KR20080088139A - 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치는 공정챔버에서 사용하기 위해 외부로부터 유입된 가스 또는 케미컬의 유량 및 속도를 제어하는 공급제어부와; 상기 공급제어부를 통해 조절된 가스 또는 케미컬을 공정챔버로 공급 또는 외부로 배출하기 위한 통로를 제공하는 배관들과; 상기 가스 또는 케미컬이 공정챔버로 공급완료 후, 상기 배관들에 잔류하는 가스 또는 케미컬이 외부로 배출되도록 하는 3웨이밸브를 포함한다. 본 발명에 따르면, 반도체 제조설비의 총 동작 소요시간을 단축하고, 인력낭비를 줄여 상기 반도체 제조설비의 효율성을 증대시킬 수 있다.
Figure P1020070030625
가스, 케미컬, 공정챔버, 3웨이밸브, 공급 장치, 배관

Description

반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법 {Supply device and method of gas/chemical for semiconductor manufacture equipment}
도 1은 종래기술에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치를 나타낸 구조도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치를 나타낸 블록도이고,
도 3은 도 2의 블록도를 구현한 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치를 나타낸 구조도이고,
도 4는 본 발명에 다른 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치를 나타낸 구조도이다.
*도면의 주요부분들에 대한 참조 부호들의 설명*
A: 가스 B: 케미컬
100: 공급제어부 3WV1: 3웨이밸브
300: 공정챔버
본 발명은 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 반도체 제조설비의 총 동작 소요시간을 단축하고, 인력낭비를 줄여 상기 반도체 제조설비의 효율성을 높이기 위한 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화, 고기능화가 급속도로 요구되고 있으며, 반도체 소자를 제조하는 제조 장치는 이러한 요구를 반영하도록 개선되어 왔다. 상기 반도체 소자를 제조하는 데에는 여러 종류의 반도체 제조 장치들이 사용된다. 이러한 반도체 제조 장치들 중의 하나가 반도체 소자 제조에 사용되는 가스 또는 케미컬을 반도체 기판에 공급하는 공급 장치이다. 상기 공급 장치에서 상기 가스 또는 케미컬을 공급하는 수단들은 여러 가지가 강구될 수 있으나, 통상적으로 배관을 통해 상기 가스 또는 케미컬을 상기 반도체 기판에 공급한다.
이하, 도 1을 통해 종래기술에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 종래기술에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치를 나타낸 구조도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 제조설비의 특정 공정을 위한 가스 또는 케미컬 공급 장치는, 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 외부로부터 공급받아 공 정챔버(30)로 공급하는 공급제어부(10)와 상기 공급제어부(10)에서 상기 공정챔버(30)로 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 이동시키기 위한 제2배관(P5)을 구비한다.
상기 공급제어부(10)는 외부로부터 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 공급받아 이들의 유량과 속도를 조절하기 위한 유량속도제어기들(MFC1, MFC2)과, 상기 각각의 유량속도제어기들(MFC1, MFC2)을 통해 출력된 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 동시에 출력된 경우에 한 구간으로 합치기 위해 상기 각각의 유량속도제어기들(MFC1, MFC2)과 모두 연결되는 제1배관(P3)을 구비한다. 또는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B) 중 하나의 물질만 출력되는 경우에도 상기 제1배관(P3)이 상기 물질의 이동을 위해 사용된다.
그리고 상기 배관(P3)과 연결되고, 상기 배관(P3)으로부터 공급되는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 최종출력 여부를 결정하는 파이널밸브(FV1)를 더 구비한다.
상기 공정챔버(30)에 사용되는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 유량속도제어기들(MFC1, MFC2)로 공급된다. 상기 유량속도제어기들(MFC1, MFC2)은 상기 공정챔버(30)에서 수행되는 해당공정을 위해 구성된 레시피(recipe)를 토대로 상기 공정에서 필요한 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 유량과 속도를 제어한다.
