KR20080060948A - Liquid crystal dsplay panel - Google Patents

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KR20080060948A
KR20080060948A KR1020060135604A KR20060135604A KR20080060948A KR 20080060948 A KR20080060948 A KR 20080060948A KR 1020060135604 A KR1020060135604 A KR 1020060135604A KR 20060135604 A KR20060135604 A KR 20060135604A KR 20080060948 A KR20080060948 A KR 20080060948A
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KR1020060135604A
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류호진
추교섭
진현석
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

An LCD(Liquid Crystal Display) panel is provided to improve the brightness and image quality at a transmission mode and to implement the semi-transmission mode at an IPS(In-Plane Switching) mode. The second substrate is arranged oppositely to the first substrate. A liquid crystal layer is located between the first and second substrates. The first substrate includes the first and second gate lines(121a,121b,123a,123b) arranged in parallel to each other. The first and second data lines(161a,161b,162a,162b,163a,163b) are crossed with the first and second gate lines, arranged in parallel to each other and define four sub pixels. A reflection layer is formed to any one sub pixel among four sub pixels. The first to fourth pixel electrodes(191,192,193,194) are formed at each sub pixel. The second substrate includes a red color filter corresponding to the first pixel electrode. A green color filter corresponds to the second pixel electrode. A blue color filter corresponds to the third pixel electrode. A reflection portion color filter corresponds to the four pixel electrode.

Description

액정패널{LIQUID CRYSTAL DSPLAY PANEL} Liquid crystal panel {LIQUID CRYSTAL DSPLAY PANEL}

도1a 및 도1b는 종래의 반투과형 액정패널의 화소구조를 설명하기 위한 도면이고,1A and 1B are views for explaining a pixel structure of a conventional transflective liquid crystal panel.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따르는 박막트랜지스터 기판의 배치도이며,2 is a layout view of a thin film transistor substrate according to a first embodiment of the present invention,

도3는 도2의 Ⅲ-Ⅲ'를 따른 단면도이고, 3 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG. 2;

도4는 본 발명의 제1실시예에 따르는 반투과형 액정패널의 화소구조를 설명하기 위한 도면이며,4 is a view for explaining a pixel structure of a transflective liquid crystal panel according to a first embodiment of the present invention.

도5 및 도6은 본 발명의 제2실시예에 따르는 반투과형 액정패널을 설명하기 위한 도면이고,5 and 6 are views for explaining a transflective liquid crystal panel according to a second embodiment of the present invention.

도7은 본 발명의 제3실시예에 따르는 반투과형 액정패널을 설명하기 위한 도면이고,7 is a view for explaining a transflective liquid crystal panel according to a third embodiment of the present invention.

도8은 본 발명의 도8의 Ⅷ-Ⅷ'를 따르는 단면도이며,8 is a cross-sectional view taken along line VII-VII 'of the present invention,

도9a 내지 도9d는 제3실시예에 따르는 액정패널의 구동방법을 설명하기 위한 도면이다.9A to 9D are views for explaining a method of driving the liquid crystal panel according to the third embodiment.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 액정패널 100 : 제1기판10: liquid crystal panel 100: first substrate

110 : 제1절연기판 121a, 123a : 제1게이트 배선110: first insulating substrate 121a, 123a: first gate wiring

121b, 123b : 제2게이트 배선 130 : 게이트 절연막121b, 123b: second gate wiring 130: gate insulating film

140 : 반도체층 150 : 저항 접촉층140 semiconductor layer 150 resistive contact layer

161a, 162a, 163a : 제1데이터 배선 161b, 162b, 163b : 제2데이터 배선161a, 162a, and 163a: first data wires 161b, 162b, and 163b: second data wires

170 : 보호막 175 : 요철패턴170: protective film 175: uneven pattern

180 : 반사층 191: 제1 화소전극180: reflective layer 191: first pixel electrode

192 : 제2화소전극 193 : 제3화소전극192: second pixel electrode 193: third pixel electrode

194 : 제4화소전극 200 : 제2기판194: fourth pixel electrode 200: second substrate

300 : 액정층300: liquid crystal layer

본 발명은 본 발명은 액정패널에 관한 것으로, 더욱 자게하게는, 4개의 서브픽셀이 하나의 화소를 구성하는 쿼드(quad)구조의 반투과형 액정패널에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal panel, and more particularly, to a semi-transmissive liquid crystal panel having a quad structure in which four subpixels constitute one pixel.

일반적으로, 액정표시장치는 광원의 형태에 따라 투과형, 반투과형 및 반사형으로 나눌 수 있다. 투과형은 액정패널의 배면에 백라이트 유닛을 배치하고 백라이트 유닛으로부터의 빛이 액정패널을 투과하도록 한 것이다. 반사형은 자연광을 이용한 것으로, 소비전력의 70%를 차지하는 백라이트 유닛의 사용을 제한하여 소비전력을 절감할 수 있는 형태이다. 반투과형 액정표시장치는 상기 투과형과 반사형 액정표시장치의 장점을 살린 것으로, 자연광과 백라이트 유닛을 이용함으로써, 주 변 광도의 변화에 관계없이 사용환경에 맞게 적절한 휘도를 확보할 수 있는 형태이다. In general, the liquid crystal display may be classified into a transmissive type, a transflective type, and a reflective type according to the shape of the light source. In the transmissive type, a backlight unit is disposed on a rear surface of the liquid crystal panel, and light from the backlight unit is transmitted through the liquid crystal panel. The reflection type uses natural light and can reduce power consumption by limiting the use of the backlight unit, which occupies 70% of the power consumption. The transflective liquid crystal display device utilizes the advantages of the transmissive and reflective liquid crystal display device. By using natural light and a backlight unit, the transflective liquid crystal display device can secure proper luminance regardless of the change in ambient luminance.

일반적으로, 반투과형 액정표시장치는 박막트랜지스터(TFT)가 형성되어 있는 박막트랜지스터 기판(1)과, 상기 박막트랜지스터 기판(1)과 대향 배치되는 컬러필터 기판(미도시) 및 양 기판 사이에 위치하는 액정층(미도시)를 포함한다.In general, the transflective liquid crystal display device is positioned between a thin film transistor substrate 1 on which a thin film transistor TFT is formed, a color filter substrate (not shown) disposed opposite to the thin film transistor substrate 1, and both substrates. It includes a liquid crystal layer (not shown).

여기서, 박막트랜지스터 기판(1)은, 도1a 및 도1b에 도시된 바와 같이 절연기판(2)과, 상기 절연기판(2) 상에 형성된 게이트 배선(3), 게이트 배선(3)을 덮고 있는 게이트 절연막(4), 게이트 절연막(4) 상에 형성되어 있는 데이터 배선(5), 게이트 배선(3)과 데이터 배선(5)을 덮고 있는 보호막(6), 보호막(6) 상의 일영역에 형성되어 있는 반사층(7), 반사층(7)을 덮으며 상기 보호막(6) 상에 형성되어 있는 화소전극(8)을 포함한다. 게이트 배선(3)과 데이터 배선(5)은 상호 교차하도록 배치되어 있으며, 게이트 배선(3)과 데이터 배선(5)의 교차지점에는 박막트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 게이트 배선(3)과 데이터 배선(5)이 교차하여 정의하는 화소영역에는 박막트랜지스터(TFT)와 연결되어 있는 화소전극(8)이 마련되어 있다.Here, the thin film transistor substrate 1 covers the insulating substrate 2, the gate wiring 3 formed on the insulating substrate 2, and the gate wiring 3 as shown in Figs. 1A and 1B. In the gate insulating film 4, the data wiring 5 formed on the gate insulating film 4, the protective film 6 covering the gate wiring 3 and the data wiring 5, and in one region on the protective film 6. And a pixel electrode 8 which covers the reflective layer 7 and the reflective layer 7 and is formed on the passivation layer 6. The gate line 3 and the data line 5 are arranged to cross each other, and a thin film transistor TFT is formed at an intersection point of the gate line 3 and the data line 5. A pixel electrode 8 connected to the thin film transistor TFT is provided in the pixel region defined by the gate line 3 and the data line 5 intersecting with each other.

여기서, 반사층(7)이 형성된 영역은 외부의 빛이 반사되는 반사영역(R)이고, 그 이외의 영역은 백라이트 유닛의 빛이 액정패널을 투과하는 투과영역(T)이다. 이러한 반투과형 액정표시장치는 외부환경이 어두운 경우에는 투과모드로 구동되고, 외부환경이 밝은 경우에는 반사모드로 구동되어 어느 환경에서나 상당수준의 휘도 및 색재현성을 확보할 수 있는 장점이 있다.Here, the region in which the reflective layer 7 is formed is a reflective region R in which external light is reflected, and the other region is a transmission region T through which the light of the backlight unit passes through the liquid crystal panel. Such a transflective liquid crystal display device is driven in a transmissive mode when the external environment is dark, and is driven in a reflective mode when the external environment is bright, thereby obtaining a considerable level of luminance and color reproducibility in any environment.

그러나, 종래의 반투과형 액정표시장치는 하나의 서브픽셀에 반사영역(R)과 투과영역(T)이 동시에 존재하기 때문에 투과모드에서 휘도가 낮은 문제점이 있다. 이는 반사영역(R)을 마련함에 의하여 투과영역(T)의 면적이 상대적으로 줄어들었고, 투과영역(T)과 반사영역(R)의 경계부로 인하여 개구율이 저하되기 때문이다. 구체적으로, 도1a 및 1b에 도시된 바와 같이, 외부로부터 입사되는 빛의 난반사를 위하여 반사영역(R)에는 요철패턴(9)이 형성되어야 하는데, 이러한 요철패턴(9)은 노광 및 현상공정을 통하여 형성되기 때문에 반사영역(R)과 투과영역(T)의 경계부를 따라 균일하게 배치되도록 형성하기 어렵다. 그리고, 경계부에세 반사층(7)으로 인한 단차에 의하여 빛의 산란이 발생하여 휘도가 저하될 수 있다. 또한, 다수의 요철패턴(9)을 반사영역(R) 내에 형성하기 위하여는 반사영역(R)과 투과영역(T)의 경계부를 넘도록 공간적인 측면에서 공정마진(M)을 설정한 후 요철패턴(9)을 형성하는데, 이 경우 반사층(7)이 투광영역(T)을 침범하여 형성되는 경우가 있다. 이에 따라, 투과모드에서 휘도가 낮아지며, 개구율이 저하된다.However, the conventional transflective liquid crystal display has a low luminance in the transmissive mode because the reflective region R and the transmissive region T are simultaneously present in one subpixel. This is because the area of the transmission area T is relatively reduced by providing the reflection area R, and the aperture ratio is lowered due to the boundary between the transmission area T and the reflection area R. FIG. Specifically, as shown in FIGS. 1A and 1B, an uneven pattern 9 should be formed in the reflective region R for diffuse reflection of light incident from the outside, and the uneven pattern 9 performs exposure and development processes. Since it is formed through, it is difficult to be formed evenly along the boundary between the reflective region (R) and the transmission region (T). In addition, scattering of light may occur due to a step caused by the reflective layer 7 at the boundary part, and thus luminance may be lowered. In addition, in order to form a plurality of uneven patterns 9 in the reflective region R, the process margin M is set in a spatial aspect so as to cross the boundary between the reflective region R and the transmissive region T, and then the uneven pattern is formed. (9) is formed, in which case the reflective layer 7 may be formed by invading the light-transmitting region T. As a result, the luminance is lowered in the transmission mode, and the aperture ratio is lowered.

