KR20080084276A - Semiconductor package and method of manufacturing thereof - Google Patents
Semiconductor package and method of manufacturing thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080084276A KR20080084276A KR1020070025743A KR20070025743A KR20080084276A KR 20080084276 A KR20080084276 A KR 20080084276A KR 1020070025743 A KR1020070025743 A KR 1020070025743A KR 20070025743 A KR20070025743 A KR 20070025743A KR 20080084276 A KR20080084276 A KR 20080084276A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor package
- molding part
- test socket
- semiconductor
- semiconductor chip
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 반도체 패키지 및 테스트 소켓을 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a semiconductor package and a test socket according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view showing a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도.4 is a sectional view showing a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 패키지의 제조 공정을 도시한 단면도.5 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 6은 도 5에 도시된 상부 금형 및 하부 금형이 결합된 상태를 도시한 단면도.6 is a cross-sectional view showing a state in which the upper mold and the lower mold shown in FIG.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지의 제조방법을 도시한 단면도7 and 8 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.
본 발명은 반도체 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package and a method of manufacturing the same.
반도체 소자는 순도 높은 실리콘으로 이루어진 실리콘 웨이퍼에 반도체 칩을 제조하는 반도체 칩 제조 공정(semiconductor chip manufactruing process), 반도체 칩을 전기적으로 검사하는 다이 소팅 공정(die sorting process), 양품 반도체 칩을 선별하여 패키징하는 반도체 패키징 공정(semiconductor packaging process) 및 반도체 패키지를 최종적으로 테스트하는 테스트 공정(test process)을 통해 제조된다.The semiconductor device is a semiconductor chip manufactruing process for manufacturing a semiconductor chip on a silicon wafer made of high-purity silicon, a die sorting process for electrically inspecting the semiconductor chip, and selecting and packaging good semiconductor chips. It is manufactured through a semiconductor packaging process (semiconductor packaging process) and a test process (test process) to finally test the semiconductor package.
이들 공정 중 테스트 공정은 테스트 소켓을 이용하여 이루어진다. 테스트 소켓은 제작된 반도체 패키지를 실장한 후 반도체 패키지에 테스트 신호를 인가하여 반도체 패키지가 정상 작동하는가를 테스트한다.Among these processes, the test process is performed using a test socket. The test socket mounts the manufactured semiconductor package and applies a test signal to the semiconductor package to test whether the semiconductor package is operating normally.
최근 들어, 반도체 패키지 제조 공정의 개발과 함께 반도체 패키지의 사이즈는 매우 다양해지고 있다.In recent years, with the development of a semiconductor package manufacturing process, the size of a semiconductor package has become very diverse.
그러나, 반도체 패키지의 사이즈가 다양해짐에 따라 반도체 패키지를 최종적으로 테스트하는 테스트 소켓의 사이즈 역시 반도체 패키지의 사이즈에 대응하여 각각 개발되어야 하고, 특히 보다 작은 사이즈로 개발된 반도체 패키지는 반도체 패키지보다 큰 테스트 소켓에 실장하여 테스트하기 어렵다.However, as the size of the semiconductor package varies, the size of the test socket for finally testing the semiconductor package must also be developed corresponding to the size of the semiconductor package, and in particular, a semiconductor package developed in a smaller size is larger than the semiconductor package. Difficult to test by mounting on a socket.
결국, 반도체 패키지의 사이즈가 서로 다를 경우 서로 다른 반도체 패키지 각각에 대응하여 테스트 소켓을 새롭게 제작해야 하기 때문에 반도체 패키지의 생산 원가를 상승시키는 문제점을 갖는다.As a result, when the size of the semiconductor package is different from each other, a test socket must be newly manufactured to correspond to each of the different semiconductor packages, thereby increasing the production cost of the semiconductor package.
본 발명은 반도체 패키지의 부피를 조절하여 기 제작된 테스트 소켓에 실장 될 수 있는 반도체 패키지를 제공한다. The present invention provides a semiconductor package that can be mounted in a test socket manufactured by adjusting the volume of the semiconductor package.
또한, 본 발명은 상기 반도체 패키지의 제조방법을 제공한다. In addition, the present invention provides a method of manufacturing the semiconductor package.
