KR20060129680A - Transflective liquid crystal display - Google Patents

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KR20060129680A
KR20060129680A KR1020050050283A KR20050050283A KR20060129680A KR 20060129680 A KR20060129680 A KR 20060129680A KR 1020050050283 A KR1020050050283 A KR 1020050050283A KR 20050050283 A KR20050050283 A KR 20050050283A KR 20060129680 A KR20060129680 A KR 20060129680A
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한관영
김세민
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삼성전자주식회사
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Abstract

A semi-transmission type of LCD is provided to prevent the yellowing of screen, by forming blue color filters to have larger thicknesses than green color filters and red color filters. Gate lines and data lines(171) are formed above a first substrate(110). Thin film transistors are electrically connected to the gate and data lines. Pixel electrodes(190) are connected to the thin film transistors, wherein each of the pixel electrodes has a transmission electrode(192) and a reflection electrode(194). A second substrate(210) is opposite to the first substrate. A plurality of color filters(230) are formed above the second substrate. The color filters include a plurality of red color filters, a plurality of green color filters, and a plurality of blue color filters. The blue color filters have thicker than the green color filters and the red color filters.

Description

반투과형 액정 표시 장치{TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Transflective Liquid Crystal Display {TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3은 각각 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ' 선 및 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views of the liquid crystal display shown in FIG. 1 taken along the lines II-II 'and III-III', respectively.

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 반투과형(transflective) 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to liquid crystal displays, and more particularly to transflective liquid crystal displays.

일반적으로 액정 표시 장치는 전계 생성 전극과 편광판이 구비된 한 쌍의 표시판 사이에 위치한 액정층을 포함한다. 전계 생성 전극은 액정층에 전계를 생성하고 이러한 전계의 세기가 변화함에 따라 액정 분자들의 배열이 변화한다. 예를 들면, 전계가 인가된 상태에서 액정층의 액정 분자들은 그 배열을 변화시켜 액정층을 지나는 빛의 편광을 변화시킨다. 편광판은 편광된 빛을 적절하게 차단 또는 투과시켜 밝고 어두운 영역을 만들어냄으로써 원하는 영상을 표시한다.In general, a liquid crystal display device includes a liquid crystal layer positioned between a field generating electrode and a pair of display panels provided with a polarizing plate. The field generating electrode generates an electric field in the liquid crystal layer and the arrangement of the liquid crystal molecules changes as the intensity of the electric field changes. For example, in the state where an electric field is applied, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer change its arrangement to change the polarization of light passing through the liquid crystal layer. The polarizer displays a desired image by appropriately blocking or transmitting polarized light to create bright and dark areas.

액정 표시 장치는 스스로 발광하지 못하는 수광형 표시 장치이므로 별개로 구비된 후광 장치(backlight unit)의 램프에서 나오는 빛을 액정층을 통과시키거나 자연광 등 외부에서 들어오는 빛을 액정층을 일단 통과시켰다가 다시 반사하여 액정층을 다시 통과시킨다. 전자의 경우를 투과형(transmissive) 액정 표시 장치라 하고 후자의 경우를 반사형(reflective) 액정 표시 장치라 하는데, 후자의 경우는 주로 중소형 표시 장치에 사용된다. 또한 환경에 따라 후광 장치를 사용하기도 하고 외부광을 사용하기도 하는 반투과형 또는 반사-투과형 액정 표시 장치가 개발되어 주로 중소형 표시 장치에 적용되고 있다.Since the liquid crystal display is a light-receiving display device that does not emit light by itself, light from a lamp of a separately provided backlight unit passes through the liquid crystal layer, or light from external sources such as natural light passes through the liquid crystal layer once again. Reflects and passes the liquid crystal layer again. The former case is called a transmissive liquid crystal display device, and the latter case is called a reflective liquid crystal display device. The latter case is mainly used for small and medium size display devices. In addition, a semi-transmissive or reflective-transmissive liquid crystal display device using either a backlight device or an external light is developed according to the environment, and is mainly applied to a small and medium display device.

반투과형 액정 표시 장치의 경우 각 화소에 투과 영역과 반사 영역을 두는데, 투과 영역에서는 빛이 액정층을 한 번만 통과하고 반사 영역에서는 두 번 통과한다. 이러한 액정층의 통과 회수의 차이는 통과한 빛의 편광 상태에 영향을 준다.In the transflective liquid crystal display, each pixel includes a transmission area and a reflection area. In the transmission area, light passes through the liquid crystal layer only once and twice in the reflection area. The difference in the number of passes of the liquid crystal layer affects the polarization state of the light passing through.

