KR20080060710A - 유기전계발광소자의 제조방법 - Google Patents

유기전계발광소자의 제조방법 Download PDF

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KR20080060710A
KR20080060710A KR1020060135138A KR20060135138A KR20080060710A KR 20080060710 A KR20080060710 A KR 20080060710A KR 1020060135138 A KR1020060135138 A KR 1020060135138A KR 20060135138 A KR20060135138 A KR 20060135138A KR 20080060710 A KR20080060710 A KR 20080060710A
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Abstract

본 발명은 유기층에 손상을 주지 않고 월을 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 박막 트랜지스터에 접속되는 제1 전극층을 형성하는 단계; 제1 전극층의 상부에 유기층을 형성하는 단계; 유기층의 상부에서 유기층의 발광 영역이 노출되도록 레이저 열전사법으로 월을 형성하는 단계;를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법를 제공한다.

Description

유기전계발광소자의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
도 1 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
100: 기판 110: 게이트 전극
120: 절연막 131,132: 반도체 패턴군
141: 소스 전극 143: 드레인 전극
150: 평탄화 유기막 160: 제1 전극층
170: 유기층 180: 월, 전사층
190: 제2 전극층 200: 도너 기판
210: 베이스 기판 220: 광열변환층
300: 마스크 310: 레이저 빔
본 발명은 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 유기층에 손상을 주지 않고 월을 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해주는 영상표시장치는 정보통신시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 유기전계발광소자(OLED)와 같은 평판표시장치가 각광받고 있다. 여기서 유기전계발광소자는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로써 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점이 있다.
유기전계발광소자는 애노드와 캐소드, 그리고 이들 사이에 개재된 유기막들을 포함한다. 여기서, 유기막들은 최소한 발광층을 포함하며, 발광층 외에도 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층을 더 포함할 수 있다. 이러한 유기전계발광소자는 유기막 특히, 발광층을 이루는 물질에 따라서 고분자 유기전계발광소자와 저분자 유기전계발광소자로 나뉘어진다.
유기전계발광소자는 각 픽셀을 개별적으로 단독 구동하기 위해서 격벽 역할을 하는 월(Wall)을 형성한다. 월은 패시베이션층 위에 일반적으로 형성되는 애노드와 발광층 및 캐소드 간의 단차를 보완하여 애노드와 캐소드가 단락되는 것을 방지하고, 캐패시터를 형성하며, 평평하지 않은 영역에서의 발광 불균일을 감소시킨 다.
여기서, 월은 유기층을 형성하는 공정 진행 전에 형성되는 것이 일반적이며, 보통 애노드 전극 형성 후에 도포, 노광, 현상, 경화 단계의 습식 방법을 거쳐 형성된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 유기층을 형성한 후에 습식 방법을 통해 월을 형성하는 과정에 있어서 발광 영역의 유기층에 물리적 혹은 산소나 수분 공급에 의한 전기적 손상이 발생하지 않도록 건식 방법으로 월을 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터에 접속되는 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층의 상부에 유기층을 형성하는 단계; 상기 유기층의 상부에서 상기 유기층의 발광 영역이 노출되도록 레이저 열전사법으로 월을 형성하는 단계;를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법를 제공한다.
구체적으로, 상기 월을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 베이스 기판, 광열변환층, 전사층을 포함하는 도너 기판을 고정하는 단계; 상기 도너 기판이 고정된 상기 기판에 마스크를 통해 레이저 빔을 조사하여 전사층을 전사하는 단계; 상기 기판에서 상기 도너 기판을 분리하고 월을 형성하는 단계;를 포함한다.
그리고, 상기 전사층은 상기 월을 형성하기 위해 도전성이 낮은 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 유기층을 형성하는 단계는 상기 유기층을 구성하는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 중 일부 또는 전체로 상기 유기층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 월을 형성하는 단계 이후에, 상기 월 및 유기층의 상부에 유기층의 일부층 및 제2 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 기판 상에 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴군을 형성하는 단계; 상기 게이트 금속 패턴군의 상부에 절연막 및 반도체 패턴군을 형성하는 단계; 상기 반도체 패턴군의 상부에 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 금속 패턴군을 형성하는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 제1 전극층을 형성하는 단계 이전에, 상기 박막 트랜지스터의 상부에 평탄화 유기막을 형성하는 단계를 더 포함한다.
