KR20090008521A - Cleaning solution for removing impurity and method of removing impurity using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 크린룸에서의 불순물 제거용 세정액 및 이를 이용한 불순물의 제거 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 크린룸에서 발생하는 오염물질이나 얼룩을 제거할 수 있는 크린룸에서의 불순물 제거용 세정액 및 이를 이용한 불순물의 제거방법에 관한 것이다. The present invention relates to a cleaning solution for removing impurities in a clean room and a method for removing impurities using the same, and more particularly, a cleaning solution for removing impurities in a clean room capable of removing contaminants or stains generated in the clean room and impurities using the same. It relates to a method of removing.
일반적으로, 클린룸(Clean Room)은 먼지나 미립자 등과 같은 오염원을 최소로 유지시키고, 실내의 압력 습도, 온도, 기류의 분포와 속도 등을 일정 범위에서 유지되는 작업 공간으로 정밀 제품의 제작, 검사하는 다양한 산업 공정들, 특히, 반도체 소자의 제조 공정에서 사용된다. 이러한 기능을 갖는 클린룸은 오직 상기 클린룸 내부 통제된 환경의 오염을 배제시키는데 필요한 밀폐된 통제를 유지시키기 위해 모든 노력을 기울일 때에만 효과적으로 기능할 수 있다. In general, a clean room is a work space that keeps pollutants such as dust and particles to a minimum, and maintains a range of pressure humidity, temperature, and airflow in a room within a certain range. Which is used in various industrial processes, in particular in the manufacturing of semiconductor devices. Clean rooms with this function can only function effectively when all efforts are made to maintain the enclosed control necessary to exclude contamination of the controlled environment inside the clean room.
상기 클린룸의 오염원은 가장 흔히 클린룸에서의 작업자와, 클린룸으로 가져오는 품목 및 반도체 장치의 제조 공정시 발생되는 부산물들에 의해 발생된다. 이에 따라, 상기 클린룸을 통제된 환경으로부터 불필요한 오염물질을 배제시키는 방 식으로 가동시키기 위해 엄밀한 기준이 확립되었으며, 이러한 오염원이 불순물을 발생했을 경우 클린룸 세정액이 함침된 와이퍼를 이용하여 불순물을 세척하는데 사용해왔다. 또한, 클린룸 세정액이 함침된 와이퍼는 클린룸 내의 다양한 장비 및 품목들의 얼룩을 닦는데 사용될 뿐만 아니라 상기 클린룸 자체의 벽 및 다른 내벽에 존재하는 얼룩을 들을 닦아내는데 사용된다.Pollutants in the cleanroom are most often generated by workers in the cleanroom, by-products brought into the cleanroom, and by-products from the manufacturing process of semiconductor devices. Accordingly, rigorous standards have been established to operate the cleanroom in a manner that eliminates unnecessary contaminants from the controlled environment, and when such contaminants generate impurities, the impurities are cleaned using a wiper impregnated with the clean room cleaning liquid. Has been used to. In addition, the wiper impregnated with the cleanroom cleaning liquid is used to clean stains of various equipment and items in the cleanroom as well as to clean stains present on the walls and other inner walls of the cleanroom itself.
그리고, 청정실 내에서 반도체 장치의 제작하기 위해 부식성/반응성 화학물질이 사용되는데 상기 화학물질은 화학적 증기, 소적(입자)을 방출시킬 것이고 장비, 사람 및 집적 회로 제품들에 부식 손상을 일으킬 수 있다. 이러한 화학물질은 자동화된 장비로 옮기는 도중 및 이송되는 화학용기에서 유출되어 스필이 발생될 수 있다. 이들 화학물질의 스필은 무기산, 방향족 용매, 케톤, 알콜, 아민(NMP) 및 알칸올아민(모노에탄올 아민, 디글리콜 아민 등) 부식성 유기 용매 등을 포함한다. 이렇게 유출된 화학물질의 스필 또한 이소프로필 알콜 세정액이 함침된 와이프를 이용하여 세척하는데 사용해왔다.In addition, corrosive / reactive chemicals are used to fabricate semiconductor devices in clean rooms, which will release chemical vapors, droplets (particles) and can cause corrosion damage to equipment, people and integrated circuit products. These chemicals can spill out of chemical containers during and during transfer to automated equipment and generate spills. Spills of these chemicals include inorganic acids, aromatic solvents, ketones, alcohols, amines (NMP) and alkanolamines (monoethanol amines, diglycol amines, etc.) and corrosive organic solvents. This spilled chemical spill has also been used to clean using wipes impregnated with isopropyl alcohol cleaner.
