserted and formed between the polishing layer 1 and the fastener support layer 2.

상기의 체결기구(F)는 볼트 등이다.The fastening mechanism F is a bolt or the like.

상기 보조 경질 수지층(3)은 폴리우레탄 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리테트라플루오르에틸렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지 등인 것이 바람직하다.The auxiliary hard resin layer 3 is preferably a polyurethane resin, polypropylene resin, polytetrafluoroethylene resin, polyester resin, polyamide resin, melamine resin, epoxy resin, or the like.

또한, 상기 보조 경질 수지층(3)은 듀로미터 경도계 D-타입(Type)으로 측정한 경도가 40~100인 것이 바람직하다.The auxiliary hard resin layer 3 preferably has a hardness of 40 to 100 measured by a durometer D-type (Type).

상기 듀로미터 경도계 D-타입은 테크록(Teclock) 회사의 GS-702 G 모델 경도계이며, 상기 경도는 ASTM D 2240 A 방법으로 측정한 값이다.The durometer durometer D-type is a GS-702 G model durometer from Teclock company, the hardness is measured by the ASTM D 2240 A method.

본 발명에 따른 연마패드는 연마층(1)의 이면에 체결기구 지지층(2)을 형성한 다음, 상기 연마층과 체결기구 지지층(2)을 차례로 천공하여 체결기구용 홈(4)을 형성하는 방법으로 제조된다.The polishing pad according to the present invention forms the fastener support layer 2 on the back surface of the polishing layer 1, and then drills the polishing layer and the fastener support layer 2 in order to form the groove 4 for the fastener. Prepared by the method.

이때, 연마층(1)과 체결기구 지지층(2) 사이에 보조 경질 수지층(3)이 더 형성할 수도 있다.At this time, the auxiliary hard resin layer 3 may be further formed between the polishing layer 1 and the fastener support layer 2.

또한, 연마층(1)의 이면에 형성된 체결기구 지지층(2)을 천공하기 전에 이를 버핑 또는 커팅하여 평탄화 가공처리 하는 것이 보다 바람직하다.In addition, before drilling the fastener support layer 2 formed on the rear surface of the polishing layer 1, it is more preferable to buff or cut the flattening process.

연마층(1)과 체결기구 지지층(2)을 완벽하게 결합하고 박리가 일어나지 않도록 하기 위해서 감열접착층 및/또는 열경화형수지를 사용하여 결합하는 것이 바람직하다. In order to completely bond the abrasive layer 1 and the fastener support layer 2 and to prevent peeling, it is preferable to bond using a heat-sensitive adhesive layer and / or a thermosetting resin.

연마층(1)과 체결기구 지지층(2)을 결합하는 과정에 감열접착층을 사용하는 경우에는 체결기구 지지층(2)을 미리 준비하여 감열접착층과 결합할 수 있다. 이때 체결기구 지지층(2)은 2~10㎜의 두께로 제조할 수 있는데, 이때 1~5㎜ 정도 두껍게 제조하여 양면을 버핑 또는 커팅하여 미리 평탄화하는 것이 바람직하다.When the thermal adhesive layer is used in the process of bonding the polishing layer 1 and the fastener support layer 2, the fastener support layer 2 may be prepared in advance and combined with the thermal adhesive layer. In this case, the fastener support layer 2 may be manufactured to a thickness of 2 to 10 mm, and at this time, the thickness of the fastening device support layer 2 may be about 1 to 5 mm to buff or cut both surfaces to planarize in advance.

연마층(1)과 체결기구 지지층(2)을 2액형 경화형수지를 사용하여 결합을 할 수도 있는데 이때도 역시 체결기구 지지층(2)은 2~10㎜의 두께로 제조할 수 있는데, 이때 1~5㎜ 정도 두껍게 제조하여 양면을 버핑 또는 커팅하여 미리 평탄화하는 것이 바람직하다.The polishing layer 1 and the fastener support layer 2 may be combined using a two-component curable resin. In this case, the fastener support layer 2 may also be manufactured to a thickness of 2 to 10 mm. It is preferable to make the thickness about 5 mm thick and buff or cut both surfaces to planarize it in advance.

