KR20080084338A - Semiconductor manufacture device having paticle removal function - Google Patents

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KR20080084338A KR1020070025956A KR20070025956A KR20080084338A KR 20080084338 A KR20080084338 A KR 20080084338A KR 1020070025956 A KR1020070025956 A KR 1020070025956A KR 20070025956 A KR20070025956 A KR 20070025956A KR 20080084338 A KR20080084338 A KR 20080084338A
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Abstract

Semiconductor manufacturing equipment having a particle removing function is provided to extend a cleaning interval and to improve the productivity by using a plasma collecting plate after particles in a loadlock chamber and a transfer chamber are ionized. Process chambers(106,108) perform a process on a wafer. Plasma collectors(110,112) are installed on a transfer path of the wafer. A transfer chamber(104) loads the wafer to the process chambers, or unloads it therefrom. Slit valves(120) are opened so as to load or unload the wafer to/from the process chambers by a transfer robot of the transfer chamber. The slit valves are closed so as to separate the transfer chamber from the process chambers when a process is preceded through the process chambers. Loadlock chambers(100,102) are coupled to the transfer chamber and have a cassette on which the wafer is mounted. A wafer stage(118) is installed in the transfer chamber to stand by the wafer transferred from the loadlock chamber, or to stand by the wafer from the process chamber so as to transfer it to the loadlock chamber.

Description

파티클 제거 기능을 갖는 반도체 제조설비{SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE HAVING PATICLE REMOVAL FUNCTION}Semiconductor manufacturing equipment with particle removal function {SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE HAVING PATICLE REMOVAL FUNCTION}

도 1은 종래의 반도체 제조설비의 구성도1 is a block diagram of a conventional semiconductor manufacturing equipment

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비의 구성도2 is a block diagram of a semiconductor manufacturing facility having a particle removal function according to an embodiment of the present invention

도 3은 도 2의 제1 내지 제4 플라즈마 집진부(110, 112, 114, 116)의 상세 구조도3 is a detailed structural diagram of the first to fourth plasma dust collectors 110, 112, 114, and 116 of FIG. 2.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *          Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100: 제1 로드락챔버 102: 제2 로드락챔버100: first load lock chamber 102: second load lock chamber

104: 트랜스퍼챔버 106: 제1 공정챔버104: transfer chamber 106: first process chamber

108: 제2 공정챔버 110: 제1 플라즈마 집진부108: second process chamber 110: first plasma dust collector

112: 제2 플라즈마 집진부 114: 제3 플라즈마 집진부112: second plasma dust collector 114: third plasma dust collector

116: 제4 플라즈마 집진부 130: 제1 플라즈마 집진판116: fourth plasma dust collector 130: first plasma dust collector

132: 제1 플라즈마 발생플레이트 134: 제2 플라즈마 집진판 132: first plasma generating plate 134: second plasma collecting plate

136: 제2 플라즈마 발생플레이트 138: 제3 플라즈마 집진판136: second plasma generating plate 138: third plasma collecting plate

본 발명은 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비에 관한 것으로, 특히 반도체 제조설비에서 트랜스퍼챔버와 로드락챔버의 파티클을 대전현상을 이용하여 집진하여 파티클을 제거하는 반도체 제조설비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing equipment having a particle removal function, and more particularly, to a semiconductor manufacturing equipment for collecting particles of a transfer chamber and a load lock chamber by using a charging phenomenon in a semiconductor manufacturing equipment.

일반적으로 반도체소자는 실리콘 웨이퍼 상에 제조공정을 반복적으로 진행하여 완성되며, 반도체 제조공정은 그 소재가 되는 웨이퍼에 대하여 산화, 마스킹, 포토레지스트코팅, 식각, 확산 및 적층공정들과 이들 공정들의 전, 후에서 보조적으로 세척, 건조 및 검사 등의 여러 공정들이 수행되어야 한다. 특히, 식각공정은 실질적으로 웨이퍼 상에 패턴을 형성시키는 중요한 공정의 하나로서, 포토레지스트코팅공정과 함께 사진식각공정을 이루는 것으로서, 감광성을 갖는 포토레지스트를 웨이퍼 상에 코팅하고, 패턴을 전사한 후, 그 패턴에 따라 식각을 수행하여 상기 패턴에 따라 적절한 소자의 물리적 특성을 부여하는 것이다.In general, a semiconductor device is completed by repeatedly performing a manufacturing process on a silicon wafer, and the semiconductor manufacturing process includes oxidation, masking, photoresist coating, etching, diffusion, and lamination processes for the wafer as the material and all of these processes. Subsequently, several processes such as washing, drying, and inspection should be carried out afterwards. In particular, the etching process is one of the important processes for substantially forming a pattern on the wafer. The etching process forms a photolithography process together with the photoresist coating process. In this case, etching is performed according to the pattern to impart the physical characteristics of the device according to the pattern.