그러나, 상기 와이퍼에 함침된 세정액은 유해성 유기용매인 이소프로필 알콜, 아세톤 또는 메탈올 등을 주성분으로 포함하고 있어 클린룸 내에서 오염원 제거에 사용할 경우 상기 유행성 유기용매이의 높은 휘발성과 그 독성으로 인해 사람과 설비 모두에 대해 상당한 위험일 수 있다. 즉, 인체에 유해한 이소프로필 알콜(IPA)을 주성분으로 하는 세정액의 사용으로 인해 클린룸 내부 작업자의 위험성이 꾸준히 대두되고 있고, 상기 이소프로필알콜이 지속적으로 노출될 경우 인체의 노출 허용 한계치를 초과할 수 있는 문제점은 안고 있는 상황이다. However, the cleaning solution impregnated with the wiper contains isopropyl alcohol, acetone, or metalol, which are harmful organic solvents, as a main component, and thus, when used to remove pollutants in a clean room, due to high volatility and toxicity thereof, This can be a significant risk for both and facilities. In other words, due to the use of a cleaning liquid containing isopropyl alcohol (IPA), which is harmful to the human body, the danger of workers in clean rooms is steadily rising, and if the isopropyl alcohol is continuously exposed, the exposure limit of the human body may be exceeded. One problem that may arise is the situation.
이러한 문제점을 해결하기 위해 세정액 대신에 증류수를 사용하는 방법이 제시되었으나, 증류수를 이용한 세정은 인체에는 무해하지만 세정 효율이 떨어져 클린룸내의 오염 물질이나 여러 얼룩들이 제거되지 않아 클린룸 관리 개념이 상쇄되는 문제점이 초래되었다.In order to solve this problem, a method of using distilled water instead of a cleaning solution has been proposed.However, cleaning with distilled water is harmless to the human body, but the cleaning efficiency is inferior and contaminants and various stains in the clean room are not removed. Problems have arisen.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1 목적은 인체에 무해한 유기용매를 포함하면서, 이소프로필 알콜과 같이 오염원에 대한 제거능력이 탁월한 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액을 제공하는데 있다.A first object of the present invention for solving the above problems is to provide a cleaning solution for removing impurities in a clean room that contains an organic solvent that is harmless to the human body and is excellent in the ability to remove contaminants such as isopropyl alcohol.
본 발명의 제2 목적은 인체에 무해한 유기용매를 포함하면서, 이소프로필 알콜과 같이 오염원에 대한 제거능력이 탁월한 불순물 제거용 세정액을 이용한 클린룸에서의 불순물 제거방법을 제공하는데 있다.A second object of the present invention is to provide a method for removing impurities in a clean room using an organic solvent that is harmless to the human body, and an impurity removal cleaning liquid having an excellent ability to remove contaminants such as isopropyl alcohol.
상술한 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액은 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 25 내지 75 중량% 및 여분의 물을 포함한다. Cleaning liquid for removing impurities in a clean room according to an embodiment of the present invention for achieving the first object described above comprises 25 to 75% by weight of triethylene glycol (Triethylene Gylcol) and excess water.
일 예로서, 상기 불순물 제거용 세정액은 상기 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 25 내지 55 중량%과 황산암모늄 화합물 5 내지 15중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖는 것이 바람직하다. 다른 예로서, 상기 불순물 제거용 세정액은 상기 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 25 내지 55 중량%과 질산암모늄 화합물산화암모늄 화합물 5 내지 15중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖는 것이 바람직하다.As an example, the impurity removal cleaning solution may have a composition including 25 to 55 wt% of the triethylene glycol (Triethylene Gylcol), 5 to 15 wt% of the ammonium sulfate compound, and excess water. As another example, the impurity removal cleaning solution may have a composition including 25 to 55 wt% of the triethylene glycol (Triethylene Gylcol), 5 to 15 wt% of the ammonium nitrate compound and ammonium oxide compound, and excess water.
