KR20080102432A - Method of removing hard coating film - Google Patents

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KR20080102432A
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Abstract

A hard coating film (30) is efficiently etched with a beam of krypton ions, which have a relatively large mass, in a step (S2) and then slowly etched with a beam of argon ions, which have a small mass, in a step (S3) as shown in Fig. 3. Thus, film removal can be carried out in a short time while minimizing influences (shape change and dimensional change) on the tool base (20). Since krypton and argon each is an inert gas, chemical corrosion of the tool base (20) and resultant surface embrittlement are nil even when the surface of the tool base (20) is exposed. When this tool base (20) is recoated with a hard coating film (30) to produce a regenerated hard-film-coated processing tool (12), the hard coating film (30) is adherent thereto at an excellent adhesion strength.

Description

경질 피막의 탈막 방법{METHOD OF REMOVING HARD COATING FILM}Method of film removal of hard film {METHOD OF REMOVING HARD COATING FILM}

본 발명은 TiAlN, TiCN 등의 경질 피막의 탈막 방법에 관한 것으로, 특히 본체를 가능한 한 손상시키지 않고 경질 피막을 탈막하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film removal method for hard films such as TiAlN and TiCN, and more particularly to a method for film removal of hard films without damaging the main body as much as possible.

원소 주기표의 Ⅲb 족, Ⅳa 족, Ⅴa 족 또는 Ⅵa 족 금속의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 또는 그들의 상호 고용체로 이루어지는 경질 피막이 본체의 표면에 코팅되어 있는 경질 피막 피복 부재가 알려져 있다. 예를 들어 엔드 밀이나 탭, 드릴, 바이트 등의 가공 공구에 있어서, 초경합금으로 구성되어 있는 공구 기재 (본체) 의 표면으로서 적어도 커팅 날 등이 형성된 가공부에, 상기 경질 피막을 이온 플레이팅법 등의 PVD (물리적 기상 성장) 법으로 코팅한 경질 피막 피복 가공 공구가 특허 문헌 1 등에서 제안되어 있다.BACKGROUND ART A hard coat coating member is known in which a hard coat composed of carbides, nitrides, carbonitrides, or mutual solid solutions of metals of Group IIIb, Group IVa, Group Va or Group VIa of the Periodic Table is coated on the surface of the body. For example, in a processing tool such as an end mill, a tab, a drill, or a bite, the hard film is subjected to an ion plating method, such as an ion plating method, on a processing section on which at least a cutting edge is formed as a surface of a tool substrate (main body) composed of cemented carbide. A hard film coating processing tool coated by PVD (Physical Vapor Growth) method is proposed in Patent Document 1 and the like.

그리고, 이와 같은 경질 피막 피복 부재에 있어서, 경질 피막이 마모되거나 손상되거나 한 경우, 또는 제조시에 코팅 불량 등으로 불량품이 발생한 경우에 경질 피막을 제거하여 공구 기재 등의 본체를 재사용하는 것이 고려되고 있다. 즉, 과산화수소수 등을 사용하고, 습식 수법에 의해 화학적으로 피막을 분해시켜 본체로부터 탈막하는 것이다.In such a hard coating member, it is considered to reuse the main body such as a tool base material by removing the hard coating when the hard coating is worn or damaged, or when a defective product occurs due to a poor coating during manufacture. . That is, the film is chemically decomposed by a wet method using a hydrogen peroxide solution or the like to remove the film from the main body.

특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2005-7555호Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-7555

발명의 개시 Disclosure of the Invention

발명이 해결하고자 하는 과제Problems to be Solved by the Invention

그러나, 이와 같이 화학 반응을 이용하여 탈막하는 경우, 경질 피막의 막두께 편차나 피막의 박리 용이성의 상이함 등으로 부분적으로 선행되어 본체가 노출되면, 그 노출된 본체의 표면도 처리액에 의해 손상되기 때문에, 경질 피막을 완전히 제거하였을 때에는, 본체의 표면이 부분적으로 거칠어지거나 취약해지거나 하는 경우가 있다. 예를 들어 본체가 초경합금으로 구성되어 있는 경우, 표층 부분의 WC 입자가 화학적으로 침식되어 표면이 취약해짐과 함께, 커팅 날의 칼끝이 둥글어지거나 직경 치수가 감소하거나 하는 등 형상이 변화하는 경우가 있다. 그리고, 이와 같은 본체에 경질 피막을 재코팅하면, 표면의 취약화에서 기인하여 밀착성이 저해되어, 본래의 피막 성능 (내구성이나 내마모성 등) 이 얻어지지 않거나, 칼끝이 둥글어져 절삭 성능이 저하되거나 한다.However, when the film is removed using a chemical reaction in this way, if the main body is partially exposed due to the film thickness variation of the hard film or the difference in the ease of peeling of the film, the exposed surface of the main body is also damaged by the treatment liquid. Therefore, when the hard film is completely removed, the surface of the main body may be partially roughened or vulnerable. For example, when the main body is made of cemented carbide, the surface of the WC particles are chemically eroded and the surface becomes brittle, and the shape of the cutting edge may be rounded or the diameter may be reduced. . When the hard film is recoated to such a body, the adhesion is impaired due to the weakening of the surface, and the original film performance (durability or wear resistance, etc.) is not obtained, or the cutting edge is rounded, resulting in a decrease in cutting performance. .

본 발명은 이상의 사정을 배경으로 하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 경질 피막 피복 부재의 본체를 가능한 한 손상시키지 않고 경질 피막을 탈막할 수 있도록 하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to allow the hard film to be removed without damaging the main body of the hard film covering member as much as possible.

과제를 해결하기 위한 수단Means to solve the problem

이러한 목적을 달성하기 위해, 제 1 발명은, 원소 주기표의 Ⅲb 족, Ⅳa 족, Ⅴa 족 또는 Ⅵa 족 금속의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 또는 그들의 상호 고용체로 이루어지는 경질 피막이 본체의 표면에 코팅되어 있는 경질 피막 피복 부재에 관한 것으로, 상기 경질 피막을 상기 본체로부터 탈막하는 방법으로서, 상기 경질 피막에 이온빔을 조사하여 에칭함으로써, 그 경질 피막을 상기 본체로부터 탈막하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve this object, the first invention is a hard film made of carbides, nitrides, carbonitrides, or mutually solid solutions of metals of Group IIIb, IVa, Group Va or Group VIa of the Periodic Table of Elements coated on the surface of the body. A hard film covering member, wherein the hard film is removed from the main body, wherein the hard film is removed from the main body by etching by irradiating an ion beam to the hard film.

제 2 발명은, 제 1 발명의 경질 피막의 탈막 방법에 있어서, 불활성 가스를 워킹 가스로 하여 생성된 이온빔을 상기 경질 피막에 조사하여 에칭을 실시하는 것을 특징으로 한다.According to a second aspect of the present invention, in the method of removing the hard film, the hard film is irradiated with an ion beam generated using an inert gas as a working gas.

제 3 발명은, 제 2 발명의 경질 피막의 탈막 방법에 있어서, (a) 제 1 불활성 가스를 워킹 가스로 하여 생성된 이온빔을 상기 경질 피막에 조사하여 에칭을 실시하는 제 1 에칭 공정과, (b) 상기 워킹 가스를 상기 제 1 불활성 가스보다 원자량이 작은 제 2 불활성 가스로 전환하여 이온빔을 생성하고, 상기 경질 피막에 조사하여 에칭을 실시하는 제 2 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.The third invention is the method of removing the hard film of the second invention, comprising: (a) a first etching step of etching by irradiating the hard film with an ion beam generated using a first inert gas as a working gas; and b) a second etching step of converting the working gas into a second inert gas having an atomic weight smaller than that of the first inert gas to generate an ion beam, and irradiating the hard film to perform etching.

