KR20080063798A - 순수한 유기 물질에 기초한 고이동, 고효율성 유기막 - Google Patents

순수한 유기 물질에 기초한 고이동, 고효율성 유기막 Download PDF

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더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티
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Abstract

유기 소형 분자 물질의 제1 샘플로 시작하는 일련의 공정으로 수행되는 유기 소형 분자 물질의 정제 방법이 개시된다. 제1 단계 (904)는 온도 구배 승화에 의해 유기 소형 분자 물질을 정제하는 것이다. 제2 단계 (908)는 정제된 유기 소형 분자 물질로부터 적어도 하나의 샘플의 순도를 분광법으로 조사하는 것이다. 제3 단계 (910)는 분광학적 조사시에 표적 유기 소형 분자에 대한 특성 피크 크기의 한계 비율을 초과하는 임의의 피크가 나타나는 경우, 정제된 소형 분자 물질에 대해 제1 내지 제3 단계를 반복하는 것이다. 단계는 적어도 2회 수행된다. 한계 비율은 최대 10%이다. 바람직하게, 한계 비율은 5%이고, 더욱 바람직하게는 2%이다. 한계 비율은 최종 디바이스에서 표적 성능 특성을 이룬 과거 샘플의 스펙트럼에 기초해 선택될 수 있다.
유기 물질, 이동성, 고효율성, 온도 구배 승화, 정제

Description

순수한 유기 물질에 기초한 고이동, 고효율성 유기막 {HIGH MOBILITY HIGH EFFICIENCY ORGANIC FILMS BASED ON PURE ORGANIC MATERIALS}
관련 출원
본 출원은 그의 내용이 본 원에 참고로 포함되는, 2005년 9월 30일자로 출원된 미국 임시출원 제60/721,975호에 대한 우선권의 이점을 주장한다.
미국 정부의 권리
본 발명은 미국 공군 과학 연구실로부터 부여받은 계약 번호 제339-6002번 및 미국 에너지성 국립 재생에너지 연구소로부터 부여받은 계약 번호 제339-4012번하에 미국 정부의 지원을 받아 이루어졌다. 정부는 본 발명에 대해 일정 권리를 갖는다.
공동 연구 협약
청구된 발명은 산학 협력 연구 협약 당사자인 프린스턴 대학(Princeton University), 남가주 대학(The University of Southern California) 및 글로벌 포토닉 에너지 주식회사(Global Photonic Energy Corporation)중 1인 이상을 대신해서 및/또는 이들 1인 이상과 공동으로 실시되었다. 상기 협약은 청구된 본 발명이 이루어진 당시 및 그 전부터 효력이 발생하고, 청구된 발명은 협약 범위내에서 이행된 활동의 결과로 이루어진 것이다.
발명의 분야
본 발명은 일반적으로 유기 감광성 광전자 디바이스에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 적어도 하나의 고도로 정제된 광전도성 물질을 포함하는 유기 감광성 광전자 디바이스 및 상기 물질의 정제 방법에 관한 것이다.
배경
광전자 디바이스는 전자적으로 전자기 방사선을 생성 또는 검출하거나, 주변 전자기 방사선을 발생하기 위해 재료의 광 및 전자 특성에 의존한다.
감광성 광전자 디바이스는 전자기 방사선을 전기 신호 또는 전기로 변환시킨다. 광기전("PV") 디바이스로도 불리는 태양 전지가 엄밀히 말해서 전력을 생성하기 위해 사용되는 감광성 광전자 디바이스의 한 형태이다. 광전도체 셀은 디바이스의 저항성을 모니터하여 흡수광으로 인한 변화를 검출하는 신호 검출 회로와 함께 사용되는 감광성 광전자 디바이스의 한 형태이다. 인가된 바이어스 전압을 수용할 수 있는 광검출기는 광검출기가 전자기 방사선에 노출되었을 때 발생된 전류를 측정하는 신호 검출 회로와 함께 사용되는 감광성 광전자 디바이스의 한 형태이다.
이들 세 부류의 감광성 광전자 디바이스는 하기 정의되는 바와 같은 정류 접합부가 존재하는지의 여부와 디바이스가 바이어스 또는 바이어스 전압으로도 알려진 외부 인가 전압으로 작동되는지의 여부에 따라 구분될 수 있다. 광전도체 셀은 정류 접합부를 갖지 않으며, 보통 바이어스로 작동된다. PV 디바이스는 적어도 하나의 정류 접합부를 가지며, 바이어스 없이 작동된다. 광검출기는 적어도 하나의 정류 접합부를 가지나, 보통 바이어스로 항상 작동되는 것은 아니다.
본 원에서 사용된 "정류"라는 용어는 특히, 계면이 비대칭 전도 특성을 가지는 것으로서, 즉 계면은 바람직하게는 한 방향으로 전자 전하 이동을 유지한다. "반도체"라는 용어는 전하 캐리어가 열 또는 전자기 여기에 의해 유도되는 경우 전기를 전도할 수 있는 물질을 나타낸다. "광전도성"이라는 용어는 일반적으로 전자기 방사선 에너지를 흡수하여 캐리어가 재료내 전기 전하를 전도(즉 이동)할 수 있도록 전기 전하 캐리어의 여기 에너지로 변환되는 과정과 관련된다. 용어 "광전도성 물질"은 전기 전하 캐리어를 발생하는데 전자기 방사선의 흡수능을 활용하는 반도체 물질을 의미한다. 본 원에서 사용된 "상부"란 기판에서 가장 멀리 떨어져 위치해 있음을 의미하는 반면, "저부"는 기판과 가장 가까이 위치해 있음을 의미한다. 달리 언급이 없으면 제1층이 제2층과 "물리적으로 접촉해 있는" 중간층(intervening layer)이 존재할 수 있다.
유기 반도체 물질에 적절한 에너지의 전자기 방사선이 입사되면, 광자를 흡수하여 여기된 분자 상태를 이룰 수 있다. 유기 광전도성 물질에서, 생성된 분자 상태는 일반적으로 "엑시톤", 즉, 준입자로 수송되는 결합된 상태의 전자-정공 쌍일 것으로 판단된다. 엑시톤은 원래의 전자와 정공의 상호 재결합(다른 쌍으로부터의 정공 또는 전자와의 재결합과 반대되는 것임)을 의미하는 제짝 재결합("퀀칭") 전에 감지할 정도의 수명을 가질 수 있다. 광전류의 생성을 위해, 엑시톤을 형성하는 전자-정공은 전형적으로 정류 접합부에서 분리된다.
감광성 디바이스의 경우에, 정류 접합부는 광기전 헤테로접합 부(heterojunction)로 칭해진다. 유기 광기전 헤테로접합부의 타입으로는 도너(donor) 물질과 억셉터(acceptor) 물질의 계면에 형성된 도너-억셉터 헤테로접합부, 및 광전도성 물질과 금속의 계면에 형성된 쇼트키 장벽(Schottky-barrier) 헤테로접합부를 들 수 있다.
도 1은 도너-억셉터 헤테로접합부의 일례를 보여주는 에너지-준위 다이어그램이다. 유기 물질과 관련하여, 용어 "도너" 및 "억셉터"는 접촉하여 있으나 상이한 두 유기 물질의 최고 점유 분자 오비탈("HOMO") 및 최저 점유 분자 오비탈("LUMO") 에너지 준위의 상대적인 위치를 의미한다. 다른 것과 접촉하고 있는 한 물질의 LUMO 에너지 준위가 더 낮은 경우, 이 물질은 억셉터이다. 그렇치 않으면 도너이다. 외부 바이어스 부재시, 도너-억셉터 접합부에서 전자는 억셉터 물질로 이동하는 것이 에너지적으로 유리하다.
본 원에 사용된 제1 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위 10에 가까운 경우 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "크거나", "높다". 보다 높은 HOMO 에너지 준위는 진공 준위에 대해 보다 작은 절대 에너지를 가지는 이온화 전위("IP")에 상응한다. 유사하게, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 진공 준위에 대해 보다 작은 절대 에너지를 가지는 전자 친화성("EA")에 상응한다. 상부에 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이어그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일 물질의 HOMO 에너지 준위 보다 높다.
도너 (152) 또는 억셉터 (154)에서 광자 (6)의 흡수는 엑시톤 (8)을 형성하며, 엑시톤 (8)은 정류 계면에서 해리된다. 도너 (152)는 정공(흰 원)을 수송하며, 억셉터 (154)는 전자 (검은 원)를 전달한다.
유기 반도체의 중요한 특성은 캐리어 이동성이다. 이동성은 전하 캐리어가 전기장에 응답하여 전도 물질을 통해 이동할 수 있는 용이성의 척도이다. 유기 감광성 디바이스와 관련하여, 고 전자 이동성으로 인해 전자에 의해 우선적으로 전도되는 물질은 전자 전달 물질로 칭해진다. 고 정공 이동성으로 인해 정공에 의해 우선적으로 전도되는 물질은 정공 수송 물질로 칭해진다. 디바이스내 이동성 및/또는 위치로 인해 전자에 의해 우선적으로 전도되는 층은 전자 전달층("ETL")으로 칭해질 수 있다. 디바이스내 이동성 및/또는 위치로 인해 정공에 의해 우선적으로 전도되는 층은 정공 수송층("HTL")으로 칭해질 수 있다. 바람직하지만 필수적인 것은 아닌 것으로, 억셉터 물질은 전자 전달 물질이고, 도너 물질은 정공 수송 물질이다.
