KR20080057791A - 핀구조 유기전계 발광소자 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광효율을 증가할 수 있는 핀구조 유기전계 발광소자 및 이를 포함하는 유기전계 발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 핀구조 유기전계 발광소자는 광을 제공하는 다수 개의 발광층; 상기 발광층으로부터 형성된 광을 투과하는 제 1 전극; 상기 발광층으로부터 형성된 광을 제 1 전극으로 반사하는 제 2 전극; 상기 발광층과 제 1 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 p형 도핑된 정공 수송층; 상기 발광층과 제 2 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 n형 도핑된 정공 수송층; 상기 다수 개의 발광층 사이에 형성되어 각각의 발광층에 주입되는 전자나 정공의 흐름을 유지하여 구동전압에 상승에 의해 색좌표가 변화되는 것을 방지하는 색변환 차단층을 포함한다.
핀구조 유기전계 발광소자, 색변환 차단층

Description

핀구조 유기전계 발광소자 및 이를 포함하는 유기전계 발광표시장치{PIN-DOPING ELECTRO LUMINESCENCE AND ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 핀 구조 유기전계 발광소자를 포함하는 유기전계 발광표시장치를 나타내기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 핀 구조 유기전계 발광소자를 개략적으로 나타내기 위한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
10 : 기판 12 : 게이트 절연막
14 : 보호막 16 : 평탄화층
18 : 격벽 20 : 게이트 라인
30 : 데이터 라인 42 : 제 1 컨택홀
44 : 제 2 컨택홀 46 : 제 3 컨택홀
52,53 : 소스전극 58,70 : 드레인 전극
54,55 : 반도체 패턴 60 : 제 1 전극
62,64 : 게이트 전극 82 : 유기막
86 : 제 2 전극 ` 88 : 컬러필터
100 : 핀구조 유기전계 발광소자 142 : 발광층
144 : 색변환 차단층
152 : 정공 차단층 154 : 전자 차단층
156 : n형 도핑된 전자 수송층 158 : p형 도핑된 정공 수송층
본 발명은 핀구조 유기전계 발광소자 및 이를 포함하는 유기전계 발광표시장치에 관한 것으로 특히, 발광효율을 증가할 수 있는 핀구조 유기전계 발광소자 및 이를 포함하는 유기전계 발광표시장치에 관한 것이다.
종래의 유기전계 발과소자는 발광층 형성재료가 유기물로 이루어져 있고, 발광층 형성재료로서 무기물을 이용하는 무기전계 발광소자에 비하여 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점이 있다.
유기전계 발광소자는 기판 상에 형성된 제 1 전극과, 홀 수송층, 발광층, 전자수송층, 제 2 전극이 순자척으로 적층되어 형성된다.
핀구조 유기전계 발광소자는 기판 상에 형성된 제 1 전극과, p형 도핑된 정공수송층, 전자차단층, 다수 개의 발광층, 색변환 차단층, 정공 차단층, n형 도핑 된 전자수송층, 제 2 전극이 순차적으로 적층되어 형성된다.
이러한 핀구조 유기전계 발광소자는 p형 도핑된 정공수송층 및 n형 도핑된 전자수송층으로부터 많은 양의 전류가 아무런 장벽없이 발광층으로 유입된다. 이때, 전류는 낮은 에너지 레벨로 모이게 되며, 각각의 발광은 본래의 색을 발휘하지 못하게 된다. 이에 의해, 각각의 발광층은 광효율이 떨어지게 되고, 색좌표가 변화는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광효율을 증가할 수 있는 핀구조 유기전계 발광소자 및 이를 포함하는 유기전계 발광표시장치를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 핀구조 유기전계 발광소자는 광을 제공하는 다수 개의 발광층; 상기 발광층으로부터 형성된 광을 투과하는 제 1 전극; 상기 발광층으로부터 형성된 광을 제 1 전극으로 반사하는 제 2 전극; 상기 발광층과 제 1 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 p형 도핑된 정공 수송층; 상기 발광층과 제 2 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 n형 도핑된 정공 수송층; 상기 다수 개의 발광층 사이에 형성되어 각각의 발광층에 주입되는 전자나 정공의 흐름을 유지하여 구동전압에 상승에 의해 색좌표가 변화되는 것을 방지하는 색변환 차단층을 포함한다.
