KR20080053730A - Manufacturing method of common electrode panel and display device includindg thesame - Google Patents

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Abstract

A method for manufacturing a common electrode display panel and a display device having the same are provided to reduce manufacturing cost by using an identical mask in forming color filters, without the necessity of using different masks according to types of color filters. A light blocking member(220) is formed on an insulating substrate. On the insulating substrate, spacers(222) for the first through third light holes are formed. Color filters(230R,230G,230B), which respectively are thinner than the spacers, are formed on the insulating substrate. An overcoat(250) is formed on the color filters, and a common electrode(270) is formed on the overcoat.

Description

공통 전극 표시판의 제조 방법 및 그를 포함하는 표시 장치{MANUFACTURING METHOD OF COMMON ELECTRODE PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDINDG THESAME}The manufacturing method of a common electrode display panel, and the display apparatus including the same {MANUFACTURING METHOD OF COMMON ELECTRODE PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDINDG THESAME}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 배치도이다.1 is a layout view of a transflective liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 액정 표시 장치를 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line II-II. FIG.

도 3 내지 도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 공통 전극 표시판의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.3 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a common electrode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, in the order of their processes.

본 발명은 공통 전극 표시판 및 그를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a common electrode display panel and a display device including the same.

액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전계 생성 전극(field generating electrode)과 편광판(polawizer)이 구비되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. Liquid crystal display (LCD) is one of the most widely used flat panel display devices. Currently, two display panels are provided with a field generating electrode and a polarizer and the liquid crystal contained therebetween. Layer.

액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 표시판 중 하나에는 전계 생성 전극의 일종인 복수의 화소 전극(pixel electrode)과 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)가 구비되어 있고, 다른 하나에는 다른 종류의 전계 생성 전극인 공통 전극(common electrode)과 색필터(color filter)가 구비되어 있는 액정 표시 장치이다. Among the liquid crystal display devices, one of the two display panels currently used includes a plurality of pixel electrodes, which are a kind of field generating electrodes, and a thin film transistor (TFT) for switching a voltage applied to the pixel electrodes. The other is a liquid crystal display provided with a common electrode and a color filter, which are different types of field generating electrodes.

이러한 액정 표시 장치는 스스로 발광하지 못하는 수광형 표시 장치이므로, 액정 표시 장치의 뒤쪽에 별개로 구비된 백라이트(backlight)의 램프에서 발광된 빛을 액정층을 통과시키거나 자연광 등 외부에서 들어오는 빛을 일단 액정층을 통과시켰다가 반사하여 액정층을 다시 통과시키는 방식으로 영상을 표시한다. 전자의 경우를 투과형(transmission) 액정 표시 장치라고하고 후자의 경우를 반사형(reflective) 액정 표시 장치라 한다. Since the liquid crystal display is a light-receiving display device that does not emit light by itself, the light emitted from a backlight lamp provided at the rear of the liquid crystal display passes through the liquid crystal layer or receives light from outside such as natural light. The image is displayed by passing the liquid crystal layer and then reflecting the liquid crystal layer. The former case is called a transmission liquid crystal display device, and the latter case is called a reflective liquid crystal display device.

최근에는 환경에 따라 백라이트를 사용하기도 하고 외부광을 사용하기도 하는 반투과형 또는 반사-투과형(transflective) 액정 표시 장치가 개발되어 주로 중소형 표시 장치에 사용되고 있다. Recently, transflective or transflective liquid crystal display devices, which use backlights or use external light depending on the environment, have been developed and mainly used in small and medium sized display devices.

이러한 반투과형 액정 표시 장치의 색필터는 반사광과 투과광의 휘도 차이를 보상하기 위한 빛구멍(light hole)을 포함한다.The color filter of the transflective liquid crystal display includes a light hole for compensating for the difference in luminance between reflected light and transmitted light.

그러나 빛구멍을 포함하는 색필터를 형성하기 위해서는 색필터의 종류에 따라서 다른 패턴의 마스크를 이용하여야 한다.However, in order to form a color filter including light holes, a mask having a different pattern may be used according to the type of the color filter.

따라서 마스크를 각각 제조 하는 공정으로 인해서 공정이 복잡하고 비용이 많이 드는 문제점이 있다.Therefore, there is a problem that the process is complicated and expensive due to the process of manufacturing the masks respectively.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 빛구멍을 포함하는 색필터를 형성하는 공정을 간소화하면서 생산 비용을 감소하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to reduce the production cost while simplifying the process of forming a color filter including light holes.

