KR20080052848A - Method for manufacturing the mobile communications terminal wrapping part, which and has a structure a vision with electrostatic discharge - Google Patents

Method for manufacturing the mobile communications terminal wrapping part, which and has a structure a vision with electrostatic discharge Download PDF

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KR20080052848A
KR20080052848A KR1020060124541A KR20060124541A KR20080052848A KR 20080052848 A KR20080052848 A KR 20080052848A KR 1020060124541 A KR1020060124541 A KR 1020060124541A KR 20060124541 A KR20060124541 A KR 20060124541A KR 20080052848 A KR20080052848 A KR 20080052848A
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김병삼
김동식
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(주)쓰리나인
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Abstract

A fabrication method of a mobile communication terminal wrapping unit having an electrostatic discharge and nonconducting structure is provided to form a multilayer deposition film through a PVD(Physical Vapor Deposition) method on a window as maintaining existing color as it is by controlling a nonresistive value on the window, thereby improving electrostatic discharge. A multilayer deposition film(230) comprises as follows. A buffer film(232) deposits a silicon oxide on a window panel(231). A lower insulation film(233) deposits a high-refraction oxide of titanium dioxide on the buffer film. An upper insulation film(234) deposits a low-refraction oxide of silicon dioxide on the lower insulation film. An antistatic chrome film(235) processes chrome into a thin film to deposit the processed film on the upper insulation film.

Description

정전방전 및 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법 {Method for manufacturing the mobile communications terminal wrapping part, which and has a structure a vision with electrostatic discharge}Method for manufacturing the mobile communications terminal wrapping part, which and has a structure a vision with electrostatic discharge}

도 1은 종래의 정전방전 테스트로써 정전기총으로 단말기에 정전기를 투입하는 상태를 나타내는 도면,1 is a view showing a state in which static electricity is injected into the terminal with an electrostatic gun as a conventional electrostatic discharge test,

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 다층 증착막 구조를 갖는 이동통신 단말기의 윈도우를 나타내는 단면도,2 is a cross-sectional view showing a window of a mobile communication terminal having a multilayer deposition film structure having an electrostatic discharge and a non-conductive structure according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 다층 증착막 구조를 나타내는 상세 단면도,3 is a detailed cross-sectional view showing a multilayer deposition film structure having an electrostatic discharge and a non-conductive structure according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 다층 증착막 구조를 갖는 이동통신 단말기의 윈도우 제조 방법을 나타내는 순서도,4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a window of a mobile communication terminal having a multilayer deposition film structure having an electrostatic discharge and a non-conductive structure according to an embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 다층막 증착장치를 나타내는 도면.5 is a view showing a multilayer film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

200 : 정전방전구조를 갖는 윈도우200: window having an electrostatic discharge structure

210 : 액정표시부 220 : 스크린 인쇄막210: liquid crystal display 220: screen printing film

230 : 다층 증착막 231 : 윈도우패널230: multilayer deposition film 231: window panel

232 : 버퍼막 233 : 하부 절연막232: buffer film 233: lower insulating film

234 : 상부 절연막 235 : 정전방지용 크롬합금막234: upper insulating film 235: antistatic chrome alloy film

240 : 아크릴 기판 500 : 다층막 증착장치240: acrylic substrate 500: multilayer film deposition apparatus

510 : 진공 챔버 520 : 플라즈마 이온빔510: vacuum chamber 520: plasma ion beam

530 : 돔 540 : 전자빔530: dome 540: electron beam

550 : 소재반입도가니 회전판 560 : 가스유량조절기550: material loading crucible rotating plate 560: gas flow controller

570 : 할로겐히터 580 : 두께보정판570: halogen heater 580: thickness compensation plate

590 : 열전대590: thermocouple

본 발명은 이동통신단말기 외장부품 중 화면표시부 상부에 안치되는 윈도우에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 윈도우에 비저항 값을 컨트롤하여 기존의 색상을 그대로 유지하면서, 물리기상증착(Physical Vapor Deposition; PVD)방식을 이용하여 윈도부에 다층 증착막을 형성함으로써, 정전기 방전을 개선할 수 있도록 한 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법 및 그 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a window placed on an upper portion of a screen display unit of a mobile communication terminal exterior part, and more specifically, to maintain a conventional color by controlling a resistivity value on a window, while using a physical vapor deposition (PVD) method. The present invention relates to a method and apparatus for manufacturing an exterior part of a mobile communication terminal having an electrostatic discharge and a non-conductive structure in which a multilayer deposition film is formed on a window to improve electrostatic discharge.

단말기를 생산하는 과정에 있어서, 단말기 성능 검증을 위한 다양한 검사가 이루어진다. 그중, 정전기를 인위적으로 발생시켜 단말기에 침투시킴으로써 단말기에 미치는 영향을 측정하는 정전방전(Electrostatic discharge : ESD) 테스트가 있다.In the process of producing a terminal, various tests are performed to verify the terminal performance. Among them, there is an electrostatic discharge (ESD) test that measures the effect on the terminal by artificially generating static electricity and infiltrating the terminal.