본 발명에 따른 반도체 패키지는, 외부 접속 단자를 구비한 반도체 칩; 및 상기 반도체 칩의 평면적 보다 큰 평면적을 갖는 테스트 소켓에 상기 반도체 칩을 장착하기 위해 상기 반도체 칩의 측면을 따라 배치된 면적 조절용 몰딩부;를 포함한다.A semiconductor package according to the present invention includes a semiconductor chip having an external connection terminal; And an area adjusting molding part disposed along a side of the semiconductor chip to mount the semiconductor chip to a test socket having a planar area larger than that of the semiconductor chip.
여기서, 상기 면적 조절용 몰딩부는 에폭시 수지를 포함한다. Here, the area control molding part comprises an epoxy resin.
상기 테스트 소켓의 높이 및 상기 반도체 칩의 두께 편차를 감소시키기 위해 상기 반도체 칩의 상면을 덮는 두께 조절용 몰딩부를 더 포함한다. The apparatus may further include a thickness adjusting molding part covering an upper surface of the semiconductor chip to reduce height of the test socket and thickness variation of the semiconductor chip.
상기 두께 조절용 몰딩부는 상기 반도체 칩의 상면을 노출하는 적어도 하나의 개구를 갖는다. The thickness control molding part has at least one opening exposing the top surface of the semiconductor chip.
또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 제조방법은, 하부 금형에 형성된 제1 캐피티 내부에 반도체 패키지의 외부 접속 단자를 수납하는 단계; 상기 반도체 패키지의 평면적보다 큰 제2 캐비티를 갖는 상부 금형을 상기 하부 금형과 결합하는 단계; 및 상기 반도체 패키지의 측면 및 상기 제2 캐비티 사이에 몰딩 수지를 주입하여 상기 반도체 패키지의 측면에 면적 조절용 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함한다.In addition, the method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention comprises the steps of: accommodating the external connection terminals of the semiconductor package inside the first cavity formed in the lower mold; Coupling an upper mold having a second cavity larger than a planar area of the semiconductor package with the lower mold; And forming an area adjusting molding part on a side surface of the semiconductor package by injecting a molding resin between the side surface of the semiconductor package and the second cavity.
여기서, 상기 제2 캐비티 및 상기 반도체 패키지의 상면은 밀착된다. Here, the upper surface of the second cavity and the semiconductor package is in close contact.
상기 제2 캐비티 및 상기 반도체 패키지의 상면 사이에는 갭이 형성되고, 상 기 제2 캐비티에는 상기 반도체 패키지의 상면을 가압하는 적어도 1개의 돌기를 포함한다. A gap is formed between the second cavity and the top surface of the semiconductor package, and the second cavity includes at least one protrusion for pressing the top surface of the semiconductor package.
상기 면적 조절용 몰딩부를 갖는 상기 반도체 패키지를 테스트 소켓에 실장 하는 단계; 및 상기 반도체 패키지를 상기 테스트 소켓에서 테스트하는 단계;를 더 포함한다. Mounting the semiconductor package having the molding for adjusting the area in a test socket; And testing the semiconductor package in the test socket.
