KR20080055587A - Light emitting diode - Google Patents

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KR20080055587A
KR20080055587A KR20070053768A KR20070053768A KR20080055587A KR 20080055587 A KR20080055587 A KR 20080055587A KR 20070053768 A KR20070053768 A KR 20070053768A KR 20070053768 A KR20070053768 A KR 20070053768A KR 20080055587 A KR20080055587 A KR 20080055587A
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light emitting
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lead frame
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wire
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Application number
KR20070053768A
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Inventor
요시오 이노코시
고스케 가시타니
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가부시키가이샤 펄 덴큐 세이사쿠쇼
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Abstract

A light emitting diode is provided to avoid the generation of cracks in sealing resin even if thermal impact is applied, by making the front angular part of a leadframe have a curved part of an arc shape from a planar point of view. First and second leadframes(12,14) are prepared whose end portions confront each other. A light emitting device(16) is fixed to a mount stage(30) formed at the front end of the first leadframe. A bonding stage(40) formed at the front end of the second leadframe is connected to the light emitting device by a wire(18). The light emitting device, the mount stage, the bonding stage and the wire are sealed by sealing resin(22). The mount stage and the bonding stage are made of flat plate shapes wherein the front angular part of at least one state is made of a curved part(32,42) of an arc shape from a planar point of view. A reflection surface(24a) for reflecting the light emitted from the light emitting device can be formed in a reflection frame body.

Description

발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE}Light Emitting Diodes {LIGHT EMITTING DIODE}

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드의 일부 절개 사시도,1 is a partially cutaway perspective view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드의 평면도,2 is a plan view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 A-A선 단면도,3 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 4는 변경예에 따른 발광 다이오드의 단면도,4 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a modification;

도 5는 그외의 변경예에 따른 발광 다이오드의 평면도 및5 is a plan view of a light emitting diode according to another modification and

도 6은 종래의 발광 다이오드의 사시도이다.6 is a perspective view of a conventional light emitting diode.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 발광 다이오드 12 : 제 1 리드 프레임10 light emitting diode 12 first lead frame

14 : 제 2 리드 프레임 16 : 발광 소자14 second lead frame 16 light emitting element

18 : 와이어 20 : 오목부 프레임체18: wire 20: recessed frame

22 : 밀봉 수지 24a : 반사면22: sealing resin 24a: reflecting surface

26, 27 : 절개부 30 : 마운트 스테이지26, 27: incision 30: mount stage

32, 42 : 만곡부 38, 48 : 곡면32, 42: curved portion 38, 48: curved surface

40 : 본딩 스테이지40: bonding stage

본 발명은 발광 소자와 리드 프레임을 와이어로 접속시킨 발광 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode in which a light emitting element and a lead frame are connected by wires.

종래, 발광소자로부터의 광을 효율적으로 전방으로 방사시키기 위한 구조로서 발광소자를 금속 반사면에 대향 배치한 반사형 발광 다이오드가 알려져 있다(예를 들면, 일본 공개특허공보 제2004-6438호 참조).2. Description of the Related Art Conventionally, a reflective light emitting diode in which a light emitting element is disposed opposite a metal reflecting surface is known as a structure for efficiently radiating light from the light emitting element forward (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2004-6438). .

반사형 발광 다이오드(100)는 도 6에 도시한 바와 같이 단부들이 대향 배치된 제 1 리드 프레임(102) 및 제 2 리드 프레임(104), 제 1 리드 프레임(102)의 선단부(102a)에서 은 페이스트 등에 의해 고정된 LED 칩(106), LED 칩(106) 및 제 2 리드 프레임(104)의 선단부(104a)를 전기 접속하는 와이어(108), 제 1 리드 프레임의 선단부(102a) 및 제 2 리드 프레임의 선단부(104a)를 수납하는 오목 형상 프레임체(110), 및 이들 부재를 밀봉하는 밀봉 수지(112)를 구비하며, 오목 형상 프레임체(110)의 내측에 형성된 반사면(114)에 의해 LED 칩(106)으로부터 출사되는 광을 전방으로 반사하도록 되어 있다.As shown in FIG. 6, the reflective light emitting diode 100 may be formed of the first lead frame 102 and the second lead frame 104 and the tip portion 102a of the first lead frame 102 having opposite ends. Wire 108 for electrically connecting the LED chip 106 fixed by the paste, the LED chip 106 and the tip portion 104a of the second lead frame 104, the tip portion 102a of the first lead frame, and the second A concave frame body 110 accommodating the tip portion 104a of the lead frame, and a sealing resin 112 for sealing these members, the reflecting surface 114 formed inside the concave frame body 110. As a result, the light emitted from the LED chip 106 is reflected forward.