상기 정전방전 테스트는 단말기의 외면에 직접 정전기를 침투시키는 접촉방식과, 단말기로부터 일정거리 이격된 위치에서 정전기를 단말기에 침투시키는 비접촉방식이 있다.The electrostatic discharge test includes a contact method for penetrating static electricity directly to the outer surface of the terminal, and a non-contact method for penetrating the static electricity to the terminal at a predetermined distance from the terminal.

예를 들어, 단말기로 침투되는 정전기의 전압을 최대 20kV으로 설정하는 경우 정전방전 테스트의 결과를 살펴보면, 접촉방식은 8~10kV의 정전기 전압을 단말기에 침투시킨다. 그리고, 비접촉방식은 10~15kV의 정전기 전압을 단말기에 침투시킨다. 이러한 정전기는 단말기의 한 부분을 선택하여 침투시키더라도 주변 부품의 영향을 받아 침투경로가 변경되어 정전기를 외부로 방출시키거나 소멸시키는 것이 어렵다.For example, when setting the voltage of the static electricity penetrated into the terminal up to 20kV Looking at the results of the electrostatic discharge test, the contact method injects an electrostatic voltage of 8 ~ 10kV into the terminal. In addition, the non-contact method penetrates the terminal with an electrostatic voltage of 10-15 kV. Even if the static electricity is selected and penetrated by a part of the terminal, it is difficult to discharge or dissipate static electricity to the outside due to the influence of peripheral components.

또한 단말기에 침투되는 정전기는 어느 한 점에 뭉쳐 있다가 동시 다발적으로 확산되는 경우가 빈번하기 때문에 정전방전 테스트시 단말기에 포함된 부품에 영향을 끼칠 수도 있다.In addition, since the static electricity penetrating into the terminal is often diffused together at one point, it may affect the components included in the terminal during the electrostatic discharge test.

상술한 문제점을 도 1을 참고하여 살펴보면, 정전기총(13)을 이용하여 액정표시부(10)에 정전기를 침투시키면, 이 정전기는 이동통신 단말기의 서브(12) 및 메인 윈도우 부(11)를 통과하여 액정표시부(10)에 치명적인 손상을 준다.Referring to FIG. 1, when the static electricity is penetrated into the liquid crystal display 10 using the electrostatic gun 13, the static electricity passes through the sub 12 and the main window 11 of the mobile communication terminal. To damage the liquid crystal display 10.

한편, 최근 슬림화 추세에 의해서 단말기 외부에 설치되었단 안테나(14)가 인테나 방식을 통해서 단말기 내부에 설치되고 있다.Meanwhile, due to the recent slimming trend, an antenna 14 installed outside the terminal is installed inside the terminal through an intenna method.

따라서, 전도성 부품이 단말기 내부에 사용되는 경우, 수신주파수의 왜곡에 의해 수신감도 및 수신율의 저하가 초래되는 문제점이 있었다.Therefore, when the conductive part is used inside the terminal, there is a problem that the reception sensitivity and the reception rate decrease due to the distortion of the reception frequency.

상술한 문제점을 개선하기 위해 각종 방전용 테이프를 상기 서브 및 메인 액정표시부 주변에 부착하였지만, 이 방전용 테이프가 고가격이여서 생산비를 증가시켰다.In order to improve the above-mentioned problems, various discharge tapes were attached around the sub and main liquid crystal display portions, but the discharge tapes were expensive and the production cost was increased.

또한 정전기 방지를 위해 단말기 하우징의 내면과 액정표시부 모듈 사이에 그라운딩 시트를 부착하거나, 인쇄회로 기판에 각종 소자 및 그라운드 구조를 형성하였지만, 최근 생산ㆍ제조되는 단말기가 슬림화추세이기 때문에 별도의 부품을 추가하는데 공간적 제약이 따른다.In addition, a grounding sheet was attached between the inner surface of the terminal housing and the liquid crystal display module to prevent static electricity, and various elements and ground structures were formed on the printed circuit board. However, since the terminals manufactured and manufactured recently have been slimmer, additional components are added. There is a space limitation.

그리고, 종래에는 이동통신 단말기 외장부품에 전도성을 가진 케이스, 키패드, 키탑, 버튼 등의 사용되어 왔으나 슬림화 추세에 따라 인테나 개념의 안테나가 주종을 이루게 되어 수신주파수의 왜곡을 초래하는 전도성을 가진 부품의 사용은 불가능한 문제점이 있었다.In the related art, a case, a keypad, a key top, a button, etc., which have conductivity, have been used in exterior parts of a mobile communication terminal. There was a problem that was impossible to use.