이에 더하여, 종래의 반투과형 액정표시장치는 하나의 서브픽셀에 반사영역(R)과 투과영역(T)이 동시에 존재하기 때문에 외부환경의 변화에 무관하게 반사모드와 투과모드가 모두 동일한 조건으로 구동되는 제약이 있다. 이러한 제약으로 인하여, 외부환경이 어두운 경우에 투과형 액정표시장치와 비교하여 상대적으로 투과모드의 성능이 좋지 않아 화질이 저하되며, 외부환경이 밝은 경우에 반사형 액정표시장치와 비교하여 상대적으로 반사모드의 성능이 좋지 않아 화질이 저하되는 문제점이 있다.In addition, in the conventional transflective liquid crystal display device, since both the reflection region R and the transmission region T exist in one subpixel at the same time, both the reflection mode and the transmission mode are driven under the same conditions regardless of the change in the external environment. There is a restriction. Due to these limitations, the image quality is deteriorated due to the poor performance of the transmissive mode in comparison with the transmissive liquid crystal display when the external environment is dark, and the reflective mode in comparison with the reflective liquid crystal display when the external environment is bright. There is a problem in that the image quality is poor because of poor performance.

또한, 이러한 반투과 형태는 IPS모드의 액정패널에 적용하기 어려운 문제점 이 있다. 구체적으로, IPS모드의 액정패널은 투과모드를 구현하는데 문제가 없으나, 반사모드를 구현하는데 어려움이 있다. 즉, IPS모드에서 양 전극층 사이에는 횡전계가 형성되어 액정분자들이 횡전계에 따라 배열되나, 전극층 상부에서는 일부 수직전계가 형성되어 전극층 상부에 위치하는 액정은 횡전계가 아닌 수직방향으로 배열되게 된다. 이에 따라, 전극층 상부에 위치하는 액정층의 위상지연 정도를 제어할 수 없어 반사모드를 원활히 구현할 수 없는 문제점이 있다.In addition, such a transflective form is difficult to apply to the liquid crystal panel of the IPS mode. Specifically, the liquid crystal panel of the IPS mode has no problem in implementing the transmissive mode, but has difficulty in implementing the reflective mode. That is, in the IPS mode, a transverse electric field is formed between the two electrode layers so that the liquid crystal molecules are arranged in accordance with the transverse electric field, but some vertical electric fields are formed in the upper electrode layer, so that the liquid crystals positioned above the electrode layer are arranged in the vertical direction instead of the transverse electric field. . Accordingly, the degree of phase delay of the liquid crystal layer positioned on the electrode layer may not be controlled, and thus, the reflection mode may not be smoothly implemented.

따라서, 본 발명의 목적은, 투과모드에서의 휘도 및 화질이 개선되며, IPS모드에서 반사 및 투과모드로 구현 가능한 액정패널을 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal panel in which the luminance and image quality in the transmissive mode are improved, and which can be realized in the reflective and transmissive mode in the IPS mode.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 제1기판과; 제1기판과 대향 배치되는 제2기판과; 제1기판과 제2기판의 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 액정패널에 있어서, 제1기판은, 상호 나란히 배치되어 있는 제1게이트 배선 및 제2게이트 배선과, 제1게이트 배선 및 제2게이트 배선과 교차하도록 상호 나란히 배치되어 4개의 서브픽셀을 정의하는 제1데이터 배선 및 제2데이터 배선과, 4개의 서브픽셀 중 어느 하나의 서브픽셀에 형성되어 있는 반사층 및 4개의 서브픽셀 각각에 형성되어 있는 제1 내지 제4화소전극을 포함하고, 제2기판은, 제1화소전극에 대응하는 적색 컬러필터와, 제2화소전극에 대응하는 녹색 컬러필터와, 제3화소전극에 대응하는 청색 컬러필터와, 제4화소전극에 대응하는 반사부 컬러필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널에 의하여 달성된다.The object is, according to the present invention, a first substrate; A second substrate disposed to face the first substrate; A liquid crystal panel comprising a liquid crystal layer positioned between a first substrate and a second substrate, wherein the first substrate includes a first gate wiring and a second gate wiring arranged side by side and a first gate wiring and a second gate wiring. First data lines and second data lines arranged in parallel with each other so as to intersect the gate lines to define four subpixels, and a reflective layer and four subpixels formed in any one of the four subpixels. And a second color substrate, wherein the second substrate includes a red color filter corresponding to the first pixel electrode, a green color filter corresponding to the second pixel electrode, and a blue color corresponding to the third pixel electrode. It is achieved by a liquid crystal panel comprising a color filter and a reflector color filter corresponding to the fourth pixel electrode.

여기서, 반사부 컬러필터는 흰색 컬러필터일 수 있다.Here, the reflector color filter may be a white color filter.

그리고, 반사부 컬러필터는 녹색 컬러필터, 적색 컬러필터 및 청색 컬러필터 중 어느 하나일 수 있으며, 제1기판의 4개의 서브픽셀은 하나의 화소를 구성하면서 상하 및 좌우방향으로 반복하여 마련되어 있고, 반사부 컬러필터에는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터가 하나의 화소마다 반복하여 형성되어 있을 수 있다.The reflector color filter may be any one of a green color filter, a red color filter, and a blue color filter, and four subpixels of the first substrate are repeatedly provided in up, down, left, and right directions while forming one pixel. In the reflector color filter, a red color filter, a green color filter, and a blue color filter may be repeatedly formed for each pixel.

또한, 제1기판은, 제1게이트 배선 및 제2게이트 배선과 제1데이터 배선 및 제2데이터 배선의 교차지점에 각각 형성되어 있는 제1 내지 제4박막트랜지스터와; 제1 내지 제4박막트랜지스터를 덮고 있는 보호막을 더 포함하며, 반사층의 하부에 위치하는 보호막의 표면에는 요철패턴이 형성되어 있을 수 있다.The first substrate may further include first to fourth thin film transistors formed at intersections of the first gate wiring and the second gate wiring and the first data wiring and the second data wiring; The protective film may further include a passivation layer covering the first to fourth thin film transistors, and a concave-convex pattern may be formed on a surface of the passivation layer disposed below the reflective layer.

여기서, 제1 내지 상기 제4박막트랜지스터는 독립적으로 구동될 수 있다.The first to fourth thin film transistors may be independently driven.

그리고, 보호막은 제1화소전극, 제2화소전극 및 제3화소전극에 대응하는 영역에서 제거되어 있으며, 반사층이 마련된 영역에서의 셀갭은 반사층이 마련되지 않은 영역에서의 셀갭에 실질적으로 1/2배일 수 있다.The protective film is removed from regions corresponding to the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode, and the cell gap in the region where the reflective layer is provided is substantially 1/2 of the cell gap in the region where the reflective layer is not provided. It may be a boat.

또한, 보호막은 제1화소전극, 제2화소전극, 제3화소전극 및 제4화소전극에 대응하는 영역에서 실질적으로 균일한 두께로 형성되어 있으며, 반사층이 마련된 영역에서의 셀갭은 반사층이 마련되지 않은 영역에서의 셀갭에 실질적으로 동일할 수 있다.In addition, the passivation layer is formed to have a substantially uniform thickness in a region corresponding to the first pixel electrode, the second pixel electrode, the third pixel electrode, and the fourth pixel electrode. It may be substantially equal to the cell gap in the non-region.

본 발명의 목적은, 본 발명에 따라, 제1기판과; 제1기판과 대향 배치되는 제2기판과; 제1기판과 제2기판의 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 액정패널에 있 어서, 제1기판은, 상호 나란히 배치되어 있는 제1게이트 배선 및 제2게이트 배선과, 제1게이트 배선 및 제2게이트 배선과 교차하도록 상호 나란히 배치되어 제1 내지 제4서브픽셀을 정의하는 제1데이터 배선 및 제2데이터 배선과, 제4서브픽셀에 형성되어 있는 반사층, 반사층 상에 형성된 제1전극층, 제1 내지 제3서브픽셀에 상호 반복되어 형성되어 있는 제2전극층 및 제3전극층을 포함하고, 제2기판은, 제1서브픽셀에 대응하는 적색 컬러필터와, 제2서브픽셀에 대응하는 녹색 컬러필터와, 제3서브픽셀에 대응하는 청색 컬러필터와, 제4서브픽셀에 대응하는 반사부 컬러필터, 및 반사부 컬러필터 상에 형성되어 있는 제4전극층을 포함하는 것을 특징을 하는 액정패널에 의하여 달성된다.An object of the present invention, according to the present invention, the first substrate; A second substrate disposed to face the first substrate; In a liquid crystal panel including a liquid crystal layer positioned between a first substrate and a second substrate, the first substrate includes a first gate wiring and a second gate wiring arranged side by side, and a first gate wiring and a first substrate. A first data line and a second data line, which are disposed in parallel with each other to cross the two-gate line and define the first to fourth subpixels, a reflective layer formed on the fourth subpixel, a first electrode layer formed on the reflective layer, and a first And a second electrode layer and a third electrode layer which are repeatedly formed in the first to third subpixels, wherein the second substrate includes a red color filter corresponding to the first subpixel and a green color corresponding to the second subpixel. A filter, a blue color filter corresponding to the third subpixel, a reflector color filter corresponding to the fourth subpixel, and a fourth electrode layer formed on the reflector color filter. Is achieved by .

여기서, 제1기판은, 제1게이트 배선 및 제2게이트 배선과 제1데이터 배선 및 제2데이터 배선의 교차지점에 각각 형성되어 있는 제1 내지 제4박막트랜지스터와; 제1 내지 제4박막트랜지스터를 덮고 있는 보호막을 더 포함하며, 반사층의 하부에 위치하는 보호막의 표면에는 요철패턴이 형성되어 있을 수 있다.The first substrate may include first to fourth thin film transistors formed at intersections of the first gate wiring and the second gate wiring and the first data wiring and the second data wiring; The protective film may further include a passivation layer covering the first to fourth thin film transistors, and a concave-convex pattern may be formed on a surface of the passivation layer disposed below the reflective layer.

그리고, 보호막은 제1서브픽셀, 제2서브픽셀 및 제3서브픽셀에 대응하는 영역에서 제거되어 있으며, 반사층이 마련된 영역에서의 셀갭은 반사층이 마련되지 않은 영역에서의 셀갭에 실질적으로 1/2배일 수 있다.The protective layer is removed in regions corresponding to the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel, and the cell gap in the region where the reflective layer is provided is substantially 1/2 of the cell gap in the region where the reflective layer is not provided. It may be a boat.

그리고, 제1 내지 제3서브픽셀에 반복되어 형성되어 있는 제2 및 제3전극층 사이에는 횡전계가 형성되며, 제4서브픽셀에 형성되어 있는 제1전극층과 반사부 컬러필터 상에 형성된 제4 전극층 사이에는 수직전계가 형성될 수 있다.The transverse electric field is formed between the second and third electrode layers repeatedly formed in the first to third subpixels, and the fourth electrode formed on the first electrode layer and the reflector color filter formed on the fourth subpixel. A vertical electric field may be formed between the electrode layers.

그리고, 제1기판의 외부면에는 제1위상차판과 제1편광판이 차례로 부착되어 있으며, 제2기판의 외부면에는 제2위상차판과 제2편광판이 차례로 부착되어 있을 수 있다.The first phase difference plate and the first polarizing plate may be sequentially attached to the outer surface of the first substrate, and the second phase difference plate and the second polarizing plate may be sequentially attached to the outer surface of the second substrate.

또한, 제1위상차판의 위상지연축은 제1편광판의 편광축에 실질적으로15도 경사지도록 마련되어 있고, 제2위상차판의 위상지연축은 제2편광판의 편광축에 실질적으로60도 경사지도록 마련되어 있을 수 있다.In addition, the phase delay axis of the first phase difference plate may be provided to be inclined substantially 15 degrees to the polarization axis of the first polarizing plate, and the phase delay axis of the second phase difference plate may be provided to be substantially inclined to 60 degrees to the polarization axis of the second polarization plate.

그리고, 제1위상차판 및 상기 제2위상차판은 통과하는 빛의 위상을 λ/2 지연시킬 수 있다.In addition, the first phase difference plate and the second phase difference plate may delay the phase of light passing through λ / 2.

또한, 반사부 컬러필터는 흰색 컬러필터일 수 있다.In addition, the reflector color filter may be a white color filter.