한편, 유기전계발광소자의 제조방법은 상기 제1 전극층을 형성하는 단계 이후에, 상기 월을 상기 제1 전극층의 상부에 상기 제1 전극층의 일부 영역이 노출되도록 형성하는 단계; 상기 노출된 제1 전극층의 상부에 상기 유기층을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 유기층을 형성하는 단계 이후에 상기 월 및 유기층의 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상술한 기술적 과제와 다른 기술적 과제 및 기술적 특징들은 후술하는 본 발명의 실시 예에 따라 첨부한 도면 및 설명에 의하여 명확해질 것이다.
이하에서는, 도 1 내지 도 10c를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다. 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
도 1 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 기판(100) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 단계, 박막 트랜지스터(TFT)에 접속되는 제1 전극층(160)을 형성하는 단계, 제1 전극층(160)의 상부에 유기층(170)을 형성하는 단계, 유기층(170)의 상부에서 유기층(170)의 발광 영역이 노출되도록 레이저 열전사법으로 월(180)을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 단계는 기판(100) 상에 게이트 전극(110)을 포함하는 게이트 금속 패턴군을 형성하는 단계, 게이트 금속 패턴군의 상부에 절연막(120) 및 반도체 패턴군(131,132)을 형성하는 단계, 반도체 패턴군(131,132)의 상부에 소스 전극(141) 및 드레인 전극(143)을 포함하는 데이터 금속 패턴군을 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 게이트 라인 및 게이트 전극(110)을 포함하는 게이트 금속 패턴군을 형성하는 단계를 진행한다. 여기서, 기판(100)은 일반적으로 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 절연 기판을 사용한다. 그리고, 게이트 금속 패턴군은 기판(100)의 상부면에 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층을 형성한 후 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 형성한다.
다음으로, 도 2에 도시된 바와 같이 게이트 금속 패턴군이 형성된 기판(100) 상에 화학 기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD) 등의 방법으로 절연막(120)을 형성하는 단계를 진행한다. 여기서, 절연막(120)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 절연 물질을 기판(100)의 전면에 증착하여 형성한다. 이를 통해, 절연막(120)은 기판(100) 상에 형성된 게이트 금속 패턴군을 덮어버려 게이트 금속 패턴군을 절연시키는 역할을 한다.
그리고, 절연막(120)이 형성된 기판(100)에 도 3에 도시된 바와 같이 제1 반도체층(131) 및 제2 반도체층(132)을 증착한 뒤 패터닝하여 반도체 패턴군(131,132)을 형성하는 단계를 진행한다. 여기서, 제1 반도체층(131)과 제2 반도체층(132)은 하나의 마스크 공정을 통해 형성한다. 즉, 제1 반도체층(131)과 제2 반도체층(132)은 아모퍼스(Amorphous) 실리콘과, n+ 아모포스 실리콘을 차례대로 증착한 뒤 한번에 식각하여 형성한다. 이때, 제1 반도체층(131) 및 제2 반도체층(132)은 아모퍼스(Amorphous) 실리콘과 n+ 아모포스 실리콘에 의해 한정되는 것은 아니고, 이를 결정화한 폴리 실리콘 등을 사용할 수도 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 패턴군(131,132)이 형성된 기판(100) 상에 데이터 라인, 소스 전극(141) 및 드레인 전극(143)을 포함하는 데이터 금속 패턴군을 형성하는 단계를 진행한다. 