KR20080062852A - 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수평 전계형 액정표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치는 기판; 상기 기판 상에 적어도 하나 이상의 화소 영역이 정의되고, 각각의 화소 영역에 화소전극과 공통전극 및 박막 트랜지스터가 형성된 어레이층; 상기 어레이층 상에 형성된 유전막; 및 상기 유전막 상에 형성된 배향막을 포함한다.
본 발명은 배향막 영역에서의 커패시턴스를 조절하여, 화면 품위를 개선한 효과가 있다.

Description

수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조방법{Liquid Crystal Display of Horizontal Electronic Field Applying Type and method of fabricating the same}
도 1은 종래의 수평 전계형 액정표시장치를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치의 하부 어레이 기판을 나타내는 평면도.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치의 하부 어레이 기판을 제조하는 단계를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치의 투과율을 나타내는 시뮬레이션 도면.
본 발명은 수평 전계형 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 배향막 영역에서의 커패시턴스를 조절하여, 화면 품위를 개선한 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표 시한다. 이러한 액정표시장치는 액정을 구동시키는 전계의 방향에 따라 수직 전계형과 수평 전계형으로 구분된다.
수직 전계형 액정표시장치는 상부기판에 형성된 공통전극과 하부기판에 형성되는 화소전극 사이에 인가되는 수직 전계에 의해 TN(Twisted Nemastic) 모드의 액정을 구동한다.
한편, 수평 전계형 액정표시장치는 도 1에서와 같이, 컬러필터(도시하지 않음)가 형성된 상부기판(2)과, 박막트랜지스터가 형성된 하부기판(4) 및 두 기판(2,4) 사이에 마련된 액정공간에 충진된 액정층(7)을 구비한다. 액정층(7)의 액정분자들은 상부기판(2)과 하부기판(4)에 형성된 제1 및 제2 배향막(4a,4b)의 러빙방향에 따라 정렬된다. 이러한 수평 전계형 액정표시장치는 공통전극(3a)과 화소전극(3b)에 인가되는 수평전계에 의해 인 플레인 스위치(In Plane Switch; IPS) 모드의 액정을 구동한다.
배향막은 액정의 배향을 유도하는 층이지만, 회로적으로는 액정층과 직렬로 연결된 캐패시터와 같은 기능을 한다. 특히, 공정중에 발생하는 오염물질에 의해 화소 전극(3b)과 공통 전극(3a) 영역의 전계를 왜곡시키는 문제가 발생된다.
또한, 제2 배향막(2a)에는 불순물이 존재하기도 하는데 이러한 불순물은 액정층 영역에 인가될 전계의 일부를 방해한다. 이와 같이, 액정층(7)에 인가되어야할 전계가 왜곡될 경우에는 데이터 신호(감마전압)에 의해 얻어질 투과율 특성을 얻지 못하여 화면 품위가 저하된다. 상기 오염물질은 기판 공정, 합착공정, 배향막 형성 공정 등 각각의 공정에서 발생되는 오염원을 포함한다.
상기와 같은 오염원에 따른 액정층(7) 영역의 전계 왜곡을 방지하기 위해 배향막의 캐패시턴스를 조절해야하는데, 배향막 인쇄공정에서는 막두께 조절이 매우 어려운 문제가 있다. 또한, 배향막 자체의 유전율을 조절하면 배향막 자체의 물성이 변경되기 때문에 액정 배향의 신뢰성을 떨어뜨린다.
따라서, 본 발명의 목적은 액정층에 인가되는 전압 효율을 개선함으로써 광 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 배향막과 보호막 사이에 고유전율 유전막을 형성하여 화소전극과 공통전극 사이에 형성되는 전계가 액정층으로 인가되어 화면 품위를 개선한 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치는,
기판;
상기 기판 상에 적어도 하나 이상의 화소 영역이 정의되고, 각각의 화소 영역에 화소전극과 공통전극 및 박막 트랜지스터가 형성된 어레이층;
상기 어레이층 상에 형성된 유전막; 및
상기 유전막 상에 형성된 배향막을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 수평 전계형 액정표시장치 제조방법은,
기판 상에 게이트 전극, 게이트 배선 및 공통배선을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막과 채널층 및 오믹접촉층을 형성하는 단계;
상기 채널층이 형성된 기판 상에 소스/드레인 전극 및 데이터 라인을 형성하는 단계;
상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하는 단계;
상기 보호막이 형성된 기판 상에 화소전극 및 공통 전극을 형성하는 단계;
상기 화소전극이 형성된 기판 상에 유전막을 형성하는 단계; 및
상기 유전막이 형성된 기판 상에 배향막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러날 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 2 내지 도 5를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치의 단면도이다.