그리고, 반사부 컬러필터는 녹색 컬러필터, 적색 컬러필터 및 청색 컬러필터 중 어느 하나일 수 있으며, 제1기판의 제1 내지 제4 서브픽셀은 하나의 화소를 구성하면서 상하 및 좌우방향으로 반복하여 마련되어 있고, 반사부 컬러필터에는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터가 하나의 화소마다 반복하여 형성되어 있을 수 있다.The reflector color filter may be any one of a green color filter, a red color filter, and a blue color filter, and the first to fourth subpixels of the first substrate may be repeatedly formed in the up, down, left, and right directions while forming one pixel. The reflection part color filter may include a red color filter, a green color filter, and a blue color filter repeatedly formed for each pixel.

또한, 제1 내지 상기 제4박막트랜지스터는 독립적으로 구동될 수 있다.In addition, the first to fourth thin film transistors may be independently driven.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 이하에서 어떤 막(층)이 다른 막(층)의 상에 형성되어(마련되어) 있다는 것은, 두 막(층)이 접해 있는 경우뿐 아니라 두 막(층) 사이에 다른 막(층)이 존재하는 경우도 포함한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a certain film (layer) is formed (prepared) on another film (layer), not only when two films (layers) are in contact but also when another film (layer) exists between the two films (layers). It also includes the case.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따르는 박막트랜지스터 기판의 배치도이고, 도3는 도2의 Ⅲ-Ⅲ'를 따른 단면도이며, 도4는 본 발명의 제1실시예에 따르는 반 투과형 액정패널의 화소구조를 설명하기 위한 도면이다.2 is a layout view of a thin film transistor substrate according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG. 2, and FIG. 4 is a semi-transmissive liquid crystal panel according to the first embodiment of the present invention. It is a figure for demonstrating the pixel structure of this.

본 발명의 일실시예에 따른 액정표시장치는, 도2 및 도3에 도시된 바와 같이, 각 픽셀의 동작을 제어 및 구동하는 스위칭 및 구동 소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)가 마련되어 있는 박막트랜지스터 기판(이하 제1기판이라 함, 100)과 상기 제1 기판(100)과 대향 접착되어 있는 컬러필터 기판(이하 제2기판이라 함, 200) 및 양 기판(100, 200) 사이에 액정층(300)이 위치하고 있는 액정패널(10)을 포함한다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, as illustrated in FIGS. 2 and 3, a thin film transistor (TFT) is provided as a switching and driving element for controlling and driving the operation of each pixel. Liquid crystal between the thin film transistor substrate (hereinafter referred to as the first substrate 100) and the color filter substrate (hereinafter referred to as the second substrate 200) and the two substrates 100 and 200 that are bonded to the first substrate 100. The liquid crystal panel 10 in which the layer 300 is located is included.

우선, 제1 기판(100)에 대하여 설명한다. 제1 기판(100)은 재1절연기판(110)과, 제1절연기판(110) 상에 매트릭스 형태로 형성된 복수의 게이트 배선(121a, 121b, 123a, 123b) 및 복수의 데이터 배선(161a, 161b, 162a, 162b, 163a, 163b)과, 게이트 배선121a, 121b, 123a, 123b) 및 데이터 배선(161a, 161b, 162a, 162b, 163a, 163b)의 교차지점에 형성된 스위칭 소자인 복수의 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)와, 복수의 박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)와 연결된 복수의 화소전극(191, 192, 193, 194)을 포함한다. 박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)를 통해 화소전극(191, 192, 193, 194)과 후술할 제2기판(200)의 공통전극(250) 사이의 액정층(300)에 신호전압이 인가되며, 액정층(300)은 이 신호전압에 따라 정렬되어 광 투과율을 정하게 된다. First, the first substrate 100 will be described. The first substrate 100 includes a first insulating substrate 110, a plurality of gate wirings 121a, 121b, 123a, and 123b formed in a matrix form on the first insulating substrate 110, and a plurality of data wirings 161a, A plurality of thin film transistors, which are switching elements formed at the intersections of 161b, 162a, 162b, 163a, and 163b, the gate wirings 121a, 121b, 123a, and 123b and the data wirings 161a, 161b, 162a, 162b, 163a, and 163b. (Thin Film Transistor; Tr1, Tr2, Tr3, Tr4) and a plurality of pixel electrodes 191, 192, 193, and 194 connected to the plurality of thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4. Signal voltages are applied to the liquid crystal layer 300 between the pixel electrodes 191, 192, 193, and 194 and the common electrode 250 of the second substrate 200 to be described later through the thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4. When applied, the liquid crystal layer 300 is aligned according to the signal voltage to determine the light transmittance.

제1절연기판(110)으로는 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 기판이 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 제1기판(100)이 플렉서블(flexible) 액정표시장치의 제작에 사용될 경우에는 제1절연기판(110)으로 플라스틱 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, 플라스틱 종류로는 폴리카본(polycarbonate), 폴리 이미드(polyimide), PNB(polynorborneen), PES, PAR, PEN(polyethylenapthanate), PET (polyethylene terephthalate) 등 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어 질 수 있다. As the first insulating substrate 110, a substrate made of an insulating material such as glass, quartz, ceramic, or plastic may be used. When the first substrate 100 according to the present invention is used to manufacture a flexible liquid crystal display device, it is preferable to use a plastic substrate as the first insulating substrate 110. Here, the plastic type may be made of any one material selected from polycarbonate, polyimide, PNB (polynorborneen), PES, PAR, PEN (polyethylenapthanate), and PET (polyethylene terephthalate). .

제1절연기판(110) 위에는 복수의 게이트 배선(121a, 121b, 123a, 123b)이 형성되어 있다. 복수의 게이트 배선(121a, 121b, 123a, 123b)은 상호 나란히 배치되어 있는 제1게이트 배선(121a, 123a)과 제2게이트 배선(121b, 123b)을 포함한다. 복수의 게이트 배선(121a, 121b, 123a, 123b)은 금속 단일층 또는 다중층일 수 있다. 게이트 배선(121a, 121b, 123a, 123b)은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121a, 121a) 및 게이트선(121a, 121b)의 일부로써 박막트랜지스터(TFT)를 구성하는 게이트 전극(123a, 123b)을 포함한다.A plurality of gate wires 121a, 121b, 123a, and 123b are formed on the first insulating substrate 110. The plurality of gate wires 121a, 121b, 123a, and 123b includes the first gate wires 121a and 123a and the second gate wires 121b and 123b which are arranged side by side. The plurality of gate wires 121a, 121b, 123a, and 123b may be a metal single layer or multiple layers. The gate wires 121a, 121b, 123a, and 123b are the gate lines 121a and 121a extending in the horizontal direction and the gate electrodes 123a and 123b constituting the thin film transistor TFT as part of the gate lines 121a and 121b. It includes.

제1절연기판(110)위에는 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(130)이 게이트 배선(121a, 121b, 123a, 123b)을 덮고 있다. 게이트 절연막(130)은 백라이트 유닛(미도시)의 빛이 액정패널(10)을 투과하는 투과영역(T)에서는 제거되어 있다.On the first insulating substrate 110, a gate insulating layer 130 made of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or the like covers the gate wirings 121a, 121b, 123a, and 123b. The gate insulating layer 130 is removed in the transmission region T through which the light of the backlight unit (not shown) passes through the liquid crystal panel 10.

게이트 전극(123a, 123b)의 게이트 절연막(130) 상부에는 비정질 실리콘 등의 반도체로 이루어진 반도체층(140)이 형성되어 있으며, 반도체층(140)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 실리콘 등의 물질로 만들어진 저항 접촉층(150)이 형성되어 있다. 소스전극(162a, 162b)과 드레인 전극(163a, 163b) 사이의 채널부에서는 저항 접촉층(150)이 제거되 어 있다.A semiconductor layer 140 made of a semiconductor such as amorphous silicon is formed on the gate insulating layer 130 of the gate electrodes 123a and 123b, and a silicide or n-type impurity is doped at a high concentration on the semiconductor layer 140. An ohmic contact layer 150 made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon is formed. The ohmic contact layer 150 is removed from the channel portion between the source electrodes 162a and 162b and the drain electrodes 163a and 163b.

저항 접촉층(150) 및 게이트 절연막(130) 위에는 복수의 데이터 배선(161a, 161b, 162a, 162b, 163a, 163b)이 형성되어 있다. 복수의 데이터 배선(161a, 161b, 162a, 162b, 163a, 163b) 역시 금속층으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다. 복수의 데이터 배선(161a, 161b, 162a, 162b, 163a, 163b)은 세로방향으로 형성되어 제1 및 제2게이트선(121a, 121b)과 교차하여 4개의 서브픽셀을 정의하는 제1 및 제2 데이터선(161a, 161b), 제1 및 제2데이터선(161a, 161b)의 분지이며 저항 접촉층(150)의 상부까지 연장되어 있는 제1 및 제2소스전극(162a, 162b), 제1 및 제2소스전극(162a, 162b)과 분리되어 있으며 제1 및 제2소스전극(162a, 162b)의 반대쪽 저항 접촉층(150) 상부에 형성되어 있는 제1 및 제2드레인 전극(163a, 163b)을 포함한다. A plurality of data lines 161a, 161b, 162a, 162b, 163a, and 163b are formed on the ohmic contact layer 150 and the gate insulating layer 130. The plurality of data wires 161a, 161b, 162a, 162b, 163a, and 163b may also be a single layer or multiple layers of a metal layer. The plurality of data wires 161a, 161b, 162a, 162b, 163a, and 163b are formed in a vertical direction to intersect the first and second gate lines 121a and 121b to define four subpixels. First and second source electrodes 162a and 162b and first branches of the data lines 161a and 161b and the first and second data lines 161a and 161b and extending to the upper portion of the ohmic contact layer 150. And first and second drain electrodes 163a and 163b which are separated from the second source electrodes 162a and 162b and are formed on the ohmic contact layer 150 opposite to the first and second source electrodes 162a and 162b. ).

제1 및 제2게이트 배선(121a, 121b, 123a, 123b)과 제1 및 제2데이터 배선(161a, 161b, 162a, 162b, 163a, 163b)의 교차지점에는 제1 내지 제4박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)가 형성되어 있다. 각 박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)는 독립적으로 구동된다.The first to fourth thin film transistors Tr1 are disposed at the intersections of the first and second gate lines 121a, 121b, 123a, and 123b and the first and second data lines 161a, 161b, 162a, 162b, 163a, and 163b. , Tr2, Tr3, Tr4) are formed. Each thin film transistor Tr1, Tr2, Tr3, Tr4 is driven independently.

복수의 박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)는 보호막(170)에 의하여 덮여 있다. 구체적으로, 보호막(170)은 복수의 박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)와, 제1 및 제2게이트 배선(121a, 121b, 123a, 123b) 및 제1 및 제2데이터 배선(161a, 161b, 162a, 162b, 163a, 163b)을 덮으며 후술할 반사층(180)에 대응하는 영역에 형성되어 있고, 제1 내지 제3화소전극(191, 192, 189)에 대응하는 영역에서는 제거 되어 있다. 즉, 본 발명에 따르는 보호막(170)은 투과영역(T)에 대응하는 영역에서 제거되어 있고, 그 이외의 영역에 마련되어 있다. 이와 같이 투과영역(T)과 반사영역(R)에서 보호막(170)의 두께를 달리하는 이유는 반사층(180)에 반사되는 빛과 액정패널(10)을 투과하는 빛의 광경로를 동일하게 맞추기 위함이다. 그러므로, 보호막(170)을 도포 및 패터닝 할 때는 이와 같은 사정을 고려하여 적절한 두께로 도포 및 패터닝하는 것이 바람직하다. The plurality of thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4 are covered by the passivation layer 170. Specifically, the passivation layer 170 may include a plurality of thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4, first and second gate wirings 121a, 121b, 123a, and 123b, and first and second data wirings 161a, 161b, 162a, 162b, 163a, and 163b and are formed in a region corresponding to the reflective layer 180, which will be described later, and removed from the region corresponding to the first to third pixel electrodes 191, 192, and 189. . That is, the protective film 170 which concerns on this invention is removed in the area | region corresponding to the transmission area | region T, and is provided in another area | region. The reason for varying the thickness of the passivation layer 170 in the transmission region T and the reflection region R is to match the light paths of the light reflected by the reflective layer 180 and the light transmitted through the liquid crystal panel 10 in the same manner. For sake. Therefore, when applying and patterning the protective film 170, it is preferable to apply and pattern to an appropriate thickness in consideration of such circumstances.

