KR20080057969A - Cleaning chamber, apparatus of treating substrate and method of treating the same - Google Patents

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Abstract

A cleaning chamber, apparatus and method for treating a substrate are provided to clean again a previously cleaned substrate according to whether an etching gas is absolutely removed from the previously cleaned substrate, thereby preventing a defect of the substrate and increasing an overall yield. A cleaning chamber includes: a substrate supporting part(710), a cleaning gas injection part(720), a gas analyzing part(730), and a control part(740). The substrate supporting part receives an etched substrate and supports the etched substrate. The cleaning gas injection part injects a cleaning gas in order to remove an etching gas existing on the etched substrate. The gas analyzing part measures the etching gas remaining on the etched substrate. The control part controls the cleaning gas injection part to again clean the etched substrate according to the measuring result.

Description

세정 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{CLEANING CHAMBER, APPARATUS OF TREATING SUBSTRATE AND METHOD OF TREATING THE SAME} CLEANING CHAMBER, APPARATUS OF TREATING SUBSTRATE AND METHOD OF TREATING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 세정 챔버를 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다. FIG. 2 is a configuration diagram illustrating the cleaning chamber of FIG. 1 in detail.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다. 3 is a schematic diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다. 4 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100, 800 : 기판 처리 장치 200 : 로드 포트100, 800: substrate processing apparatus 200: load port

300 : 기판 전달 모듈 400, 900 : 로드락 챔버300: substrate transfer module 400, 900: load lock chamber

910 : 제2 가스 분석부 920 : 제2 제어부910: second gas analyzer 920: second controller

500 : 트랜스퍼 챔버 600 : 공정 챔버500: transfer chamber 600: process chamber

700 : 세정 챔버 710 : 기판 지지부700: cleaning chamber 710: substrate support

720 : 세정 가스 분사부 730 : 가스 분석부 720: cleaning gas injection unit 730: gas analysis unit

735 : 제1 가스 분석부 740 : 제어부735: first gas analyzer 740: control unit

745 : 제1 제어부 750 : 플라즈마 생성부745: first control unit 750: plasma generation unit

본 발명은 세정 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 장치 내에서 기판에 존재하는 불순물을 제거하는 세정 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a cleaning chamber, a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a cleaning chamber, a substrate processing apparatus and a substrate processing method for removing impurities present in a substrate in a semiconductor manufacturing apparatus.

일반적으로 반도체 장치는 기판 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정이 요구된다. 각각의 공정에서 기판은 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 공정 챔버에 장착되어 처리된다. Generally, a semiconductor device is manufactured by depositing and patterning various materials on a substrate in a thin film form. To this end, different steps of different processes such as a deposition process, an etching process, a cleaning process, and a drying process are required. In each process, the substrate is mounted and processed in a process chamber that provides optimum conditions for the progress of the process.

이에 최근에는 반도체 장치의 미세화 및 고집적화에 따라 공정의 고정밀도화, 복잡화, 기판의 대구경화 등이 요구되고 있으며, 복합 공정의 증가나 매엽식화에 수반되는 스루풋(Throughput)의 향상이라는 관점에서 반도체 장치는 제조 공정에 사용되는 복수개의 공정 챔버들을 포함한다. 특히, 반도체 장치의 제조 공정을 일괄 처리할 수 있는 클러스터 타입의 반도체 제조 장치가 널리 사용된다. Recently, in accordance with the miniaturization and high integration of semiconductor devices, high precision, complexity, and large diameter of substrates have been required, and semiconductor devices have been developed in view of the increase in throughput associated with the increase of complex processes and single sheeting. It includes a plurality of process chambers used in the manufacturing process. In particular, a cluster type semiconductor manufacturing apparatus capable of collectively processing a semiconductor device manufacturing process is widely used.

예를 들어, 300 mm 기판이 사용되는 기판 식각 공정에서 클러스터 타입의 반도체 제조 장치는 3 개의 공정 챔버와 1 개의 세정 모듈을 포함한다. 한편, 기판 식각 공정에서, 기판은 일반적으로 Cl2 와 같은 식각 가스에 의해 식각된다. 이에 공정 챔버 내에서 식각 공정을 종료한 후, 기판 상에 존재하는 식각 가스를 제거하기 위해 기판은 세정 모듈로 이송된다. 이때, 기판은 세정 모듈 내에서 세정 가스 에 의해 세정된다. 즉, 예를 들어 O2 플라즈마 처리와 같은 세정 공정을 통해 기판에 잔류하는 식각 가스가 제거된다. For example, in a substrate etching process using a 300 mm substrate, the cluster type semiconductor manufacturing apparatus includes three process chambers and one cleaning module. On the other hand, in a substrate etching process, the substrate is generally etched by an etching gas such as Cl 2. After finishing the etching process in the process chamber, the substrate is transferred to the cleaning module to remove the etching gas existing on the substrate. At this time, the substrate is cleaned by the cleaning gas in the cleaning module. That is, the etching gas remaining on the substrate is removed through, for example, a cleaning process such as an O 2 plasma treatment.

하지만, 기판에 존재하는 식각 가스가 세정 모듈에서 완전히 제거되지 않는 경우, 식각 가스로 사용되는 Cl2 가스와 대기 중에 존재하는 H2O 가 반응하여 HCl 이 발생된다. 따라서, 상기 HCl은 메탈 라인을 녹일 수 있으므로, 기판의 불량이 발생하고 공정 환경이 오염되는 문제점이 발생한다. 나아가 반도체 소자의 전체적인 수율을 저하시키는 문제점이 발생한다. However, when the etching gas present in the substrate is not completely removed from the cleaning module, the Cl 2 gas used as the etching gas and H 2 O present in the atmosphere react to generate HCl. Therefore, since the HCl may melt the metal line, a defect occurs in the substrate and the process environment is contaminated. Furthermore, there arises a problem of lowering the overall yield of the semiconductor device.