(실시예)(Example)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 반도체 패키지 및 테스트 소켓을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package and a test socket according to a first embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 반도체 패키지(100)는 반도체 칩(10) 및 면적 조절용 몰딩부(20)를 포함한다.The
본 실시예에서, 반도체 패키지(100)는 반도체 칩(10)의 평면적의 100% 내지 110%에 불과한 웨이퍼 레벨 반도체 패키지일 수 있다.In the present embodiment, the
반도체 칩(10)은 다량의 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부(미도시), 저장된 데이터를 처리하기 위한 회로부(미도시) 및 데이터 또는 신호를 입력 및/또는 출력하기 위한 본딩 패드 및 본딩 패드 상에 형성된 범프로 구성된 외부 접속 단자(30)를 포함한다.The
외부 접속 단자(30)를 갖는 반도체 칩(10)을 포함하는 반도체 패키지(100)는 도 1에 참조부호 40으로 도시된 테스트 소켓에 실장 되고, 테스트 소켓(40)에 실장 된 반도체 패키지(100)는 테스트 소켓(40)에 배치된 신호 입출력 단자를 통해 제공된 테스트 신호에 의하여 테스트 된다.The
한편, 테스트 소켓(40)에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 패키지가 실장되어 테스트 될 수 없다. 예를 들어, 테스트 소켓(40)보다 큰 사이즈를 갖는 반도체 패키지는 테스트 소켓(40)의 내부에 실장 될 수 없기 때문에 반도체 패키지(100)의 테스트 역시 불가하다. 또한, 테스트 소켓(40)보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지의 경우 테스트 소켓(40) 내부에 실장은 가능하지만, 반도체 패키지가 테스트 소켓(40) 내부에서 움직이게 되고 이로 인해 빈번한 테스트 불량이 발생 된다.Meanwhile, semiconductor packages having different sizes may be mounted and tested in the
본 실시예에서는 테스트 소켓(40)보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지를 반도체 패키지의 사이즈보다 큰 테스트 소켓(40)에 실장 하여 테스트할 수 있도록 하기 위해 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부(20)가 배치된다.In this embodiment, in order to be able to test a semiconductor package having a size smaller than that of the
면적 조절용 몰딩부(20)는 반도체 패키지(100)의 반도체 칩(10)의 측면에 배치된다. 면적 조절용 몰딩부(20)는 반도체 패키지(100)를 테스트 소켓(40)에 실장하였을 때 테스트 소켓(40) 내부에서 반도체 패키지(100)가 유동되지 않기에 적합한 크기를 갖는다.The area adjusting
본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(20)는 반도체 패키지(100)의 반도체 칩(10)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 이와 다르게 면적 조절용 몰딩부(20)는 복수개가 일정 간격으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(20)는 복수개가 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the area adjusting
한편, 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(20)의 두께는 반도체 칩(10)의 두 께와 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(20)의 두께는 반도체 칩(10)의 두께보다 작게 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(20)는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the thickness of the area adjusting molding
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 반도체 패키지(200)는 반도체 칩(110), 면적 조절용 몰딩부(120) 및 두께 조절용 몰딩부(123)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the
본 실시예에서, 반도체 패키지(200)는 반도체 칩(110)의 평면적의 100% 내지 110%에 불과한 웨이퍼 레벨 반도체 패키지일 수 있다.In the present embodiment, the
반도체 칩(110)은 다량의 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부(미도시), 저장된 데이터를 처리하기 위한 회로부(미도시) 및, 본딩 패드 및 본딩 패드 상에 형성된 범프로 구성된 외부 접속 단자(130)를 포함한다.The
외부 접속 단자(130)를 갖는 반도체 칩(110)을 포함하는 반도체 패키지(200)는 테스트 소켓(미도시)에 실장 되고, 테스트 소켓에 실장 된 반도체 패키지(200)는 테스트 소켓에 배치된 신호 입출력 단자를 통해 제공된 테스트 신호에 의하여 테스트 된다.The
한편, 테스트 소켓에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 패키지가 실장 되어 테스트 될 수 없다. 예를 들어, 테스트 소켓보다 큰 평면적 및 두꺼운 두께를 갖는 반도체 패키지는 테스트 소켓의 내부에 실장될 수 없기 때문에 반도체 패키지의 테스트 역시 불가하다. 또한, 테스트 소켓보다 작은 평면적 및 얇은 두께를 갖는 반도체 패키지의 경우 테스트 소켓 내부에 실장은 가능하지만, 반도체 패키지가 테스 트 소켓 내부에서 상하좌우로 움직이게 되고 이로 인해 빈번한 테스트 불량이 발생 된다.Meanwhile, semiconductor packages having different sizes may be mounted on the test sockets and thus may not be tested. For example, testing of a semiconductor package is also impossible because a semiconductor package having a planar and thicker thickness than the test socket cannot be mounted inside the test socket. In addition, in the case of a semiconductor package having a planar thickness and a thinner thickness than that of the test socket, the semiconductor package can be mounted inside the test socket, but the semiconductor package moves up, down, left, and right inside the test socket, which causes frequent test failures.