따라서 이를 해소하기 위하여 이중 셀간격 방식 및 이중 전압 방식이 사용되고 있다. 이중 셀간격은 반사 영역의 셀 간격과 투과 영역의 셀 간격을 서로 다르게 하는 기술로 투과 영역의 셀 간격을 반사 영역 셀 간격의 2배 정도가 되도록 형성한다. 이중 전압 방식은 반사 영역과 투과 영역에 서로 다른 전압을 가하는 기술이다. 이들은 빛이 액정층을 통과할 때, 편광 상태에 영향을 주는 액정의 굴절률 이방성 값과 셀 간격의 값을 반사 영역(RA)과 투과 영역(TA)에서 다르게 함으로써 두 영역에서의 빛의 편광 상태를 서로 근사시키는 기술이다.Therefore, in order to solve this problem, a double cell spacing method and a double voltage method are used. The double cell spacing is a technique of differentiating the cell spacing of the reflection region and the cell spacing of the transmission region so that the cell spacing of the transmission region is about twice the cell spacing of the reflection region. The dual voltage method is a technique of applying different voltages to the reflection area and the transmission area. When the light passes through the liquid crystal layer, they change the polarization state of the light in the two regions by varying the refractive index anisotropy value and the cell spacing value in the reflection region RA and the transmission region TA that affect the polarization state. It is a technique that approximates each other.

그런데, 이중 셀간격 기술의 경우 박막 트랜지스터 표시판의 덮개막을 이용하여 셀 간격을 조절하는 방식과 공통 전극 표시판 위의 덮개막을 이용하여 셀 간 격을 조절하는 방식이 있다. 이중 공통 전극 표시판의 덮개막을 이용하여 셀 간격을 조절하는 방식이 제작이 용이하고 수율이 높다. 그러나 이러한 방식으로 셀 간격을 조절하면 셀 간격의 차에 의하여 표시 화면이 황색화(yellowish)되기 쉽다.However, in the case of the dual cell spacing technology, there are a method of controlling cell spacing using an overcoat of a thin film transistor array panel and a method of adjusting cell spacing using an overcoat on a common electrode display panel. The method of controlling cell spacing using the overcoat of the common electrode display panel is easy to manufacture and has a high yield. However, if the cell spacing is adjusted in this manner, the display screen may be yellowish due to the difference in cell spacing.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 표시화면의 황색화를 해결하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that solves the yellowing of the display screen.

이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 투과 영역과 반사 영역을 가지는 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선 및 데이터선, 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며, 투명 전극과 반사 전극을 가지는 화소 전극, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 그리고 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터를 포함하며, 상기 복수의 색필터는 복수의 적색 색필터, 복수의 녹색 색필터, 그리고 복수의 청색 색필터를 포함하고, 상기 청색 색필터의 두께는 상기 녹색 색필터와 적색 색필터 각각의 두께보다 두껍다.According to an embodiment of the present invention, a liquid crystal display device having a transmissive region and a reflective region includes a first substrate, a gate line and a data line formed on the first substrate, and a gate line and a data line. A thin film transistor connected to the thin film transistor, a pixel electrode having a transparent electrode and a reflective electrode, a second substrate facing the first substrate, and a plurality of color filters formed on the second substrate; The plurality of color filters may include a plurality of red color filters, a plurality of green color filters, and a plurality of blue color filters, and the thickness of the blue color filter is thicker than that of each of the green color filter and the red color filter. .

상기 청색 색필터의 두께는 상기 녹색 색필터와 적색 색필터 각각의 두께보다 약 2% 내지 약20% 두꺼울 수 있다.The thickness of the blue color filter may be about 2% to about 20% thicker than the thickness of each of the green and red color filters.

상기 투명 전극은 상기 반사 영역 및 상기 투과 영역에 배치되어 있고, 상기 반사 전극은 상기 반사 영역에 배치되어 있다.The transparent electrode is disposed in the reflective region and the transmissive region, and the reflective electrode is disposed in the reflective region.

상기 반사 전극은 상기 투명 전극 위에 형성되어 있다.The reflective electrode is formed on the transparent electrode.

