KR20080084276A - Semiconductor package and method of manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

A semiconductor package and a method for manufacturing the same are provided to test semiconductor chips of various sizes using one test socket by forming an area control molding unit and a thickness control molding unit. A semiconductor chip(110) is provided with an external connection terminal. An area control molding unit(120) is arranged along a lateral surface of the semiconductor chip so as to mount the semiconductor chip on a test socket having a plane area greater than that of the semiconductor device. The area control molding unit includes an epoxy resin. A thickness control molding unit(123) covering an upper surface of the semiconductor chip is prepared in order to reduce a height of the test socket and a thickness deviation of the semiconductor chip. The thickness control molding unit has at least one opening that exposes the upper surface of the semiconductor chip.

Description

반도체 패키지 및 이의 제조방법{SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}Semiconductor package and manufacturing method therefor {SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 반도체 패키지 및 테스트 소켓을 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a semiconductor package and a test socket according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view showing a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도.4 is a sectional view showing a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 패키지의 제조 공정을 도시한 단면도.5 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 상부 금형 및 하부 금형이 결합된 상태를 도시한 단면도.6 is a cross-sectional view showing a state in which the upper mold and the lower mold shown in FIG.

도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지의 제조방법을 도시한 단면도7 and 8 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package and a method of manufacturing the same.

반도체 소자는 순도 높은 실리콘으로 이루어진 실리콘 웨이퍼에 반도체 칩을 제조하는 반도체 칩 제조 공정(semiconductor chip manufactruing process), 반도체 칩을 전기적으로 검사하는 다이 소팅 공정(die sorting process), 양품 반도체 칩을 선별하여 패키징하는 반도체 패키징 공정(semiconductor packaging process) 및 반도체 패키지를 최종적으로 테스트하는 테스트 공정(test process)을 통해 제조된다.The semiconductor device is a semiconductor chip manufactruing process for manufacturing a semiconductor chip on a silicon wafer made of high-purity silicon, a die sorting process for electrically inspecting the semiconductor chip, and selecting and packaging good semiconductor chips. It is manufactured through a semiconductor packaging process (semiconductor packaging process) and a test process (test process) to finally test the semiconductor package.

이들 공정 중 테스트 공정은 테스트 소켓을 이용하여 이루어진다. 테스트 소켓은 제작된 반도체 패키지를 실장한 후 반도체 패키지에 테스트 신호를 인가하여 반도체 패키지가 정상 작동하는가를 테스트한다.Among these processes, the test process is performed using a test socket. The test socket mounts the manufactured semiconductor package and applies a test signal to the semiconductor package to test whether the semiconductor package is operating normally.

최근 들어, 반도체 패키지 제조 공정의 개발과 함께 반도체 패키지의 사이즈는 매우 다양해지고 있다.In recent years, with the development of a semiconductor package manufacturing process, the size of a semiconductor package has become very diverse.

그러나, 반도체 패키지의 사이즈가 다양해짐에 따라 반도체 패키지를 최종적으로 테스트하는 테스트 소켓의 사이즈 역시 반도체 패키지의 사이즈에 대응하여 각각 개발되어야 하고, 특히 보다 작은 사이즈로 개발된 반도체 패키지는 반도체 패키지보다 큰 테스트 소켓에 실장하여 테스트하기 어렵다.However, as the size of the semiconductor package varies, the size of the test socket for finally testing the semiconductor package must also be developed corresponding to the size of the semiconductor package, and in particular, a semiconductor package developed in a smaller size is larger than the semiconductor package. Difficult to test by mounting on a socket.

결국, 반도체 패키지의 사이즈가 서로 다를 경우 서로 다른 반도체 패키지 각각에 대응하여 테스트 소켓을 새롭게 제작해야 하기 때문에 반도체 패키지의 생산 원가를 상승시키는 문제점을 갖는다.As a result, when the size of the semiconductor package is different from each other, a test socket must be newly manufactured to correspond to each of the different semiconductor packages, thereby increasing the production cost of the semiconductor package.

본 발명은 반도체 패키지의 부피를 조절하여 기 제작된 테스트 소켓에 실장 될 수 있는 반도체 패키지를 제공한다. The present invention provides a semiconductor package that can be mounted in a test socket manufactured by adjusting the volume of the semiconductor package.

또한, 본 발명은 상기 반도체 패키지의 제조방법을 제공한다. In addition, the present invention provides a method of manufacturing the semiconductor package.

본 발명에 따른 반도체 패키지는, 외부 접속 단자를 구비한 반도체 칩; 및 상기 반도체 칩의 평면적 보다 큰 평면적을 갖는 테스트 소켓에 상기 반도체 칩을 장착하기 위해 상기 반도체 칩의 측면을 따라 배치된 면적 조절용 몰딩부;를 포함한다.A semiconductor package according to the present invention includes a semiconductor chip having an external connection terminal; And an area adjusting molding part disposed along a side of the semiconductor chip to mount the semiconductor chip to a test socket having a planar area larger than that of the semiconductor chip.

여기서, 상기 면적 조절용 몰딩부는 에폭시 수지를 포함한다. Here, the area control molding part comprises an epoxy resin.

상기 테스트 소켓의 높이 및 상기 반도체 칩의 두께 편차를 감소시키기 위해 상기 반도체 칩의 상면을 덮는 두께 조절용 몰딩부를 더 포함한다. The apparatus may further include a thickness adjusting molding part covering an upper surface of the semiconductor chip to reduce height of the test socket and thickness variation of the semiconductor chip.