본 발명의 일 목적은 반도체 장치 내에서 기판에 존재하는 식각 가스를 효율적으로 제거하기 위한 세정 챔버를 제공하는데 있다. One object of the present invention is to provide a cleaning chamber for efficiently removing the etching gas present in the substrate in the semiconductor device.

본 발명의 다른 목적은 상기 세정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus including the cleaning chamber.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 세정 챔버를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a substrate treating method for treating a substrate using the cleaning chamber.

상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 챔버는 식각된 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부, 상기 식각된 기판에 존재하는 식각 가스를 제거하기 위해 세정 가스를 분사하는 세정 가스 분사부, 상기 세정된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정하는 가스 분석부, 및 상기 측정된 결과에 따라 상기 기판을 재세정하도록 상기 세정 가스 분사부를 제어하는 제어부를 포함한다. The cleaning chamber according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a substrate support for receiving and supporting the etched substrate, the cleaning gas for spraying the cleaning gas to remove the etching gas present in the etched substrate A four part, a gas analyzer for measuring the etching gas remaining in the cleaned substrate, and a control unit for controlling the cleaning gas injection unit to re-clean the substrate in accordance with the measured results.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 가스는 O2 플라즈마이다. According to one embodiment of the invention, the cleaning gas is O2 plasma.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 가스 분석부는 상기 잔류하는 식각 가스의 질량을 분석하는 질량 분석기(residual gas analyzer : RGA)를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the gas analyzer includes a mass gas analyzer (RGA) for analyzing the mass of the remaining etching gas.

이에 따라, 세정 공정의 경우, 상기한 세정 챔버는 가스 분석부를 이용하여 세정된 기판에 식각 가스의 제거 여부를 측정하여 재세정함으로써, 기판의 불량을 방지하고 전체적인 수율을 향상시킬 수 있다. Accordingly, in the cleaning process, the cleaning chamber may measure the removal of the etching gas on the cleaned substrate by using the gas analyzer and rewash it, thereby preventing the defect of the substrate and improving the overall yield.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버, 세정 챔버 및 트랜스퍼 챔버를 포함한다. 상기 공정 챔버에서는 식각 가스를 이용하여 기판을 식각하는 식각 공정이 진행된다. 상기 세정 챔버는 상기 식각된 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부, 상기 식각된 기판에 존재하는 식각 가스를 제거하기 위해 세정 가스를 분사하는 세정 가스 분사부, 상기 세정된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정하는 제1 가스 분석부, 및 상기 측정된 결과에 따라 상기 기판을 재세정하도록 상기 세정 가스 분사부를 제어하는 제1 제어부를 포함한다. 상기 트랜스퍼 챔버는 상기 공정 챔버와 세정 챔버를 연결하고, 상기 공정 챔버와 세정 챔버 사이에서의 상기 기판을 전달한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above another object includes a process chamber, a cleaning chamber and a transfer chamber. In the process chamber, an etching process of etching a substrate using an etching gas is performed. The cleaning chamber includes a substrate support for receiving and supporting the etched substrate, a cleaning gas injector for injecting a cleaning gas to remove the etching gas present in the etched substrate, and measuring the etching gas remaining in the cleaned substrate. And a first control unit configured to control the cleaning gas injection unit to reclean the substrate according to the measured result. The transfer chamber connects the process chamber and the cleaning chamber and transfers the substrate between the process chamber and the cleaning chamber.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식각 가스는 Cl2를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the etching gas includes Cl 2.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 가스 분석부는 상기 잔류하는 식각 가스의 질량을 분석하는 질량 분석기를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the first gas analyzer includes a mass analyzer that analyzes the mass of the remaining etching gas.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 트랜스퍼 챔버에 인접하게 배치되며, 상기 기판을 전달받는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버에 인 접하게 배치되며, 상기 기판을 전달하는 기판 전달 모듈, 및 상기 기판 전달 모듈에 인접하게 배치되며, 상기 기판이 수용된 용기를 갖는 로드 포트를 더 포함한다.According to one embodiment of the invention, the substrate processing apparatus is disposed adjacent to the transfer chamber, the load lock chamber for receiving the substrate, is disposed adjacent to the load lock chamber, the substrate transfer module for transferring the substrate And a load port disposed adjacent to the substrate transfer module, the load port having a container in which the substrate is accommodated.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 로드락 챔버는 상기 전달된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정하는 제2 가스 분석부 및 상기 측정된 결과에 따라 상기 세정 챔버로 상기 기판을 이송시켜 재세정하도록 제어하는 제2 제어부를 포함한다.According to an embodiment of the present disclosure, the load lock chamber may transfer the substrate to the cleaning chamber according to the measured result and a second gas analyzer configured to measure the etching gas remaining on the transferred substrate, and to clean the substrate. And a second control unit for controlling.

이에 따라, 세정 공정의 경우, 상기한 기판 처리 장치는 제1 가스 분석부 및 제2 가스 분석부를 이용하여 세정된 기판에 식각 가스의 제거 여부를 효율적으로 측정하여 재세정하게 함으로써, 기판의 불량을 방지하고 전체적인 수율을 향상시킬 수 있다. Accordingly, in the case of the cleaning process, the substrate processing apparatus efficiently measures whether the etching gas is removed from the substrate cleaned using the first gas analyzer and the second gas analyzer, thereby re-cleaning, thereby preventing defects of the substrate. And overall yield can be improved.