연마층(1)과 체결기구 지지층(2)을 결합할 때 연마층(1)에 열경화형 또는 자외선경화형 수지를 도포하여 연마층(1)의 이면에 보조 경질수지층(3)을 만든 후 체결기구 지지층(2)을 만들 수 도 있는데, 이때 연마층과 체결기구 지지층을 결합하는 방법은 감열접착층, 감압접착층, 2액형 경화형수지 등을 사용할 수 있다.When the abrasive layer 1 and the fastener support layer 2 are joined together, a thermosetting or ultraviolet curing resin is applied to the abrasive layer 1 to form an auxiliary hard resin layer 3 on the back side of the abrasive layer 1, and then fastened. The instrument support layer 2 can also be made, wherein a method of bonding the abrasive layer and the fastener support layer can be a heat-sensitive adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer, a two-component curable resin, or the like.

또한, 연마층(1)의 이면에 형성된 체결기구 지지층(2)에 천공하는 것은 연마층과 체결기구 지지층(2)이 완전히 결합된 이후에 하는 것이 보다 바람직하다.Further, it is more preferable to drill the fastener support layer 2 formed on the back surface of the abrasive layer 1 after the abrasive layer and the fastener support layer 2 are completely combined.

본 발명의 연마패드(P)는 도 4 내지 도 5에 도시된 바와 같이 볼트 등의 체결기구(F)를 사용하여 정반(J)에 부착된다.The polishing pad P of the present invention is attached to the surface plate J using fastening mechanisms F such as bolts as shown in FIGS. 4 to 5.

도 4 내지도 5는 도 1에 도시된 연마패드가 정반에 부착된 상태를 나타내는 단면도이다.4 to 5 are cross-sectional views showing a state in which the polishing pad shown in FIG. 1 is attached to a surface plate.

본 발명은 접착제 대신에 볼트 등의 체결기구로 정반에 부착되기 때문에 정반과의 접착강도가 우수하며, 연마공정 중 연마패드와 정반과의 접착불량으로 인해 발생되는 연마성능 저하나 연마시 스크래치 발생 등의 문제들을 효과적으로 해결할 수 있으며, 작업자의 숙련도가 대단히 높지 않아도 양질의 연마패드의 체결상태를 유지할 수 있는 장점이 있다.The present invention has excellent adhesive strength with the surface plate because it is attached to the surface plate with fasteners such as bolts instead of adhesives, and the polishing performance decreases due to poor adhesion between the polishing pad and the surface plate during the polishing process or scratches during polishing. The problem can be effectively solved, there is an advantage that can maintain the fastening state of the high quality polishing pad even if the operator's skill is not very high.

본 발명에서는 연마처리된 실리콘 웨이퍼의 표면 조도와 스크래치 발생율을 아래와 같이 평가하였다.In the present invention, the surface roughness and scratch occurrence rate of the polished silicon wafer were evaluated as follows.

실리콘 웨이퍼의 표면평균 조도Surface Average Roughness of Silicon Wafers

원자력간현미경(Atomic force Microscope) 을 이용하여 표면의 평균조도를 구한다. JEOL Ltd사의 JSPM-5200 모델을 이용하여 AFM 모드(mode)에서 캔티레버(Cantilever)와 시료표면원자사이에 자용하는 인력 및 척력을 이용하여 3차원적으로 표면굴곡을 원자분해능으로 관찰하여 표면조도를 구한다.The average roughness of the surface is obtained by using an atomic force microscope. Using the JSPM-5200 model of JEOL Ltd, the surface roughness is obtained by observing the surface curvature in three dimensions by atomic resolution using the attractive force and repulsive force between the cantilever and the sample surface atom in AFM mode. .

구체적으로는 폴리싱가공된 실리콘웨이퍼의 중심에서 좌우상하로 각 1내지 5센티미터 떨어진곳에서 시료를 3개소내지 5개소를 취득하여 가로세로 각각 10마이크로미터를 스캔하여 Ra결과값을 산술평균하여 구하여 표면평균조도로 칭한다.Specifically, three to five samples were taken from one to five centimeters each from the center of the polished silicon wafer to the left and right and up and down. It is called average roughness.