식각공정은 크게 습식식각과 건식식각으로 대별될 수 있으며, 습식식각은 제거되어야 하는 웨이퍼의 최상단층을 효과적으로 제거할 수 있는 화학물질을 담은 습식조에 웨이퍼를 담갔다가 꺼내는 방식이나, 또는 그 화학물질을 웨이퍼의 표면으로 분사하는 방식이나, 일정각도로 경사지게 고정시킨 웨이퍼 상으로 화학물질을 흘려보내는 방식 등이 개발되어 사용되고 있다.The etching process can be roughly divided into wet etching and dry etching, and wet etching is a method in which a wafer is immersed in a wet bath containing chemicals that can effectively remove the top layer of the wafer to be removed, or the chemical is removed. A method of spraying onto the surface of the wafer, a method of flowing chemicals onto the wafer fixedly inclined at an angle, and the like have been developed and used.

또한, 건식식각은 기체상의 식각가스를 사용하는 플라즈마식각, 이온빔식각 및 반응성 이온식각 등을 예로 들 수 있다. 그 중, 반응성 이온식각은 식각가스를 반응용기내로 인입시키고, 이온화시킨 후, 웨이퍼 표면으로 가속시켜 웨이퍼 표면의 최상층을 물리적, 화학적으로 제거하며, 식각의 조절이 용이하고, 생산성이 높으며, 1μm 정도의 패턴형성이 가능하여 널리 사용되고 있다.In addition, the dry etching may include plasma etching using gaseous etching gas, ion beam etching and reactive ion etching. Among them, reactive ion etching introduces an etching gas into the reaction vessel, ionizes it, accelerates it to the wafer surface, and physically and chemically removes the top layer of the wafer surface. It is possible to form a pattern of widely used.

반응성 이온식각에서의 균일한 식각을 위하여 고려되어야 할 변수(parameter)들로는 식각할 층의 두께와 밀도, 식각가스의 에너지 및 온도, 포토레지스트의 접착성과 웨이퍼 표면의 상태 및 식각가스의 균일성 등을 들 수 있다. 특히, 식각가스를 이온화시키고, 이온화된 식각가스를 웨이퍼 표면으로 가속시켜 식각을 수행하는 원동력이 되는 고주파(RF ; Radio frequency)의 조절은 중요한 변수가 될 수 있으며, 또한 실제 식각과정에서 직접적으로 그리고 용이하게 조절할 수 있는 변수로 고려된다.Parameters to be considered for uniform etching in reactive ion etching include the thickness and density of the layer to be etched, the energy and temperature of the etching gas, the adhesion of the photoresist and the state of the wafer surface, and the uniformity of the etching gas. Can be mentioned. In particular, the control of radio frequency (RF), which is the driving force for ionizing the etching gas and accelerating the ionized etching gas to the wafer surface, can be an important variable, and also directly and in the actual etching process. It is considered an easily adjustable variable.

그리고 식각공정을 수행하는 종래의 반도체 제조설비가 도 1에 개시되어 있다. 도 1을 참조하면, 시스템 메인 프레임의 중앙에 위치하여 카세트를 구비하고 있으며, 웨이퍼를 카세트에 적재하고 있는 제1 및 제2 로드락챔버(LOAD LOCK CHAMBER)(10, 12)와, 상기 로드락챔버(10, 12)에 적재된 웨이퍼를 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)로 이송하며, 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)로부터 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 제1 및 제2 로드락 챔버(10, 12)로 이송하기 위한 이송로봇이 설치된 트랜스퍼챔버(14)와, 상기 트랜스퍼챔버(14)의 이송로봇에 의해 이송되어 안착된 웨이퍼에 대한 프로세스(PROCESS)를 진행하는 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)로 구성되어 있다.And the conventional semiconductor manufacturing equipment for performing the etching process is disclosed in FIG. Referring to FIG. 1, first and second load lock chambers 10 and 12 positioned at a center of a system main frame and having a cassette and loading wafers into the cassette, and the load lock The wafers loaded in the chambers 10 and 12 are transferred to the first to second process chambers 16 and 18, and the wafers whose processes are completed from the first to second process chambers 16 and 18 are transferred to the first and second process chambers 16 and 18. A transfer chamber 14 having a transfer robot for transferring to the second load lock chambers 10 and 12 and a process for a wafer transferred and seated by the transfer robot of the transfer chamber 14 are performed. It consists of the 1st-2nd process chamber 16,18.