그러나, 이와 같은 발광 다이오드(100)에서는 LED 칩(106)과 제 2 리드 프레임(104)을 와이어(108)에 의해 와이어본딩에 의해 전기 접속되어 있으므로, LED 칩(106)을 피복하는 밀봉 수지(112)의 응력 등에 의해 와이어(108)의 단선이 발생하는 문제가 있다. 특히, 발광 다이오드를 회로 기판에 실장하는 공정에서는 승온과 냉각을 반복하므로 리드 프레임(102, 104)과 밀봉 수지(112)와의 팽창률의 상위에 기인하여 밀봉 수지(112)에 작용하는 응력이 증대하여 밀봉 수지(112)에 균열이 발생하기 쉽고, 와이어(108)가 매우 단선되기 쉬운 문제가 있다.However, in such a light emitting diode 100, since the LED chip 106 and the second lead frame 104 are electrically connected by wire bonding by wire bonding, a sealing resin for covering the LED chip 106 ( There is a problem that the disconnection of the wire 108 occurs due to the stress of 112. In particular, in the process of mounting the light emitting diode on the circuit board, the temperature and cooling are repeated, so that the stress acting on the sealing resin 112 increases due to the difference in the expansion ratio between the lead frames 102 and 104 and the sealing resin 112. There is a problem that cracking easily occurs in the sealing resin 112 and the wire 108 is very easily disconnected.

이에 대해, 일본 공개특허공보 제2000-12911호에는 와이어(108)와 대향하는 제 2 리드 프레임(104)의 상단부를 둔각 또는 곡선 형상으로 하여 밀봉 수지로의 응력 집중을 완화시켜 와이어(108)의 단선이 발생되기 어려운 발광 다이오드가 제안되어 있지만, 이와 같은 발광 다이오드라도 최근 발광 다이오드의 실장 공정의 고온화나 다단계화에 따라 보다 과혹한 열충격 조건하에서 충분히 와이어(108)의 단선을 방지할 수 없는 경우가 있다. In contrast, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2000-12911 discloses an upper end portion of the second lead frame 104 facing the wire 108 in an obtuse angle or a curved shape to relieve stress concentration in the sealing resin to Although light-emitting diodes are unlikely to be disconnected, such light-emitting diodes are not able to sufficiently prevent the disconnection of the wire 108 under more severe thermal shock conditions due to the high temperature or multi-stage of the LED mounting process. have.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 열충격에 의해 와이어의 단선이 발생하기 어렵고 매우 신뢰성이 높은 발광 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, and an object of this invention is to provide the light emitting diode which is hard to generate | break the wire by thermal shock and is very reliable.

본 발명자는 와이어본딩에 의해 발광소자와 리드 프레임이 전기 접속된 발광 다이오드에 있어서, 리드 프레임의 선단 각부 근방의 수지에 열충격 시에 발생하는 응력이 집중하고, 리드 프레임의 선단 각부 위치로부터 밀봉 수지에 균열이 발생하여 와이어를 절단하는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In the light emitting diode with which the light emitting element and the lead frame were electrically connected by wire bonding, the stress which generate | occur | produces at the time of a thermal shock concentrates on resin near the front-end | tip part of a leadframe, Cracks have been found to cut the wires to complete the present invention.