스크래치scratch 발생율Incidence (%)(%)

8인치 실리콘 웨이퍼 2장을 연마패드로 연마시 스크래치 결점이 발생되는 스크래치 건수를 합산하여 이를 다음 식에 대입하여 계산한다.Calculate the total number of scratches that cause scratch defects when polishing two 8-inch silicon wafers with a polishing pad, and substitute this into the following equation.

스크래치발생율(%) = (스크래치 건수/8인치, 2장) × 100Scratch Rate (%) = (Number of Scratch Cases / 8 Inch, 2 Sheets) × 100

단, 스크래치 건수가 100을 초과하는 경우는 100으로 둔다.However, if the number of scratches exceeds 100, leave it at 100.

여기서 스크래치 판독은 숙련된 전문가의 육안판정에 의하여 판정을 하게 되며 육안으로 스크래치인지 아닌지 판독이 어려운 희미한 결점의 경우는 암시야조명과 이미지분석 소프트웨어가 설치된 광학계 현미경의 부가적인 측정에 의존할 수 있다. The scratch reading is judged by visual judgment by a skilled expert, and in the case of a faint defect that is difficult to read whether it is scratched with the naked eye, it may rely on the additional measurement of an optical microscope equipped with dark field illumination and image analysis software.

또한 스크래치는 길이방향과 폭방향의 길이의 비가 10 대 1 이상이 되는 흠을 스크래치로 판단한다.In addition, the scratch judges the scratch that the ratio of the length in the longitudinal direction and the width direction to be 10 to 1 or more.

이하, 실시예 및 비교실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 살펴본다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.

그러나, 본 발명은 하기 실시예에 의해 그의 권리범위가 특별하게 한정되는 것은 아니다.However, the present invention is not particularly limited by the following examples.

실시예Example 1 One

단사섬도가 1데니어인 폴리아미드 필라멘트를 50㎜의 길이도 절단하여, 단섬유화 하고 카딩 및 크로스 래퍼 공정을 거쳐 웹을 제조한 후, 이를 니들펀칭하여 부직포를 제조하였다.A polyamide filament having a single denier fineness of 1 denier was also cut to a length of 50 mm, short fibers were made through a carding and cross wrapper process, and then a web was needle-punched to prepare a nonwoven fabric.

다음으로는 제조된 상기 부직포에 폴리우레탄 수지를 부직포 중량대비 40중량%를 함침한 후 습식응고하여 연마층(1)을 제조하였다.Next, the prepared nonwoven fabric was impregnated with 40% by weight of polyurethane resin relative to the weight of the nonwoven fabric, and then wet coagulated to prepare an abrasive layer 1.

다음으로 폴리에틸렌 수지를 듀로미터 경도계 D-타입으로 경도가 60이 되도록 조절하면서 통상의 플라스틱판재의 제조방법 사용하여 두께가 5mm가 되도록 제조한 후 양면을 4mm간격의 300℃의 열롤러에 통과시켜 균일한 체결기구 지지층(2)을 형성하였다.Next, the polyethylene resin is manufactured to a thickness of 5 mm using a conventional plastic sheet manufacturing method while adjusting the hardness to 60 with a durometer hardness tester D-type. One fastener support layer 2 was formed.

다음으로는 준비된 상기 연마층(1)에 2액 경화형 수지를 균일하게 도포한 후 여기에 상기 체결기구 지지층을 결합하였다. Next, the two-component curable resin was uniformly applied to the prepared polishing layer 1, and then the fastener support layer was bonded thereto.

다음으로, 체결기구 지지층(2)의 이면을 버핑한 후 상기 연마층과 체결기구 지지층(2)을 차례로 천공하여 체결기구용 홈(4)들을 형성하여 연마패드를 제조하였다.Next, after buffing the back surface of the fastener support layer 2, the polishing layer and the fastener support layer 2 were sequentially drilled to form grooves 4 for the fastener, thereby manufacturing a polishing pad.

제조된 상기의 연마패드를 볼트체결이 가능하도록 홀 가공이 된 정반에 볼트로 정반에 부착하여 8인치 실리콘 웨이퍼 2장을 아래와 같은 조건으로 연마하였다.The above-described polishing pad was attached to the surface plate with bolts to the hole-processed surface plate to enable bolting, and two 8-inch silicon wafers were polished under the following conditions.