상기와 같은 종래의 반도체 제조설비의 공정진행 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the process operation of the conventional semiconductor manufacturing equipment as described above are as follows.

도시하지 않은 로드포트에 적재되어 있는 웨이퍼는 ATM로봇(도시하지 않음)에 의해 제1 및 제2 로드락 챔버(10, 12)의 카세트로 웨이퍼를 하나씩 이송하여 적재한다. 이렇게 웨이퍼가 모두 제1 로드락챔버(10)나 제2 로드락 챔버(12)로 이송이 완료되면 제1 및 제2 로드락 챔버(10, 12)는 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아 내어 진공상태를 형성한다. 그런 후 메인콘트롤러는 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)에서 식각공정이 수행되도록 제어한다. 그리고 콘트롤러는 식각공정이 완료되면 로봇콘트롤러를 제어하여 트랜스퍼챔버(14)내에 있는 이송로봇이 구동되도록 한다. 이때 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)로부터 식각공정이 완료되면 메인콘트롤러는 트랜스퍼챔버(14)의 이송로봇을 제어하여 다시 제1 또는 제2로드락챔버(10, 12)로 웨이퍼가 이송되도록 제어한다. 그리고 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)와 트랜스퍼챔버(14) 간에는 슬릿밸브(20)가 각각 형성되어 있다. 상기 슬릿밸브(20)는 트랜스퍼챔버(14)의 이송로봇에 의해 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하기 위해 오픈되고, 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)를 통해 공정을 진행할 때 트랜스퍼챔버(14)와 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)간의 격리를 위해 클로즈된다. Wafers loaded in a load port (not shown) are transported one by one to the cassettes of the first and second load lock chambers 10 and 12 by an ATM robot (not shown). When the wafers are all transferred to the first load lock chamber 10 or the second load lock chamber 12, the first and second load lock chambers 10 and 12 close the doors and pressurize to prevent impurities from entering. Pull out to form a vacuum. Then, the main controller controls the etching process to be performed in the first to second process chambers 16 and 18. The controller controls the robot controller when the etching process is completed to drive the transfer robot in the transfer chamber 14. At this time, when the etching process is completed from the first to second process chambers 16 and 18, the main controller controls the transfer robot of the transfer chamber 14 to return the wafer to the first or second load lock chambers 10 and 12 again. Control to be transported. A slit valve 20 is formed between the first to second process chambers 16 and 18 and the transfer chamber 14, respectively. The slit valve 20 is opened for loading or unloading the wafer by the transfer robot of the transfer chamber 14, and transfer chamber 14 when the process proceeds through the first to second process chambers 16 and 18. ) And the first to second process chambers 16 and 18 are closed for isolation.

이러한 제1 및 제2 로드락챔버(10, 12)는 북수의 웨이퍼를 탑재한 카세트의 투입 및 인출에 대응하여 상압분위기를 유지하고 공정을 진행할 시 진공압 제공수단에 의해 진공분위기를 형성한다. 그리고 제1 및 제2 로드락챔버(10, 12)의 일측에는 다른 슬릿밸브(도시하지 않음)에 의해 선택적으로 연통하는 트랜스퍼챔버(14) 가 설치되어 있다. 상기 트랜스퍼챔버(14)의 내부에는 제1 및 제2 로드락챔버(10, 12)에 위치되는 웨이퍼를 제1 및 제2 공정챔버(16, 18)로 이송하도록 하는 로봇이 설치되어 있다. 이 제1 및 제2 로드락챔버(10, 12) 및 트랜스퍼챔버(14)는 통상 동일 또는 유사한 진공압 분위기로 형성되어 있다. The first and second load lock chambers 10 and 12 maintain the atmospheric pressure atmosphere in response to the insertion and withdrawal of the cassette on which the wafers of north water are loaded, and form the vacuum atmosphere by the vacuum pressure providing means when the process proceeds. One side of the first and second load lock chambers 10 and 12 is provided with a transfer chamber 14 selectively communicating with another slit valve (not shown). Inside the transfer chamber 14, a robot is installed to transfer wafers positioned in the first and second load lock chambers 10 and 12 to the first and second process chambers 16 and 18. The first and second load lock chambers 10 and 12 and the transfer chamber 14 are usually formed in the same or similar vacuum pressure atmosphere.