특히, 상기 불순물 제거용 세정액은 상기 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol)과 물을 20 내지 28℃ 온도에서 2 내지 4시간 동안 교반하여 제조할 수 있 다. In particular, the cleaning solution for removing impurities may be prepared by stirring the triethylene glycol (Triethylene Gylcol) and water at a temperature of 20 to 28 ℃ for 2 to 4 hours.
상술한 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 클린룸에서의 불순물 제거방법에 따르면, 먼저 와이퍼에 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 25 내지 75 중량% 및 여분의 물을 포함하는 불순물 제거용 세정제를 함침시킨다. 이어서, 대상체에 존재하는 불순물들을 상기 세정제가 함침된 와이퍼를 이용하여 세척한다. 여기서, 상기 세정은 물리적인 힘을 제공하야 수행하는 것이 바람직하다. 이후, 상기 대상체에 잔류하는 세정제를 제거하기 위해 증류수를 이용하여 세정한다. 그 결과 상기 대상체에 잔류하는 불순물들은 깨끗이 제거될 수 있다. According to the method for removing impurities in a clean room according to an embodiment of the present invention for achieving the above-described second object, first, an impurity including 25 to 75% by weight of triethylene glycol and excess water in a wiper Impregnating a removal cleaner. Subsequently, impurities present in the object are washed using a wiper impregnated with the cleaner. Here, the cleaning is preferably performed to provide a physical force. Thereafter, the cleaning agent is washed with distilled water to remove the cleaning agent remaining in the object. As a result, impurities remaining in the object may be removed.
본 발명에 따른 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액은 인체에 유해한 이소프로필 알콜을 전혀 포함하고 있지 않아 불순물 제거용 세정액을 이용하여 불순물을 제거하는 공정을 수행할 경우 작업자의 건강을 해치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 불순물 제거용 세정액에 포함된 트리에틸렌 글리콜은 기존에 사용되는 이소프로필 알콜과 동일 또는 이상으로 클린룸에 존재하는 불순물들을 용이하게 용해 또는 제거할 수 있는 특성을 가지고 있다. 따라서, 상기 불순물 제거용 세정액을 이용한 불순물들의 제거로 인해 클린룸 내부의 청청도를 일정수준 이상으로 유지할 수 있어 클린룸에서 형성되는 반도체 소자들의 오염으로 인한 불량을 최소화 할 수 있다. The cleaning solution for removing impurities in a clean room according to the present invention does not contain any isopropyl alcohol that is harmful to the human body, and thus, when performing the process of removing impurities using the cleaning solution for removing impurities, it is possible to prevent harm to the health of the worker. have. In addition, triethylene glycol included in the impurity removal cleaning liquid has a property of easily dissolving or removing impurities present in a clean room in the same or more than isopropyl alcohol used in the prior art. Therefore, due to the removal of impurities using the impurity removal cleaning liquid, the cleanliness of the interior of the clean room may be maintained at a predetermined level or more, thereby minimizing defects due to contamination of the semiconductor devices formed in the clean room.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들에 따른 클린룸에서의 불순물 제거 용 세정액 및 이를 이용한 불순물 제거 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. Hereinafter, a cleaning solution for removing impurities in a clean room and a method for removing impurities using the same according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and those skilled in the art may implement the present invention in various other forms without departing from the technical spirit of the present invention.
클린룸에서의 불순물 제거용 세정액Cleaning solution for removing impurities in clean room
본 발명에 따른 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액은 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 및 물(H2O)을 포함하는 조성을 가지며, 산화암모늄계 화합물을 더 포함할 수 있다. 상술한 구성을 갖는 세정액의 특성을 구체적으로 설명하면, 1) 상기 불순물 제거용 세정액은 반도체 제조 장치 또는 그 부품에 표면에 잔류하는 불순물을 제거하는 공정에 적용되어 상기 불순물을 구성하는 물질들이 상기 기판 또는 부품에 재 부착되는 등의 오염을 최소화시킬 수 있는 특성을 갖는다.The cleaning liquid for removing impurities in a clean room according to the present invention has a composition containing triethylene glycol and water (H 2 O), and may further include an ammonium oxide compound. Specifically, the characteristics of the cleaning liquid having the above-described configuration will be described. 1) The cleaning solution for removing impurities may be applied to a process of removing impurities remaining on a surface of a semiconductor manufacturing apparatus or a component thereof, and the materials constituting the impurities may be formed in the substrate. Or it has a characteristic that can minimize the contamination, such as re-attached to the part.