이러한 기술적 과제를 이루기 위해서 본 발명에 따른 공통 전극 표시판의 제조 방법은 기판 위에 차광 부재를 형성하는 단계, 기판 위에 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재를 형성하는 단계, 기판 위에 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재보다 두께가 낮은 색필터를 형성하는 단계, 색필터 위에 덮개막을 형성하는 단계, 그리고 덮개막 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, a method of manufacturing a common electrode display panel according to the present invention includes the steps of forming a light blocking member on a substrate, forming a spacer for first to third light holes on the substrate, and first to third on the substrate. Forming a color filter having a thickness lower than that of the light hole spacer, forming an overcoat on the color filter, and forming a common electrode on the overcoat.

제1 내지 제3 빛구멍용 간격재의 평면 패턴은 원형 또는 다각형으로 형성할 수 있다.The planar pattern of the first to third light hole spacers may be formed in a circular or polygonal shape.

제1 내지 제3 빛구멍용 간격재의 면적은 제1 빛구멍용 간격재>제2 빛구멍용 간격재>제3 빛구멍용 간격재 순으로 형성할 수 있다.The area of the first to third light hole spacers may be formed in the order of the first light hole spacers> the second light hole spacers and the third light hole spacers.

제1 내지 제3 빛구멍용 간격재는 광경화성 투명 물질로 형성할 수 있다.The first to third light hole spacers may be formed of a photocurable transparent material.

덮개막은 열경화성 투명 물질로 형성할 수 있다. The overcoat may be formed of a thermosetting transparent material.

상기한 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시판은 제1 기판, 제1 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재, 제1 기판 위에 형성되어 있는 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재, 제1 기판 위에 형성되어 있으며 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재보다 두께가 낮은 색필터, 색필터 위에 형성되어 있는 덮개막, 그리고 덮개막 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함한다.According to another aspect of the present invention, a display panel includes a first substrate, a light blocking member formed on a first substrate, a spacer for first to third light holes formed on a first substrate, and a first substrate. And a color filter having a thickness lower than that of the first to third light hole spacers, an overcoat formed on the color filter, and a common electrode formed on the overcoat.

제1 내지 제3 빛구멍용 간격재의 평면 패턴은 원형 또는 다각형일 수 있다.The planar pattern of the first to third light hole spacers may be circular or polygonal.

제1 내지 제3 빛구멍용 간격재의 면적은 제1 빛구멍용 간격재>제2 빛구멍용 간격재>제3 빛구멍용 간격재 순일 수 있다.The area of the first to third light hole spacers may be in the order of the first light hole spacers> the second light hole spacers and the third light hole spacers.

제1 내지 제3 빛구멍용 간격재는 광경화성 투명 물질일 수 있다.The spacer for the first to third light holes may be a photocurable transparent material.

덮개막은 열경화성 투명 물질일 수 있다.The overcoat may be a thermosetting transparent material.

제1 기판과 마주하는 제2 기판, 제2 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 교차하는 데이터선, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 화소 전극은 투명 전극과 투명 전극의 소정 영역 위에 형성되어 있는 반사 전극을 포함할 수 있다.A second substrate facing the first substrate, a gate line formed on the second substrate, a data line crossing the gate line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a pixel electrode connected to the thin film transistor; The pixel electrode may include a transparent electrode and a reflective electrode formed on a predetermined region of the transparent electrode.

빛구멍용 간격재는 반사 전극과 대응할 수 있다. The spacer for the light hole may correspond to the reflective electrode.

색필터는 빛구멍용 간격재를 둘러싸는 제1 부분과 빛구멍용 간격재 위에 형성되어 있는 제2 부분을 포함하고 제1 부분과 제2 부분은 분리되어 있을 수 있다.The color filter may include a first portion surrounding the light aperture spacer and a second portion formed on the light aperture spacer, and the first portion and the second portion may be separated.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 위에 있다고 할 때, 이는 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 바로 위에 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, area, plate, etc. is over another part, this includes not only the part directly above the other part but also another part in the middle. On the contrary, when a part is just above another part, it means that there is no other part in the middle.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 색필터 표시판의 제조 방법에 대해서 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a color filter display panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 상세히 설명한다. First, the structure of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 액정 표시 장치를 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is a layout view of a transflective liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line II-II.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 공통 전극 표시판(200)과 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.The liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other, and a liquid crystal layer 3 interposed between the two display panels 100 and 200.

먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다. First, the thin film transistor array panel 100 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 유지 전극선(storage electrodes lines)(131)이 형성되어 있다. A plurality of gate lines 121 and storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding upward and end portions 129 having a large area for connection with another layer or an external driving circuit. A gate driving circuit (not shown) for generating a gate signal may be mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110 or directly mounted on the substrate 110, It may be integrated into the substrate 110. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121) 중 아래쪽에 가깝다. 유지 전극선(131)은 아래 위로 확장된 확장부(133)를 포함한다. 그러나, 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.The storage electrode line 131 receives a predetermined voltage and almost extends in parallel with the gate line 121. Each storage electrode line 131 is positioned between two adjacent gate lines 121 and is close to a lower side of the two gate lines 121. The storage electrode line 131 includes an extension 133 extending up and down. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 may be modified in various ways.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등의 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등의 은 계열의 금속, 금(Au)과 금 합금 등의 금 계열 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등의 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등의 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 따위로 이루어지는 것이 바람직하다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질로 만들어진다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 여러 가지 다양한 금속과 도전체로 만들어질 수 있다.The gate line 121 and the storage electrode line 131 may be formed of aluminum-based metals such as aluminum (Al) and aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, and gold such as gold (Au) and gold alloys. It is preferably made of a series metal, a copper-based metal such as copper (Cu) and a copper alloy, a molybdenum-based metal such as molybdenum (Mo) and a molybdenum alloy, chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), and the like. Do. However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may have a multilayer structure including two conductive layers (not shown) having different physical properties. One of these conductive films is made of low resistivity metal to reduce signal delay or voltage drop. In contrast, the other conductive film is made of a material having excellent physical, chemical, and electrical contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may be made of various metals and conductors.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30°내지 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to 80 °.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiO2) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiO 2 ) is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 'a-Si'로 씀) 또는 다결정 규소(poly silicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다. 선형 반도체(151)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭넓게 덮고 있다.On the gate insulating layer 140, a plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated 'a-Si'), polycrystalline silicon, or the like are formed. The linear semiconductor 151 mainly extends in the longitudinal direction and includes a plurality of projections 154 extending toward the gate electrode 124. The linear semiconductor 151 has a wider width in the vicinity of the gate line 121 and the storage electrode line 131 and covers them widely.

반도체(151, 154) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 또는 붕소(B) 따위의 p형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 p+ 수소화 비정질 규소 또는 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.A plurality of linear and island ohmic contacts 161 and 165 are formed on the semiconductors 151 and 154. The ohmic contacts 161 and 165 are n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus (P) are heavily doped, or p + hydrogenated amorphous silicon or silicide in which p-type impurities such as boron (B) are heavily doped. (silicide) can be made. The linear ohmic contact 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusion 163 and the island-type ohmic contact 165 are paired and disposed on the protrusion 154 of the semiconductor 151.

반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 약 30 내지 80°이다.Side surfaces of the semiconductor 151 and the ohmic contacts 161 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110 and the inclination angle is about 30 to 80 degrees.

저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터 선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 161 and 165 and the gate insulating layer 140.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121 and the storage electrode line 131. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and an end portion 179 having a large area for connection with another layer or an external driving circuit. A data driving circuit (not shown) for generating a data signal is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or integrated in the substrate 110. Can be. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다. 각 드레인 전극(175)은 면적이 넓은 확장부(177)와 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 가지고 있다. 드레인 전극(175)의 확장부(177)는 유지 전극선(131)의 확장부(133)와 중첩하며, 막대형 끝 부분은 J 형으로 구부러진 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 with respect to the gate electrode 124. Each drain electrode 175 has a wider area 177 and the other end portion having a rod shape. The extension 177 of the drain electrode 175 overlaps the extension 133 of the storage electrode line 131, and the rod-shaped end portion is partially surrounded by the source electrode 173 bent in a J shape.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the protrusion 154 of the semiconductor 151 form one thin film transistor (TFT). A channel of the transistor is formed in the protrusion 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The data line 171 and the drain electrode 175 are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and include a refractory metal film (not shown) and a low resistance conductive film. It may have a multilayer structure including (not shown). Examples of the multilayer structure include a double layer of chromium or molybdenum (alloy) lower layer and an aluminum (alloy) upper layer, and a triple layer of molybdenum (alloy) lower layer and aluminum (alloy) interlayer and molybdenum (alloy) upper layer. However, the data line 171 and the drain electrode 175 may be made of various metals or conductors.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.The side of the data line 171 and the drain electrode 175 may also be inclined at an inclination angle of about 30 ° to about 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 아래의 반도체(151)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)의 너비가 데이터선(171)의 너비보다 작지만, 앞서 설명하였듯이 게이트선(121)과 만나는 부분에서 너비가 넓어져 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지한다. 반도체(151)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The ohmic contacts 161 and 165 exist only between the semiconductor 151 below and the data line 171 and the drain electrode 175 thereon, and lower the contact resistance therebetween. In most places, the width of the linear semiconductor 151 is smaller than the width of the data line 171. However, as described above, the width of the linear semiconductor 151 is widened at the portion where it meets the gate line 121 to smooth the profile of the surface. Prevents disconnection. The semiconductor 151 has an exposed portion between the source electrode 173 and the drain electrode 175, and not covered by the data line 171 and the drain electrode 175.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.A passivation layer 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed semiconductor 151.