캐리어 이동성 및 상대적인 HOMO 및 LUMO 준위에 근거해 광기전 헤테로접합부에서 도너 및 억셉터로 제공하기 위해 두 유기 광전도성 물질의 쌍을 짓는 방법은 당업계에 익히 알려졌으며, 본 원에서 다루지는 않겠다.
본 원에 사용된 용어 "유기"는 유기 광-전자 디바이스를 제조하기 위해 사용될 수 있는 소형 분자 유기 물질뿐만 아니라 중합체 물질도 포함한다. "소형 분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 의미하며, "소형 분자"는 실질적으로 매우 클 수도 있다. 소형 분자는 일부의 경우 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들어, 치환체로서 장쇄 알킬기를 사용하는 것이 "소형 분자" 부류로부터 한 분자를 제거하는 것은 아니다. 소형 분자는 또한, 예를 들어 중합체 백본상의 펜던트기 또는 백본의 일부로서 중합체에 도입될 수 있다. 소형 분자는 또한 코어 부분상에 형성된 일련의 화학 쉘(shell)로 구성된 덴드리머(dendrimer)의 코어 부분으로 제공될 수도 있다. 덴드리머의 코어 부분은 형광 또는 인광성 소형 분자 이미터(emitter)일 수 있다. 덴드리머는 "소형 분자"일 수도 있다. 일반적으로, 소형 분자는 분자마다 동일한 분자량을 가지는 한정된 화학식을 가지는 반면, 중합체는 분자마다 상이할 수 있는 분자량을 가지는 한정된 화학식을 가진다. 본 원에 사용된 "유기"는 헤테로원자-치환된 하이드로카빌 리간드 및 하이드로카빌의 금속 복합체를 포함한다.
일반적인 구조, 특성, 물질 및 특징을 비롯한 유기 감광성 디바이스에 대한 업황의 추가의 배경 설명 및 기술내용이 미국 특허 제6,657,378호(Forrest 등), 미국 특허 제6,580,027호(Forrest 등) 및 미국 특허 제6,352,777호(Bulovic 등)에 기술되어 있으며, 이들 특허는 본 원에 참고로 포함된다.
발명의 요약
본 발명의 구체예에 따른 방법은 유기 소형 분자 물질의 제1 샘플로부터 시작하여 일련의 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 제1 단계는 온도 구배 승화(thermal gradient sublimation)에 의해 유기 소형 분자 물질을 정제하는 것이다. 제2 단계는 분광법에 의해 정제된 유기 소형 분자 물질로부터 적어도 하나의 샘플의 순도를 조사하는 것이다. 제3 단계는 분광 분석시 표적 유기 소형 분자의 특성 피크 크기의 한계 비율(threshold percentage)을 초과하는 임의의 피크가 존재하는 경우, 정제된 소형 분자 물질에 대해 제1 내지 제3 단계를 반복하는 것이 다. 단계들은 적어도 2 차례 수행된다. 한계 비율은 최대 10%이다. 바람직하게, 한계 비율은 5%이고, 보다 바람직하게는 2%이다. 한계 비율은 최종 디바이스내 목표로 하는 성능 특성을 이룬 과거 샘플의 스펙트럼에 기초해 다른 방식에서 선택될 수 있다.
표적 소형 분자의 특성 피크 크기의 한계 비율을 초과하는 피크가 존재하지 않는 경우, 생성된 정제 물질은 감광성 광전자 디바이스의 성분으로 사용될 수 있다. 디바이스가 도너-억셉터 원리에 기초한 헤테로접합부를 포함하는 경우, 디바이스내 도너-억셉터 계면의 도너 또는 억셉터는 제1 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질을 포함하도록 구성된다. 디바이스가 쇼트키 장벽 원리에 기초한 헤테로접합부를 포함하는 경우, 제1 샘플로부터 정제된 물질은 쇼트키 장벽 헤테로접합부의 광전도성 물질 부분으로 사용될 수 있다.
제1 내지 제3 단계의 누적 반복에 준해, 제1 샘플을 정제하는데 필요한 온도 구배 승화의 총량이 결정될 수 있다. 한계치를 만족하는 이러한 승화 총량의 결정이 온도 구배 승화에 의해 유기 소형 분자 물질의 제2 샘플을 정제하는데 기본으로 이용될 수 있다. 제2 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질은 두 전극 사이에 배열된 적어도 하나의 도너-억셉터 계면을 포함하는 감광성 광전자 디바이스의 도너 또는 억셉터로 이용될 수 있다. 제2 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질은 또한 쇼트키 장벽 헤테로접합부를 포함하는 감광성 디바이스에서 광전도성 물질로도 이용될 수 있다.
제1 샘플 및 제2 샘플이 동일한 공급원으로부터 얻어지는 경우, 제2 샘플은 합리적인 예측도로 제1 샘플의 사이클링으로부터 얻은 결과를 기초로 정제될 수 있으며, 제2 샘플의 승화로부터 얻은 결과는 제1 샘플로부터의 결과를 반영할 것이다. 그러나, 공급원이 상이하거나 샘플이 상이한 조건(예: 환경, 저장 시간)에 노출되는 경우, 제1 샘플의 사이클링으로부터 얻은 결과가 제2 샘플에 타당할 것인지를 결정하기 위한 추가의 시험이 필요할 수 있다.
제1 샘플로부터의 결과를 제2 샘플에 적용할 수 있는지를 조사하기 위하여, 방법에 추가의 단계가 추가된다. "제1 단계"의 최초 수행(즉, 승화) 전 추가의 단계는 분광법에 의해 제1 샘플의 초기 스펙트럼을 결정하는 것이다. 추가의 단계(들)는 제1 샘플에 대한 제1 내지 제3 단계의 누적 반복(즉, 누적 승화 사이클)에 기초해 제1 샘플을 정제하는데 필요한 온도 구배 승화의 총량을 결정하는 것이다. 제1 샘플의 초기 스펙트럼을 결정하는데 이용되었던 것과 동일한 조사 방법으로 분광법을 이용하여, 유기 소형 분자 물질의 제2 샘플에 대한 초기 스펙트럼을 결정한다. 제2 샘플의 초기 스펙트럼이 제1 샘플의 초기 스펙트럼과 실질적으로 매치되면, 유기 소형 분자 물질의 제2 샘플은 제1 샘플의 사이클링으로부터 알 수 있는 바와 같이, 필요한 승화의 총량에 따라 온도 구배 승화로 신뢰성있게 정제될 수 있다.
사용될 수 있는 분광법의 예로서는 질량 분광법 및 푸리에 변환 적외선(Fourier transform infrared: FTIR) 분광법을 들 수 있다. 바람직하게, 양 방법은 제1 샘플의 각 사이클링동안 이용되며, 양 조사 방법이 한계 비율 요구를 만족하지 못하는 피크를 나타내면 사이클은 반복된다. 그러나, 양 조사는 다른 조사없 이 이용될 수 있다. 또한, 각 조사 사이클은 정확도를 더 높이기 위하여 다중 샘플의 조사를 포함할 수 있다.
질량 분광법 조사의 경우, 조사는 정제된 유기 소형 분자 물질의 샘플로부터 분말을 만든 후, 분말에 대해 질량 분광법을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 바람직한 질량 분광법 조사는 레이저 탈착 이온화 비행 시간차(laser desorption ionization time-of-flight) 측정이다.
FTIR 분광법 조사의 경우, 조사는 정제된 유기 소형 분자 물질의 샘플을 기판상에 막으로 침착시킨 후, 막에 대해 FTIR 분광법을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
도 1은 도너-억셉터 헤테로접합부를 보여주는 에너지 준위 다이어그램이다.
도 2는 도너-억셉터 헤테로접합부를 포함하는 유기 감광성 디바이스를 나타낸다.
도 3은 평면 헤테로접합부를 형성하는 도너-억셉터 이중층을 나타낸다.
도 4는 도너 층과 억셉터 층 사이에 혼합 헤테로접합부를 포함하는 하이브리드 헤테로접합부를 나타낸다.
도 5는 벌크 헤테로접합부를 나타낸다.
도 6은 쇼트키 장벽 헤테로접합부를 포함하는 유기 감광성 디바이스를 나타낸다.
도 7은 탠덤(tandem) 감광성 셀을 직렬식으로 나타낸 것이다.
도 8은 탠덤 감광성 셀을 병렬식으로 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 구체예에 따라 소형 분자 물질 샘플을 정제하는 방법 및 이 방법으로 형성된 순수한 물질을 포함하는 감광성 광전자 디바이스의 형성방법을 나타낸다.
도 10은 도 9의 방법을 수행하여 얻은 데이터를 이용하여 소형 분자 물질 샘플의 제2 샘플을 정제하는 방법을 나타낸다.
도 11은 도 9의 방법으로 얻은 결과를 제2 샘플에 적용할 수 있는지를 결정하기 위한 조사를 포함하여, 도 10에 도시된 방법을 세부적으로 나타낸 방법이다.
도 12는 도 9 내지 11의 방법에 이용된 분광 조사 방법을 세부적으로 나타낸 것이다.
도 13은 정제 및 비정제된 구리 프탈로시아닌(CuPc)에 대한 질량 스펙트럼을 나타낸다. 522 amu에서 피크는 H2Pc가 CuPc중의 주 불순물임을 제시한다.
도 14는 정제 및 비정제된 구리 프탈로시아닌(CuPc)에 대한 푸리에 변환 적외선(FTIR) 스펙트럼을 나타낸다. FTIR 데이터의 차이는 H2Pc가 CuPc의 주 불순물임을 제시한다.
도 15는 영 자기장(zero-field) 이동성인 μ 0 를 최초 비정제된 구리 프탈로시아닌(CuPc) 공급 물질의 성장 순서의 차수 함수로 나타낸 것이다. 두께가 1000 내지 4000Å이고, 인듐-주석-옥사이드 애노드(anode)와 Au 캐소드(cathode) 사이에 샌드위치된 막에 대해 측정을 수행하였다. 점선은 정제된 CuPc 박막의 μ 0 에 대해 측정된 값의 범위를 나타낸 것이다.
도 16, 17 및 18은 고진공중에 침착된 최초 비정제된 구리 프탈로시아닌(CuPc) 공급원, 고진공중에 침착된 정제된 공급 물질 및 초고진공중에 침착된 정제된 공급 물질을 사용한 태양 전지의 네개의 연속한 성장에 대한 평균 전력 변환 효율(η), 충전 인자(fill factor: FF) 및 반응도(J sc /P 0 )를 비교하여 나타낸 것이다. 검은색 네모는 최초 비정제된 CuPc의 제1 침착물을 나타내고, 흰색 원은 제2 수행을 나타내며, 흰색 삼각형은 제3 수행을 나타내고, 흰색 역삼각형은 제4 수행을 나타내며, 검은색 다이아몬드는 고진공중에 성장된 정제된 물질을 나타내고, 검은색 별은 초고진공중에 성장된 정제된 물질을 나타낸다.
도 19는 고진공중의 비정제된 공급 물질, 고진공중의 정제된 공급 물질 및 초고진공중의 정제된 공급 물질을 사용한 태양 전지의 세개의 연속한 성장에 대한 평균 외부 양자 효율(η EQE )을 나타낸다.
디바이스 구조 도면들이 반드시 일정 비율로 도시된 것은 아니다.
유기 감광성 디바이스는 광을 흡수하여 엑시톤을 형성한 후, 전자 및 정공으로 해리될 수 있는 적어도 하나의 광활성 영역을 포함한다. 도 2는 광활성 영역 (150)이 도너-억셉터 헤테로접합부를 포함하고 있는 유기 감광성 광전자 디바이스 (100)의 일례를 나타낸다. "광활성 영역"은 전자기 방사선을 흡수하여 전류 발생을 위해 해리될 수 있는 엑시톤을 생성하는 감광성 디바이스의 일부이다. 디바이스 (100)는 기판 (110)상에 애노드 (120), 애노드 평활층 (122), 도너 (152), 억셉터 (154), 엑시톤 차단층("EBL") (156) 및 캐소드 (170)를 포함한다.
EBL (156)의 예에 대해서는 미국 특허 제6,451,415호(Forrest 등)에 기술되어 있으며, 이 특허는 EBL과 관련하여 본 원에 참고로 포함된다. EBL에 대한 추가의 배경설명에 대해서는 문헌 [Peumans et al., "Efficient photon harvesting at high optical intensities in ultrathin organic double-heterostructure photovoltaic diodes," Applied Physics Letters 76, 2650-52 (2000)]에서 찾아볼 수 있다. EBL은 엑시톤이 도너 및/또는 억셉터 물질로부터 이동하지 못하도록 방지하여 퀀칭을 감소시킨다.
용어 "전극" 및 "접촉부"는 본 원에서 외부 회로에 광발생 전류를 전달하거나, 디바이스에 바이어스 전류 또는 전압을 제공하기 위한 매체를 제공하는 층을 나타내기 위해 상호호환적으로 사용된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 애노드 (120) 및 캐소드 (170)가 그 예이다. 전극은 금속 또는 "금속 대체물"로 구성될 수 있다. 본 원에서 "금속"이라는 용어는 원소적으로 순수한 금속으로 구성된 물질 및 2종 이상의 원소적으로 순수한 금속으로 구성된 물질인 금속 합금 모두를 포괄하기 위해 사용된다. "금속 대체물"이라는 용어는 일반적인 정의내의 금속이 아니지만 금속과 같은 성질, 예컨대 전도성을 지니는 물질, 이를테면 도핑된 광대역(wide-bandgap) 반도체, 축퇴 반도체(degenerate semiconductor), 전도성 산화물 및 전도성 중합체를 의미한다. 전극은 단일층 또는 다중층("화합물" 전극)을 포함할 수 있고, 투명성, 반투명성 또는 불투명성일 수 있다. 전극 및 전극 재료의 예는 각각 상기 특징들의 내용을 본 원에 참고로 포함하는 미국 특허 제6,352,777호(Bulovic 등) 및 미국 특허 제6,420,031호(Parthasarathy 등)에 기술된 것을 포함한다. 본 원에서 사용되는 층은 관련 파장에서 주변 전자기 방사선의 적어도 50%를 전달하는 경우 "투명성"이라고 언급된다.
기판 (110)은 목적하는 구조적 특성을 제공하는 임의의 적합한 기판일 수 있다. 기판은 가요성 또는 강성의 평면 또는 비평면일 수 있다. 기판은 투명성, 반투명성 또는 불투명성일 수 있다. 강성 플라스틱 및 유리가 바람직한 강성 기판 물질로 예시된다. 가요성 플라스틱 및 금속 포일이 바람직한 가요성 기판 물질로 예시된다.
애노드-평활층 (122)은 애노드 층 (120)과 도너 층 (152) 사이에 위치할 수 있다. 애노드-평활층은 이 특징과 관련한 내용을 본 원에 참고로 포함하는 미국 특허 제6,657,378호(Forrest 등)에 기술되었다.
도 2에서, 광활성 영역 (150)은 도너 물질 (152) 및 억셉터 물질 (154)을 포함한다. 광활성 영역에 사용하기 위한 유기 물질은 사이클로금속화 유기금속성 화합물을 비롯하여, 유기금속성 화합물을 포함할 수 있다. 본 원에서 사용되는 용어 "유기금속성"은 당업자들이 일반적으로 이해하고 있는 것으로서, 예를 들어, 문헌 [Chapter 13 of "Inorganic Chemistry" (2nd Edition) by Gary L. Miessler and Donald A. Tarr, Prentice Hall (1999)]에 제시된 바와 같다.
유기층은 진공 침착, 스핀 코팅, 유기 기상 침착, 잉크젯 프린팅 및 당업계에 공지된 그밖의 다른 방법으로 제조될 수 있다.
다양한 형태의 도너-억셉터 헤테로접합부의 예가 도 3 내지 5에 예시되었다. 도 3은 평면 헤테로접합부를 형성하는 도너-억셉터 이중층을 나타낸다. 도 4는 도너 물질과 억셉터 물질의 혼합물을 포함하는 혼합 헤테로접합부 (153)를 구비한 하이브리드 헤테로접합부를 나타낸다. 도 5는 이상적인 "벌크" 헤테로접합부를 나타낸다. 다중 계면이 전형적으로 실질적인 디바이스에 존재하더라도, 이상적인 광전류 경우, 벌크 헤테로접합부는 도너 물질 (252)과 억셉터 물질 (254) 사이에 단일 연속 계면을 가진다. 복수의 재료 도메인을 가짐으로써 혼합 및 벌크 헤테로접합부는 다중 도너-억셉터 계면을 가질 수 있다. 반대형 물질로 둘러싸인 도메인(예: 억셉터 물질로 둘러싸인 도너 물질의 도메인)은, 이들 도메인이 광전류에 기여하지 않도록 전기적으로 분리될 수 있다. 다른 도메인은 이들 다른 도멘인이 광전류에 기여할 수 있도록 퍼콜레이션(percolation) 경로(연속 광전류 경로)에 의해 연결될 수 있다. 혼합 및 벌크 헤테로접합부 간의 차이는 도너 물질과 억셉터 물질 간의 상분리도에 있다. 혼합 헤테로접합부에서는 상분리가 매우 조금이거나, 없는 반면(도메인은, 예를 들어 수 나노미터 미만으로 매우 작다), 벌크 헤테로접합부에서는 상당한 상분리가 있다(예를 들어, 수 나노미터에서 100 nm에 이르는 크기의 도메인 형성).
소형-분자 혼합 헤테로접합부는, 예를 들어, 도너 물질 및 억셉터 물질을 진공 침착 또는 증착으로 공침착시켜 형성시킬 수 있다. 소형-분자 벌크 헤테로접합부는, 예를 들어, 성장 제어, 공침착 및 침착후 어닐링 또는 용액 공정으로 형성시킬 수 있다. 중합체 혼합 또는 벌크 헤테로접합부는, 예를 들어, 도너 물질 및 억셉터 물질의 중합체 블렌드를 용액 공정 처리하여 형성시킬 수 있다.
광활성 영역이 혼합 층 (153) 또는 벌크 층 (252, 254)과 도너 층 (152) 및 억셉터 층 (154)중 어느 하나 또는 이 둘 다를 포함하는 경우, 광활성 영역은 "하이브리드" 헤테로접합부로 언급된다. 이의 예로는 도 4의 층 배열을 들 수 있다. 하이브리드 헤테로접합부에 대한 추가의 설명이 지앙겡 슈 등(Jiangeng Xue et al.)에 의해 2004년 8월 4일자로 "High efficiency organic photovoltaic cells employing hybridized mixed-planar heterojunctions" 명칭으로 출원된 미국 특허 출원 제10/910,371호(2005년 10월 13일에 미국 특허 출원 공개 제2005-0224113 A1으로 공개됨)에 기술되어 있으며, 상기 특허는 본 원에 참고로 포함된다.
일반적으로, 평면 헤테로접합부는 우수한 캐리어 전도성을 지니나, 엑시톤 해리성은 좋지 않다; 혼합 층은 캐리어 전도성이 좋지 않고 엑시톤 해리성이 우수하며, 벌크 헤테로접합부는 우수한 캐리어 전도성 및 우수한 엑시톤 해리성을 지니나, 물질의 "쿨데삭(cul-de-sac)" 끝에 전하 축적을 겪어 효율성이 저하될 수 있다. 달리 언급이 없으면, 평면, 혼합, 벌크 및 하이브리드 헤테로접합부는 본 원에 개시된 구체예를 통해 도너-억셉터 헤테로접합부로서 상호호환적으로 사용될 수 있다.
도 6은 광활성 영역 (350)이 쇼트키 장벽 헤테로접합부의 일부인 유기 감광성 광전자 디바이스 (300)의 일례를 나타낸다. 디바이스 (300)는 투명성 접촉부 (320), 유기 광전도성 물질 (358)을 포함하는 광활성 영역 (350) 및 쇼트키 접촉부 (370)를 구비한다. 쇼트키 접촉부 (370)는 전형적으로 금속 층으로서 형성된다. 광전도성 층 (358)이 ETL인 경우, 금과 같은 고 일함수 금속이 사용될 수 있는데 반해, 광전도성 층이 HTL인 경우에는, 알루미늄, 마그네슘 또는 인듐과 같은 저 일함수 금속이 사용될 수 있다. 쇼트키 장벽 셀에서, 쇼트키 배리어와 관련된 내장 전기장은 엑시톤내 전자 및 정공을 따로 분리시킨다. 일반적으로, 이러한 장-관련 엑시톤 해리는 도너-억셉터 계면에서의 해리만큼 효율적이지 않다.
설명된 디바이스들은 소자 (190)에 연결될 수 있다. 디바이스가 광기전 디바이스인 경우, 소자 (190)는 전력을 소비하거나 저장하는 저항성 부하물이다. 디바이스가 광검출기인 경우, 소자 (190)는 광검출기가 광에 노출되었을 때 발생된 전류를 측정하고, 디바이스에 바이어스를 인가할 수 있는 전류 검출 회로이다(예를 들어, 2005년 5월 26일 공개된 공개된 미국 특허 출원 제2005-0110007 A1호(Forrest 등)에 기술된 바와 같음). 정류 접합부가 디바이스로부터 제거되는 경우(예컨대 광활성 영역으로 단일 광전도성 물질을 사용하여), 생성된 구조물은 광전도체 셀로서 이용될 수 있으며, 이 경우 소자 (190)는 광 흡수로 인해 디바이스를 통한 저항 변화를 모니터하기 위한 신호 검출 회로이다. 달리 언급되지 않으면, 본 원에 기술된 각 도면 및 구체예의 디바이스에 대해 상기 각 배열 및 변형이 이용될 수 있다.
유기 감광성 광전자 디바이스는 또한 투명성 전하 이동층, 전극 또는 전하 재결합 존도 포함할 수 있다. 전하 이동층은 유기 또는 무기성일 수 있으며, 광전도 활성이거나 그렇치 않을 수 있다. 전하 이동층은 전극과 유사하나, 디바이스 외부에 전기 연결부를 갖지 않고, 전하 캐리어를 광전자 디바이스의 서브섹션으로부터 인접 서브섹션으로 전달하기만 한다. 전하 재결합 존은 전하 이동층과 유사하나, 광전자 디바이스의 인접 서브섹션 사이에서 전자와 정공이 재결합하도록 해준다. 전하 재결합 존은 예를 들어, 미국 특허 제6,657,378호(Forrest 등); 미국 특허 출원 제10/915,410호(Rand 등에 의해 "Organic Photosensitive Devices" 명칭으로 2004년 8월 11일자로 출원됨(미국 특허 출원 공개 제 US 2006-0032529 A1호로서 2006년 2월 16일 공개됨)); 및 미국 특허 출원 제10/979,145호(Forrest 등에 의해 "Stacked Organic Photosensitive Devices" 명칭으로 2004년 11월 3일자로 출원됨(미국 특허 출원 공개 제 US 2006-0027802 A1으로서 2006년 2월 9일 공개됨))[이들은 각각 재결합 존 물질 및 구조에 대한 개시 내용이 본 원에 참고로 포함됨]에 기술된 바와 같이, 나노클러스터, 나노입자 및/또는 나노로드를 포함하는 반투명성 금속 또는 금속 대체물 재결합 센터를 포함할 수 있다. 전하 재결합 존은 재결합 센터가 내장된 투명성 매트릭스 층을 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 전하 이동층, 전극 또는 전하 재결합 존은 광전자 디바이스의 서브섹션의 캐소드 및/또는 애노드로서 제공될 수 있다. 전극 또는 전하 이동층은 쇼트키 접촉부로서 제공될 수 있다.
도 7 및 8은 상기 투명성 전하 이동층, 전극 및 전하 재결합 존을 구비한 탠덤 디바이스의 일례를 나타낸다. 도 7의 디바이스 (400)에서, 광활성 영역 (150) 및 (150')은 전기적으로 직렬형으로 스택되며, 중간 전도성 영역 (460)을 가진다. 외부전기 연결없이 도시된 바와 같이, 중간 전도성 영역 (460)은 전하 재결합 존이거나, 전하 이동층일 수 있다. 재결합 존으로, 영역 (460)은 투명성 매트릭스 층을 갖거나 갖지 않으면서 재결합 센터 (461)를 포함한다. 매트릭스 층이 존재하지 않는 경우, 존 형성 물질의 배열은 영역 (460)을 통해 연속성이 아닐 수 있다. 도 8 의 디바이스 (500)는 전기적으로 병렬형으로 스택되고, 상부 셀은 역 배열(즉, 캐소드가 아래)을 갖는 광활성 영역 (150) 및 (150')을 나타낸다. 도 7 및 도 8 각각에서, 광활성 영역 (150) 및 (150') 및 차단층 (156) 및 (156')은 응용에 따라, 동일한 각각의 물질 또는 상이한 물질로부터 형성될 수 있다. 마찬가지로, 광활성 영역 (150) 및 (150')은 동일한 타입(즉, 평면, 혼합, 벌크, 하이브리드)의 헤테로접합부이거나, 상이한 타입일 수 있다.
상술된 각 디바이스에서, 엑시톤 차단층과 같은 층들이 생략될 수 있다. 반사층 또는 추가의 광활성 영역과 같은 다른 층들이 추가될 수 있다. 층들의 순서는 변경되거나 역순일 수 있다. 예를 들어, 본 원에 참고로 포함되는 미국 특허 제6,333,458호(Forrest 등) 및 미국 특허 제6,440,769호(Peumans 등)에 기술된 바와 같이, 효율 증가를 위해 집신기(concentrator) 또는 개입(trapping) 배열이 이용될 수도 있다. 예를 들어, 본 원에 참고로 포함되는 미국 특허 출원 제10/857,747호[Peumans 등에 의해 "Aperiodic dielectric multilayer stack"의 명칭으로 2004년 6월 1일자로 출원됨(미국 특허 출원 공개 제 US 2005-0266218 A1으로 2005년 12월 1일 공개됨)]에 기술된 바와 같이, 광 에너지를 디바이스의 목적 영역에 집중시키기 위해 코팅이 이용될 수 있다. 탠덤 디바이스에서, 투명성 절연층이 셀 사이에 형성될 수 있으며, 셀 사이 전기 연결부가 전극을 통해 제공된다. 또한 탠덤 디바이스에서, 하나 이상의 광활성 영역은 도너-억셉터 헤테로접합부 대신 쇼트키 장벽 헤테로접합부일 수 있다. 구체적으로 상술된 이외의 배열도 사용될 수 있다.
광기전 디바이스는 부하물을 통해 연결되고 광 조사되는 경우 광발생 전류를 생성한다. 무한 부하물하에 조사되는 경우, 광기전 디바이스는 그의 최대 가능한 전압, V 개회로, 또는 VOC를 발생한다. 단락된 그의 전기 접촉부로 조사되는 경우, 광기전 디바이스는 그의 최대 가능한 전류, I 단락 또는 ISC를 발생한다. 전력을 발생하기 위해 실질적으로 사용되는 경우, 광기전 디바이스는 유한 저항 부하물에 연결되고, 전류 및 전압의 곱, I×V로 출력이 주어진다. 광기전 디바이스에 의해 생성되는 최대 총 전력은 고유적으로 ISC×VOC 곱을 넘을 수 없다. 부하값이 최대 전력 추출에 최적화되는 경우, 전류 및 전압은 각각 Imax 및 Vmax 값을 가질 수 있다.
광기전 디바이스에 대한 성능 계수는 다음과 같이 정의되는 충전 인자 ff이다:
Figure 112008030563762-PCT00001
상기 식에서,
ISC 및 VOC는 실제 사용시 결코 동시에 얻어지지 않기 때문에, ff는 항상 1 미만이다.
그럼에도 불구하고, ff는 1에 근접함으로써, 디바이스는 직렬 저항 또는 내부 저항을 덜 가져 최적의 조건하에서 부하물에 보다 큰 분율의 ISC 및 VOC 곱을 전달하게 된다. Pinc가 디바이스상에 입사되는 전력인 경우, 디바이스의 전력 효율 P는 다음과 같이 계산될 수 있다:
Figure 112008030563762-PCT00002
유기 광전지는 종래 실리콘을 기반으로 한 디바이스에 비해 많은 유력한 이점을 가진다. 유기 광전지는 재료 사용이 경제적인 가벼운 중량의 것이며, 가요성 플라스틱 포일과 같은 저렴한 기판상에 침착될 수 있다. 그러나, 일부 유기 광기전 디바이스는 전형적으로 1% 이하 정도의 상대적으로 낮은 외부 양자 효율을 가진다. 이는 부분적으로, 고유 광전도 과정의 2차 특성에 기인하는 것으로 생각된다. 즉, 캐리어 생성은 엑시톤 생성, 확산 및 이온화 또는 수집을 필요로 한다. 이들 각 과정과 관련된 효율이 존재한다. 아래첨자는 다음과 같이 사용될 수 있다: P - 전력 효율, EQE - 외부 양자 효율, A - 광자 흡수, ED - 엑시톤 확산, CC - 전하 수집 및 INT - 내부 양자 효율. 이러한 표기들을 이용하는 경우 식은 다음과 같다:
Figure 112008030563762-PCT00003
이전 조사에 따르면, 감광성 디바이스를 제작하기 위해 사용되는 유기 반도체의 정제가 디바이스의 성능을 향상시킬 수 있다고 증명되었다. 그러나, 정제 정도에 대한 디바이스 성능의 예측 가능성은 대부분 시행착오 과정이며, 따라서 개별 디바이스가 앞서 어떤 방식으로 수행되었는지에 대한 확실성은 없다. 특정 규격으로 대량 생산되는 디바이스의 경우, 일부 실행이 목표 성능에 못미치기 때문에, 이러한 불확실도는 생산 수율을 감소시키게 된다.
본 원에 설명된 바와 같이, 처리중, 디바이스 제작전에 유기 물질의 순도를 특정화하기 위해 분광학적 방법이 도입된다.
일반적으로, 현재 이용되고 있는 유기 반도체의 순도는 이상적인 수준에 못미친다. 제조업자로부터 선적되는 경우 재료들에 존재할 수 있는 고유 원자 및 분자 불순물 이외에, 분자 분해 및 환경적 요인으로 인해 추가의 불순물이 도입되는 경우가 허다하다. 따라서, 벌크 물질의 선적 및 저장동안 주변 온도와 같은 요인이 최종 디바이스의 생산 수율에 타격을 줄 수 있다. 더욱이, 특정 물질의 모든 선적이 동일 제조업자로부터 동시에 입수하는 것으로 가정하는 경우에 조차도, 상이한 생산 공정이 상이한 미량의 불순물을 지닐 수 있다.
도 9는 재현가능한 순도 기준을 이루기 위해 정제 공정에 분광법을 도입하는 방법을 나타낸다. 유기 소형 분자 물질의 샘플이 온도 구배 승화에 의해 정제된다 (904). 이어서, 일부 샘플이 분광법으로 순도에 대해 조사된다 (908). 분광학적 조사 결과를 표적(목적) 분자의 특성 피크 규모의 상대적인 한계 비율에 대해 체크한다 (910). 그후, 과정을 적어도 한 번 반복하는데, 이차 피크가 모두 한계 비율 아래로 될 때까지 반복이 수행된다.
생성된 정제 물질에서, 분광학적 조사는 표적 벌크 분자에 해당하는 주요 피크를 나타낼 것이다. 그러나, 초기 샘플은 다중의 큰 규모 피크(예컨대, 제조동안 사용된 미량 흔적량의 용매로 인한 피크)를 포함하여 표적 분자에 해당하는 피크 분간을 어렵게 할 수 있다. 표적 분자에 해당하는 피크 위치는 일반적으로 알려져 있다. 그러나, 알려져 있지 않다면, 반복 승화 사이클후 제거법으로 식별해 낼 수 있다.
기존 디바이스 성능 결과를 기초로 한 선행 시간 기반 정제 방법은 일반적으로 벌크 공급원 간의 변동으로 인해 비신뢰적이고, 과다 정제로 생산 단가를 증가시킨다. 도 9의 방법은 이러한 선행 방법에 비해 몇가지 이점을 가진다. 첫째, 순도에 대한 한계 기준이 일관되게 이루어진다. 둘째로, 주어진 벌크 샘플에 필요한 승화 수준을 절대적으로 최소로 하면서 이들 한계 기준을 이룰 수 있다.
기준이 이루어지면, 정제된 물질을 광활성 영역(예: 150, 150', 350)내 성분으로 사용하여 도 2 내지 8에 대해 상술된 바와 같이 감광성 광전자 디바이스를 제조할 수 있다 (912). 도너-억셉터 디바이스에서는, 도너 및 억셉터 둘 다 정제되는 것이 바람직하다.
실험 데이터로부터의 외삽에 준해, 디바이스 효율 및 이동성에 뚜렷한 향상을 이루기 위해 한계 비율은 10%를 넘지 않아야 한다. 바람직하게, 한계 비율은 최종 디바이스에서 목적으로 하는 성능 특성을 제공한 과거 샘플의 스펙트럼을 기초로 선택된다. 초박막 디바이스(예: 수 분자 두께만을 가지는 막)에 있어서, 막의 얇기가 흡수 효율 및 캐리어 이동성에 특히 중요한 경우, 한계 비율은 바람직하게는 5% 이하 및 보다 바람직하게는 2%이다.
도 10은 제1 샘플에 대해 수행된 승화의 누적 반복을 바탕으로 하여, 벌크 물질의 추가 샘플을 정제하기 위해 도 9의 방법을 세부적으로 나타낸 것이다. 제1 샘플을 정제하기 위해 필요한 누적 승화량을 추적하기 위한 단계 (908)가 정제 사이클에 추가된다. 이어서, 제2 샘플이, 제1 샘플에 필요한 승화의 총량에 기초해 조사없이 정제될 수 있다 (924). 그 다음에, 상기 제1 샘플 (912)을 참조로 하여, 제2 샘플로부터 정제된 물질을 이용하여 디바이스를 제조할 수 있다 (926).
도 10의 방법은 특히 제1 샘플을 정제한 후, 비교적 바로 동일 벌크 공급원으로부터 상이한 샘플을 별도로 처리하는 경우 유리하다. 그러나, 상술된 이유로 해서, 합당한 확실성으로 제1 및 제2 샘플의 불순물 특성이 거의 동일하다고 밝혀지지 않으면, 단계 (924) 및 (926)으로부터의 결과는 신뢰할 수 없다.
도 11의 방법은 제1 및 제2 샘플의 불순물 특성이 거의 동일한지의 여부가 밝혀지지 않았을 때 도 10 방법의 불충분한 점에 대해 다룬 것이다. 도 11에서는, 제1 샘플의 승화전에, 샘플의 초기 스펙트럼을 결정하여 (902) 기준을 취한다. 제2 샘플이 처리되는 경우, 제2 샘플의 초기 스펙트럼을 결정하고 (920), 제1 샘플로부터의 초기 스펙트럼과 비교 (922)한다. 샘플이 실질적으로 동일하다면, 제2 샘플은 제1 샘플에 필요한 승화의 총량에 따라 신뢰성있게 승화될 수 있다 (924). 이 방법으로 추론할 수 있는 바와 같이, 초기 스펙트럼 및 승화 총량은 다수 샘플을 위해 저장될 수 있으며, 제2 샘플의 스펙트럼과 가장 밀접하게 매치되는 초기 스펙트럼의 승화량 (920)이 승화를 대조하는데 이용된다 (924).
도 10은 조사하기에 바람직한 분광학적 방법을 상세히 나타낸다 (908). 두 바람직한 방법은 질량 분광법 및 푸리에 변환 적외선(FTIR) 분광법이다. 바람직하게, 양 방법은 제1 샘플의 각 사이클동안 이용되며, 양 조사 방법이 한계 비율 요구를 만족하지 못하는 피크를 나타내면 사이클은 반복된다. 그러나, 양 조사는 다른 조사없이 이용될 수 있다. 또한, 각 조사 사이클은 정확도를 더 높이기 위하여 다중 샘플의 조사를 포함할 수 있다.
질량 분광법 조사의 경우, 조사는 정제된 유기 소형 분자 물질의 샘플로부터 분말을 만든 후 (930), 분말에 대해 질량 분광법을 수행하는 단계 (932)를 포함할 수 있다. 바람직한 질량 분광법 조사는 레이저 탈착 이온화 비행 시간차 측정이다.
FTIR 분광법 조사의 경우, 조사는 정제된 유기 소형 분자 물질의 샘플을 기판상에 막으로서 침착시킨 후 (934), 막에 대해 FTIR 분광법을 수행하는 단계 (936)를 포함할 수 있다.
실험 결과
후술하는 바와 같이, 저분자량 유기 이중 헤테로접합부 도너-억셉터 이중층 태양 전지의 성능을 도너 물질인 구리 프탈로시아닌(CuPc)의 순도의 함수로서 조사하였다. 이 조사 결과에 따르면, 모의된 AM1.5G의 1개 태양 조도 조건하에서 전력 변환 효율은 CuPc 층 순도가 증가함에 따라 (0.26 ± 0.01)%로부터 (1.4 ± 0.1)%로 증가하였다. 전력 변환 효율의 향상과 동시에, 비정제된 CuPc의 정공 이동성은 정제된 공급 물질 보다 거의 세자리수 작다. 질량 분석법 및 푸리에 변환 적외선 분광법을 디바이스 효율 및 정공 이동성 모두를 저하시키는 주 불순물로서 무금속 프탈로시아닌을 확인하는데 이용하였다.
저분자량 유기 반도체는 1986년 탕(C. W. Tang)이 이중층 헤테로접합부 셀을 처음 입증한 이래로 큰 면적의 저렴한 가요성 광기전 응용에 사용할 가능성이 있다고 인식되고 있다[참조: C. W. Tang, Applied Physics Letters 48, 183 (1986)]. 구리 프탈로시아닌(CuPc)/3,4,9,10-페릴렌테트라카복실 비스-벤즈이미다졸(PTCBI)/ Ag 평면 헤테로접합부 시스템은 최초 입증된 이래로부터 (1.1 ± 0.1)%의 피크 전력 변환 효율을 나타내고 있다[참조: P. Peumans, V. Bulovic, amd S. R. Forrest, Applied Physics Letters 76, 2650 (2000)]. 최근 들어서야, 유기 증기상 증착(OVPD)을 통해 성장된 벌크 헤테로접합부 구조를 사용하여 (2.7 ± 0.1)%의 전력 변환 효율을 이룸으로써 이 물질 시스템이 1% 장벽을 무너뜨리게 되었다[참조: F. Yang, M. Shtein, and S. R. Forrest, Nature Mater. 4, 37 (2005)].
CuPc/C60 시스템에 기초한 유사 디바이스로 최대 (5.0 ± 0.3)%의 단일 셀 효율을 이루게 되었다[참조: P. Peumans and S. R. Forrest, Applied Physics Letters 79, 126 (2001); J. Xue, S. Uchida, B. P. Rand, and S. R. Forrest, Applied Physics Letters 84, 3013 (2004); S. Uchida, J. Xue, B. P. Rand, and S. R. Forrest, Applied Physics Letters 84, 4218 (2004); 및 J. Xue, B. P. Rand, S. Uchida, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 17, 66 (2005)].
선행 연구에 따라 아연 프탈로시아닌을 도너 물질로 사용하여 태양 전지 성능의 순도 의존성이 조사되었다[참조: J. B. Whitlock, P. Panayotatos, G. D. Sharma, M. D. Cox, R. R. Sauers, G. R. Bird, Opt. Eng. 32, 1921 (1993); 및 D. Wohrle, L. Kreienhoop, G. Schnurpfeil, J. Elbe, B. Tennigkeit, S. Hiller, and D. Schlettwein, J. Mater. Chem. 5, 1819 (1995)]. 이 연구에서, 발명자들은 CuPc-기반 박막 셀의 성능이 물질의 순도에 강한 영향을 받는 것을 알아냈다. 구체적으로, 발명자들은 셀 반응성 및 충전 인자가 정공 이동성에 따라 증가하며, 이는 질량 분광법 및 푸리에 변환 적외선 분광법(FTIR)을 이용하여 평가한 바와 같이 물질의 순도에 의존한다는 것을 밝혀내었다. 특히, 고도로 정제된 CuPc-PTCBI 물질 시스템을 사용한 이중 헤테로접합부 셀은 비정제된 CuPc 공급 물질에 대한 0.3% 미만과 비교하여, (모의된 AM1.5G의 1개 태양 조도하에) (1.4 ± 0.1)%의 피크 전력 변환 효율을 나타낸다. 이와 같은 조사는 유기 물질 순도, 전하 이동성 및 디바이스 성능 간의 확실한 연계성을 제공한다.
다음과 같은 CuPc의 두 상이한 공급 배치를 비교하였다: "비정제된" 배치는 상업적으로 구입한 것으로(스톡 번호: 43650, 로트 번호: E17L30, Alfa Aesar, 26 Parkridge Rd., Ward Hill, MA 01835 USA), 제조업자에 의하면 98 질량% 순수한 것인 반면; "정제된" 배치는 단일 단계 온도 구배 정제 공법으로 정련되었다[참조: S.R. Forrest, Chemical Reviews 91, 1793 (1997)]. 이 경우, 물질은 각 존의 길이가 20 센티미터인 3 존 퍼니스(furnace)에서 ≤10-6 토르의 압력으로 4 내지 6 일간 가열된다. 제1 존의 온도는 415 ℃이고, 제2 존의 온도는 360 ℃이며, 제3 존의 온도는 320 ℃이다. 제2 존으로부터 정제된 물질을 얻었다. 공급 물질을 5×10-7 토르의 기저 압력으로 고진공 열 증발 챔버에 장입하여 2Å/s의 침착 속도로 정제 물질의 경우에는 1×10-6 토르의 성장 압력 및 비정제된 물질의 경우에는 1×10-5 토르의 성장 압력에 이르게 하였다. 고진공이 아닌 경우에는, 공급원을 수분 및 산소 수준을 1 ppm 미만으로 하여 질소 분위기하에 저장하였다. 정제된 물질을 또한 5×10-10 토르의 기저 압력 및 1×10-9 토르의 성장 압력으로 초고진공 유기 분자 빔 증착(OMBD)에 의해 성장시켰다[참조: S. R. Forrest, Chemical Reviews 97, 1793 (1997)].
면적 저항(sheet resistance)이 15Ω/□인 1500Å 두께의 인듐 주석 옥사이드(ITO) 애노드로 코팅된 유리 기판을 탈이온수중의 세정제로 세정한 후, 탈이온수로 헹구어 내고, 2-프로판올에서 초음파처리, 비등 트리클로로에틸렌중에 5 분간 2회 수행, 아세톤에서 5 분간 초음파처리 2회 수행, 비등 2-프로판올중에 5 분간 2회 수행 및 자외선-오존 표면 처리에 5 분간 노출하였다. 이중 헤테로접합부 태양 전지 구조는 2O0Å CuPc/250Å PTCBI/100Å 바소큐프로인(BCP)/Ag 이었다. 표준 온도 구배 승화 공정을 통한 열 침착전에 PTCBI 및 BCP 양자를 정제하였다[참조: S. R. Forrest, Chemical Reviews 97, 1793 (1997)].
패턴화 Ag 캐소드 침착전에 정제된 질소 환경에서 섀도우 마스크(shadow mask)를 부착하는데에 성장동안 단일 진공 파괴는 필수적이었다. 공간-전하-제한 전류(SCLC) 측정의 경우, 1OOO 내지 8OO0Å 두께로 변하는 CuPc 막을 또한 유사하게 제조된 ITO-코팅 유리 기판에 성장시켜 ITO/CuPc/Au 구조를 형성하였다. 광전지 막 성장에서와 같이, Au 캐소드 침착전에 섀도우 마스크를 부착하는데에 CuPc 침착후 단일 진공 파괴 및 공기 노출은 필수적이었다.
비정제된 보트내 공급 물질은 본 실험을 통해 변화되지 않았다. 따라서, 연속한 막 성장으로 비정제된 물질이 정제되었다. 성장 타임라인(timeline)중 상이한 시점에 측정이 가능하도록 태양 전지 구조물 및 SCLC 측정에 사용된 구조물을 교대로 성장시켜 순도 증가에 따른 막 특성을 알아 보았다. 동일 시간에 걸쳐, 정제된 CuPc를 또한 다중 태양 전지 및 SCLC 측정용 막을 성장시키는데 사용하였으며, 이들 측정은 실험 오차 범위내에서 일관성을 나타내었다.
실온에서 반도체 파라미터 분석기를 이용하여 전류-전압 측정을 구하였다. 이 "표준" 디바이스에 대해 선행 연구와 비교할 목적으로, 달리 명시되지 않으면, 태양 전지 성능을 어두운 상태 및 150 W 제논 아크등(Oriel Instruments, 150 Long Beach Blvd., Stratford, CT 06615 USA)을 사용한 모의 AM1.5G 태양 조명하에 특성화하였다. 셀 직경은 섀도우 마스크 기공으로 한정된 바 1 mm 이었다. 또한, 절대 전력 효율의 보다 정확한 측정을 위해, 일부 실험에서는 미국 국립 재생에너지 연구소 표준을 추적할 수 있는 Si 기준 셀을 이용한 본 발명의 공급원 및 태양 스펙트럼의 스펙트럼 미스매치를 포함시켰다(PV Measurements, Inc., 1800 30th Street, #216, Boulder, CO 80301 USA; ASTM International Standard Test Method E 973-02; 및 K. Emery, IEEE Transactions on Electron Devices 46, 1928 (1999)). SCLC 측정의 경우, 디바이스 직경은 0.33 mm 내지 0.5 mm로 변하였다. 고진공하에 Ag-코팅 Si 기판상에 침착된 두께 300Å의 CuPc 막의 X-선 광전자 분광법(XPS)을 이용하여 물질 순도를 평가하였다. 또한, 레이저 탈착 이온화 비행 시간차 Hewlett-Packard G2025A 질량 분석법을 사용한 공급 분말의 질량 스펙트럼 및 FTIR을 KBr 기판상에 침착된 750Å 후막에 대해 수행하였다.
금속프탈로시아닌의 순도에 대한 이전 조사에 따라 순도는 상이한 제조 방법, 제조자 및 배치에 좌우되는 것으로 밝혀졌다[참조: J. A. Thompson, K. Murata, D. C. Miller, J. L. Stanton, W. E. Broderick, B. M. Hoffman, and J. A. Ibers, Inorganic Chemistry 32, 3546 (1993)]. 주 불순물은 전형적으로 조사된 것 외에 프탈로시아닌, 즉 무금속 프탈로시아닌 (H2Pc) 또는 특정 대상 화합물과 혼합된 상이한 금속-치환된 프탈로시아닌이다[참조: J. A. Thompson, K. Murata, D. C. Miller, J. L. Stanton, W. E. Broderick, B. M. Hoffman; J. A. Ibers, Inorganic Chemistry 32, 3546 (1993); 및 T. G. Abdel-Malik and G. A. Cox, Journal of Physical Chemistry 10, 63 (1977)]. 비정제 및 정제된 공급 분말의 저분해능 질량 스펙트럼을 도 13에 나타내었다. 도면에서 표지되지 않은 모든 피크는 일부 실행에서 매트릭스로 사용된 시나핀산으로부터의 잔사로 할당된다. 비정제된 CuPc 샘플은 정제된 샘플에 존재하지 않는 수개의 피크를 보여 주었다. 522 amu에서 가장 큰 피크는 H2Pc로 할당된다. H2Pc 피크의 세기는 이것이 비정제된 공급 물질에 존재하는 가장 풍부한 불순물임을 제시한다. 무금속 프탈로시아닌의 질량은 514 amu이며, 이는 측정된 것과 다소 상이하며, 아마도 분광계의 저 분해능에 의한 것일 것이다. 561 amu에서의 피크는 실험상 단일 아민기를 갖지 않는 CuPc로 할당되며, 648 amu에서의 피크는 특정 Cu 원자에 배위된 CuPc 형태일 수 있다.
정제 및 비정제된 CuPc 막은 둘 다 거의 분간할 수 없는 FTIR 스펙트럼을 나타내나, 비정제된 샘플에서는 1515과 1554 cm-1 사이의 영역에서 2개의 피크가 검출된다(도 14). CuPc에 대한 스펙트럼은 이 영역에서 피크를 보이지 않으나, H2Pc에 대한 스펙트럼은 1540 cm-1 부근에 작은 피크를 가짐으로써[참조: C. J. Pouchert, Aldrich Library of FT-IR Spectra, 2nd ed., Aldrich, Milwaukee, 1997, Vol. 3, pp. 4181-4184], 주 불순물로서 무금속 프탈로시아닌의 존재를 뒷받침하는 추가의 증거를 제공한다.
두 공급 물질에 대한 XPS 스펙트럼은 거의 동일하다. 285 eV의 결합 에너지에서 C 1s 피크, 399 eV에서 N 1s, 571 eV에서 Cu Auger, 936 eV에서 Cu 2p3 및 956 eV에서 Cu 2p1의 5개의 피크가 얻어진다. 질량 스펙트럼에서 불순물 피크의 상대적 높이 및 정제 공정의 낮은 수율(<50%)은 불순물이 CuPc에서의 것과 상이한 원소들을 함유하고 있다면, 이들은 XPS 검출 한계보다 높은 농도로 존재할 수 있음을 제시한다. 따라서, 본 발명자들은 불순물이 CuPc 생산시 불완전한 반응의 결과이며, 주로 CuPc와 동일한 원소들로 구성되었다고 판단을 내렸다.
불순물들의 전기 효과를 알아 보기 위하여, μ = μ o exp(γE 1/2 )의 장-의존성 정공 이동성과 함께 ITO/CuPc/Au 샘플의 전류-전압 특성을 차일드 법칙(Child's Law)에 응용하여 정제 및 비정제된 물질에 대한 이동성을 추출하였다:
Figure 112008030563762-PCT00004
상기 식에서,
J는 전류 밀도이고,
ε r = 3.6으로 CuPc의 비유전율이며(참조: R. D. Gould, Journal of Physics D 19, 1785(1986)),
ε o는 진공 유전율이고,
V는 인가 전압이며,
d는 막 두께이고,
μ o 는 영 자기장(zero-field) 이동성이며,
γ는 그의 특성적인 장 의존성이다.
상기 식에 대해서는 문헌 [W. D. Gill, Journal of Applied Physics 43, 5033 (1972); 및 D. H. Dunlap, P. E. Parris, and V. M. Kenkre, Physics Review Letters 77, 542 (1996)]을 참조바람.
샘플 가열 및 재료 파괴 효과를 제한하기 위하여 J-V 특성을 평균 전기장이 <105 V/cm인 영역에 피팅하였다. 기존의 CuPc 정공 이동성 측정은 전형적으로 면내(in-plane)에서 얻어진 것이어서 성장 방향에 수직인 반면, 분석된 전류 측정은 성장 방향에 평행하여 박막 태양 전지에서의 전달 방향과 일치한다.
고진공중에 침착된 정제된 CuPc 막에서 관측된 영-자기장 이동성, μ 0 는 2×10-5 내지 3×10-4 cm2/Vs이다. 비행 시간 및 전계 효과 방법으로 측정된 CuPc의 정공 이동성에 대한 문헌값은 10-7 내지 10-2 cm2/Vs로 매우 다양하며[참조: R. D. Gould, Journal of Physics D 19, 1785 (1986); K. Xiao, Y. Q. Liu, G. Yu, and D. B. Zhu, Synth. Met. 137, 991 (2003); M. Kitamura, T. Imada, S. Kako, and Y. Arakawa, Japan Journal of Applied Physics 43, 2326 (2004); 및 K. Kudo, T. Sumimoto, K. Hiraga, S. Kuniyoshi, and K. Tanaka, Japan Journal of Applied Physics 36, 6994 (1997)], 이는 다른 요인보다도 샘플 제조 조건[참조: R. D. Gould, Journal of Physics D 19, 1785 (1986)) 및 산소 노출[참조: K. Kudo, T. Sumimoto, K. Hiraga, S. Kuniyoshi, and K. Tanaka, Japan Journal of Applied Physics 36, 6994 (1997)]에 상당히 의존적임을 의미한다. 도 15에 도시된 바와 같이, 각각의 연속적인 성장 실행의 경우 비정제된 물질에 대해 얻은 μ 0 는 4.2×10-7 cm2/Vs 에서 1.8×10-4 cm2/Vs로 세자리수까지 상승하며, 후자의 값은 정제된 물질에 대해 측정된 범위내에 든다(도 15에서 점선으로 표시된 바와 같음). 7차 증발 사이클에 의해, 공백일 때 성장 속도를 2Å/s로 유지하기 위해 보트 온도를 증가시키는 경우 휘발성이 덜한 불순물이 증발하게 되어 μ 0 는 떨어지게 된다. 이들 측정으로부터, 본 발명자들은 이동성 변화가 각 증발 사이클에 따라 향상되는 물질 순도와 직접 관련이 있을 수 있다고 결론을 내렸다.
전력 변환 효율 및 성장 타임라인중 상이한 시점에 효율에 영향을 미치는 요인들을 비교하여 태양 전지 성능에 대한 CuPc 순도의 영향을 측정하였다(도 16 내지 18에 도시됨). 비정제된 제1 고저항성 디바이스를 제외하고, 개회로 전압은 상이한 물질과 상이한 성장 간에 변동성을 거의 보이지 않았다. 1개의 태양광에서, 비정제된 물질의 반응값은 0.020 ± 0.001 A/W 에서 0.051 ± 0.004 A/W로 증가하였으며, 후자는 고진공 및 초고진공 둘 다에서 침착된 정제된 물질의 것에서 얻은 값(0.050 ± 0.003 A/W)에 근접한다. 유사하게, 충전 인자는 최초 비정제된 물질의 연속 성장동안 상당히 증가한다. 1개의 태양 조도에서, 충전 인자는 0.26 ± 0.01 에서 0.59 ± 0.03으로 증가한다; 후자의 값은 고진공 및 초고진공 둘 다에서 성장한 정제된 물질의 것에서 얻은 값(0.59 ± 0.05)과 거의 동등하다. 1개의 태양광에서, 비정제된 전력 변환 효율은 4회 연속 성장 수행동안 (0.26 ± 0.01)% 에서 (1.3 ± 0.1)%로 증가한다.