이와 같이 제1 및 제2 로드락챔버(10, 12) 및 트랜스퍼챔버(14)는 내부의 진공압을 형성하는 것은 공정조건 이외에 외부로부터 파티클의 유입을 차단격리하는 것이나 이 진공압분위기를 통한 파티클의 유입을 차단하는데 한계가 있고, 공정진행 중에 발생된 파티클이 제1 및 제2 로드락챔버(10, 12)나 트랜스퍼챔버(14)로 유입되어 웨이퍼에 파티클이 부착되어 공정불량이 발생하고 또한 이 파티클 발생으로 인해 제1 및 제2 로드락챔버(10, 12)나 트랜스퍼챔버(14)를 자주 클린하여야 하는 문제가 있었다. As described above, the first and second load lock chambers 10 and 12 and the transfer chamber 14 form an internal vacuum pressure to isolate and prevent the inflow of particles from the outside in addition to the process conditions, or to form particles through the vacuum atmosphere. There is a limit to block the inflow of particles, particles generated during the process is introduced into the first and second load lock chamber (10, 12) or the transfer chamber 14, the particles are attached to the wafer to cause a process defect Due to this particle generation, there was a problem that the first and second load lock chambers 10 and 12 or the transfer chamber 14 should be frequently cleaned.

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 식각공정을 진행한 후 파티클의 오염으로 인해 로드락챔버와 트랜스퍼챔버를 자주 클린하지 않도록 파티클을 제거하는 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a particle removal function to remove particles so as not to clean the load lock chamber and the transfer chamber due to contamination of the particles after the etching process to solve the above problems. Is in.

본 발명의 다른 목적은 식각공정을 진행한 후 발생된 트랜스퍼챔버와 로드락챔버의 파티클을 대전현상을 이용하여 집진시켜 파티클을 제거하는 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a particle removal function of removing particles by collecting particles of a transfer chamber and a load lock chamber generated after an etching process by using a charging phenomenon.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비는 웨이퍼에 대한 프로세스를 진행하는 적어도 하나 이상의 공정챔버와, 웨이퍼의 이송경로 상에 플라즈마 집진부가 설치되고, 상기 공정챔버로 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하기 위해 이송하는 트랜스퍼챔버와, 상기 트랜스퍼챔버의 이송로봇에 의해 웨이퍼를 상기 공정챔버로 로딩 또는 언로딩하기 위해 오픈되고, 상기 공정챔버를 통해 공정을 진행할 때 상기 트랜스퍼챔버와 상기 공정챔버 간의 격리를 위해 클로즈되는 슬릿밸브와, 상기 트랜스퍼챔버에 결합되어 있으며 웨이퍼의 이송경로 상에 플라즈마 집진부가 설치되고, 웨이퍼를 적재하고 있는 카세트를 구비하는 로드락챔버와, 상기 트랜스퍼챔버내에 설치되어 상기 로드락챔버로부터 이송된 웨이퍼를 대기시키거나 상기 공정챔버로부터 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 로드락챔버로 이송하기 위해 대기시키는 웨이퍼 스테이지를 포함함을 특징으로 한다.The semiconductor manufacturing equipment having the particle removal function of the present invention for achieving the above object is provided with at least one process chamber for performing a process for the wafer, and a plasma dust collector is installed on the transfer path of the wafer, the wafer to the process chamber A transfer chamber for transferring for loading or unloading, and opened for loading or unloading a wafer into the process chamber by a transfer robot of the transfer chamber, and the transfer chamber and the process when the process proceeds through the process chamber. A slit valve closed for isolation between the chambers, a load lock chamber coupled to the transfer chamber and having a plasma dust collector disposed on a transfer path of the wafer, and having a cassette for loading the wafer, and installed in the transfer chamber. Waiting for the wafer transferred from the load lock chamber Or a wafer stage waiting for transferring the completed wafer from the process chamber to the load lock chamber.

상기 트랜스퍼챔버의 내부에는 상기 슬릿밸브와 근접하게 파티클을 집진시키기 위한 제1 플라즈마 집진부가 설치되고 상기 웨이퍼 스테이지에 근접하게 제2 플라즈마 집진부가 설치됨을 특징으로 한다.A first plasma dust collector is installed in the transfer chamber to collect particles in close proximity to the slit valve, and a second plasma dust collector is disposed in close proximity to the wafer stage.