보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 하부막(180p)과 유기 절연물로 만들어진 상부막(180q)을 포함한다. 상부 보호막(180q) 은 4.0 이하의 유전 상수를 가지는 것이 바람직하고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있으며 그 표면에는 요철이 형성되어 있다. 또한, 상부 보호막(180q)에는 하부 보호막(180p)의 일부를 드러내는 개구부가 형성되어 있다. 그러나 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어진 단일막 구조를 가질 수도 있다.The passivation layer 180 includes a lower layer 180p made of an inorganic insulator such as silicon nitride or silicon oxide and an upper layer 180q made of an organic insulator. The upper passivation layer 180q preferably has a dielectric constant of 4.0 or less, may have photosensitivity, and irregularities are formed on a surface thereof. In addition, an opening that exposes a portion of the lower passivation layer 180p is formed in the upper passivation layer 180q. However, the passivation layer 180 may have a single layer structure made of an inorganic insulator or an organic insulator.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.In the passivation layer 180, a plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end portion 179 and the drain electrode 175 of the data line 171 are formed, respectively, and the passivation layer 180 and the gate insulating layer are formed. A plurality of contact holes 181 exposing the end portion 129 of the gate line 121 are formed at 140.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.A plurality of pixel electrodes 191 and a plurality of contact assistants 81 and 82 are formed on the passivation layer 180.

각 화소 전극(191)은 상부 보호막(180q)의 요철을 따라 굴곡이 져있고, 투명 전극(192) 및 그 위의 반사 전극(194)을 포함한다. 투명 전극(192)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어지고, 반사 전극(194)은 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어진다. 그러나 반사 전극(194)은 알루미늄, 은 또는 그 합금 등 저저항 반사성 상부막(도시하지 않음)과 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 ITO 또는 IZO와 접촉 특성이 좋은 하부막(도시하지 않음)의 이중막 구조를 가질 수 있다.Each pixel electrode 191 is curved along the unevenness of the upper passivation layer 180q, and includes a transparent electrode 192 and a reflective electrode 194 thereon. The transparent electrode 192 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, and the reflective electrode 194 is made of a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof. However, the reflective electrode 194 has a low-resistance reflective upper film (not shown) such as aluminum, silver, or an alloy thereof, and a lower film (not shown) having good contact properties with ITO or IZO such as molybdenum-based metal, chromium, tantalum, and titanium. It may have a double membrane structure.

반사 전극(194)은 상부 보호막(180q)의 개구부에 위치하며 투명 전극(192)을 노출하는 투과창(195)을 가지고 있다. 반사 전극(194)은 투명 전극(192) 일부 위 에만 존재하여 투명 전극(192)의 다른 부분을 노출하며, 투명 전극(192)의 노출된 부분은 상부 보호막(180q)의 개구부에 위치한다.The reflective electrode 194 is positioned in the opening of the upper passivation layer 180q and has a transmission window 195 exposing the transparent electrode 192. The reflective electrode 194 exists only on a portion of the transparent electrode 192 to expose another portion of the transparent electrode 192, and the exposed portion of the transparent electrode 192 is positioned in the opening of the upper passivation layer 180q.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적·전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 and receives a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied is formed between the two electrodes 191 and 270 by generating an electric field together with the common electrode 270 of the common electrode display panel 200 to which the common voltage is applied. The direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 is determined. The polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 varies according to the direction of the liquid crystal molecules determined as described above. The pixel electrode 191 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter, referred to as a "liquid crystal capacitor") to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 액정층(3) 등을 포함하는 반투과형 액정 표시 장치는 투명 전극(192) 및 반사 전극(194)에 의하여 각각 정의되는 투과 영역(TA) 및 반사 영역(RA)으로 구획될 수 있다. 구체적으로는, 투과창(195) 아래위에 위치하는 부분은 투과 영역(TA)이 되고, 반사 전극(194) 아래위에 위치하는 부분은 반사 영역(RA)이 된다.The transflective liquid crystal display device including the thin film transistor array panel 100, the common electrode display panel 200, the liquid crystal layer 3, and the like is a transmissive area TA defined by the transparent electrode 192 and the reflective electrode 194, respectively. And a reflection area RA. Specifically, the portion located below the transmission window 195 becomes the transmission area TA, and the portion located below the reflection electrode 194 becomes the reflection area RA.