2) 불순물의 세정 공정시 클린룸 내부의 반도체 소자를 형성하기 위한 장치의 부품에 잔류하는 불순물들을 상기 부품의 손상 및 파티클의 발생 없이 제거할 수 있는 특성을 갖는다. 또한, 반도체 소자를 제조하기 위해 적용되는 유동성 화학물질들을 제거할 수 있는 특성을 갖는다. 2) The impurities remaining in the components of the apparatus for forming semiconductor elements in the clean room during the impurity cleaning process can be removed without damaging the components and generating particles. It also has the property of eliminating the flowable chemicals applied to manufacture semiconductor devices.
3) 상기 불순물 제거용 세정액은 유독성 기체가 발생하는 이소프로필 알콜 등과 같은 유기 용매를 포함하고 있지 않아 불순물의 세정 공정시 클린룸 내부에서 작업자의 건강을 해치는 것 방지 및 환경오염에 대한 문제점을 해결할 수 있는 특 성을 갖는다.3) The cleaning solution for removing impurities does not contain organic solvents such as isopropyl alcohol, which generates toxic gas, and thus, it is possible to prevent the problem of environmental pollution and environmental pollution in the clean room during the cleaning of impurities. That has the characteristics.
이하, 상기 불순물을 제거하기 위한 세정액의 조성을 일 예를 들어 구체적으로 설명하기로 한다. Hereinafter, the composition of the cleaning solution for removing the impurities will be described in detail, for example.
본 발명의 일 실시예에 따른 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액은 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 및 물을 포함하는 조성을 갖고, 바람직하게는 트리에틸렌 글리콜 25 내지 75 중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성은 갖는다.The cleaning solution for removing impurities in a clean room according to an embodiment of the present invention has a composition containing triethylene glycol and water, and preferably 25 to 75% by weight of triethylene glycol and excess water. The composition has.
상기 불순물 제거용 세정액에 포함된 트리에틸렌 글리콜은 작업자에게 유해한 가스를 발생시키지 않으면서 이소프로필 알콜과 동일하거나 그 이상으로 능력으로 상기 불순물을 용해 또는 제거할 수 있는 특성을 갖는 물질이다. 구체적으로 상기 트리에틸렌 글리콜은 물과 잘 섞이는 성분으로 얼룩이나 고착 물질의 제거를 용이하게 하고, 클린룸을 구성하고 있는 재질들에 대한 침투력이 낮아 세정공정이후 2차로 기인하는 오염을 막을 수 있으며, 점도가 낮아 폴리머로 침투가 용이한 특성을 갖고 있다. Triethylene glycol contained in the impurity removal cleaning liquid is a substance having the property of dissolving or removing the impurities with the same or more capacity than isopropyl alcohol without generating a gas harmful to an operator. Specifically, the triethylene glycol is a component that mixes well with water to facilitate the removal of stains and sticking substances, and has a low penetration force into the materials constituting the clean room, thereby preventing contamination caused by the secondary after the cleaning process. It has a low viscosity and is easy to penetrate into polymers.
상기 불순물 제거용 세정액에서 트리에틸렌 글리콜의 함량이 25중량% 미만이일 경우 클린룸 내에 존재하는 불순물의 제거가 용이하지 않는 문제점이 초래된다. 반면에 상기 트리에틸렌 글리콜 75 중량%를 초과할 경우 불순물 제거능력의 향상 없이 세정액의 제조비용이 증가된다. 따라서, 상기 세정액은 트리에틸렌 글리콜 25 내지 75 중량%를 포함하고, 바람직하게는 트리에틸렌 클리콜 25 내지 55중량%를 포함한다.When the content of triethylene glycol is less than 25% by weight in the impurity removal cleaning solution, a problem arises in that it is not easy to remove impurities present in the clean room. On the other hand, when the triethylene glycol exceeds 75% by weight, the manufacturing cost of the cleaning solution is increased without improving the impurity removal ability. Thus, the cleaning solution contains 25 to 75% by weight of triethylene glycol, preferably 25 to 55% by weight of triethylene glycol.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액은 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol), 산화 암모늄계 화합물인 황산암모늄(Ammonium Sulfate)화합물 및 물을 포함하는 조성을 가질 수 있다. 특히, 상기 불순물 제거용 세정액은 트리에틸렌 글리콜 25 내지 55 중량% 황산암모늄 화합물 5 내지 15중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖고, 바람직하게는 트리에틸렌 글리콜 25 내지 35 중량%와, 황산암모늄 화합물 5 내지 15중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖는다.In addition, the cleaning solution for removing impurities in a clean room according to another embodiment of the present invention may have a composition including triethylene glycol, an ammonium oxide-based ammonium sulfate compound, and water. In particular, the impurity removal cleaning solution has a composition containing 5 to 15% by weight of triethylene glycol 25 to 55% by weight ammonium sulfate compound and excess water, preferably 25 to 35% by weight of triethylene glycol and ammonium sulfate compound It has a composition comprising 5 to 15% by weight and excess water.