제 4 발명은, 제 3 발명의 경질 피막의 탈막 방법에 있어서, (a) 상기 제 1 에칭 공정에서는, 상기 워킹 가스로서 라돈, 크세논 및 크립톤 중 어느 하나의 가스가 사용되고, (b) 상기 제 2 에칭 공정에서는, 상기 워킹 가스로서 아르곤 가스가 사용되는 것을 특징으로 한다.4th invention is a film removal method of the hard film of 3rd invention WHEREIN: (a) In the said 1st etching process, any one of radon, xenon, and krypton is used as said working gas, (b) said 2nd In the etching step, argon gas is used as the working gas.

제 5 발명은, 제 1 발명 ∼ 제 4 발명 중 어느 하나의 경질 피막의 탈막 방법에 있어서, 상기 본체는 초경합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.5th invention is a film removal method of the hard film in any one of 1st invention-4th invention, The said main body is comprised from the cemented carbide. It is characterized by the above-mentioned.

제 6 발명은, 제 1 발명 ∼ 제 5 발명 중 어느 하나의 경질 피막의 탈막 방법에 있어서, 상기 경질 피막 피복 부재는, 적어도 가공부에 상기 경질 피막이 코팅되어 있는 경질 피막 피복 가공 공구인 것을 특징으로 한다.6th invention is a film removal method of the hard film in any one of 1st invention-5th invention WHEREIN: The said hard film coating member is a hard film coating processing tool by which the said hard film is coat | covered at least in a process part, It is characterized by the above-mentioned. do.

발명의 효과Effects of the Invention

제 1 발명의 경질 피막의 탈막 방법에 의하면, 경질 피막에 이온빔을 조사하여 에칭함으로써, 스퍼터링 현상을 메인으로 하여 경질 피막이 본체로부터 제거되기 때문에, 경질 피막의 막두께 편차나 탈막 속도 편차 등으로 부분적으로 선행되어 본체의 표면이 노출되어도, 화학 반응을 메인으로 탈막하는 경우와 비교하여 화학적 침식에 의한 표면의 취약화가 억제됨과 함께, 본체에 대한 영향이 작아져 형상 변화나 치수 변화도 경감된다. 이로써, 본체를 그대로 또는 약간 가공하는 것만으로 재사용할 수 있고, 경질 피막을 재코팅함으로써 경질 피막 피복 부재를 저렴하게 재생시킬 수 있음과 함께, 경질 피막의 밀착 강도가 향상되어 신품과 동일한 본래의 피막 성능 (내구성이나 내마모성 등) 이 얻어지게 된다.According to the film removal method of the hard film of 1st invention, since a hard film is removed from a main body by sputtering mainly by irradiating and irradiating a hard film with an ion beam, it is partially carried out by the film thickness deviation of a hard film, the film removal speed deviation, etc. Even if the surface of the main body is exposed beforehand, the weakening of the surface due to chemical erosion is suppressed, and the influence on the main body is reduced as compared with the case where the chemical reaction is removed from the main film, and the shape change and the dimensional change are also reduced. As a result, the main body can be reused as it is or only slightly processed. By recoating the hard coating, the hard coating member can be inexpensively regenerated, and the adhesion strength of the hard coating is improved, and the same original coating as the new product is improved. Performance (durability, wear resistance, etc.) is obtained.

제 2 발명에서는, 불활성 가스를 워킹 가스로 하여 생성된 이온빔을 경질 피막에 조사하여 에칭을 실시하기 때문에, 오로지 이온 조사에 의한 스퍼터링 현상에 의하여 경질 피막이 기계적으로 제거되게 된다. 따라서, 그 탈막 속도는 느려지지만, 본체의 표면이 노출된 경우라도 그 본체에 대한 화학적 침식에 의한 표면의 취약화는 전혀 없고, 재코팅된 경질 피막의 밀착 강도가 더욱 향상된다.In the second aspect of the present invention, since the hard film is etched by irradiating the hard film with the ion beam generated using the inert gas as the working gas, the hard film is mechanically removed only by the sputtering phenomenon by ion irradiation. Therefore, although the film removal rate is slow, even when the surface of the main body is exposed, there is no weakening of the surface due to chemical erosion to the main body, and the adhesion strength of the recoated hard film is further improved.

제 3 발명에서는, 제 1 에칭 공정에서는 원자량이 비교적 큰 제 1 불활성 가스를 사용하여 에칭을 실시함으로써, 질량이 큰 이온의 스퍼터링 현상에 의하여 경질 피막을 효율적으로 제거할 수 있는 한편, 제 2 에칭 공정에서는 원자량이 비교적 작은 제 2 불활성 가스를 사용하여 에칭을 실시함으로써, 질량이 작은 이온의 스퍼터링 현상에 의하여 경질 피막을 서서히 제거하기 때문에, 그들의 처리 시간을 적당히 설정함으로써, 본체에 대한 영향 (형상 변화나 치수 변화) 을 최소한으로 억제하면서 탈막 처리 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 제 1 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정에서는, 기본적으로 워킹 가스를 전환하기만 해도 되기 때문에, 경질 피막 피복 부재를 소정의 에칭 처리 용기 내에 유지한 상태에서 그들의 제 1 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정을 연속하여 실시할 수 있다.In the third invention, in the first etching step, etching is performed using a first inert gas having a relatively large atomic weight, whereby the hard film can be efficiently removed by the sputtering phenomenon of large mass ions, while the second etching step is performed. In the case of etching using a second inert gas having a relatively small atomic weight, the hard coating is gradually removed by the sputtering phenomenon of the small mass ions. Therefore, by setting their processing time appropriately, The film removal treatment time can be shortened while minimizing the dimensional change). In addition, in the 1st etching process and the 2nd etching process, since only the working gas may be switched basically, those 1st etching process and 2nd etching process are carried out in the state which kept the hard-film covering member in the predetermined etching process container. Can be carried out continuously.

제 5 발명에서는, 본체가 초경합금으로 구성되어 있기 때문에, 과산화수소수를 사용하여 화학 반응으로 탈막하는 경우에는, 표층 부분의 WC 입자가 화학적으로 침식되어 표면이 취약해지는데, 이온빔에 의한 스퍼터링 현상을 메인으로 하여 탈막을 실시하는 본 발명이 적용됨으로써, 본체 표면의 취약화를 억제하여 재코팅 후의 경질 피막의 밀착 강도를 향상시키는 등의 본 발명의 효과가 현저하게 얻어진다.In the fifth aspect of the present invention, since the main body is made of cemented carbide, when the film is removed by chemical reaction using hydrogen peroxide, the surface of the WC particles is chemically eroded, and the surface becomes brittle. By applying the present invention to remove the film, the effect of the present invention is remarkably obtained such that the weakening of the main body surface is suppressed to improve the adhesion strength of the hard film after recoating.

도 1 은 본 발명 방법을 바람직하게 실시할 수 있는 경질 피막 탈막 장치의 일례를 설명하는 개략 구성도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram explaining an example of the hard film removal apparatus which can implement the method of this invention preferably.