상기 두께 조절용 몰딩부는 상기 반도체 칩의 상면을 노출하는 적어도 하나의 개구를 갖는다. The thickness control molding part has at least one opening exposing the top surface of the semiconductor chip.

또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 제조방법은, 하부 금형에 형성된 제1 캐피티 내부에 반도체 패키지의 외부 접속 단자를 수납하는 단계; 상기 반도체 패키지의 평면적보다 큰 제2 캐비티를 갖는 상부 금형을 상기 하부 금형과 결합하는 단계; 및 상기 반도체 패키지의 측면 및 상기 제2 캐비티 사이에 몰딩 수지를 주입하여 상기 반도체 패키지의 측면에 면적 조절용 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함한다.In addition, the method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention comprises the steps of: accommodating the external connection terminals of the semiconductor package inside the first cavity formed in the lower mold; Coupling an upper mold having a second cavity larger than a planar area of the semiconductor package with the lower mold; And forming an area adjusting molding part on a side surface of the semiconductor package by injecting a molding resin between the side surface of the semiconductor package and the second cavity.

여기서, 상기 제2 캐비티 및 상기 반도체 패키지의 상면은 밀착된다. Here, the upper surface of the second cavity and the semiconductor package is in close contact.

상기 제2 캐비티 및 상기 반도체 패키지의 상면 사이에는 갭이 형성되고, 상 기 제2 캐비티에는 상기 반도체 패키지의 상면을 가압하는 적어도 1개의 돌기를 포함한다. A gap is formed between the second cavity and the top surface of the semiconductor package, and the second cavity includes at least one protrusion for pressing the top surface of the semiconductor package.

상기 면적 조절용 몰딩부를 갖는 상기 반도체 패키지를 테스트 소켓에 실장 하는 단계; 및 상기 반도체 패키지를 상기 테스트 소켓에서 테스트하는 단계;를 더 포함한다. Mounting the semiconductor package having the molding for adjusting the area in a test socket; And testing the semiconductor package in the test socket.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 반도체 패키지 및 테스트 소켓을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package and a test socket according to a first embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 반도체 패키지(100)는 반도체 칩(10) 및 면적 조절용 몰딩부(20)를 포함한다.The semiconductor package 100 according to the present invention includes a semiconductor chip 10 and an area control molding part 20.

본 실시예에서, 반도체 패키지(100)는 반도체 칩(10)의 평면적의 100% 내지 110%에 불과한 웨이퍼 레벨 반도체 패키지일 수 있다.In the present embodiment, the semiconductor package 100 may be a wafer level semiconductor package which is only 100% to 110% of the planar area of the semiconductor chip 10.

반도체 칩(10)은 다량의 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부(미도시), 저장된 데이터를 처리하기 위한 회로부(미도시) 및 데이터 또는 신호를 입력 및/또는 출력하기 위한 본딩 패드 및 본딩 패드 상에 형성된 범프로 구성된 외부 접속 단자(30)를 포함한다.The semiconductor chip 10 includes a data storage unit (not shown) for storing a large amount of data, a circuit unit (not shown) for processing stored data, and a bonding pad and a bonding pad for inputting and / or outputting data or signals. It includes an external connection terminal 30 composed of a bump formed in the.

외부 접속 단자(30)를 갖는 반도체 칩(10)을 포함하는 반도체 패키지(100)는 도 1에 참조부호 40으로 도시된 테스트 소켓에 실장 되고, 테스트 소켓(40)에 실장 된 반도체 패키지(100)는 테스트 소켓(40)에 배치된 신호 입출력 단자를 통해 제공된 테스트 신호에 의하여 테스트 된다.The semiconductor package 100 including the semiconductor chip 10 having an external connection terminal 30 is mounted in a test socket indicated by reference numeral 40 in FIG. 1, and the semiconductor package 100 mounted in the test socket 40. Is tested by a test signal provided through a signal input / output terminal disposed in the test socket 40.

한편, 테스트 소켓(40)에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 패키지가 실장되어 테스트 될 수 없다. 예를 들어, 테스트 소켓(40)보다 큰 사이즈를 갖는 반도체 패키지는 테스트 소켓(40)의 내부에 실장 될 수 없기 때문에 반도체 패키지(100)의 테스트 역시 불가하다. 또한, 테스트 소켓(40)보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지의 경우 테스트 소켓(40) 내부에 실장은 가능하지만, 반도체 패키지가 테스트 소켓(40) 내부에서 움직이게 되고 이로 인해 빈번한 테스트 불량이 발생 된다.Meanwhile, semiconductor packages having different sizes may be mounted and tested in the test socket 40. For example, since the semiconductor package having a size larger than that of the test socket 40 cannot be mounted inside the test socket 40, the test of the semiconductor package 100 is also impossible. In addition, in the case of a semiconductor package having a smaller size than the test socket 40, the semiconductor package may be mounted inside the test socket 40, but the semiconductor package may move inside the test socket 40, thereby causing frequent test failures.

본 실시예에서는 테스트 소켓(40)보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지를 반도체 패키지의 사이즈보다 큰 테스트 소켓(40)에 실장 하여 테스트할 수 있도록 하기 위해 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부(20)가 배치된다.In this embodiment, in order to be able to test a semiconductor package having a size smaller than that of the test socket 40 by mounting it in the test socket 40 larger than the size of the semiconductor package (100) in the side surface of the semiconductor package 100 20) is arranged.