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액은 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol), 산화 암모늄계 화합물인 질산암모늄 화합물 및 물을 포함하는 조성을 가질 수 있다. 특히, 상기 불순물 제거용 세정액은 트리에틸렌 글리콜 25 내지 55 중량% 질산암모늄 화합물 5 내지 15중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖고, 바람직하게는 트리에틸렌 글리콜 25 내지 35 중량%와, 질산암모늄 화합물 5 내지 15중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖는다.In addition, the cleaning solution for removing impurities in a clean room according to another embodiment of the present invention may have a composition including triethylene glycol, an ammonium oxide compound, and ammonium oxide compound. In particular, the impurity removal cleaning solution has a composition containing 5 to 15% by weight of triethylene glycol 25 to 55% by weight ammonium nitrate compound and excess water, preferably 25 to 35% by weight of triethylene glycol and ammonium nitrate compound It has a composition comprising 5 to 15% by weight and excess water.
상기 불순물 제거용 세정액에 포함되는 산화 암모늄계 화합물은 표면의 고착화된 유기물 분해 반응에 필요한 산의 소스(Source)로서 황산암모늄(Ammonium Sulfate)을 포함한다. 즉, 상기 산화 암모늄계 화합물인 은 트리에틸렌 글리콜로만 제거되지 않는 고착화된 오염 물질의 제거를 보다 용이하게 하기 위한 첨가제(Additive)로 작용한다. 상기 황산암모늄 화합물은 세정액내의 용해도와 표면 부식성을 고려하여 15% 이하로 첨가하는 것이 특징이다.The ammonium oxide-based compound included in the impurity removal cleaning solution includes ammonium sulfate as a source of acid required for the surface-fixed organic matter decomposition reaction. That is, the ammonium oxide-based compound acts as an additive to facilitate the removal of solidified contaminants that are not removed only by silver triethylene glycol. The ammonium sulfate compound is added in an amount of 15% or less in consideration of solubility and surface corrosion in the cleaning solution.
상기 불순물 제거용 세정액은 상기 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol), 산화암모늄 화합물 및 물을 20 내지 28℃ 온도에서 2 내지 4시간 동안 교반함으로서 제조될 수 있다. 상술한 방법으로 제조된 클린룸의 불순물 제거용 세정액은 인체에 유해한 이소프로필 알콜을 전혀 포함하고 있지 않아 불순물을 제거하는 공정시 작업자의 건강을 해치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 불순물 제거용 세정액에 포함된 트리에틸렌 글리콜은 기존에 사용되는 이소프로필 알콜과 동일 또는 이상으로 상기 불순물들을 용이하게 제거할 수 있는 특성을 가지고 있다. The impurity removal cleaning solution may be prepared by stirring the triethylene glycol, ammonium oxide compound and water at a temperature of 20 to 28 ° C. for 2 to 4 hours. The impurity removal cleaning liquid of the clean room manufactured by the above-described method does not contain any isopropyl alcohol harmful to the human body, thereby preventing the health of the worker during the process of removing the impurity. In addition, triethylene glycol contained in the impurity removal cleaning liquid has a property that can easily remove the impurities in the same or more than isopropyl alcohol used in the prior art.
클린룸에서의 불순물 제거 방법How to remove impurities in a clean room
본 발명에 따른 불순물 세정방법은 상기한 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액을 이용하여 클린룸 내에 구비된 제조 장치 및 그 부품들에 잔류하는 불순물들을 부품의 손상 없이 깨끗이 제거하면서, 작업자의 위협하는 유해가스가 최소화하는데 있다.Impurity cleaning method according to the present invention by using the cleaning solution for removing impurities in the clean room described above to remove the impurities remaining in the manufacturing apparatus and its parts provided in the clean room without damaging the parts, harmful hazards to workers The gas is to minimize.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 클린룸에서의 불순물의 제거 방법을 나타내는 공정흐름도이다.1 is a process flow diagram illustrating a method of removing impurities in a clean room according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 와이퍼에 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol)과 물을 포함하는 불순물 제거용 세정액을 함침(흡수)시킨다(단계 S110).Referring to FIG. 1, the wiper is impregnated (absorbed) with a cleaning solution for removing impurities including triethylene glycol and water (step S110).