상기 p형 도핑된 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 형성되어 전자가 유입되는 것을 차단하는 전자 차단층; 상기 n형 도핑된 전자 수송층과 상기 발광층 사이에 형성되어 정공이 유입되는 것을 차단하는 정공 차단층을 더 포함한다.
또한, 상기 발광층은 제 1 층내지 제 3 층을 포함한다.
상기 제 1 층은 청색 발광층, 제 2 층은 녹색 발광층, 제 3 층은 적색 발광체이다.
상기 제 1 층은 녹색 발광층, 제 2 층은 청색 발광층, 제 3 층은 적색 발광체이다.
상기 제 1 층은 적색 발광층, 제 2 층은 녹색 발광층, 제 3 층은 적색 발광체이다.
상기 제 1 층은 적색 발광층, 제 2 층은 청색 발광층, 제 3 층은 녹색 발광체이다.
상기 색변환 차단층은 음전하 및 양전하를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 색변환 차단층은 상기 전자 차단층 및 상기 정공 차단층을 공증착하여 형성된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 핀구조 유기전계 발광장치는 스위치 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터; 및 상기 스위치 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와 접속되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 배치되며 광을 제공하는 다수 개의 발광층, 상기 발광층으로부터 형성된 광을 제 1 전 극 전극로 반사하는 제 2 전극, 상기 발광층과 제 1 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 p형 도핑된 정공 수송층, 상기 발광층과 제 2 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 n형 도핑된 정공 수송층, 상기 다수 개의 발광층 사이에 형성되어 각각의 발광층에 주입되는 전자나 정공의 흐름을 유지하여 구동전압에 상승에 의해 색좌표가 변화되는 것을 방지하는 색변환 차단층를 포함하는 핀구조 유기전계 발광소자를 포함한다
상기 기술적 과제 외에 본 발명의 다른 기술적 과제 및 이점들은 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통해 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 1 내지 도 2를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 핀구조 유기전계 발광소자를 포함하는 유기전계 발광표시장치를 나타내기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는 기판(10) 상에 형성된 게이트 라인(20)과, 게이트 라인(20)과 교차하는 데이터 라인(30)과, 게이트 라인(20)과 교차하고 데이터 라인(30)과 나란하게 형성되어 서브 화소 영역을 마련하는 전원 라인(90)과, 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(30)과 접속된 스위치 박막트랜지스터(T1)와, 스위치 박막트랜지스터(T1) 및 전원 라인(90)과 유기전계 발광 셀의 제 2 전극(87) 사이에 접속된 구동 박막 트랜지스터(T2)와, 전원 라인(90)과 스위치 박막트랜지스터(T1)의 제 1 드레인 전극(58) 사이에 접속된 스토리지 캐패시 터(C)와, 유기전계 발광 셀과 중첩되는 컬러필터(88)를 포함한다.
게이트 라인(20)은 스위치 박막 트랜지스터(T1)에 스캔 신호를 공급하며, 데이터 라인(30)은 스위치 박막 트랜지스터(T1)에 데이터 신호를 공급하며, 전원 라인(90)은 구동 박막 트랜지스터(T2)에 전원 신호를 공급한다.
스위치 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(20)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(30)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터 및 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제 2 게이트 전극(64)으로 공급한다. 이를 위해, 스위치 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(20)과 접속된 제 1 게이트 전극(62), 데이터 라인(30)과 접속된 제 1 소스전극(52), 제 1 소스전극(52)과 마주하며 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제 2 게이트 전극(64) 및 스토리지 캐패시터와 접속된 제 1 드레인 전극(58), 제 1 소스전극(52) 및 제 1 드레인 전극(58) 사이에 채널부를 형성하는 제 1 반도체 패턴(54)을 구비한다. 여기서, 제 1 반도체 패턴(54)은 게이트 절연막(12)을 사이에 두고 제 1 게이트 전극(62)과 중첩되는 제 1 활성층(54a), 제 1 소스전극(52) 및 제 1 드레인 전극(58)과의 오믹 접촉을 위하여 채널부를 제외한 제 1 활성층(54a) 위에 형성된 제 1 오믹 접촉층(54b)을 구비한다.