연마조건Polishing condition

- 폴리싱 기계 : GNP Technology사의 Poli-500 Polisher-Polishing machine: GNP Technology's Poli-500 Polisher

- 연마시간 : 10분-Polishing time: 10 minutes

- 하방력 : 웨이퍼 표면에서 250g/㎠(3.5psi)Down force: 250g / cm2 (3.5psi) on the wafer surface

- 연마정반 속도 : 120rpm-Polishing Table Speed: 120rpm

- 웨이퍼 캐리어 속도 : 120rpmWafer Carrier Speed: 120rpm

- 슬러리 유동량 : 700㎖/분Slurry flow rate: 700 ml / min

- 슬러리 타입 : 날코(Nalco)2371, DIW와 슬러리를 15:1로 희석시킨 실리카계 슬러리-Slurry type: Nalco 2731, silica slurry diluted with DIW and slurry at 15: 1

상기와 같이 연마(폴리싱) 처리된 실리콘 웨이퍼의 표면 평균조도와 스크래치 발생율을 측정한 결과는 표 1과 같다.Table 1 shows the results of measuring surface average roughness and scratch rate of the polished (polished) silicon wafer.

실시예Example 2 2

실시예 1과 같이 제조된 연마층(1)과 체결기구 지지층(2) 사이에 열경화성 폴리에테르우레탄 수지로 이루어진 별도의 보조 경질 수지층(3)을 추가로 더 형성 시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정 및 방법으로 연마패드를 제조하였고, 이를 볼트로 정반에 부착하여 실시예 1과 동일한 연마공정으로 8인치 실리콘 웨이퍼 2장을 연마하였다.Example 1 except that an additional auxiliary hard resin layer 3 made of a thermosetting polyetherurethane resin was further formed between the polishing layer 1 prepared in Example 1 and the fastener support layer 2. A polishing pad was manufactured by the same process and method as described above, and two polishing pads of 8-inch silicon wafer were polished by the same polishing process as Example 1 by attaching the same to the surface plate with bolts.

상기와 같이 연마 처리된 실리콘 웨이퍼의 표면 평균조도와 스크래치 발생율을 측정한 결과는 표 1과 같다.Table 1 shows the results of measuring the surface average roughness and scratch rate of the polished silicon wafer.

비교실시예Comparative Example 1 One

실시예 1에서 사용한 해도형 복합섬유 대신에 단사섬도가 3데니어인 폴리아미드 단섬유를 카딩 및 크로스 래퍼 공정을 거쳐 이들의 적층웹을 제조한 후 이를 니들펀칭하여 부직포를 제조하였다.Instead of the island-in-the-sea composite fiber used in Example 1, polyamide short fibers having single densities of 3 deniers were manufactured through a carding and cross-wrapping process to produce laminated webs thereof, and then needle punched to prepare nonwoven fabrics.

다음으로는 제조된 상기 부직포에 폴리우레탄 수지를 부직포 중량대비 40중량% 함침한 후 습식응고하여 부직포 내에 폴리우레탄 수지가 함침된 패드(A)를 먼저 제조하였다.Next, the pad (A) impregnated with a polyurethane resin in the nonwoven fabric was first prepared by impregnating 40 wt% of the nonwoven fabric with a polyurethane resin, followed by wet coagulation.

다음으로는 상기 패드(A)를 300℃인 열로울러 사이로 통과시켜 도 6과 같은 단면을 갖는 연마패드를 제조하였다.Next, the pad A was passed through a thermal roller at 300 ° C. to prepare a polishing pad having a cross section as shown in FIG. 6.

도 7과 같이 지지체 필름(B1) 양면에 감열 접착제층(B2)과 감압 접착제 층(B3)이 각각 형성된 연마패드 고정용 보지재를 사용하여 제조된 연마패드를 정반에 부착하여 실시예 1과 동일한 연마조건으로 8인치 실리콘 웨이퍼 2장을 연마하였다. As shown in Figure 7 attached to the surface of the support film (B 1 ) by attaching a polishing pad prepared using a polishing pad fixing holding material formed with a thermal adhesive layer (B 2 ) and a pressure-sensitive adhesive layer (B 3 ) respectively on the surface plate Example Two 8-inch silicon wafers were polished under the same polishing conditions as 1.