즉, 본 발명에 따른 발광 다이오드는 단부들이 대향 배치된 제 1 리드 프레임 및 제 2 리드 프레임과, 상기 제 1 리드 프레임의 선단부에 형성된 마운트 스테이지에 고정된 발광소자와, 상기 제 2 리드 프레임의 선단부에 형성된 본딩 스테이지와 상기 발광 소자를 접속하는 와이어와, 상기 발광소자, 상기 마운트 스테이지, 상기 본딩 스테이지, 및 상기 와이어를 밀봉하는 밀봉 수지를 구비한 발광 다이오드에 있어서, 상기 마운트 스테이지 및 상기 본딩 스테이지는 평판 형상으로서 적어도 어느 한쪽의 스테이지의 선단 각부가 평면으로 보아 호 형상으로 만곡된 만곡부를 이루고 있는 것을 특징으로 한다.That is, the light emitting diode according to the present invention includes a first lead frame and a second lead frame having opposite ends, a light emitting device fixed to a mount stage formed at a leading end of the first lead frame, and a leading end of the second lead frame. A light emitting diode comprising a bonding stage formed in the wire and a wire connecting the light emitting element, the light emitting element, the mount stage, the bonding stage, and a sealing resin for sealing the wire, wherein the mount stage and the bonding stage At least one end portion of at least one stage as a flat plate is formed in a curved portion that is curved in an arc in plan view.

상기 본 발명에 있어서, 상기 마운트 스테이지 및 상기 본딩 스테이지의 적어도 어느 한쪽의 스테이지가 평면으로 보아 원 형상, 타원 형상, 긴 원형상, 또는 계란 형상으로 형성되어 있어도 좋다.In the present invention, at least one stage of the mount stage and the bonding stage may be formed in a circular shape, an elliptic shape, an elongated circular shape, or an egg shape in plan view.

또한, 상기 본 발명에 있어서 상기 마운트 스테이지 및 상기 본딩 스테이지의 적어도 어느 한쪽의 스테이지는 상기 와이어와 대향하는 판면과 측단면이 완만한 곡면으로 연속되어 있어도 좋고, 상기 곡면의 곡률반경은 0.05mm 이상인 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, at least one stage of the mount stage and the bonding stage may be continuous with a smooth curved surface facing the wire and a side cross section, and the radius of curvature of the curved surface is 0.05 mm or more. desirable.

또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드는 상기 발광소자로부터 출사되는 광을 반사하는 반사면이 형성된 반사 프레임체를 구비해도 좋다.In addition, the light emitting diode of the present invention may include a reflective frame body having a reflective surface for reflecting light emitted from the light emitting element.

(발명을 실시하기 위한 가장 좋은 형태)(Best form for carrying out the invention)

이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해 도면에 기초하여 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described in detail based on drawing.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드(10)의 사시도이고, 도 2는 발광 다이오드(10)의 평면도, 도 3은 도 2의 A-A 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode 10 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the light emitting diode 10, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line A-A of FIG.

본 실시형태에 따른 발광 다이오드(10)는 도 1~도 3에 도시한 바와 같이, 발광소자(16)가 반사면(24a)에 대향 배치된 반사형 발광 다이오드로서, 제 1 리드 프레임(12) 및 제 2 리드 프레임(14), 제 1 리드 프레임(12)의 선단부에 형성된 마운 트 스테이지(30)에 은 페이스트 등에 의해 고정된 발광 소자(16), 제 2 리드 프레임(14)의 선단부에 형성된 본딩 스테이지(40)와 마운트 스테이지(30)상의 발광 소자(16)를 전기 접속하는 와이어(18), 및 내측에 오목면 형상의 반사면(24a)이 형성된 오목부 프레임체(20)를 구비하고, 적어도 발광소자(16), 와이어(18), 마운트 스테이지(30) 및 본딩 스테이지(40)가 오목부 프레임체(20) 내에 수납되고, 발광 소자(16)가 반사면(24a)과 대향된 상태에서 에폭시 수지 등 광투과성 수지로 이루어진 밀봉 수지(22)에 의해 밀봉되어 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting diode 10 according to the present embodiment is a reflective light emitting diode in which the light emitting element 16 is disposed to face the reflecting surface 24a. And a light emitting element 16 fixed to the mount stage 30 formed at the front end of the second lead frame 14 and the first lead frame 12 by silver paste or the like, and formed at the front end of the second lead frame 14. A wire 18 for electrically connecting the bonding stage 40 and the light emitting element 16 on the mount stage 30, and a recessed frame 20 having a recessed reflective surface 24a formed therein. At least the light emitting element 16, the wire 18, the mounting stage 30, and the bonding stage 40 are housed in the recessed frame 20, and the light emitting element 16 faces the reflective surface 24a. It is sealed by sealing resin 22 which consists of a light transmissive resin, such as an epoxy resin, in a state.