본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치는 서로 대향하여 합착된 박막트랜지스터 어레이 기판 및 컬러필터 기판을 구비한다.
박막트랜지스터 어레이 기판은 광투과성의 하부 기판(110)에 교차되게 형성된 도시하지 않은 게이트 라인 및 데이터 라인과, 그 교차부마다 형성된 박막트랜지스터를 구비한다. 그리고, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 수평 전계를 이루도록 형성된 화소전극(139) 및 공통전극(133)을 구비한다.
화소전극(139)은 박막트랜지스터와 접속되며 공통전극(133)과 나란하게 화소 영역에 형성된다. 공통전극(133)은 공통 라인과 접속되어 화소 영역에 형성된다.
이에 따라, 박막트랜지스터를 통해 화소 신호가 공급된 화소전극(139)과 공통 라인을 통해 기준 전압이 공급된 공통전극(133) 사이에는 수평 전계가 형성된다. 이러한 수평 전계에 의해 박막트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터기판 사이에서 수평 방향으로 배열된 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 화상을 구현한다.
그리고 공통전극(133) 및 화소전극(139)이 형성된 하부기판(110) 상에는 유전막(140)이 형성된다. 상기 유전막(140)은 보호막 하부에 화소전극(139)과 공통전극(133)이 형성된 경우에는 보호막 상에 형성하고, 보호막 상에 공통전극(133)과 화소전극(139)이 모두 투명성 도전물질로 형성된 경우에는 상기 공통전극(133)과 화소전극(139) 상에 형성된다.
또한, 상기 유전막(140)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx), BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지, PFCB(Perfluorocyclobutene) 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성할 수 있고, 유전율 값의 범위는 2.5 이상의 값을 갖는다.
이러한 유전막(140)은 배향막(150) 영역의 커패시턴스 값을 높이기 때문에 액정층 영역에 형성되는 커패시터와, 배향막 영역에 형성된 커패시터의 전압 분배 법칙에 따라 액정층 영역에 더 높은 전계가 형성된다. 왜냐하면, 고유전율 값을 갖는 유전막(140)에 큰 커패시터가 형성되어 상대적으로 액정층에 더 큰 전압이 분배되기 때문이다. 즉, 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전압은 액정층에서 형성 되는 커패시터와 배향막(150)과 유전막(140)에서 형성되는 커패시터에서 전압 분배가 이루어지는데, 큰 커패시터에서는 작은 전압이 분배되고, 작은 커패시터에서는 큰 전압이 분배되는 원리를 이용한 것이다.
아래는 화소전극과 공통전극 사이에 형성되는 전압(Vext)과 액정층에 형성되는 전압(Vlc) 및 배향막의 커패시터(Cpi)와 액정층의 커패시터(Clc) 사이의 관계식을 제시하였다.
Figure 112006098575723-PAT00001
..............(수학식 1)
상기 수학식 1에서와 같이 배향막 영역의 커패시터(Cp)가 액정층의 커패시터(Clc) 보다 매우 큰 값을 갖는 경우에는 오른쪽 식이 1로 수렴하기 때문에 화소전극과 공통전극 사이에 걸리는 전압(Vext)의 대부분이 액정층에 걸리는 것을 볼 수 있다.
컬러필터기판(120)은 컬러 구현을 위한 컬러 필터 및 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스와, 상부기판을 평탄화하기 위한 평탄화층(도시하지 않음) 및 정전기 방지층을 포함하는 편광판으로 구성된다.
