KR20080074622A

KR20080074622A - 나노와이어의 배열 방법

Info

Publication number: KR20080074622A
Application number: KR1020070013984A
Authority: KR
Inventors: 문태형; 김재현; 이보현
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2007-02-09
Filing date: 2007-02-09
Publication date: 2008-08-13
Also published as: KR101408251B1

Abstract

본 발명은 나노와이어를 배열하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어의 배열방법은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계와, 상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계, 및 상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어가 분산된 용액을 형성하는 단계를 포함한다.

나노와이어(nanowire), 전기장, 용매, 흐름

Description

나노와이어의 배열 방법{METHOD FOR ARRAYING NANOWIRE}

도 1은 나노와이어를 분산시킨 용액을 소스전극과 드레인전극이 형성된 기판 상에 코팅한 다음 포토리소그래피로 패터닝하여 나노와이어를 배열한 것을 나타낸 도면.

도 2a~ 도 2d는 본 발명에 따른 나노와이어의 배열방법을 순차적으로 나타낸 도면.

도 3a는 극성용매에 전기장을 가하지 않았을 때의 용매분자의 배열을 나타낸 도면.

도 3b는 극성용매에 전기장을 가했을 때의 용매분자의 배열을 나타낸 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판

110, 120 : 전극

131 : 나노와이어 분산 용액

132 : 나노와이어

140a, 140b : 프로브 팁

본 발명은 나노와이어 배열방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 전기장을 이용하여 나노와이어를 배열시키는 배열방법에 관한 것이다.

20세기 후반부에 등장한 나노기술(NT, nanotechnology)은 나노와이어(nanowire), 나노막대(nanorod), 나노리본(nanoribbon) 등과 같은 직경이 100nm 이하의 일차원 구조의 나노물질 및 나노박막과 기타 100nm 이하의 나노구조물 등을 다루는 분야이다.

물질의 크기가 마이크로미터로 작아져도 벌크물질의 물리적 특성들은 대부분 그대로 유지되지만, 나노미터 크기가 되면 새로운 물리적 특성들이 발현된다. 이러한 새로운 물리적 특성들을 이용하여 전자, 광학 소자 등의 나노디바이스(nanodevice)를 조립할 수 있어 나노기술은 차세대 중요한 기술 분야로 각광받고 있다.

특히, 나노와이어와 같은 크기가 작은 물질에서는 양자구속효과(quantum confinement effect)가 나타나는데, 양자구속효과의 가장 두드러진 점은 물체의 크기가 작아지면 띠 간격(band gap)이 커지는 현상이다. 띠 간격이 커지는 현상을 이용하면 반도체로서 이용이 가능하다.

실제로, 공지된 기술에 따르면 반도체 나노와이어 서스펜션을 이산화규소(SiO₂) 기판 상에 분산시킨 다음, 전자빔 리소그래피 방법으로 소스와 드레인의 전극을 접합시켜 나노와이어-전계효과트랜지스터(NW-FET, nanowire-field effect transistor)를 만든 바가 있다.(X. Duan, et al., Indium phosphide nanowires as building blocks for nanoscale electronic and photoelectronic devices', Nature, 409, pp66-69(2001))

상기한 바와 같은 NW-FET에서는 전류 대 소스-드레인전압 및 전류 대 게이트 전압 등을 측정해 보면 게이트 전압을 변화시킬 경우 반도체 나노와이어의 정전기 퍼텐셜이 변하고, 따라서 캐리어 농도와 나노와이어의 전도도가 변조되는 현상을 발견할 수 있다. 또한, 전도도의 변조에 따른 도핑의 형태(n 또는 p 타입)를 결정할 수 있으며 각 타입의 나노와이어 내의 캐리어(즉, 전자나 정공)의 이동도를 트랜지스터의 기본 공식으로부터 계산할 수 있어, 나노와이어의 전기전달특성이 규명된 바 있다. 이때, 나노와이어 물질들을 벌크상태의 물질들과 비교해 보았을 때 월등히 우수한 캐리어 이동도(carrier mobility)를 나타내고 있는데, 바로 이런 점이 반도체 나노와이어의 우수한 특성을 말해준다.