투과 영역(TA)에서는 액정 표시 장치의 뒷면, 즉 박막 트랜지스터 표시판(100) 쪽에서 입사된 빛이 액정층(3)을 통과하여 앞면, 즉 공통 전극 표시판(200) 쪽으로 나옴으로써 표시를 수행한다. 반사 영역(RA)에서는 앞면에서 들어온 빛이 액정층(3)으로 들어왔다가 반사 전극(194)에 의하여 반사되어 액정층(3)을 다시 통과하여 앞면으로 나옴으로써 표시를 수행한다. 이때, 반사 전극(194)의 굴곡은 빛의 난반사를 유도하여 화면에 물체가 비치는 현상을 방지한다.In the transmissive area TA, light is incident on the back side of the liquid crystal display, that is, the thin film transistor array panel 100, passes through the liquid crystal layer 3 and exits the front side, that is, toward the common electrode display panel 200. In the reflective area RA, the light enters the liquid crystal layer 3, enters the liquid crystal layer 3, is reflected by the reflective electrode 194, passes through the liquid crystal layer 3, and exits to the front surface. At this time, the bending of the reflective electrode 194 induces diffuse reflection of light to prevent the object from being reflected on the screen.

투과 영역(TA)에는 상부 보호막(180q)이 없으므로, 투과 영역(TA)에서의 액정층(3)의 두께, 또는 셀 간격(cell gap)이 반사 영역(RA)에서의 셀 간격보다 크다. 특히, 투과 영역(TA)에서의 셀 간격이 반사 영역(RA)에서의 셀 간격의 두 배인 것이 바람직하다.Since there is no upper passivation layer 180q in the transmission area TA, the thickness of the liquid crystal layer 3 or the cell gap in the transmission area TA is greater than the cell gap in the reflection area RA. In particular, it is preferable that the cell spacing in the transmission area TA is twice the cell spacing in the reflection area RA.

화소 전극(191) 및 이와 연결된 드레인 전극(175) 확장부(177)는 유지 전극(133)을 비롯한 유지 전극선(131)과 중첩한다. 화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 유지 축전기(storage capacitor)라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.The pixel electrode 191 and the drain electrode 175 extended part 177 connected thereto overlap the storage electrode line 131 including the storage electrode 133. A capacitor formed by the pixel electrode 191 and the drain electrode 175 electrically connected to the pixel electrode 191 overlapping the storage electrode line 131 is called a storage capacitor, and the storage capacitor enhances the voltage holding capability of the liquid crystal capacitor.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 and the external device.

다음으로 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the common electrode display panel 200 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며, 화소 전극(191)과 마주하는 복수의 개구 영역을 정의하는 한편 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막아 준다.A light blocking member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass, plastic, or the like. The light blocking member 220 is also referred to as a black matrix and defines a plurality of opening regions facing the pixel electrode 191 while preventing light leakage between the pixel electrodes 191.

기판(210) 위에는 빛구멍용 간격재(222)가 형성되어 있다. 빛구멍용 간격재(222)는 차광 부재(220)로 둘러싸인 개구 영역 내에 위치한다. 빛구멍용 간격재(222)는 광경화 물질로 투명하며 외부광을 통과시킨다. The light hole spacer 222 is formed on the substrate 210. The light hole spacer 222 is located in an opening area surrounded by the light blocking member 220. The light hole spacer 222 is a photocurable material and passes external light.