본 실시예에서는 테스트 소켓보다 작은 평면적 및 얇은 두께를 갖는 반도체 패키지를 반도체 패키지의 평면적보다 큰 테스트 소켓에 실장 하여 테스트 할 수 있도록 하기 위해 반도체 패키지(200)의 측면에는 반도체 패키지(200)의 좌우 움직임을 방지하는 면적 조절용 몰딩부(120)가 배치되고, 반도체 패키지(200)의 상면에는 반도체 패키지(200)의 상하 움직임을 방지하는 두께 조절용 몰딩부(123)가 배치된다.In this embodiment, the
면적 조절용 몰딩부(120)는 반도체 패키지(200)의 반도체 칩(110)의 측면에 배치된다. 면적 조절용 몰딩부(120)는 반도체 패키지(200)를 테스트 소켓에 실장하였을 때 테스트 소켓 내부에서 좌우로 반도체 패키지(200)가 유동되지 않기에 적합한 크기를 갖는다.The area adjusting
본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(120)는 반도체 패키지(200)의 반도체 칩(110)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 이와 다르게 면적 조절용 몰딩부(120)는 복수개가 일정 간격으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(120)는 복수개가 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다.In the present embodiment, the area adjusting
한편, 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(120)의 두께는 반도체 칩(110)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(120)의 두께는 반도체 칩(110)의 두께보다 작게 형성될 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the thickness of the area adjusting
또한, 반도체 패키지(200)의 상면에 형성된 두께 조절용 몰딩부(123)는 반도 체 패키지(200)의 두께가 테스트 소켓의 높이보다 낮아 반도체 패키지(200)가 테스트 소켓 내부에서 상하 방향으로 움직이는 것을 방지하여 반도체 패키지(200)가 안정적으로 테스트 되도록 한다.In addition, the thickness adjusting
본 실시예에서, 두께 조절용 몰딩부(123)는 반도체 패키지(200)의 상면을 노출하는 적어도 하나의 개구(124)를 포함하며, 두께 조절용 몰딩부(123) 및 면적 조절용 몰딩부(123)는, 예를 들어, 에폭시 수지를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the thickness
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package in accordance with another embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 반도체 패키지(300)는 기판(320), 반도체 칩(310), 도전성 와이어(330), 몰딩부(335) 및 두께 조절용 몰딩부(350)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the
본 실시예에서, 기판(320)은 인쇄회로기판일 수 있고, 기판(320)의 상면에는 본드 핑거(325)들이 배치되고, 기판(320)의 후면에는 솔더볼과 같은 도전볼(328)이 실장되는 볼 랜드(327)가 배치된다. 볼 랜드(327) 및 본드 핑거(325)는 전기적으로 연결된다.In the present embodiment, the
반도체 칩(310)은 기판(320)의 상면에 배치된다. 본 실시예에서, 반도체 칩(310)은 외부 접속 단자에 해당하는 복수개의 본딩 패드(315)들을 갖고, 본딩 패드(315)들은 도전성 와이어(330)에 의하여 기판(320)의 상면에 배치된 본드 핑거(325)와 전기적으로 연결된다.The
반도체 칩(310) 및 기판(320)은, 예를 들어, 접착 부재(337)에 의하여 상호 접착된다.The
몰딩부(335)는 반도체 칩(310) 및 도전성 와이어(330)를 몰딩한다. 본 실시 예에서, 몰딩부(335)는 에폭시 수지일 수 있다.The
기판(320), 반도체 칩(310), 도전성 와이어(330) 및 몰딩부(335)를 포함하는 반도체 패키지(300)는 도 3에 참조부호 340으로 도시된 테스트 소켓에 실장 되고, 테스트 소켓(340)에 실장 된 반도체 패키지(300)는 테스트 소켓(340)에 배치된 신호 입출력 단자를 통해 제공된 테스트 신호에 의하여 테스트 된다.The
한편, 테스트 소켓(340)에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 패키지가 실장되어 테스트 될 수 없다. 예를 들어, 테스트 소켓(340)보다 큰 사이즈를 갖는 반도체 패키지는 테스트 소켓(340)의 내부에 실장될 수 없기 때문에 반도체 패키지(300)의 테스트 역시 불가하다. 또한, 테스트 소켓(340)보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지의 경우 테스트 소켓(340) 내부에 실장은 가능하지만, 반도체 패키지가 테스트 소켓(340) 내부에서 움직이게 되고 이로 인해 빈번한 테스트 불량이 발생 된다.Meanwhile, semiconductor packages having different sizes may be mounted on the
본 실시예에서는 테스트 소켓(340)보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지를 반도체 패키지의 사이즈보다 큰 테스트 소켓(340)에 실장 하여 테스트할 수 있도록 하기 위해 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부(350)가 배치된다.In this embodiment, in order to be able to test a semiconductor package having a size smaller than that of the
면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)의 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 배치될 수 있다. 면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)를 테스트 소켓(340)에 실장하였을 때 테스트 소켓(340) 내부에서 반도체 패키지(300)가 유동되지 않기에 적합한 크기를 갖는다.The area