여기서, 양 기판(100, 200) 사이의 거리는 셀갭(cell gap)으로 정의되는데, 본 발명에서는 투과영역(T)과 반사영역(R)에서의 광의 경로를 동일하게 맞추기 위하여 보호막(170)의 높이를 서로 다르게 형성함에 따라, 반사층(180)이 마련되 영역에서의 셀갭(C1)이 반사층(180)이 마련되지 않은 영역에서의 셀갭(C2)과 비교하여 실질적으로 1/2배가 되게 된다. 이에 따라, 투과영역(T)에서의 빛과 반사영역(R)에서의 빛의 광경로가 유사해져서 균일한 화상이 구현된다. 그리고, 화질이 개선된다.Here, the distance between the two substrates (100, 200) is defined as a cell gap, in the present invention, the height of the protective film 170 in order to match the path of light in the transmission region (T) and the reflection region (R) equally. By forming different from each other, the cell gap C1 in the region where the reflective layer 180 is provided is substantially 1/2 times as compared to the cell gap C2 in the region where the reflective layer 180 is not provided. Accordingly, the optical paths of the light in the transmission region T and the light in the reflection region R become similar to each other, thereby achieving a uniform image. And the image quality is improved.

반사영역(R)에 위치하는 보호막(170)의 표면에는 요철패턴(175)이 마련되어 있다. 즉, 4개의 서브픽셀 중에서 어느 하나에 요철패턴(175)에 보호막(170)에 형성되어 있다. 요철패턴(175)은 빛의 산란을 유발하여 반사율을 높이고 빛의 전면반사율을 향상시키기 위한 것이다. 여기서, 요철패턴(175)은 볼록렌즈(convex lens)형상 또는 오목렌즈(concave lens)형상으로 마련될 수 있다. 또한, 보호막(170)에는 각 박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)의 드레인 전극(163a, 163b)을 노출시키는 드레인 접촉구(171)가 마련되어 있다.The uneven pattern 175 is provided on the surface of the passivation layer 170 positioned in the reflective region R. That is, the protective film 170 is formed on the uneven pattern 175 in any one of the four subpixels. The uneven pattern 175 is to induce scattering of light to increase reflectance and improve front reflectivity of light. The concave-convex pattern 175 may be provided in a convex lens shape or a concave lens shape. The passivation layer 170 is provided with a drain contact hole 171 exposing the drain electrodes 163a and 163b of the thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4.

요철패턴(175) 상에는 반사층(180)이 형성되어 있다. 즉, 반사층(180)은 4개의 서브픽셀 중에서 어느 하나에 형성되어 있다. 이에 따라, 4개의 서브픽셀 중에서 3개의 서브픽셀은 투과영역(T)이며 나머지 한 개의 서브픽셀은 반사영역(R)이 된다. 반사층(180)이 형성되어 있지 않는 투과영역(T)에서는 백라이트 유닛(미도시)의 빛이 통과하여 액정패널(10) 밖으로 조사되며, 반사층(180)이 형성되어 있는 반사영역(R)에서는 외부로부터의 빛이 반사되어 다시 액정패널(10) 밖으로 조사된다. 반사층(180)은 주로 알루미늄이나 은이 사용되는데, 경우에 따라서는 알루미늄/몰리브덴의 이중층을 사용할 수도 있다. The reflective layer 180 is formed on the uneven pattern 175. That is, the reflective layer 180 is formed on any one of four subpixels. Accordingly, three subpixels among the four subpixels become the transmission region T and the other subpixel becomes the reflection region R. FIG. In the transmissive region T where the reflective layer 180 is not formed, light of a backlight unit (not shown) passes through the liquid crystal panel 10 and is irradiated out of the reflective layer 180. The light from the light is reflected and irradiated out of the liquid crystal panel 10 again. Aluminum or silver is mainly used for the reflective layer 180. In some cases, a double layer of aluminum / molybdenum may be used.

4개의 서브픽셀에는 제1 내지 제4화소전극(191, 192, 193, 194)이 각각 형성되어 있다. 각각의 화소전극(191, 192, 193, 194)은 드레인 접촉구(171)를 통하여 드레인 전극(163a, 163b)과 연결되어 있다. 화소전극(191, 192, 193, 194)은 통상 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어진다. 그리고, 제4화소전극(194) 중 반사영역(R)에 대응하는 영역은 보호막(170) 표면의 요철패턴(175)에 의하여 요철패턴이 형성된다.First to fourth pixel electrodes 191, 192, 193, and 194 are formed in the four subpixels, respectively. Each pixel electrode 191, 192, 193, and 194 is connected to the drain electrodes 163a and 163b through the drain contact hole 171. The pixel electrodes 191, 192, 193, and 194 are generally made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). In the region corresponding to the reflective region R of the fourth pixel electrode 194, the uneven pattern is formed by the uneven pattern 175 on the surface of the passivation layer 170.

이렇게 구성된 제1기판(100)은, 도4에 도시된 바와 같이, 4개의 서브픽셀(sub pixel)이 하나의 화소를 구성하면서 상하 및 좌우방향으로 반복되어 있다. 구체적으로, 4개의 서브픽셀은 모두 동일한 면적으로 마련된다 그리고, 4개의 서브픽셀 중에서 3개의 서브픽셀은 모두 투과영역(T)으로 구성되고, 나머지 한 개의 서브픽셀은 반사영역(R)으로 마련되어 있다. 이렇게 4개의 서브픽셀이 하나의 화소로 구동하는 형태를 쿼드(quad) 구조의 화소라고 한다. 즉, 본 발명에 따른 제1기 판(100)은 쿼드(quad) 구조의 화소가 반복되어 마련되어 있다.In the first substrate 100 configured as described above, as shown in FIG. 4, four sub pixels are repeated in the vertical direction and the left and right directions while forming one pixel. Specifically, all four subpixels are provided with the same area, and among the four subpixels, all three subpixels are composed of the transmission region T, and the other one subpixel is provided with the reflection region R. . The four subpixels driven as one pixel are referred to as quad-pixel pixels. That is, in the first substrate 100 according to the present invention, the quad pixels are repeatedly formed.

이어 컬러필터 기판(200)에 대하여 설명하겠다.Next, the color filter substrate 200 will be described.

제2절연기판(210) 위에 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 제2절연기판(210)은 화상이 형성되는 표시영역과 표시영역의 둘레에 마련된 주변영역으로 구분된다. 표시영역에는 후술할 블랙 매트릭스(220)와 컬리필터(231, 232) 등이 마련되어 있다. 블랙 매트릭스(220)는 일반적으로 적색, 녹색 및 청색 컬러필터 사이를 구분하며, 제1기판(100)에 위치하는 박막 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)로의 직접적인 광조사를 차단하는 역할을 한다. 블랙 매트릭스(220)는 통상 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있다. 상기 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용한다.The black matrix 220 is formed on the second insulating substrate 210. The second insulating substrate 210 is divided into a display area where an image is formed and a peripheral area provided around the display area. In the display area, a black matrix 220 and curl filters 231 and 232 which will be described later are provided. The black matrix 220 generally distinguishes between red, green, and blue color filters, and blocks direct light irradiation to the thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4 located on the first substrate 100. . The black matrix 220 is usually made of a photosensitive organic material to which black pigment is added. As the black pigment, carbon black or titanium oxide is used.

컬러필터(231, 232)는 블랙 매트릭스(220)를 경계로 하여 적색, 녹색, 청색 및 흰색 걸러필터가 반복되어 형성된다. 컬러필터(231, 232)는 백라이트 유닛(도시하지 않음)으로부터 조사되어 액정층(300)을 통과한 빛에 색상을 부여하는 역할을 한다. 컬러필터(231, 232)는 통상 감광성 유기물질로 이루어져 있다. 본 발명에 따르는 컬러필터(231, 232)는, 구체적으로 되시되지 않았으나, 제1화소전극(191)에 대응하는 적색 컬러필터(231)와, 제2화소전극(192)에 대응하는 녹색 컬러필터(미도시)와, 제3화소전극(193)에 대응하는 청색 컬러필터(미도시)와, 제4화소전극(194)에 대응하는 흰색 컬러필터(232)를 포함한다. 즉, 반사영역(R)에 대응하는 영역에는 흰색 컬러필터(232)가 마련되어 있다.The color filters 231 and 232 are formed by repeating the red, green, blue, and white filters on the black matrix 220 as a boundary. The color filters 231 and 232 may serve to impart color to light emitted from the backlight unit (not shown) and passed through the liquid crystal layer 300. The color filters 231 and 232 are usually made of a photosensitive organic material. Although not specifically described, the color filters 231 and 232 according to the present invention have a red color filter 231 corresponding to the first pixel electrode 191 and a green color filter corresponding to the second pixel electrode 192. (Not shown), a blue color filter (not shown) corresponding to the third pixel electrode 193, and a white color filter 232 corresponding to the fourth pixel electrode 194. That is, the white color filter 232 is provided in the area corresponding to the reflection area R.

컬러필터(231, 232)와 컬러필터(231, 232)가 덮고 있지 않은 블랙 매트릭 스(220)의 상부에는 오버코트층(240)이 형성되어 있다. 오버코트층(240)은 컬러필터(231, 232)를 평탄화 하면서, 컬러필터(231, 232)를 보호하는 역할을 하며 통상 아크릴계 에폭시 재료가 많이 사용된다.The overcoat layer 240 is formed on the black matrix 220 which is not covered by the color filters 231 and 232 and the color filters 231 and 232. The overcoat layer 240 serves to protect the color filters 231 and 232 while planarizing the color filters 231 and 232, and an acrylic epoxy material is generally used.

오버코트층(240)의 상부에는 공통전극(250)이 형성되어 있다. 공통전극(250)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어진다. 공통전극(250)은 제1 기판(100)의 화소전극(191, 192, 193, 194)과 함께 액정층(300)에 직접 전압을 인가한다. The common electrode 250 is formed on the overcoat layer 240. The common electrode 250 is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The common electrode 250 directly applies a voltage to the liquid crystal layer 300 along with the pixel electrodes 191, 192, 193, and 194 of the first substrate 100.

이렇게 마련된 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 주입되고, 실런트(미도시)에 의하여 양 기판(100, 200)이 접합되면 액정패널(10)이 완성된다. When the liquid crystal layer 300 is injected between the first substrate 100 and the second substrate 200 prepared as described above, and the two substrates 100 and 200 are bonded by a sealant (not shown), the liquid crystal panel 10 is completed. do.

이하, 도면을 참고하여 본 발명의 제1실시예에 따르는 효과에 대하여 설명한다.Hereinafter, effects according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

본 발명에 따르는 화소구조에 의할 경우, 종래의 화소구조에 비하여 투과영역(T)의 투과모드에서 휘도 및 화질이 개선된다. 구체적으로, 투과모드로 구동되는 경우 반사영역(R)에서 반사된 빛에 의하여 투과모드에서 휘도가 증가된다. 또한, 동일한 조건 및 동일한 면적의 제약조건에서 화소를 제작할 경우, 본 발명에 따르는 쿼드(quad)구조 화소의 투과영역(T)의 면적은 종래의 기술에 따르는 화소구조의 투과영역의 면적보다 크다. 이에 따라, 투과모드에서 휘도 및 화질이 개선된다.According to the pixel structure according to the present invention, luminance and image quality are improved in the transmission mode of the transmission region T as compared with the conventional pixel structure. Specifically, when driven in the transmission mode, the brightness is increased in the transmission mode by the light reflected from the reflection area (R). In addition, when the pixel is manufactured under the same conditions and the constraints of the same area, the area of the transmission region T of the quad structure pixel according to the present invention is larger than that of the transmission region of the pixel structure according to the prior art. Accordingly, luminance and image quality are improved in the transmission mode.