기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(color filter)(230R, 230G, 230B)가 형성되어 있으며, 차광 부재(220)로 둘러싸인 개구 영역 내에 거의 다 들어가도록 배치되어 있다. 색필터(230R, 230G, 230B)는 빛구멍용 간격재(222)를 둘러싸는 제1 부분(230R1)과 제1 부분(230R1)과 분리되어 있으며 빛구멍용 간격재(222) 위에 형성되어 있는 제2 부분(230R2)을 포함한다. 여기서 색필터(230R, 230G, 230B)는 빛구멍용 간격재(222)보다 두께가 낮아 빛구멍용 간격재(222)가 색필터 위에 돌출되어 있다. 색필터(230R, 230G, 230B)는 화소 전극(191)을 따라 세로 방향으로 길게 뻗어 띠(stripe)를 이룰 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.A plurality of color filters 230R, 230G, and 230B are also formed on the substrate 210 and are arranged so as to almost fit into the opening region surrounded by the light blocking member 220. The color filters 230R, 230G, and 230B are separated from the first portion 230R1 and the first portion 230R1 surrounding the light hole spacer 222 and are formed on the light hole spacer 222. Second portion 230R2. Here, the color filters 230R, 230G, and 230B are lower in thickness than the light hole spacer 222, and the light hole spacer 222 protrudes above the color filter. The color filters 230R, 230G, and 230B may extend in the vertical direction along the pixel electrode 191 to form a stripe. Each color filter 230 may display one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue.

빛구멍용 간격재(222)의 면적은 색필터(230R, 230G, 230B)의 시인성에 따라서 달라지는데, 청색>적색>녹색 순으로 간격재(222)의 면적이 다를 수 있다. 그리고 빛구멍용 간격재(222)의 평면 패턴은 원형 또는 다각형으로 형성할 수 있으며, 예를 들면 면적에 따라서 청색 색필터는 원형, 적색 색필터는 하나의 직사각형, 녹색 색필터는 두개의 직사각형으로 형성(도 3 참조)될 수 있다.The area of the light hole spacer 222 varies depending on the visibility of the color filters 230R, 230G, and 230B. The area of the spacer 222 may be changed in the order of blue> red> green. The planar pattern of the light hole spacer 222 may be formed in a circular or polygonal shape. For example, the blue color filter is circular, the red color filter is one rectangle, and the green color filter is two rectangles, depending on the area. May be formed (see FIG. 3).

색필터(230R, 230G, 230B), 빛구멍용 간격재(222) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 열경화성 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230R, 230G, 230B)를 보호하고 색필터(230)가 노출 되는 것을 방지하며 평탄면을 제공한다. An overcoat 250 is formed on the color filters 230R, 230G, 230B, the light hole spacer 222, and the light blocking member 220. The overcoat 250 may be made of a thermosetting (organic) insulator, protects the color filters 230R, 230G, and 230B, prevents the color filter 230 from being exposed, and provides a flat surface.

덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO나 IZO 등 투명한 도전 도전체로 만들어지는 것이 바람직하다.The common electrode 270 is formed on the overcoat 250. The common electrode 270 is preferably made of a transparent conductive conductor such as ITO or IZO.

표시판(100, 200)의 안쪽 면 위에는 액정층(3)을 배향하기 위한 배향막(alignment layer)(11, 21)이 도포되어 있으며, 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 하나 이상의 편광자(polarizer)(도시하지 않음)가 구비되어 있다.Alignment layers 11 and 21 are disposed on the inner surfaces of the display panels 100 and 200, and at least one polarizer is disposed on the outer surfaces of the display panels 100 and 200. (Not shown) is provided.

액정층(3)은 수직 배향 또는 수평 배향되어 있다.The liquid crystal layer 3 is vertically or horizontally aligned.

액정 표시 장치는 또한 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 떠받쳐서 둘 사이에 간극(間隙)을 만드는 복수의 탄성 간격재(spacer)(도시하지 않음)를 더 포함한다.The liquid crystal display further includes a plurality of elastic spacers (not shown) that hold the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200 to form a gap therebetween.

액정 표시 장치는 또한 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 결합하는 밀봉재(sealant)(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다. 밀봉재는 공통 전극 표시판(200)의 가장자리에 위치한다.The liquid crystal display may further include a sealant (not shown) for coupling the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200. The sealing material is positioned at the edge of the common electrode display panel 200.

투과 영역(TA)에서는 화소 전극(191)이 투명 전극(192)만으로 이루어지므로 빛이 투과할 수 있다. 따라서 투과 영역(TA)에서는 주로 백라이트 장치의 램프(도시하지 않음)에서 나온 빛을 사용하여 영상을 표시한다. 즉, 램프로부터 발광된 빛이 액정층(300)과 색필터(230)를 한 번 통과하여 영상을 표시된다. In the transmission area TA, since the pixel electrode 191 is formed of only the transparent electrode 192, light may be transmitted. Therefore, in the transmission area TA, an image is mainly displayed by using light from a lamp (not shown) of the backlight device. That is, light emitted from the lamp passes through the liquid crystal layer 300 and the color filter 230 once to display an image.