상기 플라즈마 집진부는, 플라즈마를 발생하여 부유하고 있는 파티클을 이온화상태로 변화시키기 위한 플라즈마 발생 플레이트와, 상기 플라즈마 발생플레이트에 의해 이온화된 파티클을 집진하는 플라즈마 집진판으로 구성함을 특징으로 한다.The plasma dust collector is characterized by comprising a plasma generating plate for changing the particles floating in the ionization state by generating a plasma, and a plasma dust collecting plate for collecting the particles ionized by the plasma generating plate.

상기 플라즈마 집진부는, 제1 및 제2 집진판 사이에 제1 플라즈마 발생 플레 이트가 설치되고, 제2 및 제3 집진판 사이에 제2 플라즈마 발생 플레이트가 설치됨을 특징으로 한다.The plasma dust collector is characterized in that the first plasma generating plate is installed between the first and second dust collecting plate, and the second plasma generating plate is installed between the second and third dust collecting plate.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비의 구성도이다.2 is a block diagram of a semiconductor manufacturing facility having a particle removal function according to an embodiment of the present invention.

시스템 메인 프레임의 중앙에 위치하여 카세트를 구비하고 있으며, 웨이퍼의 이송경로 상에 제1 및 제2 플라즈마 집진부(110, 112)가 설치되고, 웨이퍼를 카세트에 적재하고 있는 제1 및 제2 로드락챔버(LOAD LOCK CHAMBER)(100, 102)와, Located in the center of the system main frame and provided with a cassette, the first and second plasma dust collectors 110 and 112 are installed on the wafer transfer path, and the first and second load locks to load the wafer into the cassette. Chamber (LOAD LOCK CHAMBER) (100, 102),

웨이퍼의 이송경로 상에 제3 및 제4 플라즈마 집진부(114, 116)가 설치되고, 상기 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)에 적재된 웨이퍼를 제1 및 제2 공정챔버(106, 108)로 이송하며, 제1 및 제2 공정챔버(106, 108)로부터 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 제1 및 제2 로드락 챔버(100, 102)로 이송하기 위한 이송로봇이 설치된 트랜스퍼챔버(104)와, Third and fourth plasma dust collectors 114 and 116 are installed on the transfer path of the wafer, and the wafers loaded in the first and second load lock chambers 100 and 102 are loaded into the first and second process chambers 106. Transfer chamber for transferring the wafers having the process progressed from the first and second process chambers 106 and 108 to the first and second load lock chambers 100 and 102, respectively. 104,

상기 트랜스퍼챔버(104)내에 설치되어 상기 제1 및 제 2 로드락챔버(100, 102)로부터 이송된 웨이퍼를 대기시키거나 상기 제1 및 제2 공정챔버(106, 108)로부터 공정이 완료된 웨이퍼를 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)로 이송하기 위해 대기시키는 웨이퍼 스테이지(118)와, Wafers installed in the transfer chamber 104 to wait for wafers transferred from the first and second load lock chambers 100 and 102 or to finish wafers from the first and second process chambers 106 and 108. A wafer stage 118 waiting to be transferred to the first and second load lock chambers 100 and 102,

상기 트랜스퍼챔버(104)의 이송로봇에 의해 이송되어 안착된 웨이퍼에 대한 프로세스(PROCESS)를 진행하는 제1 내지 제2 공정챔버(106, 108)와, First to second process chambers 106 and 108 for carrying out a process for the wafer transferred and seated by the transfer robot of the transfer chamber 104;

상기 트랜스퍼챔버(104)의 이송로봇에 의해 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하기 위해 오픈되고, 제1 내지 제2 공정챔버(106, 108)를 통해 공정을 진행할 때 트랜스퍼챔버(104)와 제1 내지 제2 공정챔버(106, 108)간의 격리를 위해 클로즈되는 슬릿밸브(120)로 구성되어 있다.Opened for loading or unloading wafers by the transfer robot of the transfer chamber 104, the transfer chamber 104 and the first to the first when the process through the first to second process chambers (106, 108) It consists of a slit valve 120 closed for isolation between the two process chambers (106, 108).

도 3은 도 2의 제1 내지 제4 플라즈마 집진부(110, 112, 114, 116)의 상세 구조도이다.FIG. 3 is a detailed structural diagram of the first to fourth plasma dust collectors 110, 112, 114, and 116 of FIG. 2.