일 예로서, 상기 와이퍼는 흡수성 기재로 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 25 내지 75 중량% 및 여분의 물을 포함하는 세정액이 제공됨으로 인해 상기 세정액을 흡수할 수 있다. As an example, the wiper may absorb the cleaning solution by providing a cleaning solution including 25 to 75 wt% of triethylene glycol and excess water as an absorbent substrate.
다른 예로서, 상기 와이퍼는 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 25 내 지 55 중량%와 황산암모늄 화합물 5 내지 15중량% 및 여분의 물을 포함하는 세정액이 제공됨으로 인해 상기 세정액을 흡수할 수 있다. As another example, the wiper may absorb the cleaning solution by providing a cleaning solution including 25 to 55 wt% of triethylene glycol 25 to 5 wt% of ammonium sulfate compound and excess water.
또 다른 예로서, 상기 와이퍼는 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol) 25 내지 55 중량%와 질산암모늄 화합물산화암모늄 화합물 5 내지 15중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖는 세정액이 제공됨으로 인해 상기 세정액을 흡수할 수 있다. 여기서, 상기 클린룸에서 불순물 제거용 세정액에 대한 상세한 설명 및 실시예들은 상기 세정액에서 상세히 설명하였기에 생략한다.As another example, the wiper absorbs the cleaning liquid by providing a cleaning liquid having a composition including 25 to 55% by weight of triethylene glycol, 5 to 15% by weight of ammonium nitrate compound and ammonium oxide compound and excess water. can do. Here, detailed descriptions and embodiments of the cleaning solution for removing impurities in the clean room are omitted because they have been described in detail in the cleaning solution.
이어서, 대상체에 존재하는 불순물을 상기 세정액이 함침된 와이퍼를 이용하여 세척한다(단계 S120).Subsequently, impurities present in the object are washed using the wiper impregnated with the cleaning liquid (step S120).
상기 대상체는 클린룸의 내벽, 바닥, 그 내부에 구비되는 반도체 소자의 제조 장치, 상기 제조 장치를 구성하는 부품들을 그 예로 들 수 있다. 상기 불순물은 미세 먼지, 유기 얼룩, 폴리머 입자 및 방향족 용매, 케톤 용매, 에탄올 아민 용매 디글리콜 아민 용매 등의 잔류물들을 예로 들 수 있다. 특히, 상기 불순물의 세척은 상기 세정액이 함침된 와이퍼를 세척하고자 하는 부분에 접촉시킨 후 물리적 힘을 가해 닦아주는 것이 바람직하다. The object may include, for example, an inner wall, a bottom of a clean room, a manufacturing apparatus of a semiconductor device provided therein, and components constituting the manufacturing apparatus. Examples of the impurities include residues such as fine dust, organic stains, polymer particles and aromatic solvents, ketone solvents, ethanol amine solvent diglycol amine solvent, and the like. In particular, the cleaning of the impurities is preferably wiped by applying a physical force after contacting the wiper impregnated with the cleaning liquid to the portion to be cleaned.
상기 대상체에 잔류하는 세정제를 증류수를 이용하여 제거한다(단계 S130). The detergent remaining in the object is removed using distilled water (step S130).
상기 불순물들을 세정액이 함침된 와이퍼로 제거하고 나면 상기 대상체 표면에는 세정액 잔류물들이 존재할 수 있다. 이러한 잔류물들은 상기 대상체가 금속일 경우 부식을 초래할 수 있기 때문에 증류수가 함침된 와이퍼를 이용한 세정공정으로 제거된다. After the impurities are removed with the wiper impregnated with the cleaning solution, cleaning liquid residues may be present on the surface of the object. These residues are removed by a wiping process using a wiper impregnated with distilled water because the object may cause corrosion if the object is a metal.