구동 박막 트랜지스터(T2)는 제 2 게이트 전극(64)으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(90)으로부터 유기전계 발광 셀로 공급되는 전류를 제어함으로써 유기전계 발광 셀의 발광량을 조절하게 된다. 이를 위해, 구동 박막 트랜지스터(T2)는 스위치 박막트랜지스터(T1)의 제 1 드레인 전극(58)과 연결 전극(60)을 통해 접속된 제 2 게이트 전극(64), 전원 라인(90)과 접속된 제 2 소스전 극(53), 제 2 소스전극(53)과 마주하며 유기전계 발광 셀의 제 1 전극(86)과 접속된 제 2 드레인 전극(70), 제 2 소스 및 제 2 드레인 전극(53,70) 사이에 채널부를 형성하는 제 2 반도체 패턴(55)을 구비한다. 여기서, 연결 전극(60)은 평탄화층(16) 위에 제 1 전극(86)과 동일 재질로 형성된다. 연결 전극(60)은 제 1 컨택홀(42)을 통해 노출된 스위치 박막트랜지스터(T1)의 제 1 드레인 전극(58)과, 제 2 컨택홀(44)을 통해 노출된 구동 박막트랜지스터(T2)의 제 2 게이트 전극(64)을 연결시킨다. 제 1 컨택홀(42)은 보호막(14) 및 평탄화층(16)을 관통하여 제 1 드레인 전극(58)을 노출시키며, 제 2 컨택홀(44)은 게이트 절연막(12), 보호막(14) 및 평탄화층(16)을 관통하여 제 2 게이트 전극(64)을 노출시킨다. 제 2 반도체 패턴(55)은 게이트 절연막(12)을 사이에 두고 제 2 게이트 전극(64)과 중첩되는 제 2 활성층(55a), 제 2 소스전극(53) 및 제 2 드레인 전극(70)과의 오믹 접촉을 위하여 채널부를 제외한 제 2 활성층(55a) 위에 형성된 제 2 오믹 접촉층(55b)을 포함한다.
스토리지 캐패시터(C)는 전원 라인(90)과 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제 2 게이트 전극(64)이 게이트 절연막(12)을 사이에 두고 중첩됨으로써 형성된다. 이러한 스토리지 캐패시터(C)에 충전된 전압에 의해 스위치 박막 트랜지스터(T1)가 턴-오프되더라도 구동 박막 트랜지스터(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류를 공급하여 유기전계 발광 셀이 발광을 유지하게 한다.
컬러필터(88)는 보호막(14) 위에 백색광을 생성하는 유기막(82)과 중첩되게 형성된다. 이에 따라, 컬러필터(88)는 유기막(82)으로부터 생성된 백색광을 이용 하여 적색, 녹색 및 청색을 구현한다. 컬러필터(88)에서 생성된 적색, 녹색 및 청색광은 기판(10)을 통해 외부로 방출된다.
핀구조 유기전계 발광소자는 평탄화층(16) 위에 형성된 투명 도전 물질의 제 1 전극(86)과, 제 1 전극(86)과 격벽(18) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기막(82)과, 유기막(82) 위에 형성된 제 2 전극(87)으로 구성된다. 여기서, 핀구조 유기 전계 발광소자는 도 2를 결부하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 핀구조 유기전계 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 핀구조 유기전계 발광소자는 제 1 전극(86), 유기막(82), 제 2 전극(87))을 포함한다.
제 1 및 제 2 전극(86,87)은 각각 애노드와 캐소드로 기능하는 부분으로서, 제 1 전극(86)은 제 2 전극(87)에 비해 일함수(work function)가 큰 물질로 형성된다.
제 1 전극(86)은 발광층에서 형성된 광을 투과하는 투명전극이다. 제 1 전극(86)은 평탄화층(16) 위에서 컬러필터(88)와 중첩되도록 각 서브 화소 영역에 독립적으로 형성된다. 그리고, 제 1 전극(86)은 보호막(14) 및 평탄화층(16)을 각각 관통하는 제 3 컨택홀(46)을 통해 노출된 구동 박막트랜지스터의 제 2 드레인 전극(70)과 접속된다. 제 1 전극(86)으로는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(polythiophene) 등의 물질이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 ITO를 사용한다.