또한, 본 발명에 따를 경우, 4개의 서브픽셀 중 3개의 서브픽셀이 독립되어 투과모드로 구동되고, 1개의 서브픽셀도 독립되어 반사모드로 구동된다. 즉, 4개의 서브픽셀이 각각의 박막트랜지스터에 의하여 독립하여 구동된다. 이에 따라, 광센서를 이용하여 외부환경의 광량이 적은 경우로 인식되면 3개의 투과모드의 서브픽셀의 휘도를 향상시키도록 제어하고 고화질의 화상을 구현할 수 있다. 그리고, 외부광량이 많은 경우로 인식되면 3개의 투과모드의 서브픽셀의 휘도를 감소시키도록 제어함과 동시에 1개의 반사 형태의 서브픽셀의 휘도가 개선되도록 제어하여 흑백화면을 용이하게 구현할 수 있다. 즉, 외부환경에 능동적으로 대응하여 각 서브픽셀의 휘도를 제어할 수 있어, 화질이 개선된다.In addition, according to the present invention, three subpixels of four subpixels are independently driven in the transmissive mode, and one subpixel is independently driven in the reflective mode. That is, four subpixels are driven independently by each thin film transistor. Accordingly, when it is recognized that the light amount of the external environment is small by using the optical sensor, it is possible to control to improve the luminance of the subpixels of the three transmission modes and to implement a high quality image. When it is recognized that the external light amount is large, the black and white screen can be easily implemented by controlling to reduce the luminance of the three subpixels in three transmission modes and controlling the luminance of one subpixel in the reflection form. That is, the luminance of each subpixel can be controlled in response to the external environment, thereby improving the image quality.

이하, 도5 및 도6을 참조하여 본 발명의 제2실시예에 따르는 반투과형 액정패널에 대하여 설명한다.Hereinafter, a transflective liquid crystal panel according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

제2실시예에서는 제1실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하도록 하며, 설명이 생략되거나 요약된 부분은 제1실시예에 따른다. 그리고, 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 도면번호를 부여하여 설명하도록 한다.In the second embodiment, only characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described, and descriptions omitted or summarized will be in accordance with the first embodiment. In addition, for the convenience of description, the same reference numerals are assigned to the same components to be described.

우선, 제1기판(100)에 대하여 설명한다. 제2실시예에 따르는 제1기판(100)은, 제1실시예와 달리, 제1기판소재(110)의 전면에 보호막(170)이 형성되어 있다. 즉, 제1실시예와 달리 투과영역(T)에도 보호막(170)이 도포되어 있다. 그리고, 요철패턴(175)은 반사영역(R)에서만 형성되어 있다. 또한, 제1 내지 제3화소전극(191, 192, 193)은 각 서브픽셀의 보호막(170) 상에 형성되어 있고, 제4화소전극(194)은 반사층(180) 상에 형성되어 있다.First, the first substrate 100 will be described. In the first substrate 100 according to the second embodiment, unlike the first embodiment, the protective film 170 is formed on the entire surface of the first substrate material 110. That is, unlike the first embodiment, the passivation layer 170 is coated on the transmission region T. The uneven pattern 175 is formed only in the reflective region R. As shown in FIG. In addition, the first to third pixel electrodes 191, 192, and 193 are formed on the passivation layer 170 of each subpixel, and the fourth pixel electrode 194 is formed on the reflective layer 180.

다음 제2기판(200)에 대하여 설명한다. 컬러필터(231a, 231b, 231c, 231d) 는, 구체적으로 되시되지 않았으나, 제1화소전극(191)에 대응하는 적색 컬러필터(231a)와, 제2화소전극(192)에 대응하는 녹색 컬러필터(231b)와, 제3화소전극(193)에 대응하는 청색 컬러필터(231c)와, 제4화소전극(194)에 대응하는 반사부 컬러필터(231d)를 포함한다. 여기서, 반사부 컬러필터(231d)는 녹색의 컬러필터, 청색의 컬러필터 및 적색의 컬러필터 중 어느 하나일 수 있다. 즉, 반사부 컬러필터(231d)에는, 도5에 도시된 바와 같이, 녹색의 컬러필터, 적색의 컬러필터 및 청색의 컬러필터가 쿼드(quad) 구조의 하나의 화소마다 반복하여 형성되어 있다.Next, the second substrate 200 will be described. Although not specifically illustrated, the color filters 231a, 231b, 231c, and 231d are red color filters 231a corresponding to the first pixel electrode 191 and green color filters corresponding to the second pixel electrode 192. 231b, a blue color filter 231c corresponding to the third pixel electrode 193, and a reflector color filter 231d corresponding to the fourth pixel electrode 194. The reflector color filter 231d may be any one of a green color filter, a blue color filter, and a red color filter. That is, in the reflector color filter 231d, a green color filter, a red color filter, and a blue color filter are repeatedly formed for each pixel of a quad structure, as shown in FIG.

제2실시예에 따르는 액정패널(10)에서 양 기판(100, 200) 사이의 거리로 정의되는 셀갭(C3)은 모두 실질적으로 동일하다. 즉, 제1실시예와 달리, 제2실시예에서는 보호막(170)이 제1기판소재(110)의 전면에 균일하게 도포되어 있어 투과영역(T)과 반사영역(R)에서 셀갭(C3)은 거이 동일하다.In the liquid crystal panel 10 according to the second embodiment, the cell gaps C3 defined as the distances between the two substrates 100 and 200 are substantially the same. That is, unlike the first embodiment, in the second embodiment, the protective film 170 is uniformly coated on the entire surface of the first substrate material 110, so that the cell gap C3 is transparent in the transmission region T and the reflection region R. FIG. Is the same.

이와 같이, 셀갭(C3)이 투과영역(T)과 반사영역(R)에서 동일한 경우, 제1실시예에서 설명한 바와 같이, 투과영역(T)과 반사영역(R)을 지나는 빛의 광경로가 서로 다르게 되는 문제점이 있다. 즉, 반사영역(R)에서의 빛은 액정층(300)을 두번 지나게 되고, 투과영역(T)에서의 빛은 액정층(300)을 한번 지나게 된다. 이에 따라, 휘도의 불균일이 발생할 수 있다.As described above, when the cell gap C3 is the same in the transmission region T and the reflection region R, as described in the first embodiment, the optical path of the light passing through the transmission region T and the reflection region R There is a problem of being different. That is, the light in the reflective region R passes through the liquid crystal layer 300 twice, and the light in the transmission region T passes through the liquid crystal layer 300 once. As a result, unevenness in luminance may occur.

이와 같은 문제점은 4개의 서브픽셀 중 3개의 서브픽셀이 독립되어 투과모드로 구동되고, 1개의 서브픽셀은 반사모드로 구동된다. 즉, 4개의 서브픽셀이 각각의 박막트랜지스터에 의하여 독립하여 구동되는 본발명의 구조에 의하여 해결된다. 즉, 각각의 화소전극(191, 192, 193, 194)이 각각의 박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)에 연결되어 있는 점을 고려하여, 반사영역(R)에 대응하는 제4화소전극(194)과 투과영역(T)에 대응하는 제1 내지 제3화소전극(191, 192, 193)에 서로 다른 전압을 인가하여 전체적으로 휘도가 균일해지도록 설정할 수 있다. 즉, 반사영역(R)에 대응하는 액정층(300)의 배열상태를 조절하여 투과율을 높임으로써 투과영역(T)에서와 동일한 휘도가 발현되도록 조절한다.The problem is that three subpixels of four subpixels are independently driven in a transmission mode, and one subpixel is driven in a reflection mode. That is, the four subpixels are solved by the structure of the present invention in which each of the thin film transistors is driven independently. That is, the fourth pixel electrode corresponding to the reflective region R, considering that each pixel electrode 191, 192, 193, and 194 is connected to each of the thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4. Different voltages may be applied to the first to third pixel electrodes 191, 192, and 193 corresponding to the first and second pixels 194 and T to set the luminance to be uniform. That is, by adjusting the arrangement of the liquid crystal layer 300 corresponding to the reflective region (R) to increase the transmittance, the same luminance as in the transmission region (T) is controlled.

또한, 광센서를 이용하여 외부환경의 광량이 적은 경우로 인식되면 3개의 투과모드의 서브픽셀의 휘도를 향상시키도록 제어하고, 외부광량이 많은 경우로 인식되면 3개의 투과모드의 서브픽셀의 휘도를 감소시키도록 제어함과 동시에 1개의 반사 형태의 서브픽셀의 휘도가 개선되도록 제어할 수 있다. 즉, 외부환경에 능동적으로 대응하여 각 서브픽셀의 휘도를 제어할 수 있어, 화질이 개선된다.In addition, if the amount of light in the external environment is recognized by using an optical sensor, the control is performed to improve the luminance of the subpixels in the three transmissive modes. If the amount of the external light is recognized, the luminance of the subpixels in the three transmissive modes is controlled. At the same time, the luminance of one sub-pixel in the form of reflection can be improved while controlling to reduce. That is, the luminance of each subpixel can be controlled in response to the external environment, thereby improving the image quality.

한편, 종래와 비교하여 상대적으로 반사영역이 줄어들어 반사모드의 특성이 저하됨에 따라 반사모드에서 해상도가 저하될 수 있다. 이와 같이 반사모드에서 해상도 저하 문제는 반사모드를 통한 화상 구현시 공지의 서브픽셀 렌더링(sub pixel rendering) 기술을 적용하여 보완할 수 있다. 여기서, 서브픽셀 렌더링(sub pixel rendering) 기술이란 반사모드 구현시 인접한 화소의 반사영역에 입력될 복수의 데이터 신호를 합산한 후, 이를 평균한 데이터 신호를 각각 화소의 반사영역에 입력시키도록 하여 전체적으로 해상도를 향상시키는 기술이다. 이때, 인접한 화소사이에 가중치를 동일하게 설정할 수도 있고, 일부 다르게 가중치를 설정하여 서브픽셀 렌더링(sub pixel rendering) 기술을 적용할 수 있다.On the other hand, as compared with the prior art, the reflection area is reduced, and as the characteristics of the reflection mode are degraded, the resolution may be reduced in the reflection mode. As described above, the problem of deterioration in the reflection mode may be compensated by applying a known sub pixel rendering technique when implementing an image through the reflection mode. Here, the sub pixel rendering technique sums up a plurality of data signals to be input to the reflection areas of adjacent pixels when the reflection mode is implemented, and then inputs the averaged data signals to the reflection areas of the pixels as a whole. It is a technique to improve the resolution. In this case, the weights may be set to be the same between adjacent pixels, or a subpixel rendering technique may be applied by setting weights differently.

이하, 도7 및 도8을 참조하여 본 발명의 제3실시예에 따르는 반투과형 액정 패널에 대하여 설명한다.7 and 8, a transflective liquid crystal panel according to a third embodiment of the present invention will be described.

제3실시예에서는 제1실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하도록 하며, 설명이 생략되거나 요약된 부분은 제1실시예에 따른다. 그리고, 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 도면번호를 부여하여 설명하도록 한다.In the third embodiment, only the characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described, and the description thereof will be omitted or summarized according to the first embodiment. In addition, for the convenience of description, the same reference numerals are assigned to the same components to be described.

우선, 제1기판(100)을 상술한 제1실시예와 구별되는 특징적인 부분 중심으로 설명한다.First, the first substrate 100 will be described with a characteristic partial center distinguished from the above-described first embodiment.

제1게이트 배선(121a, 123a) 및 제2게이트 배선(121b, 123b)은 제1데이터 배선(161a, 162a, 163a) 및 제2데이터 배선(161b, 162b, 163b)과 교차하여 제1서브픽셀(Ⅰ), 제2서브픽실(Ⅱ), 제3서브픽셀(Ⅲ) 및 제4서브픽셀(Ⅳ)을 정의한다. 4개의 서브픽셀(Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ, Ⅳ)은 하나의 화소(pixel)를 구성한다. The first gate wiring 121a and 123a and the second gate wiring 121b and 123b intersect the first data wiring 161a, 162a and 163a and the second data wiring 161b, 162b and 163b to form a first subpixel. (I), the second subpixel (II), the third subpixel (III) and the fourth subpixel (IV) are defined. Four subpixels I, II, III, and IV constitute one pixel.