상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 식각 가스를 이용하여 기판을 식각하는 단계, 상기 식각된 기판을 세정 챔버로 이송하는 단계, 세정 가스를 이용하여 상기 기판에 존재하는 상기 식각 가스를 제거하는 단계, 상기 세정된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정하는 단계, 및 상기 측정한 결과, 상기 기판에 상기 식각 가스가 존재하는 경우, 상기 세정 가스를 이용하여 상기 기판을 재세정하는 단계를 포함한다. In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method including etching an substrate using an etching gas, transferring the etched substrate to a cleaning chamber, and using the cleaning gas. Removing the etching gas present in the substrate; measuring the etching gas remaining on the cleaned substrate; and when the etching gas is present on the substrate, the substrate is cleaned using the cleaning gas. Re-washing.

이러한 세정 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 세정 챔버는 세정된 기판에 식각 가스의 잔류 여부를 측정하기 위한 가스 분석부를 포함한다. 따라서, 기판에 존재하는 식각 가스를 완전히 제거함으로써, 기판의 불량을 방지하고 전체적인 수율을 향상시킬 수 있다. According to such a cleaning chamber, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method, the cleaning chamber includes a gas analyzer for measuring whether an etching gas remains on the cleaned substrate. Therefore, by completely removing the etching gas present in the substrate, it is possible to prevent the defect of the substrate and to improve the overall yield.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 기판, 챔버 및 장치들의 두께와 크기 등은 그 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. In the drawings, the thickness, size, etc. of the substrate, the chamber, and the devices are exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이며, 도 2는 도 1의 세정 챔버를 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating a cleaning chamber of FIG. 1 in detail.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 로드 포트(200), 기판 전달 모듈(300), 로드락 챔버(400), 트랜스퍼 챔버(500), 공정 챔버(600) 및 세정 챔버(700)를 포함한다.1 and 2, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a load port 200, a substrate transfer module 300, a load lock chamber 400, a transfer chamber 500, A process chamber 600 and a cleaning chamber 700.

로드 포트(200)는 후술할 공정 챔버(600)들에서 처리되는 복수 개의 기판들이 적재된 용기(도시되지 않음)가 자동화 시스템(도시되지 않음)에 의해 형성된다. 용기는 동일한 공정이 수행되는 복수 개의 기판들을 소정 단위 개수로 수용하여 각 공정 챔버 등의 공정 설비로 이송하기 위한 수단으로, 예를 들어, 전면 개방 일체식 포드(Front Opening Unified Pod : FOUP)가 사용된다. The load port 200 is formed by an automation system (not shown) in which a container (not shown) is loaded with a plurality of substrates processed in the process chambers 600 to be described later. The container is a means for accommodating a plurality of substrates in which the same process is performed in a predetermined number of units and transferring the same to a process facility such as each process chamber. For example, a front opening integrated pod (FOUP) is used. do.

기판 전달 모듈(300)은 로드 포트(200)의 일 측과 인접하게 배치된다. 기판 전달 모듈(300)은 이송 수단(310)을 포함한다. 이송 수단(310)은 로드 포트(200)의 용기에 적재된 기판을 반출입한다. The substrate transfer module 300 is disposed adjacent to one side of the load port 200. The substrate transfer module 300 includes a transfer means 310. The transfer means 310 carries in and out the substrate loaded in the container of the load port 200.

로드락 챔버(400)는 기판 전달 모듈(300)의 일 측에 배치된다. 로드락 챔버(400)는 공정 챔버(600)들로 이송되는 기판들이 임시적으로 놓이는 로딩 챔버와 공정이 완료되어 공정 챔버(600)들로부터 전달받은 기판들이 임시적으로 놓이는 언로딩 챔버를 포함한다. 기판이 로드락 챔버(400) 내로 이송되면, 컨트롤러(도시되지 않음)가 로드락 챔버(400)의 내부를 감압하여 초기 저진공 상태로 만들고, 이를 통해 외부 물질이 공정 챔버(600)들 및 트랜스퍼 챔버(500)로 유입되는 것을 방지할 수 있다. The load lock chamber 400 is disposed on one side of the substrate transfer module 300. The load lock chamber 400 includes a loading chamber in which substrates transferred to the process chambers 600 are temporarily placed, and an unloading chamber in which substrates received from the process chambers 600 are temporarily placed after the process is completed. When the substrate is transferred into the load lock chamber 400, a controller (not shown) decompresses the interior of the load lock chamber 400 to an initial low vacuum state, through which foreign material is transferred to the process chambers 600 and the transfer chamber. It can be prevented from entering the chamber 500.

트랜스퍼 챔버(500)는 로드락 챔버(400)의 일 측에 배치된다. 트랜스퍼 챔버(500)은 내부에 배치된 기판 이송 장치(510)을 포함한다. 기판 이송 장치(510)는 로드락 챔버(400)로부터 전달받은 기판을 공정 챔버(600) 및 세정 챔버(700)로 이송시킨다. 또한, 기판 이송 장치(510)는 기설정된 공정이 완료된 기판 및 세정 공정이 완료된 기판을 로드락 챔버(400)로 전달한다. The transfer chamber 500 is disposed on one side of the load lock chamber 400. The transfer chamber 500 includes a substrate transfer device 510 disposed therein. The substrate transfer device 510 transfers the substrate received from the load lock chamber 400 to the process chamber 600 and the cleaning chamber 700. In addition, the substrate transfer apparatus 510 may transfer the substrate on which the predetermined process is completed and the substrate on which the cleaning process is completed, to the load lock chamber 400.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 트랜스퍼 챔버(500)는 후술할 공정 챔버(600)와 세정 챔버(700)을 연결한다. 또한, 트랜스퍼 챔버(500)는 공정 챔버(600)와 세정 챔버(700) 사이에서 기판을 전달한다.According to one embodiment of the invention, the transfer chamber 500 connects the process chamber 600 and the cleaning chamber 700 to be described later. In addition, the transfer chamber 500 transfers the substrate between the process chamber 600 and the cleaning chamber 700.