면적 조절용 몰딩부(20)는 반도체 패키지(100)의 반도체 칩(10)의 측면에 배치된다. 면적 조절용 몰딩부(20)는 반도체 패키지(100)를 테스트 소켓(40)에 실장하였을 때 테스트 소켓(40) 내부에서 반도체 패키지(100)가 유동되지 않기에 적합한 크기를 갖는다.The area adjusting molding part 20 is disposed on the side surface of the semiconductor chip 10 of the semiconductor package 100. The area control molding part 20 has a size suitable for preventing the semiconductor package 100 from flowing in the test socket 40 when the semiconductor package 100 is mounted on the test socket 40.

본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(20)는 반도체 패키지(100)의 반도체 칩(10)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 이와 다르게 면적 조절용 몰딩부(20)는 복수개가 일정 간격으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(20)는 복수개가 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the area adjusting molding part 20 may be disposed along the side surface of the semiconductor chip 10 of the semiconductor package 100. Alternatively, the plurality of area control molding part 20 may be formed at regular intervals. Alternatively, the area adjusting molding part 20 may be formed in a plurality of irregular intervals.

한편, 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(20)의 두께는 반도체 칩(10)의 두 께와 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(20)의 두께는 반도체 칩(10)의 두께보다 작게 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(20)는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the thickness of the area adjusting molding part 20 may be substantially the same as the thickness of the semiconductor chip 10. Alternatively, the thickness of the area control molding part 20 may be smaller than the thickness of the semiconductor chip 10. In the present embodiment, the area adjusting molding part 20 may include an epoxy resin.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 반도체 패키지(200)는 반도체 칩(110), 면적 조절용 몰딩부(120) 및 두께 조절용 몰딩부(123)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the semiconductor package 200 includes a semiconductor chip 110, an area control molding part 120, and a thickness control molding part 123.

본 실시예에서, 반도체 패키지(200)는 반도체 칩(110)의 평면적의 100% 내지 110%에 불과한 웨이퍼 레벨 반도체 패키지일 수 있다.In the present embodiment, the semiconductor package 200 may be a wafer level semiconductor package that is only 100% to 110% of the planar area of the semiconductor chip 110.

반도체 칩(110)은 다량의 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부(미도시), 저장된 데이터를 처리하기 위한 회로부(미도시) 및, 본딩 패드 및 본딩 패드 상에 형성된 범프로 구성된 외부 접속 단자(130)를 포함한다.The semiconductor chip 110 may include a data storage unit (not shown) for storing a large amount of data, a circuit unit (not shown) for processing stored data, and an external connection terminal 130 including a bonding pad and a bump formed on the bonding pad. ).

외부 접속 단자(130)를 갖는 반도체 칩(110)을 포함하는 반도체 패키지(200)는 테스트 소켓(미도시)에 실장 되고, 테스트 소켓에 실장 된 반도체 패키지(200)는 테스트 소켓에 배치된 신호 입출력 단자를 통해 제공된 테스트 신호에 의하여 테스트 된다.The semiconductor package 200 including the semiconductor chip 110 having an external connection terminal 130 is mounted in a test socket (not shown), and the semiconductor package 200 mounted in the test socket is a signal input / output disposed in the test socket. It is tested by the test signal provided through the terminal.

한편, 테스트 소켓에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 패키지가 실장 되어 테스트 될 수 없다. 예를 들어, 테스트 소켓보다 큰 평면적 및 두꺼운 두께를 갖는 반도체 패키지는 테스트 소켓의 내부에 실장될 수 없기 때문에 반도체 패키지의 테스트 역시 불가하다. 또한, 테스트 소켓보다 작은 평면적 및 얇은 두께를 갖는 반도체 패키지의 경우 테스트 소켓 내부에 실장은 가능하지만, 반도체 패키지가 테스 트 소켓 내부에서 상하좌우로 움직이게 되고 이로 인해 빈번한 테스트 불량이 발생 된다.Meanwhile, semiconductor packages having different sizes may be mounted on the test sockets and thus may not be tested. For example, testing of a semiconductor package is also impossible because a semiconductor package having a planar and thicker thickness than the test socket cannot be mounted inside the test socket. In addition, in the case of a semiconductor package having a planar thickness and a thinner thickness than that of the test socket, the semiconductor package can be mounted inside the test socket, but the semiconductor package moves up, down, left, and right inside the test socket, which causes frequent test failures.

본 실시예에서는 테스트 소켓보다 작은 평면적 및 얇은 두께를 갖는 반도체 패키지를 반도체 패키지의 평면적보다 큰 테스트 소켓에 실장 하여 테스트 할 수 있도록 하기 위해 반도체 패키지(200)의 측면에는 반도체 패키지(200)의 좌우 움직임을 방지하는 면적 조절용 몰딩부(120)가 배치되고, 반도체 패키지(200)의 상면에는 반도체 패키지(200)의 상하 움직임을 방지하는 두께 조절용 몰딩부(123)가 배치된다.In this embodiment, the semiconductor package 200 is moved to the left and right sides of the semiconductor package 200 in order to mount and test the semiconductor package having a planar thickness and a thinner thickness than the test socket in a test socket larger than the planar surface of the semiconductor package. An area control molding part 120 is disposed to prevent the gap, and a thickness control molding part 123 is disposed on an upper surface of the semiconductor package 200 to prevent vertical movement of the semiconductor package 200.