제 1 리드 프레임(12) 및 제 2 리드 프레임(14)은 예를 들면, 두께 0.6mm 정도의 평판을 소정 형상으로 성형한 것으로서, 선단부들이 대향 배치되고, 서로 대략 반대 방향으로 연장되어 오목부 프레임체(20)의 외측에서 오목부 프레임체(20)의 측면을 따라서 구부림 가공이 실시되어 있다.The first lead frame 12 and the second lead frame 14 are formed by, for example, forming a flat plate having a thickness of about 0.6 mm in a predetermined shape, and the front end portions thereof are disposed to face each other, and extend in substantially opposite directions to each other to form a recess frame. Bending is performed along the side surface of the recessed frame 20 on the outside of the sieve 20.

제 1 리드 프레임(12)의 선단부에 형성된 마운트 스테이지(30)는 평판 형상으로서 도 2에 도시한 바와 같이 평면으로 보아 원 형상을 이루고 있으며, 제 2 리드 프레임(14)의 선단부와 대향하는 선단 각부에는 원호 형상으로 만곡된 만곡부(32)가 형성되어 있다. 또한, 제 2 리드 프레임(14)의 선단부에 형성된 본딩 스테이지(40)도 마운트 스테이지(30)와 마찬가지로 평판 형상으로서 평면으로 보아 선단 각부가 원호 형상으로 만곡된 만곡부(42)를 구비한 원호 형상을 이루고 있다.The mount stage 30 formed at the distal end of the first lead frame 12 has a flat plate shape and has a circular shape as shown in FIG. 2, and has a distal end portion facing the distal end of the second lead frame 14. The curved portion 32 is formed in a circular arc shape. In addition, the bonding stage 40 formed at the distal end of the second lead frame 14 also has a circular arc shape having a curved portion 42 having a flat end shape curved in an arc shape in a flat plane like the mount stage 30. It is coming true.

오목부 프레임체(20)는 폴리에테르에테르케톤 수지 등의 열경화성 수지로 이루어진 상부면이 개구된 직사각형 상자 형상을 이루며, 대향하는 변의 가장자리부에 제 1 리드 프레임(12) 및 제 2 리드 프레임(14)을 끼워넣어 위치를 결정하여 고 정하는 한쌍의 절개부(26, 27)가 형성되어 있다. 또한, 오목부 프레임체(20)의 내측에는 오목면 형상을 이루고, 알루미늄이나 은 등의 금속층(24)이 증착 또는 도금에 의해 형성되고, 그 표면에 오목면 형상의 반사면(24a)이 형성되어 있다. 또한, 절개부(26, 27)의 하부면에는 수지제의 절연층(28)이 형성되어 있고, 제 1 리드 프레임(12) 및 제 2 리드 프레임(14)이 금속층(24)을 통해 단락되는 것을 방지하고 있다.The recessed frame 20 has a rectangular box shape in which an upper surface made of a thermosetting resin such as a polyether ether ketone resin is opened, and the first lead frame 12 and the second lead frame 14 are formed at edge portions of opposite sides. ), A pair of cutouts 26 and 27 are formed to determine and fix the position. Further, inside the concave portion frame 20, a concave surface is formed, and a metal layer 24 such as aluminum or silver is formed by vapor deposition or plating, and a concave reflection surface 24a is formed on the surface thereof. It is. In addition, a resin insulating layer 28 is formed on the lower surfaces of the cutouts 26 and 27, and the first lead frame 12 and the second lead frame 14 are short-circuited through the metal layer 24. It is preventing.