공정 챔버(600)들은 다양한 기판 공정을 수행하는 다수의 챔버들로 마련될 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버(600)들은 기판 상에 물질막의 증착을 위해 반응 가스들을 공급하도록 구성된 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 증착된 물질막의 식각을 위해 가스를 공급하도록 구성된 식각 챔버 또는 사진 공정 후 기판 상에 남아 있는 감광막 층을 제거하도록 구성된 에싱(Ashing) 챔버 등을 포함한다.The process chambers 600 may be provided with a plurality of chambers for performing various substrate processes. For example, process chambers 600 may include a chemical vapor deposition (CVD) chamber configured to supply reactant gases for deposition of a material film on a substrate, an etching chamber configured to supply gas for etching of the deposited material film, or a photo process. An ashing chamber or the like configured to remove the photoresist layer remaining on the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 공정 챔버(600)는 식각 가스를 이용하여 기판을 식각하는 식각 공정이 진행된다. 예를 들어, 식각 가스는 Cl2를 포함한다. 따라서, 공정 챔버(600)내에서 기판은 Cl2의 식각 가스에 의해 선택적으로 식각된다. 이때, 식각 공정에서 사용되는 Cl2 등의 식각 가스가 기판 상에 잔류한다. According to an embodiment of the present invention, the process chamber 600 is subjected to an etching process of etching the substrate using an etching gas. For example, the etching gas includes Cl 2. Accordingly, the substrate is selectively etched by the etching gas of Cl 2 in the process chamber 600. At this time, an etching gas such as Cl 2 used in the etching process remains on the substrate.

세정 챔버(700)는 공정 챔버(600)와 인접하게 배치된다. 세정 챔버(700)는 공정 챔버(600)에서 일련의 공정을 거친 기판에 존재하는 불순물들을 제거한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 세정 챔버(700)는 식각 가스를 이용하여 식각된 기판에 잔류하는 식각 가스를 제거한다. The cleaning chamber 700 is disposed adjacent to the process chamber 600. The cleaning chamber 700 removes impurities present in the substrate that has undergone a series of processes in the process chamber 600. According to an embodiment of the present invention, the cleaning chamber 700 removes the etching gas remaining on the etched substrate using the etching gas.

세정 챔버(700)는 식각된 기판에 존재하는 식각 가스를 제거하기 위해, 기판 지지부(710), 세정 가스 분사부(720), 가스 분석부(730) 및 제어부(740)를 포함한다. The cleaning chamber 700 includes a substrate support 710, a cleaning gas injector 720, a gas analyzer 730, and a controller 740 to remove the etching gas present in the etched substrate.

기판 지지부(710)는 식각된 기판을 전달받아 지지한다. 기판 지지부(710)는 예를 들어, 정전력에 의해 기판을 흡착 지지하는 정전척(electro static chuck : ESC)을 포함한다. 이와 달리, 기계적 클램핑 방식에 의하여 기판(W)을 기판 지지 부재(210)에 고정될 수 있다. 또한, 기판 지지 부재(210)는 진공 압에 의해 기판(W)을 흡착 지지하는 방식의 진공척(vacuun chuck)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(710)는 기판을 안정적으로 지지하기 위해, 기판보다 넓은 면의 지지면을 가진다. The substrate support 710 receives and supports the etched substrate. The substrate support 710 includes, for example, an electro static chuck (ESC) that adsorbs and supports the substrate by electrostatic force. Alternatively, the substrate W may be fixed to the substrate support member 210 by a mechanical clamping method. In addition, the substrate support member 210 may include a vacuum chuck of a method of suction-supporting the substrate W by vacuum pressure. For example, the substrate support 710 has a support surface of a surface wider than the substrate in order to stably support the substrate.

세정 가스 분사부(720)는 식각된 기판에 존재하는 식각 가스를 제거하기 위해 세정 가스를 분사한다. 즉, 세정 가스 분사부(720)는 예를 들어, 적어도 하나의 구멍을 가지며, 상기 구멍을 통하여 세정 가스를 세정 챔버(700)의 내부로 분사한다. The cleaning gas sprayer 720 injects the cleaning gas to remove the etching gas existing in the etched substrate. That is, the cleaning gas injection unit 720 has, for example, at least one hole, and injects the cleaning gas into the cleaning chamber 700 through the hole.

세정 가스 분사부(720)은 플라즈마 생성부(750)로부터 생성된 세정 가스를 세정 챔버(700)의 내부로 분사한다. 예를 들어, 상기 세정 가스는 O2 플라즈마를 포함한다. 플라즈마 생성부(750)로부터 생성된 O2 플라즈마는 산소 라디칼, 오존(O3) 등의 강한 활성과 산화력을 가진 원소들을 포함한다. 따라서, 02 플라즈마에 포함된 상기 물질들이 기판에 존재하는 유기 물질들과 반응한다. 본 발명의 일 실시예에서는 02 플라즈마는 Cl2를 포함하는 식각 가스와 반응한다. 따라서, O2 플라즈마는 상기 Cl2와 산화 반응하여 일정한 반응물 형태로 배기구를 통하여 배출한다. 따라서, 기판에 존재하는 식각 가스가 제거된다. 그러나, 세정 공정을 통해서 기판으로부터 식각 가스가 충분히 제거되지 않는 경우, Cl2를 포함하는 식각 가스와 대기중의 H2O가 반응하여 금속 등을 녹일 수 있는 HCl이 생성된다. 따라서, 기판에 불량이 발생하고, 전체적인 수율이 저하되는 문제점이 발생한다.The cleaning gas injection unit 720 injects the cleaning gas generated from the plasma generation unit 750 into the cleaning chamber 700. For example, the cleaning gas includes an O 2 plasma. The O 2 plasma generated from the plasma generator 750 includes elements having strong activity and oxidizing power, such as oxygen radicals and ozone (O 3). Thus, the materials included in the 02 plasma react with the organic materials present on the substrate. In one embodiment of the present invention, the 02 plasma reacts with an etching gas containing Cl 2. Accordingly, the O 2 plasma is oxidized with the Cl 2 and discharged through the exhaust port in the form of a constant reactant. Thus, the etching gas present in the substrate is removed. However, when the etching gas is not sufficiently removed from the substrate through the cleaning process, the etching gas containing Cl 2 and H 2 O in the atmosphere react to generate HCl capable of melting the metal. Therefore, a defect occurs in the substrate and a problem occurs that the overall yield is lowered.