제1 및 제2 집진판(130, 134) 사이에 제1 플라즈마 발생 플레이트(132)가 설치되고, 제2 및 제3 집진판(134, 1387) 사이에 제2 플라즈마 발생 플레이트(136)가 설치되어 있다. The first plasma generating plate 132 is provided between the first and second dust collecting plates 130 and 134, and the second plasma generating plate 136 is provided between the second and third dust collecting plates 134 and 1387. .

상술한 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예의 동작을 상세히 설명한다.2 and 3 will be described in detail the operation of the preferred embodiment of the present invention.

도시하지 않은 로드포트에 적재되어 있는 웨이퍼는 ATM로봇(도시하지 않음)에 의해 제1 및 제2 로드락 챔버(100, 102)의 카세트로 웨이퍼를 하나씩 이송하여 적재한다. 이렇게 웨이퍼가 모두 제1 로드락챔버(100)나 제2 로드락 챔버(102)로 이송이 완료되면 제1 및 제2 로드락 챔버(100, 102)는 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아 내어 진공상태를 형성한다. 그런 후 메인콘트롤러는 제1 내지 제2 공정챔버(16, 18)에서 식각공정이 수행되도록 제어한다. 그리고 메인콘트롤러는 식각공정이 완료되면 로봇콘트롤러를 제어하여 트랜스퍼챔버(104)내에 있는 이송로봇이 구동되도록 한다. 이때 제1 내지 제2 공정챔버(106, 108)로부터 식각공정이 완료되면 메인콘트롤러는 트랜스퍼챔버(104)의 이송로봇을 제어하여 다시 제1 또는 제2로드락챔버(100, 102)로 이송되도록 제어한다. 그리고 제1 및 제2 공정챔버(106, 108)와 트랜스퍼챔버(104) 간에는 슬릿밸브(120)가 각각 형성되어 있다. 상기 슬릿밸브(120)는 트랜스퍼챔버(104)의 이송로봇에 의해 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하기 위해 오픈되고, 제1 및 제2 공정챔버(106, 108)를 통해 공정을 진행할 때 트랜스퍼챔버(104)와 제1 및 제2 공정챔버(106, 108)간의 격리를 위해 클로즈된다. Wafers loaded in a load port (not shown) are transported one by one to the cassettes of the first and second load lock chambers 100 and 102 by an ATM robot (not shown). When the wafers are all transferred to the first load lock chamber 100 or the second load lock chamber 102, the first and second load lock chambers 100 and 102 close the door and pressurize the pressure to prevent impurities from entering. Pull out to form a vacuum. Then, the main controller controls the etching process to be performed in the first to second process chambers 16 and 18. When the etching process is completed, the main controller controls the robot controller so that the transfer robot in the transfer chamber 104 is driven. In this case, when the etching process is completed from the first to second process chambers 106 and 108, the main controller controls the transfer robot of the transfer chamber 104 to be transferred back to the first or second load lock chambers 100 and 102. To control. A slit valve 120 is formed between the first and second process chambers 106 and 108 and the transfer chamber 104, respectively. The slit valve 120 is opened for loading or unloading the wafer by the transfer robot of the transfer chamber 104, and transfer chamber 104 when the process through the first and second process chambers (106, 108) ) And the first and second process chambers 106 and 108 are closed for isolation.

이러한 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)는 복수의 웨이퍼를 탑재한 카세트의 투입 및 인출에 대응하여 상압분위기를 유지하고 공정을 진행할 시 진공압 제공수단에 의해 진공분위기를 형성한다. 그리고 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)의 일측에는 슬릿도어(도시하지 않음)에 의해 선택적으로 연통하는 트랜스퍼챔버(104)가 설치되어 있다. 상기 트랜스퍼챔버(104)의 내부에는 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)에 위치되는 웨이퍼를 제1 및 제2 공정챔버(106, 108)로 이송하도록 하는 로봇이 설치되어 있다. 이 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102) 및 트랜스퍼챔버(104)는 통상 동일 또는 유사한 진공압 분위기로 형성되어 있다. The first and second load lock chambers 100 and 102 maintain the atmospheric pressure atmosphere in response to the introduction and withdrawal of the cassette on which the plurality of wafers are mounted, and form the vacuum atmosphere by the vacuum pressure providing means during the process. One side of the first and second load lock chambers 100 and 102 is provided with a transfer chamber 104 selectively communicating with a slit door (not shown). Inside the transfer chamber 104, a robot is installed to transfer wafers positioned in the first and second load lock chambers 100 and 102 to the first and second process chambers 106 and 108. The first and second load lock chambers 100 and 102 and the transfer chamber 104 are usually formed in the same or similar vacuum pressure atmosphere.