도 2 는 도 1 의 장치에 의해 경질 피막이 탈막되는 경질 피막 피복 가공 공구의 일례를 나타내는 도면으로, (a) 는 정면도, (b) 는 경질 피막이 코팅된 날부 표면 부분의 확대 단면도이다.FIG. 2 is a view showing an example of a hard coating coating tool in which a hard film is removed by the apparatus of FIG. 1, (a) is a front view, and (b) is an enlarged cross sectional view of a blade surface portion coated with a hard film.

도 3 은 도 1 의 경질 피막 탈막 장치를 사용하여 경질 피막을 탈막할 때의 절차를 설명하는 플로우 차트이다.FIG. 3 is a flowchart for explaining a procedure for removing a hard film by using the hard film removing device of FIG. 1.

도 4 는 본 발명 방법에 따라 공구 기재로부터 경질 피막을 탈막한 후, 그 공구 기재에 경질 피막을 재코팅한 경질 피막 피복 가공 공구의 내구성을 조사한 결과를, 종래의 화학 처리로 경질 피막을 탈막하여 재생시킨 것 (종래법 1, 종래법 2) 이나 신품과 비교하여 나타내는 도면이다.Fig. 4 shows the result of examining the durability of the hard coat coating tool in which the hard coat is removed from the tool base material according to the method of the present invention, and then the coating of the hard coat on the tool base is performed by conventional chemical treatment. It is a figure compared with what was regenerated (conventional method 1, the conventional method 2), or a new article.

부호의 설명Explanation of the sign

12 : 경질 피막 피복 가공 공구 (경질 피막 피복 부재)12: hard film coating processing tool (hard film coating member)

20 : 공구 기재 (본체)20: tool base (body)

24 : 날부 (가공부)24: blade part (processing part)

30 : 경질 피막30: hard film

단계 S2 : 제 1 에칭 공정 Step S2: First Etching Process

단계 S3 : 제 2 에칭 공정Step S3: Second Etching Process

발명을 실시하기 위한 최선의 형태Best Mode for Carrying Out the Invention

본 발명은, 예를 들어 엔드 밀이나 드릴, 탭, 바이트 등의 절삭 공구, 또는 전조 (轉造) 다이스 등의 경질 피막 피복 가공 공구에 바람직하게 적용되는데, 경질 피막이 코팅된 경질 피막 피복 반도체 장치 등 다양한 경질 피막 피복 부재의 탈막에 적용될 수 있다.The present invention is preferably applied to cutting tools such as end mills, drills, taps and bites, or hard coating coating tools such as rolled dies, and the like. It can be applied to the removal of various hard coating members.

경질 피막이 코팅되는 공구 기재로는 초경합금이 바람직하게 사용되는데, 고속도 공구 강 (鋼) 등의 다른 공구 재료를 사용할 수도 있다. 밀착성을 높이기 위해, 공구 기재의 표면에 조면화 처리를 실시하거나 다른 피막을 하지로서 형성하거나 하는 등, 소정의 전처리를 실시할 수 있다. 경질 피막 피복 반도체 장치의 경우도 동일하다.Cemented carbide is preferably used as the tool base material on which the hard film is coated. Other tool materials such as high speed tool steels may be used. In order to improve adhesiveness, predetermined pretreatment can be performed, such as roughening on the surface of a tool base material or forming another film as a base material. The same applies to the hard coat-covered semiconductor device.

경질 피막 피복 부재는, 적어도 원소 주기표의 Ⅲb 족, Ⅳa 족, Ⅴa 족 또는 Ⅵa 족 금속의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 또는 그들의 상호 고용체로 이루어지는 경질 피막, 예를 들어 TiAlN, TiCN, TiCrN, TiN 등이 코팅되어 있으면 되고, 그 경질 피막의 위 또는 아래에 다이아몬드 피막이나 DLC (Diamond-Like Carbon) 피막 등의 다른 피막이 형성되어 있는 경우에도 적용될 수 있다. 다이아몬드 피막 등의 하지층을 갖는 경우에, TiAlN 등의 경질 피막만을 이온빔 에칭으로 탈막하여 하지층을 남기도록 할 수도 있다.The hard coat covering member is a hard coat composed of carbides, nitrides, carbonitrides, or mutual solid solutions of at least Group IIIb, Group IVa, Group Va or Group VIa metals of the periodic table, for example, TiAlN, TiCN, TiCrN, TiN, or the like. This coating may be applied to the case where other coatings such as diamond coating or DLC (Diamond-Like Carbon) coating are formed above or below the hard coating. In the case of having an underlayer such as a diamond coating, only a hard coat such as TiAlN may be removed by ion beam etching to leave the underlayer.

상기 경질 피막은, 예를 들어 아크 이온 플레이팅법이나 스퍼터링법 등의 PVD 법에 의해 바람직하게 형성되는데, 플라즈마 CVD 법 등의 다른 성막법으로 형성된 것이어도 된다. 경질 피막의 막두께는 피막의 종류 등에 따라 적절히 정해지는데, 예를 들어 1 ∼ 5㎛ 정도가 적당하다. 2 종류 이상의 경질 피막이 교대로 적층되어 있는 다층의 적층 피막이어도 되는 등, 다양한 양태가 가능하다.The hard film is preferably formed by, for example, a PVD method such as an arc ion plating method or a sputtering method, and may be formed by another film formation method such as a plasma CVD method. Although the film thickness of a hard film is suitably determined according to the kind of film etc., about 1-5 micrometers is suitable, for example. Various aspects are possible, such as a multilayer laminated film in which two or more types of hard films are laminated alternately.

이온빔에 의한 에칭은, 경질 피막에 대하여 균일하게 이온빔이 조사되도록, 필요에 따라 그 이온빔을 발사하는 이온빔 건과 경질 피막 피복 부재를 상대 이동시켜 실시하는 것이 바람직하다. 에칭을 실시해야 할 경질 피막의 코팅 영역 이외의 부분은, 포토 레지스트 등의 마스크제로 마스킹해 두면 된다.The etching by the ion beam is preferably performed by relatively moving the ion beam gun and the hard coat coating member which emit the ion beam as necessary so that the ion beam is uniformly irradiated onto the hard coat. Portions other than the coating area of the hard film to be etched may be masked with a masking agent such as a photoresist.

워킹 가스는 이온빔을 생성하는 이온의 근원으로, 워킹 가스가 이온화되어 경질 피막에 조사된다. 제 2 발명에서는, 워킹 가스로서 불활성 가스가 사용되고 있지만, 제 1 발명의 실시시에는 불활성 가스 이외의 가스를 사용하여 이온빔 에칭을 실시할 수도 있다. 그 경우에, 경질 피막과 화학적으로 활성인 가스의 경우에는, 스퍼터링 현상에 추가하여 화학 반응에 의해서도 경질 피막이 제거되게 되는데, 종래와 같이 화학 반응을 메인으로 습식으로 탈막하는 경우와 비교하여 본체의 손상이 대폭 억제된다.The working gas is a source of ions generating an ion beam, and the working gas is ionized and irradiated to the hard film. In 2nd invention, although an inert gas is used as a working gas, ion beam etching can also be performed using gases other than an inert gas at the time of implementation of 1st invention. In this case, in the case of the hard film and the chemically active gas, the hard film is removed by the chemical reaction in addition to the sputtering phenomenon, which is damaged as compared to the case where the chemical reaction is mainly wet-detached with the chemical reaction as in the prior art. This is greatly suppressed.