면적 조절용 몰딩부(120)는 반도체 패키지(200)의 반도체 칩(110)의 측면에 배치된다. 면적 조절용 몰딩부(120)는 반도체 패키지(200)를 테스트 소켓에 실장하였을 때 테스트 소켓 내부에서 좌우로 반도체 패키지(200)가 유동되지 않기에 적합한 크기를 갖는다.The area adjusting molding part 120 is disposed on the side surface of the semiconductor chip 110 of the semiconductor package 200. The area control molding part 120 has a size suitable for preventing the semiconductor package 200 from flowing left and right inside the test socket when the semiconductor package 200 is mounted in the test socket.

본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(120)는 반도체 패키지(200)의 반도체 칩(110)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 이와 다르게 면적 조절용 몰딩부(120)는 복수개가 일정 간격으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(120)는 복수개가 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다.In the present embodiment, the area adjusting molding part 120 may be disposed along the side surface of the semiconductor chip 110 of the semiconductor package 200. Alternatively, a plurality of the area adjusting molding part 120 may be formed at regular intervals. Alternatively, the area adjusting molding part 120 may be formed in a plurality of irregular intervals.

한편, 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(120)의 두께는 반도체 칩(110)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(120)의 두께는 반도체 칩(110)의 두께보다 작게 형성될 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the thickness of the area adjusting molding part 120 may be substantially the same as the thickness of the semiconductor chip 110. Alternatively, the thickness of the area adjusting molding part 120 may be smaller than the thickness of the semiconductor chip 110.

또한, 반도체 패키지(200)의 상면에 형성된 두께 조절용 몰딩부(123)는 반도 체 패키지(200)의 두께가 테스트 소켓의 높이보다 낮아 반도체 패키지(200)가 테스트 소켓 내부에서 상하 방향으로 움직이는 것을 방지하여 반도체 패키지(200)가 안정적으로 테스트 되도록 한다.In addition, the thickness adjusting molding part 123 formed on the upper surface of the semiconductor package 200 prevents the semiconductor package 200 from moving upward and downward in the test socket because the thickness of the semiconductor package 200 is lower than the height of the test socket. The semiconductor package 200 is stably tested.

본 실시예에서, 두께 조절용 몰딩부(123)는 반도체 패키지(200)의 상면을 노출하는 적어도 하나의 개구(124)를 포함하며, 두께 조절용 몰딩부(123) 및 면적 조절용 몰딩부(123)는, 예를 들어, 에폭시 수지를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the thickness control molding part 123 includes at least one opening 124 exposing the top surface of the semiconductor package 200, and the thickness control molding part 123 and the area control molding part 123 are For example, it may include an epoxy resin.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package in accordance with another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 반도체 패키지(300)는 기판(320), 반도체 칩(310), 도전성 와이어(330), 몰딩부(335) 및 두께 조절용 몰딩부(350)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the semiconductor package 300 includes a substrate 320, a semiconductor chip 310, a conductive wire 330, a molding part 335, and a molding part 350 for thickness control.

본 실시예에서, 기판(320)은 인쇄회로기판일 수 있고, 기판(320)의 상면에는 본드 핑거(325)들이 배치되고, 기판(320)의 후면에는 솔더볼과 같은 도전볼(328)이 실장되는 볼 랜드(327)가 배치된다. 볼 랜드(327) 및 본드 핑거(325)는 전기적으로 연결된다.In the present embodiment, the substrate 320 may be a printed circuit board, bond fingers 325 are disposed on the upper surface of the substrate 320, and conductive balls such as solder balls are mounted on the rear surface of the substrate 320. A ball land 327 is disposed. Ball land 327 and bond finger 325 are electrically connected.

반도체 칩(310)은 기판(320)의 상면에 배치된다. 본 실시예에서, 반도체 칩(310)은 외부 접속 단자에 해당하는 복수개의 본딩 패드(315)들을 갖고, 본딩 패드(315)들은 도전성 와이어(330)에 의하여 기판(320)의 상면에 배치된 본드 핑거(325)와 전기적으로 연결된다.The semiconductor chip 310 is disposed on the top surface of the substrate 320. In this embodiment, the semiconductor chip 310 has a plurality of bonding pads 315 corresponding to external connection terminals, and the bonding pads 315 are bonded to the top surface of the substrate 320 by the conductive wires 330. It is electrically connected with the finger 325.

반도체 칩(310) 및 기판(320)은, 예를 들어, 접착 부재(337)에 의하여 상호 접착된다.The semiconductor chip 310 and the substrate 320 are bonded to each other by, for example, an adhesive member 337.

몰딩부(335)는 반도체 칩(310) 및 도전성 와이어(330)를 몰딩한다. 본 실시 예에서, 몰딩부(335)는 에폭시 수지일 수 있다.The molding part 335 molds the semiconductor chip 310 and the conductive wire 330. In the present embodiment, the molding part 335 may be an epoxy resin.

기판(320), 반도체 칩(310), 도전성 와이어(330) 및 몰딩부(335)를 포함하는 반도체 패키지(300)는 도 3에 참조부호 340으로 도시된 테스트 소켓에 실장 되고, 테스트 소켓(340)에 실장 된 반도체 패키지(300)는 테스트 소켓(340)에 배치된 신호 입출력 단자를 통해 제공된 테스트 신호에 의하여 테스트 된다.The semiconductor package 300 including the substrate 320, the semiconductor chip 310, the conductive wire 330, and the molding part 335 is mounted in a test socket, which is indicated by reference numeral 340 in FIG. 3, and the test socket 340. The semiconductor package 300 mounted on the C) is tested by a test signal provided through a signal input / output terminal disposed in the test socket 340.