제1게이트 배선(121a, 123a) 및 제2게이트 배선(121b, 123b)과 제1데이터 배선(161a, 162a, 163a) 및 제2데이터 배선(161b, 162b, 163b)의 교차지점에는 제1 내지 제4박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)가 형성되어 있다. 제1 내지 제4박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)는 독립적으로 구동된다. 그리고, 제1절연기판(110)에는 제1게이트 배선(121a, 123a) 및 제2게이트 배선(121b, 123b)과 나란히 형성되어 있는 복수의 공통전압선(125)이 형성되어 있다. 공통전압선(125)은 공통전압접촉구(173)를 통하여 후술할 제3전극층(190c)에 연결되어, 제3전극층(190c)에 공통전압(Vcom)을 인가한다.The first to the first gate wiring 121a, 123a, the second gate wiring 121b, 123b, the first data wiring 161a, 162a, 163a, and the second data wiring 161b, 162b, 163b at the intersections of the first through Fourth thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4 are formed. The first to fourth thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4 are driven independently. A plurality of common voltage lines 125 are formed on the first insulating substrate 110 in parallel with the first gate lines 121a and 123a and the second gate lines 121b and 123b. The common voltage line 125 is connected to the third electrode layer 190c to be described later through the common voltage contact hole 173, and applies the common voltage Vcom to the third electrode layer 190c.

제1 내지 제4박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4) 위와 제4서브픽셀(Ⅳ)에 는 보호막(170)이 형성되어 있다. 즉, 보호막(170)은 제1서브픽셀(Ⅰ), 제2서브픽셀(Ⅱ) 및 제3서브픽셀(Ⅲ)에 대응하는 영역에서 제거되어 있다. 이에 따라, 제4서브픽셀(Ⅳ)에서의 셀갭(C1)은 제1서브픽셀(Ⅰ), 제2서브픽셀(Ⅱ) 및 제3서브픽셀(Ⅲ)의 셀갭(C2)의 1/2배 정도가 된다. 제4서브픽셀(Ⅳ)에 대응하는 보호막(170)의 표면에는 요철패턴(175)이 형성되어 있다. 그리고, 제1 내지 제4박막트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)의 드레인 전극(163a, 163b)을 노출시키는 드레인 접촉구(171)가 형성되어 있다.A passivation layer 170 is formed on the first to fourth thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4 and on the fourth subpixel IV. In other words, the passivation layer 170 is removed in areas corresponding to the first subpixel I, the second subpixel II, and the third subpixel III. Accordingly, the cell gap C1 of the fourth subpixel IV is 1/2 times the cell gap C2 of the first subpixel I, the second subpixel II, and the third subpixel III. It is about. An uneven pattern 175 is formed on the surface of the passivation layer 170 corresponding to the fourth subpixel IV. The drain contact holes 171 exposing the drain electrodes 163a and 163b of the first to fourth thin film transistors Tr1, Tr2, Tr3, and Tr4 are formed.

제4서브픽셀(Ⅳ)의 요철패턴(175) 상에는 반사층(180)이 형성되어 있다. 이에 따라, 제4서브픽셀(Ⅳ)은 반사영역(R)이 되며, 제1서브픽셀(Ⅰ), 제2서브픽셀(Ⅱ) 및 제3서브픽셀(Ⅲ)은 투과영역(T)이 된다.The reflective layer 180 is formed on the uneven pattern 175 of the fourth subpixel IV. Accordingly, the fourth subpixel IV becomes the reflection area R, and the first subpixel I, the second subpixel II, and the third subpixel III become the transmission area T. .

반사층(180) 상에는 제1전극층(190a)이 형성되어 있다. 구체적으로, 제4서브픽셀(Ⅳ)은 제1전극층(190a)에 의하여 채워져 있다. 제1전극층(190a)은 드레인 접촉구(171)를 통하여 제4박막트랜지스터(Tr4)와 연결되어 있다. 이에 반하여, 제1서브픽셀(Ⅰ), 제2서브픽셀(Ⅱ) 및 제3서브픽셀(Ⅲ)에는 제2전극층(190b)과 제3전극층(190c)이 상호 반복되어 형성되어 있다. 제2전극층(190b)은 드레인 접촉구(171)를 통하여 제1박막트랜지스터(Tr1), 제2박막트랜지스터(Tr2) 및 제3박막트랜지스터(Tr3)에 연결되어 있으며, 제3전극층(190c)은 공통전압 접촉구(173)를 통하여 공통전압선(125)에 연결되어 있다. 이에 따라, 제1전극층(190a) 및 제2전극층(190b)에는 화소전압이 충전되며, 제3전극층(190c)에는 공통전압이 충전된다. 그리고, 제2전극층(190b)과 제3전극층(190c) 사이에는 횡전계가 형성되어 IPS(In Plane Switching) 모드가 구현된다.The first electrode layer 190a is formed on the reflective layer 180. Specifically, the fourth subpixel IV is filled by the first electrode layer 190a. The first electrode layer 190a is connected to the fourth thin film transistor Tr4 through the drain contact hole 171. On the contrary, in the first subpixel I, the second subpixel II, and the third subpixel III, the second electrode layer 190b and the third electrode layer 190c are repeatedly formed. The second electrode layer 190b is connected to the first thin film transistor Tr1, the second thin film transistor Tr2, and the third thin film transistor Tr3 through the drain contact hole 171, and the third electrode layer 190c is connected to the first thin film transistor Tr1. The common voltage contact 125 is connected to the common voltage line 125. Accordingly, the pixel voltage is charged in the first electrode layer 190a and the second electrode layer 190b, and the common voltage is charged in the third electrode layer 190c. In addition, a transverse electric field is formed between the second electrode layer 190b and the third electrode layer 190c to implement an IPS mode.

이하, 제2기판(200)을 상술한 제1실시예와 구별되는 특징적인 부분 중심으로 설명한다.Hereinafter, the second substrate 200 will be described with a characteristic partial center distinguished from the above-described first embodiment.

제2기판(200)은, 제1서브픽셀(Ⅰ)에 대응하는 적색 컬러필터(231)와, 제2서브픽셀(Ⅱ)에 대응하는 녹색 컬러필터(미도시)와, 제3서브픽셀(Ⅲ)에 대응하는 청색 컬러필터(미도시)와, 상기 제4서브픽셀(Ⅳ)에 대응하는 반사부 컬러필터(232) 및 반사부 컬러필터(232) 상에 형성되어 있는 제4전극층(250)을 포함한다. 반사부 컬러필터(232) 상에 형성된 제4 전극층(250)은 제4서브픽셀(Ⅳ)에 형성되어 있는 제1전극층(190a)과 함께 수직전계를 형성한다. The second substrate 200 may include a red color filter 231 corresponding to the first subpixel (I), a green color filter (not shown) corresponding to the second subpixel (II), and a third subpixel ( A blue color filter (not shown) corresponding to III) and a fourth electrode layer 250 formed on the reflector color filter 232 and the reflector color filter 232 corresponding to the fourth subpixel (IV). ). The fourth electrode layer 250 formed on the reflector color filter 232 forms a vertical electric field together with the first electrode layer 190a formed on the fourth subpixel IV.

여기서, 반사부 컬러필터(232)는 상술한 제1실시예와 같이 흰색 컬러필터로 마련될 수 있으며, 상술한 제2실시예와 같이 녹색 컬러필터, 적색 컬러필터 및 청색 컬러필터 중 어느 하나일 수 있다. 즉, 반사부 컬러필터(232)에는, 제2실시예와 같이, 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터가 하나의 쿼드(quad)구조의 화소마다 반복하여 형성되어 있을 수 있다.Here, the reflector color filter 232 may be provided as a white color filter as in the first embodiment, and may be any one of a green color filter, a red color filter, and a blue color filter as in the second embodiment. Can be. That is, in the reflector color filter 232, a red color filter, a green color filter, and a blue color filter may be repeatedly formed for each pixel of one quad structure as in the second embodiment.

그리고, 도8에 도시된 바와 같이, 제1절연기판(110)의 외부면에는 제1위상차판(410)과 제1편광판(420)이 차례로 부착되어 있고, 제2절연기판(210)의 외부면에는 제2위상차판(430)과 제2편광판(440)이 차례로 부착되어 있다. 여기서, 제1위상차판(410)과 제2위상차판(430)은 통과하는 빛의 위상을 λ/2 지연시키는 필름으로, 제1위상차판(410)과 제2위상차판(430)에는 일정한 방향으로 형성된 위상지연축이 마련되어 있다. 제1위상차판(410)의 위상지연축은 상기 제1편광판(420)의 편광축에 실질적으로15도 경사지도록 마련되어 있고, 제2위상차판(430)의 위상지연축은 상기 제2편광판(440)의 편광축에 실질적으로60도 경사지도록 마련되어 있다.As shown in FIG. 8, the first phase difference plate 410 and the first polarizing plate 420 are sequentially attached to the outer surface of the first insulating substrate 110 and the outside of the second insulating substrate 210. The second phase difference plate 430 and the second polarizing plate 440 are sequentially attached to the surface. Here, the first phase difference plate 410 and the second phase difference plate 430 are films that delay the phase of light passing by λ / 2, and the first phase difference plate 410 and the second phase difference plate 430 have a predetermined direction. A phase delay axis formed by The phase delay axis of the first phase difference plate 410 is provided to be inclined substantially 15 degrees to the polarization axis of the first polarization plate 420, and the phase delay axis of the second phase difference plate 430 is the polarization axis of the second polarization plate 440. It is provided to be inclined at substantially 60 degrees.

이하, 제3실시예에 따르는 반투과형 액정패널의 광학동작에 대하여 도9a 내지 도9d를 참조하여 살펴본다.Hereinafter, the optical operation of the transflective liquid crystal panel according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 9A to 9D.

도9a 및 도9b는 투과영역(T)에서 IPS모드의 광학 동작을 설명하기 위한 도면이다. 9A and 9B are views for explaining the optical operation in the IPS mode in the transmission region T. FIG.

먼저, 도9a를 참조하여 전극층(190b, 190c)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 블랙화면이 구현되는 광학동작에 대하여 설명한다. 제1절연기판(110)의 외부면에 부착된 제1편광판(420)을 투과한 빛은(①)은 제1위상차판(410)의 위상지연축(Slow Axis, SA)과 15도를 이루며 입사하여 제1위상차판(410)을 통과하면서 위상지연축(Slow Axis, SA) 대비 15도 대칭이동한다(②). 여기서, 제1평광판(410)을 통과한 빛은 원편광에서 선편광으로 변화되고, 선편광은 제1위상차판(410)을 통과하면서 λ/2(180도)만큼 위상이 지연되어 위상지연축(Slow Axis, SA)에 대하여 대칭이동하게 되는 것이다. First, an optical operation of implementing a black screen in a state in which no voltage is applied to the electrode layers 190b and 190c will be described with reference to FIG. 9A. Light transmitted through the first polarizing plate 420 attached to the outer surface of the first insulating substrate 110 is formed at 15 degrees with a slow axis (SA) of the first phase difference plate 410. The incident light passes through the first phase difference plate 410 and is symmetrically moved 15 degrees with respect to the slow axis (SA) (②). Here, the light passing through the first flat plate 410 is changed from circularly polarized light to linearly polarized light, and the linearly polarized light passes through the first phase difference plate 410 and is delayed in phase by λ / 2 (180 degrees) so that the phase delay axis ( Slow axis, SA) will be symmetrical movement.