또한, 이온빔 에칭만으로 경질 피막을 탈막할 수도 있지만, 다른 탈막 기술과 병용하여 실시할 수도 있다. 즉, 공구 기재 등의 본체에 대한 손상을 억제하는데 있어서, 적어도 탈막의 최종 단계에서 이온빔 에칭을 채용하는 것이 바람직하고, 다른 탈막 기술로 경질 피막을 능률적으로 대략 제거한 후, 불활성 가스 등의 워킹 가스를 사용하여 이온빔 에칭에 의해 서서히 경질 피막을 탈막하는 등, 다양한 양태가 가능하다.Moreover, although a hard film can also be removed by ion beam etching only, it can also carry out in combination with another film removal technique. That is, in suppressing damage to a main body such as a tool base material, it is preferable to employ ion beam etching at least in the final stage of film removal, and after removing the hard film efficiently and roughly by another film removal technology, a working gas such as an inert gas is removed. Various aspects are possible, for example, to remove a hard film gradually by ion beam etching.

제 4 발명에서는, 제 1 에칭 공정에 있어서 라돈, 크세논 및 크립톤 중 어느 하나의 가스가 사용되고, 제 2 에칭 공정에 있어서 아르곤 가스가 사용되는데, 그들의 원자량은, 라돈 > 크세논 > 크립톤 > 아르곤이기 때문에, 제 3 발명의 실시시에는, 제 1 에칭 공정에서 크세논 가스를 사용함과 함께 제 2 에칭 공정에서 크립톤 가스를 사용해도 되는 등, 다양한 양태가 가능하다. 또한, 불활성 가스로는 이 밖에 네온 및 헬륨이 있는데, 질량이 작기 때문에 본 발명의 에칭 처리에는 적당하지 않다.In the fourth invention, any one of radon, xenon, and krypton is used in the first etching process, and argon gas is used in the second etching process, and their atomic weight is radon> xenon> krypton> argon. In carrying out the third invention, various aspects are possible, such as using a xenon gas in the first etching step and using a krypton gas in the second etching step. In addition, inert gases include neon and helium, which are not suitable for the etching process of the present invention because of their low mass.

이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1 은 본 발명 방법에 따라 경질 피막을 탈막할 수 있는 경질 피막 탈막 장치 (10) 의 개략 구성도로, 이온빔 에칭 장치를 이용한 것이며, 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 는 척 (14) 에 의해 에칭 처리 용기 (16) 내의 회전 테이블 (18) 상에, 그 중심선 (S) 과 동심으로 배치된다. 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 는 경질 피막 피복 부재에 상당하는 것으로, 도면은 엔드 밀의 경우이며, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 초경합금으로 구성되어 있는 공구 기재 (20) 에는 생크 (22) 및 날부 (24) 가 일체로 형성되어 있다. 날부 (24) 에는, 커팅 날로서 외부 둘레 날 (26) 및 바닥 날 (28) 이 형성되어 있음과 함께, 그 날부 (24) 의 표면에는 아크 이온 플레이팅법 등의 PVD 법에 의한 코팅 기술로 경질 피막 (30) 이 코팅되어 있다. 경질 피막 (30) 은, 원소 주기표의 Ⅲb 족, Ⅳa 족, Ⅴa 족 또는 Ⅵa 족 금속의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 또는 그들의 상호 고용체로 이루어지는 것으로, 본 실시예에서는 TiAlN 이 단층으로 형성되어 있음과 함께, 그 막두께는 1 ∼5㎛ 의 범위 내에서 약 3㎛ 이다.1 is a schematic configuration diagram of a hard film removal apparatus 10 capable of removing a hard film according to the method of the present invention, wherein an ion beam etching apparatus is used, and the hard film coating processing tool 12 is etched by the chuck 14. On the rotary table 18 in the processing container 16, it is arrange | positioned concentrically with the center line S. FIG. The hard coat coating tool 12 corresponds to a hard coat coating member, and the drawing is for the case of an end mill. As shown in FIG. 2, the tool base 20 formed of a cemented carbide has a shank 22 and a blade ( 24) is integrally formed. The blade 24 has an outer circumferential blade 26 and a bottom blade 28 as cutting blades, and the surface of the blade 24 is hardened by a coating technique such as an arc ion plating method by a PVD method. The film 30 is coated. The hard film 30 is composed of carbides, nitrides, carbonitrides, or mutual solid solutions of metals of Group IIIb, Group IVa, Group Va or Group VIa of the Periodic Table of Elements. In this embodiment, TiAlN is formed in a single layer. In addition, the film thickness is about 3 micrometers in the range of 1-5 micrometers.

도 2 의 (a) 는 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 를 축심과 직각 방향에서 본 정면도이고, (b) 는 경질 피막 (30) 이 코팅된 날부 (24) 표면 부분의 확대 단면도이다. 또한, 도 2(a) 의 사선부는 경질 피막 (30) 을 나타내고 있고, 경질 피막 (30) 이 코팅된 날부 (24) 가 상향이 되는 자세로 상기 회전 테이블 (18) 상에 배치된다. 이 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 는, 사용에 의해 경질 피막 (30) 이 마모되거나 손상되거나 한 중고품, 또는 제조시에 경질 피막 (30) 의 코팅 불량 등에 의해 발생한 불량품이며, 도 1 에서는 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 가 회전 테이블 (18) 과 동심으로 1 개 배치되어 있을 뿐이지만, 중심선 (S) 과 평행으로 복수의 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 를 배치하여 동시에 탈막 처리를 실시할 수도 있다. 공구 기재 (20) 는 본체에 상당하고, 날부 (24) 는 가공부에 상당한다.FIG. 2A is a front view of the hard coat coating tool 12 viewed from the direction perpendicular to the axial center, and FIG. 2B is an enlarged cross-sectional view of the surface portion of the blade 24 coated with the hard coat 30. Incidentally, the oblique portion in Fig. 2 (a) shows the hard coating 30, and the blade 24 coated with the hard coating 30 is disposed on the rotary table 18 in an upward position. This hard coat coating processing tool 12 is a used product in which the hard coat 30 is worn or damaged by use, or a defective product caused by a poor coating of the hard coat 30 at the time of manufacture, and the like. Although only one coating tool 12 is arranged concentrically with the turntable 18, it is also possible to arrange a plurality of hard film coating tools 12 in parallel with the center line S and to perform film removal treatment at the same time. have. The tool base material 20 corresponds to a main body, and the blade part 24 corresponds to a process part.

도 1 의 경질 피막 탈막 장치 (10) 는, 이온 발생원을 갖는 1 쌍의 이온빔 건 (32a, 32b) 으로부터 발사되는 이온빔에 의해 경질 피막 (30) 을 에칭하여 제거하는 것이다. 워킹 가스 공급 장치 (40) 는, 이온빔의 이온의 근원이 되는 워킹 가스 (Working gas) 를 이온빔 건 (32a, 32b) 에 공급하기 위한 것으로, 본 실시예에서는 크립톤 가스와 그 크립톤 가스보다 원자량이 작은 아르곤 가스를 전환하여 공급할 수 있도록 되어 있고, 이온빔 건 (32a, 32b) 으로부터는 워킹 가스의 종류에 따라 크립톤 이온빔 및 아르곤 이온빔이 택일적으로 발사된다. 에칭 처리 용기 (16) 내는 진공 펌프 (42) 에 의해 감압되도록 되어 있고, 본 실시예에서는 진공도 (Pressure) 가 0.1㎩ 로 됨과 함께, 이온의 가속 전압 (acceleration voltage) 은 3.0㎸ 이다. 또한, 이온빔 건 (32a, 32b) 에서 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 까지의 거리는 약 200㎜ 이고, 그 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 에는 바이어스 전원 (44) 에 의해 50㎑, 500V 의 부하 바이어스 (Bias) 가 인가되도록 되어 있으며, 이온 발생원의 전류값 (Ion source current) 은 500㎃ 이었다.The hard film removal apparatus 10 of FIG. 1 etches and removes the hard film 30 with the ion beam emitted from the pair of ion beam guns 32a and 32b which have an ion generating source. The working gas supply device 40 is for supplying a working gas, which is a source of ions of the ion beam, to the ion beam guns 32a and 32b. In this embodiment, the atomic weight is smaller than that of the krypton gas and the krypton gas. Argon gas can be switched and supplied, and the krypton ion beam and the argon ion beam are alternatively fired from the ion beam guns 32a and 32b according to the type of working gas. The inside of the etching processing container 16 is decompressed by the vacuum pump 42. In this embodiment, while the vacuum degree becomes 0.1 kPa, the acceleration voltage of ions is 3.0 kPa. Further, the distance from the ion beam guns 32a and 32b to the hard coat coating tool 12 is about 200 mm, and the hard coat coat tool 12 has a load bias of 50 kV and 500 V by the bias power supply 44. (Bias) was to be applied, and the ion source current was 500 mA.

상기 회전 테이블 (18) 은, 전동 모터나 감속기 등을 갖는 회전 구동 장치 (46) 에 의해, 중심선 (S) 둘레에 소정의 회전 속도로 회전 구동되고, 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 도 회전 테이블 (18) 과 일체적으로 축심 둘레에 회전 (자전) 되어, 날부 (24) 의 전체 둘레에 대략 균등하게 이온빔이 조사되도록 되어 있다. 또한, 회전 테이블 (18) 의 상방에는 상하 이동대 (48) 가 배치 형성되어 있고, 상기 이온빔 건 (32a, 32b) 이 각각 2 축의 조사 각도 조정 장치 (34a, 34b) 를 통하여 배치 형성되어 있어, 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 에 대한 이온빔 건 (32a, 32b) 의 자세, 즉 조사 각도를 조정할 수 있도록 되어 있다. 상하 이동대 (48) 에는 또한, 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 의 직경 치수 등에 따라 이온빔 건 (32a, 32b) 을 조사 각도 조정 장치 (34a, 34b) 와 함께 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 에 대하여 접근, 이간시키는 접근 이간 장치가 설치되어 있다.The rotary table 18 is rotationally driven at a predetermined rotational speed around the center line S by the rotary drive device 46 having an electric motor, a speed reducer, and the like. It is rotated (rotated) around the shaft center integrally with (18), and the ion beam is irradiated substantially equally to the whole circumference of the blade part 24. Moreover, the up-and-down moving table 48 is arrange | positioned above the rotating table 18, and the said ion beam gun 32a, 32b is arrange | positioned through the biaxial irradiation angle adjusting apparatus 34a, 34b, respectively, The attitude | position of the ion beam gun 32a, 32b with respect to the hard-film-coated tool 12, ie, irradiation angle, can be adjusted. The up-and-down movable table 48 further includes the ion beam guns 32a and 32b together with the irradiation angle adjusting devices 34a and 34b in accordance with the diameter dimension of the hard coat coating tool 12 to the hard coat coating tool 12. An access separation device is provided for accessing and separating.

상기 상하 이동대 (48) 는, 예를 들어 전동 모터에 의해 정역 (正逆) 양 방향으로 회전 구동되는 이송 나사를 갖는 축 방향 이동 장치 (50) 에 의해 상하 방향, 즉 회전 테이블 (18) 에 고정된 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 의 축심 (중심선 (S)) 과 평행한 방향으로 직선 이동되도록 되어 있다. 그리고, 마이크로 컴퓨터 등을 갖는 전자 제어 장치 (52) 에 의해 회전 구동 장치 (46) 및 축 방향 이동 장치 (50) 가 각각 제어되어, 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 가 축심 둘레에 회전 구동됨과 함께, 이온빔 건 (32a, 32b) 이 상하 이동됨으로써, 경질 피막 (30) 이 코팅된 날부 (24) 의 전체 길이에 걸쳐 그 전체 둘레에 이온빔이 조사된다. 이온빔의 조사 시간은, 날부 (24) 의 길이 치수나 경질 피막 (30) 의 막두께 등에 따라 적절히 정해진다. 또한, 경질 피막 (30) 의 코팅 영역 이외의 부분, 즉 생크 (22) 에는 포토 레지스트 등의 마스크제가 필요에 따라 형성되어, 이온빔에 의한 에칭이 방지된다.The up-and-down moving table 48 is arranged in the up-down direction, that is, the rotary table 18 by an axial movement device 50 having a feed screw that is rotationally driven in a forward and backward direction by, for example, an electric motor. It is made to move linearly in the direction parallel to the axial center (center line S) of the fixed hard-film-coating tool 12. The rotary drive device 46 and the axial movement device 50 are respectively controlled by the electronic control device 52 having a microcomputer or the like, so that the hard coat coating tool 12 is rotationally driven around the shaft center. As the ion beam guns 32a and 32b are moved up and down, the ion beam is irradiated around the entire length of the blade portion 24 on which the hard film 30 is coated. Irradiation time of an ion beam is suitably determined according to the length dimension of the blade part 24, the film thickness of the hard film 30, etc. In addition, a masking agent such as a photoresist is formed in a portion other than the coating region of the hard film 30, that is, the shank 22, as necessary, and etching by the ion beam is prevented.

다음으로, 이와 같은 경질 피막 탈막 장치 (10) 를 사용하여 경질 피막 (30) 을 탈막하는 절차를 도 3 의 플로우 차트에 따라 설명한다. 도 3 의 단계 S1 에서는, 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 를 회전 테이블 (18) 상에 배치한 후, 진공 펌프 (42) 에 의해 에칭 처리 용기 (16) 내를 예를 들어 0.1㎩ 정도까지 감압한다. 단계 S2 에서는, 회전 구동 장치 (46) 및 축 방향 이동 장치 (50) 에 의해 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 를 축심 둘레에 회전 구동시키면서 이온빔 건 (32a, 32b) 을 상하 이동시키는 한편, 워킹 가스 공급 장치 (40) 로부터 워킹 가스로서 크립톤 가스를 이온빔 건 (32a, 32b) 에 공급함으로써, 크립톤 이온빔을 경질 피막 (30) 에 조사하여 에칭한다. 크립톤 가스는 불활성 가스이기 때문에, TiAlN 의 경질 피막 (30) 과 화학 반응을 일으키지는 않아, 오로지 크립톤 이온의 조사에 의한 스퍼터링 현상에 기초하여 경질 피막 (30) 이 기계적으로 제거되는데, 크립톤의 원자량은 83.80 으로 비교적 크기 때문에, 질량이 큰 크립톤 이온 조사에 의한 스퍼터링 현상에 의하여 경질 피막 (30) 이 효율적으로 제거된다. 이 크립톤 이온빔에 의한 에칭 처리는, 예를 들어 경질 피막 (30) 이 올바르게 코팅되어 있는 부분 (막두께가 3㎛) 에서는, 그 경질 피막 (30) 이 완전히 제거되어 공구 기재 (20) 의 표면이 노출되기 전에 종료되도록 미리 정해진 소정의 시간 (예를 들어 20 시간 정도) 만큼 실시된다. 단, 실제의 단계 S2 에서는, 경질 피막 (30) 의 상태 등에 따라 공구 기재 (20) 의 표면이 부분적으로 노출된다. 이 단계 S2 는 제 1 에칭 공정이다.Next, the procedure of film-detaching a hard film 30 using such a hard film removal film 10 will be described according to the flowchart of FIG. 3. In step S1 of FIG. 3, after arranging the hard coat coating tool 12 on the rotary table 18, the vacuum pump 42 is used to reduce the inside of the etching process container 16 to about 0.1 kPa, for example. do. In step S2, the ion beam guns 32a and 32b are moved up and down while rotating the hard film-coated tool 12 around the axis by the rotation drive device 46 and the axial movement device 50, while the working gas The krypton ion beam is irradiated to the hard film 30 and etched by supplying krypton gas as the working gas from the supply device 40 to the ion beam guns 32a and 32b. Since the krypton gas is an inert gas, it does not cause a chemical reaction with the hard film 30 of TiAlN, and only the hard film 30 is mechanically removed based on the sputtering phenomenon by irradiation of krypton ions. Since it is relatively large at 83.80, the hard film 30 is efficiently removed by the sputtering phenomenon by mass krypton ion irradiation. In the etching process using the krypton ion beam, the hard film 30 is completely removed, for example, at a portion where the hard film 30 is correctly coated (film thickness is 3 μm), so that the surface of the tool substrate 20 is removed. It is carried out for a predetermined time (for example, about 20 hours) predetermined to end before exposure. However, in actual step S2, the surface of the tool base material 20 is partially exposed in accordance with the state of the hard film 30 or the like. This step S2 is a first etching process.

계속해서, 단계 S3 을 실행하여, 워킹 가스 공급 장치 (40) 로부터 이온빔 건 (32a, 32b) 에 공급하는 워킹 가스를 크립톤 가스에서 아르곤 가스로 전환함으로써, 아르곤 이온빔을 경질 피막 (30) 에 조사하여 에칭한다. 아르곤 가스는 불활성 가스이기 때문에, 상기 단계 S2 와 동일하게 TiAlN 의 경질 피막 (30) 과 화학 반응을 일으키지는 않아, 오로지 아르곤 이온의 조사에 의한 스퍼터링 현상에 기초하여 경질 피막 (30) 이 기계적으로 제거되는데, 아르곤의 원자량은 39.95 로 비교적 작기 때문에, 질량이 작은 아르곤 이온 조사에 의한 스퍼터링 현상에 의하여 경질 피막 (30) 이 비교적 천천히 제거된다. 이 아르곤 이온빔에 의한 에칭 처리는, 경질 피막 (30) 을 완전히 제거할 수 있는 소정의 시간 (예를 들어 10 시간 정도) 만큼 실시된다. 이 단계 S3 은 제 2 에칭 공정이다.Subsequently, step S3 is performed to convert the working gas supplied from the working gas supply device 40 to the ion beam guns 32a and 32b from krypton gas to argon gas, thereby irradiating the hard coating 30 with the argon ion beam. Etch. Since the argon gas is an inert gas, it does not cause a chemical reaction with the hard film 30 of TiAlN in the same manner as in the step S2, and only the hard film 30 is mechanically removed based on the sputtering phenomenon by irradiation of argon ions. Since the atomic weight of argon is relatively small at 39.95, the hard film 30 is removed relatively slowly by the sputtering phenomenon by argon ion irradiation with a small mass. The etching treatment by the argon ion beam is performed for a predetermined time (for example, about 10 hours) in which the hard film 30 can be completely removed. This step S3 is a second etching process.

이로써 일련의 에칭 처리는 종료되고, 경질 피막 (30) 이 탈막된 공구 기재 (20) 는 에칭 처리 용기 (16) 로부터 꺼내져, 필요에 따라 외부 둘레 날 (26) 이나 바닥 날 (28) 을 재연삭한 후, 아크 이온 플레이팅법 등의 코팅 기술을 사용하여 날부 (24) 에 TiAlN 의 경질 피막 (30) 이 코팅됨으로써, 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 로서 재생된다.Thereby, a series of etching processes are complete | finished, and the tool base material 20 from which the hard film 30 was removed is taken out from the etching process container 16, and the outer peripheral edge 26 or the bottom edge 28 as needed is replaced. After grinding, the TiAlN hard film 30 is coated on the blade portion 24 using a coating technique such as an arc ion plating method, thereby regenerating as a hard film coating tool 12.

여기서, 본 실시예에서는, 경질 피막 (30) 에 이온빔을 조사하여 에칭함으로써, 스퍼터링 현상을 메인으로 하여 경질 피막 (30) 이 공구 기재 (20) 로부터 제거되기 때문에, 경질 피막 (30) 의 막두께 편차나 탈막 속도 편차 등으로 부분적으로 선행되어 공구 기재 (20) 의 표면이 노출되어도, 화학 반응을 메인으로 탈막하는 경우와 비교하여 화학적 침식에 의한 표면의 취약화가 억제됨과 함께, 공구 기재 (20) 에 대한 영향이 작아져 형상 변화나 치수 변화도 경감된다. 이로써, 공구 기재 (20) 를 그대로 또는 약간 가공하는 것만으로 재사용할 수 있고, 경질 피막 (30) 을 재코팅함으로써 경질 피막 피복 부재 (12) 를 저렴하게 재생시킬 수 있음과 함께, 경질 피막 (30) 의 밀착 강도가 향상되어 신품과 동일한 본래의 피막 성능 (내구성이나 내마모성 등) 이 얻어지게 된다.Here, in the present embodiment, the hard film 30 is irradiated with an ion beam to be etched, so that the hard film 30 is removed from the tool base 20 with sputtering as the main, and thus the film thickness of the hard film 30. Even if the surface of the tool substrate 20 is partially exposed by the deviation, the film removal rate deviation, or the like, the weakening of the surface due to chemical erosion is suppressed as compared with the case where the chemical reaction is filmed off mainly. The influence on the surface is reduced, so that the shape change and the dimension change are also reduced. Thereby, the tool base material 20 can be reused as it is or only slightly processed, and by recoating the hard film 30, the hard film covering member 12 can be regenerated at low cost, and the hard film 30 ), The adhesive strength is improved, and the same original coating performance (durability, wear resistance, etc.) as that of the new product is obtained.

특히, 본 실시예에서는, 이온빔을 생성하는 워킹 가스로서 크립톤 가스 및 아르곤 가스의 불활성 가스가 사용되기 때문에, 경질 피막 (30) 과 화학 반응을 일으키지는 않아, 오로지 이온의 조사에 의한 스퍼터링 현상에 의하여 경질 피막 (30) 이 기계적으로 제거되게 된다. 따라서, 그 탈막 속도는 느려지지만, 공구 기재 (20) 의 표면이 노출된 경우라도 그 공구 기재 (20) 에 대한 화학적 침식에 의한 표면의 취약화는 전혀 없고, 재코팅된 경질 피막 (30) 의 밀착 강도가 더욱 향상된다.In particular, in this embodiment, since an inert gas of krypton gas and argon gas is used as the working gas for generating the ion beam, it does not cause a chemical reaction with the hard film 30, but only by sputtering by irradiation of ions. The hard film 30 is to be mechanically removed. Therefore, although the film removal rate is slow, even when the surface of the tool substrate 20 is exposed, there is no fragility of the surface due to chemical erosion to the tool substrate 20, and the recoated hard film 30 The adhesion strength is further improved.

또한, 본 실시예에서는, 공구 기재 (20) 가 초경합금으로 구성되어 있기 때문에, 과산화수소수를 사용하여 화학 반응으로 탈막하는 경우에는, 표층 부분의 WC 입자가 화학적으로 침식되어 표면이 취약해지지만, 워킹 가스로서 불활성 가스를 사용한 이온빔에 의한 스퍼터링 현상에 의하여 탈막이 실시됨으로써, 공구 기재 (20) 표면의 취약화가 회피되어, 재코팅 후의 경질 피막 (30) 의 밀착 강도가 향상되는 등의 상기 효과가 더욱 현저하게 얻어진다.In addition, in the present embodiment, since the tool base material 20 is comprised of cemented carbide, when the film is removed by chemical reaction using hydrogen peroxide, WC particles in the surface layer portion are chemically eroded and the surface becomes brittle. The film removal is carried out by the sputtering phenomenon by the ion beam using an inert gas as the gas, so that the weakening of the surface of the tool substrate 20 is avoided, and the above-described effects such as the adhesion strength of the hard film 30 after recoating are improved. Remarkably obtained.

또한, 본 실시예에서는, 단계 S2 에서는 크립톤 가스를 사용하여 에칭을 실시함으로써, 비교적 질량이 큰 크립톤 이온의 스퍼터링 현상에 의하여 경질 피막 (30) 을 효율적으로 제거하는 한편, 단계 S3 에서는 아르곤 가스를 사용하여 에칭을 실시함으로써, 질량이 작은 아르곤 이온의 스퍼터링 현상에 의하여 경질 피막 (30) 을 서서히 제거하기 때문에, 그들의 처리 시간을 적당하게 설정함으로써, 공 구 기재 (20) 에 대한 영향 (형상 변화나 치수 변화) 을 최소한으로 억제하면서 탈막 처리 시간을 단축시킬 수 있다. 예를 들어, 단계 S2 는, 경질 피막 (30) 이 올바르게 코팅되어 있는 부분 (막두께가 3㎛) 에 있어서 공구 기재 (20) 가 노출되지 않는 범위에서 가능한 한 긴 처리 시간으로 설정되고, 단계 S3 은, 단계 S2 에서 남겨둔 경질 피막 (30) 을 완전히 제거할 수 있는 필요 최소한의 처리 시간으로 설정된다.In this embodiment, the etching is performed using krypton gas in step S2 to efficiently remove the hard film 30 by sputtering of relatively large krypton ions, while argon gas is used in step S3. The hard film 30 is gradually removed by the sputtering phenomenon of the argon ions having a small mass, so that the treatment time is appropriately set so that the influence on the tool substrate 20 (shape change or dimensions The film removal treatment time can be shortened while minimizing the change). For example, step S2 is set to the processing time as long as possible in the range which the tool base material 20 is not exposed in the part (film thickness is 3 micrometers) in which the hard film 30 is correctly coated, and step S3 Is set to the minimum processing time necessary for completely removing the hard film 30 left in step S2.

또한, 상기 단계 S2 및 S3 에서는 워킹 가스를 전환하기만 해도 되므로, 경질 피막 피복 가공 공구 (12) 를 에칭 처리 용기 (16) 내에 유지한 상태에서 그들의 단계 S2 및 S3 을 연속하여 실시할 수 있다.In addition, in the said steps S2 and S3, only the working gas may be switched, and these steps S2 and S3 can be performed continuously in the state which hold | maintained the hard-film-coated process tool 12 in the etching process container 16. Moreover, as shown in FIG.

덧붙여서, 초경합금으로 이루어지는 공구 기재 (20) 의 날부 (24) 에 상기 경질 피막 (30) 으로서 TiAlN 이 3㎛ 의 막두께로 코팅된 공구 직경 D = 10㎜ 인 이중 날의 엔드 밀에 대해, 본 발명 방법에 따라 재생시킨 것과, 종래법으로 재생시킨 종래법 1, 종래법 2 및 신품의 합계 4 개의 시험품을 준비하고, 이하의 가공 조건에서 절삭 가공을 실시하여 플랭크면 마모폭 VB (㎜) 를 조사한 결과, 도 4 에 나타내는 결과가 얻어졌다. 본 발명 방법에 의한 시험품은, 상기 단계 S2 의 처리 시간을 20 시간, 단계 S3 의 처리 시간을 10 시간으로 하고, 탈막 처리를 실시하여 얻어진 공구 기재 (20) 를 그대로 사용하여 경질 피막 (30) 을 재코팅한 것이다. 종래법 1, 종래법 2 의 시험품은, 모두 과산화수소수를 사용한 화학 처리로 탈막한 공구 기재 (20) 에 경질 피막 (30) 을 재코팅한 것이다.In addition, the present invention is directed to an end mill of a double blade having a tool diameter D = 10 mm coated with a film thickness of 3 µm with TiAlN as the hard coating 30 on the blade portion 24 of the tool substrate 20 made of cemented carbide. A total of four test specimens, which were regenerated according to the method and conventional methods 1, 2 and new, which were regenerated by the conventional method, were prepared and subjected to cutting under the following processing conditions to investigate the flank surface wear width VB (mm). As a result, the result shown in FIG. 4 was obtained. The test article according to the method of the present invention uses the tool substrate 20 obtained by subjecting the treatment time of the step S2 to 20 hours and the process time of the step S3 to 10 hours, and performing the film removal treatment as it is to form the hard coating 30. Recoated. The test articles of Conventional Methods 1 and 2 are each obtained by recoating the hard coating 30 on the tool substrate 20 removed by chemical treatment using hydrogen peroxide water.

《가공 조건》<< processing condition >>

· 공구 이중 날 초경 엔드 밀, φ10Tool Double Blade Carbide End Mills, φ10

· 절삭 속도 34.5m/분Cutting speed 34.5m / min

· 이송 속도 0.03㎜/날Feed rate 0.03 mm / day

· 절삭 깊이 축 방향 aa = 15㎜Cutting depth axial aa = 15 mm

직경 방향 ar = 0.5㎜Ar = 0.5 mm in diameter

· 절삭 유제 에어 블로우Cutting emulsion air blow

· 가공의 종류 측면 (다운)Type of processing side (down)

· 피삭재 SKD61 (40HRC)Workpiece SKD61 (40HRC)

도 4 의 측정 결과에서 분명한 바와 같이, 본 발명 방법에 의하면 종래법 1, 2 와 비교하여 플랭크면 마모폭 VB 가 약 1/2 이 되어, 신품과 동일한 정도의 우수한 내마모성이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 이것은, 공구 기재 (20) 에 대한 경질 피막 (30) 의 밀착 강도가 신품과 동일한 정도이고, 또한 외부 둘레 날 (26) 의 커팅 날 형상이 신품과 동일한 정도로 우수한 절삭 성능이 얻어지기 때문인 것으로 생각된다.As is clear from the measurement results in FIG. 4, it can be seen that according to the method of the present invention, the flank surface wear width VB becomes about 1/2 compared with the conventional methods 1 and 2, and excellent wear resistance at the same level as a new product is obtained. . This is considered to be because the adhesive strength of the hard film 30 to the tool base material 20 is about the same as that of a new article, and the cutting performance excellent in the grade which the shape of the cutting edge of the outer peripheral blade 26 is the same as a new article is obtained. .

이상, 본 발명의 실시예를 도면에 기초하여 상세하게 설명하였는데, 이것은 어디까지나 일 실시형태로서, 본 발명은 당업자의 지식에 기초하여 다양한 변경, 개량을 부가한 양태로 실시할 수 있다.As mentioned above, although the Example of this invention was described in detail based on drawing, this is an embodiment to the last, This invention can be implemented in the aspect which added various changes and improvement based on the knowledge of those skilled in the art.

본 발명의 경질 피막의 탈막 방법에 의하면, 경질 피막에 이온빔을 조사하여 에칭함으로써, 스퍼터링 현상을 메인으로 하여 경질 피막이 본체로부터 제거되기 때문에, 화학 반응을 메인으로 탈막하는 경우와 비교하여 화학적 침식에 의한 표면의 취약화가 억제됨과 함께, 본체에 대한 영향이 작아져 형상 변화나 치수 변화도 경감된다. 이로써, 본체를 그대로 또는 약간 가공하는 것만으로 재사용할 수 있고, 경질 피막을 재코팅함으로써 경질 피막 피복 부재를 저렴하게 재생시킬 수 있음과 함께, 경질 피막의 밀착 강도가 향상되어 신품과 동일한 본래의 피막 성능이 얻어지게 된다. 즉, 엔드 밀이나 탭, 드릴 등의 경질 피막 피복 부재의 경질 피막을 탈막하고, 공구 기재 등의 본체를 재사용하여 경질 피막 피복 부재를 재생시키는 경우에 본 발명은 바람직하게 이용된다.According to the film removal method of the hard film of the present invention, since the hard film is removed from the main body by sputtering as a main by irradiating and irradiating the hard film with the ion beam, chemical erosion by chemical erosion as compared with the case of film removal by the main film While the weakening of the surface is suppressed, the influence on the main body is reduced, and the shape change and the dimensional change are also reduced. As a result, the main body can be reused as it is or only slightly processed. By recoating the hard coating, the hard coating member can be inexpensively regenerated, and the adhesion strength of the hard coating is improved, and the same original coating as the new product is improved. Performance is obtained. That is, the present invention is preferably used when the hard coat of hard coat covering members such as end mills, tabs, drills, etc. is detached and the main body such as a tool base material is reused to regenerate the hard coat coat member.

Claims (6)

원소 주기표의 Ⅲb 족, Ⅳa 족, Ⅴa 족 또는 Ⅵa 족 금속의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 또는 그들의 상호 고용체로 이루어지는 경질 피막이 본체의 표면에 코팅되어 있는 경질 피막 피복 부재에 관한 것으로, 상기 경질 피막을 상기 본체로부터 탈막하는 방법으로서, A hard coating member comprising a hard coating made of carbides, nitrides, carbonitrides, or mutual solid solutions of metals of Group IIIb, IVa, Group Va, or Group VIa of the Periodic Table of Elements, coated on the surface of the body. As a method of film removal from the main body, 상기 경질 피막에 이온빔을 조사하여 에칭함으로써, 그 경질 피막을 상기 본체로부터 탈막하는 것을 특징으로 하는 경질 피막의 탈막 방법.A hard film removal method of hard film, wherein the hard film is removed from the main body by etching by irradiating the hard film with an ion beam. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 불활성 가스를 워킹 가스로 하여 생성된 이온빔을 상기 경질 피막에 조사하여 에칭을 실시하는 것을 특징으로 하는 경질 피막의 탈막 방법.The hard film removal method of the hard film characterized by irradiating the hard film with the ion beam produced | generated using an inert gas as a working gas. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 제 1 불활성 가스를 워킹 가스로 하여 생성된 이온빔을 상기 경질 피막에 조사하여 에칭을 실시하는 제 1 에칭 공정과,A first etching step of etching by irradiating the hard film with an ion beam generated using a first inert gas as a working gas; 상기 워킹 가스를 상기 제 1 불활성 가스보다 원자량이 작은 제 2 불활성 가스로 전환하여 이온빔을 생성하고, 상기 경질 피막에 조사하여 에칭을 실시하는 제 2 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 경질 피막의 탈막 방법.And a second etching step of converting the working gas into a second inert gas having an atomic weight smaller than that of the first inert gas to generate an ion beam, and irradiating the hard film to perform etching. . 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 1 에칭 공정에서는, 상기 워킹 가스로서 라돈, 크세논 및 크립톤 중 어느 하나의 가스가 사용되고,In the first etching step, any one of radon, xenon and krypton is used as the working gas, 상기 제 2 에칭 공정에서는, 상기 워킹 가스로서 아르곤 가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 경질 피막의 탈막 방법.In said 2nd etching process, argon gas is used as said working gas, The film removal method of the hard film characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 본체는 초경합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 경질 피막의 탈막 방법.And the main body is made of cemented carbide. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 경질 피막 피복 부재는, 적어도 가공부에 상기 경질 피막이 코팅되어 있는 경질 피막 피복 가공 공구인 것을 특징으로 하는 경질 피막의 탈막 방법.The hard coat coating member is a hard coat coating tool, wherein at least a hard coat is coated on the processed portion.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI507573B (en) 2010-04-15 2015-11-11 Corning Inc Method for stripping nitride coatings
JP6381984B2 (en) * 2014-06-13 2018-08-29 学校法人 芝浦工業大学 Membrane removal method and membrane removal apparatus
KR101864877B1 (en) * 2015-04-08 2018-06-07 신메이와 고교 가부시키가이샤 Covering material stripping method and stripping device using ion irradiation
JP6638936B2 (en) * 2016-01-13 2020-02-05 住友電工ハードメタル株式会社 Surface coated cutting tool and method of manufacturing the same
CN108580412B (en) * 2018-06-04 2020-10-30 上海交通大学 Demoulding method of diamond coating hard alloy cutter
CN108754520A (en) * 2018-06-29 2018-11-06 四川大学 Carbide surface coating removal method and apparatus
US12010924B2 (en) * 2021-03-18 2024-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor structure with memory device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055318A (en) * 1988-10-11 1991-10-08 Beamalloy Corporation Dual ion beam ballistic alloying process
JPH0779962B2 (en) * 1989-04-28 1995-08-30 学校法人東京理科大学 Method of flattening hard thin film material
JP2991469B2 (en) * 1990-09-21 1999-12-20 オリンパス光学工業株式会社 Regeneration method of mold
JPH06299373A (en) * 1993-04-12 1994-10-25 Seiko Instr Inc Method for working member
JPH10223608A (en) * 1997-02-04 1998-08-21 Sony Corp Manufacture of semiconductor device
DE19725930C2 (en) * 1997-06-16 2002-07-18 Eberhard Moll Gmbh Dr Process and system for treating substrates using ions from a low-voltage arc discharge
JP2001192206A (en) * 2000-01-05 2001-07-17 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for manufacturing amorphous carbon-coated member
US6809066B2 (en) * 2001-07-30 2004-10-26 The Regents Of The University Of California Ion texturing methods and articles
JP2003171785A (en) * 2001-12-04 2003-06-20 Osg Corp Method of removing hard surface film
JP3997084B2 (en) 2001-12-27 2007-10-24 株式会社不二越 Method of removing and regenerating hard carbon coating film and regenerated substrate
JP4335593B2 (en) 2003-06-20 2009-09-30 オーエスジー株式会社 Hard coating coated cutting tool

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