상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 창안된 본 발명은, 윈도우에 비저항 값을 컨트롤하여 기존의 색상을 그대로 유지하면서, 윈도우에 물리기상증착방법을 통해 다층 증착막을 형성함으로써, 정전기 방전을 개선할 수 있는 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법 및 그 장치를 제공하는데 그 특징적인 목적이 있다.The present invention devised to solve the above problems, by controlling the resistivity value in the window to maintain the existing color, while forming a multilayer deposition film through the physical vapor deposition method on the window, it is possible to improve the electrostatic discharge A characteristic object of the present invention is to provide a method and apparatus for manufacturing a mobile communication terminal exterior part having an electrostatic discharge and a non-conductive structure.

또한, 본 발명은 20~500kΩㆍm의 비저항 값을 유지함으로써, 단말기의 정전방전 테스트시 정전기 침투로 인한 액정표시부의 손상을 방지할 수 있는데 그 목적이 있다.In addition, the present invention is to maintain a specific resistance value of 20 ~ 500kΩ · m, it is possible to prevent damage to the liquid crystal display part due to electrostatic penetration during the electrostatic discharge test of the terminal.

그리고, 본 발명은, 별도의 공간추가 없이 다층 증착막을 통해서 정전기를 방지할 수 있는데 그 목적이 있다.In addition, the present invention, there is an object that can prevent the static electricity through the multilayer deposition film without additional space.

상기 목적을 달성하기 위한 액정표시부(210)와, 후술되는 다층 증착막(230)을 보호하기 위한 스크린 인쇄를 통한 스크린 인쇄막(220)과, 윈도우(200)의 색상을 유지하는 다층 증착막(230)과, 저온 공정을 통해 생성된 아크릴 기판(240)으로 구성된 정전방전구조를 갖는 윈도우(200)에 있어서, 상기 다층 증착막(230)은, 윈도우패널(231)과, 상기 윈도우패널 상부에 산화규소(SiO)를 증착시키는 버퍼막(232)과, 상기 버퍼막 상부에 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시키는 하부 절연막(233)과, 상기 하부 절연막 상부에 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 증착시키는 상부 절연막(234)과, 크롬(Cr)합금을 박막처리하여 상기 상부 절연막 상부에 증착시키는 정전방지용 크롬합금막(235)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.The liquid crystal display 210 to achieve the above object, the screen printing film 220 through screen printing to protect the multilayer deposition film 230 to be described later, and the multilayer deposition film 230 to maintain the color of the window 200 And, in the window 200 having an electrostatic discharge structure composed of an acrylic substrate 240 produced through a low temperature process, the multilayer deposition film 230, the window panel 231, and the silicon oxide (top) on the window panel A buffer film 232 for depositing SiO), a lower insulating film 233 for depositing a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) on the buffer film, and a low refractive index of silicon dioxide (SiO 2 ) on the lower insulating film An upper insulating film 234 for depositing an oxide, and an antistatic chromium alloy film 235 for depositing a chromium (Cr) alloy on the upper insulating film.

또한, 상기 다층 증착막(230)은, 윈도우패널(231)과, 상기 윈도우패너 상부에 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시키는 하부 절연막(233)과, 상기 하부 절연막 상부에 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 증착시키는 상부 절연 막(234)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the multilayer deposition film 230 may include a window panel 231, a lower insulating film 233 for depositing a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) on the window panner, and silicon dioxide (SiO) on the lower insulating film. 2 ) an upper insulating film 234 for depositing a low refractive oxide.

한편, 정전방전구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법에 있어서, 산화규소(SiO) 재질의 버퍼막(232)을 증착시키는 공정; 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 형성하여 상기 버퍼막 상부에 하부 절연막(233)을 증착시키는 공정; 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 형성하여 상기 하부 절연막 상부에 상부 절연막(234)을 증착시키는 공정; 및 크롬(Cr)합금을 박막처리하여 상기 상부 절연막 상부에 정전방지용 크롬합금막(235)을 증착시키는 공정; 을 수행하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, a method of manufacturing a mobile communication terminal exterior parts having an electrostatic discharge structure, the method comprising: depositing a buffer film (232) made of silicon oxide (SiO) material; Forming a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) to deposit a lower insulating film 233 on the buffer film; Forming a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ) to deposit an upper insulating film 234 on the lower insulating film; And depositing an antistatic chromium alloy film 235 on the upper insulating film by thin-processing the chromium (Cr) alloy. It characterized in that to perform.

그리고, 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법에 있어서, 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 형성하여 윈도우패널(231) 상부에 하부 절연막(233)을 증착시키는 공정; 및 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 형성하여 상기 하부 절연막 상부에 상부 절연막(234)을 증착시키는 공정; 을 수행하는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing a mobile communication terminal exterior part having a non-conductive structure, comprising: forming a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) to deposit a lower insulating film 233 on the window panel 231; And forming a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ) to deposit an upper insulating film 234 on the lower insulating film. It characterized in that to perform.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

이에 앞서, 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다. Prior to this, when it is determined that the detailed description of the known function and the configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, it should be noted that the detailed description is omitted.