이와 같은 구성의 발광 다이오드(10)를 제조하는 데에는 우선, 구리 베이스의 합금으로 이루어진 판재를 제 1 리드 프레임(12) 및 제 2 리드 프레임(14)에 대응시킨 소정 형상으로 펀칭하여 성형한 후, 마운트 스테이지(30)에 발광 소자(16)를 고정함과 동시에 발광 소자(16)와 본딩 스테이지(40)를 와이어(18)로 와이어 본딩한다.In order to manufacture the light emitting diode 10 having such a configuration, first, a sheet of copper-based alloy is punched into a predetermined shape corresponding to the first lead frame 12 and the second lead frame 14, and then molded. The light emitting device 16 is fixed to the mount stage 30, and the light emitting device 16 and the bonding stage 40 are wire bonded to the wire 18.

한편, 폴리에테르에테르케톤 수지 등의 열경화성 수지를 사출 성형에 의해 소정 형상으로 성형하고, 오목면에 알루미늄이나 은을 증착 또는 도금 가공을 실시하여 금속층(24)을 형성하고, 또한 절개부(26, 27)의 하부면에 절연층(28)을 형성하여 반사면(24a)을 구비한 오목부 프레임체(20)를 형성한다.On the other hand, a thermosetting resin such as a polyether ether ketone resin is molded into a predetermined shape by injection molding, and aluminum or silver is deposited or plated on the concave surface to form the metal layer 24, and the cutouts 26, The insulating layer 28 is formed on the lower surface of the 27 to form the concave frame body 20 having the reflecting surface 24a.

그리고, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 발광 소자(16)가 반사면(24a)과 대향하도록 제 1 리드 프레임(12) 및 제 2 리드 프레임(14)을 오목부 프레임체(20)에 형성된 한쌍의 절개부(26, 27)에 끼워 맞춘다.1 and 3, the first lead frame 12 and the second lead frame 14 are recessed frame 20 so that the light emitting element 16 faces the reflecting surface 24a. It fits into a pair of incisions 26 and 27 formed in the.

계속해서, 절개부(26, 27)에 대응한 제 1 리드 프레임(12) 및 제 2 리드 프레임(14)상에 광경화성 수지 또는 접착성 수지를 디스펜서 등을 이용하여 적하한 후에 경화시켜 밀봉 수지를 충전할 때 절개부(26, 27)로부터 수지가 유출되는 것을 방지한다.Subsequently, photocurable resin or adhesive resin is dropped on the first lead frame 12 and the second lead frame 14 corresponding to the cutouts 26 and 27 by using a dispenser or the like, and then cured to seal the resin. The resin is prevented from leaking out of the cutouts 26 and 27 when filling.

그리고, 발광소자와 오목면체와의 사이의 틈에 밀봉 수지(22)를 오목면체의 가장자리면까지 충전시킨 후에 80~140℃ 정도의 분위기로(爐)에서 수지를 경화시켜 발광 다이오드(10)가 완성된다.Then, after filling the sealing resin 22 to the edge of the concave body in the gap between the light emitting element and the concave body, the resin is cured in an atmosphere of about 80 to 140 ° C. Is completed.