상기 액정 표시 장치는 상기 박막 트랜지스터와 화소 전극 사이에 형성되어 있는 상부 보호막 및 하부 보호막을 더 포함할 수 있다.The liquid crystal display may further include an upper passivation layer and a lower passivation layer formed between the thin film transistor and the pixel electrode.

상기 상부 보호막의 표면에는 요철이 형성될 수 있다.Unevenness may be formed on a surface of the upper passivation layer.

상기 액정 표시 장치는 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재를 더 포함할 수 있다.The liquid crystal display may further include a light blocking member formed on the second substrate.

상기 액정 표시 장치는 상기 색필터 위에 형성되어 있는 덮개막을 더 포함할 수 있고, 상기 덮개막의 두께는 반사 영역에서보다 투과 영역에서 얇아서 투과 영역에서의 셀 간격은 반사 영역에서의 셀 간격의 약 2배이다.The liquid crystal display may further include an overcoat formed on the color filter, wherein the overcoat is thinner in the transmissive region than in the reflective region so that the cell spacing in the transmissive region is about twice the cell spacing in the reflective region. to be.

상기 액정 표시 장치는 상기 덮개막 위에 형성되어 있는 공통전극을 더 포함할 수 있다.The liquid crystal display may further include a common electrode formed on the overcoat.

상기 액정 표시 장치는 상기 제1 기판의 외부에 배치되어 있는 후광 장치를 더 포함할 수 있다.The liquid crystal display may further include a backlight device disposed outside the first substrate.

상기 후광 장치는 백색 엘이디를 포함할 수 있다.The backlight device may include a white LED.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함 한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, area, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

이제 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2 및 도 3은 각각 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ' 선 및 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are each cut along the lines II-II 'and III-III' of the liquid crystal display shown in FIG. It is a cross section.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.The liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a thin film transistor array panel 100 facing each other, a common electrode panel 200, and a liquid crystal layer 3 interposed between the two display panels 100 and 200.

먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the thin film transistor array panel 100 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding upward and end portions 129 having a large area for connection with another layer or an external driving circuit. A gate driving circuit (not shown) for generating a gate signal may be mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110 or directly mounted on the substrate 110, It may be integrated into the substrate 110. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121) 중 아래쪽에 가깝다. 유지 전극선(131)은 아래위로 확장된 확장부(expansion)(137)를 포함한다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.The storage electrode line 131 receives a predetermined voltage and almost extends in parallel with the gate line 121. Each storage electrode line 131 is positioned between two adjacent gate lines 121 and is close to a lower side of the two gate lines 121. The storage electrode line 131 includes an expansion 137 extending up and down. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 may be modified in various ways.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전 체로 만들어질 수 있다.The gate line 121 and the storage electrode line 131 may be formed of aluminum-based metal such as aluminum (Al) or aluminum alloy, silver-based metal such as silver (Ag) or silver alloy, copper-based metal such as copper (Cu) or copper alloy, or molybdenum ( It may be made of molybdenum-based metals such as Mo) or molybdenum alloy, chromium (Cr), tantalum (Ta) and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a metal having low resistivity, such as aluminum-based metal, silver-based metal, or copper-based metal, so as to reduce signal delay or voltage drop. On the other hand, other conductive films are made of other materials, particularly materials having excellent physical, chemical and electrical contact properties with indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum, and the like. Good examples of such a combination include a chromium bottom film, an aluminum (alloy) top film, and an aluminum (alloy) bottom film and a molybdenum (alloy) top film. However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may be made of various other metals or conductors.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다. 선형 반도체(151)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭넓게 덮고 있다.A plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si) or polysilicon are formed on the gate insulating layer 140. The linear semiconductor 151 mainly extends in the longitudinal direction and includes a plurality of projections 154 extending toward the gate electrode 124. The linear semiconductor 151 has a wider width in the vicinity of the gate line 121 and the storage electrode line 131 and covers them widely.

반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.A plurality of linear and island ohmic contacts 161 and 165 are formed on the semiconductor 151. The ohmic contacts 161 and 165 may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus are heavily doped, or may be made of silicide. The linear ohmic contact 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusion 163 and the island-type ohmic contact 165 are paired and disposed on the protrusion 154 of the semiconductor 151.

반도체(154)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80°정도이다.Side surfaces of the semiconductor 154 and the ohmic contacts 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 ° to 80 °.