이에 비해, 정제된 물질의 평균 전력 변환 효율은 고진공에서 침착되는 경우 (1.4 ± 0.1)%이고, 초고진공에서 침착되는 경우 (1.3 ± 0.1)%이다. 이들 값은 과거 연구에 비해 CuPc/PTCBI 셀에 상당한 진보가 있었음을 예시하며[참조: C. W. Tang, Applied Physics Letters 48, 183 (1986); 및 P. Peumans, V. Bulovic, and S. R. Forrest, Applied Physics Letters 76, 2650 (2000)], 그의 효율은 항상 (1.0 ± 0.1)% 범위이다. 태양광 및 모의 스펙트럼간 차이를 보상하도록 스펙트럼 부정합 인자(Oriel Instruments, 150 Long Beach Blvd., Stratford, CT 06615 USA; 및 PV Measurements, Inc., 1800 30th Street, #216, Boulder, CO 80301 USA) 보정이 이루어지는 경우, 1.4% 효율은 (1.1 ± 0.1)%로 감소된다. 이들 데이터로부터, 공급 물질의 순도가 챔버 백그라운드 또는 성장 압력보다 디바이스 성능에 더 큰 영향을 미친다고 단정할 수 있다.
CuPc가 전력 변환 효율 증대에 관여한다는 것을 증명하기 위하여, 셀 외부 양자 효율(η EQE )을 도 19에 나타낸 바와 같이 측정하였다. 물질이 정제됨에 따라 효율이 증가하는 동향을 다시 한번 확인할 수 있었다: 비정제 물질은 λ= 625 nm의 파장에서 피크 η EQE = 10.5%로 시작해 최종 비정제 실행에 대해 λ= 625 nm에서 18.1% 까지 증가하였으며, 이는 완전 정제 물질에 대해 측정된 값과 유사한 것이다. 고진공 및 초고진공 정제 물질은 모두 18% 이상의 η EQE 를 갖는다. 외부 양자 효율의 가장 큰 증가는 CuPc의 흡수 피크에 해당하는 X = 550 nm와 750 nm에서 발생한다[참조: P. Peumans, V. Bulovic, amd S. R. Forrest, Applied Physics Letters 16, 2650 (2000)]. 이는 CuPc 도너 물질의 흡수에 의한 반응이 주로 물질 순도와 함께 셀 전력 변환 효율의 증가에 관여함을 제시한다.
결론적으로, 본 발명자들은 태양 전지의 활성층에 사용된 유기 저분자량 물질의 순도가 디바이스 성능에 강력한 영향을 미친다는 것을 알아냈다. 전하 캐리어 이동성 데이터와 함께 이용된 질량 및 FTIR 스펙트럼은 H2Pc와 같은 불순물이 도너 물질로서 CuPc를 사용한 진공 침착된 유기 태양 전지의 전기 특성에 상당한 영향을 미칠수 있음을 제시한다. 본 발명자들은 성장 과정동안 공급원이 정제됨에 따라 이동성이 증가하고, 이에 상응하여 광전지 충전 인자, 반응성 및 전력 변환 효율이 더 높아지는 동향을 확인하였다.
본 실험의 예시 구조는 도너-억셉터 이중층 헤테로접합부이다. 기본 작동 원리가 동일하기 때문에, 이중층 디바이스의 성능 향상을 벌크 헤테로접합부 디바이스에 직접 응용하는 것이 가능하다. 혼합 도너-억셉터 헤테로접합부 및 쇼트키 디바이스를 사용한 과거 경험을 바탕으로, 물질을 정제하여 이룬 이동성 및 흡수 효율의 향상에 따라 정제하지 않은 구조물의 성능에 비해 혼합 헤테로접합부 및 쇼트키 디바이스의 성능 향상이 기대된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 유기 감광성 디바이스는 입사 전자기 방사선으로부터 전력을 발생하는데 이용될 수 있거나(예: 광기전 디바이스), 입사 전자기 방사선을 검출하는데 이용될 수 있다(예: 광검출기 또는 광전도체 셀).
본 발명의 특정 예가 본 원에 예시되고/되거나 설명되었다. 그러나, 본 발명의 취지 및 영역을 벗어나지 않고 본 발명을 변형 및 수정하는 것은 상기 교시내용에 의해 포함되는 것으로 이해하여야 할 것이다.

Claims (19)

  1. 유기 소형 분자 물질의 제1 샘플로 시작하여,
    (a) 상기 유기 소형 분자 물질을 온도 구배 승화(thermal gradient sublimation)에 의해 정제하는 단계;
    (b) 분광법에 의해 상기 정제된 유기 소형 분자 물질로부터 하나 이상의 샘플의 순도를 조사하는 단계; 및
    (c) 상기 분광학적 조사시에 표적 유기 소형 분자에 대한 특성 피크 크기의 한계 비율(threshold percentage)을 초과하는 임의의 피크가 나타나는 경우, 정제된 유기 소형 분자 물질에 대해 단계 (a) 내지 (c)를 반복하는 단계
    를 순서대로 수행하는 것을 포함하는 방법으로서, 상기 한계 비율은 10% 이하이고, 단계 (a) 내지 (c)는 2회 이상 수행되는 것인 방법.
  2. 제1항에 있어서, 한계 비율이 유기 소형 분자 물질의 더 먼저 조사된 샘플의 스펙트럼을 기초로 하여 설정되는 것인 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    표적 소형 분자에 대한 특성 피크 크기의 한계 비율을 초과하는 피크가 존재하지 않으면,
    (d) 두 전극 사이에 배열된 하나 이상의 도너-억셉터 계면을 포함하는 감광 성 광전자 디바이스를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 도너-억셉터 계면의 도너 또는 억셉터는 제1 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질을 포함하는 것인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 헤테로접합부(heterojunction)의 광전도성 물질로서 제1 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질을 포함하는 하나 이상의 쇼트키 장벽(Schottky-barrier) 헤테로접합부를 구비한 감광성 광전자 디바이스를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    단계 (a) 내지 (c)의 누적 반복에 기초해, 제1 샘플을 정제하는데 필요한 온도 구배 승화의 총량을 결정하는 단계; 및
    상기 총량에 따라 온도 구배 승화에 의해 유기 소형 분자 물질의 제2 샘플을 정제하는 단계를 더 포함하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 제1 샘플 및 제2 샘플이 동일한 공급원으로부터 수득되는 것인 방법.
  7. 제5항에 있어서, 두 전극 사이에 배열된 하나 이상의 도너-억셉터 계면을 포함하는 감광성 광전자 디바이스를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 도너-억셉터 계면의 도너 또는 억셉터는 제2 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질을 포함하는 것인 방법.
  8. 제5항에 있어서, 헤테로접합부의 광전도성 물질로서 제2 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질을 포함하는 하나 이상의 쇼트키 장벽 헤테로접합부를 구비한 감광성 광전자 디바이스를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    단계 (a)의 최초 수행전에 분광법에 의해 제1 샘플의 초기 스펙트럼을 결정하는 단계;
    단계 (a) 내지 (c)의 누적 반복에 기초해, 제1 샘플을 정제하는데 필요한 온도 구배 승화의 총량을 결정하는 단계;
    제1 샘플의 초기 스펙트럼을 결정하는데 이용되었던 것과 동일한 조사 방법을 이용하여, 분광법으로 유기 소형 분자 물질의 제2 샘플에 대한 초기 스펙트럼을 결정하는 단계; 및
    제2 샘플의 초기 스펙트럼이 제1 샘플의 초기 스펙트럼과 실질적으로 매치되면, 상기 총량에 따라 온도 구배 승화에 의해 유기 소형 분자 물질의 제2 샘플을 정제하는 단계를 더 포함하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 두 전극 사이에 배열된 하나 이상의 도너-억셉터 계면을 포 함하는 감광성 광전자 디바이스를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 도너-억셉터 계면의 도너 또는 억셉터는 제2 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질을 포함하는 것인 방법.
  11. 제9항에 있어서, 헤테로접합부의 광전도성 물질로서 제2 샘플로부터 정제된 유기 소형 분자 물질을 포함하는 하나 이상의 쇼트키 장벽 헤테로접합부를 구비한 감광성 광전자 디바이스를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 분광법이 질량 분광법인 것인 방법.
  13. 제12항에 있어서, 단계 (b)가
    (b1) 정제된 유기 소형 분자 물질의 샘플로부터 분말을 제조하는 단계; 및
    (b2) 분말에 대해 질량 분광법을 수행하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  14. 제13항에 있어서, 질량 분광법이 레이저 탈착 이온화 비행 시간차 측정(laser desorption ionization time-of-flight measurement)에 의해 수행되는 것인 방법.
  15. 제1항에 있어서, 질량 분광법이 푸리에 변환 적외선(Fourier transform infrared) 분광법에 의해 수행되는 것인 방법.
  16. 제15항에 있어서, 단계 (b)가
    (b1) 정제된 유기 소형 분자 물질의 샘플을 기판상에 막으로 침착시키는 단계; 및
    (b2) 막에 대해 푸리에 변환 적외선 분광법을 수행하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  17. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 샘플의 순도를 조사하는 단계 (b)의 각 수행이
    정제된 유기 소형 분자 물질의 제1 샘플을 질량 분광법으로 조사하는 단계; 및
    정제된 유기 소형 분자 물질의 제2 샘플을 푸리에 변환 적외선 분광법으로 조사하는 단계를 포함하며,
    상기 두 조사중 어느 하나에서 표적 유기 소형 분자에 대한 특성 피크 크기의 한계 비율을 초과하는 임의의 피크가 나타나는 경우, 단계 (a) 내지 (c)가 반복되는 것인 방법.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 한계 비율이 5%인 것인 방법.
  19. 제18항에 있어서, 한계 비율이 2%인 것인 방법.
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