제 2 전극(87)은 발광층(142)에서 형성된 광을 반사하여 제 1 전극(86)으로 가이드하는 불투명한 전극이다. 제 2 전극(87)은 서브 화소 단위로 형성된 유기막(82)을 사이에 두고 제 1 전극(86)과 마주하게 된다. 제 2 전극(87)으로는 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 또는 그들의 합금, 칼슘(ca)/알루미늄(Al) 합금, 마그네슘(Mg) 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 알루미늄 또는 알루미늄/칼슘 합금이다.
유기막(82)은 p형 도핑된 정공수송층(158), 전자 차단층(154), 다수 개의 발광층(142), 색변환 차단층(144), 정공 차단층(152), n형 도핑된 전자수송층(156)을 포함한다.
p형 도핑된 정공 수송층(158)은 제 1 전극(86)과 발광층(142) 사이에 배치된다. p형 도핑된 정공 수송층(158)은 억셉트형 유기재료로 p-도핑되어 다수 개의 정공을 생성한다. 이러한, p형 도핑된 정공 수송층(158)은 테트라플루오로-테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ) 또는 산화제 즉, FeC13을 사용하여 p-도핑을 하는 것이 바람직하다.
n형 도핑된 전자 수송층(156)은 제 2 전극(87)과 발광층(142) 사이에 배치된다. n형 도핑된 전자 수송층(156)은 도너형 유기재료로 n-도핑되어 다수 개의 정공을 생성한다. 또는, n형 도핑된 전자 수송층(156)은 리튬(Li), 세슘(Cs)등을 포함하는 알칼리성 금속 또는 마그네슘(Mg)을 포함하는 알칼리성 토류금속을 사용하여 n-도핑을 하는 것이 바람직하다.
이에 따라, 제 1 전극(86)과 제 2 전극(87) 각각과 연결된 p형 도핑된 정공 수송층(158) 및 n형 도핑된 정공 수송층(156)은 p-n 도핑되어 전도성이 향상하게 된다. p형 도핑된 정공 수송층(158) 및 n형 도핑된 정공 수송층(156)은 전자와 정공의 장벽을 없앰으로써 저전압에서 높은 전력 효율을 가지도록 한다.
전자 차단층(154)은 p형 도핑된 정공수송층(158)과 발광층(142) 사이에 형성되며, 전자가 p형 도핑된 정공수총층(158)으로 이동하는 것을 방지한다.
정공 차단층(158)은 n-도핑된 전자수송층(156)과 발광층(142) 사이에 형성되며, 정공이 n형 도핑된 전자수송층(156)으로 이동하는 것을 방지한다.
발광층(142)은 제 1 내지 제 3층(142a,142b,142c)으로 이루어진다. 제 1 내지 제 3층(142a,142b,142c) 각각은 적색, 녹색, 청색 광을 제공하는 발광층이 제공된다. 이때, 제 1 내지 제 3층(142a,142b,142c) 각각에서 출사되는 세가지 광이 합쳐져서 백색의 빛을 낸다. 일 예로, 발광층(142)은 제 1층(142a)이 청색 발광층, 제 2 층(142b)은 녹색 발광층, 제 3 층(142c)은 적색 발광체이거나, 제 1(142a)은 녹색 발광층, 제 2 층(142b)은 청색 발광층, 제 3 층(142c)은 적색 발광체이다. 또는, 제 1층(142a)이 적색 발광층, 제 2 층(142b)은 녹색 발광층, 제 3 층(142c)은 적색 발광체이거나, 제 1 층(142a)이 적색 발광층, 제 2 층(142b)은 청색 발광층, 제 3 층(142c)은 녹색 발광체이다.