각각의 상기 유량속도제어기들(MFC1, MFC2)을 통해 조절되어 출력된 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 한 구간으로 상기 공정챔버(30)에 공급된다.
상기 공급제어부(10)내 상기 파이널밸브(FV1)와 연결되어 두 번째 배관(P5) 이 상기 파이널밸브(FV1)와 공정챔버(30)내 노즐 사이에 구비된다.
상기 공정이 수행되는 동안, 상기 배관(P3)을 통해 한 구간으로 합쳐진 상기 가스(A)와 케미컬(B) 혹은 상기 가스 또는 케미컬 각각이 온(on)상태의 상기 파이널밸브(FV1)를 통하여, 상기 공급제어부(10)로부터 출력되고, 상기 제2배관(P5)을 이용하여 상기 공정챔버(30)로 공급된다.
상기 공정이 완료된 후, 상기 파이널밸브(FV1)는 오프(off) 상태가 되어, 더 이상 상기 공급제어부(10)에서 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 출력되지 않는다.
하지만, 상기 파이널밸브(FV1)가 오프(off) 되기 전, 이미 상기 공급제어부(10)를 통해 출력되었으나, 상기 공정챔버(30)에서 사용되지 않은 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)은 상기 제2배관(P5)에 잔류하게 된다.
그러나 반도체 제조 설비 상에 고장이 발생하거나 정기적인 예방정비를 위해 상기 공정챔버(30) 내에 존재하는 물질들을 외부로 배출해야 하는 경우가 발생한다. 이 때, 상기 제2배관(P5)에 그대로 잔류하고 있는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 공정챔버(30)로 배출되어 공기 등의 오염원과 접촉한다.
상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 공기 등 오염원과 접촉되면, 고체화된 다른 성질의 오염물질로 변질되어 상기 공정챔버(30) 내 웨이퍼 상에 분사됨으로써, 반도체 제조설비의 고장을 일으키고, 이로 인해 상기 반도체 제조설비의 총 동작시간이 늘어나게 된다.
이를 방지하고자, 종래에는 상기 공정챔버(30)에서 예방정비 전에 사람이 직 접 상기 제2배관(P5) 내 잔류하는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 뽑아내는 방식을 이용해왔다.
하지만 이는 반도체 제조설비의 총 동작 소요시간이 길어지게 하고, 인력낭비 또한 발생시켜 상기 반도체 제조설비의 효율성이 떨어지게 한다.
그러므로 상기 반도체 제조설비 총 동작 소요시간을 단축하면서도, 인력낭비를 최소화하여 상기 반도체 제조설비의 효율성을 증대시키는 방안이 필요하게 되었다.
따라서 본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 극복할 수 있는 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 제조설비의 총 동작 소요시간을 단축시키기 위한 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 공정챔버의 예방정비 시, 인력낭비를 줄여 반도체 제조설비의 효율성을 증대시키기 위한 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따라, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치는, 공정챔버에서 사용하기 위해 외부로부터 유입된 가스 또는 케미컬의 유량 및 속도를 제어하는 공급제어부와; 상기 공급제어부를 통해 조절된 가스 또는 케미컬을 공정챔버로 공급 또는 외부로 배출하기 위한 통로를 제공하는 배관들과; 상기 가스 또는 케미컬이 공정챔버로 공급완료 후, 상기 배관들에 잔류하는 가스 또는 케미컬이 외부로 배출되도록 하는 3웨이밸브를 포함한다.
상기 공급제어부는 적어도 한 개 이상의 유입구를 통해 외부로부터 공급된 가스 또는 케미컬의 유량 및 속도 조절을 위한 유량속도제어기와; 상기 유량속도제어기를 통해 조절된 가스 또는 케미컬을 상기 공정 챔버로 이송하기 위한 통로를 제공하는 제1배관과; 상기 제1배관 내부에 가스 또는 케미컬의 상기 공정챔버로 이송여부를 결정하는 파이널밸브를 포함할 수 있다.