상기한 바와 같은 나노와이어를 이용하면 평판표시장치 등의 구동 소자인 박막트랜지스터를 제조하는 데 응용이 가능하다. 평판표시장치 등의 박막트랜지스터를 형성하기 위해서 나노와이어를 분산시킨 용액을 코팅하는 방법, 랭뮤어-블로짓(Langmuir-Blodgett, LB) 방법을 비롯하여 다양한 방법으로 소스전극과 드레인전극 사이에 나노와이어를 배열시킬 수 있다.

도 1은 나노와이어를 분산시킨 용액을 소스전극(10)과 드레인전극(20)이 형성된 기판 상에 코팅한 다음 포토리소그래피로 패터닝하여 나노와이어(32)를 배열한 것을 나타낸 도면이다. 도면을 참조하면, 도면에 나타난 바와 같이 기판 상에 나노와이어 분산 용액을 코팅하게 되면 나노와이어(32)가 소스전극(10)과 드레인전극(20) 사이에 임의의 방향으로 랜덤(random)하게 배치된다. 따라서 나노와이어를 반도체로 사용함에 있어 효율이 떨어지는 문제점이 있다.

랭뮤어-블로짓 방법에 따르면, 한 분자 내에 친수성과 소수성 기능을 갖는 부분이 동시에 존재하면 분자가 물 표면에서 일정한 패턴으로 정렬된 단층을 형성하는데, 이 단층을 고체 표면에 옮겨 나노와이어 격자를 형성한다. 이 격자를 리소그래피를 이용하여 다양하게 패터닝함으로써 박막트랜지스터의 반도체막으로 기능하게 하였다.

그 외에도 자기배열단일층(self-alignment monolayer, SAM) 방법이나, 워터제팅(water jetting) 방법 등이 사용되나, 나노와이어 분산 용액을 코팅하는 방법을 비롯한 상기 방법은 나노와이어를 원하는 위치에 원하는 형태로 정렬시키기 어려울 뿐만 아니라 대면적의 기판에 빠른 시간에 형성이 어려운 문제점이 있다. 또한 랭뮤어-블로짓 방법은 별도의 리소그래피 공정 등으로 패터닝하는 과정을 거쳐야 하므로 공정이 복잡하고 시간이 걸리는 문제점이 있으며, 패터닝의 과정에서 나노와이어가 과다소비되는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 복잡한 공정 없이 대면적 기판에 나노와이어를 효율적으로 배열시키는 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

본 발명에 따른 나노와이어 배열방법은, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계와, 상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계, 및 상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어가 분산된 용액을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 전기장을 형성하는 단계는 상기 제1전극과 제2전극에 프로브를 접촉시켜 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 나노와이어가 분산된 용액을 형성하는 단계는 나노와이어가 분산된 용액을 준비하는 단계와, 상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어가 분산된 용액을 적하하는 단계, 및 상기 나노와이어가 분산된 용액의 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이때, 상기 나노와이어가 분산된 용액을 준비하는 단계는 나노와이어를 형성하는 단계 및 상기 나노와이어를 극성 용매에 분산시키는 단계를 특징으로 하며, 상기 나노와이어는 유기금속화학증착법을 이용하여 형성할 수 있다.

나노와이어를 가하여 분산시키고자 하는 용매로는 극성 용매가 바람직하며, 상기 극성 용매는 아세톤(acetone), 물, 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.

한편, 상기 용액은 상기 용매를 휘발시키거나, 상기 용액에 열을 가하는 방법으로 상기 용매를 제거할 수 있다.

여기서, 상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계와, 상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어를 형성하는 단계는 동 시에 진행될 수 있으며, 상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어를 형성하는 단계 이후에 상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 나노와이어 배열방법에 대해 설명한다.