색변환 차단층(144)은 제 1 내지 제 3 층(142a,142b,142c)의 사이에 형성된다. 즉, 색변환 차단층(144)은 제 1 층(142a)과 제 2 층(142b) 사이와, 제 2층(142b)과 제 3층(142c) 사이에 형성되어 구동전압에 의해 색좌표가 변환되는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로, 제 1 내지 제 3 층(142a,142b,142c)을 적층하게 되면 p형 도핑된 정공수송층(158) 및 n형 도핑된 전자 수송층(156) 각각에서 제공한 정공과 전자이 만나 형성된 엑시턴(acotion)이 제 1층 내지 제 3층(142a,142b,142c)을 경유하게 된다. 여기서 엑시턴은 구동 전압이 상승함에 따라서 낮은 에너지쪽으로 몰리기 때문에 제 1층(142a)이 제 2층(142b) 및 제 3층(142c)에 비해 더 많은 빛을 내어 광효율을 떨어질 수 있다. 이를 방지하기 위해 색변환 차단층(144)을 적용하여 색좌표가 변화되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 색변환 차단층(144)은 전자 수송능력과 정공수송 능력이 뛰어난 재질을 이용하여 즉, 정공차단층(152) 및 전자차단층(154)을 공증착하여 형성한다. 이는 루머(LUMO) 에너지와 호모(HOMO) 에너지를 조절하여 전자와 정공의 흐름 속도를 낮추어 색좌표가 변환되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 발광층(142) 사이에 색변환 차단층(144)을 도입하여 엑시톤이 낮은 에너지쪽으로 움직이는 것을 방지시킴으로써 발광층(142)의 발광비를 조절하여 칼라튜닝(color tuning)이 용이하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 핀 구조 유기전계 발광소자 및 이를 포함하는 유기전계 발광표시장치는 다수 개의 발광층 사이에 색변환 차단층을 적용하여 엑시톤이 낮은 에너지쪽으로 이동하는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 핀 구조 유기전계 발광소자 및 이를 포함하는 유기전계 발광표시장치는 색좌표가 변화되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 광효 율을 증가시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.

Claims (12)

  1. 광을 제공하는 다수 개의 발광층;
    상기 발광층으로부터 형성된 광을 투과하는 제 1 전극;
    상기 발광층으로부터 형성된 광을 제 1 전극으로 반사하는 제 2 전극;
    상기 발광층과 제 1 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 p형 도핑된 정공 수송층;
    상기 발광층과 제 2 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 n형 도핑된 정공 수송층;
    상기 다수 개의 발광층 사이에 형성되어 각각의 발광층에 주입되는 전자나 정공의 흐름을 유지하여 구동전압에 상승에 의해 색좌표가 변화되는 것을 방지하는 색변환 차단층를 포함하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 p형 도핑된 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 형성되어 전자가 유입되는 것을 차단하는 전자 차단층;
    상기 n형 도핑된 전자 수송층과 상기 발광층 사이에 형성되어 정공이 유입되는 것을 차단하는 정공 차단층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광층은 제 1 층내지 제 3 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 청색 발광층, 제 2 층은 녹색 발광층, 제 3 층은 적색 발광체인 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 녹색 발광층, 제 2 층은 청색 발광층, 제 3 층은 적색 발광체인 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 적색 발광층, 제 2 층은 녹색 발광층, 제 3 층은 적색 발광체인 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 적색 발광층, 제 2 층은 청색 발광층, 제 3 층은 녹색 발광체인 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 색변환 차단층은 음전하 및 양전하를 가지는 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 색변환 차단층은
    상기 전자 차단층 및 상기 정공 차단층을 공증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
  10. 스위치 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터; 및
    상기 스위치 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와 접속되는 제 1 전극,
    상기 제 1 전극 상에 배치되며 광을 제공하는 다수 개의 발광층,
    상기 발광층으로부터 형성된 광을 제 1 전극 전극로 반사하는 제 2 전극,
    상기 발광층과 제 1 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 p형 도핑된 정공 수송층,
    상기 발광층과 제 2 전극 사이에 배치되며, 정공을 제공하는 n형 도핑된 정공 수송층,
    상기 다수 개의 발광층 사이에 형성되어 각각의 발광층에 주입되는 전자나 정공의 흐름을 유지하여 구동전압에 상승에 의해 색좌표가 변화되는 것을 방지하는 색변환 차단층를 포함하는 핀구조 유기전계 발광소자를 포함하는 유기전계 발광표 시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 색변환 차단층은 음전하 및 양전하를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 색변환 차단층은
    상기 전자 차단층 및 상기 정공 차단층을 공증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 핀구조 유기전계 발광소자.
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CN109103341A (zh) * 2018-08-23 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件、照明面板及车用灯具组

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130007422A (ko) * 2011-06-28 2013-01-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
CN109103341A (zh) * 2018-08-23 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件、照明面板及车用灯具组
CN109103341B (zh) * 2018-08-23 2020-08-28 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件、照明面板及车用灯具组
US11011719B2 (en) 2018-08-23 2021-05-18 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Electroluminescence device, lighting panel, and vehicle lamp group

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