본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)의 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 이와 다르게 면적 조절용 몰딩 부(350)는 복수개가 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(20)는 복수개가 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the area adjusting
한편, 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)의 두께는 반도체 칩(310)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(350)의 두께는 반도체 칩(310)의 두께보다 작게 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the thickness of the area adjusting
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package in accordance with another embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 반도체 패키지(300)는 기판(320), 반도체 칩(310), 도전성 와이어(330), 몰딩부(335), 두께 조절용 몰딩부(350) 및 높이 조절용 몰딩부(352)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the
본 실시예에서, 기판(320)은 인쇄회로기판일 수 있고, 기판(320)의 상면에는 본드 핑거(325)들이 배치되고, 기판(320)의 후면에는 솔더볼과 같은 도전볼(328)이 실장되는 볼 랜드(327)가 배치된다. 볼 랜드(327) 및 본드 핑거(325)는 전기적으로 연결된다.In the present embodiment, the
반도체 칩(310)은 기판(320)의 상면에 배치된다. 본 실시예에서, 반도체 칩(310)은 외부 접속 단자에 해당하는 복수개의 본딩 패드(315)들을 갖고, 본딩 패드(315)들은 도전성 와이어(330)에 의하여 기판(320)의 상면에 배치된 본드 핑거(325)와 전기적으로 연결된다.The
반도체 칩(310) 및 기판(320)은, 예를 들어, 접착 부재(337)에 의하여 상호 접착된다.The
몰딩부(335)는 반도체 칩(310) 및 도전성 와이어(330)를 몰딩한다. 본 실시예에서, 몰딩부(335)는 에폭시 수지일 수 있다.The
기판(320), 반도체 칩(310), 도전성 와이어(330) 및 몰딩부(335)를 포함하는 반도체 패키지(300)는 테스트 소켓(미도시)에 실장 되고, 테스트 소켓에 실장 된 반도체 패키지(300)는 테스트 소켓에 배치된 신호 입출력 단자를 통해 제공된 테스트 신호에 의하여 테스트 된다.The
한편, 테스트 소켓에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 패키지가 실장 되어 테스트 될 수 없다. 예를 들어, 테스트 소켓보다 큰 사이즈를 갖는 반도체 패키지는 테스트 소켓의 내부에 실장될 수 없기 때문에 반도체 패키지(300)의 테스트 역시 불가하다. 또한, 테스트 소켓보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지의 경우 테스트 소켓 내부에 실장은 가능하지만, 반도체 패키지가 테스트 소켓 내부에서 상하좌우로 움직이게 되고 이로 인해 빈번한 테스트 불량이 발생 된다.Meanwhile, semiconductor packages having different sizes may be mounted on the test sockets and thus may not be tested. For example, since the semiconductor package having a size larger than that of the test socket cannot be mounted inside the test socket, the test of the
본 실시예에서는 테스트 소켓보다 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지를 반도체 패키지의 사이즈보다 큰 테스트 소켓에 실장 하여 좌우 움직임 없이 테스트할 수 있도록 하기 위해 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부(350)가 배치된다.In this embodiment, in order to be able to test a semiconductor package having a size smaller than the test socket in a test socket larger than the size of the semiconductor package without lateral movement, the
면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)의 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 배치될 수 있다. 면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)를 테스트 소켓에 실장하였을 때 테스트 소켓 내부에서 반도체 패키지(300)가 유동되지 않 기에 적합한 크기를 갖는다.The area
본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)는 반도체 패키지(300)의 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 이와 다르게 면적 조절용 몰딩부(350)는 복수개가 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(350)는 복수개가 기판(320) 및 몰딩부(335)의 측면에 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the area adjusting
한편, 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)의 두께는 반도체 칩(310)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 다르게, 면적 조절용 몰딩부(350)의 두께는 반도체 칩(310)의 두께보다 작게 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 면적 조절용 몰딩부(350)는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the thickness of the area adjusting