상기와 같이 연마(폴리싱) 처리된 실리콘 웨이퍼의 표면평균 조도와 스크래치 발생율을 측정한 결과는 표 1과 같다.Table 1 shows the results of measuring the surface average roughness and scratch rate of the polished (polished) silicon wafer as described above.

연마 처리된 웨이퍼 물성 측정결과Measurement results of polished wafer properties 구분division 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 비교실시예 1Comparative Example 1 연마처리된 웨이퍼의 표면 평균조도(Å)Surface Average Roughness of Polished Wafers 13.7813.78 13.7613.76 14.2514.25 스크래치 발생율(%)Scratch Rate (%) 0.100.10 0.110.11 0.170.17

실시예 1 및 실시예 2는 연마패드와 정반과의 접착 강도가 우수하여 스크래치 발생율과 연마성능(연마처리된 웨이퍼의 표면 평균조도)이 비교실시예 1보다 양호하였다.Example 1 and Example 2 were excellent in the adhesive strength between the polishing pad and the surface plate, scratch rate and polishing performance (surface average roughness of the polished wafer) was better than Comparative Example 1.

도 1은 본 발명에 따른 연마패드의 평면도.1 is a plan view of a polishing pad according to the present invention.

도 2 내지 도 3은 본 발명에 따른 연마패드 중 체결기구용 홈(4)이 천공된 부분을 길이 방향과 수직으로 절단한 상태를 나타내는 단면도.2 to 3 are cross-sectional views showing a state in which the perforated groove 4 for the fastening mechanism of the polishing pad according to the present invention is cut perpendicularly to the longitudinal direction.

도 4 내지 도 5는 본 발명에 연마패드가 정반에 부착된 상태를 나타내는 단면도.4 to 5 are cross-sectional views showing a state in which the polishing pad is attached to the surface plate in the present invention.

도 6은 종래 연마패드의 단면모식도.Figure 6 is a schematic cross-sectional view of a conventional polishing pad.

도 7은 종래 연마패드 고정용 보지재의 단면도.7 is a cross-sectional view of a conventional polishing pad fixing holding material.

* 도면 중 주요부분에 대한 부호설명* Code description for main parts of the drawings

P : 연마패드 J : 정반 F : 체결기구P: Polishing pad J: Table F: Fastening mechanism

1 : 연마층 2 : 체결기구 지지층1 polishing layer 2 fastener support layer

3 : 보조 경질 수지층 4 : 체결기구용 홈3: auxiliary hard resin layer 4: groove for fastening mechanism

A : 극세섬유로 구성된 부직포 내에 고분자 탄성체가 함침된 패드A: Pad impregnated with a polymer elastomer in a nonwoven fabric composed of ultrafine fibers

B : 연마패드 고정용 보지재B: Holding material for fixing polishing pad

B1 : 연마패드 고정용 보지재의 지지체 필름B 1 : support film of the holding material for fixing the polishing pad

B2 : 연마패드 고정용 보지재의 감열 접착제 층B 2 : thermal adhesive layer of the holding material for fixing the polishing pad

B3 : 연마패드 고정용 보지재의 감압 접착제 층B 3 : pressure-sensitive adhesive layer of the holding material for fixing the polishing pad

Claims (18)