한편, 테스트 소켓(340)에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 패키지가 실장되어 테스트 될 수 없다. 예를 들어, 테스트 소켓(340)보다 큰 사이즈를 갖는 반도체 패키지는 테스트 소켓(340)의 내부에 실장될 수 없기 때문에 반도체 패키지(300)의 테스트 역시 불가하다. 또한, 테스트 소켓(340)보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지의 경우 테스트 소켓(340) 내부에 실장은 가능하지만, 반도체 패키지가 테스트 소켓(340) 내부에서 움직이게 되고 이로 인해 빈번한 테스트 불량이 발생 된다.Meanwhile, semiconductor packages having different sizes may be mounted on the test socket 340 to be tested. For example, since the semiconductor package having a larger size than the test socket 340 cannot be mounted inside the test socket 340, the semiconductor package 300 may not be tested. In addition, in the case of a semiconductor package having a smaller size than the test socket 340, it is possible to mount the inside of the test socket 340, but the semiconductor package moves inside the test socket 340, which causes frequent test failures.

본 실시예에서는 테스트 소켓(340)보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지를 반도체 패키지의 사이즈보다 큰 테스트 소켓(340)에 실장 하여 테스트할 수 있도록 하기 위해 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부(350)가 배치된다.In this embodiment, in order to be able to test a semiconductor package having a size smaller than that of the test socket 340 by mounting the test socket 340 larger than the size of the semiconductor package (100) in the side surface of the semiconductor package 100 350 is disposed.

면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)의 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 배치될 수 있다. 면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)를 테스트 소켓(340)에 실장하였을 때 테스트 소켓(340) 내부에서 반도체 패키지(300)가 유동되지 않기에 적합한 크기를 갖는다.The area adjustment molding part 350 may be disposed on side surfaces of the substrate 320 and the molding part 335 of the semiconductor package 300. The area control molding part 350 has a size suitable for preventing the semiconductor package 300 from flowing in the test socket 340 when the semiconductor package 300 is mounted in the test socket 340.

본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)의 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 이와 다르게 면적 조절용 몰딩 부(350)는 복수개가 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(20)는 복수개가 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the area adjusting molding part 350 may be disposed along side surfaces of the substrate 320 and the molding part 335 of the semiconductor package 300. Unlike this, the plurality of area adjusting molding parts 350 may be formed at predetermined intervals on the side surfaces of the substrate 320 and the molding part 335. Alternatively, the plurality of area adjusting molding parts 20 may be formed at irregular intervals on the side surfaces of the substrate 320 and the molding part 335.

한편, 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)의 두께는 반도체 칩(310)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(350)의 두께는 반도체 칩(310)의 두께보다 작게 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the thickness of the area adjusting molding part 350 may be substantially the same as the thickness of the semiconductor chip 310. Alternatively, the thickness of the area adjusting molding part 350 may be smaller than the thickness of the semiconductor chip 310. In the present embodiment, the area control molding part 350 may include an epoxy resin.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package in accordance with another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 반도체 패키지(300)는 기판(320), 반도체 칩(310), 도전성 와이어(330), 몰딩부(335), 두께 조절용 몰딩부(350) 및 높이 조절용 몰딩부(352)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the semiconductor package 300 includes a substrate 320, a semiconductor chip 310, a conductive wire 330, a molding part 335, a thickness control molding part 350, and a height control molding part 352. It includes.

본 실시예에서, 기판(320)은 인쇄회로기판일 수 있고, 기판(320)의 상면에는 본드 핑거(325)들이 배치되고, 기판(320)의 후면에는 솔더볼과 같은 도전볼(328)이 실장되는 볼 랜드(327)가 배치된다. 볼 랜드(327) 및 본드 핑거(325)는 전기적으로 연결된다.In the present embodiment, the substrate 320 may be a printed circuit board, bond fingers 325 are disposed on the upper surface of the substrate 320, and conductive balls such as solder balls are mounted on the rear surface of the substrate 320. A ball land 327 is disposed. Ball land 327 and bond finger 325 are electrically connected.

반도체 칩(310)은 기판(320)의 상면에 배치된다. 본 실시예에서, 반도체 칩(310)은 외부 접속 단자에 해당하는 복수개의 본딩 패드(315)들을 갖고, 본딩 패드(315)들은 도전성 와이어(330)에 의하여 기판(320)의 상면에 배치된 본드 핑거(325)와 전기적으로 연결된다.The semiconductor chip 310 is disposed on the top surface of the substrate 320. In this embodiment, the semiconductor chip 310 has a plurality of bonding pads 315 corresponding to external connection terminals, and the bonding pads 315 are bonded to the top surface of the substrate 320 by the conductive wires 330. It is electrically connected with the finger 325.

반도체 칩(310) 및 기판(320)은, 예를 들어, 접착 부재(337)에 의하여 상호 접착된다.The semiconductor chip 310 and the substrate 320 are bonded to each other by, for example, an adhesive member 337.

몰딩부(335)는 반도체 칩(310) 및 도전성 와이어(330)를 몰딩한다. 본 실시예에서, 몰딩부(335)는 에폭시 수지일 수 있다.The molding part 335 molds the semiconductor chip 310 and the conductive wire 330. In the present embodiment, the molding part 335 may be an epoxy resin.