상술한 조성을 갖는 세정액을 이용한 불순물 제거방법은 상온에서 휘발성이 매우 낮아 작업자에게 유해한 휘발성 물질이 거의 발생하지 않을 뿐만 아니라 클린룸에서 구비되는 장치 또는 그 부품을 구성하는 재질과 반응하지 않기 때문에 그 표면에 잔류하는 불순물을 제거하는 세정 공정시 상기 장치 또는 부품에 손상을 주지 않고도 상기 불순물을 제거할 수 있다.The impurity removal method using the cleaning liquid having the above-described composition has a very low volatility at room temperature, so that volatile substances harmful to workers are hardly generated and do not react with the materials constituting the device or its components provided in the clean room. The impurity can be removed without damaging the device or component in the cleaning process to remove residual impurities.
이하, 트리에틸렌 글리콜과 물의 성분의 비율을 조정하여 클린룸(Clean Room)에서 확인할 수 있는 오염의 제거능력에 대해 평가를 하였다. 그러나 평가예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 본 발명이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, by adjusting the ratio of triethylene glycol and water components it was evaluated for the ability to remove the contamination can be seen in the clean room (Clean Room). However, the evaluation examples are only to aid the understanding of the present invention, and the present invention is not limited.
세정액 평가Cleaning solution evaluation
하기 표 1에 개시된 조성을 갖는 트리에틸렌 글리콜(TEG)을 포함하는 클린룸의 불순물 제거용 세정액들을 마련한 후 상기 세정액들에 대한 얼룩의 제거 능력을 평가하였다. 이때, 상기 세정액에는 황산암모늄 또는 질산암모늄은 포함시키지 않았다. After preparing cleaning solutions for removing impurities in a clean room including triethylene glycol (TEG) having the composition described in Table 1 below, the ability to remove stains on the cleaning solutions was evaluated. At this time, ammonium sulfate or ammonium nitrate was not included in the cleaning liquid.
[표 1] 트리에틸렌 글리콜과 물의 조성비에 따른 세정능력[Table 1] Detergency according to the composition ratio of triethylene glycol and water
(세정능력 : O - 우수, △ - 보통 × - 불량)(Cleaning ability: O-Excellent, △-Normal ×-Poor)
본 실시예에 따른 세정액에서 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Gylcol)의 함유량이 많을 수록 불순물(얼룩)의 제거 효율이 상대적으로 향상되는 경향을 보이는 것이 아니라 특정 비율 이상이면 모두 같은 효과를 보이는 것으로 확인되었다.As the content of the triethylene glycol (Triethylene Gylcol) in the washing solution according to this embodiment increases, the removal efficiency of impurities (stains) does not tend to be relatively improved, but it is confirmed that all of the same effects are higher than a specific ratio.
본 발명에 따른 클린룸에서의 불순물 제거용 세정액은 인체에 유해한 이소프로필 알콜을 전혀 포함하고 있지 않아 불순물 제거용 세정액을 이용하여 불순물을 제거하는 공정을 수행할 경우 작업자의 건강을 해치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 불순물 제거용 세정액에 포함된 트리에틸렌 글리콜은 기존에 사용되는 이소프로필 알콜과 동일 또는 이상으로 클린룸에 존재하는 불순물들을 용이하게 용해 또는 제거할 수 있는 특성을 가지고 있다. 따라서, 상기 불순물 제거용 세정액을 이용한 불순물들의 제거로 인해 클린룸 내부의 청청도를 일정수준 이상으로 유지할 수 있어 클린룸에서 형성되는 반도체 소자들의 오염으로 인한 불량을 최소화 할 수 있다. The cleaning solution for removing impurities in a clean room according to the present invention does not contain any isopropyl alcohol that is harmful to the human body, and thus, when performing the process of removing impurities using the cleaning solution for removing impurities, it is possible to prevent harm to the health of the worker. have. In addition, triethylene glycol included in the impurity removal cleaning liquid has a property of easily dissolving or removing impurities present in a clean room in the same or more than isopropyl alcohol used in the prior art. Therefore, due to the removal of impurities using the impurity removal cleaning liquid, the cleanliness of the interior of the clean room may be maintained at a predetermined level or more, thereby minimizing defects due to contamination of the semiconductor devices formed in the clean room.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 클린룸에서의 불순물의 제거 방법을 나타내는 공정 흐름도이다.1 is a process flowchart showing a method of removing impurities in a clean room according to an embodiment of the present invention.
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