가스 분석부(730)는 세정 챔버(700)에 추가 부착된다. 예를 들어, 가스 분석부(730)는 세정 챔버(700)의 외부에 부착되어 별도의 센싱 라인(도시되지 않음)을 통하여 잔류 가스를 측정한다. 이와 달리, 가스 분석부(730)는 세정 챔버(700)의 내부에 배치되어 기판 등에 존재하는 잔류 가스를 측정할 수 있다.The gas analyzer 730 is further attached to the cleaning chamber 700. For example, the gas analyzer 730 is attached to the outside of the cleaning chamber 700 to measure the residual gas through a separate sensing line (not shown). Alternatively, the gas analyzer 730 may be disposed inside the cleaning chamber 700 to measure residual gas present in the substrate.

가스 분석부(730)는 세정된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정한다. 예를 들어, 가스 분석부(730)는 잔류하는 식각 가스의 질량을 분석하는 질량 분석기(residual gas analyzer : RGA)를 포함한다. 질량 분석기는 미지의 혼합 기체를 전리 진공계의 경우와 같이 전자로 이온화하고 이온의 질량에 따라서 분리하여 각 질량에 따라서 이온의 양을 측정한다. 이에, 질량 분석기는 상기 방법에 의해 기체의 종류와 양을 알 수 있다. 따라서, 질량 분석기는 세정 챔버(700)의 내부에 존재하는 기체를 이온화하여 Cl2를 포함하는 식각 가스의 질량을 측정하여 식각 가스의 잔류 여부를 알 수 있다. The gas analyzer 730 measures the etching gas remaining on the cleaned substrate. For example, the gas analyzer 730 includes a mass gas analyzer (GAA) for analyzing the mass of the remaining etching gas. The mass spectrometer ionizes the unknown mixed gas with electrons as in the case of an ionization vacuum system, separates it according to the mass of ions, and measures the amount of ions according to each mass. Thus, the mass spectrometer can know the type and amount of gas by the above method. Therefore, the mass spectrometer may determine whether the etching gas remains by measuring the mass of the etching gas including Cl 2 by ionizing the gas present in the cleaning chamber 700.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 차적으로 세정 가스 분사부(720)로부터 분사된 세정 가스에 의해 기판에 존재하는 식각 가스가 제거되고, 가스 분석부(730)는 기판에 식각 가스가 잔류하고 있는 여부를 측정한다. 만일, 가스 분석부(730)의 측정한 결과, 식각 가스가 잔류하고 있는 경우에는 기판은 별도의 제어 유닛(도시되지 않음) 및 소프트웨어를 통하여 재세정될 필요가 있다. 이와 달리, 가스 분석부(730)의 측정 결과, 식각 가스가 잔류하고 있지 않은 경우에는 기판은 후속 공정을 위하여 외부로 이송될 수 있다. 따라서, 가스 분석부(730)가 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정함으로써, 기판에 존재하는 식각 가스를 완전히 제거될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the etching gas existing in the substrate is first removed by the cleaning gas injected from the cleaning gas injector 720, and the gas analyzer 730 may retain the etching gas in the substrate. Measure whether you are doing If, as a result of the measurement by the gas analyzer 730, the etching gas remains, the substrate needs to be cleaned again through a separate control unit (not shown) and software. On the contrary, when the etching gas does not remain as a result of the measurement by the gas analyzer 730, the substrate may be transferred to the outside for subsequent processing. Accordingly, the gas analyzer 730 may completely remove the etching gas existing on the substrate by measuring the etching gas remaining on the substrate.

또한, 세정 챔버(700)는 가스 분석부(730)의 측정된 결과에 따라 기판을 재세정하도록 세정 가스 분사부(720)를 제어하는 제어부(740)를 포함한다. 제어부(740)는 세정 챔버(700)의 내부 또는 외부에 배치되며, 가스 분석부(730)의 측정 결과에 응답하여 세정 가스 분사부(720)의 구동 여부를 제어한다. In addition, the cleaning chamber 700 includes a control unit 740 that controls the cleaning gas injection unit 720 to reclean the substrate according to the measured result of the gas analyzer 730. The controller 740 is disposed inside or outside the cleaning chamber 700, and controls whether the cleaning gas injection unit 720 is driven in response to the measurement result of the gas analyzer 730.