연마층(1), 상기 연마층(1)의 이면에 형성된 체결기구 지지층(2) 및 연마패드의 표면에서 이면까지를 관통하는 체결기구용 홈(4)들로 구성되어 체결기구(F)에 의해 정반(J)에 체결되는 것을 특징으로 하는 연마패드.The fastening mechanism (F) is composed of a polishing layer (1), a fastener support layer (2) formed on the rear surface of the polishing layer (1) and fastener grooves (4) penetrating from the surface of the polishing pad to the back surface. The polishing pad, characterized in that fastened to the surface plate (J). 제1항에 있어서, 연마층(1)은 부직포 내에 고분자 탄성체가 함침된 패드, 고분자 탄성체 만으로 구성된 패드 및 부직포 내에 고분자 탄성체가 함침된 패드 위에 고분자 탄성체 층이 적층된 패드 중에서 선택된 1종의 패드인 것을 특징으로 하는 연마패드.The polishing layer (1) according to claim 1, wherein the polishing layer (1) is one pad selected from a pad in which a polymer elastomer is impregnated in a nonwoven fabric, a pad composed of only a polymer elastomer, and a pad in which a polymer elastomer layer is laminated on a pad in which a polymer elastomer is impregnated in a nonwoven fabric. Polishing pads, characterized in that. 제1항에 있어서, 체결기구 지지층(2)은 경질 수지층 및 금속성 판재 중에서 선택된 1종인 것임을 특징으로 하는 연마패드.The polishing pad according to claim 1, wherein the fastener support layer (2) is one selected from a hard resin layer and a metallic plate. 제3항에 있어서, 경질 수지층은 듀로미터 경도계 D-타입(Type)으로 측정한 경도가 40~100인 것을 특징으로 하는 연마패드.The polishing pad according to claim 3, wherein the hard resin layer has a hardness of 40 to 100 measured by a durometer hardness meter D-type (Type). 제3항에 있어서, 경질 수지층은 폴리우레탄 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리테트라플루오르에틸렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 멜라민 수지 및 에폭시 수지 중에서 선택된 1종의 수지로 구성됨을 특징으로 하는 연마패드.The polishing method according to claim 3, wherein the hard resin layer is composed of one resin selected from polyurethane resin, polypropylene resin, polytetrafluoroethylene resin, polyester resin, polyamide resin, melamine resin and epoxy resin. pad. 제1항에 있어서, 연마층(1)과 체결기구 지지층(2) 사이에 보조 경질 수지층(3)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마패드.The polishing pad according to claim 1, wherein an auxiliary hard resin layer (3) is further formed between the polishing layer (1) and the fastener support layer (2). 제1항에 있어서, 체결기구 지지층(2)의 두께가 2~10㎜인 것을 특징으로 하는 연마패드.The polishing pad according to claim 1, wherein the fastener support layer (2) has a thickness of 2 to 10 mm. 제6항에 있어서, 보조 경질 수지층(3)은 듀로미터 경도계 D-타입(Type)으로 측정한 경도가 40~100인 것을 특징으로 하는 연마패드.7. The polishing pad according to claim 6, wherein the auxiliary hard resin layer (3) has a hardness of 40 to 100 measured by a durometer hardness meter D-type (Type). 제6항에 있어서, 보조 경질 수지층(3)은 폴리우레탄 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리테트라플루오르에틸렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 멜라민 수지 및 에폭시 수지 중에서 선택된 1종의 수지로 구성됨을 특징으로 하는 연마패드.7. The auxiliary hard resin layer 3 is composed of one resin selected from polyurethane resin, polypropylene resin, polytetrafluoroethylene resin, polyester resin, polyamide resin, melamine resin and epoxy resin. A polishing pad characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 체결기구(F)가 볼트인 것을 특징으로 하는 연마패드.The polishing pad according to claim 1, wherein the fastening mechanism (F) is a bolt. 연마층(1)의 이면에 체결기구 지지층(2)을 형성한 다음, 상기 연마층과 체결기구 지지층(2)을 차례로 천공하여 체결기구용 홈(4)을 형성하는 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.The fastening mechanism support layer 2 is formed on the back surface of the polishing layer 1, and then the polishing layer and the fastener support layer 2 are successively drilled to form the fastening mechanism grooves 4 of the polishing pad. Manufacturing method. 제11항에 있어서, 연마층(1)은 부직포 내에 고분자 탄성체가 함침된 패드, 고분자 탄성체 만으로 구성된 패드 및 부직포 내에 고분자 탄성체가 함침된 패드 위에 고분자 탄성체 층이 적층된 패드 중에서 선택된 1종의 패드인 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.12. The polishing layer (1) according to claim 11, wherein the polishing layer (1) is one pad selected from a pad in which a polymer elastomer is impregnated in a nonwoven fabric, a pad composed of only a polymer elastomer, and a pad in which a polymer elastomer layer is laminated on a pad in which a polymer elastomer is impregnated in a nonwoven fabric. Method for producing a polishing pad, characterized in that. 제11항에 있어서, 연마층(1)이 이면에 형성된 체결기구 지지층(2)을 천공하기 전에 평탄화 가공처리 하는 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.12. The method of manufacturing a polishing pad according to claim 11, wherein the polishing layer (1) is planarized before drilling the fastener support layer (2) formed on the rear surface thereof. 제11항에 있어서, 체결기구 지지층(2)의 두께가 2~10㎜인 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.12. The method of claim 11, wherein the fastener support layer (2) has a thickness of 2 to 10 mm. 제11항에 있어서, 체결기구 지지층(2)은 경질 수지층 및 금속성 판재 중에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.12. The method of claim 11, wherein the fastener support layer (2) is one selected from a hard resin layer and a metallic plate. 제11항에 있어서, 연마층(1)과 체결기구 지지층(2) 사이에 보조 경질 수지층(3)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.12. The method of claim 11, further comprising forming an auxiliary hard resin layer (3) between the abrasive layer (1) and the fastener support layer (2). 제15항 또는 제16항에 있어서, 경질 수지층 및 보조 경질 수지층(3)은 듀로미터 경도계 D-타입(Type)으로 측정한 경도가 40~100인 것을 특징으로 하는 연마패 드의 제조방법.The method of manufacturing a polishing pad according to claim 15 or 16, wherein the hard resin layer and the auxiliary hard resin layer 3 have a hardness of 40 to 100 measured by a durometer hardness meter D-type. . 제15항 또는 제16항에 있어서, 경질 수지층 및 보조 경질 수지층(3)은 폴리우레탄 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리테트라플루오르에틸렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 멜라민 수지 및 에폭시 수지 중에서 선택된 1종의 수지로 구성됨을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.The hard resin layer and the auxiliary hard resin layer (3) according to claim 15 or 16 are made of a polyurethane resin, a polypropylene resin, a polytetrafluoroethylene resin, a polyester resin, a polyamide resin, a melamine resin and an epoxy resin. Method for producing a polishing pad, characterized in that consisting of one selected resin.
KR1020080082827A 2007-08-23 2008-08-25 Polishing pad and method of manufacturing the same KR20090020534A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070084749 2007-08-23
KR1020070084749 2007-08-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090020534A true KR20090020534A (en) 2009-02-26