본 발명의 일실시예에 따른 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 윈도우에 관하여 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A window having an electrostatic discharge and a non-conductive structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3 as follows.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 다층 증착막 구조를 갖는 이동통신 단말기의 윈도우를 나타내는 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 다층 증착막 구조를 나타내는 상세 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a window of a mobile communication terminal having a multilayer deposition film structure having an electrostatic discharge and non-conducting structure according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a static discharge and non-conductive diagram according to an embodiment of the present invention It is a detailed sectional drawing which shows the multilayer vapor deposition film structure which has a structure.

먼저, 본 실시예에서는 정전방전구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품 중 다층 증착막을 갖는 윈도우에 대하여 기술하는 것으로 설정하였지만, 본 발명이 이에 한정되지 않고, 이동통신단말기의 케이스, 키패드, 키탑 또는 키버튼 등 모든 외장부품에도 사용가능하다.First, in the present embodiment, a window having a multi-layered deposition film of a mobile communication terminal exterior part having an electrostatic discharge structure is set to be described. However, the present invention is not limited thereto, and the case, keypad, key top, or key button of the mobile communication terminal are described. It can be used for all exterior parts.

도 2에 도시된 바와 같이 정전방전구조를 갖는 윈도우(200)는, 액정표시부(210)와, 후술되는 다층 증착막(230)을 보호하기 위한 스크린 인쇄를 통한 스크린 인쇄막(220)과, 윈도우(200)의 색상을 유지하는 다층 증착막(230)과, 저온 공정을 통해 생성된 아크릴 기판(240)으로 구성된다.As shown in FIG. 2, the window 200 having an electrostatic discharge structure includes a screen printing film 220 through screen printing to protect the liquid crystal display 210, the multilayer deposition film 230 described later, and a window ( It is composed of a multilayer deposition film 230 to maintain the color of the 200, and the acrylic substrate 240 produced through a low temperature process.

윈도우(200)는 다층 증착막(230)을 형성함으로써, 약 20~500kΩㆍm의 비저항값을 유지하는 바, 정전기총으로부터 발생하는 정전기를 직면하는 경우, 침투되는 다층 증착막(230)을 통과하면서 골고루 흡수 및 반사되어 정전기 방전의 효과를 가진다. 즉, 종래의 금속을 포함하는 윈도우는 매우 낮은 비저항값을 유지하므로, 정 전기가 침투되는 경우 단말기에 심각한 손상을 초래하였다.The window 200 maintains a specific resistance value of about 20 to 500 kΩ · m by forming the multilayer deposition film 230, and evenly passes through the multilayer deposition film 230 that penetrates when facing the static electricity generated from the electrostatic gun. It is absorbed and reflected to have the effect of electrostatic discharge. That is, the window including the conventional metal maintains a very low resistivity value, causing serious damage to the terminal when the static electricity is infiltrated.

또한, 상기 다층 증착막(230)은 물리기상증착방법을 이용하여 종래의 금속이 가지고 있는 고유의 반사색상의 유지가 가능하다.In addition, the multilayer deposition film 230 can maintain the inherent reflection color of a conventional metal by using a physical vapor deposition method.

도 3을 참고하여 상기 다층 증착막(230)을 구체적으로 살펴보면, 플라스틱 재질의 윈도우패널(231)과, 상기 윈도우패널(231) 상부에 산화규소(SiO)의 산화물(Oxide)을 증착시키는 버퍼(Buffer)막(232)과, 상기 버퍼막(232) 상부에 산화물을 증착시키는 하부 절연막(233)과, 상기 버퍼막(232) 상부에 산화물을 증착시키는 상부 절연막(234)과, 크롬(Cr)합금을 박막처리하여 상기 상부 절연막(234) 상부에 증착시키는 정전방지용 크롬합금막(235)으로 구성된다.Referring to FIG. 3, the multilayer deposition film 230 will be described in detail. A window panel 231 made of plastic and a silicon oxide (SiO) oxide are deposited on the window panel 231. ) Film 232, a lower insulating film 233 for depositing oxide on the buffer film 232, an upper insulating film 234 for depositing oxide on the buffer film 232, and chromium (Cr) alloy The antistatic chromium alloy film 235 is formed by depositing a thin film on the upper insulating film 234.

본 실시예에 있어서, 정전방전 구조를 갖기 위해서 상기 다층 증착막(230)은 상기 하부 절연막(233)이 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시키고, 상기 하부 절연막(233)상부에 상부 절연막(234)이 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 증착시킨다.In the present exemplary embodiment, in order to have an electrostatic discharge structure, the multilayer insulating film 230 deposits a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) on the lower insulating film 233, and an upper insulating film on the lower insulating film 233. 234 deposits a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ).

한편, 비전도 구조를 갖기 위한 다층 증착막(230)은 플라스틱 재질의 윈도우패널(231)과, 상기 윈도우패널(231) 상부에 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시키는 하부 절연막(233)과, 상기 하부 절연막(233) 상부에 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 교번하여 증착시킨다.Meanwhile, the multilayer deposition film 230 having a non-conductive structure includes a window panel 231 made of plastic, a lower insulating film 233 for depositing a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) on the window panel 231. The low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ) is alternately deposited on the lower insulating layer 233.