상기 배관들은, 상기 공급제어부의 파이널밸브로부터 가스 또는 케미컬을 입력받아 상기 공정 챔버로 공급하는 제2배관과; 상기 제2배관을 통해 공급된 가스 또는 케미컬이 상기 공정챔버로 공급완료 후, 상기 제2배관에 잔류하는 가스 또는 케미컬을 상기 공정챔버가 아닌 외부로 배출하기 위한 제3배관을 구비할 수 있다. 상기 제3배관은 상기 제2배관과 비교하여 적어도 동일하거나 큰 크기로 구비될 수 있다.
상기 3웨이밸브는 상기 공급제어부와 상기 공정챔버 사이에 구비되어, 상기 반도체 제조설비의 공정 시, 상기 가스 또는 케미컬이 공정챔버로 이동되도록 하고, 상기 공정 완료 시, 상기 배관들에 잔류하는 가스 또는 케미컬을 외부로 배출시킬 수 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상에 따라, 본 발명에 따른, 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 방법은 외부로부터 가스 또는 케미컬을 공급받아 유량 및 속도를 제어 후, 상기 가스 또는 케미컬이 공정챔버로 이동하는 제1단계와; 상기 가스 또는 케미컬이 상기 공정챔버로 이동함을 막는 제2단계와; 제1단계에서 공급된 상기 가스 또는 케미컬이 제1단계 완료 후 배관에 잔류할 때, 이를 외부로 배출하는 제3단계를 포함한다.
본 발명의 구성에 따르면, 반도체 제조설비의 총 동작 소요시간이 단축되고, 인력낭비를 줄여 상기 반도체 제조설비의 효율성을 증대시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예가, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치를 나타낸 블록도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 블록도는 공정제어부, 3웨이밸브, 공정챔버로 구비된다.
공급제어부(100)는 외부로부터 적어도 한 개 이상의 가스(A) 또는 케미컬(B)을 공급받아 공정챔버(300)에서 수행되는 해당공정의 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 유량 및 속도를 제어한다. 상기 조절된 가스(A) 또는 케미컬(B)이 3웨이밸브(3WV1)로 공급된다.
상기 3웨이밸브(3WV1)는 상기 공정챔버(300)에서 공정이 수행되는 동안 상기 공급제어부(100)로부터 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 공급받아 이를 상기 공정챔버(300)로 전달한다.
상기 해당공정이 완료된 후, 상기 공급제어부(100)는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 출력을 막아 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 공정챔버(300)로 공급되지 않도록 한다.
상기 공정챔버(300)의 고장이 발생하거나 또는 예방 정비를 위해 상기 공정챔버(300) 내 물질을 외부로 방출해야 할 때, 상기 공급제어부(100)에서 이미 출력되었으나 상기 공정챔버(300)에서 미처 사용되지 않은 채로 배관에 잔류하는 가스(A) 또는 케미컬(B)이 외부로 배출된다.
이하, 상기 블록도를 구현한 일 실시예를 통해 상기 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치에 대해 알아보도록 한다.
도 3은 도 2의 블록도를 구현한 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치를 나타낸 구조도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치는 외부로부터 공급된 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 해당공정의 레시피(recipe)에 따라 조절된 유량과 속도를 출력하는 공급제어부(100)와 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 상기 공정챔버(300)로 이동시키기 위한 배관(P20)을 구비한다. 그리고 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 외부로 배출되도록 하는 3웨이밸브(3WV1)가 상기 공급제어부(100)와 상기 공정챔버(300) 사이에 구비된다.
그리고 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 외부로 배출되도록 상기 3웨이밸브(3WV1)부터 외부로 연결되는 배관(P30)이 구비된다. 이 때, 상기 배관(P30)은 상기 배관(P20)과 비교하여 동일하거나 더 굵은 배관으로 구비될 수 있다.