데이터 금속 패턴군은 반도체 패턴군 (131,132)이 형성된 기판(100) 상에 스퍼터링 등의 증착 방법으로 데이터 금속층이 형성된 후 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 패터닝하여 데이터 라인과 소스 전극(141) 및 드레인 전극(143)을 형성한다. 이를 통해, 기판(100) 상에 박막 트랜지스터가 형성된다. 그리고, 데이터 금속 패턴군을 형성한 뒤 소스 전극(141)과 드레인 전극(143) 사이에 형성된 제2 반도체층(132)을 슬릿 또는 하프톤 마스크 등을 사용하여 제거하고, 제1 반도체층(131)을 노출시켜 박막 트랜지스터의 채널 부분을 형성한다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이 데이터 금속 패턴군의 상부에 평탄화 유기막(150)을 형성하는 단계를 진행한다. 평탄화 유기막(150)은 박막 트랜지스터의 채널 부분을 보호하고, 데이터 금속 패턴군을 이후에 형성되는 타 도전층과 절연시킨다. 그리고, 평탄화 유기막(150)은 박막 트랜지스터가 형성된 기판(100)의 상부면을 평탄하게 형성한다. 이와 같은, 평탄화 유기막(150)은 아크릴 수지 등과 같은 유기 절연 물질을 적층시켜 형성한다. 그리고, 드레인 전극(143)을 덮는 평탄화 유기막(150)의 일부분을 식각하여 평탄화 유기막(150)을 관통하는 컨택홀(155)을 형성한다. 평탄화 유기막(150)은 컨택홀(155)을 통해 드레인 전극(143)의 일부분을 노출시킨다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이 평탄화 유기막(150)의 상부에 드레인 전극(143)과 연결되는 제1 전극층(160)을 형성하는 단계를 진행한다. 제1 전극층(160)은 평탄화 유기막(150)의 상부에 스퍼터링 등의 증착 방법으로 도전막을 형성한 후 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 거쳐 패터닝하여 형성한다. 이때, 제1 전극층(160)은 전면 발광 구조의 경우에는 반사막인 금속막으로 형성하고, 배면 발광 구조의 경우에는 투명 도전막으로 형성한다. 여기서는, 제1 전극층(160)을 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TO, ITZO 등을 사용하여 투명 도전막으로 형성한다. 이러한, 제1 전극층(160)은 컨택홀(155)을 통해 드레인 전극(143)에 접속되어 화소 전극으로 기능한다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이 제1 전극층(160)의 상부에 진공 증착, 스핀 코팅, 셰도우 마스크 등의 방법으로 유기층(170)을 형성하는 단계를 진행한다. 유기층(170)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함하며, 제1 전극층(160)의 상부에 이들의 일부 또는 전체를 적층하여 형성한다. 여기서, 유기층(170)의 정공 주입층 혹은 가장 먼저 적층되는 층은 고분자 물질로 평탄하게 형성되어 좋은 소자 특성을 나타낼 수 있다. 그리고, 발광층은 적색, 녹색, 청색을 각각 구현하는 발광 물질들을 순차적으로 적층하여 3층 구조로 형성하거나, 보색 관계를 가지는 발광 물질들을 적층하여 2층 구조로 형성하거나, 백색을 구현하는 발광 물질로 이루어진 단층 구조로 형성한다. 이러한 유기층(170)에 포함된 발광층은 제1 전극층(160)에 공급된 전류량에 따라 발광하여 제1 전극층(160)을 경유하여 기판(100) 쪽으로 빛을 방출하게 된다.
다음으로, 도 8a 및 도 8d를 참조하여 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging: LITI)으로 월(180)을 형성하는 단계를 설명한다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 유기층(170)이 형성된 기판(100)의 상측에 도너 기판(200)을 배치한다. 도너 기판(200)은 베이스 기판(210) 상에 다수 개의 층이 형성된 구조로써, 베이스 기판(210)의 일면에 형성된 광열변환층(Light-To-Heat Conversion layer: LTHC)과, 광열변환층(220)에 부착된 전사층(180)을 포함한다.