한편, 높이 조절용 몰딩부(352)는 반도체 패키지(300)의 몰딩부(335)의 상면 상에 배치된다. 높이 조절용 몰딩부(352)는 반도체 패키지(300)가 테스트 소켓에 실장된 상태에서 테스트 소켓 내부에서 반도체 패키지(300)가 상하로 움직이는 것을 방지하여 안정적으로 반도체 패키지(300)가 안정적으로 테스트 될 수 있도록 한다. 본 실시예에서, 높이 조절용 몰딩부(356)는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.Meanwhile, the height adjusting
도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 패키지의 제조 공정을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 먼저, 다량의 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부(미도시), 저장된 데이터를 처리하기 위한 회로부(미도시) 및 데이터 또는 신호를 입력 및/또는 출력하기 위한 본딩 패드 및 본딩 패드 상에 형성된 범프로 구성된 외부 접속 단자(30)를 포함하는 반도체 패키지(100)가 제조된다.Referring to FIG. 5, first, a data storage unit (not shown) for storing a large amount of data, a circuit unit (not shown) for processing stored data, and a bonding pad and bonding for inputting and / or outputting data or signals A
이어서, 반도체 패키지(100)를 테스트 소켓에 결합하여 테스트를 수행하기 이전에 반도체 패키지(100)가 테스트 소켓에 정확하게 실장 될 수 있도록 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부를 형성한다.Subsequently, before the test is performed by coupling the
면적 조절용 몰딩부를 형성하기 위하여 반도체 패키지(100)는 먼저, 하부 금형(410)에 배치된다. 하부 금형(410)은 반도체 패키지(100)의 외부 접속 단자(30)를 수납하는 리세스(415)를 포함한다. 리세스의 깊이는 외부접속 단자(30)가 리세스(415)가 형성된 하부 금형(410)의 바닥면과 접촉하지 않을 정도면 충분하고, 리세스(415)의 폭은 반도체 패키지(100)가 걸쳐지는 정도면 충분하다.In order to form the area adjusting molding part, the
도 6은 도 5에 도시된 상부 금형 및 하부 금형이 결합된 상태를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a state in which the upper mold and the lower mold illustrated in FIG. 5 are combined.
도 6을 참조하면, 하부 금형(410)에는 상부 금형(420)이 되었을 때,반도체 패키지(100)의 측면에는 선택적으로 캐비티가 형성되고, 반도체 패키지(100)의 상면은 완충 부재(425)를 갖는 상부 금형(420)과 밀착된다.Referring to FIG. 6, when the
하부 금형(410) 및 상부 금형(420)이 결합된 상태에서 캐비티로는 에폭시 수지와 같은 몰딩 물질이 주입되어 반도체 패키지(100)의 측면에는 면적 조절용 몰딩부(20)가 형성된다.In the state in which the
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 패키지의 제조방법을 도시한 단면도들이다.7 and 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package in accordance with another embodiment of the present invention.
도 7 및 도 8을 참조하면, 다량의 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부(미 도시), 저장된 데이터를 처리하기 위한 회로부(미도시) 및 데이터 또는 신호를 입력 및/또는 출력하기 위한 본딩 패드 및 본딩 패드 상에 형성된 범프로 구성된 외부 접속 단자(30)를 포함하는 반도체 패키지(100)가 제조된다.7 and 8, a data storage unit (not shown) for storing a large amount of data, a circuit unit (not shown) for processing stored data, and a bonding pad for inputting and / or outputting data or signals; A
이어서, 반도체 패키지(100)를 테스트 소켓에 결합하여 테스트를 수행하기 이전에 반도체 패키지(100)가 테스트 소켓에 정확하게 실장 될 수 있도록 반도체 패키지(100)의 측면에 면적 조절용 몰딩부가 형성되고 반도체 패키지(100)의 상면에는 두께 조절용 몰딩부가 형성된다.Subsequently, before the test is performed by coupling the
면적 조절용 몰딩부 및 두게 조절용 몰딩부를 형성하기 위하여 반도체 패키지(100)는 먼저, 하부 금형(410)에 배치된다. 하부 금형(410)은 반도체 패키지(100)의 외부 접속 단자(30)를 수납하는 리세스(415)를 포함한다. 리세스의 깊이는 외부접속 단자(30)가 리세스(415)가 형성된 하부 금형(410)의 바닥면과 접촉하지 않을 정도면 충분하고, 리세스(415)의 폭은 반도체 패키지(100)가 걸쳐지는 정도면 충분하다. In order to form the area adjusting molding part and the thickness adjusting molding part, the
하부 금형(410)에는 상부 금형(420)이 결합 되었을 때,반도체 패키지(100)의 측면에는 선택적으로 제1 캐비티가 형성되고, 반도체 패키지(100)의 상면의 상부로는 제2 캐비티가 형성된다. 이때, 반도체 패키지(100)의 상면의 일부를 눌러 고정하기 위해 상부 금형(420)의 내측면에는 복수개의 고정 돌기(427)가 형성될 수 있다. 하부 금형(410) 및 상부 금형(420)이 상호 결합 된 상태에서 제1 캐비티 및 제2 캐비티로 에폭시 수지와 같은 몰딩 물질이 주입되어 반도체 패키지(100)의 측면에는 면적 조절용 몰딩부(20)가 형성되고, 반도체 패키지(100)의 상면에는 두께 조 절용 몰딩부(20)가 형성된다.When the