기판(320), 반도체 칩(310), 도전성 와이어(330) 및 몰딩부(335)를 포함하는 반도체 패키지(300)는 테스트 소켓(미도시)에 실장 되고, 테스트 소켓에 실장 된 반도체 패키지(300)는 테스트 소켓에 배치된 신호 입출력 단자를 통해 제공된 테스트 신호에 의하여 테스트 된다.The semiconductor package 300 including the substrate 320, the semiconductor chip 310, the conductive wire 330, and the molding unit 335 is mounted in a test socket (not shown), and the semiconductor package 300 mounted in the test socket. ) Is tested by the test signal provided through the signal input and output terminals placed in the test socket.

한편, 테스트 소켓에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 패키지가 실장 되어 테스트 될 수 없다. 예를 들어, 테스트 소켓보다 큰 사이즈를 갖는 반도체 패키지는 테스트 소켓의 내부에 실장될 수 없기 때문에 반도체 패키지(300)의 테스트 역시 불가하다. 또한, 테스트 소켓보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지의 경우 테스트 소켓 내부에 실장은 가능하지만, 반도체 패키지가 테스트 소켓 내부에서 상하좌우로 움직이게 되고 이로 인해 빈번한 테스트 불량이 발생 된다.Meanwhile, semiconductor packages having different sizes may be mounted on the test sockets and thus may not be tested. For example, since the semiconductor package having a size larger than that of the test socket cannot be mounted inside the test socket, the test of the semiconductor package 300 is also impossible. In addition, the semiconductor package having a smaller size than the test socket can be mounted inside the test socket, but the semiconductor package moves up, down, left, and right inside the test socket, which causes frequent test failures.

본 실시예에서는 테스트 소켓보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지를 반도체 패키지의 사이즈보다 큰 테스트 소켓에 실장 하여 좌우 움직임 없이 테스트할 수 있도록 하기 위해 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부(350)가 배치된다.In this embodiment, in order to be able to test a semiconductor package having a size smaller than the test socket in a test socket larger than the size of the semiconductor package without lateral movement, the molding portion 350 for adjusting the area is formed on the side of the semiconductor package 100. Is placed.

면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)의 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 배치될 수 있다. 면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)를 테스트 소켓에 실장하였을 때 테스트 소켓 내부에서 반도체 패키지(300)가 유동되지 않 기에 적합한 크기를 갖는다.The area adjustment molding part 350 may be disposed on side surfaces of the substrate 320 and the molding part 335 of the semiconductor package 300. The area control molding part 350 has a size suitable for preventing the semiconductor package 300 from flowing in the test socket when the semiconductor package 300 is mounted in the test socket.

본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)의 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 이와 다르게 면적 조절용 몰딩부(350)는 복수개가 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(350)는 복수개가 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the area adjusting molding part 350 may be disposed along side surfaces of the substrate 320 and the molding part 335 of the semiconductor package 300. Unlike this, a plurality of molding portions 350 may be formed at predetermined intervals on the side surfaces of the substrate 320 and the molding portion 335. Alternatively, the plurality of area control molding parts 350 may be formed at irregular intervals on the side surfaces of the substrate 320 and the molding part 335.

한편, 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)의 두께는 반도체 칩(310)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(350)의 두께는 반도체 칩(310)의 두께보다 작게 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the thickness of the area adjusting molding part 350 may be substantially the same as the thickness of the semiconductor chip 310. Alternatively, the thickness of the area adjusting molding part 350 may be smaller than the thickness of the semiconductor chip 310. In the present embodiment, the area control molding part 350 may include an epoxy resin.

한편, 높이 조절용 몰딩부(352)는 반도체 패키지(300)의 몰딩부(335)의 상면 상에 배치된다. 높이 조절용 몰딩부(352)는 반도체 패키지(300)가 테스트 소켓에 실장된 상태에서 테스트 소켓 내부에서 반도체 패키지(300)가 상하로 움직이는 것을 방지하여 안정적으로 반도체 패키지(300)가 안정적으로 테스트 될 수 있도록 한다. 본 실시예에서, 높이 조절용 몰딩부(356)는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Meanwhile, the height adjusting molding part 352 is disposed on the upper surface of the molding part 335 of the semiconductor package 300. The height adjustment molding part 352 may stably test the semiconductor package 300 by preventing the semiconductor package 300 from moving up and down inside the test socket while the semiconductor package 300 is mounted in the test socket. Make sure In the present embodiment, the height adjusting molding part 356 may include an epoxy resin.

도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 패키지의 제조 공정을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 먼저, 다량의 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부(미도시), 저장된 데이터를 처리하기 위한 회로부(미도시) 및 데이터 또는 신호를 입력 및/또는 출력하기 위한 본딩 패드 및 본딩 패드 상에 형성된 범프로 구성된 외부 접속 단자(30)를 포함하는 반도체 패키지(100)가 제조된다.Referring to FIG. 5, first, a data storage unit (not shown) for storing a large amount of data, a circuit unit (not shown) for processing stored data, and a bonding pad and bonding for inputting and / or outputting data or signals A semiconductor package 100 including an external connection terminal 30 composed of a bump formed on a pad is manufactured.

이어서, 반도체 패키지(100)를 테스트 소켓에 결합하여 테스트를 수행하기 이전에 반도체 패키지(100)가 테스트 소켓에 정확하게 실장 될 수 있도록 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부를 형성한다.Subsequently, before the test is performed by coupling the semiconductor package 100 to the test socket, an area adjusting molding part is formed on the side of the semiconductor package 100 so that the semiconductor package 100 can be accurately mounted on the test socket.