여기서, 도너 기판(200)의 구성에 대해 설명하도록 한다. 전사층(180)은 월(180)을 형성하는 물질로 형성된다. 이때, 월(180)을 형성하는 물질은 제1 전극층(160)과 전기적으로 연결되지 않도록 도전성이 낮은 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 광열변환층(220)은 레이저 조사 장치에서 조사된 에너지를 열에너지로 변환시키는 역할을 수행하고, 이를 통해 발생된 열에너지는 전사층(180)과 광열변환층(220) 사이의 접착력을 변화시킴으로써 전사층(180)을 피사체인 기판(100) 상에 전사시킨다. 이때, 도너 기판(200)은 전사층(180)의 월(180)을 구성하는 물질이 손상되는 것을 방지하고, 전사층(180)과 도너 기판(200)의 접착력을 효과적으로 조절하기 위해 광열변환층(220)과 전사층(180) 사이에 버퍼층이 형성될 수도 있다.
다음으로, 도너 기판(200)을 도 8b에 도시된 바와 같이 기판(100)의 상부에 고정하고, 기판(100)의 상측에 마스크(300)를 배치한다. 그리고, 기판(100)의 상측에서 마스크(300)를 통해 도너 기판(200)에 레이저 빔(310)을 조사한다. 이를 통해, 레이저 빔(310)이 조사된 영역은 서로 밀착된 전사층(180)과 평탄화 유기막(150)과 제1 전극층(160) 및 유기층(170)에 발생하는 접착력이, 전사층(180)과 광열변환층(220) 간의 접착력보다 커진다.
여기서, 레이저 열전사법은 도너 기판(200)에 레이저 빔(310)을 직접 조사하여 기판(100) 상에 전사층(180)을 전사할 수도 있다. 즉, 레이저 빔(310)의 폭을 전사층(180)이 전사될 영역에 맞춰 정확히 조절하고, 이를 도너 기판(200)에 조사하여 기판(100) 상에 월(180)을 형성한다. 이러한 레이저 열전사법은 마스크(300)가 필요하지 않으므로, 제조 비용에서 유리할 수 있다.
다음으로, 도 8c에 도시된 바와 같이 도너 기판(200)을 기판(100)으로부터 분리한다. 이를 통해, 레이저 빔(310)이 조사된 영역의 전사층(180)은 광열변환층(220)으로부터 박리되어 기판(100) 상에 월(180)을 형성한다.
여기서, 월(180)은 도 8d에 도시된 바와 같이 기판(100) 상에서 유기층(170)의 발광 영역을 제외하고 형성한다. 이때, 월(180)은 유기층(170)의 발광 영역이 노출되도록 형성되며, 유기층(170)이 손상되는 것을 방지한다. 그리고, 월(180)은 포토 공정을 거치지 않고 형성하므로 수분에 취약한 유기층(170)의 발광 불량 문제를 발생시키지 않는다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이 월(180)의 상부에 제2 전극층(190)을 형성하는 단계를 진행한다. 이때, 제2 전극층(190)은 전면 발광 구조의 경우에는 투명 도전막으로 형성하고, 배면 발광 구조의 경우에는 반사막인 금속막으로 형성한다. 여기서, 제2 전극층(190)은 Al, Mg, Ag, Ca 등과 같은 반사율이 높은 금속으로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 제2 전극층(190)을 형성하는 단계는 유기층(170)의 일부층을 형성하는 단계를 더 포함한다. 더 상세하게는, 제1 전극층(160)의 상부에 형성된 유기층(170)이 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 일부층으로 구성되어 형성된 경우 나머지 층들을 유기층(170)의 상부에 형성한다. 그 리고, 월(180) 및 유기층(170)의 상부에 제2 전극층(190)을 형성한다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 제1 실시 예와 비교하여, 박막 트랜지스터(TFT) 및 제1 전극층(160)을 형성하는 단계는 동일하다. 따라서, 동일한 형성 단계에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 10a에 도시된 바와 같이 월(180)을 제1 전극층(160)의 상부에 형성하는 단계를 진행한다. 여기서, 월(180)은 레이저 열전사법을 이용하여 제1 전극층(160)의 일부 영역이 노출되도록 패터닝하여 형성한다.