현재 반도체층의 대체방안으로서 나노와이어를 채널 물질로 활용하는 연구가 활발히 진행 중이다. 나노 소재 자체는 단일 결정체이자 양자 우물효과를 기대할 수 있어 기존 MOSFET 소자의 전자이동도보다 더 큰 수준을 기대할 수 있다.

그러나 종래의 나노와이어 배열 방식만으로는 일정한 방향으로 제어된 채널을 기대할 수 없으므로 나노와이어 배열에 대한 새로운 아이디어 도출이 시급하다. 이에 따라, 최근 전기장이나 자기장을 이용한 나노와이어의 배열 연구가 활발히 이루어지고 있다.

그러나, 이러한 연구는 나노와이어 자체가 전기자기적 특성을 지녀야 한다는 재료 선택성 문제가 있다. 하지만, 본 발명에서는 극성 용매와 전기장을 이용하여 나노와이어를 배열하며, 이러한 배열 방법은 나노와이어의 재료 선택의 폭을 넓혀주고 대면적 기판에도 쉽게 적용할 수 있다는 장점이 있다.

본 발명에 따르면, 나노와이어를 배열하기 위해서 먼저 나노와이어가 배열될 기판을 준비한다. 나노와이어가 배열될 기판은 유리, 석영, 플라스틱 또는 세라믹 등의 절연물질로 형성된다. 이때, 상기 기판(100)이 액정표시장치(liquid crystal display; LCD) 또는 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel; PDP) 등의 평판디스플레이의 기판(substrate, 100)으로 사용되는 경우에는 필요에 따라 투명한 물질로 형성될 수 있다.

상기 기판(100) 상에는, 도 2a와 같이, 후술할 나노와이어를 배열시키는데 사용되는 전극(110, 120)을 형성한다. 전극(110, 120)은 나노와이어가 분산된 용액에 나노와이어를 효과적으로 배열시키기 위해 전기장을 형성하는 역할을 한다.

상기 전극(110, 120)은 나노와이어를 배열시키고자 하는 영역에 소정의 간격을 두고 이격되게 형성한다. 두 전극(110, 120) 사이의 간격은 나노와이어를 형성하고자 하는 영역에 비례하여 넓게하거나 좁게 조절이 가능하다.

전극(110, 120)은 다양한 방법으로 형성이 가능하나 바람직하게는 기판(100)의 전면에 도전성 물질을 증착한 후 포토리소그래피의 방법으로 패터닝하여 형성할 수 있으며, 나노와이어를 이용하여 박막트랜지스터 등의 스위칭 소자의 반도체층을 형성하는 경우에는 나노와이어를 배열시키기 위한 전극을 타 배선이나 타 전극을 형성함과 동시에 형성할 수 있을 것이다.

전극(110, 120)은 도전성의 물질로 형성할 수 있으며 저저항의 금속이 바람직하다. 예를 들어, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 크롬이나 알루미늄합금 등을 이용하여 형성할 수 있다.

전극(110, 120)은 (+)전압과 (-)전압을 각각에 인가할 수 있도록 제1전극(100)과 제2전극(120)으로 적어도 2개 이상으로 형성하며, 나노와이어를 배열시키고자 하는 영역이 복수 개인 경우 복수 개로 형성한다.

다음으로, 기판(100)에 형성한 제1전극(100)과 제2전극(120)에 (+)전압과 (-)전압을 인가한다. 본 설명에서는 편의상 한 쌍의 전극에 있어서 제1전극(100)을 (+)전극, 이에 대향하는 제2전극(120)을 (-)전극으로 설명한다. 그러나 각각의 전극(110, 120)에는 그 반대의 전압이 인가될 수 있으므로 각각의 전극(110, 120)이 고정되는 것은 아니다.

도 2b는 본 발명에 따른 실시예를 나타낸 것으로, 프로브 팁(probe tip, 140a, 140b)을 이용하여 한 전극에는 (+)전압을, 이에 대향하는 다른 전극에는 (-)전압을 인가하는 모습을 나타낸 것이다. 도면에는 표시하지 않았지만 (+)전극과 (-)전극과 연결된 프로브 팁(140a, 140b)은 외부의 전원의 (+)전극과 (-)전극에 각각 전기적으로 접속시킨다.