이 빛은 액정층(300)을 통과하면서 액정 방향자(Liquid Crystal Director)를 기준으로 대칭이동하게 된다(③). 여기서, 액정층(300)은 전극층(190b, 190c)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 λ/2(180도)의 위상지연값을 가지도록 설정되어 있으며, 액정 방향자는 전압이 인가되지 않은 경우 제1위상차판(410)의 위상지연축에 60도를 이루도록 배열되어 있다. 구체적으로, 액정층(300)의 위상차값은 δ=?n×d의 관계식이 성립하기 때문에, 이를 기초로 액정층(300)의 위상지연값이 λ/2(180 도)이 되도록 설정할 수 있다. 여기서,δ는 위상차값이고, ?n은 액정층의 굴절율이며, d 는 셀갭이다. 즉, 액정층(300)은 위상지연판과 같이 작용하여 선편광의 위상을 λ/2(180도)만큼 지연시킨다. 이에 따라, 선편광은 액정 방향자(Liquid Crystal Director)를 기준으로 45도 대칭이동하게 된다. The light is symmetrically moved relative to the liquid crystal director while passing through the liquid crystal layer 300 (③). Here, the liquid crystal layer 300 is set to have a phase delay value of λ / 2 (180 degrees) when no voltage is applied to the electrode layers 190b and 190c. The phase delay axis of the first phase difference plate 410 is arranged to form 60 degrees. Specifically, since the phase difference value of the liquid crystal layer 300 is a relation of δ =? N × d, the phase delay value of the liquid crystal layer 300 may be set to be λ / 2 (180 degrees). . Is the phase difference value,? N is the refractive index of the liquid crystal layer, and d is the cell gap. That is, the liquid crystal layer 300 acts like a phase delay plate to delay the phase of linearly polarized light by λ / 2 (180 degrees). Accordingly, the linearly polarized light is symmetrically shifted by 45 degrees with respect to the liquid crystal director.

이 빛은 다시 제2위상지연판(430)을 지나면서 제2위상지연판(430)의 위상지연축(Slow Axis, SA)을 기준으로 대칭이동하여 제2편광판(440)의 편광축과 90도를 이루게 된다(④). 즉, 제2위상지연판(430)을 통과한 빛은 위상지연축을 기준으로 30도 대칭이동하여 제2편광판(440)의 편광축과 90도를 이루게 된다. 이에 따라, 빛은 제2편광판(440)을 통과하지 못하여 블랙화면이 구현된다. 즉, 전극층(190b, 190c)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 블랙화면이 구현되는 노말리 블랙(normally black)이다.The light passes again through the second phase delay plate 430 and symmetrically moves about the phase delay axis (Slow Axis, SA) of the second phase delay plate 430 to be 90 degrees with the polarization axis of the second polarizing plate 440. (④). That is, the light passing through the second phase delay plate 430 is symmetrically moved 30 degrees with respect to the phase delay axis to form 90 degrees with the polarization axis of the second polarizing plate 440. Accordingly, light does not pass through the second polarizing plate 440, thereby implementing a black screen. That is, the black screen is normally black when the voltage is not applied to the electrode layers 190b and 190c.

다음, 도9b를 참조하여 전극층(190b, 190c)에 전압이 인가된 경우 화이트 화면이 구현되는 광학동작에 대하여 설명한다.Next, an optical operation of implementing a white screen when a voltage is applied to the electrode layers 190b and 190c will be described with reference to FIG. 9B.

제1절연기판(110)의 외부면에 부착된 제1편광판(420)을 투과한 빛은(①)은 제1위상차판(410)의 위상지연축(Slow Axis, SA)과 15도를 이루며 입사하여 제1위상차판(410)을 통과하면서 위상지연축(Slow Axis, SA) 대비 15도 대칭이동한다(②). 여기서, 제1평광판(410)을 통과한 빛은 원편광에서 선편광으로 변화되고, 선편광은 제1위상차판(410)을 통과하면서 λ/2(180도)만큼 위상이 지연되어 위상지연축(Slow Axis, SA)에 대하여 대칭이동하게 되는 것이다.Light transmitted through the first polarizing plate 420 attached to the outer surface of the first insulating substrate 110 is formed at 15 degrees with a slow axis (SA) of the first phase difference plate 410. The incident light passes through the first phase difference plate 410 and is symmetrically moved 15 degrees with respect to the slow axis (SA) (②). Here, the light passing through the first flat plate 410 is changed from circularly polarized light to linearly polarized light, and the linearly polarized light passes through the first phase difference plate 410 and is delayed in phase by λ / 2 (180 degrees) so that the phase delay axis ( Slow axis, SA) will be symmetrical movement.

전극층(190b, 190c)에 전압이 인가되면 액정층(300)을 이루는 액정분자들이 45도 회전함에 따라 액정 방향자(Liquid Crystal Director)도 초기상태에서 45도 회전하게 된다. 45도 회전된 액정 방향자는 제1위상차판(410)의 위상지연축과 일치하게 되어, 제1위상차판(410)을 통과한 빛은 액정층(300)에 의한 위상지연이 발생되지 않는다(③). 즉, 액정층(300)을 통과한 빛(③)은 제1위상차판(410)을 통과한 빛(②)과 동일한 각도를 갖는다.When voltage is applied to the electrode layers 190b and 190c, the liquid crystal molecules forming the liquid crystal layer 300 rotate 45 degrees, and the liquid crystal director also rotates 45 degrees in the initial state. The liquid crystal director rotated 45 degrees coincides with the phase delay axis of the first phase difference plate 410, so that the light passing through the first phase difference plate 410 does not generate phase delay by the liquid crystal layer 300 (③ ). That is, the light ③ passing through the liquid crystal layer 300 has the same angle as the light ② passing through the first phase difference plate 410.

이 빛(③)은 제2위상차판(430)을 통과하면서 위상지연축을 기준으로 대칭이동하게 된다(④). 구체적으로, 액정층(300)을 통과한 빛(③)은 위상지연축을 기준으로 60도를 이루고 있으므로, 제2편광판(440)의 편광축과 동일하게 되어 제2편광판(440)을 통과하여 화이트가 된다.The light ③ passes through the second phase difference plate 430 and is symmetrically moved based on the phase delay axis (④). Specifically, since the light (③) passing through the liquid crystal layer 300 forms 60 degrees with respect to the phase delay axis, it becomes the same as the polarization axis of the second polarizing plate 440, and white passes through the second polarizing plate 440. do.

도9c 및 도9d는 반사영역(R)에서 IPS모드의 광학 동작을 설명하기 위한 도면이다.9C and 9D are views for explaining the optical operation in the IPS mode in the reflection region R. FIG.

먼저, 도9c를 참조하여 전극층(190a, 250)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 블랙화면이 구현되는 광학동작에 대하여 설명한다.First, an optical operation of implementing a black screen in a state in which no voltage is applied to the electrode layers 190a and 250 will be described with reference to FIG. 9C.

반사모드에서 외부광은 제2편광판(440)을 먼저 통과하게 된다(①). 제2편광판(440)을 통과한 빛은 원편광에서 선편광으로 변환되고, 선편광으로 변환된 빛(①)은 제2위상차판(430)을 통과하면서 위상지연축을 기준으로 λ/2(180도)만큼 위상이 지연되어 위상지연축(Slow Axis, SA)에 대하여 대칭이동하게 되는 것이다. 구체적으로, 제2편광판(440)을 통과한 빛(①)은 제2위상차판(430)의 위상지연축과 60도를 이루고 있으므로, 위상지연축을 기준으로 대칭이동하여 ②와 같은 빛 상태가 된다.In the reflective mode, external light passes through the second polarizing plate 440 first (①). The light passing through the second polarizing plate 440 is converted from circularly polarized light to linearly polarized light, and the light (①) converted into linearly polarized light passes through the second phase difference plate 430 and is λ / 2 (180 degrees) based on the phase delay axis. As a result, the phase is delayed so as to symmetrically move about the phase delay axis (Slow Axis, SA). Specifically, since the light ① passing through the second polarizing plate 440 forms 60 degrees with the phase delay axis of the second phase difference plate 430, the light 1 is moved symmetrically with respect to the phase delay axis to become a light state such as ②. .

이 빛(②)은 액정층(300)의 액정 방향자(Liquid Crystal Director)와 45도를 이루고 있어 위상이 지연되게 된다. 여기서, 반사영역(R)의 셀갭은 투과영역(T)의 1/2이므로, 반사되고 나온 빛은 결과적으로 (λ/4)×2 = λ/2를 느낀다. 즉, 셀갭은 1/2이나, 빛은 액정층(300)을 두번 통과하기 때문이다. 따라서, 이 빛(②)은 액정 방향자를 기준으로 대칭이동하여 ③과 같은 상태가 된다.This light (2) forms 45 degrees with the liquid crystal director of the liquid crystal layer 300, so that the phase is delayed. Here, since the cell gap of the reflective region R is 1/2 of the transmission region T, the reflected light feels (λ / 4) × 2 = λ / 2 as a result. That is, the cell gap is 1/2, but light passes through the liquid crystal layer 300 twice. Therefore, this light ② moves symmetrically with respect to the liquid crystal director and becomes a state like ③.

반사된 빛(③)은 다시 제2위상차판(430)을 통과하는데, 반사된 빛(③)은 제2위상차판(430)의 위상지연축과 30 도를 이루므로, 제2위상차판(430)를 통과한 빛은 위상지연축을 기준으로 대칭이동하여 ④와 같은 상태의 빛이된다. 이 빛(④)은 제2편광판(440)의 편광축과 90도를 이루고 있으므로, 블랙화면이 구현된다.The reflected light ③ passes through the second phase difference plate 430 again, and since the reflected light ③ forms 30 degrees with the phase delay axis of the second phase difference plate 430, the second phase difference plate 430. The light passing through) moves symmetrically with respect to the phase delay axis and becomes the light in the same state as ④. Since the light ④ forms 90 degrees with the polarization axis of the second polarizing plate 440, a black screen is realized.

다음, 도9d를 참조하여 전극층(190a, 250)에 전압이 인가된 상태에서 화이트 화면이 구현되는 광학동작에 대하여 설명한다.Next, an optical operation of implementing a white screen in a state where voltage is applied to the electrode layers 190a and 250 will be described with reference to FIG. 9D.

반사모드에서 외부광은 제2편광판(440)을 먼저 통과하게 된다(①). 제2편광판(440)을 통과한 빛은 원편광에서 선편광으로 변환되고, 선편광으로 변환된 빛(①)은 제2위상차판(430)을 통과하면서 위상지연축을 기준으로 λ/2(180도)만큼 위상이 지연되어 위상지연축(Slow Axis, SA)에 대하여 대칭이동하게 되는 것이다. 구체적으로, 제2편광판(440)을 통과한 빛(①)은 제2위상차판(430)의 위상지연축과 60도를 이루고 있으므로, 위상지연축을 기준으로 대칭이동하여 ②와 같은 빛 상태가 된다.In the reflective mode, external light passes through the second polarizing plate 440 first (①). The light passing through the second polarizing plate 440 is converted from circularly polarized light to linearly polarized light, and the light (①) converted into linearly polarized light passes through the second phase difference plate 430 and is λ / 2 (180 degrees) based on the phase delay axis. As a result, the phase is delayed so as to symmetrically move about the phase delay axis (Slow Axis, SA). Specifically, since the light ① passing through the second polarizing plate 440 forms 60 degrees with the phase delay axis of the second phase difference plate 430, the light 1 is moved symmetrically with respect to the phase delay axis to become a light state such as ②. .

전극층(190a, 250)에 전압이 인가되면, 형성된 수직전계에 따라 액정층(300)을 이루는 액정분자들은 수직배향하기 된다. 즉, 제1편광판(410)과 제2편광판(440) 사이에 수직하게 액정분자들이 배열된다. 이러한 배열에 따라, 액정층(300)에 의한 위상지연은 발생하지 않게 되므로, 제2위상차판(430)을 통과한 빛(②)은 변하지 않게 되어 그대로 반사되어 제2위상차판(430)을 향하게 된다(③). When voltage is applied to the electrode layers 190a and 250, the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 300 are vertically aligned according to the formed vertical electric field. That is, liquid crystal molecules are vertically arranged between the first polarizing plate 410 and the second polarizing plate 440. According to this arrangement, since the phase delay by the liquid crystal layer 300 does not occur, the light ② passing through the second phase difference plate 430 does not change and is reflected as it is to face the second phase difference plate 430. (③).