상기 트랜스퍼챔버(105)와 제1 또는 제2 공정챔버(106, 108) 사이의 슬릿밸브(120)가 오픈된 후 트랜스퍼챔버(104)의 이송로봇이 제1 또는 제2 공정챔버(106, 108)로부터 공정이 완료된 웨이퍼를 제1 로드락 챔버(100)나 제2 로드락 챔버(102)로 이송할 시 제3 및 제4 플라즈마 집진부(114, 116)의 정전작용에 의해 상기 트랜 스퍼챔버(104)내에 부유하는 파티클이 집진되도록 한다. 상기 제3 집진부(114)는 웨이퍼 스테이지(118)에 근접 설치되어 있다. 웨이퍼 스테이지(118)는 트랜스퍼챔버(104)와 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102) 간에 웨이퍼가 이송될 시 일시적으로 웨이퍼를 대기시키는 공간이다. 그리고 트랜스퍼챔버(104)에 위치한 웨이퍼를 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)로 이송하거나 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)에 위치한 웨이퍼를 트랜스퍼챔버(104)로 이송하기 위해 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)와 트랜스퍼챔버(104) 사이에 설치된 슬릿도어가 오픈될 시 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)에 설치된 제1 및 제2 플라즈마 집진부(110, 112)의 정전작용에 의해 상기 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)내에 부유하는 파티클이 집진되도록 한다. 상기 제1 내지 제4 플라즈마 집진부(110, 112, 114, 116)는 제1 및 제2 집진판(130, 134) 사이에 제1 플라즈마 발생 플레이트(132)가 설치되고, 제2 및 제3 집진판(134, 1387) 사이에 제2 플라즈마 발생 플레이트(136)가 설치되어 있다. 따라서 제1 및 제2 플라즈마 발생 플레이트(132, 136)에 양극과 음극의 고주파 전원이 각각 인가되면 트랜스퍼챔버(104)와 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)에 부유하는 파티클이 이온화상태로 변화되고 제1 내지 제3 플라즈마 집진판(130, 134, 138)에 집진(흡착)된다. 상기 제1 내지 제3 집진판(130, 132, 134)에 집진된 파티클을 제거하여 트랜스퍼챔버(104)와 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)의 크리닝주기를 연장시킬 수 있다. After the slit valve 120 between the transfer chamber 105 and the first or second process chambers 106 and 108 is opened, the transfer robot of the transfer chamber 104 is first or second process chambers 106 and 108. The transfer chamber is processed by the electrostatic action of the third and fourth plasma dust collectors 114 and 116 when the wafer is transferred to the first load lock chamber 100 or the second load lock chamber 102. Allow particles to float in 104). The third dust collecting part 114 is provided near the wafer stage 118. The wafer stage 118 is a space that temporarily waits for the wafer when the wafer is transferred between the transfer chamber 104 and the first and second load lock chambers 100 and 102. The wafer positioned in the transfer chamber 104 may be transferred to the first and second load lock chambers 100 and 102, or the wafer positioned in the first and second load lock chambers 100 and 102 may be transferred to the transfer chamber 104. In order to open the slit doors provided between the first and second load lock chambers 100 and 102 and the transfer chamber 104, the first and second load lock chambers 100 and 102 are installed in the first and second load lock chambers 100 and 102. Particles suspended in the first and second load lock chambers 100 and 102 are collected by the electrostatic action of the plasma collectors 110 and 112. The first to fourth plasma dust collecting parts 110, 112, 114, and 116 are provided with a first plasma generating plate 132 between the first and second dust collecting plates 130 and 134, and the second and third dust collecting plates ( The second plasma generating plate 136 is provided between the 134 and 1387. Therefore, when the high frequency power of the positive electrode and the negative electrode is applied to the first and second plasma generation plates 132 and 136, the particles floating in the transfer chamber 104 and the first and second load lock chambers 100 and 102 are ionized. It is changed to the state and is collected (adsorbed) on the first to third plasma dust collecting plates 130, 134, 138. Particles collected in the first to third dust collecting plates 130, 132, and 134 may be removed to extend the cleaning periods of the transfer chamber 104 and the first and second load lock chambers 100 and 102.

상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 제조설비의 로드락챔버와 트랜스퍼챔버내에 파티클을 이온화상태로 변화시킨 후 플라즈마 집진판에 집진시켜 파티클을 제거하므로 트랜스퍼챔버와 로드락챔버가 파티클로 인한 오염을 줄여 크리닝주기를 연장하여 생산성을 향상시키고 또한 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention changes the particles into the ionization state in the load lock chamber and the transfer chamber of the semiconductor manufacturing equipment, and then collects the particles by collecting them in the plasma dust collecting plate. It can be extended to improve productivity and also reduce the manufacturing cost.

Claims (4)

파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비에 있어서,In the semiconductor manufacturing equipment having a particle removal function, 웨이퍼에 대한 프로세스를 진행하는 적어도 하나 이상의 공정챔버와, At least one process chamber for processing a wafer; 웨이퍼의 이송경로 상에 플라즈마 집진부가 설치되고, 상기 공정챔버로 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하기 위해 이송하는 트랜스퍼챔버와, A transfer chamber which is provided with a plasma dust collector on a transfer path of the wafer, and which transfers the wafer for loading or unloading the wafer into the process chamber; 상기 트랜스퍼챔버의 이송로봇에 의해 웨이퍼를 상기 공정챔버로 로딩 또는 언로딩하기 위해 오픈되고, 상기 공정챔버를 통해 공정을 진행할 때 상기 트랜스퍼챔버와 상기 공정챔버 간의 격리를 위해 클로즈되는 슬릿밸브와, A slit valve opened for loading or unloading a wafer into the process chamber by a transfer robot of the transfer chamber, and closed for isolation between the transfer chamber and the process chamber when the process proceeds through the process chamber; 상기 트랜스퍼챔버에 결합되어 있으며 웨이퍼의 이송경로 상에 플라즈마 집진부가 설치되고, 웨이퍼를 적재하고 있는 카세트를 구비하는 로드락챔버와, A load lock chamber coupled to the transfer chamber and having a plasma dust collector installed on a transfer path of the wafer, the load lock chamber including a cassette for loading the wafer; 상기 트랜스퍼챔버내에 설치되어 상기 로드락챔버로부터 이송된 웨이퍼를 대기시키거나 상기 공정챔버로부터 공정이 완료된 웨이퍼를 상기 로드락챔버로 이송하기 위해 대기시키는 웨이퍼 스테이지를 포함함을 특징으로 하는 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비.And a wafer stage installed in the transfer chamber to wait for wafers transferred from the load lock chamber or to transfer wafers completed from the process chamber to the load lock chamber. Semiconductor manufacturing equipment. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트랜스퍼챔버의 내부에는 상기 슬릿밸브와 근접하게 파티클을 집진시키기 위한 제1 플라즈마 집진부가 설치되고 상기 웨이퍼 스테이지에 근접하게 제2 플 라즈마 집진부가 설치됨을 특징으로 하는 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비.Inside the transfer chamber is a semiconductor manufacturing equipment having a particle removal function, characterized in that the first plasma dust collector for collecting the particles close to the slit valve and the second plasma dust collector is installed in close proximity to the wafer stage . 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 집진부는, The method of claim 1, wherein the plasma dust collector, 플라즈마를 발생하여 부유하고 있는 파티클을 이온화상태로 변화시키기 위한 플라즈마 발생 플레이트와, 상기 플라즈마 발생플레이트에 의해 이온화된 파티클을 집진하는 플라즈마 집진판으로 구성함을 특징으로 하는 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비.A plasma manufacturing plate having a particle removing function, comprising: a plasma generating plate for generating a plasma to change suspended particles into an ionized state; and a plasma collecting plate for collecting particles ionized by the plasma generating plate. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 집진부는,The method of claim 1, wherein the plasma dust collector, 제1 및 제2 집진판 사이에 제1 플라즈마 발생 플레이트가 설치되고, 제2 및 제3 집진판 사이에 제2 플라즈마 발생 플레이트가 설치됨을 특징으로 하는 파티클 제거기능을 갖는 반도체 제조설비. A first plasma generating plate is provided between the first and second dust collecting plate, and the second plasma generating plate is provided between the second and the third dust collecting plate is a semiconductor manufacturing equipment having a particle removal function.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018190783A (en) * 2017-04-28 2018-11-29 東京エレクトロン株式会社 Transport device and transport method

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