면적 조절용 몰딩부를 형성하기 위하여 반도체 패키지(100)는 먼저, 하부 금형(410)에 배치된다. 하부 금형(410)은 반도체 패키지(100)의 외부 접속 단자(30)를 수납하는 리세스(415)를 포함한다. 리세스의 깊이는 외부접속 단자(30)가 리세스(415)가 형성된 하부 금형(410)의 바닥면과 접촉하지 않을 정도면 충분하고, 리세스(415)의 폭은 반도체 패키지(100)가 걸쳐지는 정도면 충분하다.In order to form the area adjusting molding part, the semiconductor package 100 is first disposed on the lower mold 410. The lower mold 410 includes a recess 415 for receiving the external connection terminal 30 of the semiconductor package 100. The depth of the recess is sufficient such that the external connection terminal 30 does not contact the bottom surface of the lower mold 410 on which the recess 415 is formed, and the width of the recess 415 is defined by the semiconductor package 100. Sufficient enough is enough.

도 6은 도 5에 도시된 상부 금형 및 하부 금형이 결합된 상태를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a state in which the upper mold and the lower mold illustrated in FIG. 5 are combined.

도 6을 참조하면, 하부 금형(410)에는 상부 금형(420)이 되었을 때,반도체 패키지(100)의 측면에는 선택적으로 캐비티가 형성되고, 반도체 패키지(100)의 상면은 완충 부재(425)를 갖는 상부 금형(420)과 밀착된다.Referring to FIG. 6, when the upper mold 420 is formed in the lower mold 410, a cavity is selectively formed on the side surface of the semiconductor package 100, and the upper surface of the semiconductor package 100 may be formed of the buffer member 425. It is in close contact with the upper mold 420 having.

하부 금형(410) 및 상부 금형(420)이 결합된 상태에서 캐비티로는 에폭시 수지와 같은 몰딩 물질이 주입되어 반도체 패키지(100)의 측면에는 면적 조절용 몰딩부(20)가 형성된다.In the state in which the lower mold 410 and the upper mold 420 are coupled, a molding material such as an epoxy resin is injected into the cavity to form an area control molding part 20 on the side surface of the semiconductor package 100.

도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지의 제조방법을 도시한 단면도들이다.7 and 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package in accordance with another embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8을 참조하면, 다량의 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부(미 도시), 저장된 데이터를 처리하기 위한 회로부(미도시) 및 데이터 또는 신호를 입력 및/또는 출력하기 위한 본딩 패드 및 본딩 패드 상에 형성된 범프로 구성된 외부 접속 단자(30)를 포함하는 반도체 패키지(100)가 제조된다.7 and 8, a data storage unit (not shown) for storing a large amount of data, a circuit unit (not shown) for processing stored data, and a bonding pad for inputting and / or outputting data or signals; A semiconductor package 100 including an external connection terminal 30 formed of a bump formed on a bonding pad is manufactured.

이어서, 반도체 패키지(100)를 테스트 소켓에 결합하여 테스트를 수행하기 이전에 반도체 패키지(100)가 테스트 소켓에 정확하게 실장 될 수 있도록 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부가 형성되고 반도체 패키지(100)의 상면에는 두께 조절용 몰딩부가 형성된다.Subsequently, before the test is performed by coupling the semiconductor package 100 to the test socket, an area adjusting molding part is formed on the side of the semiconductor package 100 so that the semiconductor package 100 can be accurately mounted on the test socket, and the semiconductor package ( The molding part for thickness adjustment is formed on the upper surface of 100).

면적 조절용 몰딩부 및 두게 조절용 몰딩부를 형성하기 위하여 반도체 패키지(100)는 먼저, 하부 금형(410)에 배치된다. 하부 금형(410)은 반도체 패키지(100)의 외부 접속 단자(30)를 수납하는 리세스(415)를 포함한다. 리세스의 깊이는 외부접속 단자(30)가 리세스(415)가 형성된 하부 금형(410)의 바닥면과 접촉하지 않을 정도면 충분하고, 리세스(415)의 폭은 반도체 패키지(100)가 걸쳐지는 정도면 충분하다. In order to form the area adjusting molding part and the thickness adjusting molding part, the semiconductor package 100 is first disposed in the lower mold 410. The lower mold 410 includes a recess 415 for receiving the external connection terminal 30 of the semiconductor package 100. The depth of the recess is sufficient such that the external connection terminal 30 does not contact the bottom surface of the lower mold 410 on which the recess 415 is formed, and the width of the recess 415 is defined by the semiconductor package 100. Sufficient enough is enough.

하부 금형(410)에는 상부 금형(420)이 결합 되었을 때,반도체 패키지(100)의 측면에는 선택적으로 제1 캐비티가 형성되고, 반도체 패키지(100)의 상면의 상부로는 제2 캐비티가 형성된다. 이때, 반도체 패키지(100)의 상면의 일부를 눌러 고정하기 위해 상부 금형(420)의 내측면에는 복수개의 고정 돌기(427)가 형성될 수 있다. 하부 금형(410) 및 상부 금형(420)이 상호 결합 된 상태에서 제1 캐비티 및 제2 캐비티로 에폭시 수지와 같은 몰딩 물질이 주입되어 반도체 패키지(100)의 측면에는 면적 조절용 몰딩부(20)가 형성되고, 반도체 패키지(100)의 상면에는 두께 조 절용 몰딩부(20)가 형성된다.When the upper mold 420 is coupled to the lower mold 410, a first cavity is selectively formed on the side surface of the semiconductor package 100, and a second cavity is formed on the upper surface of the semiconductor package 100. . In this case, a plurality of fixing protrusions 427 may be formed on the inner surface of the upper mold 420 to press and fix a portion of the upper surface of the semiconductor package 100. In the state in which the lower mold 410 and the upper mold 420 are coupled to each other, a molding material such as an epoxy resin is injected into the first cavity and the second cavity so that an area adjusting molding part 20 is formed on the side surface of the semiconductor package 100. The thickness adjusting molding part 20 is formed on the upper surface of the semiconductor package 100.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 반도체 패키지를 테스트하는 테스트 소켓보다 작은 반도체 패키지의 경우 반도체 패키지의 측면 및/또는 상면에 면적 및/또는 두께를 조절하는 몰딩부를 별도로 형성하여 하나의 테스트 소켓에 서로 다른 사이즈를 갖는 반도체 칩을 테스트할 수 있도록 하는 장점을 갖는다.As described in detail above, in the case of a semiconductor package smaller than a test socket for testing a semiconductor package, a molding part for adjusting an area and / or a thickness may be separately formed on the side and / or the top surface of the semiconductor package, thereby different from each other. It has the advantage of being able to test a semiconductor chip having a size.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the detailed description of the present invention has been described with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. It will be appreciated that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the art.

Claims (11)

외부 접속 단자를 구비한 반도체 칩; 및A semiconductor chip having an external connection terminal; And 상기 반도체 칩의 평면적보다 큰 평면적을 갖는 테스트 소켓에 상기 반도체 칩을 장착하기 위해 상기 반도체 칩의 측면을 따라 배치된 면적 조절용 몰딩부;An area adjusting molding part disposed along a side of the semiconductor chip to mount the semiconductor chip to a test socket having a planar area larger than that of the semiconductor chip; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.Semiconductor package comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 면적 조절용 몰딩부는 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The area control molding part is a semiconductor package, characterized in that it comprises an epoxy resin. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 테스트 소켓의 높이 및 상기 반도체 칩의 두께 편차를 감소시키기 위해 상기 반도체 칩의 상면을 덮는 두께 조절용 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And a thickness adjusting molding part covering an upper surface of the semiconductor chip in order to reduce height of the test socket and thickness variation of the semiconductor chip. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 두께 조절용 몰딩부는 상기 반도체 칩의 상면을 노출하는 적어도 하나의 개구를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And the thickness adjusting molding part has at least one opening exposing the top surface of the semiconductor chip. 외부 접속 단자를 갖는 기판, 상기 기판상에 배치되며 상기 외부 접속 단자와 연결된 반도체 칩 및 상기 반도체 칩을 덮는 몰딩부를 포함하는 반도체 패키지에 있어서,A semiconductor package comprising a substrate having an external connection terminal, a semiconductor chip disposed on the substrate and connected to the external connection terminal, and a molding part covering the semiconductor chip. 상기 기판의 평면적 보다 큰 평면적을 갖는 테스트 소켓에 상기 반도체 패키지를 장착하기 위해 상기 몰딩부의 측면에 배치된 면적 조절용 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And an area adjusting molding part disposed at a side of the molding part to mount the semiconductor package to a test socket having a plane area larger than that of the substrate. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, wherein 상기 몰딩부 및 상기 면적 조절용 몰딩부는 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The molding part and the area control molding part is a semiconductor package, characterized in that it comprises an epoxy resin. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, wherein 상기 몰딩부의 상면에는 상기 테스트 소켓 및 상기 반도체 패키지의 높이 편차를 감소시키기 위한 두께 조절용 몰딩부가 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.A semiconductor package, characterized in that the molding portion for adjusting the thickness to reduce the height deviation of the test socket and the semiconductor package on the upper surface of the molding portion. 하부 금형에 형성된 제1 캐피티 내부에 반도체 패키지의 외부 접속 단자를 수납하는 단계;Accommodating external connection terminals of the semiconductor package in a first cavity formed in the lower mold; 상기 반도체 패키지의 평면적보다 큰 제2 캐비티를 갖는 상부 금형을 상기 하부 금형과 결합하는 단계; 및Coupling an upper mold having a second cavity larger than a planar area of the semiconductor package with the lower mold; And 상기 반도체 패키지의 측면 및 상기 제2 캐비티 사이에 몰딩 수지를 주입하여 상기 반도체 패키지의 측면에 면적 조절용 몰딩부를 형성하는 단계;Injecting a molding resin between the side surface of the semiconductor package and the second cavity to form an area control molding part on the side surface of the semiconductor package; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.Method of manufacturing a semiconductor package comprising a. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 제2 캐비티 및 상기 반도체 패키지의 상면은 밀착되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.The second cavity and the upper surface of the semiconductor package is in close contact with the manufacturing method of the semiconductor package. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 제2 캐비티 및 상기 반도체 패키지의 상면 사이에는 갭이 형성되고, 상기 제2 캐비티에는 상기 반도체 패키지의 상면을 가압하는 적어도 1개의 돌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.A gap is formed between the second cavity and an upper surface of the semiconductor package, wherein the second cavity includes at least one protrusion for pressing the upper surface of the semiconductor package. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 면적 조절용 몰딩부를 갖는 상기 반도체 패키지를 테스트 소켓에 실장 하는 단계; 및 상기 반도체 패키지를 상기 테스트 소켓에서 테스트하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.Mounting the semiconductor package having the molding for adjusting the area in a test socket; And testing the semiconductor package in the test socket.
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