Family

ID=40687938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080082827A KR20090020534A (en) 2007-08-23 2008-08-25 Polishing pad and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090020534A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11154959B2 (en) Polishing pads and systems and methods of making and using the same
US7101275B2 (en) Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing
TWI553720B (en) Method for polishing a semiconductor wafer
US10201886B2 (en) Polishing pad and method for manufacturing the same
CN101628398B (en) Method for making multilayer chemical mechanical polishing pad
JP5233479B2 (en) Polishing pad
US20080274674A1 (en) Stacked polishing pad for high temperature applications
JPH0623664A (en) Sheet-form resilient foam and jig for polishing wafer by using it
US20080287047A1 (en) Polishing pad, use thereof and method for making the same
KR102241353B1 (en) How to polish both sides of a semiconductor wafer
JPWO2004090963A1 (en) Polishing pad, manufacturing method thereof, and polishing method using the same
JP5602752B2 (en) Polishing pad
EP1622193A1 (en) Polishing pad and method for producing same
KR20090020534A (en) Polishing pad and method of manufacturing the same
KR20090021117A (en) Polishing pad tile and mosaic polishing pad manufactured by the same
US20050282470A1 (en) Continuous contour polishing of a multi-material surface
US7815491B2 (en) Polishing pad, the use thereof and the method for manufacturing the same
KR20090021118A (en) Polishing pad tile and mosaic polishing pad manufactured by the same
JP4698178B2 (en) Carrier for holding an object to be polished
US6969304B2 (en) Method of polishing semiconductor wafer
JP5648389B2 (en) Polishing pad
WO2017171052A1 (en) Carrier and substrate manufacturing method using this carrier
EP1021275B1 (en) Abrasive articles and their preparations
JP2000042910A (en) Workpiece holder for polishing
JP2012218115A (en) Polishing pad

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application