세정 챔버(700)는 배기구(760), 배기 라인(770) 및 배기 부재(780)를 더 포함한다. 예를 들어, 배기구(760)는 세정 챔버(700)의 바닥면에 배치된다. 이와 달 리, 배기구(760)은 세정 챔버(700)의 양 측벽의 하단에 배치될 수 있다. 배기 라인(770)은 배기구(750)와 연결되며, 배기 부재(780)는 배기 라인(770)과 연결된다. 배기 부재(778)는 예를 들어, 세정 챔버(700)의 내부의 식각 가스 및 세정 가스를 배출하기 위한 배기 펌프 등과 같은 배기 수단을 포함한다. The cleaning chamber 700 further includes an exhaust port 760, an exhaust line 770, and an exhaust member 780. For example, the exhaust port 760 is disposed on the bottom surface of the cleaning chamber 700. Alternatively, the exhaust port 760 may be disposed at the lower ends of both sidewalls of the cleaning chamber 700. The exhaust line 770 is connected with the exhaust port 750, and the exhaust member 780 is connected with the exhaust line 770. The exhaust member 778 includes exhaust means such as, for example, an exhaust pump for exhausting the etching gas and the cleaning gas inside the cleaning chamber 700.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 세정 챔버(700)는 기판에 식각 가스의 잔류 여부를 측정하기 위한 가스 분석부(730)를 포함한다. 따라서, 가스 분석부(730)가 식각 가스의 잔류 여부를 측정하고, 제어부(740)가 측정된 결과에 따라 기판을 재세정하거나 외부로 이송시킨다. 따라서, 기판에 잔류하는 식각 가스를 완전히 제거함으로써, 기판의 불량을 방지하고 전체적인 수율을 향상시킬 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the cleaning chamber 700 includes a gas analyzer 730 for measuring the presence of the etching gas on the substrate. Accordingly, the gas analyzer 730 measures whether the etching gas remains, and the controller 740 re-cleans or transfers the substrate to the outside according to the measured result. Therefore, by completely removing the etching gas remaining on the substrate, it is possible to prevent the defect of the substrate and to improve the overall yield.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 로드락 챔버에 배치된 별도의 가스 분석부를 제외하며, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치와 동일한 구성을 가짐으로 그 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호 및 명칭을 사용하기로 한다.3 is a schematic diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. Substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention except for a separate gas analyzer disposed in the load lock chamber, having the same configuration as the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention described above the overlapping description The same reference numerals and names are used for the same components.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(800)는 세정 챔버(700) 및 로드락 챔버(900)를 포함한다.2 and 3, a substrate processing apparatus 800 according to another embodiment of the present invention includes a cleaning chamber 700 and a load lock chamber 900.

전술한 바와 같이, 세정 챔버(700)는 제1 가스 분석부(735)를 포함한다. 따라서, 제1 가스 분석부(735)가 제1 차적으로 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정한다. 이에 제1 제어부(745)가 측정된 결과에 따라 기판을 재세정하도록 세정 가스 분사부(720)를 제어한다. As described above, the cleaning chamber 700 includes a first gas analyzer 735. Therefore, the first gas analyzer 735 first measures the etching gas remaining on the substrate. Accordingly, the first control unit 745 controls the cleaning gas injection unit 720 to re-clean the substrate according to the measured result.

로드락 챔버(900)는 제2 가스 분석부(910)를 포함한다. 예를 들어, 제2 가스 분석부(910)는 제1 가스 분석부(730)와 마찬가지로 질량 분석기를 포함한다. 이와 달리, 제2 가스 분석부(910)는 잔류하는 가스를 분석할 수 만 있다면, 다른 종류의 가스 측정기 또는 가스 분석기를 포함할 수 있다. 제2 가스 분석부(910)는 전송된 기판에 잔류하는 식각 가스의 잔류 여부를 측정한다. 예를 들어, 제2 가스 분석부(910)는 상기 제1 가스 분석부(730)와 동일한 방법에 의하여 잔류 가스를 측정한다. The load lock chamber 900 includes a second gas analyzer 910. For example, the second gas analyzer 910 includes a mass analyzer like the first gas analyzer 730. Alternatively, the second gas analyzer 910 may include another type of gas detector or gas analyzer as long as it can analyze the remaining gas. The second gas analyzer 910 measures whether the etching gas remaining on the transferred substrate remains. For example, the second gas analyzer 910 measures the residual gas by the same method as the first gas analyzer 730.

또한, 로드락 챔버(900)는 상기 측정된 결과에 따라 세정 챔버(700)로 기판을 이송시켜 재세정하도록 제어하는 제2 제어부(920)를 포함한다. 제2 제어부(920)는 제1 제어부(745)와 마찬가지로 기판에 잔류 가스가 측정되는 경우, 기판이 재세정되도록 세정 챔버(700)로 이송시킨다. In addition, the load lock chamber 900 includes a second control unit 920 that controls to transfer the substrate to the cleaning chamber 700 and to clean again according to the measured result. Like the first controller 745, the second controller 920 transfers the substrate to the cleaning chamber 700 so that the substrate is rewashed when residual gas is measured on the substrate.

세정 챔버(700)는 제1 가스 분석부(730)에 의해 제1 차적으로 식각 가스의 잔류 여부를 측정하고, 로드락 챔버(900)의 제2 가스 분석부(910)의 의해 제2 차적으로 식각 가스의 잔류 여부를 측정한다. 따라서, 제1 가스 분석부(730) 및 제2 가스 분석부(910)가 중첩적으로 식각 가스를 측정하여 재세정하게 함으로써, 기판에 잔류하는 식각 가스를 완전히 제거할 수 있다.The cleaning chamber 700 primarily measures whether the etching gas remains by the first gas analyzer 730, and secondly by the second gas analyzer 910 of the load lock chamber 900. Measure the presence of etching gas. Therefore, the first gas analyzer 730 and the second gas analyzer 910 overlap the measured and etched etching gas, thereby completely removing the etching gas remaining on the substrate.

이와 달리, 세정 챔버(700)에 제1 가스 분석부(730)가 존재하지 않거나 불량이 발생하여 동작할 수 없는 경우에는, 로드락 챔버(900)의 제2 가스 분석부(910)가 제1 차적으로 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정한다. 이는 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 같이, 제2 가스 분석부(910)은 제1 가스 분석부(730)와 동일한 방법에 의하여 잔류 가스를 측정한다. On the contrary, when the first gas analyzer 730 does not exist in the cleaning chamber 700 or a defect occurs, the second gas analyzer 910 of the load lock chamber 900 may operate as the first gas analyzer 730. Subsequently, the etching gas remaining on the substrate is measured. 1 and 2, the second gas analyzer 910 measures the residual gas by the same method as the first gas analyzer 730.