상기 두 전극에는 프로브 팁(140a, 140b)을 이용하여 전압을 인가할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 다양한 방법으로 전극에 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 기판(100) 상에 전극과 연결된 배선을 패터닝하여 상기 배선을 통해 전극에 전압을 인가할 수 있다.

다음으로 기판(100) 상에 형성된 두 전극 사이에 나노와이어를 배열시킨다. 나노와이어를 배열시키는 단계는 극성 용매에 나노와이어가 분산(dispersion)된 용액(131)을 준비한 후, 도 2c와 같이, 나노와이어 분산 용액(131)을 전극이 형성된 기판 상에 적하하는 단계를 포함한다.

나노와이어가 분산된 용액을 준비하기 위해서는 먼저 나노와이어를 제조한 후 상기 나노와이어를 용매에 분산시키는 방법을 이용한다.

나노와이어는 레이저를 이용한 촉매, 자기촉매 VLS방법, 유기금속화학증착 법(metal organic chemical vapour deposition; MOCVD) 등 다양한 방법으로 제조가 가능하다. 본 발명에 따른 나노와이어의 배열 방법에 있어서 나노와이어의 제조방법은 특별이 한정되지는 않으며 공지의 방법이라도 무방하다.

예를 들어 상기한 MOCVD는 화학반응을 이용한 금속산화물의 박막 형성법으로, 진공으로 된 용기 안에서 가열된 기판에 증기압이 높은 금속의 유기화합물 증기를 보내어 그 금속 산화물을 기판에 성장시키는 기술이다. 이러한 MOCVD를 이용하면 금속산화물 반도체 결정을 기판 상에 에피택셜 성장(epitaxial growth)시킬 수 있으므로 본 발명에 사용되는 나노와이어를 제조할 수 있다. 본 방법에 의해 제조된 나노와이어는 이후 용매에 분산되게 된다.

나노와이어가 분산된 용액을 준비하기 위해서는 극성 용매(polar solvent)를 사용하여 나노와이어를 분산시키는 과정을 거친다.

극성 용매란 용매분자 내에 극성 작용기(또는 분자)를 가지고 있어 부분적으로 전하가 분리되어 있는 용매분자로 구성된 용매를 말한다. 극성 용매는 부분적인 전하의 분리로 인해 쌍극자 모멘트(dipole moment)를 가지게 되며, 극성용매에 전기장이 가해지는 경우에는 상기 쌍극자 모멘트에 의해 전기장의 방향에 따라 용매가 정렬하거나 이동하게 된다.

이러한 극성 용매로는 아세톤(acetone), 물, 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 등이 있으며, 본 발명에서는 상기 극성 용매 중 하나에 해당하거나, 또는 상기 극성 용매의 적어도 하나를 포함하는 혼합물 용액이 바람직하다. 실시예로서 헥산(hexane)과 상기 아세톤, 물, 이소프로필알콜 중 어느 한 극성 용매를 섞은 혼 합물을 나노와이어의 분산 용매로 사용 가능하다.

도 2c를 참조하면, 상기한 바와 같은 용매에 나노와이어를 분산시켜 나노와이어 분산 용액(131)을 준비한 다음에는 나노와이어 분산 용액(131)을 기판 상에 형성한 두 전극 사이에 적하한다.

두 전극 사이에는 전압이 인가되어 전기장이 형성되어 있으므로 나노와이어 분산 용액(131)의 용매는 두 전극 사이에 형성된 전기장에 따라 쿨롱힘이 작용한다. 이에 따라, 도 2d와 같이 나노와이어(132)가 일정 방향으로 정렬하게 된다. 또한 용매가 이온의 형태를 띠는 경우에는 전기장의 방향에 따라 소정 방향으로의 방향성을 나타내며 이동하게 된다. 이에 따라 극성 용매에 분산된 나노와이어(132)는 용매의 배열방향 또는 이동방향과 같은 방향으로 배열된다.

도 3a와 도 3b는 극성용매에 전기장을 인가한 경우와, 인가하지 않은 경우의 극성용매분자의 배열 상태를 모식적으로 나타낸 도면이다.

도면을 참조하면, 극성용매에 있어서 극성분자 자체의 분극에 의해 용매분자가 어느 정도의 규칙성을 가질 수 있으나, 도 3a와 같이 대체적으로 무작위로 배열된다. 이에 반해 도 3b와 같이 극성용매에 전기장이 인가되면 용매분자의 분극된 정도에 따라 용매분자가 전기장의 방향에 따라 일정하게 정렬되어 특정 방향으로 방향성을 나타낸다.

따라서, 극성분자로 이루어진 용매에 나노와이어를 분산시킨 후 극성용매에 전기장을 가하게 되면 용매분자가 일정 방향으로 정렬하게 되고 이에 따라 나노와이어 또한 용매분자의 정렬방향에 대응하는 방향으로 정렬하게 되는 것이다.

또한, 나노와이어 용액 내에 이온이 존재하는 경우에는 이온이 전기장의 방향에 따라 이동하여 특정방향으로 방향성을 나타낼 수 있으므로, 나노와이어가 일정한 방향성을 갖도록 도와준다.

이때, 나노와이어(132) 자체는 극성을 띤 극성 분자일 수 있으나 그 자체의 쌍극자 모멘트에 의한 배열 효과는 미미하다. 이는 무극성 용매에 나노와이어(132)를 분산시킨 후 전기장을 인가하였을 때의 나노와이어(132)가 거의 배열되지 않는 것으로 확인할 수 있다. 그러나 나노와이어(132)를 극성 용매에 분산시킨 다음 전기장을 인가하면 용매에 의한 쌍극자모멘트에 의해 용매분자가 전기장 방향으로 배열되어 나노와이어 또한 전기장 방향으로 배열되는 효과가 크다.

두 전극 사이에 인가되는 전압은 두 전극 사이의 이격 거리에 따라 정도가 달라질 수 있다. 전기장의 세기는 거리의 함수이므로 두 전극 사이의 거리가 가까울수록 작은 값의 전압으로도 나노와이어(132)를 배열시킬 수 있기 때문이다. 그와 반대로 두 전극 사이의 거리가 멀면 상대적으로 큰 값의 전압을 인가하여 나노와이어(132)를 배열시켜야 한다.

이외에도 극성 용매의 종류와 나노와이어(132)의 크기 및 종류 등의 다양한 요인에 따라 적절한 값으로 인가한다. 예를 들어, 용매의 극성의 정도가 크면 상대적으로 용매의 극성이 작은 용매보다 작은 전압으로도 용매를 쉽게 배열시킬 수 있으므로 상대적으로 작은 값의 전압을 인가한다.

한편, 두 전극 사이에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계와 두 전극 사이에 나노와이어(132) 분산 용액(131)을 적하하여 나노와이어(132)를 배열시키는 단계는 동시에 이루어질 수 있다. 즉, 전기장을 형성함과 동시에 나노와이어(132) 분산 용액(131)을 적하하여 나노와이어(132)를 배열시킬 수 있다. 또한, 먼저 나노와이어(132) 분산 용액(131)을 두 전극 사이에 적하하고 난 후 두 전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성할 수도 있다.

그 다음에는 나노와이어 분산 용액(131)의 용매를 제거한다. 나노와이어(132) 자체로 반도체의 효과를 낼 수 있으므로 분산 용액(131)의 용매를 제거한다.

분산 용액(131)의 용매를 제거하기 위해서는 비점이 낮고 휘발성이 강한 용매를 사용하는 것이 바람직하며, 그 외에도 가온(加溫)하여 증발시키는 등의 방법으로 용매를 제거할 수 있다. 이때, 휘발성이 강한 용매를 사용하는 경우에는 별도의 공정을 거치지 않아도 쉽게 제거되기 때문에 나노와이어(132)를 쉽게 형성할 수 있어 나노와이어(132)의 분산 용매로서 바람직하다.

상기한 바와 같은 방법으로 전기장을 인가하여 나노와이어를 일정한 방향으로 배열할 수 있다. 일정한 방향으로 배열된 나노와이어는 일정한 방향성 없이 배열된 나노와이어에 비해 일정 방향으로의 반도체 특성이 향상되는 효과가 있다. 즉, 소스전극으로부터 출력된 전자(e^-)는 소스전극과 드레인전극 사이에 일방향으로 배열된 나노와이어를 통해 드레인전극으로 입력되는데, 나노와이어가 소스전극에서 드레인전극 방향으로 일정하게 배열되어 있으므로 전자흐름의 경로가 단축되며 전자흐름에 대한 트랜지스터의 온(ON) 특성이 향상된다.

본 발명의 실시예에 따르면 나노와이어 분산 용액과 전기장을 이용하여 간단한 방법으로 나노와이어를 원하는 방향으로 배열시킬 수 있는 장점이 있으며 전기장을 형성하는 전극의 위치와 간격을 조절함으로써 대면적에서도 쉽게 적용할 수 있다는 장점이 있다.

또한 기존의 발명에서 나노와이어의 패터닝을 위해 수행하는 포토리소그래피 등의 별도의 공정을 진행할 필요가 없으므로 공정이 간단해지고 필요 이상의 나노와이어를 낭비하는 것이 줄어들기 때문에 시간과 비용상의 이점이 있다.

그 뿐만 아니라 나노와이어의 종류에 관계없이 용매의 극성 여부에 따라 배열의 정도를 결정할 수 있어 나노와이어 재료 선택의 폭이 넓다.

본 발명에 대해서 구체적으로 기재된 설명은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.

따라서, 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 나노와이어의 배열방법은 복잡한 공정 없이 대면적 기판에 나노와이어를 효과적으로 배열하는 방법을 제공한다.

Claims

기판을 준비하는 단계;

상기 기판 상에 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계;

상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계;

상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어가 분산된 용액을 형성하여 상기 전기장에 의해 상기 나노와이어를 배열시키는 단계를 포함하는 나노와이어 배열방법.
제1항에 있어서,

상기 전기장을 형성하는 단계는

상기 제1전극과 제2전극에 프로브를 접촉시켜 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법.
제1항에 있어서,

상기 나노와이어가 분산된 용액을 형성하여 나노와이어를 배열시키는 단계는

나노와이어가 분산된 용액을 준비하는 단계;

상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어가 분산된 용액을 적하하는 단계;

상기 나노와이어가 분산된 용액의 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특 징으로 하는 나노와이어 배열방법.
제3항에 있어서,

상기 나노와이어가 분산된 용액을 준비하는 단계는

나노와이어를 형성하는 단계 및 상기 나노와이어를 극성 용매에 분산시키는 단계를 특징으로 하는 나노와이어 배열방법.
제4항에 있어서,

상기 나노와이어를 형성하는 단계는

유기금속화학증착법을 이용하여 나노와이어를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법.
제4항에 있어서,

상기 극성 용매는 아세톤(acetone), 물, 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열 방법.
제3항에 있어서,

상기 용매를 제거하는 단계는 상기 용매를 휘발시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법.
제3항에 있어서,

상기 용매를 제거하는 단계는 상기 용액에 열을 가하여 용매를 제거하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법.
제1항에 있어서,

상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계와, 상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어를 형성하는 단계는 동시에 진행되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법.
제1항에 있어서,

상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어를 형성하는 단계 이후에 상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법.
극성용매에 나노와이어를 분산시키는 단계와

상기 나노와이어가 분산된 용액에 전기장을 인가하는 단계를 포함하는 나노와이어 배열방법.
나노와이어를 극성분자로 이루어진 용매에 분산시키는 단계와

상기 용매의 극성분자를 일정방향으로 배열시키는 단계를 포함하는 나노와이 어 배열방법.
제12항에 있어서,

상기 용매의 극성분자를 일정방향으로 배열시키는 단계는 용매에 전기장을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법.