상기 공급제어부(100)는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 유량 및 속도 제어를 위한 유량속도제어기들(MFC3, MFC4)과 상기 유량속도제어기들(MFC3, MFC4)로부터 받은 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 이동을 위한 배관(P10)과 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 최종출력 여부를 결정하는 파이널밸브(FV2)를 구비한다.
상기 유량속도제어기들(MFC3, MFC4)은 상기 공정챔버(300)에서의 사용을 위한 적어도 하나 이상의 가스(A) 또는 케미컬(B)을 외부로부터 입력받는다. 이 때, 상기 공정챔버(300)에서 수행되는 공정에서 요구한 만큼의 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 유량 및 속도를 조절한다.
상기 모든 유량속도제어기들(MFC3, MFC4)의 출력부 각각에 하나의 제1배관(P10)이 연결된다. 상기 유량속도제어기들(MFC3, MFC4)로부터 출력되는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 함께 공급되었을 경우, 상기 제1배관(P10)을 통해 한 구간으로 합쳐진다. 또는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 각각 따로 공급되었을 경우, 상기 제1배관(P10)은 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 이동을 위한 통로의 용도로만 사용될 수 있다.
상기 파이널밸브(FV2)는 상기 공정챔버(300)에서 해당공정이 시작되면, 온(on) 상태가 되어, 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 상기 공정챔버(300)로 공급하기 위해 상기 공급제어부(100)에서 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)을 출력한다.
상기 해당공정이 완료되면, 상기 파이널밸브(FV2)는 오프(off)상태가 되어 상기 유량속도제어기들(MFC3, MFC4)로부터 출력되는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 공정챔버(300)로 공급되지 않는다.
상기 3웨이밸브(3WV1)는 상기 공정챔버(300)에서 상기 해당공정이 수행되는 동안 공급방향으로 스위칭되어, 상기 공급제어부(100)에서 출력된 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 공정챔버(300)로 공급되도록 한다.
상기 공정챔버(300)에서 상기 해당공정이 완료된 후, 상기 공급제어부(100) 내 파이널밸브(FV2)가 오프(off)되어 더 이상의 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 공급제어부(100)로부터 출력됨을 막는다. 하지만 상기 해당공정이 완료되고 나서, 상기 파이널밸브(FV2)가 오프(off) 되기 전 이미 상기 공급제어부(100)로부터 출력된 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 배관(P20)에 잔류하게 된다.
이 때, 반도체 제조 설비 상에 고장이 발생하거나 예방정비를 위해 상기 공정챔버(30) 내에 존재하는 물질을 외부로 배출하는 작업이 정기적으로 수행된다. 상기 배관(P20)에 잔류하는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 공정챔버(300) 내 물질 배출작업 시, 외부로 배출되어 공기 등의 오염원과 접촉된다. 이러한 경우, 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 잔류하는 상기 배관(P20)이 오염될 뿐만 아니라, 상기 공정챔버(300) 내 웨이퍼에 오염물질이 분사되고 이에 따라 반도체 소자의 수율저하 등이 발생한다.
따라서 상기 3웨이밸브(3WV1)가 배출방향으로 스위칭되어, 상기 배관(P20)에 잔류하는 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)이 상기 3웨이밸브(3WV1)로부터 외부로 연결 된 상기 배관(P30)을 통해 상기 공정챔버(300)가 아닌 외부로 배출된다.
또는 상기 3웨이밸브(3WV1)와 외부에 직접 연결되는 상기 배관(P30)에 진공펌프를 연결하는 예도 가능하다.
도 4는 본 발명에 다른 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치를 나타낸 구조도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 공정챔버(350)에 고장이 발생하거나 또는 예방정비 시, 배관(P21)에 잔류하는 가스(A) 또는 케미컬(B)을 배출하기 위해 구비된 배관(P31)의 한 쪽은 3웨이밸브(3WV2)에, 반대쪽은 진공펌프(250)를 연결하여 상기 가스(A) 또는 케미컬(B)의 배출을 보다 쉽게 할 수 있도록 한다.
도 4의 공급 장치는 도 2의 나타난 공급 장치에 진공펌프가 더 추가되므로, 이하 도 2와 동일한 구성은 설명을 생략하도록 한다.
결과적으로, 상기 공정챔버의 고장 또는 정기적인 예방 정비로 인해, 상기 공정챔버 내 존재하는 물질을 외부로 배출할 때, 배관에 잔류하는 상기 가스 또는 케미컬을 사람이 직접 상기 배출을 해왔던 종래와 달리, 배관을 추가로 구비하여 상기 가스 또는 케미컬이 자동으로 배출된다.
이에 따라 인력낭비를 줄이고, 상기 가스 또는 케미컬이 다른 물질로 변질되어 웨이퍼 상에 오염물질이 분사되는 것을 자동으로 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 공정챔버의 가스 또는 케미컬 공급 장치에 있어서, 상기 공급제어부와 상기 공정챔버 사이의 배관에 3웨이밸브와 외부 방향으로 배관을 더 추가함으로써, 상기 반도체 제조설비의 총 동작 소요시간을 단축하고, 인력 낭비를 줄여 상기 반도체 제조설비의 효율성을 증대시킬 수 있다.
상기한 실시 예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 장치에 3웨이밸브와 배관을 더 구비함으로써, 상기 반도체 제조설비의 총 동작 소요시간을 단축하고, 인력낭비를 줄여 상기 반도체 제조설비의 효율성을 증대시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급장치에 있어서,
    공정챔버에서 사용하기 위해 외부로부터 유입된 가스 또는 케미컬의 유량 및 속도를 제어하는 공급제어부와;
    상기 공급제어부를 통해 조절된 가스 또는 케미컬을 공정챔버로 공급 또는 외부로 배출하기 위한 통로를 제공하는 배관들과;
    상기 가스 또는 케미컬이 공정챔버로 공급완료 후, 상기 배관들에 잔류하는 가스 또는 케미컬이 외부로 배출되도록 하는 3웨이밸브를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공급제어부는,
    적어도 한 개 이상의 유입구를 통해 외부로부터 공급된 가스 또는 케미컬의 유량 및 속도 조절을 위한 유량속도제어기와;
    상기 유량속도제어기를 통해 조절된 가스 또는 케미컬을 상기 공정 챔버로 이송하기 위한 통로를 제공하는 제1배관과;
    상기 제1배관 내부에 가스 또는 케미컬의 상기 공정챔버로 이송여부를 결정하는 파이널밸브를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배관들은,
    상기 공급제어부의 파이널밸브로부터 가스 또는 케미컬을 공급받아 이를 상기 공정챔버로 공급하는 제2배관과;
    상기 제2배관을 통해 공급된 가스 또는 케미컬 중 상기 공정챔버로 공급 후, 상기 제2배관에 잔류하는 가스 또는 케미컬을 상기 공정챔버가 아닌 외부로 배출하기 위한 제3배관을 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3배관은 상기 제2배관과 비교하여 적어도 동일하거나 큰 크기로 구비됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 3웨이밸브는,
    상기 공급제어부와 상기 공정챔버 사이에 구비되어,
    상기 반도체 제조설비의 공정 시, 상기 가스 또는 케미컬이 공정챔버로 이동되도록 하고,
    상기 공정 완료 시, 상기 배관들에 잔류하는 가스 또는 케미컬을 외부로 배출시킴을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급장치.
  6. 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급 방법에 있어서,
    외부로부터 가스 또는 케미컬을 공급받아 유량 및 속도를 제어 후, 상기 가스 또는 케미컬이 공정챔버로 이동하는 제1단계와;
    상기 가스 또는 케미컬이 상기 공정챔버로 이동함을 막는 제2단계와;
    제1단계에서 공급된 상기 가스 또는 케미컬이 제1단계 완료 후 배관에 잔류할 때, 이를 외부로 배출하는 제3단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 가스 또는 케미컬 공급방법.
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