상기와 같이 형성된 발광 다이오드(10)와, 도 6에 도시한 제 1 리드 프레임(102) 및 제 2 리드 프레임(104)의 선단 각부가 만곡되어 있지 않은 종래의 발광 다이오드(100)에 대해, 200개의 발광 다이오드에 대해 250℃에서 15초간 가열한 후 실온까지 냉각하는 가열 냉각을 3회 반복하는 열충격 실험을 실시한 후, 광학 현미경으로 밀봉 수지(22)에 발생한 균열의 유무를 검사했다. 그 결과, 본 실시형태의 발광 다이오드(10)에서는 밀봉 수지(22)에 균열이 발생한 것이 3% 이하인 것에 대해, 종래의 발광 다이오드(100)에서는 33% 존재했다.200 for the light emitting diode 10 formed as described above and the conventional light emitting diode 100 in which the front end portions of the first lead frame 102 and the second lead frame 104 shown in FIG. 6 are not curved. After thermal shock experiments were repeated three times with heating and cooling for 15 seconds at 250 ° C. and then cooled to room temperature, the light emitting diodes were inspected for cracks in the sealing resin 22 by an optical microscope. As a result, in the light emitting diode 10 of the present embodiment, 3% or less of cracks occurred in the sealing resin 22, whereas in the conventional light emitting diode 100, 33% was present.

이상과 같이 본 발명에 의하면 발광 다이오드(10)가 열 충격을 받을 때 밀봉 수지(22)에 응력이 집중하여 균열이 발생하기 쉬운 마운트 스테이지(30) 및 본딩 스테이지(40))의 선단 각부가 원호 형상으로 만곡되어 있으므로 열충격을 받아도 밀봉 수지에 균열이 발생하기 어려워지고, 와이어의 절단을 대폭 저감할 수 있다.As described above, according to the present invention, the tip end portions of the mount stage 30 and the bonding stage 40, which are susceptible to cracks due to stress concentration in the sealing resin 22 when the light emitting diode 10 is subjected to thermal shock, are circular arcs. Since the shape is curved, cracks hardly occur in the sealing resin even when subjected to thermal shock, and the cutting of the wire can be greatly reduced.

또한, 상기 본 실시형태에 따른 발광 다이오드(10)에서는 마운트 스테이지(30)에 있어서 수광 소자(16)를 설치하는 재치면(34)과 측단면(36)이 대략 수직으로 교차되어 있지만, 도 4에 도시한 바와 같이 마운트 스테이지(30)의 재치면(34)과 측단면(36)을 완만한 곡면(38)으로 연속해서 설치해도 좋고, 또한 본딩 스테이지(40)도 마찬가지로 와이어(18)를 고정하는 고정면(44)과 측단면(46)을 완만한 곡면(48)으로 연속해서 설치해도 좋으며, 이 때 곡면(38, 48)의 곡률반경은 0.05mm 이상인 것이 바람직하다. 이와 같이 마운트 스테이지(30)나 본딩 스테이지(40)의 둘레 가장자리부를 곡면(38, 48)으로 구성함으로써 열충격을 받아도 밀봉 수지에 균열이 발생하기 더 어려워지고, 와이어의 절단을 대폭 저감시킬 수 있다. 또한 곡면(38, 48)은 샌드브러스트 가공 등에 의해 간단히 형성할 수 있으므로 곡면(38, 48)을 구비한 발광 다이오드를 저렴한 가격으로 제조할 수 있다.In the light emitting diode 10 according to the present embodiment, although the mounting surface 34 on which the light receiving element 16 is provided and the side end surface 36 are substantially perpendicularly intersected in the mount stage 30, FIG. 4. As shown in FIG. 1, the mounting surface 34 and the side cross-section 36 of the mount stage 30 may be continuously provided with a smooth curved surface 38, and the bonding stage 40 may similarly fix the wire 18. The fixed surface 44 and the side end surface 46 may be provided continuously with a smooth curved surface 48, and the radius of curvature of the curved surfaces 38 and 48 is preferably 0.05 mm or more. In this way, by forming the peripheral edges of the mount stage 30 and the bonding stage 40 as curved surfaces 38 and 48, even when subjected to thermal shock, cracks are less likely to occur in the sealing resin, and cutting of the wire can be greatly reduced. In addition, since the curved surfaces 38 and 48 can be simply formed by sandblasting or the like, light emitting diodes having the curved surfaces 38 and 48 can be manufactured at low cost.