그리고, 상기 윈도우패널(231)은 저온공정의 PMMA(Poly Methyl Methacrylate) 및 PC(Poly Cabonate) 등의 플라스틱 기판으로 설정하였지만, 본 발 명이 이에 국한되지 않고 고온공정의 알루미늄 및 니켈 등을 포함하는 금속 기판으로도 사용가능하다.In addition, the window panel 231 is set to a plastic substrate such as polymethyl methacrylate (PMMA) and poly cabonate (PC) in a low temperature process, but the present invention is not limited thereto. It can also be used as a substrate.

이하, 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 다층 증착막 구조를 갖는 이동통신 단말기의 윈도우 제조 공정에 대해 도 4 및 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a window manufacturing process of a mobile communication terminal having a multilayer deposition film structure having an electrostatic discharge and a non-conductive structure will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 다층 증착막 구조를 갖는 이동통신 단말기의 윈도우 제조 방법을 나타내는 순서도이며, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 다층막 증착장치를 나타내는 도면이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a window of a mobile communication terminal having a multilayer deposition film structure having an electrostatic discharge and a non-conductive structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a multilayer film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows.

[제 1 공정 - 전처리(S410)] [ First Process-Pretreatment (S410) ]

우선, 정전방전 구조를 갖는 다층 증착막(230)은 도 4에 도시된 바와 같이, 열변형 온도가 100℃ 이상 되도록 PMMA 및 PC 재질의 플라스틱의 윈도우패널(231)을 열처리한 후(S411), 정전방지용 질소총(미도시)을 이용하여 상기 윈도우패널(231) 자체의 유기물질 및 대기상의 오염물질을 포함하는 이물질을 제거한다(S412).First, as shown in FIG. 4, the multilayer deposition film 230 having the electrostatic discharge structure heat-treats the window panel 231 made of PMMA and PC material so that the thermal deformation temperature is 100 ° C. or higher (S411). A foreign substance including organic substances and air pollutants on the window panel 231 itself is removed by using a nitrogen gun for prevention (S412).

다음으로, 도 5에 도시된 다층막 증착장치(500)를 이용하여 살펴보면, 상기 윈도우패널(231)을 진공 챔버(Chamber, 510)에 장입(裝入)하여 내부압력이 4.5×E-5 Torr 이하의 진공도가 되도록 배기(排氣)한다. 가스유량조절기(560)를 이용하여 아르곤(Ar)가스와 산소(O2)가스를 플라즈마 이온빔(Ion-Beam, 520)에 흘려보내면, 상기 두 가스(아르곤, 산소)가 혼합된 플라즈마(Plasma)를 형성한다(S413). Next, referring to the multilayer film deposition apparatus 500 illustrated in FIG. 5, the window panel 231 is charged into a vacuum chamber 510 to have an internal pressure of 4.5 × E-5 Torr or less. The evacuation is carried out so that the degree of vacuum is When argon (Ar) gas and oxygen (O 2 ) gas are flowed into the plasma ion beam (Ion-Beam, 520) by using the gas flow controller 560, the plasma (Plasma) mixed with the two gases (argon, oxygen) To form (S413).

즉, 상기 제 S413 단계를 수행함으로써, 상기 윈도우패널(231)에 잔존하는 수분을 제거하고, 표면조도(表面粗度)를 향상시킬 수 있다.That is, by performing the step S413, the moisture remaining in the window panel 231 can be removed, and the surface roughness can be improved.

이때 상기 제 S413 단계는, 도 5에 도시된 다층막 증착장치(500)에 윈도우패널(231)을 장입시켜 약 3분 정도 진행시키며, 플라즈마 이온빔(520)의 에너지는 150eV를 갖도록 유지시키고, 진공 챔버(510)의 온도는 80(±2)℃로 유지하는 것이 바람직하다.At this time, in step S413, the window panel 231 is inserted into the multilayer film deposition apparatus 500 shown in FIG. 5 and proceeds for about 3 minutes. The energy of the plasma ion beam 520 is maintained at 150 eV, and the vacuum chamber is performed. The temperature of 510 is preferably maintained at 80 (± 2) ° C.

[제 2 공정 - 버퍼막 증착(S420)] [The second step - the buffer layer deposition (S420)]

상기 제 1 공정인 전처리 단계를 수행한 이후에, 버퍼막(232)인 산화규소(SiO)를 증착시킨다.After performing the pretreatment step, the first process, silicon oxide (SiO), which is a buffer layer 232, is deposited.

본 실시예에서, 상기 버퍼막(232)의 재질을 산화규소(SiO)로 설정하였으나, 본 발명이 그 재질에 한정되는 것은 아니다.In this embodiment, the material of the buffer film 232 is set to silicon oxide (SiO), but the present invention is not limited to the material.