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 반도체 패키지를 테스트하는 테스트 소켓보다 작은 반도체 패키지의 경우 반도체 패키지의 측면 및/또는 상면에 면적 및/또는 두께를 조절하는 몰딩부를 별도로 형성하여 하나의 테스트 소켓에 서로 다른 사이즈를 갖는 반도체 칩을 테스트할 수 있도록 하는 장점을 갖는다.As described in detail above, in the case of a semiconductor package smaller than a test socket for testing a semiconductor package, a molding part for adjusting an area and / or a thickness may be separately formed on the side and / or the top surface of the semiconductor package, thereby different from each other. It has the advantage of being able to test a semiconductor chip having a size.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the detailed description of the present invention has been described with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. It will be appreciated that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the art.
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070025743A KR20080084276A (en) | 2007-03-15 | 2007-03-15 | Semiconductor package and method of manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070025743A KR20080084276A (en) | 2007-03-15 | 2007-03-15 | Semiconductor package and method of manufacturing thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080084276A true KR20080084276A (en) | 2008-09-19 |
Family
ID=40024651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070025743A KR20080084276A (en) | 2007-03-15 | 2007-03-15 | Semiconductor package and method of manufacturing thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20080084276A (en) |
-
2007
- 2007-03-15 KR KR1020070025743A patent/KR20080084276A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10459007B2 (en) | Probe card | |
KR101476386B1 (en) | Integrated circuit packaging system with interposer | |
KR101076062B1 (en) | Offset integrated circuit package-on-package stacking system | |
US6828665B2 (en) | Module device of stacked semiconductor packages and method for fabricating the same | |
US7901987B2 (en) | Package-on-package system with internal stacking module interposer | |
KR101194842B1 (en) | An semiconductor package embedded Print circuit board | |
KR100843202B1 (en) | Semiconductor package having test pad on both side of substrate and method for testing thereof | |
US8742563B2 (en) | Component and method for producing a component | |
KR100594248B1 (en) | Method of encapsulating semiconductor device on a print circuit board, and a print circuit board for use in the method | |
US9196538B2 (en) | Semiconductor package and method of fabricating the same | |
JP2006165466A (en) | Semiconductor apparatus | |
US20070246814A1 (en) | Ball Grid array package structure | |
US9490225B2 (en) | Package structure and fabrication method thereof | |
KR101473313B1 (en) | stacked package, method of manufacturing the same, and digital device having the stacked package | |
KR20080084276A (en) | Semiconductor package and method of manufacturing thereof | |
JP4455158B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100331072B1 (en) | Printed circuit board | |
KR101096453B1 (en) | Stacked semiconductor package | |
KR102002786B1 (en) | Semiconductor package and method for manufacturing the same | |
JP2007335907A (en) | Semiconductor device | |
JP3100560U (en) | Flip chip package structure of image sensor and its image sensor module | |
KR20110016018A (en) | Semiconductor package | |
KR20210076292A (en) | Semiconductor package | |
KR20090098071A (en) | Stacked semiconductor package | |
KR20050092619A (en) | An absorption-device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |