KR20080067421A

KR20080067421A - Ionizer

Info

Publication number: KR20080067421A
Application number: KR1020070004675A
Authority: KR
Inventors: 설경학
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2007-01-16
Filing date: 2007-01-16
Publication date: 2008-07-21

Abstract

An ion implantation apparatus is provided to fix stably a guide and to increase or maximize productivity by using a fastening screw. A chamber(110) provides a sealed space. A chuck(120) is positioned perpendicularly to an ion beam to support a wafer from a lower end of the chamber. A filament(130) excites a plasma state of the ion beam by using a supply voltage. A supporting plate(140) is fixed to a sidewall of the chamber to support the filament. A guide(150) is formed nearly to the sidewall of the chamber along an outer circumference of the supporting plate. A fastening screw(160) is formed to insert the guide into a gap thereof and is protruded from the sidewall of the chamber through a port formed at the sidewall of the chamber. A nut(170) is rotated along an outer circumference of the fastening screw to be combined with the fastening screw and to fix the guide. A fastening prevention member(180) is inserted into the gap to prevent the reduction of the gap of the fastening screw.

Description

Ionizer Equipment {Ionizer}

도 1은 종래 기술에 따른 이온주입설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도.1 is a schematic cross-sectional view showing an ion implantation apparatus according to the prior art.

도 2는 도 1의 조임 스크류 및 너트를 나타내는 단면도.FIG. 2 is a sectional view of the fastening screw and nut of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing an ion implantation facility according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 조임 스크류 및 너트를 나타내는 단면도.4 is a cross-sectional view showing the tightening screw and nut of FIG.

도 5는 도 3의 가이드 및 조임 스크류의 결합 사시도.5 is a perspective view of the coupling of the guide and the tightening screw of FIG.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 챔버 120 : 척110: chamber 120: chuck

130 : 필라멘트 140 : 지지대130: filament 140: support

150 : 가이드 160 : 조임 스크류150: guide 160: captive screw

170 : 너트 180 : 조임 방지 부재170: nut 180: tightening prevention member

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼 표면에 도전성 불순물의 이온빔을 입사시키는 이온주입설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to an ion implantation equipment for injecting ion beams of conductive impurities onto a wafer surface.

최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다. 이러한 방법 중에 CMOS 기술과 같이, 실리콘 기판에 도전성 불순물을 주입하는 이온주입기술이 대두되고 있다. 이온 주입기술은 열확산기술과 함께 반도체기판 중에 불순물 도입을 위한 기본 공정기술이다. 원리적으로는 옛날부터 가능하다고 되고 있던 기술로서, 1960년대에는 이미 트랜지스터등이 이 방법에 의해서 시작되었다. Recently, with the rapid development of the information and communication field and the popularization of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In addition, various methods have been researched and developed in order to reduce the size of individual devices formed on a substrate and maximize device performance in accordance with the trend of high integration of semiconductor devices. Among these methods, like the CMOS technology, an ion implantation technology for injecting conductive impurities into a silicon substrate has emerged. Ion implantation technology is a basic process technology for introducing impurities into semiconductor substrates along with thermal diffusion technology. In principle, as a technology that has been possible since ancient times, transistors and the like have been started by this method in the 1960s.

LSI의 고집적화, 고밀도화에 대응해서 더 정밀한 불순물제어가 요구되고 있다. 더욱이, 양산기술면에서는 재현성의 향상, 처리능력의 향상이 요구되고 있다. 그 중에서 이온주입기술은 더욱 그 중요성이 증가하여 열확산기술에 대체해서 실용화되게 되었다. 또 이 기술에서는 열확산기술로는 불가능 내지는 아주 어려운 저농도 불순물 도입이나 절연막을 통한 도핑 등도 가능하게 되었다. 예컨대, 상기 이온주입설비는 이온소스, 질량분석기, 가속기, 집속기, 중성빔 포획장치, 주사기, 아크 챔버, 및 플라즈마 플러드 건(Plasma Flood Gun: PFG)등을 포함하여 이루어진다. 특히, 상기 아크 챔버는 상기 주사기에서 입사되는 이온빔을 플라즈마 상태로 여기시키고 양의 전하를 갖는 상기 이온빔에 전자를 주입시킨다. 이때, 상기 플라 즈마 플러드 건은 상기 이온빔에 열전자를 입사시킨다. 따라서, 상기 플라즈마 플러드 건은 웨이퍼에 입사되는 이온빔의 과전하 현상이 방지되도록 공간전하의 중성화 상태를 유도한다.In response to high integration and high density of LSI, more precise impurity control is required. In addition, in terms of mass production technology, improvement in reproducibility and processing capacity are required. Among them, ion implantation technology has increased in importance and has been put into practical use in place of thermal diffusion technology. In this technology, it is also possible to introduce low-concentration impurities or doping through an insulating film, which is difficult or difficult to achieve by thermal diffusion technology. For example, the ion implantation equipment includes an ion source, a mass spectrometer, an accelerator, a concentrator, a neutral beam trapping device, a syringe, an arc chamber, and a plasma flood gun (PFG). In particular, the arc chamber excites the ion beam incident from the syringe into a plasma state and injects electrons into the ion beam having a positive charge. In this case, the plasma flood gun injects hot electrons into the ion beam. Therefore, the plasma flood gun induces a neutralization state of the space charge so as to prevent overcharge of the ion beam incident on the wafer.

이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 이온주입설비를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an ion implantation apparatus according to the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 이온주입설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an ion implantation apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 이온주입설비는 외부로부터 밀폐된 공간을 제공하는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 상부로부터 입사되는 이온빔에 수직하여 상기 챔버(10)의 하단에서 웨이퍼(W)를 지지하도록 형성된 척(20)과, 외부에서 인가되는 전원전압을 이용하여 상기 이온빔을 플라즈마 상태로 여기시키도록 형성된 필라멘트(30)와, 상기 챔버(10)의 측벽에 고정되어 상기 필라멘트(30)를 지지하도록 형성된 PFG 지지대(이하, 지지대(40)라 칭함)와, 상기 필라멘트(30)에서 상기 지지대(40)의 외주면을 따라 상기 챔버(10)의 측벽에 인접하되도록 형성된 PFG 가이드(이하, 가이드(50)라 칭함)와, 상기 챔버(10)의 측벽에 인접되는 상기 가이드(50)를 내부에 삽입시키며 상기 챔버(10)의 측벽에 형성된 포트를 통해 상기 챔버(10)의 측벽에서 돌출되도록 형성된 조임 스크류(60)와, 상기 조임 스크류(60)의 외주면을 따라 회전되면서 상기 조임 스크류(60)와 결합되고, 상기 가이드(50)를 고정시키도록 형성된 너트(70)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the conventional ion implantation facility includes a chamber 10 providing a space enclosed from the outside and a lower portion of the chamber 10 perpendicular to an ion beam incident from an upper portion of the chamber 10. A chuck 20 formed to support the wafer W, a filament 30 formed to excite the ion beam in a plasma state using a power supply voltage applied from the outside, and fixed to sidewalls of the chamber 10 PFG support (hereinafter referred to as support 40) formed to support the filament 30, and PFG formed to be adjacent to the side wall of the chamber 10 along the outer circumferential surface of the support 40 in the filament 30 The chamber 10 is inserted through a guide (hereinafter referred to as a guide 50) and a port formed in the side wall of the chamber 10 by inserting the guide 50 adjacent to the side wall of the chamber 10 therein. Fastening disks formed to protrude from the side walls of the And a nut 70 which is coupled to the fastening screw 60 while being rotated along the outer circumferential surface of the fastening screw 60 and fixed to the guide 50.

여기서, 상기 필라멘트(30)는 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 소정의 온 도로 가열되면서 열전자를 방출하도록 형성되어 있다. 따라서, 상기 이온빔이 중화되어 상기 웨이퍼(W) 표면에 입사되기 때문에 상기 웨이퍼(W) 표면은 전기적으로 안정된 상태를 갖는다.Here, the filament 30 is formed to emit hot electrons while being heated to a predetermined temperature by a power supply voltage applied from the outside. Therefore, since the ion beam is neutralized and incident on the surface of the wafer W, the surface of the wafer W has an electrically stable state.

상기 지지대(40)는 상기 필라멘트(30)가 상기 이온빔에 근접하여 위치되게 하고, 상기 챔버(10)의 측벽에서 소정의 거리를 갖고 내부에서 돌출되도록 형성되어 있다. 상기 가이드(50)는 일측이 상기 조임 스크류(60)에 고정되고, 타측이 상기 필라멘트(30)에 전기적으로 연결되며, 상기 지지대(40)의 양측면을 따라 복수개가 지지되도록 형성되어 있다. 예컨대, 복수개의 상기 가이드(50)는 상기 필라멘트(30)의 양단으로 전원전압을 인가하는 도전성 금속으로 이루어져 있으며, 상기 조임 스크류(60)의 틈사이에 삽입될 수 있는 직사각형의 단면을 갖도록 형성되어 있다.The support 40 is formed such that the filament 30 is positioned in proximity to the ion beam, and protrudes from the side wall of the chamber 10 at a predetermined distance. One side of the guide 50 is fixed to the fastening screw 60, the other side is electrically connected to the filament 30, is formed so that a plurality of the support along the both sides of the support (40). For example, the plurality of guides 50 are made of a conductive metal for applying a power supply voltage to both ends of the filament 30, and are formed to have a rectangular cross section that can be inserted between the gaps of the fastening screw 60. have.

상기 조임 스크류(60)는 상기 챔버(10)의 외부에서 노출되는 머리 부분을 갖고 상기 너트(70)와 결합되면서 상기 가이드(50)를 고정시키도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 조임 스크류(60)는 상기 가이드(50)를 고정시키면서 상기 챔버(10)의 외부에서 내부로 인입되는 전원인입선의 역할을 대신한다. The tightening screw 60 has a head portion exposed from the outside of the chamber 10 and is coupled to the nut 70 to fix the guide 50. For example, the fastening screw 60 replaces the role of the power lead wire that is introduced into the interior from the outside of the chamber 10 while fixing the guide 50.

도 2는 도 1의 조임 스크류(60) 및 너트(70)를 나타내는 단면도로서, 상기 조임 스크류(60)는 상기 챔버(10)의 상기 포트 내부로 삽입되는 부분이 전기적으로 절연되도록 고무 바킹(62)에 의해 둘러싸여 있으며, 상기 너트(70)가 조여질 경우 상기 가이드(50)의 압력에 의해 상기 고무 바킹(62)이 국부적으로 변형되지 않고 탄성을 전체적으로 분산시키도록 형성된 복수개의 와셔(64)가 삽입되어 있다. 도시 되지는 않았지만, 상기 조임 스크류(60)의 머리 부분은 외부의 전선이 삽입되는 콘센트 또는 소켓 모양을 갖도록 형성되어 있다. 상기 머리 부분에 대향되면서 상기 너트(70)에 삽입되는 부분은 상기 가이드(50)를 중심에 두고 갈라질 수 있도록 소정의 간격의 틈(66)이 길이 방향으로 형성되어 있으며, 외주면에 소정의 피치를 갖는 나사산이 형성되어 있다. 따라서, 상기 조임 스크류(60)는 상기 너트(70)에 의해 조여지면서 상기 틈(66) 사이에 삽입된 가이드(50)를 고정시키도록 형성되어 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the fastening screw 60 and the nut 70 of FIG. 1, wherein the fastening screw 60 has a rubber baring 62 to electrically insulate a portion inserted into the port of the chamber 10. And a plurality of washers 64 formed to disperse the elasticity as a whole without being deformed locally by the pressure of the guide 50 when the nut 70 is tightened. It is inserted. Although not shown, the head of the fastening screw 60 is formed to have a shape of an outlet or a socket into which an external electric wire is inserted. The portion inserted into the nut 70 while being opposed to the head portion is formed with a gap 66 having a predetermined interval in the longitudinal direction so as to be split with the guide 50 at the center thereof, and having a predetermined pitch on the outer circumferential surface thereof. The thread which has is formed. Accordingly, the fastening screw 60 is formed to fix the guide 50 inserted between the gaps 66 while being tightened by the nut 70.

하지만, 상기 가이드(50)를 고정시키기 위해 상기 조임 스크류(60)에 상기 너트(70)를 조이면 조일수록 너트(70)의 내부로 삽입되는 조임 스크류(60)의 틈(66)이 과도하게 좁아지면서 상기 너트(70)가 헛돌아 상기 가이드(50)가 상기 조임 스크류(60)에 의해 튼튼하게 고정되지 못하고 상기 챔버(10)의 측벽에 접지되어 상기 필라멘트(30)에 상기 전원전압을 인가시키지 못하기 때문에 생산수율이 떨어지는 문제점이 있었다.However, when the nut 70 is tightened to the tightening screw 60 to fix the guide 50, the gap 66 of the tightening screw 60 inserted into the nut 70 becomes excessively narrow. As the nut 70 is turned off, the guide 50 is not firmly fixed by the fastening screw 60 and is grounded on the side wall of the chamber 10 so as to apply the power voltage to the filament 30. There was a problem that the production yield is not so good.

상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 너트(70)의 내부로 삽입되는 조임 스크류(60)의 틈(66)이 과도하게 좁아들지 않게 하고, 조임 스크류(60)에 의해 상기 가이드(50)가 튼튼하게 고정되도록 하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 이온주입설비를 제공하는 데 있다.An object of the present invention for solving the problems according to the prior art described above is to prevent the gap 66 of the tightening screw 60 inserted into the nut 70 from being excessively narrowed, and to the tightening screw 60. By providing the guide 50 is firmly fixed by the ion implantation facility that can increase or maximize the production yield.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따른 이온주입설비는, 밀폐된 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 상부로부터 입사되는 이온빔에 수직하여 상기 챔버의 하단에서 웨이퍼를 지지하도록 형성된 척; 외부에서 인가되는 전원전압을 이용하여 상기 이온빔을 플라즈마 상태로 여기시키도록 형성된 필라멘트; 상기 챔버의 측벽에 고정되어 상기 필라멘트를 지지하도록 형성된 지지대; 상기 필라멘트에서 상기 지지대의 외주면을 따라 상기 챔버의 측벽에 인접하되도록 형성된 가이드; 상기 챔버의 측벽에 인접되는 상기 가이드를 틈에 삽입시키며 상기 챔버의 측벽에 형성된 포트를 통해 상기 챔버의 측벽에서 돌출되도록 형성된 조임 스크류; 상기 조임 스크류의 외주면을 따라 회전되면서 상기 조임 스크류와 결합되고, 상기 틈에 삽입된 상기 가이드를 고정시키도록 형성된 너트; 및 상기 너트의 내부로 결합되는 조임 스크류의 상기 틈이 줄어드는 것을 방지하기 위해 상기 조임 스크류의 상기 틈 내에 삽입되도록 형성된 조임 방지 부재를 포함함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, the ion implantation apparatus, the chamber providing a closed space; A chuck formed to support a wafer at the bottom of the chamber perpendicular to an ion beam incident from the top of the chamber; A filament formed to excite the ion beam in a plasma state using a power supply voltage applied from the outside; A support fixed to the sidewall of the chamber and configured to support the filament; A guide formed in the filament to be adjacent to the sidewall of the chamber along an outer circumferential surface of the support; A tightening screw inserted into the gap adjacent to the side wall of the chamber and protruding from the side wall of the chamber through a port formed in the side wall of the chamber; A nut coupled to the tightening screw while being rotated along an outer circumferential surface of the tightening screw and configured to fix the guide inserted into the gap; And a tightening preventing member configured to be inserted into the gap of the tightening screw to prevent the gap of the tightening screw coupled into the nut.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비를 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.Hereinafter, an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비를 개략적으로 나타낸 구성 단 면도이다. 3 is a configuration stage schematically showing the ion implantation equipment according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 이온주입설비는, 외부로부터 밀폐된 공간을 제공하는 챔버(110)와, 상기 챔버(110)의 상부로부터 입사되는 이온빔에 수직하여 상기 챔버(110)의 하단에서 웨이퍼(W)를 지지하도록 형성된 척(120)과, 외부에서 인가되는 전원전압을 이용하여 상기 이온빔을 플라즈마 상태로 여기시키도록 형성된 필라멘트(130)와, 상기 챔버(110)의 측벽에 고정되어 상기 필라멘트(130)를 지지하도록 형성된 지지대(140)와, 상기 필라멘트(130)에서 상기 지지대(140)의 외주면을 따라 상기 챔버(110)의 측벽에 인접하되도록 형성된 가이드(150)와, 상기 챔버(110)의 측벽에 인접되는 상기 가이드(150)를 틈(gap, 166)에 삽입시키며 상기 챔버(110)의 측벽에 형성된 포트를 통해 상기 챔버(110)의 측벽에서 돌출되도록 형성된 조임 스크류(160)와, 상기 조임 스크류(160)의 외주면을 따라 회전되면서 상기 조임 스크류(160)와 결합되고, 상기 틈(166)에 삽입된 상기 가이드(150)를 고정시키도록 형성된 너트(170)와, 상기 너트(170)의 내부로 삽입되는 조임 스크류(160)의 틈(166)이 줄어드는 것을 방지하기 위해 상기 조임 스크류(160)의 갭 내에 삽입되도록 형성된 조임 방지 부재(180)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 3, the ion implantation apparatus of the present invention includes a chamber 110 that provides a space enclosed from the outside and an ion beam incident from an upper portion of the chamber 110. A chuck 120 formed to support the wafer W at a lower end, a filament 130 formed to excite the ion beam in a plasma state using a power supply voltage applied from the outside, and fixed to a sidewall of the chamber 110. And a support 140 formed to support the filament 130, a guide 150 formed to be adjacent to the sidewall of the chamber 110 along the outer circumferential surface of the support 140 at the filament 130, and the Tightening screw formed to protrude from the side wall of the chamber 110 by inserting the guide 150 adjacent to the side wall of the chamber 110 into a gap (166) and through a port formed in the side wall of the chamber 110 ( 160 and the fastening screw (1) A nut 170 coupled to the fastening screw 160 while being rotated along an outer circumferential surface of the 60, and configured to fix the guide 150 inserted into the gap 166, and into the nut 170. And a tightening preventing member 180 formed to be inserted into a gap of the tightening screw 160 to prevent the gap 166 of the tightening screw 160 to be inserted from being reduced.

여기서, 상기 챔버(110)는 조사기 또는 소정의 입사부에서 입사되는 도전성 불순물의 이온빔이 상단에서 상기 웨이퍼(W)를 향해 수직으로 입사되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 챔버(110)는 내부에서 입사되는 상기 이온빔이 플라즈마 상태로 여기되면서 불꽃 반응이 유도되기 때문에 아크 챔버(110)라 칭하여 질 수도 있다.Here, the chamber 110 is formed such that an ion beam of conductive impurities incident from an irradiator or a predetermined incidence portion is vertically incident toward the wafer W from an upper end thereof. For example, the chamber 110 may be referred to as an arc chamber 110 because a spark reaction is induced while the ion beam incident therein is excited in a plasma state.

상기 필라멘트(130)는 전기적으로 양의 상태를 갖는 상기 이온빔에 열전자를 방출시켜 상기 이온빔을 전기적으로 중화시키도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 필라멘트(130)는 상기 가이드(150)의 팁에서 연장되는 금속선으로 소정 세기 이상의 전류가 인가되면 발열되면서 상기 열전자를 방출시킬 수 있다. 이때, 상기 열전자는 상기 이온빔의 입사방향에 수직하는 수평 방향으로 입사되어질 수 있다. 필라멘트(130)의 재료는 녹는점이 높아야 하고 적당한 전기저항값을 가져야 한다. 상기 필라멘트(130)는 텅스텐 또는 니켈을 포함하여 이루어진다. 텅스텐 필라멘트(130)의 경우, 상기 전류에 의해 발열될 수 있는 온도가 약 2000 ℃이지만, 텅스텐은 녹는점이 약 3390℃ 정도로 금속 중에서 가장 높기 때문에 이런 고온에 잘 견딘다. 또한 고온에서 필라멘트(130)가 변형되는 것을 방지하기 위해 알루미나 ·산화규소 ·산화칼륨 등이 첨가되어질 수도 있다. 필라멘트(130) 저항은 온도에 따라 변하는데, 일반적으로 온도가 올라갈수록 저항이 증가한다. 저항이 증가하면 전류가 감소되고, 전류가 감소하면 필라멘트(130)의 온도가 내려가므로 저항은 다시 감소한다. 이러한 피드백 작용의 반복으로 안정된 저항 값에 도달한다.The filament 130 may electrically neutralize the ion beam by emitting hot electrons to the ion beam having an electrically positive state. For example, the filament 130 may emit heat electrons while generating heat when a current of a predetermined intensity or more is applied to the metal wire extending from the tip of the guide 150. In this case, the hot electrons may be incident in a horizontal direction perpendicular to the incident direction of the ion beam. The material of filament 130 should have a high melting point and have an appropriate electrical resistance value. The filament 130 includes tungsten or nickel. In the case of the tungsten filament 130, the temperature that can be generated by the current is about 2000 ° C, but tungsten withstands such high temperatures because the melting point is the highest among the metals about 3390 ° C. In addition, alumina, silicon oxide, potassium oxide, or the like may be added to prevent deformation of the filament 130 at a high temperature. The filament 130 resistance varies with temperature, and generally the resistance increases as the temperature increases. As the resistance increases, the current decreases, and when the current decreases, the temperature of the filament 130 decreases, so the resistance decreases again. This feedback action is repeated to reach a stable resistance value.

상기 지지대(140)는 상기 이온빔에 상기 필라멘트(130)가 근접하여 위치되게 하기 위해 상기 챔버(110)의 측벽에서 소정의 거리를 갖고 내부에서 돌출되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 지지대(140)와, 상기 지지대(140)에서 상기 챔버(110)의 측벽에 대향되는 말단에 상기 필라멘트(130)는 형성되는 총열 모양으로 형성되어 있기 때문에 플라즈마 플루드 건(Plasma Flood Gun : PFG)이라 칭하여 질 수 있다. The support 140 is formed to protrude from the side wall of the chamber 110 at a predetermined distance so that the filament 130 is located close to the ion beam. For example, since the filament 130 is formed at the end opposite to the side wall of the supporter 140 and the chamber 110 in the supporter 140, a plasma flood gun may be formed. PFG).

상기 가이드(150)는 상기 지지대(140)의 말단에 형성된 필라멘트(130)에 전기적으로 연결되며 상기 지지대(140)의 측면을 따라 상기 지지대(140)의 하부 상기 챔버(110)의 측벽을 통해 유입되는 복수개의 조임 스크류(160) 및 너트(170)에 의해 고정될 수 있다. 이때, 가이드(150)는 상기 지지대(140)의 측면에서 전기적으로 절연되도록 형성되어 있으며, 상기 지지대(140)의 측면을 따라 연장되면서 일부 굴절이 일어나는 선형으로 형성되어 있다. 예컨대, 복수개의 상기 가이드(150)는 상기 필라멘트(130)의 양단으로 전원전압을 인가하는 도전성 금속으로 이루어져 있으며, 상기 조임 스크류(160)의 틈(166)사이에 삽입될 수 있는 직사각형의 단면을 갖도록 형성되어 있다.The guide 150 is electrically connected to the filament 130 formed at the end of the support 140 and flows through the sidewall of the lower chamber 110 of the support 140 along the side of the support 140. It may be fixed by a plurality of tightening screws 160 and nuts 170 to be. At this time, the guide 150 is formed so as to be electrically insulated from the side of the support 140, and is formed in a linear form in which some deflection occurs while extending along the side of the support 140. For example, the plurality of guides 150 are made of a conductive metal for applying a power supply voltage to both ends of the filament 130, and have a rectangular cross section that can be inserted between the gaps 166 of the fastening screw 160. It is formed to have.

상기 조임 스크류(160)는 상기 챔버(110)의 외부에서 노출되는 머리 부분을 갖고, 상기 챔버(110)의 내부에서 상기 너트(170)와 결합되면서 상기 가이드(150)를 고정시키도록 형성되어 있다. 따라서, 상기 조임 스크류(160)는 상기 가이드(150)를 고정시키면서 상기 챔버(110)의 외부에서 내부로 인입되는 전원인입선의 역할을 대신한다. The fastening screw 160 has a head portion exposed from the outside of the chamber 110 and is formed to fix the guide 150 while being coupled with the nut 170 inside the chamber 110. . Therefore, the fastening screw 160 may take the role of a power lead wire that is introduced into the interior from the outside of the chamber 110 while fixing the guide 150.

도 4는 도 3의 조임 스크류(160) 및 너트(170)를 나타내는 단면도로서, 상기 조임 스크류(160)는 외부의 전선으로부터 전달되는 전류를 상기 가이드(150)에 전달시키는 도체로서 상기 챔버(110)와 전기적으로 절연되도록 하기 위해 상기 챔버(110)의 측벽의 포트의 내벽과 상기 조임 스크류(160)의 외주면사이에 고무 바킹(162)에 둘러싸여 있고, 상기 고무 바킹(162) 및 상기 가이드(150) 사이에서 상기 가이드(150)가 상기 챔버(110)의 측벽으로 압착되면 상기 고무 바킹(162)의 탄 성을 분산시키는 복수개의 와셔(164)가 삽입되어 있다. 여기서, 상기 고무 바킹(162)은 상기 챔버(110)의 포트 내벽뿐만 아니라 상기 포트의 양측 가장자리 부분을 커버링시켜 상기 조임 스크류(160)의 머리 부분과 상기 와셔(164)가 상기 챔버(110)에 접지되는 것을 방지할 수 있도록 형성되어 있다. 또한, 상기 와셔(164)는 상기 조임 스크류(160)의 틈(166)에 삽입되는 상기 가이드(150)가 슬라이딩되거나 비틀어지면서 상기 챔버(110)의 측벽에 전기적으로 접촉되는 것을 방지하도록 형성되어 있다. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the fastening screw 160 and the nut 170 of FIG. 3, wherein the fastening screw 160 is a conductor that transmits current transmitted from an external electric wire to the guide 150. Is surrounded by a rubber baring 162 between the inner wall of the port of the side wall of the chamber 110 and the outer circumferential surface of the fastening screw 160 to be electrically insulated from the chamber 110, and the rubber baring 162 and the guide 150. When the guide 150 is pressed into the side wall of the chamber 110 between the plurality of), a plurality of washers 164 for dispersing the elasticity of the rubber bar 162 is inserted. Here, the rubber baring 162 may cover not only the inner wall of the port of the chamber 110 but also both side edge portions of the port so that the head of the fastening screw 160 and the washer 164 may be in the chamber 110. It is formed to prevent grounding. In addition, the washer 164 is formed to prevent the guide 150 inserted into the gap 166 of the tightening screw 160 to be in electrical contact with the side wall of the chamber 110 while sliding or twisting. .

도시되지는 않았지만, 상기 조임 스크류(160)의 머리 부분은 외부의 전선이 삽입되는 콘센트 또는 소켓 모양을 갖도록 형성되어 있다. 반면, 상기 머리 부분에 대향되면서 상기 너트(170)에 삽입되는 부분은 상기 가이드(150)를 중심에 두고 갈라질 수 있도록 소정의 간격의 틈(166)이 길이 방향으로 형성되어 있으며, 외주면에 소정의 피치를 갖는 나사산이 형성되어 있다. 예컨대, 상기 틈(166)은 로드(rod) 모양의 조임 스크류(160) 내에 상기 가이드(150)를 삽입시키는 공극으로 형성되어 있다. 따라서, 상기 조임 스크류(160)는 상기 틈(166) 내부를 관통시키는 가이드(150)가 삽입되면 상기 너트(170)에 의해 조여지면서 상기 틈(166) 사이에 삽입된 가이드(150)를 고정시키도록 형성되어 있다.Although not shown, the head of the fastening screw 160 is formed to have a shape of an outlet or a socket into which an external electric wire is inserted. On the other hand, the portion inserted into the nut 170 while being opposed to the head portion is formed with a gap 166 at a predetermined interval in the longitudinal direction so as to be split with the guide 150 at the center thereof, A thread having a pitch is formed. For example, the gap 166 is formed as a cavity for inserting the guide 150 into a rod-shaped tightening screw 160. Therefore, when the guide 150 penetrating the inside of the gap 166 is inserted, the fastening screw 160 is tightened by the nut 170 to fix the guide 150 inserted between the gaps 166. It is formed to be.

이때, 상기 가이드(150)를 고정시키기 위해 상기 조임 스크류(160)에 상기 너트(170)를 조이면 조일수록 너트(170)의 내부로 삽입되는 조임 스크류(160)의 틈(166)이 과도하게 좁아질 수 있다. 왜냐하면, 상기 너트(170)가 회전되면서 상기 너트(170)의 전면은 상기 조임 스크류(160)의 나사산을 따라 상기 조임 스크 류(160)의 머리 방향으로 전진하려고 하나, 더 이상 전진하지 못하고 나사산의 사면을 따라 소정의 압력이 발생되고 상기 너트(170)의 내부 또는 후면에 삽입되는 상기 조임 스크류(160)의 틈(166) 간격이 줄어들기 때문이다. 또한, 상기 너트(170)가 과도하게 조여질 경우 상기 너트(170)의 전면에 접촉되는 상기 조임 스크류(160)의 나사산이 파손되면서 상기 너트(170)가 헛돌아 갈 수 있다. 상기 조임 방지 부재(180)는 상기 너트(170)의 내부에 삽입되는 상기 조임 스크류(160)의 틈(166) 내부에 삽입되어 상기 너트(170)의 내부 또는 후면에 대응되는 상기 조임 스크류(160)의 틈(166) 간격이 줄어드는 것을 방지할 수 있다. At this time, when the nut 170 is tightened to the tightening screw 160 to fix the guide 150, the gap 166 of the tightening screw 160 inserted into the nut 170 is excessively narrowed. Can lose. Because, as the nut 170 is rotated, the front surface of the nut 170 tries to advance toward the head of the tightening screw 160 along the thread of the tightening screw 160, but no longer advances, This is because a predetermined pressure is generated along the slope and the gap 166 of the tightening screw 160 inserted into the inside or the rear of the nut 170 is reduced. In addition, when the nut 170 is excessively tightened, the screw 170 of the tightening screw 160 which is in contact with the front surface of the nut 170 may be broken, and the nut 170 may return. The tightening preventing member 180 is inserted into the gap 166 of the tightening screw 160 inserted into the nut 170 to correspond to the tightening screw 160 corresponding to the inside or the rear of the nut 170. It can be prevented that the gap 166 of the gap) is reduced.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비는 너트(170)가 삽입되는 조임 스크류(160)의 틈(166) 내에 일정 간격을 유지시키는 조임 방지 부재(180)를 삽입시켜 상기 너트(170)가 상기 조임 스크류(160)에서 회전되면서 과도하게 전진되더라도 상기 너트(170)에 삽입되는 상기 조임 스크류(160)의 접촉면이 균일하게 분배되는 힘을 받도록 하고, 상기 조임 스크류(160)의 틈(166)이 줄어드는 것을 방지시킬 수 있다. Accordingly, the ion implantation facility according to the embodiment of the present invention inserts the tightening preventing member 180 to maintain a predetermined gap in the gap 166 of the tightening screw 160 into which the nut 170 is inserted to the nut 170. Is rotated in the tightening screw 160, even if it is excessively advanced so that the contact surface of the tightening screw 160 inserted into the nut 170 receives a uniformly distributed force, the gap 166 of the tightening screw 160 ) Can be reduced.

예컨대, 상기 조임 방지 부재(180)는 상기 조임 스크류(160)의 틈(166) 간격과 동일 또는 유사한 두께를 갖도록 형성되며, 상기 가이드(150)와 함께 일체형으로 형성될 수 있다.For example, the fastening prevention member 180 may be formed to have the same or similar thickness as that of the gap 166 of the fastening screw 160, and may be integrally formed with the guide 150.

도 5는 도 3의 가이드(150) 및 조임 스크류(160)의 결합 사시도를 나타내는 것으로서, 가이드(150)는 조임 스크류(160)의 틈(166) 내부에 삽입되는 부분에서 조임 방지 부재(180)와 일체형으로 제작됨에 따라 상기 조임 스크류(160)의 틈(166) 내부를 채우도록 형성될 수 있다. FIG. 5 is a perspective view illustrating a coupling view of the guide 150 and the tightening screw 160 of FIG. 3, wherein the guide 150 is inserted into a gap 166 of the tightening screw 160. As it is manufactured integrally with and may be formed to fill the gap 166 of the tightening screw 160.

여기서, 상기 가이드(150)는 상기 조임 스크류(160)의 틈(166)을 통과하면서 상기 조임 스크류(160)의 회전 축을 가로지르도록 형성되고 상기 조임 방지 부재(180)는 상기 조임 스크류(160)의 회전 축과 동일한 방향으로 형성되어 있다. 따라서, 상기 가이드(150)는 상기 조임 방지 부재(180)와 직각을 이루도록 형성되어 있다. 또한, 상기 가이드(150)와 상기 조임 방지 부재(180)가 일체형으로 결합되어 있기 때문에 둘 중 어느 하나가 고정되면 나머지 하나 또한 연동되어 고정될 수 있다. 즉, 상기 조임 스크류(160)에 상기 너트(170)가 체결되어 상기 조임 방지 부재(180)가 너트(170)의 내부에 고정되면 상기 가이드(150)는 상기 조임 스크류(160)와 수직하는 방향으로 고정될 수 있다. 상기 가이드(150)가 상기 지지대(140)에 고정되면 상기 조임 방지 부재(180) 또한 상기 조임 스크류(160) 내에서 고정될 수 있다.Here, the guide 150 is formed to cross the axis of rotation of the tightening screw 160 while passing through the gap 166 of the tightening screw 160 and the tightening preventing member 180 is the tightening screw 160 It is formed in the same direction as the axis of rotation. Therefore, the guide 150 is formed to be perpendicular to the tightening prevention member 180. In addition, since the guide 150 and the fastening prevention member 180 are integrally coupled, if either one is fixed, the other may also be interlocked and fixed. That is, when the nut 170 is fastened to the fastening screw 160 and the fastening preventing member 180 is fixed to the inside of the nut 170, the guide 150 is perpendicular to the fastening screw 160. Can be fixed. When the guide 150 is fixed to the support 140, the fastening preventing member 180 may also be fixed in the fastening screw 160.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비는 조임 스크류(160)의 틈(166) 내에 삽입되어 고정되는 가이드(150)와 일체형으로 구성되어 상기 조임 스크류(160)에 체결되는 너트(170)의 내부에서 상기 틈(166)을 일정 간격으로 유지시키도록 형성된 조임 방지 부재(180)를 구비하여 상기 너트(170)가 조여지더라도 상기 너트(170)의 내부에서 상기 틈(166)이 줄어 상기 너트(170)가 헛도는 것을 방지하고, 상기 가이드(150)가 튼튼하게 고정되도록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Accordingly, the ion implantation facility according to the embodiment of the present invention is integrally formed with the guide 150 inserted into and fixed in the gap 166 of the tightening screw 160, and the nut 170 fastened to the tightening screw 160. And a tightening preventing member 180 formed to maintain the gap 166 at a predetermined interval in the inside of the nut 170 even though the nut 170 is tightened, thereby reducing the gap 166 in the nut 170. Since the 170 is prevented from being lost and the guide 150 can be firmly fixed, the production yield can be increased or maximized.

또한, 본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수 행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용되어질 수 있을 것이다. 또한, 당해 기술 분야의 숙련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 구조는 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변화, 치환 및 변경이 가능하다. In addition, the inventive concepts and embodiments disclosed in the present invention may be used by those skilled in the art as a basis for modifying or designing other structures for carrying out the same purposes of the present invention. In addition, such modifications or altered equivalent structures by those skilled in the art may be variously changed, substituted, and changed without departing from the spirit or scope of the invention described in the claims.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 조임 스크류의 틈 내에 삽입되어 고정되는 가이드와 일체형으로 구성되어 상기 조임 스크류에 체결되는 너트의 내부에서 상기 틈을 일정 간격으로 유지시키도록 형성된 조임 방지 부재를 구비하여 상기 너트가 조여지더라도 상기 너트의 내부에서 상기 틈이 줄어 상기 너트가 헛도는 것을 방지하고, 상기 가이드가 튼튼하게 고정되도록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention is provided with an anti-tightening member formed integrally with the guide is inserted into the gap of the tightening screw and fixed to maintain the gap at a predetermined interval inside the nut fastened to the tightening screw. Therefore, even if the nut is tightened, the gap is reduced in the nut, thereby preventing the nut from being lost, and the guide can be securely fixed, thereby increasing or maximizing the production yield.

Claims

A chamber providing a closed space;

A chuck formed to support a wafer at the bottom of the chamber perpendicular to an ion beam incident from the top of the chamber;

A filament formed to excite the ion beam in a plasma state using a power supply voltage applied from the outside;

A support fixed to the sidewall of the chamber and configured to support the filament;

A guide formed in the filament to be adjacent to the sidewall of the chamber along an outer circumferential surface of the support;

A tightening screw inserted into the gap adjacent to the side wall of the chamber and protruding from the side wall of the chamber through a port formed in the side wall of the chamber;

A nut coupled to the tightening screw while being rotated along an outer circumferential surface of the tightening screw and configured to fix the guide inserted into the gap; And

And an anti-tightening member configured to be inserted into the gap of the fastening screw to prevent the gap of the fastening screw coupled into the nut.

The method of claim 1,

And the tightening preventing member has an integrated type with the guide within a gap of the tightening screw.

The method of claim 3, wherein

And the guide is formed to cross the rotation axis of the tightening screw while passing through the gap of the tightening screw, and the tightening preventing member is formed in the same direction as the rotation axis of the tightening screw.