[제 3 공정 - 하부 절연막 증착(S430)] [ 3rd process-lower insulating film deposition (S430) ]

상기 제 2 공정을 통해서 산화규소(SiO)를 증착시킨 이후에, 절연특성을 갖는 산화물을 형성하여 상기 버퍼막(232) 상부에 하부 절연막(233)을 증착시킨다.After depositing silicon oxide (SiO) through the second process, an oxide having an insulating property is formed to deposit a lower insulating film 233 on the buffer film 232.

이때, 정전방전 구조를 갖기 위해서 물리기상증착방법을 이용하여 이산화티 타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시킨다.At this time, in order to have an electrostatic discharge structure, a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) is deposited using a physical vapor deposition method.

본 실시예에 있어서, 하부 절연막(233)을 형성하기 위해 다층막 증착장치(500)의 돔(530)을 일정한 속도로 회전시키고(S431), 플라즈마 이온빔(550)을 이용하여 소재반입도나기 회전판(550)에 담겨있는 상기 산화물의 불순물 및 수분을 제거하는 소크(Soak)과정을 수행한 후(S432), 진공 챔버(510) 내부의 진공도가 3.8×E-5 torr가 되면, 하부 절연막(233)을 증착시킨다.In this embodiment, in order to form the lower insulating film 233, the dome 530 of the multilayer film deposition apparatus 500 is rotated at a constant speed (S431), and the material loading or rotating plate (using the plasma ion beam 550) ( After performing a soak process for removing impurities and moisture of the oxide contained in 550 (S432), when the vacuum degree inside the vacuum chamber 510 becomes 3.8 × E-5 torr, the lower insulating film 233 Is deposited.

상기 제 3 공정을 수행하기 위해 진공 챔버(510)의 내부 온도는 80(±2)℃으로, 산화물의 증착속도는 3.0~8.0Å/sec으로, 가스유량조절기(560)를 조절하여 플라즈마 이온빔(520)으로 전달되는 산소(O2)의 양을 18~22sccm의 비율로 유지시키고, 플라즈마 이온빔(520)의 애노드 전압(Anode Voltage)은 150eV로, 애노드 전류(Anode Current)는 7.5~8.0A로, 전자빔(540)의 ACC 전압은 7.5kV로, 이산화티타늄(TiO2)의 방사전류(Emission Current)는 490(mA)로, 이산화규소(SiO2)의 방사전류(Emission Current)는 180(mA)로 설정되는 것이 바람직하나, 이는 제조 공정에 따른 다양한 변수들에 의해 변동되는 것은 자명한 바, 본 발명이 그 수치에 한정되는 것은 아니다.In order to perform the third process, the internal temperature of the vacuum chamber 510 is 80 (± 2) ° C., the deposition rate of the oxide is 3.0˜8.0 μs / sec, and the gas flow controller 560 is adjusted to control the plasma ion beam ( The amount of oxygen (O 2 ) delivered to 520 is maintained at a ratio of 18 to 22 sccm, and the anode voltage of the plasma ion beam 520 is 150 eV and the anode current is 7.5 to 8.0 A. The ACC voltage of the electron beam 540 is 7.5 kV, the emission current of titanium dioxide (TiO 2 ) is 490 (mA), and the emission current of silicon dioxide (SiO 2 ) is 180 (mA). It is preferable to set to), but it is obvious that it is changed by various variables according to the manufacturing process, and thus the present invention is not limited to the numerical values.

[제 4 공정 - 상부 절연막 증착(S440)] [Fourth step - depositing an upper insulating film (S440)]

상기 제 3 공정에서 하부 절연막(233)을 형성시킨 동일한 방식으로 절연특성을 갖는 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 형성한 후, 상기 하부 절연막(233) 상 부에 상부 절연막(234)을 증착시킨다.After forming the low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ) having insulating properties in the same manner in which the lower insulating film 233 is formed in the third process, the upper insulating film 234 is disposed on the lower insulating film 233. Deposit.

본 실시예에 있어서, 정전방전 구조를 갖는 경우에는 상기 하부 절연막(233)이 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시키고, 상기 상부 절연막(234)은 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 형성한다.In the present exemplary embodiment, when the electrostatic discharge structure is formed, the lower insulating film 233 deposits high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ), and the upper insulating film 234 is a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ). To form.

한편, 비전도 구조를 갖는 경우에는 상기 하부 절연막(233)이 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시키고, 상기 상부 절연막(234)은 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 형성한다.In the non-conductive structure, the lower insulating layer 233 deposits a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ), and the upper insulating layer 234 forms a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ).

[제 5 공정 - 정전방지용 크롬합금막 증착(S450)] [ 5th process-Antistatic chromium alloy film deposition (S450) ]

마지막으로, 상기 제 4 공정을 통해서 상기 상부 절연막(234)이 증착이 된 후, 크롬(Cr)합금을 박막처리하여 상기 상부 절연막(234) 상부에 정전방지용 크롬합금막(235)을 증착시킨다.Finally, after the upper insulating film 234 is deposited through the fourth process, the chromium (Cr) alloy is thin filmed to deposit an antistatic chromium alloy film 235 on the upper insulating film 234.