반면, 반사 영역(RA)에서는 화소 전극(191)이 불투명 반사 전극(194)을 포함하므로 백라이트 장치의 램프에서 나온 빛은 반사 전극(194)에 의하여 반사되어 액정층(300)으로 들어가지 못하지만 색필터 표시판(200) 쪽에서 입사된 빛은 반사 전 극(194)에 의하여 반사되어 다시 나가므로 주로 빛구멍용 간극재(222)을 통해 입사되는 외부광을 사용하여 영상을 표시한다. On the other hand, in the reflective region RA, since the pixel electrode 191 includes the opaque reflective electrode 194, light emitted from the lamp of the backlight device is reflected by the reflective electrode 194 and thus does not enter the liquid crystal layer 300, but color Since the light incident from the filter display panel 200 is reflected by the reflective electrode 194 and exits again, the image is mainly displayed using external light incident through the light hole gap member 222.

그러면, 도 3 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따라 도 1 및 도 2에 도시한 공통 전극 표시판을 제조하는 방법에 대하여 설명한다. Next, a method of manufacturing the common electrode display panel illustrated in FIGS. 1 and 2 will be described with reference to FIGS. 3 to 6.

도 3 내지 도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 공통 전극 표시판의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.3 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a common electrode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, in the order of their processes.

도 3에 도시한 바와 같이, 절연 기판(210) 위에 차광 특성이 우수한 물질, 예를 들어 크롬 등을 증착하고 사진 식각 공정으로 차광 부재(220)를 형성한다.As illustrated in FIG. 3, a material having excellent light blocking properties, such as chromium, is deposited on the insulating substrate 210, and the light blocking member 220 is formed by a photolithography process.

그리고 기판 위에 광경화성 투명 물질을 도포한 후 사진 공정으로 패터닝하여 빛구멍용 간격재(222)를 형성한다. The photocurable transparent material is coated on the substrate and then patterned by a photo process to form the spacer 222 for the light hole.

다음 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(210) 위에 스핀 코팅(spin coating) 방법 등으로 안료를 포함하는 감광성 수지를 도포한다. 그리고 감광성 수지를 노광 및 현상한 후 하드 베이크(hard bake)하여 청색 색필터(230B)를 형성한다. 색필터(230B)는 빛구멍용 간격재(222)보다 낮은 두께로 형성한다. 이는 색필터(230B)와 빛구멍용 간격재(222)의 단차를 이용하여 색필터(230B)가 끊어지도록 형성함으로써 빛구멍용 간격재(222)가 완전히덮히는 것을 방지하기 위한 것이다.Next, as shown in FIG. 4, the photosensitive resin including the pigment is coated on the substrate 210 by a spin coating method or the like. Then, the photosensitive resin is exposed and developed, and then hard baked to form a blue color filter 230B. The color filter 230B is formed to have a thickness lower than that of the light hole spacer 222. This is to prevent the light hole spacer 222 from being completely covered by forming the color filter 230B to be cut by using the step between the color filter 230B and the light hole spacer 222.

다음 도 5에 도시한 바와 같이, 도 4의 공정을 반복하여 녹색(230G) 및 적색(230R) 색필터를 형성한다. 청색, 녹색 및 적색의 색필터 형성 순서는 바뀌어도 무관하다. 적색, 청색, 녹색 색필터(230R, 230G, 230B)는 형성 순서는 달라도 동일한 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 따라서 종래에 빛구멍의 형태에 따라서 각각 다른 마스크를 이용하는 것에 비해서 마스크를 제작하기 위한 비용을 감소시킬 수 있다.Next, as shown in FIG. 5, the process of FIG. 4 is repeated to form green 230G and red 230R color filters. The order of forming the color filters of blue, green and red may be changed. The red, blue, and green color filters 230R, 230G, and 230B may be formed using the same mask even though the forming order is different. Therefore, the cost for manufacturing the mask can be reduced as compared with using a different mask according to the shape of the light hole in the related art.