또한, 본 실시형태에서 마운트 스테이지(30) 및 본딩 스테이지(40)의 양쪽 스테이지를 평면으로 보아 원 형상으로 형성한 본 발명은 이에 한정되지 않고, 마운트 스테이지(30) 및 본딩 스테이지(40) 중 어느 한쪽의 스테이지를 평면으로 보아 원 형상으로 형성해도 좋고, 또한 타원 형상, 긴 원형상, 계란 형상, 또는 도 5에 도시된 각을 둥글게 한 직사각형 형상 등, 마운트 스테이지(30)나 본딩 스테이지(40)의 선단 각부를 호 형상으로 만곡시켜도 좋다.In the present embodiment, the present invention in which both stages of the mount stage 30 and the bonding stage 40 are formed in a circular shape in plan view is not limited thereto, and any of the mount stage 30 and the bonding stage 40 is not limited thereto. One stage may be formed in the shape of a circle in a plan view, and the mount stage 30 or the bonding stage 40 may be an ellipse shape, an elongated circle shape, an egg shape, or a rectangular shape with rounded angles shown in FIG. 5. The tip end portions of the curved portion may be curved in an arc shape.

본 발명에 의하면 리드 프레임의 선단 각부가 평면으로 보아 호 형상으로 만곡되는 만곡부를 이루고 있으므로 열 충격을 받아도 밀봉 수지에 균열이 발생하기 어려워지고, 와이어의 절단을 대폭 저감시킬 수 있다.According to the present invention, since the leading end portions of the lead frame form curved portions that are curved in an arc shape in plan view, cracks are less likely to occur in the sealing resin even when subjected to thermal shock, and the cutting of the wire can be greatly reduced.

Claims (5)

단부들이 대향 배치된 제 1 리드 프레임 및 제 2 리드 프레임,A first lead frame and a second lead frame having opposite ends disposed, 상기 제 1 리드 프레임의 선단부에 형성된 마운트 스테이지에 고정된 발광 소자,A light emitting element fixed to the mount stage formed at the front end of the first lead frame, 상기 제 2 리드 프레임의 선단부에 형성된 본딩 스테이지와 상기 발광 소자를 접속하는 와이어 및A wire connecting the bonding stage formed at the tip of the second lead frame and the light emitting element; 상기 발광소자, 상기 마운트 스테이지, 상기 본딩 스테이지 및 상기 와이어를 밀봉하는 밀봉 수지를 구비한 발광 다이오드에 있어서,In the light emitting diode provided with the sealing resin which seals the said light emitting element, the said mounting stage, the said bonding stage, and the said wire, 상기 마운트 스테이지 및 상기 본딩 스테이지는 평판 형상으로서, 적어도 어느 한쪽의 스테이지의 선단 각부가 평면으로 보아 호 형상으로 만곡된 만곡부를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The mounting stage and the bonding stage have a flat plate shape, and each end portion of at least one stage forms a curved portion curved in an arc shape in plan view. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마운트 스테이지 및 상기 본딩 스테이지중 적어도 어느 한쪽의 스테이지가 평면으로 보아 원 형상, 타원 형상, 긴 원형상, 또는 계란 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.At least one of the mount stage and the bonding stage is formed in a circular shape, an elliptic shape, an elongated circular shape, or an egg shape in plan view. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 마운트 스테이지 및 상기 본딩 스테이지중 적어도 어느 한쪽의 스테이 지는 상기 와이어와 대향하는 판면과 측단면이 완만한 곡면으로 연속되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. And at least one stage of the mount stage and the bonding stage is continuous with a smooth curved surface and a side surface facing the wire. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 곡면의 곡률반경은 0.05mm 이상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The radius of curvature of the curved surface is a light emitting diode, characterized in that 0.05mm or more. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 발광소자로부터 출사되는 광을 반사하는 반사면이 형성된 반사 프레임체를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And a reflective frame having a reflective surface for reflecting light emitted from the light emitting element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR102007403B1 (en) * 2012-11-02 2019-08-05 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and lighting unit including the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110128196A (en) * 2009-03-16 2011-11-28 가부시키가이샤 파루 라이팅구 Reflective light emitting diode and reflective light emitting diode light emitting device

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