저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 이로부터 분리되어 있는 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 separated therefrom are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating layer 140.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and an end portion 179 having a large area for connection with another layer or an external driving circuit. A data driving circuit (not shown) for generating a data signal is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or integrated in the substrate 110. Can be. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

드레인 전극(175)은 데이터 선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다. 각 드레인 전극(175)은 면적이 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 가지고 있다. 넓은 끝 부분은 유지 전극선(131)의 확장부(137)와 중첩하며, 막대형 끝 부분은 구부러진 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 with respect to the gate electrode 124. Each drain electrode 175 has one end portion having a large area and the other end portion having a rod shape. The wide end overlaps the extension 137 of the storage electrode line 131, and the rod-shaped end is partially surrounded by the bent source electrode 173.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the protrusion 154 of the semiconductor 151 form one thin film transistor (TFT). A channel of the transistor is formed in the protrusion 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The data line 171 and the drain electrode 175 are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and include a refractory metal film (not shown) and a low resistance conductive film. It may have a multilayer structure including (not shown). Examples of the multilayer structure include a double layer of chromium or molybdenum (alloy) lower layer and an aluminum (alloy) upper layer, and a triple layer of molybdenum (alloy) lower layer and aluminum (alloy) interlayer and molybdenum (alloy) upper layer. However, the data line 171 and the drain electrode 175 may be made of various metals or conductors.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.The side of the data line 171 and the drain electrode 175 may also be inclined at an inclination angle of about 30 ° to about 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(163, 165)는 그 하부의 반도체(154)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 준다. 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)의 너비가 데이터선(171)의 너비보다 작지만, 앞서 설명하였듯이 게이트선(121)과 만나는 부분에서 너비가 넓어져 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지한다. 반도체(154)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The ohmic contacts 163 and 165 exist only between the semiconductor 154 below and the data line 171 and the drain electrode 175 thereon to lower the contact resistance. In most places, the width of the linear semiconductor 151 is smaller than the width of the data line 171. However, as described above, the width of the linear semiconductor 151 is widened at the portion where it meets the gate line 121 to smooth the profile of the surface. Prevents disconnection. The semiconductor 154 includes portions exposed between the source electrode 173 and the drain electrode 175 and not covered by the data line 171 and the drain electrode 175.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 하부막(180p)과 유기 절연물로 만들어진 상부막 (180q)을 포함한다. 상부 보호막(180q)은 4.0 이하의 유전 상수를 가지는 것이 바람직하고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있으며 그 표면에는 요철이 형성되어 있다. 그러나 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어진 단일막 구조를 가질 수도 있다. 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 확장부(129, 179)가 형성되어 있는 패드부에는 상부 보호막(180q)이 제거되어 있으며 하부 보호막(180p)만 남아 있다.A passivation layer 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed semiconductor 154. The passivation layer 180 includes a lower layer 180p made of an inorganic insulator such as silicon nitride or silicon oxide and an upper layer 180q made of an organic insulator. The upper passivation layer 180q preferably has a dielectric constant of 4.0 or less, may have photosensitivity, and irregularities are formed on a surface thereof. However, the passivation layer 180 may have a single layer structure made of an inorganic insulator or an organic insulator. The upper passivation layer 180q is removed and only the lower passivation layer 180p remains on the pad portion where the extension portions 129 and 179 of the gate line 121 and the data line 171 are formed.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.In the passivation layer 180, a plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end portion 179 and the drain electrode 175 of the data line 171 are formed, respectively, and the passivation layer 180 and the gate insulating layer are formed. A plurality of contact holes 181 exposing the end portion 129 of the gate line 121 are formed at 140.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.A plurality of pixel electrodes 190 and a plurality of contact assistants 81 and 82 are formed on the passivation layer 180.

각 화소 전극(190)은 상부 보호막(180q)의 요철을 따라 굴곡이 져 있고, 투명 전극(192) 및 그 위의 반사 전극(194)을 포함한다. 투명 전극(192)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어지고, 반사 전극(194)은 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어진다. 그러나 반사 전극(194)은 알루미늄, 은, 또는 그 합금 등 저저항 반사성 상부막과 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 ITO 또는 IZO와 접촉 특성이 좋은 하부막의 이중막 구조를 가질 수 있다.Each pixel electrode 190 is curved along the unevenness of the upper passivation layer 180q and includes a transparent electrode 192 and a reflective electrode 194 thereon. The transparent electrode 192 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, and the reflective electrode 194 is made of a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof. However, the reflective electrode 194 may have a double layer structure of a low resistance reflective upper layer such as aluminum, silver, or an alloy thereof, and a lower layer having good contact properties with ITO or IZO such as molybdenum-based metal, chromium, tantalum, and titanium.