즉, 제 5 공정을 통해 정전방지용 크롬합금막(235)을 증착시킴으로써, 기존의 알루미늄(Al)보다 비저항 값은 약 12~13Ωm 정도 증가되고, 반사율은 60~75%가 증가된다. 따라서, 정전기 침투로 인한 메인 액정표시부의 손상을 방지할 수 있는 20~500kΩㆍm의 비저항값을 갖는다.That is, by depositing the antistatic chromium alloy film 235 through the fifth process, the specific resistance value is increased by about 12 ~ 13Ωm, and the reflectance is increased by 60 ~ 75% than conventional aluminum (Al). Therefore, it has a specific resistance value of 20 to 500 k? · M that can prevent damage to the main liquid crystal display part due to electrostatic penetration.

이때, 가스유랑조절기(560)를 이용하여 아르곤(Ar)가스와 산소(O2)가스의 양을 80:20의 비율로 정해 플라즈마 이온빔(520)으로 전송하고, 정전방지용 크롬합금 막(235)의 증착속도는 3.8~4.0Å/sec로, 전자빔(540)의 방사전류는 150~170mA로 유지시키는 것이 바람직하나, 이는 제조 공정에 따른 다양한 변수들에 의해 변동되는 것은 자명한 바, 본 발명이 그 수치에 한정되는 것은 아니다.At this time, the amount of argon (Ar) gas and oxygen (O 2 ) gas is determined using a gas flow regulator 560 at a ratio of 80:20 and transmitted to the plasma ion beam 520, and the antistatic chromium alloy film 235 is provided. The deposition rate of 3.8 ~ 4.0 Å / sec, the radiation current of the electron beam 540 is preferably maintained at 150 ~ 170mA, which is obviously to be changed by various variables depending on the manufacturing process, the present invention It is not limited to the numerical value.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법 및 그 장치는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니다.The method and apparatus for manufacturing a mobile communication terminal exterior part having an electrostatic discharge and a non-conductive structure according to the present invention described above do not depart from the technical spirit of the present invention for those skilled in the art. Various substitutions, modifications, and changes are possible without departing from the scope of the invention and the accompanying drawings.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 상기에서 설명한 바와 같이 본 발명은 이동통신 단말기의 정전방전 테스트시 정전기총으로부터 쏘아진 정전기를 기존의 메탈이 아닌 다층 증착막을 형성함으로써, 메탈 고유의 반사색상을 그대로 유지하면서 정전기를 방전하는 그 특유의 효과를 가진다. According to the present invention as described above, the present invention, as described above, by forming a multi-layered deposition film of the electrostatic discharged from the electrostatic gun during the electrostatic discharge test of the mobile communication terminal, rather than the existing metal, the metal inherent reflection color is maintained as it is While having a distinctive effect of discharging static electricity.

그리고, 본 발명은 별도의 공간을 차지하지 않아 단말기의 슬림화가 가능하기 때문에 공간적인 제약에 구애받지 않는 효과도 있다.In addition, since the present invention does not occupy a separate space, the terminal can be made slim, and thus there is an effect not to be limited by space.

Claims (7)