블랙매트릭스는 절연막에 외부 신호에 대한 수평 전계 왜곡을 방지하기 위해 수지물질로 형성된다. 그리고 블랙매트릭스는 매트릭스 형태로 형성되어 컬러필터들이 형성되어질 다수의 셀영역들로 나눔과 아울러 인접 셀간의 광간섭을 방지하는 역할을 한다.
컬러필터는 블랙매트릭스에 의해 정의된 화소영역에 형성되어 적색, 녹색 및 청색 색상을 구현하고, 이러한 각각의 화소영역을 통과한 삼원색 빛의 조합을 통하여 풀컬러를 구현한다.
따라서, 본 발명에서는 기판 상에 발생되는 오염원에 의해 화소전극과 공통전극 사이에서 형성되는 전계가 충분이 액정층에 전달되지 못하는 것을 배향막 영역에 고유전율을 갖는 유전막을 형성하여 액정층에 충분한 전계가 형성될 수 있도록 하였다.
도 3은 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치의 박막트랜지스터 어레이 기판의 평면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 박막트랜지스터 어레이 기판은 하부 기판 위에 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하게 형성된 게이트 라인(101) 및 데이터 라인(113)과, 그 교차부마다 형성된 박막트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역(P)에 수평 전계를 형성하도록 형성된 화소전극(139a) 및 제 1, 2 공통전극(133a, 133b)과, 제 2 공통전극(133b)과 접속된 공통라인(103)을 구비한다.
화소영역(P)을 중심으로 좀 더 자세히 살펴보면, 게이트 라인(101)과 데이터 라인(113)은 교차배열되어 화소영역(P)을 정의하고, 화소영역(P)에는 공통라인(103)으로부터 돌출된 제1 공통전극(133a)과 상기 공통라인(103)과 전기적으로 콘택되면서 화소영역(P)으로 돌출된 제2 공통전극(133b)이 형성된다.
제2 공통전극(133b)은 화소영역(P)에서 화소전극(139a)과 소정의 간격을 두고 교대로 배치되고, 화소전극(139a)의 일측은 제1 스토리지전극(136)과 스토리지 커패시터 형성을 위한 제2 스토리지전극(139)이 형성된다.
그리고, 제2 스토리전극(139)과 인접하고, 게이트 라인(101)과 일체로 형성된 게이트전극(131a)이 형성되어 있고, 게이트전극(131a) 상에는 소스/드레인전극(137a, 137b)과 채널층(134)으로 구성된 TFT가 형성된다.
본 발명에서는 상기 화소전극(139a)와 제 2 공통전극(133b) 상에 고유전율 특성을 갖는 유전막을 형성하고, 유전막 상에 배향막을 형성하여 화소전극(139a)과 제 1, 2 공통전극(133a, 133b) 사이에 형성되는 전계가 액정층으로 인가될 수 있도록 하였다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치의 박막트랜지스터 어레이 기판을 제조하는 방법을 나타내는 단면도이다.
도 3에서 나타난 Ⅰ-Ⅰ'선과 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면 영역의 순차적인 형성방법을 도 4a 내지 도 4g를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저 도 4a를 참조하면, 본 발명에 의한 박막트랜지스터 어레이 기판은 하부 기판(110) 상에 게이트전극(111) 및 제1 스토리지전극(136)을 형성한다. 좀 더 자세히 설명하면, 하부 기판(110) 상에 스퍼터링 방법 등을 이용하여 게이트 금속층을 형성한 다음, 사진 공정과 식각 공정을 통하여 게이트 금속층을 선택적으로 식각하여 게이트전극(111) 및 제1 스토리지전극(136)을 형성한다. 이때, 도면에서는 도시하지 않았지만, 공통배선과 제 1 공통전극을 화소 영역에 형성한다.
그리고 도 4b와 같이 게이트 절연막(112)을 형성한다. 게이트 절연막(112)을 형성한 다음, 도 4c와 같이 반도체층(134) 및 오믹접촉층(135)을 형성한다. 반도체층(134)은 비정질실리콘막으로 형성되고, 오믹접촉층(135)는 N형 또는 P형의 불순물이 도핑된 비정질실리콘막을 이용한다.
반도체층(134) 및 오믹 접촉층(135)을 형성한 다음에는 도 4d와 같이 소스/드레인전극(137a,137b) 및 데이터 라인(113)을 형성한다. 이를 위해 게이트절연막(112) 상에 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 데이터 금속층이 순차적으로 형성된다. 여기서, 데이터 금속층으로는 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 이들 중 적어도 두 개의 혼합금속 등이 이용된다. 이 데이터 금속층을 사진 공정과 식각공정에 의해 패터닝함으로써 데이터 라인(113), 소스전극(137a) 및 드레인전극(137b)을 형성한다.
이어서, 도 4e와 같이 보호막(119)을 형성한다. 보호막(119)은 게이트 절연막(112)과 같은 무기 절연 물질이나 유전상수가 작은 아크릴(acryl)계 유기 화합물, (Benzocyclobutene), 또는 PFCB(Perfluorocyclobutene) 등과 같은 유기 절연 물질을 이용할 수 있다. 상기 보호막(119)이 형성되면, 드레인 전극(137b)의 일부와 게이트 패드 및 데이터 패드 일부를 노출시키는 콘택홀 형성 공정을 진행한다.
상기와 같이, 보호막(119)을 형성한 다음에는 도 4f와 같이 하부기판(110) 상에 투명성 도전물질(ITO, ITZO, IZO)을 형성한 다음, 패터닝하여 제 2 스토리지전극(139), 화소전극(139a) 및 제 2 공통전극(133b)을 형성한다.
그리고 도 4g와 같이 화소전극(139a)과 제 2 공통전극(133b)이 형성된 하부 기판(110) 상에 고유전율 값을 갖는 유전막(140)을 형성한다. 유전막(140)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연물질을 이용하여 형성할 수 있다. 또는 유전막(140)은 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴(Acryl)계 수지, PFCB(Perfluorocyclobutene)와 같은 유기 절연물질을 이용하여 형성할 수 있다. 유전율 값은 2.5 이상에서 5.5 정도의 유전율을 사용한다. 이러한 유전막(140)은 배향막의 캐패시턴스를 높이는 역할을 한다.
이때, 상기 유전막(140)이 무기물질인 경우에는 하부기판(110) 상에 형성한 다음, 포토리쏘그래피방법으로 노광 및 식각 공정을 하여 게이트 패드와 데이터 패드 영역을 노출시키는 콘택홀 공정을 진행한다.
하지만, 상기 유전막(140)이 무기물질인경우에는 하부기판(110) 상에 유기물질을 형성한 다음, 노광 및 현상 공정으로 게이트 패드 영역과 데이터 패드 영역을 노출하는 콘택홀 공정을 진행한다.
그런 다음 상기 유전막(140) 상에 배향막(150)을 형성한다.
이와 같이, 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치는 배향막의 캐패시턴스를 높이기 때문에 액정층에 인가되는 전압효율을 높일 수 있다. 이에 따라, 배향막 상에 불순물이 있을 경우에도 수평전계에 의한 액정의 편향 정도를 이상적인 값에 가깝게 할 수 있다.
이는 시뮬레이션 데이터인 도 5를 통해서도 명확히 알 수 있다. 구동 전압(X축)의 변화에 따른 액정층의 편향정도에 따른 광투과율(Y축)을 나타내는 TV Curve Shift을 살펴보면 다음과 같다. 실제적인 구동 전압 범위(VL)에서는 오염물 질이 있을 경우의 TV Curve Shift를 나타내는 ⓒ그래프는 이상적인 TV Curve Shift인 ⓐ에 비해서 (-)Y축 방향으로 하향되어 나타나는 것을 알 수 있다. 이는 예컨대, V0의 구동전압이 인가되는 곳에서는 오염 물질에 의해 이상적인 값에 비해 t0 만큼의 광 투과율이 저하되는 것을 의미한다.
이것은 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전압이 오염원이 발생된 배향막 영역에 일부가 인가되어 액정층에 화소전극과 공통전극 사이의 전압이 인가되지 않기 때문에 발생된다.
하지만, 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치의 TV Curve Shift는 광 투과율을 t2 만큼 향상시킬 수 있다.
이것은 상술한 수학식 1에 따라 배향막 영역에 높은 유전율 값을 갖는 유전막을 형성하여 액정층 영역에 형성되는 커패시터 값 보다 훨씬 큰 커패시터가 배향막 영역에 형성하여 화소전극과 공통전극 사이의 전압이 그대로 액정층에 공급될 수 있도록 함으로써 해결된다.
이렇듯 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치는 전압 효율을 높여서 오염물질에 의해 광 투과율이 저하되는 것을 개선할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 액정층에 인가되는 전압 효율을 개선함으로써 광 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 배향막과 보호막 사이에 고유전율 유전막을 형성하여 화소전극과 공통전극 사이에 형성되는 전계가 액정층으로 인가되어 화면 품 위를 개선한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의한 수평 전계형 액정표시장치는 유전막을 형성함으로써 액정층에 인가되는 전압 효율을 높일 수 있다. 이에 따라, 액정의 편향된 상태로 유지되는 시간을 이상적인 값에 가깝도록 개선할 수 있고, 이에 따라 광 투과율이 저하되는 것을 방지한다.
특히, 오염물질에 의해 수평 전계 형성이 방해될 경우에도 광 투과율이 저하되는 것을 방지함에 따라 국부적인 영역에서 발생하는 표시 얼룩등을 개선할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (11)

  1. 베이스 기판;
    상기 기판 상에 적어도 하나 이상의 화소 영역이 정의되고, 각각의 화소 영역에 화소전극 및 공통전극이 형성된 어레이층;
    상기 어레이층 상에 형성된 유전막; 및
    상기 유전막 상에 형성된 배향막을 포함하는 수평 전계형 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전막은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx), BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지, PFCB(Perfluorocyclobutene) 중 어느 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 수평 전계형 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전막의 유전율은 2.5 이상인 것을 특징으로 하는 수평 전계형 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전막의 유전율은 액정층의 유전율보다 큰 유전율 값을 갖는 것을 특징으로 하는 수평 전계형 액정표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전막의 유전율의 범위는 상기 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전압의 대부분이 액정층에 인가될 수 있는 유전율 값인 것을 특징을 하는 수평 전계형 액정표시장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판상에 형성된 게이트 전극;
    상기 게이트 절연막을 덮고 있는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층;
    상기 반도체층 상에 형성된 소스전극 및 드레인 전극;
    상기 소스전극 및 드레인 전극상에 형성된 보호층;
    상기 보호층 상에 형성된 화소전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 수평 전계형 액정표시장치.
  7. 기판 상에 게이트 전극, 게이트 배선 및 공통배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막과 채널층 및 오믹접촉층을 형성하는 단계;
    상기 채널층이 형성된 기판 상에 소스/드레인 전극 및 데이터 라인을 형성하는 단계;
    상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막이 형성된 기판 상에 화소전극 및 공통 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소전극이 형성된 기판 상에 유전막을 형성하는 단계; 및
    상기 유전막이 형성된 기판 상에 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 수평 전계형 액정표시장치 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전막은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx), BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지, PFCB(Perfluorocyclobutene) 중 어느 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 수평 전계형 액정표시장치 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 유전막이 산화 실리콘 또는 질화 실리콘 계열의 무기물질인 경우에는,
    상기 기판 상에 유전막을 형성하고, 노광 및 식각 공정으로 게이트 패드와 데이터 패드 영역을 노출시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수평 전계형 액정표시장치 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 유전막이 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지 또는 PFCB(Perfluorocyclobutene) 계열의 유기절연막인 경우에는,
    상기 기판 상에 유전막을 형성하고, 노광 및 현상 공정을 진행하여 게이트 패드와 데이터 패드 영역을 노출시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수평 전계형 액정표시장치 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전막의 유전율은 2.5에서 5.5 범위의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 수평 전계형 액정표시장치 제조방법.
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