이 빛(③)은 다시 제2위상차판(430)을 통과하면서 위상지연축을 기준으로 다시 대칭이동하여 ④ 상태의 빛이 된다. 이 빛(④)은 처음에 제2편광판(440)을 통과한 빛(①)과 동일한 상태의 빛이다. 이에 따라, 빛(④)은 제2편광판(440)의 편광축을 통과하여 화이트 화면이 구현된다.The light ③ again passes through the second phase difference plate 430 and is symmetrically moved again based on the phase delay axis to become light in the state of ④. This light ④ is the light in the same state as the light ① passing through the second polarizing plate 440. Accordingly, the light ④ passes through the polarization axis of the second polarizing plate 440 to realize a white screen.

이에 따라, 투과영역(T)과 반사영역(R)에서 모두 블랙화면과 화이트 화면이 각각 구동 가능해져 반사 및 투과모드의 구현이 가능한 액정패널이 제공된다.Accordingly, a black screen and a white screen can be driven in both the transmission region T and the reflection region R, thereby providing a liquid crystal panel capable of implementing reflection and transmission modes.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 투과모드에서의 휘도 및 화질이 개선되며, IPS모드에서 반사 및 투과모드로 구현 가능한 액정패널이 제공된다.As described above, according to the present invention, there is provided a liquid crystal panel capable of improving luminance and image quality in a transmission mode, and implementing reflection and transmission modes in an IPS mode.

Claims (19)

제1기판과;A first substrate; 상기 제1기판과 대향 배치되는 제2기판과;A second substrate disposed to face the first substrate; 상기 제1기판과 상기 제2기판의 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 액정패널에 있어서,In the liquid crystal panel comprising a liquid crystal layer positioned between the first substrate and the second substrate, 상기 제1기판은, 상호 나란히 배치되어 있는 제1게이트 배선 및 제2게이트 배선과, 상기 제1게이트 배선 및 상기 제2게이트 배선과 교차하도록 상호 나란히 배치되어 4개의 서브픽셀을 정의하는 제1데이터 배선 및 제2데이터 배선과, 상기 4개의 서브픽셀 중 어느 하나의 서브픽셀에 형성되어 있는 반사층 및 상기 4개의 서브픽셀 각각에 형성되어 있는 제1 내지 제4화소전극을 포함하고, The first substrate may include first and second gate interconnections arranged side by side, and first data defining four subpixels arranged in parallel to intersect the first gate interconnection and the second gate interconnection. A wiring layer, a second data wiring line, a reflective layer formed on any one of the four subpixels, and first to fourth pixel electrodes formed on each of the four subpixels; 상기 제2기판은, 상기 제1화소전극에 대응하는 적색 컬러필터와, 상기 제2화소전극에 대응하는 녹색 컬러필터와, 상기 제3화소전극에 대응하는 청색 컬러필터와, 상기 제4화소전극에 대응하는 반사부 컬러필터를 포함하는 것을 특징을 하는 액정패널.The second substrate may include a red color filter corresponding to the first pixel electrode, a green color filter corresponding to the second pixel electrode, a blue color filter corresponding to the third pixel electrode, and the fourth pixel electrode. And a reflector color filter corresponding to the liquid crystal panel. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사부 컬러필터는 흰색 컬러필터인 것을 특징으로 하는 액정패널.The reflective part color filter is a liquid crystal panel, characterized in that the white color filter. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사부 컬러필터는 상기 녹색 컬러필터, 상기 적색 컬러필터 및 상기 청색 컬러필터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정패널.The reflector color filter is any one of the green color filter, the red color filter and the blue color filter. 제3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제1기판의 상기 4개의 서브픽셀은 하나의 화소를 구성하면서 상하 및 좌우방향으로 반복하여 마련되어 있으며,The four subpixels of the first substrate are repeatedly provided in up, down, left and right directions while forming one pixel. 상기 반사부 컬러필터에는 상기 적색 컬러필터, 상기 녹색 컬러필터 및 상기 청색 컬러필터가 상기 하나의 화소마다 반복하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정패널.And the red color filter, the green color filter, and the blue color filter are repeatedly formed in each of the pixels in the reflector color filter. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1기판은,The first substrate, 상기 제1게이트 배선 및 상기 제2게이트 배선과 상기 제1데이터 배선 및 상기 제2데이터 배선의 교차지점에 각각 형성되어 있는 제1 내지 제4박막트랜지스터와;First to fourth thin film transistors formed at intersections of the first gate line, the second gate line, the first data line, and the second data line; 상기 제1 내지 제4박막트랜지스터를 덮고 있는 보호막을 더 포함하며, Further comprising a passivation layer covering the first to fourth thin film transistor, 상기 반사층의 하부에 위치하는 보호막의 표면에는 요철패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정패널.And a concave-convex pattern is formed on a surface of the passivation layer under the reflective layer. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1 내지 상기 제4박막트랜지스터는 독립적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 액정패널.The first to fourth thin film transistors are driven independently. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 보호막은 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극에 대응하는 영역에서 제거되어 있으며,The passivation layer is removed in regions corresponding to the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode. 상기 반사층이 마련된 영역에서의 셀갭은 상기 반사층이 마련되지 않은 영역에서의 셀갭에 실질적으로 1/2배인 것을 특징으로 하는 액정패널.The cell gap in the region where the reflective layer is provided is substantially 1/2 times the cell gap in the region where the reflective layer is not provided. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 보호막은 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극, 상기 제3화소전극 및 상기 제4화소전극에 대응하는 영역에서 실질적으로 균일한 두께로 형성되어 있으며,The passivation layer is formed to have a substantially uniform thickness in a region corresponding to the first pixel electrode, the second pixel electrode, the third pixel electrode, and the fourth pixel electrode. 상기 반사층이 마련된 영역에서의 셀갭은 상기 반사층이 마련되지 않은 영역에서의 셀갭에 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 액정패널.The cell gap in the region where the reflective layer is provided is substantially the same as the cell gap in the region where the reflective layer is not provided. 제1기판과;A first substrate; 상기 제1기판과 대향 배치되는 제2기판과;A second substrate disposed to face the first substrate; 상기 제1기판과 상기 제2기판의 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 액정패널에 있어서,In the liquid crystal panel comprising a liquid crystal layer positioned between the first substrate and the second substrate, 상기 제1기판은, 상호 나란히 배치되어 있는 제1게이트 배선 및 제2게이트 배선과, 상기 제1게이트 배선 및 상기 제2게이트 배선과 교차하도록 상호 나란히 배치되어 제1 내지 제4서브픽셀을 정의하는 제1데이터 배선 및 제2데이터 배선과, 상기 제4서브픽셀에 형성되어 있는 반사층, 상기 반사층 상에 형성된 제1전극층, 상기 제1 내지 제3서브픽셀에 상호 반복되어 형성되어 있는 제2전극층 및 제3전극층을 포함하고, The first substrate may be arranged in parallel with each other to intersect the first gate wiring and the second gate wiring and the first gate wiring and the second gate wiring, and define first to fourth subpixels. A first data line and a second data line, a reflective layer formed on the fourth subpixel, a first electrode layer formed on the reflective layer, a second electrode layer repeatedly formed on the first to third subpixels, and A third electrode layer, 상기 제2기판은, 상기 제1서브픽셀에 대응하는 적색 컬러필터와, 상기 제2서브픽셀에 대응하는 녹색 컬러필터와, 상기 제3서브픽셀에 대응하는 청색 컬러필터와, 상기 제4서브픽셀에 대응하는 반사부 컬러필터, 및 상기 반사부 컬러필터 상에 형성되어 있는 제4전극층을 포함하는 것을 특징을 하는 액정패널.The second substrate may include a red color filter corresponding to the first subpixel, a green color filter corresponding to the second subpixel, a blue color filter corresponding to the third subpixel, and the fourth subpixel. And a fourth electrode layer formed on the reflector color filter corresponding to the reflector color filter. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1기판은,The first substrate, 상기 제1게이트 배선 및 상기 제2게이트 배선과 상기 제1데이터 배선 및 상기 제2데이터 배선의 교차지점에 각각 형성되어 있는 제1 내지 제4박막트랜지스터와;First to fourth thin film transistors formed at intersections of the first gate line, the second gate line, the first data line, and the second data line; 상기 제1 내지 제4박막트랜지스터를 덮고 있는 보호막을 더 포함하며, Further comprising a passivation layer covering the first to fourth thin film transistor, 상기 반사층의 하부에 위치하는 보호막의 표면에는 요철패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정패널.And a concave-convex pattern is formed on a surface of the passivation layer under the reflective layer. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 보호막은 상기 제1서브픽셀, 상기 제2서브픽셀 및 상기 제3서브픽셀에 대응하는 영역에서 제거되어 있으며,The passivation layer is removed in areas corresponding to the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel. 상기 반사층이 마련된 영역에서의 셀갭은 상기 반사층이 마련되지 않은 영역에서의 셀갭에 실질적으로 1/2배인 것을 특징으로 하는 액정패널.The cell gap in the region where the reflective layer is provided is substantially 1/2 times the cell gap in the region where the reflective layer is not provided. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1 내지 제3서브픽셀에 반복되어 형성되어 있는 제2 및 제3전극층 사이에는 횡전계가 형성되며,A transverse electric field is formed between the second and third electrode layers repeatedly formed in the first to third subpixels. 상기 제4서브픽셀에 형성되어 있는 제1전극층과 상기 반사부 컬러필터 상에 형성된 제4 전극층 사이에는 수직전계가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정패널.And a vertical electric field is formed between the first electrode layer formed on the fourth subpixel and the fourth electrode layer formed on the reflector color filter. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1기판의 외부면에는 제1위상차판과 제1편광판이 차례로 부착되어 있으며,The first phase difference plate and the first polarizing plate are sequentially attached to the outer surface of the first substrate, 상기 제2기판의 외부면에는 제2위상차판과 제2편광판이 차례로 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 액정패널.And a second phase difference plate and a second polarizing plate are sequentially attached to the outer surface of the second substrate. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제1위상차판의 위상지연축은 상기 제1편광판의 편광축에 실질적으로15 도 경사지도록 마련되어 있고,The phase delay axis of the first phase difference plate is provided to be inclined substantially 15 degrees to the polarization axis of the first polarizing plate, 상기 제2위상차판의 위상지연축은 상기 제2편광판의 편광축에 실질적으로60도 경사지도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 액정패널.And a phase delay axis of the second phase difference plate is substantially inclined at an angle of 60 degrees to the polarization axis of the second polarizing plate. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제1위상차판 및 상기 제2위상차판은 통과하는 빛의 위상을 λ/2 지연시키는 것을 특징으로 하는 액정패널.And the first phase difference plate and the second phase difference plate delay the phase of light passing by λ / 2. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 반사부 컬러필터는 흰색 컬러필터인 것을 특징으로 하는 액정패널.The reflective part color filter is a liquid crystal panel, characterized in that the white color filter. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 반사부 컬러필터는 상기 녹색 컬러필터, 상기 적색 컬러필터 및 상기 청색 컬러필터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정패널.The reflector color filter is any one of the green color filter, the red color filter and the blue color filter. 제17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 제1기판의 상기 제1 내지 제4 서브픽셀은 하나의 화소를 구성하면서 상하 및 좌우방향으로 반복하여 마련되어 있으며,The first to fourth subpixels of the first substrate are repeatedly provided in up, down, left and right directions while forming one pixel. 상기 반사부 컬러필터에는 상기 적색 컬러필터, 상기 녹색 컬러필터 및 상기 청색 컬러필터가 상기 하나의 화소마다 반복하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하 는 액정패널.And the red color filter, the green color filter, and the blue color filter are repeatedly formed in each of the pixels in the reflector color filter. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제1 내지 상기 제4박막트랜지스터는 독립적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 액정패널.The first to fourth thin film transistors are driven independently.
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