이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(800)는 제1 가스 분석부(730) 및 제2 가스 분석부(910)에 의해 기판에 잔류하는 식각 가스를 중첩적 또는 선택적으로 측정함으로서, 기판에 잔류하는 식각 가스가 완전히 제거될 수 있다. 따라서, 기판의 불량을 방지하고 전체적인 수율을 향상시킬 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus 800 according to another exemplary embodiment may overlap or selectively measure the etching gas remaining on the substrate by the first gas analyzer 730 and the second gas analyzer 910. By doing so, the etching gas remaining on the substrate can be completely removed. Therefore, the defect of a board | substrate can be prevented and the overall yield can be improved.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 먼저, 식각 가스를 이용하여 기판을 식각한다(S100). 그 후, 식각된 기판을 세정 챔버(700)로 이송시키고(S200), 세정 가스를 이용하여 세정 챔버(700)로 이송된 기판에 존재하는 식각 가스를 제거한다(S300). 그 후, 가스 분석부(730)가 세정된 기판에 식각 가스가 완전히 제거되어 있는지 여부, 즉 식각 가스의 잔류 여부를 측정한다(S400). 이에 식각 가스가 잔류하는 경우, 세정 가스를 이용하여 기판에 존재하는 식각 가스를 한번 더 제거한다. 또한, 식각 가스가 잔류하지 않는 경우, 즉, 기판으로부터 식각 가스가 완전히 제거된 경우에는 기판을 외부로 이송시킨다(S600). 1 to 4, in a method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention, first, an substrate is etched using an etching gas (S100). Thereafter, the etched substrate is transferred to the cleaning chamber 700 (S200), and the etching gas existing in the substrate transferred to the cleaning chamber 700 is removed using the cleaning gas (S300). Thereafter, the gas analyzer 730 measures whether the etching gas is completely removed from the cleaned substrate, that is, whether the etching gas remains (S400). When the etching gas remains, the etching gas existing on the substrate is removed once more using the cleaning gas. In addition, when the etching gas does not remain, that is, when the etching gas is completely removed from the substrate is transferred to the outside (S600).

구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판은 공정 챔버(600)의 내부에서 Cl2를 포함하는 식각 가스에 의해 선택적으로 식각된다. 그 후, 식각 공정을 통하여 식각된 기판은 트랜스퍼 챔버(500)의 이송 로봇(510)에 의하여 세정 챔버(700)로 이송된다. 이송된 기판은 세정 가스에 의해 세정된다. 예를 들어, 기판에 잔류하는 식각 가스는 O2 플라즈마를 포함하는 세정 가스에 의해 제거된다. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the substrate is selectively etched by the etching gas containing Cl 2 in the process chamber 600. Thereafter, the substrate etched through the etching process is transferred to the cleaning chamber 700 by the transfer robot 510 of the transfer chamber 500. The transferred substrate is cleaned by the cleaning gas. For example, the etching gas remaining on the substrate is removed by the cleaning gas including the O 2 plasma.

그 후, 세정 챔버(700)에 내부 또는 외부에 배치된 가스 분석부(730)가 기판에 식각 가스가 잔류하는지 여부를 측정한다. 즉, 가스 분석부(730)가 식각 가스가 기판으로부터 완전히 제거되었는지 여부를 측정한다. 전술한 바와 같이, 가스 분석부(730)은 식각 가스의 질량을 분석하여 측정하는 질량 분석기를 포함한다.Thereafter, the gas analyzer 730 disposed inside or outside the cleaning chamber 700 measures whether the etching gas remains on the substrate. That is, the gas analyzer 730 measures whether the etching gas is completely removed from the substrate. As described above, the gas analyzer 730 includes a mass analyzer for analyzing and measuring the mass of the etching gas.

측정 결과, 기판에 식각 가스가 잔류하고 있는 경우, 제어부(740)가 세정 가스 분사부(720)을 제어하여 기판을 재세정하도록 제어한다. 이는 기판으로부터 식각 가스를 완전히 제거하기 위한 것으로, 상기 단계는 반복적으로 진행된다. 측정 결과, 기판에 식각 가스가 잔류하고 있지 않는 경우, 기판은 외부로 이송된다. 즉, 세정된 기판은 트랜스퍼 챔버(500)에 배치된 이송 로봇(510)에 의해 공정 챔버(600), 로드락 챔버(400) 등으로 이송된다. As a result of the measurement, when the etching gas remains on the substrate, the controller 740 controls the cleaning gas injection unit 720 to control the substrate to be cleaned again. This is to completely remove the etching gas from the substrate, the step is repeated repeatedly. As a result of the measurement, when no etching gas remains on the substrate, the substrate is transferred to the outside. That is, the cleaned substrate is transferred to the process chamber 600, the load lock chamber 400, etc. by the transfer robot 510 disposed in the transfer chamber 500.

이와 같이, 세정 챔버(700) 및 로드락 챔버(900)에 배치된 제1 가스 분석부(735) 및 제2 가스 분석부(910)가 식각된 기판에 식각 가스의 잔류 여부를 측정한다. 따라서, 세정 챔버(700)에서 진행되는 세정 공정에서 식각 가스를 완전히 제거함으로써, 기판의 불량을 방지하고 전체적인 수율을 향상시킬 수 있다. As such, the first gas analyzer 735 and the second gas analyzer 910 disposed in the cleaning chamber 700 and the load lock chamber 900 measure whether the etching gas is left on the etched substrate. Therefore, by completely removing the etching gas in the cleaning process performed in the cleaning chamber 700, it is possible to prevent the defect of the substrate and to improve the overall yield.