반사 전극(194)은 투명 전극(192) 일부 위에만 존재하여 투명 전극(192)의 다른 부분을 노출한다.The reflective electrode 194 is present only on a portion of the transparent electrode 192 to expose another portion of the transparent electrode 192.

화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(190)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 "액정 축전기(liquid crystal capacitor)"라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 190 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 and receives a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 190 to which the data voltage is applied is formed between the two electrodes 191 and 270 by generating an electric field together with the common electrode 270 of the common electrode display panel 200 to which the common voltage is applied. The direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 is determined. The polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 varies according to the direction of the liquid crystal molecules determined as described above. The pixel electrode 190 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter, referred to as a "liquid crystal capacitor") to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 액정층(3) 등을 포함하는 반투과형 액정 표시 장치는 투명 전극(192) 및 반사 전극(194)에 의하여 각각 정의되는 투과 영역(TA) 및 반사 영역(RA)으로 구획될 수 있다. 구체적으로는, 투명 전극(192)의 노출된 부분 아래위에 위치하는 부분은 투과 영역(TA)이 되고, 반사 전극(194) 아래위에 위치하는 부분은 반사 영역(RA)이 된다.The transflective liquid crystal display device including the thin film transistor array panel 100, the common electrode display panel 200, the liquid crystal layer 3, and the like is a transmissive area TA defined by the transparent electrode 192 and the reflective electrode 194, respectively. And a reflection area RA. Specifically, the portion located below the exposed portion of the transparent electrode 192 becomes the transmission area TA, and the portion located below the reflective electrode 194 becomes the reflection area RA.

투과 영역(TA)에서는 액정 표시 장치의 뒷면, 즉 박막 트랜지스터 표시판(100) 쪽에서 입사된 빛이 액정층(3)을 통과하여 앞면, 즉 공통 전극 표시판(200) 쪽으로 나옴으로써 표시를 수행한다. 반사 영역(RA)에서는 앞면에서 들어온 빛이 액정층(3)으로 들어왔다가 반사 전극(194)에 의하여 반사되어 액정층(3)을 다시 통과하여 앞면으로 나옴으로써 표시를 수행한다. 이때, 반사 전극(194)의 굴곡은 빛 의 반사효율을 높여 준다.In the transmissive area TA, light is incident on the back side of the liquid crystal display, that is, the thin film transistor array panel 100, passes through the liquid crystal layer 3 and exits the front side, that is, toward the common electrode display panel 200. In the reflective area RA, the light enters the liquid crystal layer 3, enters the liquid crystal layer 3, is reflected by the reflective electrode 194, passes through the liquid crystal layer 3, and exits to the front surface. At this time, the bending of the reflective electrode 194 increases the reflection efficiency of the light.

화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(200)의 공통 전극(270)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(190)과 공통 전극은 축전기를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 190 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 and receives a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 190 to which the data voltage is applied generates an electric field together with the common electrode 270 (not shown) of the other display panel 200 to which the common voltage is applied, thereby generating a liquid crystal layer 3 between the two electrodes. Direction of the liquid crystal molecules. The polarization of light passing through the liquid crystal layer varies according to the direction of the liquid crystal molecules determined as described above. The pixel electrode 190 and the common electrode form a capacitor to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 and the external device.

화소 전극(190) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 "유지 축전기(storage capacitor)"라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.A capacitor in which the pixel electrode 190 and the drain electrode 175 electrically connected thereto overlap with the storage electrode line 131 is referred to as a "storage capacitor", and the storage capacitor enhances the voltage holding capability of the liquid crystal capacitor. .

다음, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the common electrode display panel 200 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연 물질로 이루어진 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 전극(190) 사이의 빛샘을 방지하고 화소 전극(190)과 마주 보는 개구 영역을 정의한다.A light blocking member 220 is formed on a substrate 210 made of an insulating material such as transparent glass or plastic. The light blocking member 220 prevents light leakage between the pixel electrodes 190 and defines an opening area facing the pixel electrode 190.