다음 도 6에 도시한 바와 같이, 투명한 절연물을 도포한 후 열경화하여 덮개막(250)을 형성한다. 그리고 덮개막(250) 위에 스퍼터링(sputtering) 방법으로 ITO 또는 IZO 등을 증착하여 공통 전극(270)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 6, an overcoat 250 is formed by applying a transparent insulator and thermally curing the same. The common electrode 270 is formed by depositing ITO, IZO, or the like on the overcoat 250 by sputtering.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따라서 색필터를 형성하며 동일한 마스크로 각각의 색필터를 형성할 수 있어 제조 비용을 감소시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, a color filter may be formed, and each color filter may be formed using the same mask, thereby reducing manufacturing costs.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (13)

기판 위에 차광 부재를 형성하는 단계,Forming a light blocking member on the substrate, 상기 기판 위에 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재를 형성하는 단계,Forming a spacer for first to third light holes on the substrate; 상기 기판 위에 상기 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재보다 두께가 낮은 색필터를 형성하는 단계, Forming a color filter having a thickness lower than that of the first to third light hole spacers on the substrate; 상기 색필터 위에 덮개막을 형성하는 단계, 그리고Forming an overcoat on the color filter, and 상기 덮개막 위에 공통 전극을 형성하는 단계Forming a common electrode on the overcoat 를 포함하는 공통 전극 표시판의 제조 방법.Method of manufacturing a common electrode display panel comprising a. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재의 평면 패턴은 원형 또는 다각형으로 형성하는 공통 전극 표시판의 제조 방법.And forming a planar pattern of the first to third light hole spacers in a circular or polygonal shape. 제2항에서,In claim 2, 상기 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재의 면적은 제1 빛구멍용 간격재>제2 빛구멍용 간격재>제3 빛구멍용 간격재 순으로 형성하는The area of the first to third light hole spacers is formed in the order of the first light hole spacers> the second light hole spacers> the third light hole spacers. 공통 전극 표시판의 제조 방법.Method of manufacturing a common electrode display panel. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재는 광경화성 투명 물질로 형성하는 공통 전극 표시판의 제조 방법.The first to third light hole spacers are formed of a photocurable transparent material. 제1항에서,In claim 1, 상기 덮개막은 열경화성 투명 물질로 형성하는 공통 전극 표시판의 제조 방법.The overcoat is formed of a thermosetting transparent material. 제1 기판,First substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재,A light blocking member formed on the first substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재,First to third light hole spacers formed on the first substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재보다 두께가 낮은 색필터,A color filter formed on the first substrate and having a thickness lower than that of the first to third light hole spacers; 상기 색필터 위에 형성되어 있는 덮개막, 그리고An overcoat formed on the color filter, and 상기 덮개막 위에 형성되어 있는 공통 전극Common electrode formed on the overcoat 을 포함하는 표시 장치.Display device comprising a. 제6항에서,In claim 6, 상기 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재의 평면 패턴은 원형 또는 다각형인 표시 장치.The flat pattern of the first to third light hole spacers is circular or polygonal. 제7항에서,In claim 7, 상기 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재의 면적은 제1 빛구멍용 간격재>제2 빛구멍용 간격재>제3 빛구멍용 간격재 순인 표시 장치.And an area of the first to third light hole spacers in order of first light hole spacers> second light hole spacers to third light hole spacers. 제6항에서,In claim 6, 상기 제1 내지 제3 빛구멍용 간격재는 광경화성 투명 물질인 표시 장치.The first to third light hole spacers are photocurable transparent materials. 제6항에서,In claim 6, 상기 덮개막은 열경화성 투명 물질인 표시 장치.The overcoat is a thermosetting transparent material. 제6항에서,In claim 6, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판,A second substrate facing the first substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,A gate line formed on the second substrate, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선,A data line intersecting the gate line, 상기 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고A thin film transistor connected to the gate line and the data line, and 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 더 포함하고,Further comprising a pixel electrode connected to the thin film transistor, 상기 화소 전극은 투명 전극과 상기 투명 전극의 소정 영역 위에 형성되어 있는 반사 전극을 포함하는 표시 장치.The pixel electrode includes a transparent electrode and a reflective electrode formed on a predetermined region of the transparent electrode. 제11항에서,In claim 11, 상기 빛구멍용 간격재는 상기 반사 전극과 대응하는 표시 장치.And the light hole spacer corresponds to the reflective electrode. 제6항에서,In claim 6, 상기 색필터는 상기 빛구멍용 간격재를 둘러싸는 제1 부분과 상기 빛구멍용 간격재 위에 형성되어 있는 제2 부분을 포함하고,The color filter includes a first portion surrounding the light hole spacer and a second portion formed on the light hole spacer, 상기 제1 부분과 제2 부분은 분리되어 있는 표시 장치.And the first portion and the second portion are separated.
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