이와 같은 세정 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 세정 챔버는 식각된 기판을 세정 가스를 이용하여 세정하고, 세정된 기판에 식각 가스가 완전히 제거되었는지 여부를 측정한다. 따라서, 잔류하는 식각 가스가 측정되는 경우, 기판을 재세정함으로써 기판의 불량을 방지하고 전체적인 수율을 향상시킬 수있다. According to such a cleaning chamber, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method, the cleaning chamber cleans the etched substrate using a cleaning gas and measures whether the etching gas is completely removed from the cleaned substrate. Therefore, when the residual etching gas is measured, it is possible to prevent the failure of the substrate and improve the overall yield by re-cleaning the substrate.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.

Claims (10)

식각된 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부;A substrate support for receiving and supporting the etched substrate; 상기 식각된 기판에 존재하는 식각 가스를 제거하기 위해 세정 가스를 분사하는 세정 가스 분사부; A cleaning gas injector for injecting a cleaning gas to remove the etching gas existing in the etched substrate; 상기 세정된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정하는 가스 분석부; 및A gas analyzer to measure an etching gas remaining on the cleaned substrate; And 상기 측정된 결과에 따라 상기 기판을 상기 세정 가스 분사부를 재세정하도록 제어하는 제어부를 포함하는 세정 챔버.And a controller configured to control the substrate to be cleaned again according to the measured result. 제1 항에 있어서, 상기 세정 가스는 O2 플라즈마인 것을 특징으로 하는 세정 챔버. The cleaning chamber of claim 1, wherein said cleaning gas is O2 plasma. 제1 항에 있어서, 상기 가스 분석부는 상기 잔류하는 식각 가스의 질량을 분석하는 질량 분석기(residual gas analyzer : RGA)를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 챔버.The cleaning chamber of claim 1, wherein the gas analyzer comprises a mass gas analyzer (RGA) for analyzing the mass of the remaining etching gas. 식각 가스를 이용하여 기판을 식각하는 식각 공정이 진행되는 공정 챔버;A process chamber in which an etching process of etching a substrate using an etching gas is performed; 상기 식각된 기판을 전달받아 지지하는 기판 지지부, 상기 식각된 기판에 존재하는 상기 식각 가스를 제거하기 위해 세정 가스를 분사하는 세정 가스 분사부, 상기 세정된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정하는 제1 가스 분석부, 및 상기 측 정된 결과에 따라 상기 기판을 재세정하도록 상기 세정 가스 분사부를 제어하는 제2 제어부를 갖는 세정 챔버; 및A substrate support for receiving and supporting the etched substrate, a cleaning gas injector for injecting a cleaning gas to remove the etching gas present in the etched substrate, and a first measurement of the etching gas remaining in the cleaned substrate A cleaning chamber having a gas analyzer and a second controller configured to control the cleaning gas injection unit to reclean the substrate according to the measured result; And 상기 공정 챔버와 세정 챔버를 연결하고, 상기 공정 챔버와 세정 챔버 사이에서 상기 기판을 전달하는 트랜스퍼 챔버를 포함하는 기판 처리 장치. And a transfer chamber connecting the process chamber and the cleaning chamber and transferring the substrate between the process chamber and the cleaning chamber. 제4 항에 있어서, 상기 식각 가스는 Cl2 인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 4, wherein the etching gas is Cl 2. 제4 항에 있어서, 상기 제1 가스 분석부는 상기 잔류하는 식각 가스의 질량을 분석하는 질량 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 4, wherein the first gas analyzer comprises a mass analyzer that analyzes a mass of the remaining etching gas. 제4 항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 The apparatus of claim 4, wherein the substrate treating apparatus 상기 트랜스퍼 챔버에 인접하게 배치되며, 상기 기판을 전달받는 로드락 챔버;A load lock chamber disposed adjacent to the transfer chamber and receiving the substrate; 상기 로드락 챔버에 인접하게 배치되며, 상기 기판을 전달하는 기판 전달 모듈; 및A substrate transfer module disposed adjacent to the load lock chamber and transferring the substrate; And 상기 기판 전달 모듈에 인접하게 배치되며, 상기 기판이 수용된 용기를 갖는 로드 포트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a load port disposed adjacent to the substrate transfer module, the load port having a container in which the substrate is accommodated. 제7 항에 있어서, 상기 로드락 챔버는 The method of claim 7, wherein the load lock chamber is 상기 전달된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정하는 제2 가스 분석부; 및A second gas analyzer configured to measure an etching gas remaining on the transferred substrate; And 상기 측정된 결과에 따라 상기 세정 챔버로 상기 기판을 이송시켜 재세정하도록 제어하는 제2 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a second controller configured to control the transfer of the substrate to the cleaning chamber and to be cleaned again according to the measured result. 식각 가스를 이용하여 기판을 식각하는 단계;Etching the substrate using the etching gas; 상기 식각된 기판을 세정 챔버로 이송하는 단계;Transferring the etched substrate to a cleaning chamber; 세정 가스를 이용하여 상기 기판에 존재하는 상기 식각 가스를 제거하는 단계; Removing the etching gas present in the substrate using a cleaning gas; 상기 세정된 기판에 잔류하는 식각 가스를 측정하는 단계; 및Measuring an etching gas remaining on the cleaned substrate; And 상기 측정한 결과, 상기 기판에 상기 식각 가스가 존재하는 경우, 상기 세정 가스를 이용하여 상기 기판을 재세정하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.And when the etching gas is present on the substrate as a result of the measurement, re-cleaning the substrate using the cleaning gas. 제9 항에 있어서, 상기 측정한 결과, 상기 기판에 상기 식각 가스가 존재하지 않는 경우, 상기 기판을 외부로 이송시키는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 9, further comprising transferring the substrate to the outside when the etching gas is not present on the substrate as a result of the measurement.
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