액정표시부(210)와, 후술되는 다층 증착막(230)을 보호하기 위한 스크린 인쇄를 통한 스크린 인쇄막(220)과, 윈도우(200)의 색상을 유지하는 다층 증착막(230)과, 저온 공정을 통해 생성된 아크릴 기판(240)으로 구성된 정전방전구조를 갖는 윈도우(200)에 있어서, Through the screen printing film 220 through screen printing to protect the liquid crystal display 210, the multilayer deposition film 230 to be described later, the multilayer deposition film 230 to maintain the color of the window 200, and a low temperature process In the window 200 having an electrostatic discharge structure composed of the acrylic substrate 240, 상기 다층 증착막(230)은,The multilayer deposition film 230, 윈도우패널(231)과, 상기 윈도우패널 상부에 산화규소(SiO)를 증착시키는 버퍼막(232)과, 상기 버퍼막 상부에 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시키는 하부 절연막(233)과, 상기 하부 절연막 상부에 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 증착시키는 상부 절연막(234)과, 크롬(Cr)합금을 박막처리하여 상기 상부 절연막 상부에 증착시키는 정전방지용 크롬합금막(235)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 정전방전구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품.A window panel 231, a buffer film 232 for depositing silicon oxide (SiO) on the window panel, a lower insulating film 233 for depositing high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) on the buffer film; And an upper insulating film 234 for depositing a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ) on the lower insulating film, and an antistatic chromium alloy film 235 for depositing a chromium (Cr) alloy on the upper insulating film. Mobile communication terminal exterior parts having an electrostatic discharge structure, characterized in that consisting of. 액정표시부(210)와, 후술되는 다층 증착막(230)을 보호하기 위한 스크린 인쇄를 통한 스크린 인쇄막(220)과, 윈도우(200)의 색상을 유지하는 다층 증착막(230)과, 저온 공정을 통해 생성된 아크릴 기판(240)으로 구성된 비전도구조를 갖는 윈도우(200)에 있어서, Through the screen printing film 220 through screen printing to protect the liquid crystal display 210, the multilayer deposition film 230 to be described later, the multilayer deposition film 230 to maintain the color of the window 200, and a low temperature process In the window 200 having a non-conductive structure composed of the acrylic substrate 240, 상기 다층 증착막(230)은,The multilayer deposition film 230, 윈도우패널(231)과, 상기 윈도우패너 상부에 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 증착시키는 하부 절연막(233)과, 상기 하부 절연막 상부에 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 증착시키는 상부 절연막(234)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품.A window panel 231, a lower insulating film 233 for depositing a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) on the window panner, and an upper portion for depositing a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ) on the lower insulating film Mobile communication terminal exterior parts having a non-conductive structure, characterized in that consisting of an insulating film (234). 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 다층 증착막(230)은,The multilayer deposition film 230, 20~500kΩㆍm의 비저항값을 유지하는 것을 특징으로 하는 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품.A mobile communication terminal exterior part having an electrostatic discharge and a non-conductive structure, characterized by maintaining a resistivity of 20 to 500 kΩ · m. 제 1 항에 기재된 구성을 이용한 정전방전구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a mobile communication terminal exterior part having an electrostatic discharge structure using the configuration according to claim 1, 산화규소(SiO) 재질의 버퍼막(232)을 증착시키는 공정;Depositing a buffer film 232 of silicon oxide (SiO) material; 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 형성하여 상기 버퍼막 상부에 하부 절연막(233)을 증착시키는 공정;Forming a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) to deposit a lower insulating film 233 on the buffer film; 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 형성하여 상기 하부 절연막 상부에 상 부 절연막(234)을 증착시키는 공정; 및Forming a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ) to deposit an upper insulating film 234 on the lower insulating film; And 크롬(Cr)합금을 박막처리하여 상기 상부 절연막 상부에 정전방지용 크롬합금막(235)을 증착시키는 공정; 을 수행하는 것을 특징으로 하는 정전방전구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품 제조방법.Depositing an antistatic chromium alloy film 235 on the upper insulating film by thin-filming the chromium (Cr) alloy; Method for manufacturing a mobile communication terminal exterior parts having an electrostatic discharge structure, characterized in that for performing. 제 2 항에 기재된 구성을 이용한 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a mobile communication terminal exterior part having a non-conductive structure using the configuration of claim 2, 이산화티타늄(TiO2)의 고굴절 산화물을 형성하여 윈도우패널(231) 상부에 하부 절연막(233)을 증착시키는 공정; 및Forming a high refractive oxide of titanium dioxide (TiO 2 ) to deposit a lower insulating film 233 on the window panel 231; And 이산화규소(SiO2)의 저굴절 산화물을 형성하여 상기 하부 절연막 상부에 상부 절연막(234)을 증착시키는 공정; 을 수행하는 것을 특징으로 하는 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품의 제조방법.Forming a low refractive oxide of silicon dioxide (SiO 2 ) to deposit an upper insulating film 234 on the lower insulating film; Method for manufacturing a mobile communication terminal exterior parts having a non-conductive structure, characterized in that for performing. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, The method according to claim 4 or 5, 상기 버퍼막(232) 또는 상기 하부 절연막(233)을 증착시키는 공정 이전에,Before the process of depositing the buffer film 232 or the lower insulating film 233, PMMA 및 PC 재질의 윈도우패널(231)을 열처리하는 단계;Heat-treating the window panel 231 made of PMMA and PC materials; 상기 윈도우패널의 이물질 제거하는 단계; 및Removing foreign matter from the window panel; And 플라즈마를 형성하는 단계; 을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품 제조방법.Forming a plasma; Method for manufacturing a mobile communication terminal exterior parts having a static discharge and non-conductive structure, characterized in that further performing. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 플라즈마를 형성하는 단계는,Forming the plasma, 진공 챔버(510)에 상기 윈도우패널을 장입하여 내부압력을 4.5×E-5 Torr 이하의 진공도를 유지하는 단계; 및Charging the window panel to a vacuum chamber 510 to maintain an internal pressure of 4.5 × E-5 Torr or less; And 가스유량조절기(560)를 이용하여 아르곤(Ar)가스와 산소(O2)가스를 플라즈마 이온빔(520)으로 전송하는 단계; 을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 정전방전 및 비전도 구조를 갖는 이동통신단말기 외장부품 제조방법.Transmitting argon (Ar) gas and oxygen (O 2 ) gas to the plasma ion beam 520 using the gas flow controller 560; Method for manufacturing a mobile communication terminal exterior parts having a static discharge and non-conductive structure, characterized in that further performing.
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