기판(210) 및 차광 부재(220) 위에는 색필터(230)가 형성되어 있으며, 색필터(230)는 차광 부재(220)가 정의하는 개구 영역 내에 거의 들어가도록 배치되어 있다.The color filter 230 is formed on the substrate 210 and the light blocking member 220, and the color filter 230 is disposed to substantially enter the opening region defined by the light blocking member 220.

색필터(230)는 염색법, 분산법, 전착법, 인쇄법 등으로 만들어지는데, 예를 들면 사진 공정을 이용한 안료 분사법을 사용할 수 있다. 색필터(230)는 청색, 녹색, 적색의 삼원색 등 기본색(primary color)을 나타낼 수 있는데, 청색, 녹색, 적색의 삼원색 색필터(230)를 두는 경우 청색 색필터의 두께가 녹색 색필터 및 적색 색필터의 두께보다 약 2% 내지 약 20% 정도 두껍다. 또한, 색필터(230)에 포함된 안료는 기존보다 약 2% 내지 20% 많을 수 있다.The color filter 230 is made of a dyeing method, a dispersion method, an electrodeposition method, a printing method, or the like. For example, a pigment spray method using a photographic process may be used. The color filter 230 may represent primary colors such as three primary colors of blue, green, and red. When the three primary color filters 230 of blue, green, and red are provided, the thickness of the blue color filter may be a green color filter, It is about 2% to about 20% thicker than the thickness of the red color filter. In addition, the pigment included in the color filter 230 may be about 2% to 20% more than conventional.

색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 유기물로 만들어진 덮개막(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)의 두께는 반사 영역(RA)에서보다 투과 영역(TA)에서 얇아서, 투과 영역(TA)에서의 셀 간격이 반사 영역(RA)에서의 셀 간격의 약 2배이다. 따라서 반사 영역(RA)과 투과 영역(TA)에서 액정층(3)을 통과하는 빛의 광로차에 의한 영향을 보상할 수 있다.An overcoat 250 made of an organic material is formed on the color filter 230 and the light blocking member 220. The thickness of the overcoat 250 is thinner in the transmission area TA than in the reflection area RA, so that the cell spacing in the transmission area TA is about twice the cell spacing in the reflection area RA. Therefore, the influence of the optical path difference of the light passing through the liquid crystal layer 3 in the reflection area RA and the transmission area TA may be compensated for.

덮개막(250) 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.The common electrode 270 made of a transparent conductive material such as ITO or IZO is formed on the overcoat 250.

표시판(100, 200)의 안쪽 면 위에는 액정층(3)을 배향하기 위한 배향막(alignment layer)(도시하지 않음)이 도포되어 있으며, 표시판(100, 200)의 바깥 면에는 하나 이상의 편광자(polarizer)(도시하지 않음)가 구비되어 있다.An alignment layer (not shown) is disposed on the inner surfaces of the display panels 100 and 200, and one or more polarizers are disposed on the outer surfaces of the display panels 100 and 200. (Not shown) is provided.

액정층(3)은 수직 배향 또는 수평 배향되어 있다.The liquid crystal layer 3 is vertically or horizontally aligned.

액정 표시 장치는 또한 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 떠받쳐서 둘 사이에 간극(間隙)을 만드는 복수의 탄성 간격재(spacer)(도시하지 않음)를 더 포함한다.The liquid crystal display further includes a plurality of elastic spacers (not shown) that hold the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200 to form a gap therebetween.

액정 표시 장치는 또한 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 결합하는 밀봉재(sealant)(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다. 밀봉재는 공통 전극 표시판(200)의 가장자리에 위치한다.The liquid crystal display may further include a sealant (not shown) for coupling the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200. The sealing material is positioned at the edge of the common electrode display panel 200.