구체적으로, 제1 전극층(160)이 형성된 기판(100)의 상측에 도너 기판(200)을 기판(100)의 상부에 고정하는 단계를 진행한다. 그리고, 기판(100)의 상측에 마스크(300)를 배치하고, 기판(100)의 상측에서 마스크(300)를 통해 도너 기판(200)에 레이저 빔(310)을 조사한다. 다음으로, 도너 기판(200)을 기판(100)으로부터 분리한다. 이를 통해, 레이저 빔(310)이 조사된 영역의 전사층(180)은 광열변환층(220)으로부터 박리되어 기판(100) 상에 월(180)을 형성한다.
다음으로, 도 10b에 도시된 바와 같이, 월(180)이 형성된 기판(100) 상에서 제1 전극층(160)의 노출된 영역의 상부에 유기층(170)을 형성하는 단계를 진행한다.
유기층(170)은 잉크젯, 레이저 열전사법 등의 방법으로 제1 전극층(160)의 상부에 형성한다. 그리고, 유기층(170)은 제1 전극층(160)으로부터 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 구성하여 형성한다. 여기서, 발광층은 적색, 녹색, 청색을 각각 구현하는 발광 물질들을 순차적으로 적층하여 3층 구조로 형성하거나, 보색 관계를 가지는 발광 물질들을 적층하여 2층 구조로 형성하거나, 백색을 구현하는 발광 물질로 이루어진 단층 구조로 형성한다.
한편, 도 10c에 도시된 바와 같이 월(180)과 유기층(170)의 상부에 제2 전극층(190)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
이때, 제2 전극층(190)은 전면 발광 구조의 경우에는 투명 도전막으로 형성하고, 배면 발광 구조의 경우에는 반사막인 금속막으로 형성한다. 여기서, 제2 전극층(190)은 Al, Mg, Ag, Ca 등과 같은 반사율이 높은 금속으로 형성하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 발광층의 상부에 레이저를 이용한 열전사법으로 월을 형성하여, 유기층을 형성한 후 월을 형성할 때 습식 방법에 의한 포토 공정을 생략할 수 있다.
그리고, 유기전계발광소자의 제조방법은 유기층이 포토 공정을 거치지 않아 발광 영역이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 월을 형성하기 전에 유기층을 구성하는 고분자 물질을 미리 형성함으로써 소자의 우수한 발광 특성을 확보하고, 수분에 취약한 유기층에서 발광 불량 문제가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술된 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터에 접속되는 제1 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극층의 상부에 유기층을 형성하는 단계;
    상기 유기층의 상부에서 상기 유기층의 발광 영역이 노출되도록 레이저 열전사법으로 월을 형성하는 단계;를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 월을 형성하는 단계는
    상기 기판 상에 베이스 기판, 광열변환층, 전사층을 포함하는 도너 기판을 고정하는 단계;
    상기 도너 기판이 고정된 상기 기판에 마스크를 통해 레이저 빔을 조사하여 전사층을 전사하는 단계;
    상기 기판에서 상기 도너 기판을 분리하고 월을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 전사층은 상기 월을 형성하기 위해 도전성이 낮은 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 유기층을 형성하는 단계는
    상기 유기층을 구성하는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 중 일부 또는 전체로 상기 유기층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  5. 제1 및 제4 항에 있어서,
    상기 월을 형성하는 단계 이후에,
    상기 월 및 유기층의 상부에 유기층의 일부층 및 제2 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는
    기판 상에 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴군을 형성하는 단계;
    상기 게이트 금속 패턴군의 상부에 절연막 및 반도체 패턴군을 형성하는 단계;
    상기 반도체 패턴군의 상부에 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 금속 패턴군을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극층을 형성하는 단계 이전에,
    상기 박막 트랜지스터의 상부에 평탄화 유기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극층을 형성하는 단계 이후에,
    상기 월을 상기 제1 전극층의 상부에 상기 제1 전극층의 일부 영역이 노출되도록 형성하는 단계;
    상기 노출된 제1 전극층의 상부에 상기 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 유기층을 형성하는 단계 이후에
    상기 월 및 유기층의 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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