한편, 액정 표시 장치는 후광 장치(900)를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 후광 장치(900)는 백색 엘이디를 포함할 수 있다. 백색 엘이디는 청색 엘이디에 황색 형광체를 첨가하여 백색의 광을 공급하는 광원으로서 소형으로 제작이 가능하고 소비전력이 적으므로 경량, 박형화를 요구하는 소형 액정표시장치에 많이 사용된다. 본 발명의 한 실시예에서 사용한 백색 엘이디에는 기존보다 약 2% 내지 20% 적은 황색 형광체가 첨가될 수 있다.The liquid crystal display may further include a backlight device 900. In one embodiment of the invention, the backlight device 900 may include a white LED. White LED is a light source that supplies white light by adding a yellow phosphor to a blue LED, which can be manufactured in small size, and is used in small liquid crystal display devices requiring light weight and thinning since power consumption is low. In the white LED used in one embodiment of the present invention, about 2% to 20% less yellow phosphor may be added.

본 발명에 의하면, 이중 셀간격 방식을 사용한 반투과형 액정 표시 장치의 화면의 황색화를 감소시킬 수 있다.According to the present invention, yellowing of the screen of the transflective liquid crystal display device using the double cell spacing method can be reduced.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (12)

투과 영역과 반사 영역을 가지는 액정 표시 장치로서,A liquid crystal display device having a transmission area and a reflection area, 제1 기판,First substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선 및 데이터선,A gate line and a data line formed on the first substrate; 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터,A thin film transistor connected to the gate line and the data line, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며, 투명 전극과 반사 전극을 가지는 화소 전극,A pixel electrode connected to the thin film transistor and having a transparent electrode and a reflective electrode, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 그리고A second substrate facing the first substrate, and 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터를 포함하며, It includes a plurality of color filters formed on the second substrate, 상기 복수의 색필터는 복수의 적색 색필터, 복수의 녹색 색필터, 그리고 복수의 청색 색필터를 포함하고, 상기 청색 색필터의 두께는 상기 녹색 색필터와 적색 색필터 각각의 두께보다 두꺼운 액정 표시 장치.The plurality of color filters includes a plurality of red color filters, a plurality of green color filters, and a plurality of blue color filters, wherein the thickness of the blue color filter is greater than that of each of the green and red color filters. Device. 제1항에서,In claim 1, 상기 청색 색필터의 두께는 상기 녹색 색필터와 적색 색필터 각각의 두께보다 약 2% 내지 약 20% 두꺼운 액정 표시 장치.The thickness of the blue color filter is about 2% to about 20% thicker than the thickness of each of the green color filter and the red color filter. 제1항에서,In claim 1, 상기 투명 전극은 상기 반사 영역 및 상기 투과 영역에 배치되어 있고, 상기 반사 전극은 상기 반사 영역에 배치되어 있는 액정 표시 장치.And the transparent electrode is disposed in the reflective region and the transmissive region, and the reflective electrode is disposed in the reflective region. 제3항에서,In claim 3, 상기 반사 전극은 상기 투명 전극 위에 형성되어 있는 액정 표시 장치.And the reflective electrode is formed on the transparent electrode. 제1항에서,In claim 1, 상기 박막 트랜지스터와 화소 전극 사이에 형성되어 있는 상부 보호막 및 하부 보호막을 더 포함하는 액정 표시 장치.And an upper passivation layer and a lower passivation layer formed between the thin film transistor and the pixel electrode. 제5항에서,In claim 5, 상기 상부 보호막의 표면에는 요철이 형성되어 있는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device having irregularities formed on a surface of the upper passivation layer. 제1항에서,In claim 1, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재를 더 포함하는 액정 표시 장치.And a light blocking member formed on the second substrate. 제1항에서,In claim 1, 상기 색필터 위에 형성되어 있는 덮개막을 더 포함하는 액정 표시 장치.The liquid crystal display device further comprising an overcoat formed on the color filter. 제8항에서,In claim 8, 상기 덮개막의 두께는 반사 영역에서보다 투과 영역에서 얇아서, 투과 영역에서의 셀 간격은 반사 영역에서의 셀 간격의 약 2배인 액정 표시 장치.The thickness of the overcoat is thinner in the transmissive region than in the reflective region, so that the cell spacing in the transmissive region is about twice the cell spacing in the reflective region. 제8항에서,In claim 8, 상기 덮개막 위에 형성되어 있는 공통전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.And a common electrode formed on the overcoat. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 기판의 외부에 배치되어 있는 후광 장치를 더 포함하는 액정 표시 장치.And a backlight device disposed outside the first substrate. 제11항에서,In claim 11, 상기 후광 장치는 백색 엘이디를 포함하는 액정 표시 장치.The backlight device includes a white LED.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020197746A (en) * 2014-05-28 2020-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device

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